JPS6136982A - フオトカプラ - Google Patents
フオトカプラInfo
- Publication number
- JPS6136982A JPS6136982A JP59158290A JP15829084A JPS6136982A JP S6136982 A JPS6136982 A JP S6136982A JP 59158290 A JP59158290 A JP 59158290A JP 15829084 A JP15829084 A JP 15829084A JP S6136982 A JPS6136982 A JP S6136982A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- transparent substrate
- photoconductive
- layer
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 12
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- KXJGSNRAQWDDJT-UHFFFAOYSA-N 1-acetyl-5-bromo-2h-indol-3-one Chemical compound BrC1=CC=C2N(C(=O)C)CC(=O)C2=C1 KXJGSNRAQWDDJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021592 Copper(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
- H01L31/161—Semiconductor device sensitive to radiation without a potential-jump or surface barrier, e.g. photoresistors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「技術分野」
本発明は、ＥＬ発光素子（エレクトロルミネッセンス素
子）と、ＣｄＳ系、ＣｄＳｅ系等の光導電層ｒとを一体
化したフォトカプラに関する。
子）と、ＣｄＳ系、ＣｄＳｅ系等の光導電層ｒとを一体
化したフォトカプラに関する。
「従来技術およびその問題点」
従来、フォトカプラとしては、発光ダイオードとＣｄＳ
系等の光導電素子との組合せ、発光ダイオードとシリコ
ンフォトダイオードとの組合せ、発光ダイオードとシリ
コンフォトトランジスタとの組合せ等が実用化されてい
る。これらのフォトカプラは、個々の部品を使って組合
せるか、または一体マウント化した部品を使って製造さ
れていた。
系等の光導電素子との組合せ、発光ダイオードとシリコ
ンフォトダイオードとの組合せ、発光ダイオードとシリ
コンフォトトランジスタとの組合せ等が実用化されてい
る。これらのフォトカプラは、個々の部品を使って組合
せるか、または一体マウント化した部品を使って製造さ
れていた。
しかしながら、」−記のような従来のフォトカブラにお
いては、例えば複数のものを組合せてマトリクス状にす
る場合、形状が大きくなり、製造コストが高くなるので
、多チャンネル化が困難であるという欠点があった。
いては、例えば複数のものを組合せてマトリクス状にす
る場合、形状が大きくなり、製造コストが高くなるので
、多チャンネル化が困難であるという欠点があった。
「発明の目的」
本発明の目的は、例えば複数のものを組合せてマトリク
ス状にした際、形状が比較的コンパクトとなり、製造コ
ストも安く、多チャンネル化が容易にできるようにした
フォトカブラを提供することにある。
ス状にした際、形状が比較的コンパクトとなり、製造コ
ストも安く、多チャンネル化が容易にできるようにした
フォトカブラを提供することにある。
「発明の構成Ｊ
本発明のフォトカブラは、透明基板の片面にＥＬ発光素
子を形成し、前記透明基板の反対面に光導電素子を形成
し、前記ＥＬ発光素子の発光面と前記光導電素子の受光
面とを前記透明基板を介して対面させたことを特徴とす
る。
子を形成し、前記透明基板の反対面に光導電素子を形成
し、前記ＥＬ発光素子の発光面と前記光導電素子の受光
面とを前記透明基板を介して対面させたことを特徴とす
る。
このように、透明基板の両面にＥＬ発光素子と光導電素
子とを形成して一体化したので、形状が比較的コンパク
