JPS63284795A - エレクトロルミネセンス表示素子 - Google Patents
エレクトロルミネセンス表示素子Info
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- JPS63284795A JPS63284795A JP62116982A JP11698287A JPS63284795A JP S63284795 A JPS63284795 A JP S63284795A JP 62116982 A JP62116982 A JP 62116982A JP 11698287 A JP11698287 A JP 11698287A JP S63284795 A JPS63284795 A JP S63284795A
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- electrodes
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、コンピュータも端末機器等の如き種々の分野
に用いられる薄膜のエレクトロルミセンセンス表示素子
の改良に関するものである（従来技術） 一般に、この種のエレクトロルミネセンス表示素子は、
セラミック板の如き絶縁基板とこの絶縁基板上に１組の
電極を挟んで絶縁して配置されたエレクトロルミネセン
ス特性を有する発光層とから成っている。この表示素子
は１組の電極間に電圧を印加して所定の画素を発光させ
て所定の文字等を表示するようにしている。絶縁基板上
の各層はスパッタリング法または真空蒸着法等の薄膜技
術によって形成することができるが、Ｗ造コストを考慮
すると、下部電極と発光層の両側の絶縁層とは厚膜技術
を用いて形成するのが有利である０例えば、下部電極は
銀、パラジウム等を主成分とする導電ベーストをスクリ
ーン印刷した後焼結することによって容易に形成するこ
とができる。また、絶縁層も厚膜回路技術で用いられて
いるコンデンサ用の誘・ｉＬ体膜作成技術を用いて形成
することかできるコンピュータの端末機器のように任意
の画像や文字情報を表示するためには互いに直交する上
下の電極を順次駆動する０例えば、一番目の下部電極に
電圧Ｖが印加されている間に上部電極のうち発光させた
い点の電極部分にのみ電圧Ｖｕを印加して特定の画素の
みを発光させている。以下同様の手順てすべての下部電
極を走査し二次元の情報を表示することができる。この
場合、非選択画素にも電圧Ｖが印加されるが。
に用いられる薄膜のエレクトロルミセンセンス表示素子
の改良に関するものである（従来技術） 一般に、この種のエレクトロルミネセンス表示素子は、
セラミック板の如き絶縁基板とこの絶縁基板上に１組の
電極を挟んで絶縁して配置されたエレクトロルミネセン
ス特性を有する発光層とから成っている。この表示素子
は１組の電極間に電圧を印加して所定の画素を発光させ
て所定の文字等を表示するようにしている。絶縁基板上
の各層はスパッタリング法または真空蒸着法等の薄膜技
術によって形成することができるが、Ｗ造コストを考慮
すると、下部電極と発光層の両側の絶縁層とは厚膜技術
を用いて形成するのが有利である０例えば、下部電極は
銀、パラジウム等を主成分とする導電ベーストをスクリ
ーン印刷した後焼結することによって容易に形成するこ
とができる。また、絶縁層も厚膜回路技術で用いられて
いるコンデンサ用の誘・ｉＬ体膜作成技術を用いて形成
することかできるコンピュータの端末機器のように任意
の画像や文字情報を表示するためには互いに直交する上
下の電極を順次駆動する０例えば、一番目の下部電極に
電圧Ｖが印加されている間に上部電極のうち発光させた
い点の電極部分にのみ電圧Ｖｕを印加して特定の画素の
みを発光させている。以下同様の手順てすべての下部電
極を走査し二次元の情報を表示することができる。この
場合、非選択画素にも電圧Ｖが印加されるが。
このＶの値を発光層の発光開始電圧よりも充分に低くす
