JP2005135739A - プラズマディスプレイ装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】真空紫外線の利用効率を高め、輝度の高いプラズマディスプレイ装置を実現すること。
【解決手段】誘電体層と、保護膜と、前記誘電体層と前記保護膜との間に反射層を具備し、反射層の膜厚を真空紫外線波長の１／４倍、５／４倍または７／４倍とする。また保護膜と接する反射層の屈折率を保護膜の屈折率よりも０．２３以上小さくする。また、反射層として屈折率が０．２９以上異なる薄膜を積層したものとする。これにより、真空紫外線のみを効率的に反射率させることが可能となるため、蛍光体への真空紫外線の照射量が増加し、輝度の高いプラズマディスプレイ装置が実現される。
【選択図】図１

Description

本発明は表示装置として用いられるプラズマディスプレイ装置およびその製造方法に関し、特に紫外線の利用効率を高めたパネル構造とその製造方法に関するものである。

現在、プラズマディスプレイ装置は、薄型の大型テレビや業務用表示装置として商品化されている。

一般的なプラズマディスプレイ装置は、図５に示すように、互いに対向した前面基板１と背面基板２の間に放電ガスが封入されている。放電ガスとしては、ネオン（Ｎｅ）とキセノン（Ｘｅ）の混合ガスなどが一般的に用いられる。また、前面基板１には放電維持電極としてバス電極と透明電極からなるスキャン電極３とサステイン電極４が互いに平行に形成されている。スキャン電極３およびサステイン電極４は誘電体層５によって被覆され、放電ガスに接する表面にはＭｇＯ膜からなる保護膜６が形成されている。一方、背面基板２にはアドレス電極７とアドレス電極７間に形成された隔壁８と隔壁８によって区切られた空間に塗布された蛍光体９を具備している。隣り合う１対の放電維持電極と１本のアドレス電極が放電空間を挟んで交差する領域が放電セルとなり、維持放電期間においては、各セルの放電維持電極間において放電が発生する。

また、図６は従来のプラズマディスプレイ装置における放電セルの断面図を示している。図５と同じ構成要素は同じ記号を用いて説明を省略する。放電維持電極であるスキャン電極３とサステイン電極４との間の放電により短波長の紫外線が発生し、この紫外線が蛍光体９を励起することにより、各蛍光体９がＲＧＢ各色に発光して画像表示がなされる。

このようなプラズマディスプレイ装置は、薄型で動画の表示品質に優れたディスプレイであるが、同様の薄型ディスプレイである液晶ディスプレイなどと比較すると、消費電力に対する輝度が低く、発光効率があまりよくないのが現状である。

この原因の一つに、放電によって生じた紫外線の蛍光体への照射効率が低いことが挙げられる。放電による紫外線は等方的に発光するため、その光の半分は前面基板１側に照射され、その多くが誘電体層５などで吸収されてしまう。

このため、発光効率を向上し、輝度を上げる方法として、前面基板の放電空間側表面に真空紫外線を反射する反射層を設けることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１においては、互いに屈折率の異なる物質を交互に数十層積み上げた反射層を設けることにより、１５％程度の輝度の向上が得られている。
特開２０００−１１８９５号公報（第４頁、図１）

従来例のように反射層として薄膜を何層も積み上げる方法は、反射率を増加させるという点では有効である。しかしながら、薄膜の積層数が増加するほど、蛍光体から発光された可視光の透過率が低下してしまうと共に、これを製造するためのコストが急激に増加してしまうという課題がある。さらに、積層数の増加に伴い、効率的に反射する光の波長範囲が狭くなってしまうため、放電によって発生した紫外線のスペクトルを有効的に反射させることが困難である。なお、Ｘｅガスに起因する紫外線のスペクトルとしては、波長１４７ｎｍのＸｅ共鳴線と波長１７２ｎｍ周辺に半値幅の広い分子線がある。

また、反射層として用いる薄膜の膜厚は、光の波長のｎ／４倍（ｎは奇数）がよいとされてきたが、プラズマディスプレイ装置に適用する場合には、これだけでは不十分であり、蛍光体からの発光を反射させないことが重要な要件となる。さらに、従来の反射層に用いられている薄膜の多くは波長１４７ｎｍの光を吸収してしまうため、反射層としての十分な効果が得られないという課題があった。