トとなる。また、一枚の透明基板に複数のＥＬ発光素子
と光導電素子とを形成できるので、複数のフォトカブラ
をマトリクス状に形成して多チャンネル化を図ることも
容易である。さらに、複数の部品を組合ぜたりすること
なく、透明基板上に各層を形成するだけで製造できるの
で、製造コストも安くなる。
子とを形成して一体化したので、形状が比較的コンパク
トとなる。また、一枚の透明基板に複数のＥＬ発光素子
と光導電素子とを形成できるので、複数のフォトカブラ
をマトリクス状に形成して多チャンネル化を図ることも
容易である。さらに、複数の部品を組合ぜたりすること
なく、透明基板上に各層を形成するだけで製造できるの
で、製造コストも安くなる。
以下、本発明について図面を参照してさらに訂細に説明
する。
する。
第１図には本発明によるフォトカブラの基本的な概念が
示されている。すなわち、透明な耐熱性ガラス、石英な
どの透明基板１１の片面にＥＬ発光素子１２が形成され
、透明基板１１の反対面に光導電素子１３が形成されて
いる。そして、ＥＬ発光素子１２の駆動端子１４．１５
に駆動電圧を印加すると、ＥＬ発光素子１２は発光面ａ
において発光し、その光は透明基板１１を通って光導電
素子１３の受光面すに到達する。これによって、光導電
素子１３の電気抵抗が変化し、その端子１６．１７に電
気信号が発生する。
示されている。すなわち、透明な耐熱性ガラス、石英な
どの透明基板１１の片面にＥＬ発光素子１２が形成され
、透明基板１１の反対面に光導電素子１３が形成されて
いる。そして、ＥＬ発光素子１２の駆動端子１４．１５
に駆動電圧を印加すると、ＥＬ発光素子１２は発光面ａ
において発光し、その光は透明基板１１を通って光導電
素子１３の受光面すに到達する。これによって、光導電
素子１３の電気抵抗が変化し、その端子１６．１７に電
気信号が発生する。
第２図には本発明によるフォトカブラのさらに具体的な
一例が示されている。すなわち、透明基板１１の片面に
、透明電極層１８、絶縁体層１８、発光体層２０、絶縁
体層２１、電極層２２が順次積層されてＥＬ発光素子１
２が形成されている。この場合、透明電極層１８および
電極層２２は、例えば酸化インジウム、酸化スズなどの
酸化金属を真空蒸着、スパッタリング等で付着させるこ
とにより形成することができる。なお、電極層２２は透
明であることを要しないので、普通の金属を用いてもよ
い。また、絶縁体層１８および２１は、５１０２等をス
パッタリング等で付着させて形成することができる。絶
縁体層２１としては、Ａｌ２Ｏ３なども使用できる。さ
らに、発光体層２０は、ＺｎＳ等の発光物質を真空蒸着
、スパッタリング等で付着させて形成することができる
。そして、駆動端子１４は透明電極層１８に接続され、
駆動端子１５は電極層２２に接続されている。なお、こ
のＥＬ発光素子１２は薄膜タイプである。
一例が示されている。すなわち、透明基板１１の片面に
、透明電極層１８、絶縁体層１８、発光体層２０、絶縁
体層２１、電極層２２が順次積層されてＥＬ発光素子１
２が形成されている。この場合、透明電極層１８および
電極層２２は、例えば酸化インジウム、酸化スズなどの
酸化金属を真空蒸着、スパッタリング等で付着させるこ
とにより形成することができる。なお、電極層２２は透
明であることを要しないので、普通の金属を用いてもよ
い。また、絶縁体層１８および２１は、５１０２等をス
パッタリング等で付着させて形成することができる。絶
縁体層２１としては、Ａｌ２Ｏ３なども使用できる。さ
らに、発光体層２０は、ＺｎＳ等の発光物質を真空蒸着
、スパッタリング等で付着させて形成することができる
。そして、駆動端子１４は透明電極層１８に接続され、
駆動端子１５は電極層２２に接続されている。なお、こ
のＥＬ発光素子１２は薄膜タイプである。
透明基板１１の反対面には、一対のくし歯状電極２３．
２４と光導電層２５とが順次積層されて光導電素子１３
が形成されている。くし歯状電極２３および２４は、第
３図に示すように、互いに入り組むようにしてくし歯状
に形成されている。これは銀ペースト等をスクリーン印
刷して焼成したり、あるいは銀、銅等の金属を真空蒸着
や、スパッタリングすることにより形成することができ
る。また、光導電層２５は、ＣｄＳ 、 ｅｄｇｅ等の
光導電物質を含むペーストをスクリーン印刷して焼成す
ることによって形成できる。そして、端子１６は一方の
くし歯状電極２３に接続され、端子１７は他方のくし歯
状電極２４に接続されている。
２４と光導電層２５とが順次積層されて光導電素子１３
