JPH01194292A - エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、平面型デイスプレィ・デイバイスとしてコン
ピュータシステムの端末器その他の表示装置に静止画像
や動画像の表示手段として利用されるエレクトロルミネ
センス素子に関する。

［従来の技術］ 第７図は、従来のこの種のエレクトロルミネセンス（以
下Ｆ、Ｌと略記する）素子を示す断面図である。第３図
に示されるように、従来のＥＬ素子は、ガラス板等の透
明基板１上にＳｉＯやＨ（１０等からなる反射防止膜２
を形成し、この反射防止ＷＡ２上にＩｎ２ｑ　ｓ　、Ｓ
ｎＯ２等からなる透明電極層３を配列し、次に、Ｙ　２
０　ｓ　、　　Ｔａ　２０　ｓ　”ｆＦカラナル第１誘
電体層４、発光中心として０．１〜２重量％のＨｎをド
ープした２ｎＳ等からなる発光層５および第２誘電体層
６を順次積層した後、八１、Ｔａ、　Ｈａ等からなる背
面電極層７を配列することによって形成されていた。こ
の場合、前記透明電極層側から見て透明電極層と背面電
極層との交差する領域がそれぞれ１絵素を構成し、両電
極間に交流電圧を印加すると各絵素部分からＨｎを発光
中心とする黄橙色の光を発光するもので、各電極に印加
する電圧を制御することによって表示を行うものである
（例えば、特開昭５１−３３５７９号公報参照）。

ところで、上記従来例のＥＬ素了における反射防止ＷＡ
２は、屈折率が０１及びｎ２である２つの物質面に、 屈折率：ｎ＝（ｎｌ、ｎ２）ｌ／２ 膜厚　：ｔ＝λ／４　（λ：光の波長）である薄膜層を
介在させると、前記両物質問の境界面における波長λの
光に対する反射率がゼロになるという原理を応用したも
ので、前記透明基板１の屈折率をｎ＋、透明電極層３の
屈折率を０２、発光層５から発光される光（以下、ＥＬ
光という）の中心波長をλとそれぞれしたとき、前記反
射防止膜２の屈折率及び膜厚を上記条件を満足するよう
に選定し、これにより、前記発光層５からのＥＬ光が前
記透明基板ｌと透明電極層３との境界面で反射されるの
を防止し、実質輝度の低下を防いでいるものである。

また、このようなＥＬ素子における誘電体層は、絶縁耐
圧と誘電率がともに高く、かつ、誘電損失が小さいこと
が望まれるが、透明電極が形成された透明基板と発光層
との間に形成される第１誘電体層としては、この他に前
記透明基板および透明電極との付着力が強く、発光層形
成後の活性化のための高温加熱処理工程においても膜割
れや剥離等の界雷が生じないことが要求される。

従来、この誘電体層には、Ｙ２Ｏ３、 Ｔａ２０ｓ　　、Ａ　ｌ　２　０ｓ　　、Ｈｆ　０２　
　、ＰｂＴｉＯｓ　、ＢａＴａｚ　Ｏ６等の酸化物や、
Ｓｉ３Ｎ４、シリコンオキシナイトライド等の才勿質が
単層または多層として用いられ、通常これらの層は微少
欠陥による絶縁破壊を防止するために、スパッタリング
法によって形成されていた。

［発明が解決しようとする問題点コ ところが、上述の従来のＥＬ素子には以下のような問題
点があった。

■　上述の通り、前記反射防止膜２の屈折率ｎは、前記
透明基板１の屈折率をｒｌ＋、透明電極層３の屈折率を
０２としたとき、 ｎ　＝　（ｎ　ｔ・ｎ２）　ｌ／２ の関係を有していなければならないが、透明基板１及び
透明型ｉ層３に採用できる材質は極めて限られているこ
とから、ｒｌ＋、ｎ２の値はこの材質によってあらかじ
め規制されてしまう。その結果、ｎの値はこれら限られ
たｎ　ｌ　＋　ｎ　２の値から導かれる限られた特定の
値にしなければならないが、このような特定の屈折率を
有する薄膜を形成することは必ずしも容易なことではな
い。

■　前記透明電極層３及び背面電極Ｍ７の間に印加され
る電圧が、有効に発光層５に印加されるためにはこれら
各電極と発光層５との間に介在される各層をできるだけ
その比誘電率を大きくするか、あるいは、膜厚め薄いも
のとしてこれら各層による分圧による電圧のロスを小さ
くする必要があるが、前記反射防止膜２として通常採用
される材料の比誘電率は一般的に小さい（例えば、上述
のＳｉＯ及びＨ（ＩＱの比誘電率はをれぞれ４〜６及び
９乏１０である）とともに、反射防止膜としての作用を
なすために、必然的に発光層５からのＥＬ光の中心波長
λの１７４（上記従来例では約１５００オングストロー
ムになる）の厚さとしなければならず、このため、分圧
による電圧のロスが極めて大きくなってしまう。

■　前記反射防止膜２によって反射防止効果が得られる
のは波長λ、すなわち、ＥＬ光の中心波長の光に対して
だけであり、他の波長の光に対しては反射防止効果がな
い。したがって、前記発光層５からのＦ、Ｌ光は効率良
く外部へ射出されるか、一方、外部からＥＬ素子に入射
する種々の波長を含む白色光に対してはほとんど反射防
止効果が得られないので、明るい場所で使用した場合、
外部光の反射により表示がみにくくなるおそれがある。

■　また、前記誘電体層を形成するために酸化物をスパ
ッタリング法により成膜すると、酸素プラズマの影響に
より下地の透明電極が黒化したり、電気抵抗が増大する
等の問題がある一方、上述の誘電体層を構成する組成物
の多くは前記透明基板あるいは透明電極との付着力が充
分でないことから、前記発光層を活性化するために行う
４００〜６００℃の熱処理によって剥離が生ずる場合が
ある。

この問題点を解決する方法として、本発明者等は、アル
ゴンガス雰囲気中で各膜層との付着性が良好な５ｔｏ２
膜を透明基板および透明”ｉｔ極と誘電体層の間に成膜
することにより、膜剥離と透明電極の劣化を防止する方
法を既に提案している（Ｙ。

Ｓ１旧ＺＵ、ｅｔ　ａｌ、、ｃＯＮＦＥＲＥＮｃＥ　Ｒ
ＥＣＯＲＤ　ＯＦ　ＴＨＥ　１９８５ＩＮＴＥＲＮＡＴ
ＩＯＮＡＬ　ＤＩＳＰＬＡＹ　ＲＥＳＥＡＲＣＨＣ０Ｎ
ＦＥＲＥＮＣＥ。

Ｐｌｏｌ　１９８５参照）、シかしながら、このような
構成からなるＥＬ素子は、前記Ｓ　ｉ　Ｏ２膜と誘電体
層との屈折率の差が大きい（例えば、誘電体層として、
ＢａＴａｚＯ６を用いた場合、該誘電体層の屈折率が２
．４であるのに対し、５１０２の屈折率は１．４である
。）ため、これらの境界面における反射率が高くなり、
これにより、表示が不鮮明になるという問題点があった
。

