JPH05190280A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
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- JPH05190280A JPH05190280A JP4198195A JP19819592A JPH05190280A JP H05190280 A JPH05190280 A JP H05190280A JP 4198195 A JP4198195 A JP 4198195A JP 19819592 A JP19819592 A JP 19819592A JP H05190280 A JPH05190280 A JP H05190280A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 薄膜ＥＬ素子本体より導出される透明電極
（ＩＴＯ）の端子電極を不透湿性のＡｌ製の電極接続線
を介して端子電極に接続するとともに、該電極接続線上
で該素子本体をシールする構造。 【効果】 素子本体へＩＴＯを介して湿気が侵入するの
を防止することができる。
（ＩＴＯ）の端子電極を不透湿性のＡｌ製の電極接続線
を介して端子電極に接続するとともに、該電極接続線上
で該素子本体をシールする構造。 【効果】 素子本体へＩＴＯを介して湿気が侵入するの
を防止することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、透明基板上に発光層，
電極，絶縁層を薄膜形成してなる薄膜ＥＬ素子に関す
る。
電極，絶縁層を薄膜形成してなる薄膜ＥＬ素子に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の薄膜ＥＬ素子として、例
えば図３に示すようなものが知られている。この薄膜Ｅ
Ｌ素子は、ガラス基板１上に錫添加酸化インジウム（以
下、ＩＴＯと略す）からなる多数の透明電極２をストラ
イプ状に設け、この上をＳｉＯ2 やＳｉ3Ｎ4からなる第
１絶縁膜３で絶縁し、この第１絶縁膜３上にＺｎＳ：Ｍ
ｎからなる発光層４を電子ビーム蒸着した後、さらにこ
の上を上述と同種の第２絶縁膜５で絶縁し、最後にこの
第２絶縁膜５上にアルミニウム（Ａｌ）からなる多数の
背面電極６を上記透明電極２と直交する方向に設けてな
る。そして、上記透明電極２と背面電極６の１本ずつの
端部に電圧を印加するため設けられる端子電極１１と１
２は、製造工数削減のため上記背面電極６の形状と同時
に、上記第２絶縁膜およびガラス基板１の全面にＡｌ
６’を蒸着し、さらにこの上にはんだ付けの便宜のため
Ｎｉ１３を蒸着した後、図示の如く前者は透明電極２に
継がるように、後者は背面電極６と一体にエッチングで
パターン形成される。
えば図３に示すようなものが知られている。この薄膜Ｅ
Ｌ素子は、ガラス基板１上に錫添加酸化インジウム（以
下、ＩＴＯと略す）からなる多数の透明電極２をストラ
イプ状に設け、この上をＳｉＯ2 やＳｉ3Ｎ4からなる第
１絶縁膜３で絶縁し、この第１絶縁膜３上にＺｎＳ：Ｍ
ｎからなる発光層４を電子ビーム蒸着した後、さらにこ
の上を上述と同種の第２絶縁膜５で絶縁し、最後にこの
第２絶縁膜５上にアルミニウム（Ａｌ）からなる多数の
背面電極６を上記透明電極２と直交する方向に設けてな
る。そして、上記透明電極２と背面電極６の１本ずつの
端部に電圧を印加するため設けられる端子電極１１と１
２は、製造工数削減のため上記背面電極６の形状と同時
に、上記第２絶縁膜およびガラス基板１の全面にＡｌ
６’を蒸着し、さらにこの上にはんだ付けの便宜のため
Ｎｉ１３を蒸着した後、図示の如く前者は透明電極２に
継がるように、後者は背面電極６と一体にエッチングで
パターン形成される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の薄膜
ＥＬ素子の上記端子電極１１，１２は、ＡｌとＮｉの積
層膜からなるため機械的強度が低く、しかも３本／ｍｍ
程度に高精細度加工されるため、輝度特性安定化のため
施されるエージング処理等において、疵が発生しやす
い。そのため、端子部の断線が多発して、製品の信頼性
を低下させ、製品の不良率を増大させるという欠点があ
る。
ＥＬ素子の上記端子電極１１，１２は、ＡｌとＮｉの積
層膜からなるため機械的強度が低く、しかも３本／ｍｍ
程度に高精細度加工されるため、輝度特性安定化のため
施されるエージング処理等において、疵が発生しやす
い。そのため、端子部の断線が多発して、製品の信頼性
を低下させ、製品の不良率を増大させるという欠点があ
る。
【０００４】そこで、端子電極を機械的強度の高い構造
とするために、薄膜ＥＬ素子発光層の両側に互いに直交
するようにストライプ状に設けられた各電極の端部へ、
電圧印加のために設けられる各端子電極を、錫添加酸化
インジウムと無電解Ｎｉメッキ層の積層構造となす発明
