JPH05266979A - 薄膜型エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
薄膜型エレクトロルミネッセンス素子Info
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- JPH05266979A JPH05266979A JP5833292A JP5833292A JPH05266979A JP H05266979 A JPH05266979 A JP H05266979A JP 5833292 A JP5833292 A JP 5833292A JP 5833292 A JP5833292 A JP 5833292A JP H05266979 A JPH05266979 A JP H05266979A
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Landscapes
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】向上した端面発光の光出力特性を有し、したが
って優れた光プリンタ用光源として利用できるＴＦＥＬ
を提供する。 【構成】発光層（４）の両面に誘電体層（３ａ，３ｂ）
を有する薄膜型エレクトロルミネッセンス素子である。
発光層（４）は、ＺｎＳを母材とする蛍光体材料で形成
され、誘電体層（３ａ，３ｂ）は、ＳｉＯx Ｎy （ここ
で、ｙは、１以上、およびｘ／ｙは０．５ないし１．
４）からなる非晶質誘電体で形成されている。
って優れた光プリンタ用光源として利用できるＴＦＥＬ
を提供する。 【構成】発光層（４）の両面に誘電体層（３ａ，３ｂ）
を有する薄膜型エレクトロルミネッセンス素子である。
発光層（４）は、ＺｎＳを母材とする蛍光体材料で形成
され、誘電体層（３ａ，３ｂ）は、ＳｉＯx Ｎy （ここ
で、ｙは、１以上、およびｘ／ｙは０．５ないし１．
４）からなる非晶質誘電体で形成されている。
Description
［発明の目的］
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光プリンタヘッドの分
野に係わり、特には、光プリンタ用光源に使用される高
分解能、薄膜型エレクトロミネッセンス素子（以下ＴＦ
ＥＬと称する）に関する。
野に係わり、特には、光プリンタ用光源に使用される高
分解能、薄膜型エレクトロミネッセンス素子（以下ＴＦ
ＥＬと称する）に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的に知られているプリンタとして、
例えば電子写真方式ページプリンタがある。この方式で
は、帯電した感応部に印字情報を光書き込みし、感応面
に静電潜像を形成させる。しかる後、この潜像をトナー
で処理し可視化する。
例えば電子写真方式ページプリンタがある。この方式で
は、帯電した感応部に印字情報を光書き込みし、感応面
に静電潜像を形成させる。しかる後、この潜像をトナー
で処理し可視化する。
【０００３】このような光書き込みによるプリンタにお
いて、従来、光源として、発光ダイオードを使用するも
のもあるが、レーザーダイオードが最も多く用いられて
いる。
いて、従来、光源として、発光ダイオードを使用するも
のもあるが、レーザーダイオードが最も多く用いられて
いる。
【０００４】これに対し、最近、ＴＦＥＬの端面発光を
光源として利用することが提案されている（例えば、米
国特許第４，５３５，３４１号参照）。このＴＦＥＬ装
置は、ＺｎＳ：Ｍｎからなる発光層の両面にＹ2 Ｏ3 か
らなる誘電体層を設けた構造を有する。それぞれの誘電
体層上に配設された一対の電極に所要の交流電圧を印加
したときに得られるＥＬ発光は、発光層と誘電体層との
界面で全反射され、発光層内に閉じ込められ、発光層の
所定の端部に導光されて放射される。この放射光が感応
部への印字情報の書き込みに利用される。この方式は、
レーザーダイオードの方式と比べて、光学系を簡略で