本発明の目的は、上記問題点を解決したＥＬ素子を提供
することにある。

［問題点を解決するための手段］ 本発明は、透明基板とこの透明基板に隣接して設けられ
るいずれかの層との間及び前記透明基板上に設けられた
各層のうち互いに隣接する層の間の少なくともいずれか
１つの間に薄膜層を介在させ、この薄膜層の屈折率を、
該薄膜層と前記各層との境界に近づくにしたがってこれ
ら各層の屈折率に近い値となるようにし、これらの境界
における屈折率の差を小さくすることによって、これら
各境界面における反射を少なくしたＥＬ素子を得ている
もので、 具体的には、 透明基板上に、少なくとも、透明電極層と、背面電極層
と、この背面電極層と前記透明電極層との間に形成され
る発光層を含む１以上の層とを含む複数の層をそれぞれ
設けてなるエレクトロルミネセンス素子において、 前記透明基板とこの透明基板に隣接して設けられる前記
いずれかの層との間及び前記透明基板上に設けられた各
層のうち互いに隣接する層の間のうち少なくともいずれ
か１つの間に薄膜層を介在させ、この薄膜層の屈折率を
、該薄膜層と前記各層との境界に近づくにしたがってこ
れら各層の屈折率に近い値となるようにしたことを特徴
とする構成を有する。

［作用］ 前記構成のＥＬ素子にあっては、前記透明電極層と背面
電極層とに制御電圧を印加すると、前記透明電極層側か
ら見て透明電極層と背面型ｔり層との交差する領域にそ
れぞれ形成される各絵素からＨｎを発光中心とする黄橙
色の光が発光され、表示が行なわれる。

ところで、このＥｌ−素子は、透明基板とこの透明基板
に隣接して設けられるいずれかの層との間及び前記透明
基板上に設けられた各層の間のうち少なくともいずれか
１つの間に薄膜層を介在させ、この薄膜層の屈折率を、
該薄ＷＡ層と前記各層との境界に近づくにしたがってこ
れら各層の屈折率に近い値となるようにした構成を有し
、これらの境界における屈折率の差を小くすることによ
って、これら各境界面における反射を少なくおさえてい
るものであるから、前記従来例のように、反射防止効果
が特定の波長λに限られることがなく、したがって、Ｅ
ｌ光を効率よく射出できるばかりでなく外部からＥＬ素
子に入射する外部白色光に対しても反射防止効果が得ら
れ、表示を見易くする。

さらに、この薄膜の厚さをλ／４にする必要がなく、著
しく薄く形成することができるから、前記印加電圧に対
するこの薄膜の分圧を大巾に低減でき、したがって、輝
度の高いＥｌ光を効率良く得ることができる。

［実施例］ 第１図は、本発明に係るＥＬ素子の第１実施例を示す断
面図である。

同図において、符号１１は透明基板（屈折率１．５）で
あり、この透明基板１１上には薄ＷＡ層１２が形成され
、さらに該薄膜層１２上には、複数の帯状の透明電極［
１３（屈折率１．９）が一定の間隔をおいてほぼ平行と
なるように形成されている（なお、図においては、この
複数の透明電極層２のうちの１つについてその長手方向
の断面が示されている）。

この場合、前記薄膜層１２は、前記透明基板１１との境
界面近傍において該透明基板１１の屈折率と同じ屈折率
（１，５＞を有し、この境界面近傍から膜厚方向に前記
透明電極層１３との境界面に向かうにしたがって次第に
屈折率が大きくなって、前記透明４４′Ｊ＃！層１３と
の境界面近傍では該透明型ｉ層の屈折率と同じ屈折率（
１，９）を有するように形成されている。

このような薄膜１１２は、一般式ＭＯｘ、またはＬＮｙ
で表される物質のＸまたはｙの値を厚さ方向に変化させ
ることにより、あるいは、屈折率の異なる２種類の物質
を混合して形成される組成物の混合割合を厚さ方向に変
化させることにより得ることができる。

なお、ここにおいて、 Ｍ　・＝　Ｓ　ｉ　、＾ｌ、Ｔａ、Ｙ、２ｒ、Ｉｆまた
はＨｇのうちのいずれか１種の金属元素 ０……酸素 Ｘ……Ｍの原子価の１７２以下の値Ｌ　・Ｓ　ｉ　、＾
ｌ、Ｔａ、Ｙ、２ｒ、ＨｆまたはＨ９のうちのいずれか
１種の金属元素 Ｎ……窒素 ｙ……Ｌの原子価の１７３以下の値である。

すなわち、前記ＭＯｘとしては、例えば、Ｓ！０２　、
＾Ｉｔ　Ｏｓ　、ＨｏＯ等を上げることができ、また、
ＬＮｙとしては、Ｓｉｘ　Ｎ　４　、＾ＩＮ、ＳｉＮ４
等をあげることができる。

次に、前記透明電極層１３の上には第１誘電体層１４（
屈折率２．３）が形成され、この第１誘電体層１４上に
は発光層１５が形成されているとともに、該発光層１５
上には第２誘電体層１６を介して前記各透明電極層１３
とそれぞれ直交するように複数の帯状の背面電極層１７
が形成されている。

こうして形成されたＥＬ素子は、前記透明電極層１３と
背面電極層１７との間に交流電圧（１５０Ｖ）を印加す
ると、前記発光層１５からピーク波長約５８００オング
ストロームの黄橙色の光を発光するから、これら画電極
に印加する電圧を種々制御することにより、表示を行う
ことができる。

この構成によれば、前記薄膜層１２の前記透明基板１１
との境界面近傍における屈折率と、該透明基板１１の屈
折率とが、ともに１．５であって同一であるとともに、
前記薄膜層１２の前記透明電極層１３との境界面近傍に
おける屈折率と、該透明電極１３の屈折率とが、ともに
１．９であって同一である。したがって、これら境界面
における光の反射率はいずれも実質的に無視できる程度
となる、また、前記従来例のように、反射防止効果が特
定の波長λに限られることがなく、したがって、ＥＬ光
を効率よく射出できるばかりでなく外部からＥＬ素子に
入射する外部白色光に対しても反射防止効果が得られ、
表示を見易くする。さらに、この薄膜の厚さをλ／４に
する必要がなく、著しく薄く形成することができるから
、前記印加電圧に対するこの薄膜の分圧を大巾に低減で
き、したが。