ることによって非選択画素が誤って発光するのを防止し
ている。
ることによって非選択画素が誤って発光するのを防止し
ている。
高電圧を発生させる駆動用集積回路は発光素子に可及的
り接４ｉて配置、することが望ましい。その理由は配゛
線が長いと、電気的雑音を拾うばかりてなく、配線間の
絶縁破壊による故障等が起る可能性が高くなることにあ
る。このため、現在では絶縁基板のすぐ裏にプラスチッ
ク基板をスペーサを介して貼合わせ、その上に駆動回路
を実装したり、絶縁基板の縁にフレキシブルプリント基
板を接着し、その上に駆動用集積回路を実装している。
り接４ｉて配置、することが望ましい。その理由は配゛
線が長いと、電気的雑音を拾うばかりてなく、配線間の
絶縁破壊による故障等が起る可能性が高くなることにあ
る。このため、現在では絶縁基板のすぐ裏にプラスチッ
ク基板をスペーサを介して貼合わせ、その上に駆動回路
を実装したり、絶縁基板の縁にフレキシブルプリント基
板を接着し、その上に駆動用集積回路を実装している。
しかし、この従来技術では、絶縁基板の８伝導性が悪い
ので画素の密度を高めると９発熱によって素子の劣化が
促進し、寿命が低下する欠点があった。また、素子が薄
膜になるにつれて電極間の間隔が小さくなり一次元的に
行なわれている結線の取出しが困難になる上に表示素子
とＷＪＡ動用集積回路とは別個の基板上に配置して相互
に結線しているために構造が複雑で耐衝撃性が低くなり
、また高電圧の配線間の絶縁破壊による故障が生じ易い
欠点があった。
ので画素の密度を高めると９発熱によって素子の劣化が
促進し、寿命が低下する欠点があった。また、素子が薄
膜になるにつれて電極間の間隔が小さくなり一次元的に
行なわれている結線の取出しが困難になる上に表示素子
とＷＪＡ動用集積回路とは別個の基板上に配置して相互
に結線しているために構造が複雑で耐衝撃性が低くなり
、また高電圧の配線間の絶縁破壊による故障が生じ易い
欠点があった。
（発明の目的）
第１の発明の目的は、絶縁基板の熱伝導性を向上して発
熱による素子の劣化を防止し高密度で長寿命のエレクト
ロルミネセンス発光素子を提供することにある。
熱による素子の劣化を防止し高密度で長寿命のエレクト
ロルミネセンス発光素子を提供することにある。
また、第２の発明の目的は、駆動用集積回路との接続を
二次元的に行なって配線を容易にし耐衝撃性の高いエレ
クトロルミネセンス表示素子を提供することにある。
二次元的に行なって配線を容易にし耐衝撃性の高いエレ
クトロルミネセンス表示素子を提供することにある。
（発明の構成）
第１の発明に係るエレクトロルミネセンス表示素子は、
絶縁基板とこの絶縁基板上に１組の電極を挟んで絶縁し
て配置された発光層とこの１組の電極間に電圧を印加す
る駆動用集積回路とから成っているが、特に絶縁基板は
窒化アルミニウムを主成分とする材料から成っているこ
とを特徴としている。
絶縁基板とこの絶縁基板上に１組の電極を挟んで絶縁し
て配置された発光層とこの１組の電極間に電圧を印加す
る駆動用集積回路とから成っているが、特に絶縁基板は
窒化アルミニウムを主成分とする材料から成っているこ
とを特徴としている。
このようにすると、絶縁基板の熱伝導性が高いので発熱
による素子の劣化を防止することができ、従って画素の
密度を高めることができる上に寿命を向上することがで
きる。
による素子の劣化を防止することができ、従って画素の
密度を高めることができる上に寿命を向上することがで
きる。
また、第２の発明に係るエレクトロルミネセンス表示素
子は、第１の発明の構成に加えて集苗回路は絶縁基板の
表面に配置され絶縁基板を貫通する導電性接続体によっ
て接続されていることを特徴としている。
子は、第１の発明の構成に加えて集苗回路は絶縁基板の
表面に配置され絶縁基板を貫通する導電性接続体によっ
て接続されていることを特徴としている。
このようにすると、Ｘ子の膜層と駆動用集積回路とは二
次元的に配置され配線は絶縁基板を通して行なわれるの