き、高精細の書き込みができる等、優れた特徴を有す
る。
光源として利用することが提案されている（例えば、米
国特許第４，５３５，３４１号参照）。このＴＦＥＬ装
置は、ＺｎＳ：Ｍｎからなる発光層の両面にＹ2 Ｏ3 か
らなる誘電体層を設けた構造を有する。それぞれの誘電
体層上に配設された一対の電極に所要の交流電圧を印加
したときに得られるＥＬ発光は、発光層と誘電体層との
界面で全反射され、発光層内に閉じ込められ、発光層の
所定の端部に導光されて放射される。この放射光が感応
部への印字情報の書き込みに利用される。この方式は、
レーザーダイオードの方式と比べて、光学系を簡略で
き、高精細の書き込みができる等、優れた特徴を有す
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このＴＦＥＬ
の端面発光により書き込みをする場合、その光出力の不
足のため、静電潜像の形成が不十分となり、結果として
印字速度を下げざるをえないことが往々にして起こる。
このためＴＦＥＬに印加する電圧を高くしたり、発光層
に用いる蛍光体として前記米国特許公報に記載されてい
るＺｎＳ：Ｍｎの代わりにＺｎＳ：Ｔｂを用いることが
提案されている。
の端面発光により書き込みをする場合、その光出力の不
足のため、静電潜像の形成が不十分となり、結果として
印字速度を下げざるをえないことが往々にして起こる。
このためＴＦＥＬに印加する電圧を高くしたり、発光層
に用いる蛍光体として前記米国特許公報に記載されてい
るＺｎＳ：Ｍｎの代わりにＺｎＳ：Ｔｂを用いることが
提案されている。
【０００６】しかし、従来の光プリンタの光源用ＴＦＥ
Ｌは、使用するＹ2 Ｏ3 絶縁層の絶縁破壊電圧が低いこ
と等により、端面発光の光出力が十分に得られていな
い。
Ｌは、使用するＹ2 Ｏ3 絶縁層の絶縁破壊電圧が低いこ
と等により、端面発光の光出力が十分に得られていな
い。
【０００７】従って、本発明は、上記問題を解決し、向
上した端面発光の光出力特性を有し、したがって優れた
光プリンタ用光源として利用できるＴＦＥＬを提供する
ことを課題とする。
上した端面発光の光出力特性を有し、したがって優れた
光プリンタ用光源として利用できるＴＦＥＬを提供する
ことを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、発光層の両面
に誘電体層を有する薄膜型エレクトロルミネッセンス素
子であって、前記発光層は、ＺｎＳを母材とする蛍光体
材料で形成され、前記誘電体層は、ＳｉＯx ＮY （ここ
で、ｙは、１以上、およびｘ／ｙは０．５ないし１．
４）からなる非晶質誘電体で形成されたことを特徴とす
る薄膜型エレクトロミネセンス素子を提供する。光書き
込みに利用する端面発光のＴＦＥＬに対する要件は、
に誘電体層を有する薄膜型エレクトロルミネッセンス素
子であって、前記発光層は、ＺｎＳを母材とする蛍光体
材料で形成され、前記誘電体層は、ＳｉＯx ＮY （ここ
で、ｙは、１以上、およびｘ／ｙは０．５ないし１．
４）からなる非晶質誘電体で形成されたことを特徴とす
る薄膜型エレクトロミネセンス素子を提供する。光書き
込みに利用する端面発光のＴＦＥＬに対する要件は、
【０００９】（１）発光層の屈折率をｎ1 、誘電体層の
それをｎ2 としたとき、発光層の中で発光した光を発光
層と誘電体層の界面で全反射させるために、ｎ1 ＞ｎ2
の条件を満足すること、（２）印字速度は端面発光の光
出力に比例するため、光出力はできるだけ高くする必要
があることである。上記二つの要件を満たす上で、考慮
すべきＴＦＥＬの構成材料の条件は、以下の通りであ
る。即ち、
それをｎ2 としたとき、発光層の中で発光した光を発光
層と誘電体層の界面で全反射させるために、ｎ1 ＞ｎ2
の条件を満足すること、（２）印字速度は端面発光の光
出力に比例するため、光出力はできるだけ高くする必要
があることである。上記二つの要件を満たす上で、考慮
すべきＴＦＥＬの構成材料の条件は、以下の通りであ
る。即ち、
【００１０】（１）光書き込みに利用できる発光層の蛍