って、輝度の高いＥＬ光を効率良く得ることができる。

しかも、この実施例によれば、前記一般式で表される物
質の各変数を適宜選定したり、あるいは、前記組成物を
適宜選定することにより、前記薄膜層１２の屈折率を、
前記透明基板１１や透明電極層１３の材質に応じて比較
的容易に上述の関係に設定することができるので、種々
の種類のＥＬ素子に比較的簡単に適用することができ、
その応用範囲が極めて広いという利点もある。

次に、本発明者等は、この実施例に係るＥＬ素子の製造
を実際に種々試みているので、以下に、その一部を製造
例として掲げる。

（製造例１−１） 第１図において、まず、アルミノシリケートガラス（例
えば、商品名Ｎ＾４０としてＨＯＹＡ株式会社から販売
されている）からなる透明基板１１（屈折率１．５）上
にＳｉをスパッタターゲットとして、酸素ガスを混入し
たアルゴンガス雰囲気、圧力０．６Ｐａ　、高周波出力
３Ｗ／ｃ１２の条件下において、前記酸素ガスの分圧を
０．４Ｐａから０．２Ｐａまで徐々に変化させながら反
応性スパッタを行い、結局前記ガラス基板１１上に全膜
厚が２００オングストロ一ム程度のＳｉＯｘの薄膜層１
２を形成する。

このようにして成膜したＳｉＯｘ薄膜層１２は、前記透
明基板１１との境界面近傍においてはＸの値が１．８（
このとき屈折率は１．５となる）であり、この境界面近
傍から膜厚方向に他方の面に行くにしたがってＸの値が
１．８から次第に小さくなっていき、前記他方の面の近
傍ではＸの値′がほぼ１．０（屈折率１．９）となって
いる。

次に、前記薄膜層１２の上に、Ｓ酸化物を混入した酸化
インジウムからなる透明導電膜を真空蒸着法により約２
０００オングストローム程度の厚さに成膜した後、この
透明導電膜をフォトリソグラフィー法によりエツチング
液として塩酸と塩化第２鉄との混合溶液を用いて透明電
極ＮＪ１３（屈折率１．９）を複数帯状（図において左
右方向がその長手方向になる）に配列して形成する。

次いで、金属タンタルをスパッタターゲットとして、酸
素ガスを約３０％混入したアルゴンガス雰囲気、圧力０
．６Ｐａ　、高周波出力９Ｗ／−の条件下で反応性スパ
ッタを行い、前記透明電＠層１３の上に膜厚３０００オ
ングストローム程、度のＴａｚ　Ｏｓ薄膜からなる第１
誘電体層１４（屈折率２．２）を成膜する。

次に、この第１誘電体層１４上に、活性物質として約０
．５重量％程度のＭｎを添加したｌｎＳ　：　Ｈｎ焼結
ベレットを蒸発源として真空蒸着法により２ｎＳ　：　
Ｈｎｉ膜からなる発光層１５を約６０００オンダストロ
ーＡ程度の厚さに成膜する。

しかるのち、前記第１誘電体層１４の成膜のときと同様
に反応性スパッタリング法によりＴａ２Ｏｓ薄膜からな
る第２誘電体層１６を約３０００オングストローム程度
の厚さに成膜する。

最後に、この第２誘電体層１６上にＡ１薄膜を形成し、
これにフォトリソグラフィー法を施し、エツチング液と
して硝酸と燐酸との混合溶液を用いてエツチング処理を
施して複数の帯状の背面電極層１７を前記各透明電極層
１３にそれぞれ直行するように（図において紙面垂直方
向）形成する。

こうして製造されたＥＬ素子は、前記透明電極層１３と
背面電極層１７との間に交流電圧（１５０Ｖ）を印加し
、前記発光層１５からピーク波長約５８００オングスト
ロームの黄橙色の光を発光させて、これら画電極に印加
する電圧を種々制御することにより、表示テストを行な
った結果、前記実施例で述べた利点を全て備えているこ
とが確認されている。

（製造例１−２） この製造例は、薄膜層１２を前記製造例１−１における
５ｔｙｘ薄膜層とするがわりに、屈折率の異なる２種類
の物質である５ｉ０２（屈折率１，４）とＴａ１１５　
（屈折率２．２）との混合薄膜層とした点を除き、前記
製造例１−１と同じであるから、以下、この点について
説明する。

まず前記透明基板１１上に、３ｉ０２を第１スパツタタ
ーゲツト、Ｔａｉ　Ｏ、を第２のスパッタターゲットと
して、酸素ガスを混入したアルゴンガス雰囲気、全圧０
．６Ｐａ　、酸素分圧０．２Ｐａ　、混合薄膜層形成初
期の高周波出力を、ＳｉＯ□ターゲットについては５賛
／ｃＩＭ２、Ｔａｔ　ＯｓターゲットについてはＩＷ／
ｃｎ　”の条件で同時にスパッタを行い、前記透明基板
１１との境界面近傍に屈折率が１．５の混合薄膜層を形
成する。続いて、前記各高周波出力を徐々に変化させな
がら同様のスパッタを続行し、最終的に、ＳｉＯｔター
ゲットについては２Ｗ／ｃｍ　２、Ｔａｔ　Ｏｓターゲ
ットについては１０１４／ｃｍ２の条件で前記透明電極
層１３との境界面となる部位の近傍の屈折率が１．９と
なるようにする。このようにして、全膜厚が約２００オ
ングストロームの薄膜層１３を得ている。この製造例に
おいても、前記製造例１−１と同一の利点が得られてい
る。なお、上記製造例では、スパッタ法を用いて行う例
を掲げたが、これは、他の薄膜形成技術、例えば、真空
蒸着法によっても同様に行うことができる。

（製造例１−３） 第２図は、製造例１−３を説明するための断面図である
。

第２図に示されるように、この製造例にあっては、前記
製造例１−１におけるＳｉＯｘ薄膜層１２を、互いに成
膜条件を異ならしめて形成した複数の薄膜１２ｅ　（屈
折率１．５）、１２ｄ（同１．６　）、１２ｃ　　（同
１．７）、１２ｂ（同１．８）、１２ａ　（同１．９）
を順次重ねることによって形成した点を除き、製造例１
−１と同じであるので、以下にこの点を説明する。

第２図において、透明基板１１上に８１をスパッタター
ゲットとして、酸素ガスを混入したアルゴンガス雰囲気
、全圧０．６Ｐａ　、酸素分圧０．２Ｐａ、高周波出力
３Ｉ４／−の条件下でスパッタを行い、膜厚５０オング
ストロームの薄膜１２ａ　（屈折率１，５）を形成する
０次に、この薄Ｍ１２ａの上に、該薄膜１２ａの成膜条
件と酸素分圧条件だけを異ならしめた成膜条件で順次ス
パッタを行い、以下のように４層の薄膜（厚さはいずれ
も５０オングストローム）をさらに重ねて形成し、全膜
厚２５０オンゲストトムの薄膜層１２を形成する。

