SU1327810A3 - Электролюминесцентна структура - Google Patents

Электролюминесцентна структура Download PDF

Info

Publication number
SU1327810A3
SU1327810A3 SU823427349A SU3427349A SU1327810A3 SU 1327810 A3 SU1327810 A3 SU 1327810A3 SU 823427349 A SU823427349 A SU 823427349A SU 3427349 A SU3427349 A SU 3427349A SU 1327810 A3 SU1327810 A3 SU 1327810A3
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
layer
electrode
electrode layer
resistive material
electroluminescent structure
Prior art date
Application number
SU823427349A
Other languages
English (en)
Inventor
Гуннар Линдфорс Свен
Original Assignee
Ой Лохья Аб (Фирма)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ой Лохья Аб (Фирма) filed Critical Ой Лохья Аб (Фирма)
Application granted granted Critical
Publication of SU1327810A3 publication Critical patent/SU1327810A3/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917—Electroluminescent
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/25—Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
    • Y10T428/264—Up to 3 mils
    • Y10T428/265—1 mil or less
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/30—Self-sustaining carbon mass or layer with impregnant or other layer

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

113
Изобретение относитс  к электролюминесцентным источникам света и может быть использовано -в устройствах визуальной индикации;
Целью изобретени   вл е 1 с  повышение технологичности с сохранением равномерности свечени  при выполнении второго электродного сло  состо щим по крайней мере из двух изолированшз1 одна от другой частей.
На чертеже изображена электролюминесцентна  структура, поперечное счение .
Структура содержит подложку 1, например, из стекла с нанесенным на нее первым электродньм слоем 2 из индий-олов нного окисла (,02) в виде пленки толщиной 40-50 нм, В структуре, предназначенной дл  рабо- ты на переменном токе, на поверхност первого электродного сло  2 расположен дополнительный слой 3, представл ющий собой пленку изол тора из Al20 толщиной 200-250 нм. На дополнитель- лом слое 3 расположен люминесцентный слой 4 на основе ZnSrMn в виде пленки , толщина которой примерно равна 300 нм. Поверх люминесцентного сло 
4расположен второй дополнительный слой 5, аналогичный -слою 3, На слое
5расположен слой резистивного материала 6 толщиной 5-100 нм. Слой 6 может быть выполнен в виде пленки из TiOj, InjOj, SnOj, индий-олов нного окисла (Inj(Sn,,Oj) или из углеродной пленки. На поверхности сло  резистивного материала 6 расположены электроды 7 и 8 второго электродного сло , состо щие из св зующего материала и электропроводных частиц и имеющие толщину 40-50 мкм,
В структуре, предназначе.нной дл  работы на посто нном токе, дополнительный слой 3 выполнен в виде плен- ки из TiO толщиной примерно ЮОнм, а второй дополнительный слой 5 - из титано-танталового окисла с толщиной пленки 200-500 нм,
Все сплошные слои (2-6) изготовлены по технологии эпитаксии атомными сло ми, .
Форма и расположение индицируемых знаков задаетс  формой и расположе- нием частей 7 и 8 второго электродного сло , изготавливаемого по технологии толстых пленок из пасты, содержащей графитовые частицы.
о2
Изготовление сло  резистивного материала 6 сплошным повышает технологичность электролгоминесцентной струк туры, так этом отсутствует трудоемка  стади  литографии. Выбор максимальной толщины сло  6 равной 100 им обусловлен необходимостью исключени  токов между част ми 7 и 8 второго электродного сло , рассто  ние между которыми может составл ть 50-100 мкм. Минимальна  толщина сло  6 (5 им) выбираетс  из услови  получени  достаточной величины сопротивлени  между точечными контак- тами второго электродного сло - и соответствующими участками люминесцейтно го сло  4 дл  выравнивани  плотностей тока через эти участки, что обеспечивает равноме рность их свечени .
Сопротивление сло  6 также ограничивает ток в случае электролюминес- центрюй структуры посто нного тока.