光体は、相応する光出力を達成できるものでなければな
らない。この観点から、本発明において使用する蛍光体
材料は、ＺｎＳを母材とするものに限られる。他の材料
では光書き込みに必要な光出力を得ることはできないの
である。本発明において使用されるＺｎＳ系蛍光体は、
付活剤としてＭｎを用いたもの（ＺｎＳ：Ｍｎ）、付活
剤としてランタニドを用いたもの（例えば、ＺｎＳ：Ｔ
ｂ）を含む。
光体は、相応する光出力を達成できるものでなければな
らない。この観点から、本発明において使用する蛍光体
材料は、ＺｎＳを母材とするものに限られる。他の材料
では光書き込みに必要な光出力を得ることはできないの
である。本発明において使用されるＺｎＳ系蛍光体は、
付活剤としてＭｎを用いたもの（ＺｎＳ：Ｍｎ）、付活
剤としてランタニドを用いたもの（例えば、ＺｎＳ：Ｔ
ｂ）を含む。
【００１１】（２）誘電体層と発光層の界面で全反射し
発光層中を伝搬する光の出力は、その光のモード数に比
例するが、そのモード数Ｎは、発光層の厚さをａ、発光
波長をλ、発光層と誘電体層の屈折率を夫々ｎ1 ，ｎ2
とすると、 Ｎ＝θｃ・４ａｎ1 ／λ 但し、θｃは発光層と誘電体層の界面における臨界角で
あり、 θｃ＝ｃｏｓ-1（ｎ2 ／ｎ2 ） で表される。
発光層中を伝搬する光の出力は、その光のモード数に比
例するが、そのモード数Ｎは、発光層の厚さをａ、発光
波長をλ、発光層と誘電体層の屈折率を夫々ｎ1 ，ｎ2
とすると、 Ｎ＝θｃ・４ａｎ1 ／λ 但し、θｃは発光層と誘電体層の界面における臨界角で
あり、 θｃ＝ｃｏｓ-1（ｎ2 ／ｎ2 ） で表される。
【００１２】従って、蛍光体が定まれば、Ｎは発光層の
厚さと誘電体材料で決まり、誘電体の屈折率ｎ2 は、ｎ
2 ＜ｎ1 でなければならず、且つ、できるだけ小さい方
がこのましい。
厚さと誘電体材料で決まり、誘電体の屈折率ｎ2 は、ｎ
2 ＜ｎ1 でなければならず、且つ、できるだけ小さい方
がこのましい。
【００１３】（３）端面発光のＴＦＥＬは、ディスプレ
ー用と異なり、電圧−光出力特性の飽和領域付近で使用
される。このため駆動電圧はディスプレー用に比べ２倍
程度高くなる。従って、誘電体の絶縁破壊電圧もそれに
見合った水準でなければならない。ここで、上に述べた
ように、蛍光体は、ＺｎＳを母材とするものに限られる
ので、次に誘電体について述べる。
ー用と異なり、電圧−光出力特性の飽和領域付近で使用
される。このため駆動電圧はディスプレー用に比べ２倍
程度高くなる。従って、誘電体の絶縁破壊電圧もそれに
見合った水準でなければならない。ここで、上に述べた
ように、蛍光体は、ＺｎＳを母材とするものに限られる
ので、次に誘電体について述べる。
【００１４】ＺｎＳ系蛍光体は、ほぼ２．４の屈折率を
有する。誘電体は、上に述べたように、この屈折率未満
でなければならない。しかも、誘電体は、絶縁破壊電界
が高く、薄膜化が容易であることも必要である。こうし
た要件を満たす優れた誘電体としてＳｉＯＮがあるが、
端面発光ＴＦＥＬに用いられた例はない。本発明者は、
このＳｉＯＮ誘電体について、端面発光ＴＦＥＬの誘電
体層として利用すべく鋭意研究した結果、ＳｉＯx Ｎy
で示される組成において、ｙを１以上とし、かつｘ／ｙ
を０．５ないし１．４とする非晶質誘電体とすることに
より、ＴＦＥＬの端面発光において、従来にない高い絶
縁破壊電圧と光出力が得られることを見い出した。ｙが
１未満であると、耐絶縁破壊特性が低下し、またｘ／ｙ
が、０．５ないし１．４の範囲を逸脱しても耐絶縁破壊
特性が悪化する。従って、化学量論組成のＳｉ2 ＯＮ2
は、絶縁破壊電圧が十分でないため、利用できない。
有する。誘電体は、上に述べたように、この屈折率未満
でなければならない。しかも、誘電体は、絶縁破壊電界
が高く、薄膜化が容易であることも必要である。こうし
た要件を満たす優れた誘電体としてＳｉＯＮがあるが、
端面発光ＴＦＥＬに用いられた例はない。本発明者は、
このＳｉＯＮ誘電体について、端面発光ＴＦＥＬの誘電
体層として利用すべく鋭意研究した結果、ＳｉＯx Ｎy