すなわち、酸素分圧０．３３Ｐａで薄ＷＡ１２ｂ　　（
屈折率１゜６）を、酸素分圧０．２７Ｐａで薄膜１２Ｃ
（屈折率１．７）を、酸素分圧０．２３Ｐａで薄膜１２
ｄ　（屈折率１．８）を、酸素分圧０．２０Ｐａで薄膜
１２ｅ　（屈折率１．９）をそれぞれ形成するものであ
る。

この製造例によって得られたＦ、Ｌ素子によっても前記
各製造例の場合と同様の利点が得られている。

なお、以上の製造例においては、前記薄膜層１２の膜厚
が２００〜２５０オングストロームといずれも前述の従
来例（１５００オングストローム）に比較して著しく薄
く形成されていることから、前記画電極に印加される交
流制御電圧に対する該薄膜層１２による分圧を低く押さ
えて前記発光層１５に有効に電圧が印加され、輝度の高
いＥＬ光を効率良く得るという観点から極めて有利とな
っている。

また、上述の製造例１−１及び１−３にあっては、Ｓｉ
Ｏｘ薄膜層１２のＸの値を厚さ方向に異ならしめるため
に、該薄ＩＩ！ＮＪ１２の成膜時のスパッタリングの際
に、酸素ガスとアルゴンガスの全圧を一定に保ちながら
酸素ガスの分圧を変える例を掲げたが、これは、アルゴ
ンガスの圧力を一定に保ちながら酸素ガスの圧力を変え
てもよい。

また、ＳｉＯｘ薄１］［１２の成膜方法としてスパッタ
リング法を掲げたが、これも真空蒸着法、イオンブレー
ティング法その他同様の成膜が可能な方法を適用しても
よい、さらに、薄ｒＩＡ層１２を構成する物質としては
、一般式ＬＮｘで表されるものを用いても良い。

第３図は、本発明に係るＥＬ素子の第２実施例を示す断
面図である。なお、この実施例は、透明電極と誘電体層
との間に薄膜層を介在させた例である。

同図において、符号２１は透明基板（屈折率１．５）で
あり、この透明基板２１上には複数の帯状の透明電極２
３（屈折率１．７）が一定の間隔をおいてほぼ平行とな
るように形成されている（なお、図においては、この複
数の透明電極２のうちの１つについてその長子方向の断
面が示されている）。

また、この透明型＠２３上および各透明電極２３同土間
における前記透明基板２１上には、−般式ＳｉＯｘで示
されるシリコン（Ｓｌ）と酸素（０）とで構成される薄
膜層２２が形成されている。

この薄ｐｌＡ層２２は、前記透明電極２３および透明基
板２１との境界面近傍において前記一般式におけるＸの
値が２（このとき屈折率は１．４となる）であり、この
境界面近傍から膜厚方向に他方の境界面に行くにしたが
ってＸの値が２から次第に小さくなっていき、前記他方
の境界面の近傍ではＸの値がほぼ０．２（屈折率２．２
）となるように形成されている。

そして、前記薄膜２２の上には第１誘電体層２４（屈折
率２．２）が形成され、この第１誘電体層２４上には発
光層２５が形成されているとともに、該発光層２５上に
は第２誘電体層２６を介して前記各透明電極２３とそれ
ぞれ直交するように複数の帯状の背面電極２７が形成さ
れている。

この構成によれば、前記薄膜ＮＪ２２の前記第１誘電体
層２４との境界面近傍における屈折率が２．２であり、
該第１誘電体層２４の屈折率（２，２）と同一であると
ともに、前記透明電［！２３および透明基板２１との境
界面近傍における屈折率が１．４であって、これら透明
電極２３および透明基板２１の屈折率（それぞれ１．７
および１．５）と極めて近い値となる。

これにより、これら境界面における光の反射率がいずれ
も１％以下となる。

次に、この実施例に係るＥＬ素子について第３図を参照
にしながらその製造工程を含めてさらに詳細に説明する
。

まず、アルミノシリケートガラス（例えば、商品名ＮＡ
４０としてＨＯＹＡ株式会社から販売されている）から
なる透明基板２１（屈折率１．５）上に錫酸化物を混入
した酸化インジウムからなる透明導電膜を真空蒸着法に
より約２０００オンダストローム程度の厚さに成膜した
後、この透明導電膜をフォトリソグラフィー法によりエ
ツチング液として塩酸と塩化第２鉄との混合溶液を用い
て透明電［！２３（屈折率１．７）を複数帯状（図にお
いて左右方向がその長手方向になる）に配列して形成す
る。

次に、３ｉ０ｉをスパッタターゲットとして、アルゴン
ガス１００％の雰囲気、圧力０．６Ｐａ　、高周波出力
３１４／　ａａの条件下でスパッタを行って、前記ガラ
ス基板２１および透明電極２３上に５ｉＯｚ薄膜を数十
オングストロームの膜厚に成膜し、この薄膜の上にさら
に引き続いて、Ｓｉをスパッタターゲットとし、酸素ガ
スを混入したアルゴンガス雰囲気、圧力０．６Ｐａ　、
高周波出力３Ｗ／　ｃｄの条件下において、前記酸素ガ
スの分圧を０．５Ｐａから０．０５Ｐａまで徐々に変化
させながら反応性スパッタを行い、結局、前記ガラス基
板２１および透明電極２３の上に全膜厚が２００オング
ストロ一ム程度のＳｉＯｘ薄膜層２２を重ねて成膜する
。

このようにして成膜した５ｔｙｘ薄膜層２２は、前記透
明基板２１および透明電極２３との境界面近傍において
はＸの値が２（このとき屈折率は１．４となる）であり
、この境界面近傍から膜厚方向に他方の面に行くにした
がってＸの値が２から次第に小さくなっていき、前記他
方の面の近傍ではＸの値がほぼ０．２（屈折率２．２）
となっている。

次いで、金属タンタルをスパッタターゲットとして、酸
素ガスを約３０％混入したアルゴンガス雰囲気、圧力０
．６Ｐａ　、高周波出力９−／ｄの条件下で反応性スパ
ッタを行い、前記ＳｉＯｘ薄ｙＡ２２の上に膜厚３００
０オングストロ一ム程度の’ｒ’ａ２０ｓ薄膜からなる
第１誘電体層２４（屈折率２．２）を成膜する。