を行った。この構造により不良率を低減させるとともに
信頼性の高い薄膜ＥＬ素子を提供している。この構造に
おいては、単に錫添加インジウム（ＩＴＯ）上に無電解
Ｎｉメッキを行なっただけの状態で素子内部より直接端
子部まで導出されると錫添加インジウム自体に僅かな透
湿性が存在するために封止したシールを透過して素子本
体へ湿気が侵入する恐れがある。
とするために、薄膜ＥＬ素子発光層の両側に互いに直交
するようにストライプ状に設けられた各電極の端部へ、
電圧印加のために設けられる各端子電極を、錫添加酸化
インジウムと無電解Ｎｉメッキ層の積層構造となす発明
を行った。この構造により不良率を低減させるとともに
信頼性の高い薄膜ＥＬ素子を提供している。この構造に
おいては、単に錫添加インジウム（ＩＴＯ）上に無電解
Ｎｉメッキを行なっただけの状態で素子内部より直接端
子部まで導出されると錫添加インジウム自体に僅かな透
湿性が存在するために封止したシールを透過して素子本
体へ湿気が侵入する恐れがある。
【０００５】本発明の目的は、端子電極を機械的強度の
高い構造にするとともに、併せてこの構造で湿気が素子
本体へ侵入することがないようにして、表示品位と信頼
性を向上させ、不良率を低減させることができる薄膜Ｅ
Ｌ素子を提供することである。
高い構造にするとともに、併せてこの構造で湿気が素子
本体へ侵入することがないようにして、表示品位と信頼
性を向上させ、不良率を低減させることができる薄膜Ｅ
Ｌ素子を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の薄膜ＥＬ素子では、発光層の両側に互いに
直交するようにストライプ状に設けられた各電極の端部
より不透湿性の電極接続線を介して端子電極を接続し、
該電極接続線上でシールを行なう構造としている。
め、本発明の薄膜ＥＬ素子では、発光層の両側に互いに
直交するようにストライプ状に設けられた各電極の端部
より不透湿性の電極接続線を介して端子電極を接続し、
該電極接続線上でシールを行なう構造としている。
【０００７】
【作用】薄膜ＥＬ素子の端子電極は、高硬度のセラミッ
クスたる錫添加酸化インジウム（ＩＴＯ）の上にＮｉを
無電解メッキして形成しているので、従来のＡｌとＮｉ
の積層膜からなる端子電極よりも機械的強度が高く、エ
ージング処理中の疵による断線が生じにくく、無電解メ
ッキによるＩＴＯ上のＮｉは密着性が良いため、はんだ
付けが十分可能である。
クスたる錫添加酸化インジウム（ＩＴＯ）の上にＮｉを
無電解メッキして形成しているので、従来のＡｌとＮｉ
の積層膜からなる端子電極よりも機械的強度が高く、エ
ージング処理中の疵による断線が生じにくく、無電解メ
ッキによるＩＴＯ上のＮｉは密着性が良いため、はんだ
付けが十分可能である。
【０００８】しかも、該錫添加酸化インジウムは素子内
部よりシール部において不透湿性のＡｌ製の電極接続線
を介して端子電極に接続されるために素子本体への湿気
の侵入を完全に防止することができる。
部よりシール部において不透湿性のＡｌ製の電極接続線
を介して端子電極に接続されるために素子本体への湿気
の侵入を完全に防止することができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明を図示の実施例により詳細に説
明する。
明する。
【００１０】図１及び図２は薄膜ＥＬ素子の一例を夫々
背面電極及び透明電極の端子電極部で切断した断面図で
あり、１はガラス基板、２，Ａ，Ｂはこのガラス基板１
上にＩＴＯをスパッタリング等で厚さ１０００〜３００
０Åに蒸着し、フォトエッチングで多数本のストライプ
状に互いに分離させてパターン形成してなる透明電極，
背面電極側端子電極，透明電極側端子電極、３は上記透
明電極２を埋め込むようにスパッタリングでＳｉＯ2 を
厚さ２００〜８００Åに夫々蒸着した第１絶縁膜、４は
この第１絶縁膜３上にＺｎＳ：Ｍｎペレットを電子ビー
ムで加熱して厚さ５０００〜９０００Åに蒸着し、５０
０〜６５０℃で熱処理してなる発光層、５はこの発光層
４上にスパッタリングでＳｉ3Ｎ4を厚さ１０００〜３０
００Åに、次いでＡｌ2Ｏ3を厚さ２００〜８００Åに夫
々蒸着した第２絶縁膜である。
背面電極及び透明電極の端子電極部で切断した断面図で
あり、１はガラス基板、２，Ａ，Ｂはこのガラス基板１
上にＩＴＯをスパッタリング等で厚さ１０００〜３００
０Åに蒸着し、フォトエッチングで多数本のストライプ
状に互いに分離させてパターン形成してなる透明電極，
背面電極側端子電極，透明電極側端子電極、３は上記透
明電極２を埋め込むようにスパッタリングでＳｉＯ2 を
厚さ２００〜８００Åに夫々蒸着した第１絶縁膜、４は
この第１絶縁膜３上にＺｎＳ：Ｍｎペレットを電子ビー
ムで加熱して厚さ５０００〜９０００Åに蒸着し、５０
０〜６５０℃で熱処理してなる発光層、５はこの発光層
４上にスパッタリングでＳｉ3Ｎ4を厚さ１０００〜３０