が形成されている。くし歯状電極２３および２４は、第
３図に示すように、互いに入り組むようにしてくし歯状
に形成されている。これは銀ペースト等をスクリーン印
刷して焼成したり、あるいは銀、銅等の金属を真空蒸着
や、スパッタリングすることにより形成することができ
る。また、光導電層２５は、ＣｄＳ 、 ｅｄｇｅ等の
光導電物質を含むペーストをスクリーン印刷して焼成す
ることによって形成できる。そして、端子１６は一方の
くし歯状電極２３に接続され、端子１７は他方のくし歯
状電極２４に接続されている。
このフォトカブラにおいては、ＥＬ発光素子１２の駆動
端子１４および１５間に交流電圧を印加すると、発光体
層２０が発光を開始し、その光線２６が透明基板１１を
通って光導電層２５に到達する。それによって光導電層
２５の電気抵抗が低下し、くし歯状電極２３．２４を介
して端子１６．１７から電気的信号として外部に取出さ
れる。
端子１４および１５間に交流電圧を印加すると、発光体
層２０が発光を開始し、その光線２６が透明基板１１を
通って光導電層２５に到達する。それによって光導電層
２５の電気抵抗が低下し、くし歯状電極２３．２４を介
して端子１６．１７から電気的信号として外部に取出さ
れる。
なお、上記のフォトカブラにおいて、ＥＬ発光素子１２
の絶縁体層１９を省略してＥＬ発光素子１２を分散形タ
イプとしてもよい。
の絶縁体層１９を省略してＥＬ発光素子１２を分散形タ
イプとしてもよい。
第４図および第５図には本発明によるフォトカプラのさ
らに別の具体例が示されている。すなわち、透明基板Ｉ
Ｉの片面に多数のＥＬ発光素子１２がマトリクス状に形
成されている。この場合、駆動端子１４は横列のＥＬ発
光素子１２を接続するように配置され、駆動端子１５は
縦列のＥＬ発光素子１２を接続するように配置されてい
る。
らに別の具体例が示されている。すなわち、透明基板Ｉ
Ｉの片面に多数のＥＬ発光素子１２がマトリクス状に形
成されている。この場合、駆動端子１４は横列のＥＬ発
光素子１２を接続するように配置され、駆動端子１５は
縦列のＥＬ発光素子１２を接続するように配置されてい
る。
また、透明基板１１の反対面には上記のＥＬ発光素子１
２と一対一で対応して多数の光導電素子１３が同じくマ
トリクス状に形成されている。端子１６および１７はそ
れぞれ縦列の光導電素子１３を接続するように配置され
ている。
２と一対一で対応して多数の光導電素子１３が同じくマ
トリクス状に形成されている。端子１６および１７はそ
れぞれ縦列の光導電素子１３を接続するように配置され
ている。
このフォトカブラにおいては、駆動端子１４および１５
のいずれかに交流電圧が印加されると、それらの交点に
対応するＥＬ発光素子１２が発光し、そのＥＬ発光素子
１２と対をなす光導電素子１３の電気抵抗が低下して、
その光導電素子１３を通る端子１６および１７から電気
的信号が外部に取出されることになる。したがって、マ
トリクス状に配列された任意のＥＬ発光素子１２を駆動
させてそれと対をなす光導電素子１３を作動させ、チャ
ンネル動作を行なうことが可能となる。
のいずれかに交流電圧が印加されると、それらの交点に
対応するＥＬ発光素子１２が発光し、そのＥＬ発光素子
１２と対をなす光導電素子１３の電気抵抗が低下して、
その光導電素子１３を通る端子１６および１７から電気
的信号が外部に取出されることになる。したがって、マ
トリクス状に配列された任意のＥＬ発光素子１２を駆動
させてそれと対をなす光導電素子１３を作動させ、チャ
ンネル動作を行なうことが可能となる。
なお、」−記のフォトカブラにおいて、例えば１個のＥ
Ｌ発光素子１２に対して複数個の光導電素子１３を対応
させることもでき、その場合にも同様な結果を得ること
ができる。
Ｌ発光素子１２に対して複数個の光導電素子１３を対応
させることもでき、その場合にも同様な結果を得ること
ができる。
「発明の実施例」
実施例１
まず、耐熱性ガラスからなる透明基板１１の片面に光導
電素子１３を次のようにして形成した。すなわち、銀ペ
ーストをスクリーン印刷し、５００〜６００°Ｃで焼成
して一対のくし歯状電極２３．２４を形成した。その上
に、アクセプタ不純物としてＣｕＣｌ２等を添加したＣ
ｄＳペーストをスクリーン印刷で均一に塗布し、８００
°Ｃ前後にて不活性雰囲気下で焼結し、光導電層２５を
形成した。なお、この方法は、例えば［光導電素子Ｊ
（伊吹、吉沢共著、日刊工業新聞社刊、Ｓ、４０．ＢＪ
Ｏ二版、Ｐ４３〜Ｐ４６）に詳述されている。