次に、この第１誘電体層２４上に、活性物質として約０
．５重量％程度のＭｎを添加したＺｎＳ　：　Ｍｎ焼結
ベレットを蒸発源として真空蒸着法によりＺｎ：Ｍｎ薄
膜からなる発光層２５を約６０００オングストローム程
度の厚さに成膜する。

しかるのち、前記第１誘電体層４の成膜のときと同様に
反応性スパッタリング法によりＴａ２ｏｓ薄膜からなる
第２誘電体層２６を約３０００オングストローム程度の
厚さに成膜する。

最後に、この第２誘電体層２６上にＡＩ薄膜を形成し、
これにフォトリソグラフィー法を施し、エツチング液と
して硝酸と燐酸との混合溶液を用いてエツチング処理を
施して複数の帯状の背面電極２７゛を前記各透明電極２
にそれぞれ直行するように（図において紙面垂直方向）
形成する。

こうして製造されたＥＬ素子は、前記透明電極２３と背
面電極２７との間に交流電圧（１５０Ｖ）を印面するこ
とにより、前記発光層２５からピーク波長約５８００オ
ングストロームの黄橙色の光が発光されるから、これら
画電極に印加する電圧を種々制御することによって表示
を行うことができる。

この実施例に係るＥＬ素子は、前記第１誘電体層２４が
酸化物であるにもかかわらず、前記透明型に４２３が黒
化したり電気抵抗が増加するような劣化が認められない
とともに、前記発光Ｍ２５の成膜後のアニールによって
も膜剥がれ等の現象も認められ、ず、ＳｉＯｘ薄膜層２
２の存在が透明電極２３の劣化や誘電体層２４の膜剥が
れ防止に極めて有効であることが確認された。

同時に、前記薄膜層２２が前記透明電極２３、透明基板
２１および第１誘電体層２４とのそれぞれと接する境界
面近傍における該薄膜層２２の屈折率がそれぞれ他の層
の境界面近傍における屈折率と極めて近い値となってお
り、これにより、これら境界面における光の反射率がい
ずれも１％以下という極めて小さい値であることが確認
された。

第４図は、本発明の第３実施例を示す断面図である。

第４図に示されるように、この実施例にあっては、前記
第２実施例における５ｔｙｘ薄膜層２２を、互いに成膜
条件を異ならしめて形成した複数の薄Ｍ２２ａ（屈折率
１．４）、２２ｂ、（同１．６）、２２ｃ　（同１．８
）、２２ｄ（同２．０）、２２ｅ（同２．２）を順次重
ねることによって形成した点を除き、前記第２実施例と
同じ構成を有するので、以下にこの点を製造工程を含め
て詳細に述べる。

まず、前記透明基板２１および透明電極２３上に、５ｉ
Ｏｚをスパッタターゲットとしてアルゴンガス１００％
雰囲気、圧力０．６Ｐａ　、高周波出力３−／−の条件
下でスパッタを行い、膜厚５０オングストロームの薄Ｍ
２２ａ（屈折率１．４）を形成する。

次に、Ｓｉをスパッタターゲットとして、酸素ガスを混
入したアルゴンガス雰囲気、全圧０．６Ｐａ、酸素分圧
０．３Ｐａ　、高周波出力３−／−の条件下でスパッタ
を行い、前記薄膜２２ａの上に膜厚５０オングストロー
ムの薄ＷＡ２２ｂ（屈折率１．６）を形成する。

さらに、この薄膜２２ｂの上に、該薄膜２２ｂの成膜条
件と酸素分圧条件だけを異ならしめた成膜条件で順次ス
パッタを行い、以下のように３つの薄膜（厚さはいずれ
も５０オングストローム）をさらに重ねて形成する。

すなわち、酸素分圧０．　ＩＰａで薄ｗＡ２２ｃ（屈折
率１．８）を、酸素分圧０．０７Ｐａで薄膜２２ｄ（屈
折率２．０）を、酸素分圧０．０５Ｐａで薄膜２２ｅ（
屈折率２．２）をそれぞれ形成する。

これによって、厚さ方向に異なるＸを有し、他の屑との
境界面近傍における屈折率がこれら他の層の屈折率と近
い値を有するＳｉＯｘ薄膜層２２が形成される。

したがって、この実施例のＥＬ素子によっても前記一実
施例と同様の作用効果が得られるものである。

なお、上述の第２及び第３実施例において、５ｔｙｘの
Ｘの値が０．５以下になると、５ｔｙｘ薄膜層２２は可
視光領域で光吸収性を有するようになるので、ＳｉＯｘ
薄ＷＡＦｇＪ２２の膜厚をあまり厚くするとこの部分の
光吸収効果による輝度低下が無視できなくなる。したが
って、この光吸収効果による輝度低下が問題とならない
範囲としてＳｉＯｘ薄膜層２２の膜厚は５００オングス
トローム以下とすることが望ましい。

また、前記画電極に印加される交流電圧のＳｉＯｘ薄ｌ
Ｉ！ｉ層２２（比誘電率４〜６）による分圧を低く押さ
えて前記発光層２５に有効に電圧が印加されるようにす
るという観点からも前記ＳｉＯｘ薄膜層２２の膜厚を５
００オンダストロ−ム以下にすることが望まれる。

一方、前記第１誘電体層２４との関係で生ずる透明電極
２３の劣化、すなわち、前記第１誘電体１２４の成膜時
における黒化あるいは高抵抗化および発光層２５を活性
化するためのアニールによる高抵抗化等を有効に防止し
、前記透明電極２３および透明基板２１との付着力を高
める効果を十分に発揮させるためには５ｔｙｘ薄ＷＡＭ
２２の膜厚は２０オングストロ一ム以上であることが望
ましい。

また、上述の第２及び第３実施例にあっては、ＳｉＯｘ
薄膜層２２のＸの値を厚さ方向に異ならしめるために、
該薄膜層２２の成膜時のスパッタリングの際に、酸素ガ
スとアルゴンガスの全圧を一定に保ちながら酸素ガスの
分圧を変える例を掲げたが、これは、アルゴンガスの圧
力を一定に保ちながら酸素ガスの圧力を変えてもよい。

また、ＳｉＯｘ薄膜層２２の成膜方法としてスパッタリ
ング法を掲げたが、これも真空蒸着法、イオンブレーテ
ィング法その曲間様の成膜が可能な方法を適用してもよ
い。

第５図は、本発明に係るＥＬ素子の第４実施例を示す断
面図である。

同図において、符号３１は透明基板であり、この透明基
板３１上には、複数の帯状の透明型ａ！層３３（屈折率
１．９）が一定の間隔をおいてほぼ平行となるように形
成されている（なお、図においては、この複数の透明型
ｆｌ！層３３のうちの１つについてその長手方向の断面
が示されている）。