００Åに、次いでＡｌ2Ｏ3を厚さ２００〜８００Åに夫
々蒸着した第２絶縁膜である。
【００１１】また、６，Ｃはこの第２絶縁膜５及び上記
背面，透明両電極側端子Ａ，Ｂの内端縁を覆うようにＡ
ｌを厚さ３０００〜８０００Åに蒸着し、フォトエッチ
ングで上記透明電極２と直交する多数本のストライプ状
に、または上記透明電極２とその端子電極Ｂを接続する
ようにパターン形成してなる背面電極，電極接続線、７
は素子本体９の四周の電極接続線Ｃ部及び背面電極の接
続端６ａ部にエポキシ樹脂等で接着され、素子本体９を
外気から封止するシールガラス、８はこのシールガラス
７と素子本体９間に防湿のため充填されたシリコン油、
１０はシールガラス７の外側の上記両端子電極Ａ，Ｂ上
に最後に無電解メッキにより厚さ１５００〜５０００Å
に形成されたＮｉ膜である。なお、図３の従来例と同一
の部分には、同一番号を付している。
背面，透明両電極側端子Ａ，Ｂの内端縁を覆うようにＡ
ｌを厚さ３０００〜８０００Åに蒸着し、フォトエッチ
ングで上記透明電極２と直交する多数本のストライプ状
に、または上記透明電極２とその端子電極Ｂを接続する
ようにパターン形成してなる背面電極，電極接続線、７
は素子本体９の四周の電極接続線Ｃ部及び背面電極の接
続端６ａ部にエポキシ樹脂等で接着され、素子本体９を
外気から封止するシールガラス、８はこのシールガラス
７と素子本体９間に防湿のため充填されたシリコン油、
１０はシールガラス７の外側の上記両端子電極Ａ，Ｂ上
に最後に無電解メッキにより厚さ１５００〜５０００Å
に形成されたＮｉ膜である。なお、図３の従来例と同一
の部分には、同一番号を付している。
【００１２】上記構成の薄膜ＥＬ素子において、端子電
極Ａ，Ｂは、高硬度のセラミックスたるＩＴＯの上にＮ
ｉを無電解メッキして形成されるので、従来のＡｌとＮ
ｉの積層膜からなる端子電極（図３中６’，１３参照）
よりも機械的強度がはるかに高く、エーシング処理等の
工程においても疵がつきにくく、端子電極部の断線が発
生しない。また、無電解メッキによるＩＴＯ上のＮｉは
密着性が良いため駆動回路等とのはんだ付けには何ら問
題がない。
極Ａ，Ｂは、高硬度のセラミックスたるＩＴＯの上にＮ
ｉを無電解メッキして形成されるので、従来のＡｌとＮ
ｉの積層膜からなる端子電極（図３中６’，１３参照）
よりも機械的強度がはるかに高く、エーシング処理等の
工程においても疵がつきにくく、端子電極部の断線が発
生しない。また、無電解メッキによるＩＴＯ上のＮｉは
密着性が良いため駆動回路等とのはんだ付けには何ら問
題がない。
【００１３】一方、上記端子電極Ａ，Ｂは、下層のＩＴ
Ｏの透湿性が高いため、同じＩＴＯからなる透明電極２
と一体形成すると、外気に接する端子電極ＢからＩＴＯ
を通して素子本体９へ湿気が侵入する。しかし、上記実
施例では、図２に示すように透明電極２と端子電極Ｂの
ＩＴＯ層を分離し、両者を透湿性のないＡｌ製の電極接
続線Ｃで接続し、この部分に素子本体９を外気から封止
するシールガラス７を接着し、ガラス内に撥水性のシリ
コン油８を充填しているので、素子本体９への湿気の侵
入が完全に防止でき、湿気で薄膜ＥＬ素子の機能が損な
われることはない。
Ｏの透湿性が高いため、同じＩＴＯからなる透明電極２
と一体形成すると、外気に接する端子電極ＢからＩＴＯ
を通して素子本体９へ湿気が侵入する。しかし、上記実
施例では、図２に示すように透明電極２と端子電極Ｂの
ＩＴＯ層を分離し、両者を透湿性のないＡｌ製の電極接
続線Ｃで接続し、この部分に素子本体９を外気から封止
するシールガラス７を接着し、ガラス内に撥水性のシリ
コン油８を充填しているので、素子本体９への湿気の侵
入が完全に防止でき、湿気で薄膜ＥＬ素子の機能が損な
われることはない。
【００１４】なお、本発明が図示の実施例に限られない
のはいうまでもない。
のはいうまでもない。
【００１５】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
薄膜ＥＬ素子は、発光層の両側に互いに直交するように
ストライプ状に設けられた各電極の端部に電圧印加のた
めに設けられる各端子電極を、錫添加酸化インジウム
（ＩＴＯ）と無電解Ｎｉメッキ層の積層構造とし、しか
も前記ＩＴＯは不透湿性のＡｌ等によって電気接続線を
介して端子電極に接続され、この電気接続線上にシール
を行う構造としたことにより、従来のＡｌとＮｉの２層
膜からなる端子電極よりも機械的強度が高く、エージン
グ処理等の工程で疵がつきにくく、従来と同じ良好なは
んだ付け性を有しつつ、端子電解部に断線が生じない。
しかも該ＩＴＯを介して湿気が素子内部に侵入すること
もないから、表示品位と信頼性が向上し、不良率が低減
する。
薄膜ＥＬ素子は、発光層の両側に互いに直交するように
ストライプ状に設けられた各電極の端部に電圧印加のた
めに設けられる各端子電極を、錫添加酸化インジウム
（ＩＴＯ）と無電解Ｎｉメッキ層の積層構造とし、しか