電素子１３を次のようにして形成した。すなわち、銀ペ
ーストをスクリーン印刷し、５００〜６００°Ｃで焼成
して一対のくし歯状電極２３．２４を形成した。その上
に、アクセプタ不純物としてＣｕＣｌ２等を添加したＣ
ｄＳペーストをスクリーン印刷で均一に塗布し、８００
°Ｃ前後にて不活性雰囲気下で焼結し、光導電層２５を
形成した。なお、この方法は、例えば［光導電素子Ｊ
（伊吹、吉沢共著、日刊工業新聞社刊、Ｓ、４０．ＢＪ
Ｏ二版、Ｐ４３〜Ｐ４６）に詳述されている。
次に、透明基板１１の反対面に以下の各層をスパッタリ
ングすることによって薄膜タイプのＥｌ、発光素子１２
を形成した。すなわち、透明基板１１の反対面に、１１
１２０３系の透明電極層１８を形成しくシート抵抗ｌΩ
／口）、その」二に５ｉ０２系の絶縁体層１８を形成し
く膜厚２０００人前後）、その−ヒにＺｎＳ 会Ｍｎ系
の発光体層２０を形成しく膜厚８０００人前後）、さら
にその上に５ｉ２Ｑ系の絶縁体層２１を形成しく膜厚２
０００人前後）、最後にＡ１からなる電極層２２を形成
した（膜厚１ ｐ、ｍ前後）。なお、この方法は、例え
ば「薄膜ＥＬ素子の実用化技術」 （日経エレクトロニ
クス、１９７９年４／２号、ｐＨ８〜Ｐ１４２）に詳述
されている。
ングすることによって薄膜タイプのＥｌ、発光素子１２
を形成した。すなわち、透明基板１１の反対面に、１１
１２０３系の透明電極層１８を形成しくシート抵抗ｌΩ
／口）、その」二に５ｉ０２系の絶縁体層１８を形成し
く膜厚２０００人前後）、その−ヒにＺｎＳ 会Ｍｎ系
の発光体層２０を形成しく膜厚８０００人前後）、さら
にその上に５ｉ２Ｑ系の絶縁体層２１を形成しく膜厚２
０００人前後）、最後にＡ１からなる電極層２２を形成
した（膜厚１ ｐ、ｍ前後）。なお、この方法は、例え
ば「薄膜ＥＬ素子の実用化技術」 （日経エレクトロニ
クス、１９７９年４／２号、ｐＨ８〜Ｐ１４２）に詳述
されている。
こうして、第２図に示すようなフォトカブラを製造した
。このフォトカブラを動作させた結果、次のデータが得
られた。
。このフォトカブラを動作させた結果、次のデータが得
られた。
発光素子、 １５０Ｖ、５０Ｈｚの交流電圧を印加した
ときの輝度４０Ｃｄ／ｒｎ’ （波長ＢＯＯｎ＋ｓ付近
）光導電素子；抵抗値低下 ３０ ｋΩ→１にΩ実施例
２ 光導電素子１３は実施例１と同様にして、ＥＬ発光素子
１２を分散形タイプに変更した。すなわち、透明基板１
１の反対面に、Ｉｒ＋＋０３系の透明電極層１８をスパ
ッタリングにより形成しくシート抵抗１００Ω／口前後
）、その−ＦにＺｎＳ ＊ Ｃｕの粉末とシアノエチル
セルローズ有機バインダーとからなるペーストをスクリ
ーン印刷し焼成して発光体層２０を形成し、さらにその
」−にＴｌＯ２粉末とシアノエチルセルローズ有機バイ
ンダーとからなるペーストをスクリーン印刷し焼成して
絶縁体層２１を形成し、最後に銀ペーストをスクリーン
印刷し焼成して電極層２２を形成した。なお、この方υ
、は、例えばｒＥＬとその応用」 （二階堂著、ＯＨに
文庫（＋０２） 、 オーム社刊、３．３７．５．２５
初版、Ｓ、４０．８．３０ 二版、Ｐ２２〜Ｐ２３）に
詳述されている。
ときの輝度４０Ｃｄ／ｒｎ’ （波長ＢＯＯｎ＋ｓ付近
）光導電素子；抵抗値低下 ３０ ｋΩ→１にΩ実施例
２ 光導電素子１３は実施例１と同様にして、ＥＬ発光素子
１２を分散形タイプに変更した。すなわち、透明基板１
１の反対面に、Ｉｒ＋＋０３系の透明電極層１８をスパ
ッタリングにより形成しくシート抵抗１００Ω／口前後
）、その−ＦにＺｎＳ ＊ Ｃｕの粉末とシアノエチル
セルローズ有機バインダーとからなるペーストをスクリ
ーン印刷し焼成して発光体層２０を形成し、さらにその
」−にＴｌＯ２粉末とシアノエチルセルローズ有機バイ
ンダーとからなるペーストをスクリーン印刷し焼成して
絶縁体層２１を形成し、最後に銀ペーストをスクリーン
印刷し焼成して電極層２２を形成した。なお、この方υ
、は、例えばｒＥＬとその応用」 （二階堂著、ＯＨに
文庫（＋０２） 、 オーム社刊、３．３７．５．２５
初版、Ｓ、４０．８．３０ 二版、Ｐ２２〜Ｐ２３）に
詳述されている。
こうして製造されたフォトカブラを動作させた結果、次
のデータが得られた。
のデータが得られた。
発光素子； １００ Ｖ 、 ２００ Ｈｚの交流電圧
を印加したときの輝度２５Ｃ：ｄ／ｍ’ （波長５５Ｏ
ｎｍ付近）光導電素子；抵抗値低下 ３０ ｋΩ→１０
ｋΩ実施例３ 実施例１と同様な層構造にして、第４図および第５図に