次に、前記透明基板３１及び透明型４ｆ１層３３の上に
は第１誘電体層３４（屈折率１．９）が形成され、この
第１誘電体層３４上には第１薄膜ＮＪ３２が形成されて
いる。また、該第１薄膜層３２の上には、発光層３５（
屈折率２゜３）が形成され、この発光層３５上には第２
薄膜層３２０が形成されている。

さらに、この第２薄膜層３２０上には、第２誘電体層３
６（屈折率１．９）を介して前記各透明電極層１３とそ
れぞれ直交するように複数の帯状の背面電極層３７が形
成されている。

この場合、前記薄膜層３２は、前記第１誘電体層３４と
の境界面近傍において該第１誘電体層３４の屈折率と同
じ屈折率（１，９＞を有し、この境界面近傍から膜厚方
向に前記発光層３５との境界面に向かうにしたがって次
第に屈折率が大きくなって、前記発光層３５との境界面
近傍では該発光層の屈折率と同じ屈折率（２，３）を有
するように形成されている。また、前記薄膜層３２０は
、前記発光層３５との境界面近傍において該発光層３５
の屈折率と同じ屈折率（２，３）を有し、この境界面近
傍から膜厚方向に前記第２誘電体ｊｍ３６との境界面に
向かうにしたがって次第に屈折率が小さくなって、前記
第２誘電体層３６との境界面近傍では該第２誘電体層３
６の屈折率と同じ屈折率（１，９）を有するように形成
されているものである。

このような薄膜層３２及び３２０は、上述の第１実施例
で詳述したと同様に、一般式ＭＯｘ、またはＬＮＶで表
される物質のＸまたはｙの値を厚さ方向に変化させるこ
とにより、あるいは、屈折率の異なる２種類の物質を混
合して形成される組成物の混合割合を厚さ方向に変化さ
せることにより得ることができる。

この構成によれば、前記第１薄膜層３２の前記第１誘電
体層３４との境界面近傍における屈折率と、該第１誘電
体層３４の屈折率とが、ともに１．９であって同一であ
るとともに、前記第１薄膜層３２の前記発光層３５との
境界面近傍における屈折率と、該発光層３５の屈折率と
が、ともに２．３であって同一である。

また、前記第２薄膜層３２０の前記発光層３５との境界
面近傍における屈折率と、該発光層３５の屈折率とが、
ともに２．３であって同一であるとともに、前記第２薄
膜層３２０の前記第２誘電体層３６との境界面近傍にお
ける屈折率と、該第２誘電体層３６の屈折率とが、とも
に１．９であって同一である。

したがって、これら境界面における光の反射率はいずれ
も実質的に無視できる程度となる。また、前述の第１実
施例の場合と同様に、前記従来例のように、反射防止効
果が特定の波長λに限られることがなく、したがって、
ＥＬ光を効率よく射出できるばかりでなく外部からＥＬ
素子に入射する外部白色光に対しても反射防止効果が得
られ、表示を見易くする。

以下、上記第４実施例についてその製造例を述べる。

（製造例４−１） 第５図において、まず、アルミノシリケートガラス（例
えば、商品名Ｎ＾４０としてＨＯＹ　Ａ株式会社から販
売されている）からなる透明基板３１上に、前述の製造
例１−１の場合と同様の方法により、約２０００オング
ストローム程度の厚さに透明電極層３３（屈折率１．９
）を複数帯状（図において左右方向がその長手方向にな
る）に配列して形成する。

次に、酸化イツトリウムをスパッタターゲットとして、
酸素ガスを約３０％混入したアルゴンガス雰囲気、圧力
０．３Ｐａ　、高周波出力４−／−の条件下でスパッタ
を行い、前記透明基板３１及び透明電極層３３の上に膜
厚３０００オンゲス）ローム程度のＹ２０ｍ薄膜からな
る第１誘電体層３４（屈折率１．９）を成膜する。

次いで、Ｓｉをスパッタターゲットとして、酸素ガスを
混入したアルゴンガス雰囲気、圧力０．６Ｐａ　、高周
波出力３Ｗ／ｃｎ　”の条件下において、前記酸素ガス
の分圧を０．０８Ｐａから０．０４Ｐａまで徐々に変化
させながら反応性スパッタを灯い、結局前記第１誘電体
層３４上に全膜厚が２００オングストロ一ム程度のＳｉ
Ｏｘの薄膜層３２を形成する。

このようにして成膜したＳ　ｉ　Ｏｘ薄ＷＡ層３２は、
前記第１誘電体層３４との境界面近傍においてはＸの値
が１．０（このとき屈折率は１．９となる）であり、こ
の境界面近傍から膜厚方向に西方の面に行くにしたがっ
てＸの値が１．０から次第に小さくなっていき、前記他
方の面の近傍ではＸの値がほぼ０．５（屈折率２．３）
となっている。

次に、前記薄膜層３２に、前記製造例１−１と同様の条
件により、Ｉｎｓ　：　Ｈｎ薄膜からなる発光層３５を
約６０００オングストローム程度の厚さに成膜する。

次いで、前記発光層３５の上に、前記第１薄膜層３２の
形成の際とほぼ同様の条件下であって、かつ、酸素ガス
の分圧変化条件を逆にして（すなわち、０．０４Ｐａか
ら０．０８Ｐａに変化させて）第２薄膜層３２０を形成
する。

しかるのち、前記第１誘電体層３４の成膜のときと同様
に反応性スパッタリング法によりＹ２Ｏ，薄膜からなる
第２誘電体層３６を約３０００オングストローム程度の
厚さに成膜する。

最後に、この第２誘電体層３６上にへ１薄膜よりなる複
数の帯状の背面電極層３７を前記各透明電極層３３にそ
れぞれ直行するように（図において紙高垂直方向）形成
する。

こうして製造されたＥＬ素子は、表示テストを行なった
結果、前記実施例で述べた利点を全て備えていることが
確認されている。

（製造例４−２） この製造例は、第１薄膜層３２及び第２薄Ｉ１％層３２
０を前記製造例４−１における５ｔｙｘ薄膜層とするか
わりに、屈折率の異なる２種類の物質である５ｉＯ２（
屈折率１．４）とＴａ２０ｓ（屈折率２．３）との混合
薄膜層とした点を除き、前記製造例４−１と同じである
から、以下、この点について説明する。