も前記ＩＴＯは不透湿性のＡｌ等によって電気接続線を
介して端子電極に接続され、この電気接続線上にシール
を行う構造としたことにより、従来のＡｌとＮｉの２層
膜からなる端子電極よりも機械的強度が高く、エージン
グ処理等の工程で疵がつきにくく、従来と同じ良好なは
んだ付け性を有しつつ、端子電解部に断線が生じない。
しかも該ＩＴＯを介して湿気が素子内部に侵入すること
もないから、表示品位と信頼性が向上し、不良率が低減
する。
【図１】本発明の薄膜ＥＬ素子の一実施例を背面電極の
端子電極部で切断した断面図。
端子電極部で切断した断面図。
【図２】本発明の薄膜ＥＬ素子の一実施例を透明電極の
端子電極部で切断した断面図。
端子電極部で切断した断面図。
【図３】従来の薄膜ＥＬ素子の斜視図である。
１ ガラス基板 ２ 透明電極 ３ 第１絶縁膜 ４ 発光層 ５ 第２絶縁膜 ６ 背面電極 ７ シールガラス ８ シリコン油 ９ 素子本体 １０ Ｎｉ膜 Ａ 端子電極 Ｂ 端子電極 Ｃ 電極接続線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上出 久 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 発光層の両側に互いに直交するようにス
トライプ状に設けられた各電極の端部より不透湿性電極
接続線を介して端子電極を接続し、該電極接続線上でシ
ールを行う構造としたことを特徴とする薄膜ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4198195A JP2542473B2 (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4198195A JP2542473B2 (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 薄膜ｅｌ素子 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63290935A Division JPH0752668B2 (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05190280A true JPH05190280A (ja) | 1993-07-30 |
| JP2542473B2 JP2542473B2 (ja) | 1996-10-09 |
Family
ID=16387056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4198195A Expired - Fee Related JP2542473B2 (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2542473B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100454749B1 (ko) * | 2000-10-17 | 2004-11-05 | 삼성에스디아이 주식회사 | 불연속 금속보조전극들을 가지는 유기ｅｌ장치 |
| KR100682377B1 (ko) * | 2001-05-25 | 2007-02-15 | 삼성전자주식회사 | 유기 전계발광 디바이스 및 이의 제조 방법 |
| JP2011175845A (ja) * | 2010-02-24 | 2011-09-08 | Toppan Forms Co Ltd | 電子パネル |
| JP2012215885A (ja) * | 1999-10-29 | 2012-11-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子装置 |
| JP2013165078A (ja) * | 2013-05-28 | 2013-08-22 | Sharp Corp | 有機ｅｌ素子、若しくはそれを備えた表示パネル及び表示装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61114797U (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-19 |
-
1992
- 1992-07-24 JP JP4198195A patent/JP2542473B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
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| JPS61114797U (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-19 |
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