で示される組成において、ｙを１以上とし、かつｘ／ｙ
を０．５ないし１．４とする非晶質誘電体とすることに
より、ＴＦＥＬの端面発光において、従来にない高い絶
縁破壊電圧と光出力が得られることを見い出した。ｙが
１未満であると、耐絶縁破壊特性が低下し、またｘ／ｙ
が、０．５ないし１．４の範囲を逸脱しても耐絶縁破壊
特性が悪化する。従って、化学量論組成のＳｉ2 ＯＮ2
は、絶縁破壊電圧が十分でないため、利用できない。
【００１５】
【作用】本発明の端面発光ＴＦＥＬによれば、誘電体層
の組成を最適化することにより、素子の耐電圧と光出力
が大幅に向上する。
の組成を最適化することにより、素子の耐電圧と光出力
が大幅に向上する。
【００１６】
【実施例】図１に、本発明の端面発光ＴＦＥＬの一例を
示す。このＴＦＥＬは、例えば石英からなる基板１を備
え、この上に金属電極２ａが設けられている。電極２ａ
上には、上に詳述した本発明のＳｉＯx Ｎy 非晶質絶縁
体からなる誘電体層３ａが被覆されている。誘電体層３
ａ上には、上に詳述したＺｎＳを母材とする蛍光体材料
からなる発光層４が設けられている。発光層４上には、
もう一方の本発明のＳｉＯx Ｎy 非晶質絶縁体からなる
誘電体層３ｂが形成されており、その上にもう一方の金
属電極２ｂが設けられている。電極２ａおよび２ｂ間に
電源Ｖから所定の電圧を印加することにより、発光層４
からの出力光は、誘電体層３ａ、３ｂとの界面で全反射
され、発光層４の端面に案内され、そこから出力光ＯＬ
として放射される。
示す。このＴＦＥＬは、例えば石英からなる基板１を備
え、この上に金属電極２ａが設けられている。電極２ａ
上には、上に詳述した本発明のＳｉＯx Ｎy 非晶質絶縁
体からなる誘電体層３ａが被覆されている。誘電体層３
ａ上には、上に詳述したＺｎＳを母材とする蛍光体材料
からなる発光層４が設けられている。発光層４上には、
もう一方の本発明のＳｉＯx Ｎy 非晶質絶縁体からなる
誘電体層３ｂが形成されており、その上にもう一方の金
属電極２ｂが設けられている。電極２ａおよび２ｂ間に
電源Ｖから所定の電圧を印加することにより、発光層４
からの出力光は、誘電体層３ａ、３ｂとの界面で全反射
され、発光層４の端面に案内され、そこから出力光ＯＬ
として放射される。
【００１７】なお、発光層４の厚さは、端面発光ＴＦＥ
Ｌの性能に影響を及ぼすものと考えられる。しかし、一
般的にＴＦＥＬの駆動電圧は発光層厚さに比例して高く
なる。従って、発光層４の厚さは、電源電圧の余裕度、
或いは素子の耐電圧等の外的要素から設計的に決定され
る要素であり、それ自体に最適値を有しない。また、誘
電体層３ａの厚さは、基板ガラスの粗面度が約３０ｎｍ
程度であるので、これをカバーするために、約１００ｎ
ｍ以上であることが好ましい。 実験例 １
Ｌの性能に影響を及ぼすものと考えられる。しかし、一
般的にＴＦＥＬの駆動電圧は発光層厚さに比例して高く
なる。従って、発光層４の厚さは、電源電圧の余裕度、
或いは素子の耐電圧等の外的要素から設計的に決定され
る要素であり、それ自体に最適値を有しない。また、誘
電体層３ａの厚さは、基板ガラスの粗面度が約３０ｎｍ
程度であるので、これをカバーするために、約１００ｎ
ｍ以上であることが好ましい。 実験例 １
【００１８】鏡面研磨された石英板上に、膜厚５００ｎ
ｍのＳｉＯx Ｎy をスパッター法により成膜し、ｙを
０．５〜１．５の範囲で、ｘ／ｙを０．６〜１．７の範
囲で変化させ、屈折率ｎ2 を臨界角法で調べた。その結
果、ｙが０．８から２の範囲でいずれのｙに対しても、
ｘ／ｙが０．５から１．４の範囲で膜の屈折率は１．５
１から１．８６であった。 実験例 ２
ｍのＳｉＯx Ｎy をスパッター法により成膜し、ｙを
０．５〜１．５の範囲で、ｘ／ｙを０．６〜１．７の範
囲で変化させ、屈折率ｎ2 を臨界角法で調べた。その結
果、ｙが０．８から２の範囲でいずれのｙに対しても、
ｘ／ｙが０．５から１．４の範囲で膜の屈折率は１．５
１から１．８６であった。 実験例 ２