示すようなマトリクス形フォトカプラを製造した。すな
わち、透明基板１１の片面に縦５Ｉ、横５１１ＩＩｎの
光導電素子１３を縦に１０列、横に１０列でマトリクス
状に形成した。そして、縦列に並ぶ各光導電素子側３を
連結するように端子１６および１７をそれぞれ形成した
。一方、透明基板１１の反対面に１−配光導電素子１３
と対応させてＥＬ発光素子１２を同じくマトリクス状に
形成した。そして、横列に並ぶＥＬ発光素子】２を連結
するように駆動端子】４をそれぞれ形成し、縦列に並ぶ
ＥＬ発光素子１２を連結するように駆動端子１５をそれ
ぞれ形成した。
を印加したときの輝度２５Ｃ：ｄ／ｍ’ （波長５５Ｏ
ｎｍ付近）光導電素子；抵抗値低下 ３０ ｋΩ→１０
ｋΩ実施例３ 実施例１と同様な層構造にして、第４図および第５図に
示すようなマトリクス形フォトカプラを製造した。すな
わち、透明基板１１の片面に縦５Ｉ、横５１１ＩＩｎの
光導電素子１３を縦に１０列、横に１０列でマトリクス
状に形成した。そして、縦列に並ぶ各光導電素子側３を
連結するように端子１６および１７をそれぞれ形成した
。一方、透明基板１１の反対面に１−配光導電素子１３
と対応させてＥＬ発光素子１２を同じくマトリクス状に
形成した。そして、横列に並ぶＥＬ発光素子】２を連結
するように駆動端子】４をそれぞれ形成し、縦列に並ぶ
ＥＬ発光素子１２を連結するように駆動端子１５をそれ
ぞれ形成した。
こうして、形ｒ＆コれたマトリクス形フォトカプラは、
いずれかの駆動端子１４および１５に交流電圧を印加す
ると、それらがクロスする部分に位置するＥＬ発光素子
１２が発光し、それと対をなす光導電素子１３の電気抵
抗が低下し、その光導電素子１３を通る端子１６および
端子１７から電気的信号を取出すことができた。したが
って、チャンネル動作が可能であった。
いずれかの駆動端子１４および１５に交流電圧を印加す
ると、それらがクロスする部分に位置するＥＬ発光素子
１２が発光し、それと対をなす光導電素子１３の電気抵
抗が低下し、その光導電素子１３を通る端子１６および
端子１７から電気的信号を取出すことができた。したが
って、チャンネル動作が可能であった。
「発明の効果」
以−Ｌ説明したように、本発明によれば、透明基板の片
面にＥＬ発光素子を形成し、透明基板の反対面に光導電
素子を形成して、ＥＬ発光素子と光導電素子とを透明基
板を介して対面させるようにしたので、一枚の透明基板
トにＥＬ発光素子および光導電素子を任意の個数形成す
ることにより、多チャンネルのフォトカプラを容易にか
つ低コストで製造できる。また、一枚の透明基板上に全
ての素イーを形成できるので、形状もコンパクトとなる
。
面にＥＬ発光素子を形成し、透明基板の反対面に光導電
素子を形成して、ＥＬ発光素子と光導電素子とを透明基
板を介して対面させるようにしたので、一枚の透明基板
トにＥＬ発光素子および光導電素子を任意の個数形成す
ることにより、多チャンネルのフォトカプラを容易にか
つ低コストで製造できる。また、一枚の透明基板上に全
ての素イーを形成できるので、形状もコンパクトとなる
。
第１図は本発明によるフォトカプラの基本的な概念を示
す断面図、第２図は本発明によるフォトカプラの一例を
示す断面図、第３図は第２図における■−■線に沿った
断面図、第４図は本発明によるフォトカプラの他の例を
示すＥＬ発光素子側から見た図、第５図は同フォトカプ
ラの光導電素子側から見た図である。 図中、１１は透明基板、１２はＥＬ発光素子、１３は光
導電素子、１４．１５は駆動端子、１Ｂ、１７は端子、
１８は透明電極層、１９は絶縁体層、２０は発光体層、
２１は絶縁体層、２２は電極層、２３．２４はくし歯状
電極、２５は光導電層である。 第２区 第３図
す断面図、第２図は本発明によるフォトカプラの一例を
示す断面図、第３図は第２図における■−■線に沿った
断面図、第４図は本発明によるフォトカプラの他の例を
示すＥＬ発光素子側から見た図、第５図は同フォトカプ
ラの光導電素子側から見た図である。 図中、１１は透明基板、１２はＥＬ発光素子、１３は光
導電素子、１４．１５は駆動端子、１Ｂ、１７は端子、
１８は透明電極層、１９は絶縁体層、２０は発光体層、
２１は絶縁体層、２２は電極層、２３．２４はくし歯状
電極、２５は光導電層である。 第２区 第３図
Claims (5)
- （１）透明基板の片面にＥＬ発光素子を形成し、前記透
明基板の反対面に光導電素子を形成し、前記ＥＬ発光素