また、従来のプラズマディスプレイ装置においては、前記反射層を電子ビーム蒸着法やＣＶＤ法などで形成していたが、これらの方法では膜組成や膜厚の制御が困難であると共に装置が大型化するという課題があった。

本発明は、前記従来の課題を解決するもので、比較的長波長な紫外線に注目し、単純な構造によって蛍光体からの発光を反射増幅させることなく効率的に紫外線のみを反射させることにより、蛍光体を励起する光の照射を増加させ、輝度の高いプラズマディスプレイ装置およびその製造方法を提供することを目的とする。

前記従来の課題を解決するために、本発明のプラズマディスプレイ装置は、前面基板上に誘電体層と、保護膜と、前記誘電体層と前記保護膜との間に１層または多層の薄膜からなる反射層を具備し、前記薄膜の膜厚が蛍光体を励起する光の前記薄膜中における波長の１／４倍または５／４倍または７／４倍のいずれかとする。

本構成によって、蛍光体からの発光を反射することなく、紫外線のみを有効的に反射させることができる。

また、本発明のプラズマディスプレイ装置は、前面基板上に誘電体層と、保護膜と、前記誘電体層と前記保護膜との間に１層または多層の薄膜からなる反射層を具備し、前記保護膜と接する前記薄膜の屈折率を保護膜の屈折率よりも０．２３以上小さくする。

また、本発明のプラズマディスプレイ装置は、前面基板上に誘電体層と、保護膜と、前記誘電体層と前記保護膜との間に複数の薄膜からなる反射層を具備し、前記複数の薄膜の屈折率を互いに０．２９以上異なるものとする。

以上の構成によって、少ない積層数で効率的に紫外線を反射させることができる。

また、本発明のプラズマディスプレイ装置は、前面基板上に誘電体層と、保護膜と、前記誘電体層と前記保護膜との間に１層または多層の薄膜からなる反射層を具備し、前記反射層の少なくとも一部を光学バンドギャップが７．２ｅＶ以上の薄膜とする。

本構成によって、放電によって発生する紫外線が反射層中で吸収されることなく効率的に反射させることができる。

また、本発明のプラズマディスプレイ装置の製造方法は、基板上に反射層および保護膜をスパッタリング法によって形成する工程を具備する。さらに、前記反射層と保護膜は大気に暴露されることなく連続して形成される。

本製造方法によって、反射層および保護膜の組成や膜厚を容易に制御することが可能になり、さらには反射層の表面を汚染することなく、プラズマディスプレイ装置を製造することが可能となる。

本発明のプラズマディスプレイ装置によれば、蛍光体を励起する紫外線を吸収することなく選択的に反射させることが可能であるため、従来よりも大幅に輝度を向上させることが可能となる。

また、本発明のプラズマディスプレイ装置によれば、従来の反射層に比べ構造が簡単であるため、コストを大幅に増加することなく、さらに輝度を向上させることが可能となる。

これらの効果により従来に比べ、効率の高いプラズマディスプレイ装置を安価に実現することができる。

また、本発明のプラズマディスプレイ装置の製造方法によれば、反射層および保護膜の組成および膜厚の精度が向上すると共に、一貫して製造することができるため、効率の高いプラズマディスプレイ装置が安価に高い歩留まりで製造することができる。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。

（実施の形態１）
図１は、本発明のプラズマディスプレイ装置における放電セルの断面図の第１実施例である。図１において、図６と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。

図１において、誘電体層５と保護膜６との間には第１反射膜１０と第２反射膜１１からなる反射層が形成されている。前記第１反射膜１０は光学バンドギャップが約１０ｅＶのＭｇＦ_２膜を３０ｎｍの膜厚で形成したものであり、また、第２反射膜１１は光学バンドギャップが約７．２ｅＶのＡｌ_２Ｏ_３膜を２３ｎｍの膜厚で形成したものである。

なお、保護膜６としてはＭｇＯ膜やＭｇＡｌ_２Ｏ_４膜が望ましい。この理由としては、２次電子放出係数が高いこと、スパッタリングされにくいこと、および電荷の保持特性が良いことがあげられる。本実施の形態１においては、ＭｇＯ膜を１７０ｎｍの膜厚で形成した。