【００１９】ガラス基板上に、電極としてアルミニウム
からなる薄膜を形成し、その上にと実験例１と同様にＳ
ｉＯx Ｎy を成膜した。更にその上にアルミニウムから
なるドット状の薄膜を形成し、もう一方の電極とした。
この両電極間に周波数５ＫＨｚの交流電圧を印加し絶縁
破壊電圧を測定した。このときのｙとｘ／ｙの範囲は実
験例１と同じであった。図２にその結果を示す。絶縁破
壊電界はｙが１以上の値である場合において、ｘ／ｙに
対し極大値を有することが分かる。その極大値の最大値
は従来得られなかった値である。 実施例 １
からなる薄膜を形成し、その上にと実験例１と同様にＳ
ｉＯx Ｎy を成膜した。更にその上にアルミニウムから
なるドット状の薄膜を形成し、もう一方の電極とした。
この両電極間に周波数５ＫＨｚの交流電圧を印加し絶縁
破壊電圧を測定した。このときのｙとｘ／ｙの範囲は実
験例１と同じであった。図２にその結果を示す。絶縁破
壊電界はｙが１以上の値である場合において、ｘ／ｙに
対し極大値を有することが分かる。その極大値の最大値
は従来得られなかった値である。 実施例 １
【００２０】実験例１および実験例２の結果から、Ｓｉ
Ｏx Ｎy 誘電体の屈折率と絶縁破壊電界の最適値は、ｙ
が１以上でｘ／ｙが０．５ないし１．４の範囲に存在す
ることが確認できたので、誘電体層の組成をＳｉＯ1.2
Ｎ1.5 （屈折率１．７２）とし、以下のように図１に示
す構造のＴＦＥＬを作製した。
Ｏx Ｎy 誘電体の屈折率と絶縁破壊電界の最適値は、ｙ
が１以上でｘ／ｙが０．５ないし１．４の範囲に存在す
ることが確認できたので、誘電体層の組成をＳｉＯ1.2
Ｎ1.5 （屈折率１．７２）とし、以下のように図１に示
す構造のＴＦＥＬを作製した。
【００２１】すなわち、基板１としてガラスを用い、金
属電極２ａおよび２ｂとして、それぞれ、厚さ２００ｎ
ｍアルミニュウム膜を形成した。誘電体層３ａおよび３
ｂとして、それぞれ、厚さ１００ｎｍのＳｉＯ1.2 Ｎ
1.5 からなる非晶質誘電体を用いた。発光層４の材料と
して、厚さ９２０ｎｍのＺｎＳ：Ｔｂを用いた。
属電極２ａおよび２ｂとして、それぞれ、厚さ２００ｎ
ｍアルミニュウム膜を形成した。誘電体層３ａおよび３
ｂとして、それぞれ、厚さ１００ｎｍのＳｉＯ1.2 Ｎ
1.5 からなる非晶質誘電体を用いた。発光層４の材料と
して、厚さ９２０ｎｍのＺｎＳ：Ｔｂを用いた。
【００２２】こうして作製されたＴＦＥＬの電極２ａと
電極２ｂの間に周波数５ＫＨｚの交流電圧を印加し、光
出力−電圧特性を測定した。その結果、図３に示すよう
に、０．６Ｗ／ｃｍ2 の飽和光出力が得られた。
電極２ｂの間に周波数５ＫＨｚの交流電圧を印加し、光
出力−電圧特性を測定した。その結果、図３に示すよう
に、０．６Ｗ／ｃｍ2 の飽和光出力が得られた。
【００２３】比較のため、誘電体としてＹ2 Ｏ3 を用い
た以外は実施例１と全く同様にしてＴＦＥＬを作製し
た。その結果、各誘電体層の厚さを３００ｎｍとして
も、０．２５Ｗ／ｃｍ2 の飽和出力しか得られなかっ
た。
た以外は実施例１と全く同様にしてＴＦＥＬを作製し
た。その結果、各誘電体層の厚さを３００ｎｍとして
も、０．２５Ｗ／ｃｍ2 の飽和出力しか得られなかっ
た。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
端面発光の光出力に優れ、誘電体層の絶縁破壊電圧特性
にも優れた端面発光ＴＦＥＬが提供される。
端面発光の光出力に優れ、誘電体層の絶縁破壊電圧特性
にも優れた端面発光ＴＦＥＬが提供される。
【図１】本発明の端面発光ＴＦＥＬ示す模式図。
【図２】ＳｉＯx Ｎy におけるｘ、ｙ値と絶縁破壊電界
との関係を示すグラフ図。
との関係を示すグラフ図。
【図３】本発明の端面発光ＴＦＥＬの光出力特性を示す
グラフ図。
グラフ図。
１…基板、２ａ，２ｂ…電極、３ａ，３ｂ…誘電体層、
４…発光層。
４…発光層。
Claims (1)
- 【請求項１】 発光層の両面に誘電体層を有する薄膜型
エレクトロルミネッセンス素子であって、前記発光層