で耐衝撃性が向上し、また絶縁基板が窒化アルミニウム
を主成分とすると、配線用の貫通孔の径を小さく形成す
ることができるので電極ピッチを小さくして画素の密度
を高めることができる。
次元的に配置され配線は絶縁基板を通して行なわれるの
で耐衝撃性が向上し、また絶縁基板が窒化アルミニウム
を主成分とすると、配線用の貫通孔の径を小さく形成す
ることができるので電極ピッチを小さくして画素の密度
を高めることができる。
（実施例）
本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明すると、第
１図及び第２図は本発明に係るエレクトロルミネセンス
表示素子ｌＯを示し、このエレクトロルミネセンス表示
素子ｌＯは、絶縁基板１２とこの絶縁基板１２上に相互
に交差する１組のストライブ状電極１４．１６を挟んで
絶縁物１８を介して絶縁して配置された発光層２０と１
組の電極１４．１６間に電圧を印加する駆動用集積回路
２２とから成っている。
１図及び第２図は本発明に係るエレクトロルミネセンス
表示素子ｌＯを示し、このエレクトロルミネセンス表示
素子ｌＯは、絶縁基板１２とこの絶縁基板１２上に相互
に交差する１組のストライブ状電極１４．１６を挟んで
絶縁物１８を介して絶縁して配置された発光層２０と１
組の電極１４．１６間に電圧を印加する駆動用集積回路
２２とから成っている。
絶縁基板１２は窒化アルミニウムを主成分とする材料か
ら成っており、集積回路２２は絶縁基板１２の裏面に配
置され絶縁基板１２の貫通孔１２ａを貫通する導電性接
続体２４によって接続されている。
ら成っており、集積回路２２は絶縁基板１２の裏面に配
置され絶縁基板１２の貫通孔１２ａを貫通する導電性接
続体２４によって接続されている。
次に９本発明のエレクトロルミネセンス表示素子の具体
例をのべる。先ず、絶縁基板１２は高純度の窒化アルミ
ニウム粉末をポリカルボン酸系の分散剤とポリビニルア
ルコール系のバインダとＹ２Ｏ３の焼結助剤とを有機溶
剤に混合してドクターブレード法によりグリーンシート
化し、その後ベンチング加工で直径０．３ｍｍの貫通孔
１２ａを形成し、６００℃で仮焼結し、窒素雰囲気中で
１８００℃で焼結し、厚さ０．５ｍｍ 〜１ｍｍで１０
０ｍｍ角に形成した。
例をのべる。先ず、絶縁基板１２は高純度の窒化アルミ
ニウム粉末をポリカルボン酸系の分散剤とポリビニルア
ルコール系のバインダとＹ２Ｏ３の焼結助剤とを有機溶
剤に混合してドクターブレード法によりグリーンシート
化し、その後ベンチング加工で直径０．３ｍｍの貫通孔
１２ａを形成し、６００℃で仮焼結し、窒素雰囲気中で
１８００℃で焼結し、厚さ０．５ｍｍ 〜１ｍｍで１０
０ｍｍ角に形成した。
下部電極１４はＡｄＰｄを主体とする成分でこの絶縁基
板１２の上に印刷によって形成し、絶縁層１Ｂはこの下
部電極１４の上にＢａＴｉＯ３を主成分とする材料でグ
リーンシート法によって形成した０発光層２０はＭｎを
０．５重量％添加したＺｎＳ薄膜を基板温度１５０°Ｃ
で電子ビーム蒸着法によって絶縁層１Ｂの上に形成した
。上部電極１６は真空中で５００℃の温度で２時間熱処
理した後Ｉ ｎ （ＳｎＯ２）をスパウタリング法によ
って発光層２０の上に形成した。この上部電極１６°は
透明である。尚２発光層２０及び透明電極１６の厚みは
それぞれ６０００人、２０００Ａであフた。また、電極
１４．１６のストライブ巾は０．３ｍｍとした。駆動用
集積回路２２の導電層２２ａの貫通孔１２ａｆｔ貫通す
る導電性接続体２４によって下部電極１４に接続した。
板１２の上に印刷によって形成し、絶縁層１Ｂはこの下
部電極１４の上にＢａＴｉＯ３を主成分とする材料でグ
リーンシート法によって形成した０発光層２０はＭｎを
０．５重量％添加したＺｎＳ薄膜を基板温度１５０°Ｃ
で電子ビーム蒸着法によって絶縁層１Ｂの上に形成した
。上部電極１６は真空中で５００℃の温度で２時間熱処
理した後Ｉ ｎ （ＳｎＯ２）をスパウタリング法によ
って発光層２０の上に形成した。この上部電極１６°は
