JP2000068560A - 電界発光素子 - Google Patents
電界発光素子Info
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- JP2000068560A JP2000068560A JP10251803A JP25180398A JP2000068560A JP 2000068560 A JP2000068560 A JP 2000068560A JP 10251803 A JP10251803 A JP 10251803A JP 25180398 A JP25180398 A JP 25180398A JP 2000068560 A JP2000068560 A JP 2000068560A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 外気を遮断する能力が高く、素子劣化を抑制
した寿命の長い電界発光素子を提供する。 【解決手段】 透明基板１の上に、ＩＴＯでなる透明電
極２、有機ＥＬ層３、ＭｇＩｎでなる対向電極４を形成
し、発光部分を覆うように、六方晶層状構造のＩｎ2Ｏ3
（ＺｎＯ）X（但し、ｘ≧０）でなる保護膜５を形成す
る。このような構成としたことにより、緻密な保護膜５
により外気が侵入するのを抑制することができ、対向電
極４が酸化されたり対向電極４と有機ＥＬ層３との界面
剥離が発生するのを抑制することができる。このため、
素子劣化を抑制した寿命の長い電界発光素子を得ること
ができる。
した寿命の長い電界発光素子を提供する。 【解決手段】 透明基板１の上に、ＩＴＯでなる透明電
極２、有機ＥＬ層３、ＭｇＩｎでなる対向電極４を形成
し、発光部分を覆うように、六方晶層状構造のＩｎ2Ｏ3
（ＺｎＯ）X（但し、ｘ≧０）でなる保護膜５を形成す
る。このような構成としたことにより、緻密な保護膜５
により外気が侵入するのを抑制することができ、対向電
極４が酸化されたり対向電極４と有機ＥＬ層３との界面
剥離が発生するのを抑制することができる。このため、
素子劣化を抑制した寿命の長い電界発光素子を得ること
ができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は電界発光素子に関
し、さらに詳しくは、有機エレクトロルミネッセンス
（以下、有機ＥＬという）材料を発光層に含む電界発光
素子の封止技術に関する。
し、さらに詳しくは、有機エレクトロルミネッセンス
（以下、有機ＥＬという）材料を発光層に含む電界発光
素子の封止技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の電界発光素子としては、相対向す
る透明基板の一方の透明基板の対向内側面に発光部が形
成されたものがある。この発光部は、一方の透明基板側
から、順次、透明電極、有機ＥＬ材を含む有機ＥＬ層、
対向電極が積層されて形成されてなる。この一方の基板
と他方の基板は、両基板の周縁部に沿って周回するよう
に配置したシール材で所定間隔を保った状態で貼り合わ
されている。この発光部が形成されている空間は、両基
板とシール材とで包囲され外気と遮断された構造となっ
ている。
る透明基板の一方の透明基板の対向内側面に発光部が形
成されたものがある。この発光部は、一方の透明基板側
から、順次、透明電極、有機ＥＬ材を含む有機ＥＬ層、
対向電極が積層されて形成されてなる。この一方の基板
と他方の基板は、両基板の周縁部に沿って周回するよう
に配置したシール材で所定間隔を保った状態で貼り合わ
されている。この発光部が形成されている空間は、両基
板とシール材とで包囲され外気と遮断された構造となっ
ている。
【０００３】また、他の従来の電界発光素子としては、
１枚の透明基板上に、透明電極、有機ＥＬ層、対向電極
が積層されてなる発光部が形成され、発光部を樹脂封止
することにより外気と遮断する構造のものがある。封止
材料としては、樹脂の他に、シリカ、ＳｉＯXなどのシ
リコン酸化物や、ＧｅＯ、ＭｏＯ3、ＧｅＳ、ＳｎＳ、
ＬｉＦなどの金属酸化物、金属硫化物、金属フッ化物が
検討されている。
１枚の透明基板上に、透明電極、有機ＥＬ層、対向電極
が積層されてなる発光部が形成され、発光部を樹脂封止
することにより外気と遮断する構造のものがある。封止
材料としては、樹脂の他に、シリカ、ＳｉＯXなどのシ
リコン酸化物や、ＧｅＯ、ＭｏＯ3、ＧｅＳ、ＳｎＳ、
ＬｉＦなどの金属酸化物、金属硫化物、金属フッ化物が