Claims (4)

1. Электролюминесцентна  структура , содержаща  подложку, первый электродный слой, нанесенный на подложку второй электродный слой, расположенный на рассто нии от первого электродного сло  и состо щий из св зующего и провод щих частиц, люминесцентный слой, расположенный между первым и вторым электродными сло ми, по крайней мере один дополнительный слой дл  ограничени  тока и/или химичес- . кой защиты, расположенный между электродным и люминесцентными сло ми, слой резистивного материала, расположенный между люминесцентным и вторым электродным аю ми в непосредственном контакте с последним,,о т - л и ч а ю щ а   с   тем, что, с целью повышени  технологичности с сохранением равномерности свечени  при выполнении второго электродного сло , состо щего по крайней мере из двух изолированных одна от другой частей, дополнительный слой резистивкого материала выполнен сплошным с толщиной, лежащей в пределах 5-100нм и находитс  в контакте с упом нутыми ч аст ми второго электродного сло ,
2. Электролюминесцентна  структура по п,1, отличающа с  тем, что слой резистивного материала выполнен из TiOj. 1п2.0:, или SnO,
31327810 .
3. Электролюминесцентна  структу-,
4. Электролюминесцентна  структура по п.1, отличаю.ща с  - П.1, отличающа с  тем, что слой резистивного материала тем, что. слой резистивного ма- выполнен из индий-олов нного окисла g териала выполнен из углерод- .ной пленки.
SU823427349A 1981-04-22 1982-04-21 Электролюминесцентна структура SU1327810A3 (ru)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI811244A FI62448C (fi) 1981-04-22 1981-04-22 Elektroluminensstruktur

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1327810A3 true SU1327810A3 (ru) 1987-07-30

Family

ID=8514323

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU823427349A SU1327810A3 (ru) 1981-04-22 1982-04-21 Электролюминесцентна структура

Country Status (8)

Country Link
US (1) US4418118A (ru)
JP (1) JPS57194485A (ru)
DD (1) DD202365A5 (ru)
DE (1) DE3213887A1 (ru)
FI (1) FI62448C (ru)
FR (1) FR2504769B1 (ru)
GB (1) GB2097187B (ru)
SU (1) SU1327810A3 (ru)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5871589A (ja) * 1981-10-22 1983-04-28 シャープ株式会社 薄膜ｅｌ素子
FI64878C (fi) * 1982-05-10 1984-01-10 Lohja Ab Oy Kombinationsfilm foer isynnerhet tunnfilmelektroluminensstrukturer
JPS59201392A (ja) * 1983-04-28 1984-11-14 アルプス電気株式会社 分散型エレクトロルミネツセンス素子の製造方法
JPS59226500A (ja) * 1983-06-04 1984-12-19 アルプス電気株式会社 分散型エレクトロルミネツセンス
JPS59230773A (ja) * 1983-06-14 1984-12-25 Kyocera Corp サ−マルヘツド
JPS6074384A (ja) * 1983-09-30 1985-04-26 松下電器産業株式会社 薄膜発光素子
DE3476624D1 (en) * 1983-10-25 1989-03-09 Sharp Kk Thin film light emitting element
JPS60124396A (ja) * 1983-12-09 1985-07-03 松下電器産業株式会社 薄膜発光素子
JPS60216496A (ja) * 1984-04-10 1985-10-29 平手　孝士 発光色可変形薄膜電界発光素子
US4963441A (en) * 1984-05-24 1990-10-16 Shiga Prefecture Light-storing glazes and light-storing fluorescent ceramic articles
US4603280A (en) * 1984-10-30 1986-07-29 Rca Corporation Electroluminescent device excited by tunnelling electrons
US4757235A (en) * 1985-04-30 1988-07-12 Nec Corporation Electroluminescent device with monolithic substrate
JPS61284091A (ja) * 1985-06-07 1986-12-15 アルプス電気株式会社 薄膜ｅｌ表示素子
JPS61284092A (ja) * 1985-06-07 1986-12-15 アルプス電気株式会社 薄膜ｅｌ表示素子
US4849674A (en) * 1987-03-12 1989-07-18 The Cherry Corporation Electroluminescent display with interlayer for improved forming
US4748375A (en) * 1985-12-27 1988-05-31 Quantex Corporation Stable optically transmissive conductors, including electrodes for electroluminescent devices, and methods for making
US4794302A (en) * 1986-01-08 1988-12-27 Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho Thin film el device and method of manufacturing the same
US4703803A (en) * 1986-06-24 1987-11-03 Cities Service Oil & Gas Corporation Composition and method for slowly dissolving siliceous material
US5229628A (en) * 1989-08-02 1993-07-20 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Electroluminescent device having sub-interlayers for high luminous efficiency with device life
US5480818A (en) * 1992-02-10 1996-01-02 Fujitsu Limited Method for forming a film and method for manufacturing a thin film transistor
US5432015A (en) * 1992-05-08 1995-07-11 Westaim Technologies, Inc. Electroluminescent laminate with thick film dielectric
JP3181737B2 (ja) * 1992-12-28 2001-07-03 東北パイオニア株式会社 エレクトロルミネッセンス素子
KR100279591B1 (ko) * 1993-12-14 2001-02-01 구자홍 전계발광소자 제조방법
US5796120A (en) * 1995-12-28 1998-08-18 Georgia Tech Research Corporation Tunnel thin film electroluminescent device
US5750188A (en) * 1996-08-29 1998-05-12 Motorola, Inc. Method for forming a thin film of a non-stoichiometric metal oxide
US6771019B1 (en) * 1999-05-14 2004-08-03 Ifire Technology, Inc. Electroluminescent laminate with patterned phosphor structure and thick film dielectric with improved dielectric properties
TW556357B (en) 1999-06-28 2003-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing an electro-optical device
JP2006520617A (ja) * 2003-02-10 2006-09-14 ファン，グァンヒョン 発光装飾装置
US7586247B2 (en) * 2005-04-18 2009-09-08 Jiahn-Chang Wu Ballast for light emitting device
EP1933603A1 (en) * 2005-09-12 2008-06-18 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Conductive laminate and organic el device