まず前記第１誘電体層３４上に、Ｓｉ０２を第１スパツ
タターゲツト、Ｔａ２Ｏｓを第２のスパッタターゲット
として、酸素ガスを混入したアルゴンガス雰囲気、全圧
０．６Ｐａ　、酸素分圧０．２Ｐａ　、混合薄膜層形成
初期の高周波出力を、ＳｉＯ、ターゲットについては踵
／ｃＩＭ”　、Ｔａｔ　Ｏｓターゲットについては１０
Ｉ４／ｃｏ＋”の条件で同時にスパッタを行い、前記第
１誘電体層３４との境界面近傍に屈折率が１．９の混合
薄ＷＡ層を形成する。続いて、前記５ｉ０２ターゲツト
の高周波出力を徐々に変化させながら同様のスパッタを
続行し、最終的に、ＳｉＯ□ターゲットについてはＯｎ
／ｃｏｔ　”　、Ｔａ２ＯｓターゲットについてはＩＯ
Ｗ／ｃｍ”の条件で前記発光層３５との境界面となる部
位の近傍の屈折率が２．３となるようにする。このよう
にして、全ＷＡ厚が約２００オングストロームの第１薄
膜層３２を得ている。また、前記発光層３５の上に、前
記第１薄Ｍ４層３２と厚さ方向に退屈折率分布を持った
第２Ｗ＃膜層を前記第１薄膜層３２の成膜の際の成膜条
件を逆にして第２薄膜層３２０を形成する。

この製造例においても、前記製造例４−１と同一の利点
が得られている。なお、上記製造例では、スパッタ法を
用いて行う場合について述べたが、これは、他の薄膜形
成技術、例えば、真空蒸着法を用いても同様に行うこと
ができる。

（製造例４−３） 第６図は、製造例４−３を説明するための断面図である
。

第６図に示されるように、この製造例にあっては、前記
製造例４−１における５ｔｙｘ薄膜層３２及び３２０を
、それぞれ互いに成膜条件を異ならしめて形成した複数
の薄１１Ｑ３２ａ　　（屈折率１．９　）、３２ｂ　　
（同２．０）、３２ｃ（同２．１）、３２ｄ　（同２．
２　＞、３２ｅ　　（同２．３）及び３２０ａ　　（屈
折率１．９　）、３２０ｂ　　（同２．０）、３２０ｃ
　　（同２．１　）、３２０ｄ　　（同２．２）、３２
０ｅ　　（同２．３）を順次重ねることによって形成し
た点を除き、製造例４−１と同じである°ので、以下に
この点を説明する。

第６図において、第１誘電体層３４上にＳｉをスパッタ
ターゲットとして、酸素ガスを混入したアルゴンガス雰
囲気、全ＪＩ０．６Ｐａ　、酸素分圧０．０８Ｐａ、高
周波出力３Ｗ／　ｃｌｉの条件下でスパッタを行い、膜
厚５０オングストロームの薄膜３２ａ　（屈折率１．９
）を形成する０次に、この薄ｆｆ１３２ａの上に、該薄
膜３２ａの成膜条件と酸素分圧条件だけを異ならしめた
成膜条件で順次スパッタを行い、以下のように４層の薄
膜（厚さはいずれも５０オングストローム）をさらに重
ねて形成し、全膜厚２５０オングストロームの第１の薄
膜層３２を形成する。

すなわち、酸素分圧０．０７Ｐａで薄膜３２ｂ　（屈折
率２．０）を、酸素分圧０．０６Ｐａで薄膜３２Ｃ（屈
折率２．１）を、酸素分圧０．０５Ｐａで薄膜３２ｄ　
（屈折率２．２）を、酸素分圧０．０４Ｐａで薄膜３２
ｅ　（屈折率２．３）をそれぞれ形成する。

また、前記発光層３５の上には、これら成膜と逆の順序
で、順次、薄膜層３２０ｅ　　（同２．３）、３２０ｄ
　　（同２．２　）　；　３２０Ｃ（同２．１）、３２
０ｂ　　（同２．０　）、３２０ａ　　（屈折率１．９
）、をそれぞれ形成していき、第２の薄膜層３２０を形
成するものである。

この製造例によって得られたＥＬ素子によっても前記各
製造例の場合と同様の利点が得られている。

なお、以上詳述した各実施例にあっては、前記厚さ方向
に屈折率分布を持たせた薄膜層を、透明基板と透明電極
層との間（第１実施例、第１図及び第２図参照）、透明
電極と第１誘電体層との間（第２及び第３実施例、第３
図及び第４図参照）、誘電体層と発光層との間（第４実
施例、第５図及び第６図参照）にそれぞれ設ける例につ
いて述べたが、本発明は、これに限られることはなく、
同時に２つ以上の眉間に設ける場合も含む。

すなわち、隣接する２つの層の屈折率の差が、いずれの
境界面においても大きいような場合、例えば、各層を 透明基板………ガラス：　屈折率＝１．５透明電極……
…ＩＴＯ，屈折率＝１．９第１誘電体層…Ａｌ２Ｏｓ　
；屈折率＝１．６発光層…………２ｎＳ：Ｍｎ；　　屈
折率＝２．３第２誘電体層…Ａｌ１０３　：屈折率＝１
．６で構成したような場合には、これら全ての層間（す
なわち、透明電極と透明基板との間、透明電極と第１誘
電体層との間、第１誘電体層と発光層との間及び発光層
と第２誘電体層との間）に薄膜層を介在させると、極め
て効果的である。

層を介在させると、極めて効果的である。

なお、前記第１実施例にあっては、第１誘電体層１４（
Ｔａ２ｅｓ）と発光層１５　（ＺｎＳ：Ｍｎ）との屈折
率はともに約２．３であって同一であるから、これらの
層の境界に薄膜層を設ける必要はない。

同様に、前記第４実施例にあっても、前記透明型ｆ！３
３と第１誘電体層３４（Ｙ２Ｏ２）との屈折率はともに
約１．９であって同一であるから、これらの層の境界に
も、薄ＷＡ層を設ける必要はない。

また、前記各実施例では誘電体層（第１誘電体層及び第
誘電体層）は、それぞれ、単一の層で構成されている場
合を掲げたが、これらは場合によっては複数の層を積層
させて構成する場合もある。

そのような場合において、積層された層どうしの屈折率
の差が大きいような場合には、これら層間に薄膜層を設
けることにより、反射防止効果を得ることができる。す
なわち、例えば、第１誘電体層をＳｉ０２の層（屈折率
；１．．４）とＴａ＊０−ｓの層（屈折率、２．３）と
の２つの層を積層して形成し、一方、第２誘電体層をＡ
１．０．（屈折率、１．６）の層とＴａ２１ｓ（屈折率
；２．３）の層との２つの層を１４層して形成したよう
な場合には、それぞれの誘電体層（第１及び第２誘電体
層）を構成する各層間に薄膜層を介在させることにより
、反射防止効果が得られる。