検討されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者で
は外気との遮断性はシール材のガス透過性に依存するた
め、従来のシール材では酸素や水分などの侵入を完全に
防止することができないものであった。このため、酸素
や水分などの影響で対向電極が酸化することにより、ダ
ークスポットと呼ばれる非点灯領域が成長して電界発光
素子が劣化され、素子寿命を短くするという問題があっ
た。
は外気との遮断性はシール材のガス透過性に依存するた
め、従来のシール材では酸素や水分などの侵入を完全に
防止することができないものであった。このため、酸素
や水分などの影響で対向電極が酸化することにより、ダ
ークスポットと呼ばれる非点灯領域が成長して電界発光
素子が劣化され、素子寿命を短くするという問題があっ
た。
【０００５】後者のうち樹脂封止したものでは、外気の
遮断が不十分でありダークスポットの成長を抑えること
が困難であった。さらに、封止樹脂の材料によっては有
機ＥＬ層を劣化させる虞れがあった。また、シリカ、Ｓ
ｉＯなどのシリコン酸化物や、ＧｅＯ、ＭｏＯ3、Ｇｅ
Ｓ、ＳｎＳ、ＬｉＦなどの金属酸化物、金属硫化物、金
属フッ化物で封止したものでは、結晶粒径を小さくする
ことが難しいため、ある程度は酸化や水分の侵入を防ぐ
ことはできてもダークスポットの成長の抑制には不十分
である。因に、上記した金属酸化物、金属硫化物、金属
フッ化物の一般的な成膜方法としては、マグネトロンス
パッタＲＦ法が行われるが、高速で成膜を行うと基板温
度が上昇して、有機ＥＬ層に熱的ダメージを与える不都
合があり、逆に低温（１００℃以下）で成膜しようとす
ると、成膜レートが低下してスループットが低くなると
いう不都合がある。
遮断が不十分でありダークスポットの成長を抑えること
が困難であった。さらに、封止樹脂の材料によっては有
機ＥＬ層を劣化させる虞れがあった。また、シリカ、Ｓ
ｉＯなどのシリコン酸化物や、ＧｅＯ、ＭｏＯ3、Ｇｅ
Ｓ、ＳｎＳ、ＬｉＦなどの金属酸化物、金属硫化物、金
属フッ化物で封止したものでは、結晶粒径を小さくする
ことが難しいため、ある程度は酸化や水分の侵入を防ぐ
ことはできてもダークスポットの成長の抑制には不十分
である。因に、上記した金属酸化物、金属硫化物、金属
フッ化物の一般的な成膜方法としては、マグネトロンス
パッタＲＦ法が行われるが、高速で成膜を行うと基板温
度が上昇して、有機ＥＬ層に熱的ダメージを与える不都
合があり、逆に低温（１００℃以下）で成膜しようとす
ると、成膜レートが低下してスループットが低くなると
いう不都合がある。
【０００６】この発明は、外気を遮断する能力が高く、
素子劣化を抑制した寿命の長い電界発光素子を提供する
ことを目的としている。
素子劣化を抑制した寿命の長い電界発光素子を提供する
ことを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
電界発光素子であって、有機ＥＬ材料を含む発光層を電
極で挟んでなる発光部が、六方晶層状構造を有する、Ｉ
ｎ2Ｏ3（ＺｎＯ）X（但し、ｘ≧０）でなる保護膜で、
封止されていることを特徴としている。
電界発光素子であって、有機ＥＬ材料を含む発光層を電
極で挟んでなる発光部が、六方晶層状構造を有する、Ｉ
ｎ2Ｏ3（ＺｎＯ）X（但し、ｘ≧０）でなる保護膜で、
封止されていることを特徴としている。
【０００８】請求項１記載の発明では、発光部を封止す
る保護膜が、六方晶層状構造を有する、Ｉｎ2Ｏ3（Ｚｎ
Ｏ）X（但し、ｘ≧０）が緻密性を有する電気絶縁体で
あるため、外気が発光部に侵入するのを抑制することが
できる。
る保護膜が、六方晶層状構造を有する、Ｉｎ2Ｏ3（Ｚｎ
Ｏ）X（但し、ｘ≧０）が緻密性を有する電気絶縁体で
あるため、外気が発光部に侵入するのを抑制することが
できる。
【０００９】請求項２記載の発明は、請求項１記載の電
界発光素子であって、前記保護膜のシート抵抗は、１０
ｋΩ／□で以上であることを特徴としている。
界発光素子であって、前記保護膜のシート抵抗は、１０
ｋΩ／□で以上であることを特徴としている。
【００１０】請求項２記載の発明では、保護膜の電気抵
抗が高いため、電界発光素子を良好に封止することがで
きる。
抗が高いため、電界発光素子を良好に封止することがで
きる。
【００１１】請求項３記載の発明は、請求項１又は請求
項２に記載の電界発光素子であって、前記保護膜の膜厚
は、３００〜１０００ｎｍであることを特徴としてい