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2824992A (en) * 1955-01-17 1958-02-25 Sylvania Electric Prod Electroluminescent lamp
GB828720A (en) * 1956-08-20 1960-02-24 Thorn Electrical Ind Ltd Improvements in and relating to the manufacture of translucent electrically-conducting layers
US3268755A (en) * 1961-03-30 1966-08-23 Optische Ind De Oude Delft Nv Current-electroluminescence device having a high resistance layer
US3315111A (en) * 1966-06-09 1967-04-18 Gen Electric Flexible electroluminescent device and light transmissive electrically conductive electrode material therefor
US3686139A (en) * 1970-03-10 1972-08-22 Globe Union Inc Resistive coating compositions and resistor elements produced therefrom
JPS5272197A (en) * 1976-04-05 1977-06-16 Sharp Corp Thin film el device
GB1571620A (en) * 1976-10-29 1980-07-16 Secr Defence Electroluminescent phosphor panels

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
За вка Финл ндии №801318, кл. Н 05 В 33/12, 1980. Авторское свидетельство СССР № 373906, кл. Н 05 В 33/26, 1973. *

Also Published As

Publication number Publication date
FR2504769B1 (fr) 1986-02-21
GB2097187B (en) 1985-02-13
DE3213887A1 (de) 1982-11-18
GB2097187A (en) 1982-10-27
US4418118A (en) 1983-11-29
FI62448B (fi) 1982-08-31
FI62448C (fi) 1982-12-10
FR2504769A1 (fr) 1982-10-29
JPS57194485A (en) 1982-11-30
DD202365A5 (de) 1983-09-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SU1327810A3 (ru) Электролюминесцентна структура
KR890008886A (ko) 마이크로포인트 방출 음극을 가진 전자원과 상기 전자원을 이용한 필드 방출로 여기되는 음극루미네센스에 의한 디스플레이 수단
EP0830807B1 (en) Electroluminescent lamp having a terpolymer binder
GB1568111A (en) Electroluminescent devices
FI84869C (fi) Matrisfilmstruktur i synnerhet foer elektroluminecens displayenhet.
US2937353A (en) Photoconductive devices
JPH03757B2 (ru)
GB2168823A (en) Low voltage solid-state lateral coloration electrochromic device
NL7909342A (nl) Elektro-luminescerende inrichting.
JP3540502B2 (ja) フラットディスプレイスクリーンのアノード
US3048732A (en) Electroluminescent cell
US2966604A (en) Electroluminescent lamp
NL6615850A (ru)
JPH06325690A (ja) マイクロチップ表示装置及びその装置の製造方法
JPH01320796A (ja) エレクトロルミネッセンス素子
JPH0452566B2 (ru)
GB2135117A (en) Electroluminescent display device
KR970005102B1 (ko) 박막형 전장 발광 표시소자
US2991385A (en) Electroluminescent device
RU2065259C1 (ru) Тонкопленочный электролюминесцентный индикатор
JPS63284795A (ja) エレクトロルミネセンス表示素子
JPS6132393A (ja) 薄膜直流（ｄｃ）作動エレクトロルミネツセント　デイバイス
JPS60221942A (ja) 螢光表示管
JPS62165895A (ja) 薄膜ｅｌ表示素子
JPS61230294A (ja) Ｅｌ素子の製造方法