かかる構成によれば、第１および第２反射膜１０、１１の膜厚は放電によって発生する真空紫外線（１７２ｎｍ）の各膜中における波長の１／４倍となり、保護膜６と第１反射膜１０との界面、第１反射膜１０と第２反射膜１１との界面、および第２反射膜１１と誘電体層５との界面において反射した光が増幅される。これにより、真空紫外線の蛍光体９への照射効率が向上する。

図２は、反射層による紫外線反射率の変化を示した図である。真空紫外線（波長１７２ｎｍ）の絶対反射率の評価が困難であったため、図２では、前面基板１に反射層を設けていない一般的な構造での反射率（Ｒ_０）に対する本発明の反射層を具備した基板の反射率（Ｒ）の比を求め、規格化反射率（Ｒ／Ｒ_０）として評価した。また、特許文献１等に記載の反射層も合わせて評価した。なお、図２ではサンプルにおいて反射膜として用いた材料を示すと共に、これらの積層数をカッコ内に示している。例えば、本実施の形態１ではＭｇＦ_２とＡｌ_２Ｏ_３を積層し、その積層数は２層である。結果は図２に示されるように、本実施の形態１に示した構造により、反射層のない場合に比べ約１．７倍の反射率が得られている。また、この反射率を得るために、従来のＭｇＦ_２／ＬｉＦ積層構造では３５層、ＭｇＦ_２／ＳｉＯ_２積層構造でも６層と非常に多くの反射膜を積層する必要がある。

さらに、本実施の形態１においては、蛍光体９からの発光（波長４００ｎｍから６４０ｎｍ）が反射増幅する条件とならないため、ＲＧＢ各色の光は効率的に透過することとなり、輝度の高いプラズマディスプレイ装置を実現することができる。

なお、紫外線を反射し、蛍光体からの発光を反射しないためには、各反射膜の膜厚が蛍光体を励起する光の反射膜中における波長の１／４倍、または５／４倍、または７／４倍であればよい。なお、Ｘｅ放電による波長１７２ｎｍ周辺の光は比較的波長範囲の広い光であるので、膜厚が多少ずれていても、本発明の効果を得ることが可能である。

ただし、その膜厚が例えば波長の３／４倍となった場合には、真空紫外線は反射されるが、蛍光体からの発光の一部が反射増幅されてしまい、十分に表示輝度を向上させることが難しくなってしまう。

また、紫外線の波長としては、１７２ｎｍの他に１４７ｎｍにＸｅ共鳴線の発光があるが波長が短く、また半値幅が狭いため、保護膜や反射層内での吸収量が多く、膜厚も厳密に制御する必要があるため、１７２ｎｍ以上であり、かつ蛍光体を励起することができる３００ｎｍ以下の光に対して反射層を設定することが望ましい。

また、本実施の形態１においては、第１および第２反射膜１０、１１の光学バンドギャップが７．２ｅＶ以上であるため、真空紫外線（１７２ｎｍ）の反射膜中での吸収が低減され、効率的に反射させることが可能である。これによっても輝度の高いプラズマディスプレイ装置を実現することができる。

また、本実施の形態１においては、保護膜６、第１反射膜１０および第２反射膜１１の紫外域における屈折率がそれぞれ１．７７、１．４５、１．８３である。このため、保護膜６と第１反射膜１０との屈折率の差（０．３２）、および第１反射膜１０と第２反射膜１１との屈折率の差（０．３８）が非常に大きくなっている。これにより、各膜の界面における反射率を増大させることが可能であり、これによっても輝度の高いプラズマディスプレイ装置を実現することができる。

なお、本実施の形態１において、第１反射膜１０としてＭｇＦ_２膜を設けたが、これをＬｉＦ膜、ＣａＦ_２膜、ＢａＦ_２膜、ＳｉＯ_２膜としても従来に比べ大きな効果が得られた。これらの膜の屈折率は１．４５から１．５４であり、どの膜も保護膜６との屈折率の差は０．２３以上であった。また、これらの膜と第２反射膜１１として設けたＡｌ_２Ｏ_３膜との屈折率の差は０．２９以上であった。したがって、保護膜６と接する反射膜の屈折率を保護膜６の屈折率よりも０．２３以上小さくすることにより、他の材料を用いても本発明の効果が得られると考えられる。また、反射層を構成する反射膜の屈折率を互いに０．２９以上異なるものとすることにより、他の材料を用いても本発明の効果が得られると考えられる。