子の発光面と前記光導電素子の受光面とを前記透明基板
を介して対面させたことを特徴とするフォトカプラ。 - （２）特許請求の範囲第１項において、前記透明基板の
片面に前記ＥＬ発光素子をマトリクス状に複数個形成し
、前記透明基板の反対面に前記ＥＬ発光素子に対応して
前記光導電素子を複数個形成したフォトカプラ。 - （３）特許請求の範囲第１項または第２項において、前
記ＥＬ発光素子は前記透明基板の片面に透明電極層、絶
縁体層、発光体層、絶縁体層、電極層を順次積層したも
のからなるフォトカプラ。 - （４）特許請求の範囲第１項または第２項において、前
記ＥＬ発光素子は前記透明基板の片面に透明電極層、発
光体層、絶縁体層、電極層を順次積層したものからなる
フォトカプラ。 - （５）特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれか一
において、前記光導電体層は前記透明基板の反対面に一
対のくし歯状電極、光導電層を順次積層したものからな
るフォトカプラ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59158290A JPS6136982A (ja) | 1984-07-28 | 1984-07-28 | フオトカプラ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59158290A JPS6136982A (ja) | 1984-07-28 | 1984-07-28 | フオトカプラ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6136982A true JPS6136982A (ja) | 1986-02-21 |
Family
ID=15668366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59158290A Pending JPS6136982A (ja) | 1984-07-28 | 1984-07-28 | フオトカプラ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6136982A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5200631A (en) * | 1991-08-06 | 1993-04-06 | International Business Machines Corporation | High speed optical interconnect |
| JPH07319559A (ja) * | 1994-05-25 | 1995-12-08 | Nec Yamagata Ltd | 恒温槽 |
| WO2000014813A1 (fr) * | 1998-09-04 | 2000-03-16 | Seiko Epson Corporation | Dispositif dote de moyens de communication optiques |
| JP2010045410A (ja) * | 2009-11-24 | 2010-02-25 | Fujitsu Ltd | 光電子集積回路装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5884475A (ja) * | 1981-11-13 | 1983-05-20 | Omron Tateisi Electronics Co | フオトカプラ |
-
1984
- 1984-07-28 JP JP59158290A patent/JPS6136982A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5884475A (ja) * | 1981-11-13 | 1983-05-20 | Omron Tateisi Electronics Co | フオトカプラ |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5200631A (en) * | 1991-08-06 | 1993-04-06 | International Business Machines Corporation | High speed optical interconnect |