透明である。尚２発光層２０及び透明電極１６の厚みは
それぞれ６０００人、２０００Ａであフた。また、電極
１４．１６のストライブ巾は０．３ｍｍとした。駆動用
集積回路２２の導電層２２ａの貫通孔１２ａｆｔ貫通す
る導電性接続体２４によって下部電極１４に接続した。
比較例として絶縁基板はアルミナ９９．５％のグリーン
シートから形成された焼結基板から成り、その他の構成
は上記具体例と同じにした次に１本発明の具体例と比較
例との寿命試験の結果を第３図に示す、第３図はパルス
巾４０終秒、パルス電圧１００Ｖ、＆！返し周波数ＩＫ
Ｈｚの両極性パルスで全画素を一定時間発光させたとき
の周辺部の画素の輝度を示す、第３図の線Ａは本発明の
具体例の輝度を示し、また線Ｂは比較例の輝度を示す、
尚、測定は湿度２０％ＲＨ以下の雰囲気内で行なつた。
シートから形成された焼結基板から成り、その他の構成
は上記具体例と同じにした次に１本発明の具体例と比較
例との寿命試験の結果を第３図に示す、第３図はパルス
巾４０終秒、パルス電圧１００Ｖ、＆！返し周波数ＩＫ
Ｈｚの両極性パルスで全画素を一定時間発光させたとき
の周辺部の画素の輝度を示す、第３図の線Ａは本発明の
具体例の輝度を示し、また線Ｂは比較例の輝度を示す、
尚、測定は湿度２０％ＲＨ以下の雰囲気内で行なつた。
この図から解るように１本発明の具体例では２０００時
間経過しても輝度の変化がみられなかったが、比較例で
は約ｔｏｏｏ時間で画素が急激に劣化していることが解
る。これは絶縁基板の周辺部では温度が局部的に上昇す
るために熱伝導率の悪い比較例のアルミナ基板ではその
上の膜層の経時変化が加速されるためである。囚にアル
ミナ基板の熱伝導率は２０（Ｗ／ｍ−ｋ）であり。
間経過しても輝度の変化がみられなかったが、比較例で
は約ｔｏｏｏ時間で画素が急激に劣化していることが解
る。これは絶縁基板の周辺部では温度が局部的に上昇す
るために熱伝導率の悪い比較例のアルミナ基板ではその
上の膜層の経時変化が加速されるためである。囚にアル
ミナ基板の熱伝導率は２０（Ｗ／ｍ−ｋ）であり。
これに対して窒化アルミニウム基板の熱伝導率はｌ ４
０ （Ｗ／ｍ−１ｋ ）であフて後者の熱伝導率が著し
く高く放熱効果が大きい。
０ （Ｗ／ｍ−１ｋ ）であフて後者の熱伝導率が著し
く高く放熱効果が大きい。
第１図及び第２図の実施例ては絶縁基板１２に設けられ
た貫通孔１２ａはストライプ状電極１４に対して直角な
方向に一列に配置されているが、第４図に示すように貫
通孔１２ａを２４列に並べ集積回路２２は電極１４に対
して６００傾けている。このようにすると、電極のスト
ライプピッチは貫通孔１２ａの半分にすることができて
高密度にすることができるので有利である。
た貫通孔１２ａはストライプ状電極１４に対して直角な
方向に一列に配置されているが、第４図に示すように貫
通孔１２ａを２４列に並べ集積回路２２は電極１４に対
して６００傾けている。このようにすると、電極のスト
ライプピッチは貫通孔１２ａの半分にすることができて
高密度にすることができるので有利である。
（発明の効果）
本発明によれば、上記のように、絶縁基板の熱伝導性を
向上して発熱による素子の劣化を防止し高密度で長寿命
のエレクトロルミネセンス発光妻子を得ることができ、
また駆動用集積回路との接続を二次元的に行なって配線
を容易にし耐＃撃件の高めることができる実益がある。
向上して発熱による素子の劣化を防止し高密度で長寿命
のエレクトロルミネセンス発光妻子を得ることができ、
また駆動用集積回路との接続を二次元的に行なって配線
を容易にし耐＃撃件の高めることができる実益がある。
第１図及び第２図は本発明に係るエレクトロルミネセン
ス表示素子の拡大断面図及び一部の裏面図、第３図は本
発明の具体例と比較例との寿命測定試験の結果を示す線
図、第４図は本発明の他の実施例の裏面図である。 １０−−−−一エレクトロルミネセンス表示素子、１２
−−−−一絶縁基板、１２ａ−−−−−貫通孔、１４−