また、前記各実施例では発光層は、単一の層で構成され
ている場合を掲げたが、これも場合によっては複数の層
を積層させて構成する場合もある。

そのような場合において、積層された層どうしの屈折率
の差が大きいような場合には、これら層間に薄膜層を設
けることにより、反射防止効果を得ることができる。す
なわち、例えば、発光層をＺｎＳ：Ｈｎの層（屈折率＝
２．３　）と１ｎＳｅ　：Ｈｎの層（屈折率＝２．６　
）の層との２つの屑を積層して形成したような場合には
、発光層を構成する各層間・に薄膜層を介在させること
により、反射防止効果が得られる。

その他、前記実施例で掲げた各層の間にさらに他の層を
介在させる場合も考えられる。すなわち、例えば、発光
層と背面電極との間にコントラスト改善のための光吸収
層が設けられる場合があるが、本発明は、そのような他
の層を含む層の間に前記薄膜層が介在される場合も当然
含むものである。

また、ＥＬ素子を構成する他の薄膜についても、その材
料、膜厚、成膜方法等が前記番実施例に限定されるもの
でなく、同様の作用をなす他の材料等を用いてもよい、
すなわち、例えば、透明基板については、ソーダライム
ガラス等の多成分系ガラスもしくは石英ガラスでもよい
、また、透明電極層についても、ｌｒ＋２０　ｓもしく
はこれに−を添加したものもしくはＳｎ０２にＳｂ、　
Ｆ等を添加したものであってもよい。

さらに、誘電体層については、Ａ１□０１．５ｒＴｉＯ
ｓ　　、ＢａＴａ２Ｏ６、Ｙ　２０　　！　　、１ｌｆ
０　２、ＨｇＯ、ＴｉＯ２，７ｒ０２等の酸化物、Ｓ！
１ｉＮ４、シリコンオキシナイトライドもしくはこれら
の複合物であってもよい。

また、発光層については、母材として２ｎＳｅ、　Ｃａ
ＳもしくはＳｒＳ等、ドープ材料としてはＥｕ、　Ｓｎ
、１ｂ、■１等の希土類元素を使用してもよい。また、
この発光層の成膜方法については、真空蒸着法の代わり
にスパッタリング法もしくはＭＯＣＶＤ法等を用いても
よい、　　　　・ 背面電極層にライては、Ｔａ、　Ｈｉ、　Ｎｉ＾１、Ｎ
　ｉＣｒ等の金属を使用しても良く、また、透明電極層
と同一の材料を使用してもよい。

さらに、透明電極層、背面型８ｉ！層をそれぞれ一定の
間隔を保持して帯状に複数形成する手段として前記湿式
法の代わりにＣＣｔ　、等のガスを主成分として用いる
ドライエツチング法もしくはマスク蒸着法等を用いても
よい。

［発明の効果］ 以上詳述したように、本発明は、透明基板とこの透明基
板に隣接して設けられるいずれかの層との間及び前記透
明基板上に設けられた各層の間のうち少なくともいずれ
か１つの間に薄膜層を介在させ、この薄膜層の屈折率を
、該薄膜層と前記各層との境界に近づくにしたがってこ
れら各層の屈折率に近い値となるようにすることで、こ
れらの境界における屈折率の差を小さくしたもので、こ
れにより、印加電圧に対する分圧が小さくてずむ極めて
薄い薄膜によってこれら各境界面における全波長領域に
対する反射防止効果を得ることを可能にし、その結果、
輝度の高いＥｕ光を効率良く得ることができ、かつ、外
部光の反射が少なく表示の見易いＥＬ素子を得ているも
のである。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明に係るＢＬ素子の第１実施例を示す断面
図、第２図は本発明の第１実施例の製造例を説明するた
めの断面図、第３図は、本発明に係るＥＬ素子の第２実
施例を示す断面図、第４図は、本発明の第３実施例を示
す断面図、第５図は、本発明に係るＦ、Ｌ素子の第４実
施例を示す断面図、第６図は本発明に係るＥＬ素子の第
４実Ｉｆ！１例の製造例を説明するための断面、第７図
は従来例を示す断面図である。 １１．２１．３１…透明基板、 １２．２２，３２．３２０…薄膜層、 １３．２３．３３…透明電極層、 １４．２４．３４…第１誘電体層（誘電体層）、１５．
２５．３５…発光層、 １６．２６．３６…第２誘電体層（誘電体層）１７．２
７．３７…背面電極層。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）　透明基板上に、少なくとも、透明電極層と、背
   面電極層と、この背面電極層と前記透明電極層との間に
   形成される発光層を含む１以上の層とを含む複数の層を
   それぞれ設けてなるエレクトロルミネセンス素子におい
   て、 　前記透明基板とこの透明基板に隣接して設けられる前
   記いずれかの層との間及び前記透明基板上に設けられた
   各層のうち互いに隣接する層の間のうち少なくともいず
   れか１つの間に薄膜層を介在させ、この薄膜層の屈折率
   を、該薄膜層と前記各層との境界に近づくにしたがって
   これら各層の屈折率に近い値となるようにしたことを特
   徴とするエレクトロルミネセンス素子。
2. （２）　請求項（１）記載のエレクトロルミネセンス素
   子において、 　前記薄膜層として、一般式ＭＯ＿ｘ、または、ＬＮ＿
   ｙで表される物質のｘまたはｙの値を厚さ方向に変化さ
   せることにより、該薄膜層の屈折率を該薄膜層と接する
   他の層との境界に近づくにしたがつてこれら他の層の屈
   折率に近い値となるようにしたことを特徴とするエレク
   トロルミネセンス素子。 ただし、 Ｍ，Ｌ…Ｓｉ，Ａｌ，Ｔａ，Ｙ，Ｚｒ，ＨｆまたはＨｇ
   のうちのいずれか１種の金属元素 Ｏ…酸素 Ｎ…窒素 とする。
3. （３）　請求項（１）記載のエレクトロルミネセンス素
   子において、 　前記薄膜層として、屈折率の異なる複数種類の物質を
   混合して構成し、これら物質の混合割合を厚さ方向に変
   化させることにより、前記薄膜層の屈折率を該薄膜層と
   接する他の層との境界に近づくにしたがってこれら他の
   層の屈折率に近い値となるようにしたことを特徴とする
   エレクトロルミネセンス素子。
4. （４）　請求項（１）記載のエレクトロルミネセンス素
   子の製造方法において、 前記薄膜層の形成を、複数種類の原料物質をイオン、蒸
   気その他の微小粒子状にして飛翔させ、その微小粒子状
   の原料物質を前記薄膜層を形成すべき層の上に堆積させ
   るようにして行い、その際、前記複数種類の原料物質の
   堆積割合を変化させながら堆積させるようにしたことを
   特徴とするエレクトロルミネセンス素子の製造方法。