次に、図１に示した本実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置の製造方法を説明する。

まず、前面基板１となる約２ｍｍのガラス基板の表面上に厚さが約１００ｎｍのＩＴＯ膜をスパッタリング法により形成し、これをフォトリソグラフィ法によってストライプ状にパターニングすることにより、透明電極を形成する。

続いて、感光性の銀ペーストを前面基板１の表面に形成し、同じくフォトリソグラフィ法によってバス電極を透明電極上に形成する。これを５５０℃程度で焼成することにより、スキャン電極３およびサステイン電極４を形成する。

次に、誘電体層５を形成するために、軟化点の低いガラスペーストを前面基板１上にスクリーン印刷法により形成する。乾燥させた後、５６０℃から５９０℃にて焼成することにより誘電体層５が形成される。

従来のプラズマディスプレイ装置では、この後に電子ビーム蒸着法により保護膜６を形成するが、本実施の形態１においては、保護膜６を形成する前に、ＭｇＦ_２膜からなる第１反射膜１０およびＡｌ_２Ｏ_３膜からなる第２反射層１１を形成する。

また、本実施の形態１においては、図３に概略を示す装置を用いて第２反射膜１１、第１反射膜１０、保護膜６をスパッタリング法によって、大気に暴露することなく連続して形成する。図３に示す装置は、真空ポンプ１２で排気された３つの真空容器のそれぞれにターゲット電極１３を具備しており、対向電極１４上に設置された基板１５表面に第２反射膜１１、第１反射膜１０、保護膜６を順次形成することが可能である。

各層の膜厚は第２反射膜１１を２３ｎｍ、第１反射膜１０を３０ｎｍ、保護膜６を１７０ｎｍとした。これらの膜厚は、反射膜においてはそれぞれの膜中における真空紫外線（１７２ｎｍ）の波長の１／４倍であり、保護膜６においては膜中における前記真空紫外線の波長の７／４倍とした。

製造方法としてスパッタリング法を用いることは、組成や膜厚の制御が従来に比べ、容易になるため望ましい。さらに、各層を大気に暴露することなく連続して形成することは、反射層が変質したり、反射層と保護膜との界面が汚染されたりすることなく製造することが可能となるため望ましい。

また、このような製造方法を用いることによって環境による汚染や変質に弱い材料を反射膜として用いることが可能となるため望ましい。

なお、本実施の形態１においては、図３に示すようなインライン型のスパッタリング装置を用いたが、これに限定されることなく、枚葉型の装置でもよい。

一方、背面基板２（前面基板１と同じ材料）の表面にはスクリーン印刷法により、銀ペーストをストライプ状に印刷し、５５０℃程度で焼成することにより、アドレス電極７を形成する。

続いて、背面基板２の前面にガラスペーストを塗布して焼成し誘電体層を形成した後、同じくガラスペーストを用いて隔壁８をスクリーン印刷法により形成する。ガラスペーストの印刷を繰り返し行った後に焼成し、高さ約１００μｍの隔壁８を形成する。

さらに、隔壁８で区切られた領域に対して赤色（Ｒ）蛍光体、緑色（Ｇ）蛍光体、青色（Ｂ）蛍光体をそれぞれ塗布し、これを乾燥・焼成して蛍光体９とする。

以上のように形成した前面基板１と背面基板２を封着用ガラスを用いて貼り合わせ、その後、放電空間の内部を高真空に排気し、これにＮｅとＸｅの混合ガスを約５００Ｔｏｒｒの圧力になるように封入する。このような工程によって本発明のプラズマディスプレイ装置は製造される。なお、本実施の形態１においては、Ｘｅの混合比を１５％とした。

なお、本実施の形態１は、製造方法の一例を示したものであり、材料や製法はこれに限定されるものではない。

（実施の形態２）
本実施の形態２は、反射層を１層とした、さらに低コストで輝度の高いプラズマディスプレイ装置に関するものである。

図４は、本発明のプラズマディスプレイ装置における放電セルの断面図の第２実施例である。図４において、図１および図６と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。

