JPS61142693A - エレクトロルミネセンス素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明はディスプレイ装置などに用いられるエレクト
ロルミネセンス（ＥＬ）素子に関するものである。

［従来の技術〕 従来、ＥＬ素子として第３図に示すように両面発光させ
るようにしたものがある（文献不詳）。

同図において、３１はガラス等の透光性材で形成された
第１の基板で、この基板３１上には、第１の透明電極３
２、第１の絶縁層３３、発光体層３４、第２の絶縁層３
５および第２の透明電極３６が順次積層状に形成されて
いる。３７はガラス等の透光性材で形成された第２の基
板、３８．３９　は上記第１および第２の基板３１．３
７間のスペーサ部材である。

上記構成において、第１および第２の透明電極３２．３
６間に交流電界４０を印加すると、発光体層３４内で電
界によって加速された電子が発光中心を衝突励起し発光
を呈するもので、その光は第１の絶縁層３３、第１の透
明電極３２および第１の基板３１から外部に取り出され
るとともに、第２の絶縁層３５、第２の透明電極３６お
よび第２の基板３７からも外部に取り出される。つまり
、このものは両面表示が可能となる。

〔発明が解決しようとする問題点］ ところで、一般にＥＬ素子の透明電極の構成材料は、透
光性および導電性の双方を満足できるＩ　ｎ２０３−　
Ｓ　ｎ　０２のようなＩｎ−５ｎ酸化物（ＩＴＯ）が賞
月されている。しかし、このＩＴＯ膜はその製造工程中
のＩｎが不安定で拡散しやすい傾向にある。このため、
上記のような両面発光形のもののように、双方の電極３
２．３６をＩＴＯ膜で構成した場合、上記Ｉｎが第１お
よび第２の絶縁層３３゜３５や発光体層３４に拡散して
両電極３２．３６間を導通に近い状態にさせやすく、電
界４０の印加によって素子が破壊されたり、破壊されな
いまでも発光むらを起こすおそれがある。

上記ＩＴＯ膜の形成後、高温で熱処理を行えば、Ｉｎの
安定化が図れるが、その場合、熱処理のために第１およ
び第２の絶縁層３３．３５や発光体層３４の剥離を招く
ことになる。

この発明は上記事情に鑑みてなされたもので、リークの
おそれもなく安定した両面発光動作を確保し得るＥＬ素
子を提供することを目的としている。

［問題点を解決するための手段］ この発明者は、電極構成材について種々の実験をくり返
すうち、透光性を有する金属薄膜であれば、十分透明電
極として使用できることを見い出し、この金属薄膜と比
較的安定的なＳ　ｎ０２膜とを組み合せた電極を用いる
ことにより、この発明を完成させるに至った。

すなわち、この発明のＥＬ素子は、少なくとも一方の透
明電極を、ＳｎＯ□膜と透光性を有する金属薄膜とで構
成したことを特徴とするものである。

〔作用〕

この発明のＥＬ素子では、少なくとも一方の透明電極に
おける５ｎ０２膜が安定しているため、電極間のり７り
の発生が抑制される一方、ＳｎＯ２膜に積層される透光
性金属薄膜によって上記ＳｎＯ□膜の高抵抗が相殺され
て全体として良好な導電性も発揮され、したがって、両
面発光動作が安定的となる。

〔実施例〕

第１図はこの発明に係るＥＬ素子の一例を示すものであ
る。

同図において、１は透光性材、たとえばガラスからなる
基板、２は上記基板１上に形成されたＩＴＯ膜、たとえ
ばＩｎ２Ｏ３−５ｎＯ，からなる透明電極であり、高周
波マグネトロンスパッタ法によって厚さ２，０００λ程
度に形成されたものである。

３は上記透明電極２上に形成されたＹ２Ｏ３の第１の絶
縁層、４は母体のＺｎＳに緑色発光用付活剤Ｔｂ　Ｆ３
を重量比で５％添加して上記第１の絶縁層３上に形成さ
れた発光体層、５はＹ２Ｏ３からなり、上記第１の絶縁
層３とで上記発光体層４を挾み込む第２の絶縁層である
。上記第１および第２の絶縁層３，５ならびに発光体層
４は電子ビーム蒸着法によりそれぞれ３，０００λ、ａ
、ｏｏｏＸおよび４，０００λ程度の厚さに形成されて
いる。