は、ＺｎＳを母材とする蛍光体材料で形成され、前記誘
電体層は、ＳｉＯx Ｎy （ここで、ｙは、１以上、およ
びｘ／ｙは０．５ないし１．４）からなる非晶質誘電体
で形成されたことを特徴とする薄膜型エレクトロミネセ
ンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5833292A JPH05266979A (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 薄膜型エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5833292A JPH05266979A (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 薄膜型エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05266979A true JPH05266979A (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=13081358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5833292A Pending JPH05266979A (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 薄膜型エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05266979A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10144469A (ja) * | 1996-09-12 | 1998-05-29 | Mitsubishi Chem Corp | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
| JP2007242406A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-09-20 | Fujifilm Corp | 端面発光型発光素子およびその製造方法 |
| JP2008218421A (ja) * | 1996-09-12 | 2008-09-18 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
| CN104244487A (zh) * | 2013-06-24 | 2014-12-24 | 上海科斗电子科技有限公司 | 电致发光片及其电致发光显示器和生产工艺 |
-
1992
- 1992-03-16 JP JP5833292A patent/JPH05266979A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10144469A (ja) * | 1996-09-12 | 1998-05-29 | Mitsubishi Chem Corp | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
| JP2008218421A (ja) * | 1996-09-12 | 2008-09-18 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
| JP2007242406A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-09-20 | Fujifilm Corp | 端面発光型発光素子およびその製造方法 |
| CN104244487A (zh) * | 2013-06-24 | 2014-12-24 | 上海科斗电子科技有限公司 | 电致发光片及其电致发光显示器和生产工艺 |
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