図４において、誘電体層５と保護膜６との間にはＭｇＦ_２膜からなる第１反射膜１０が形成されている。前記第１反射膜１０は光学バンドギャップが約１０ｅＶのＭｇＦ_２膜を３０ｎｍの膜厚で形成し、前記保護膜６はＭｇＯ膜を１７０ｎｍの膜厚で形成した。

なお、保護膜６としてはＭｇＯ膜またはＭｇＡｌ_２Ｏ_４膜が望ましい。この理由としては２次電子放出係数が高いこと、スパッタリングされにくいこと、および電荷の保持特性が良いことがあげられる。

かかる構成によれば、第１反射膜１０の膜厚は放電によって発生する真空紫外線（１７２ｎｍ）の反射膜中における波長の１／４倍となり、保護膜６と第１反射膜１０との界面、および第１反射膜１０と誘電体層５との界面において反射した光が増幅される。これにより、真空紫外線の蛍光体９への照射効率が向上する。本実施の形態２における紫外線の反射率は、図２に示されるように、反射層のない場合に比べ１．３５倍と高い反射率が得られている。

さらに、実施の形態１に示した構成に比べ、反射膜の積層数が少ないため、工程を削減できると共に、工程中で使用する材料を削減することが可能となるため、実施の形態１に記載のプラズマディスプレイ装置よりもさらに低コストなプラズマディスプレイ装置が実現できる。

さらに、本実施の形態２においては、蛍光体９からの発光（波長４００ｎｍから６４０ｎｍ）が反射増幅する条件とならないため、ＲＧＢ各色の光は効率的に透過することとなり、輝度の高いプラズマディスプレイ装置を実現することができる。

なお、紫外線を反射し、蛍光体からの発光を反射しないためには、各反射膜の膜厚が蛍光体を励起する光の反射膜中における波長の１／４倍、または５／４倍、または７／４倍であればよい。なお、Ｘｅ放電による波長１７２ｎｍ周辺の光は比較的波長範囲の広い光であるので、膜厚が多少ずれていても、本発明の効果を得ることが可能である。

ただし、その膜厚が例えば波長の３／４倍となった場合には、真空紫外線は反射されるが、蛍光体からの発光の一部が反射増幅されてしまい、十分に表示輝度を向上させることが難しくなってしまう。

また、紫外線の波長としては、１７２ｎｍの他に１４７ｎｍにＸｅ共鳴線の発光があるが波長が短く、また半値幅が狭いため、保護膜や反射層内での吸収量が多く、膜厚も厳密に制御する必要があるため、１７２ｎｍ以上であり、かつ蛍光体を励起することができる３００ｎｍ以下の光に対して反射層を設定することが望ましい。

また、本実施の形態２においては、第１反射膜１０の光学バンドギャップが７．２ｅＶ以上であるため、真空紫外線（１７２ｎｍ）の反射膜中での吸収が低減され、効率的に反射させることが可能である。これによっても輝度の高いプラズマディスプレイ装置を実現することができる。

また、本実施の形態２においては、保護膜６、第１反射膜１０の紫外域における屈折率がそれぞれ１．７７、１．４５である。このため、保護膜６と第１反射膜１０との屈折率の差（０．３２）が非常に大きくなっている。これにより、膜界面における反射率を増大させることが可能であり、これによっても輝度の高いプラズマディスプレイ装置を実現することができる。

なお、本実施の形態２において、第１反射膜１０としてＭｇＦ_２膜を設けたが、これをＬｉＦ膜、ＣａＦ_２膜、ＢａＦ_２膜、ＳｉＯ_２膜としても従来に比べ大きな効果が得られる。これらの膜の屈折率は１．４５から１．５４であり、いずれの膜も保護膜６との屈折率の差は０．２３以上である。したがって、保護膜６と接する反射膜の屈折率を保護膜６の屈折率よりも０．２３以上小さくすることにより、他の材料を用いても本発明の効果が得られると考えられる。