| JPH07319559A (ja) * | 1994-05-25 | 1995-12-08 | Nec Yamagata Ltd | 恒温槽 |
| WO2000014813A1 (fr) * | 1998-09-04 | 2000-03-16 | Seiko Epson Corporation | Dispositif dote de moyens de communication optiques |
| US6430325B1 (en) | 1998-09-04 | 2002-08-06 | Seiko Epson Corporation | Device having a light transmission device |
| US6775428B2 (en) | 1998-09-04 | 2004-08-10 | Seiko Epson Corporation | Device having a light transmission device |
| KR100626562B1 (ko) * | 1998-09-04 | 2006-09-22 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 광 전달 장치 및 이를 제조하는 방법 |
| JP2010045410A (ja) * | 2009-11-24 | 2010-02-25 | Fujitsu Ltd | 光電子集積回路装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SU1327810A3 (ru) | Электролюминесцентна структура | |
| US4307372A (en) | Photosensor | |
| CN106775081A (zh) | 有机发光显示面板及压力感应显示装置 | |
| US5483120A (en) | Electroluminescent device having improved electrode terminals | |
| US4945009A (en) | Electroluminescence device | |
| SU1301327A3 (ru) | Электролюминесцентное устройство | |
| JPS6136982A (ja) | フオトカプラ | |
| US5254849A (en) | Image reading apparatus having light shielding element disposed between light emitting elements | |
| US5479070A (en) | Light-emitting element device | |
| US4532454A (en) | Electroluminescent display having dark field semiconducting layer | |
| CN109656420B (zh) | 彩膜基板、显示装置及其控制装置 | |
| JPS5840856A (ja) | 光センサアレイ | |
| JP2830177B2 (ja) | 画像読取装置 | |
| JPS59133584A (ja) | 多色ｅｌ表示装置 | |
| JPS62269358A (ja) | イメ−ジセンサ | |
| JP2847962B2 (ja) | 発光素子装置及び発光素子装置の製造方法及び画像読取装置 | |
| JPS5928036B2 (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS597751Y2 (ja) | Ｅｌ表示装置 | |
| JPS59157996A (ja) | Ｅｌ発光素子 | |
| US3182199A (en) | Crossed-grid electroluminescent phosphor illumination control element | |
| JPS61211997A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| SU392607A1 (ru) | Электролюминесцентное устройство | |
| JPH01166484A (ja) | 薄膜ｅｌパネル | |
| JPH0437066A (ja) | 光源一体型イメージセンサ | |
| JPS6159388A (ja) | 表示装置 |