６は上記第２の絶縁層５上に形成された第２の透明電極
であり、ＳｎＯ２膜６１とＡ４薄膜６２とからなる。こ
の５ｎ０２膜６１は上記第２の絶縁層５上にスパッタ法
により厚さｘ、ｏｏｏＸ程度に形成されており、またＡ
ｌ薄膜６２は上記ＳｎＯ，膜６１上に抵抗加熱蒸着法に
より、光透過性を有するように厚さ５００λ程度と比較
的薄肉に形成されるとともに、たとえば格子状に形成さ
れている。７は透光性材、たとえばガラスからなる基板
であり、上記第１の基板１とで上記発光体層４などの要
素を挾持している。８，９は割基板１，７のスペーサ部
材である。

上記構成において、１対の透明電極２，６間に交流電界
１０を印加すると、発光体層４内で電界によって加速さ
れた電子が発光中心を衝突励起して発光を呈するもので
、その光は割基板１，７を通して外部に取り出される。

ここで、上記一方の透明電極６はＩＴＯ膜を用いず、そ
の一部に安定した５ｎ０２膜６１を用いであるから、製
造時にＳｎが拡散しにく（、このことは上記両電極２，
６間でのリークのおそれがなくなって発光動作も安定す
る。上記ＳｎＯ２膜６１は比較的高抵抗であるが、この
ＳｎＯ２膜６１に重畳されている°Ａｌ薄膜６２の抵抗
値が十分率さいため、電極としての導電性も確保される
。またＡｌ薄膜６２も５００λ程度と薄いため、良好な
透光性を保証することができる。

第２図はマトリクス表示形に適用した例を示し、１対の
透明電極２１−．２２は互に直交するストライプ状に形
成されている。一方の透明電極２２は、幅２００ｐｍで
厚さ１．ｏｏｏＸの５ｎ０２膜２１１と幅５０μｍで厚
さ５００ＸのＡｔ膜２１２とで構成しである。

この場合も前記実施例と同様の効果が得られるうえ、５
ｎ０２膜２１１の幅に対してＡｌ膜２１２の幅を狭くし
であるから、上記ストライプ状のものであっても透光性
が確保され、マトリクス表示が適正になされる。

ところで、上記Ａｌ薄膜６２，２１２の厚さは、その電
極全体の透過率が７０％以上となるように設定すればよ
く、好ましくは８０％以上に設定するのがよい。

また、上記金属薄膜６２，２１２としては、Ａｌ以外の
金属、たとえばＡｇ、Ａｕ等から選択使用できる。

また、上記の各側では、Ａｌ薄膜６２（２１２）が基板
７側になるように透明電極６（２２）を形成したが、Ｓ
ｎＯ□膜６１（２１１）を上記基板７に位置させても、
同様の効果を奏することができる。さらにまた、上記の
条例では、一方の電極６（２２）のみを５ｎ０２膜６１
（２１１）とＡＩ！薄膜６２（２１２）で構成したもの
で説明したが、他方の電極２　（２１）についても、上
記と同じ構成にしてもよい。

なお、上記発光体層４等についても、上記の例に限定さ
れることなく、必要な発光色に合わせた材料を適宜選択
すればよい。

〔発明の効果〕

以１のように、この発明では、１対の透明電極の少な（
とも一方を、ＳｎＯ２膜と透光性を有する金属薄膜とで
構成したから、電極としての導電機能と透光機能とが確
保されることは勿論、リーク現象などのおそれなく安定
して両面発光動作が行えるＥＬ素子を得ることができる
。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に係るＥＬ素子の一例を示す断面図、
第２図はこの発明のＥＬ素子を適用したマトリクス表示
形のものの断面図、第３図は従来のＥＬ素子の一例を示
す断面図である。 ２　（２１）　、６（２２）・・・透明電極、３・・・
第１の絶縁層、４・・・発光体層、５・・・第２の絶縁
層、６１　（２１１）＝ＳｎＯ□膜、６２（２１２）・
・・金属薄膜特許出願人　　日立マクセル株式会社 ２（２１）、６（２２）；馴栴　　　　　ＩＩＩ図第２
１５１

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　（１）互に対向配設された１対の透明電極と、これら
   両電極間に第１および第２の絶縁層を介して挾着された
   発光体層とを備え、上記両電極の少なくとも一方を、Ｓ
   ｎＯ＿２膜とこのＳｎＯ＿２膜の片面に設けられた金属
   薄膜とで構成したことを特徴とするエレクトロルミネセ
   ンス素子。