本発明にかかるプラズマディスプレイ装置は、大型テレビ等として有用である。また業務用表示装置等の用途にも応用できる。

本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置の放電セルの断面図 反射層による紫外線反射率の変化を示す図 本実施の形態１におけるスパッタリング装置の概略図 本発明の実施の形態２におけるプラズマディスプレイ装置の放電セルの断面図 従来のプラズマディスプレイ装置の概略図 従来のプラズマディスプレイ装置における放電セルの断面図

符号の説明

１ 前面基板
２ 背面基板
３ スキャン電極
４ サステイン電極
５ 誘電体層
６ 保護膜
７ アドレス電極
８ 隔壁
９ 蛍光体
１０ 第１反射膜
１１ 第２反射膜
１２ 真空ポンプ
１３ ターゲット電極
１４ 対向電極
１５ 基板

Claims (12)

1. 第１および第２基板が放電空間を挟み対向し、
   前記第１基板には誘電体層と、保護膜と、前記誘電体層と前記保護膜との間に１層または多層の薄膜からなる反射層が形成され、
   前記薄膜の膜厚が蛍光体を励起する光の前記薄膜中における波長の１／４倍または５／４倍または７／４倍のいずれかであることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
2. 第１および第２基板が放電空間を挟み対向し、
   前記第１基板には誘電体層と、保護膜と、前記誘電体層と前記保護膜との間に１層または多層の薄膜からなる反射層が形成され、
   前記保護膜と接する前記薄膜の屈折率が前記保護膜の屈折率よりも０．２３以上小さいことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
3. 前記保護膜がＭｇＯ膜もしくはＭｇＡｌ_２Ｏ_４膜からなり、前記保護膜に接する前記薄膜がＭｇＦ_２膜、ＬｉＦ膜、ＣａＦ_２膜、ＢａＦ_２膜、ＳｉＯ_２膜のうちのいずれかからなることを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイ装置。
4. 第１および第２基板が放電空間を挟み対向し、
   前記第１基板には誘電体層と、保護膜と、前記誘電体層と前記保護膜との間に複数の薄膜からなる反射層が形成され、
   前記複数の薄膜の屈折率が互いに０．２９以上異なることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
5. 前記反射層がＭｇＦ_２膜、ＬｉＦ膜、ＣａＦ_２膜、ＢａＦ_２膜、ＳｉＯ_２膜のうちのいずれかと、Ａｌ_２Ｏ_３膜の積層膜からなることを特徴とする請求項４に記載のプラズマディスプレイ装置。
6. 前記保護膜と接する前記薄膜の屈折率が前記保護膜の屈折率よりも０．２３以上小さいことを特徴とする請求項４または請求項５に記載のプラズマディスプレイ装置。
7. 前記反射層における各薄膜の膜厚が蛍光体を励起する光の前記薄膜中における波長の１／４倍または５／４倍または７／４倍のいずれかであることを特徴とする 請求項２から請求項６のいずれかに記載のプラズマディスプレイ装置。
8. 第１および第２基板が放電空間を挟み対向し、
   前記第２基板には少なくとも一部に蛍光体を具備し、
   前記第１基板には誘電体層と、保護膜と、前記誘電体層と前記保護膜との間に１層または多層の薄膜からなる反射層が形成され、
   前記反射層の少なくとも一部が光学バンドギャップが７．２ｅＶ以上の薄膜からなることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
9. 前記蛍光体を励起する光の真空中における波長が１７２ｎｍから３００ｎｍのいずれかの波長を含むことを特徴とする請求項１、請求項７、請求項８のいずれかに記載のプラズマディスプレイ装置。
10. 基板上に反射層および保護膜をスパッタリング法によって形成する工程を具備することを特徴とするプラズマディスプレイ装置の製造方法。
11. 前記反射層と保護膜は大気に暴露されることなく連続して形成されることを特徴とする請求項１０に記載のプラズマディスプレイ装置の製造方法。
12. 前記反射層はＭｇＦ_２膜、ＬｉＦ膜、ＣａＦ_２膜、ＢａＦ_２膜、ＳｉＯ_２膜、Ａｌ_２Ｏ_３膜のうちのいずれかの単層または積層膜からなり、前記保護膜はＭｇＯ膜もしくはＭｇＡｌ_２Ｏ_４膜からなることを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載のプラズマディスプレイ装置の製造方法。

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