−−−一下部電極、１６−−−一一上部電極、１８−−
−−−絶縁層、２０−一一一一発光層、２２−−−−−
駆動用集積回路、２４−−−−一導電性接続体。
ス表示素子の拡大断面図及び一部の裏面図、第３図は本
発明の具体例と比較例との寿命測定試験の結果を示す線
図、第４図は本発明の他の実施例の裏面図である。 １０−−−−一エレクトロルミネセンス表示素子、１２
−−−−一絶縁基板、１２ａ−−−−−貫通孔、１４−
−−−一下部電極、１６−−−一一上部電極、１８−−
−−−絶縁層、２０−一一一一発光層、２２−−−−−
駆動用集積回路、２４−−−−一導電性接続体。
Claims (2)
- （１）絶縁基板と前記絶縁基板上に１組の電極を挟んで
絶縁して配置された発光層とから成るエレクトロルミネ
センス表示素子において、前記絶縁基板は窒化アルミニ
ウムを主成分とする材料から成っていることを特徴とす
るエレクトロルミネセンス表示素子。 - （２）絶縁基板と前記絶縁基板上に１組の電極を挟んで
絶縁して配置された発光層と前記１組の電極間に電圧を
印加する駆動用集積回路とから成るエレクトロルミネセ
ンス表示素子において、前記絶縁基板は窒化アルミニウ
ムを主成分とする材料から成っており、前記集積回路は
前記絶縁基板の裏面に配置され前記絶縁基板を貫通する
導電性接続体によって接続されていることを特徴とする
エレクトロルミネセンス表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62116982A JPS63284795A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | エレクトロルミネセンス表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62116982A JPS63284795A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | エレクトロルミネセンス表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63284795A true JPS63284795A (ja) | 1988-11-22 |
Family
ID=14700562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62116982A Pending JPS63284795A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | エレクトロルミネセンス表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63284795A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002216953A (ja) * | 2001-01-15 | 2002-08-02 | Sony Corp | 表示装置およびその製造方法 |
| US7468580B2 (en) | 2001-01-31 | 2008-12-23 | Seiko Epson Corporation | Display device |
| CN102396019A (zh) * | 2009-02-18 | 2012-03-28 | 全球Oled科技有限责任公司 | 具有小芯片驱动器的显示装置 |
-
1987
- 1987-05-15 JP JP62116982A patent/JPS63284795A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002216953A (ja) * | 2001-01-15 | 2002-08-02 | Sony Corp | 表示装置およびその製造方法 |
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