る。
項２に記載の電界発光素子であって、前記保護膜の膜厚
は、３００〜１０００ｎｍであることを特徴としてい
る。
【００１２】請求項３記載の発明では、保護膜の膜厚を
３００〜１０００ｎｍとすることにより、外気遮断性を
十分に確保することができる。
３００〜１０００ｎｍとすることにより、外気遮断性を
十分に確保することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、この発明に係る電界発光素
子の詳細を図面に示す実施形態に基づいて説明する。
子の詳細を図面に示す実施形態に基づいて説明する。
【００１４】（実施形態１）図１は、本発明に係る電界
発光素子の実施形態１を示す断面説明図である。本実施
形態は、例えばガラスでなる透明基板１の上に、導電性
のＩＴＯ（indium tin oxide）又は導電性のＩｎ2Ｏ
3（ＺｎＯ）m（但しｍ＞０）でなる可視光に対して透過
性を示す複数の透明電極２が互いに平行に形成されてい
る。また、透明基板２が形成された透明基板１上に、発
光表示領域全体に亙って有機ＥＬ層３が形成されてい
る。この有機ＥＬ層３は、透明電極２側からN,N'-ジ
（α-ナフチル）-N,N'-ジフェニル-ビフェニル-1,1'-ビ
フェニル-4,4'-ジアミンからなる正孔輸送層、９６重量
％の4,4'-ビス（2,2-ジフェニルビニレン）ビフェニル
および４重量％の4,4'-ビス（（2-カルバゾール）ビニ
レン）ビフェニルからなる発光層、アルミニウム-トリ
ス（8-ヒドロキシキノリネート）からなる電子輸送層の
３層で構成され、内部に電流が流れることにより青色波
長域の光を発する。さらに、有機ＥＬ層（電子輸送層）
３の上には、透明電極２と交差（直交）する方向に沿っ
て、例えばマグネシウムインジウム（ＭｇＩｎ）でなる
仕事関数の低い導電性材料やアルミニウム単体又はアル
ミニウム合金等でなる複数の対向電極４が平行をなすよ
うに形成されている。ここで、対向電極４の膜厚は、３
００ｎｍ以上に設定されている。
発光素子の実施形態１を示す断面説明図である。本実施
形態は、例えばガラスでなる透明基板１の上に、導電性
のＩＴＯ（indium tin oxide）又は導電性のＩｎ2Ｏ
3（ＺｎＯ）m（但しｍ＞０）でなる可視光に対して透過
性を示す複数の透明電極２が互いに平行に形成されてい
る。また、透明基板２が形成された透明基板１上に、発
光表示領域全体に亙って有機ＥＬ層３が形成されてい
る。この有機ＥＬ層３は、透明電極２側からN,N'-ジ
（α-ナフチル）-N,N'-ジフェニル-ビフェニル-1,1'-ビ
フェニル-4,4'-ジアミンからなる正孔輸送層、９６重量
％の4,4'-ビス（2,2-ジフェニルビニレン）ビフェニル
および４重量％の4,4'-ビス（（2-カルバゾール）ビニ
レン）ビフェニルからなる発光層、アルミニウム-トリ
ス（8-ヒドロキシキノリネート）からなる電子輸送層の
３層で構成され、内部に電流が流れることにより青色波
長域の光を発する。さらに、有機ＥＬ層（電子輸送層）
３の上には、透明電極２と交差（直交）する方向に沿っ
て、例えばマグネシウムインジウム（ＭｇＩｎ）でなる
仕事関数の低い導電性材料やアルミニウム単体又はアル
ミニウム合金等でなる複数の対向電極４が平行をなすよ
うに形成されている。ここで、対向電極４の膜厚は、３
００ｎｍ以上に設定されている。
【００１５】このような構造に対して、本実施形態で
は、透明電極２と有機ＥＬ層３と対向電極４とでなる発
光部全体を覆うように保護層５が形成されている。な
お、透明電極２と対向電極４の引き出し端子部は保護層
５で覆われずに透明基板１の周縁部まで導出されてい
る。この保護層５は、酸化インジウムと酸化亜鉛との複
合酸化物を六方晶層状化合物となるように形成したもの
であり、図２に示すような結晶構造をもつＩｎ2Ｏ3（Ｚ
ｎＯ）X（但し、ｘ≧０）である。この六方晶層状化合
物であるＩｎ2Ｏ3（ＺｎＯ）X（但し、ｘ≧０）は、Ｘ
線回折や電子線回折でも完全な非晶質パターンを示し、
２５０℃までの熱処理でも非晶質パターンの変化は認め
られず安定な非晶質構造を保っている。また、この六方
晶層状化合物は、１次粒径が細かいため表面平滑性に優
れた膜が得られる。さらに、この六方晶層状化合物は、
高温高湿環境下に長時間放置しても電気抵抗変化が殆ど
ないという性質がある。また、この六方晶層状化合物の
下地に対する密着性は、碁盤目試験により剥離されにく
く、曲げによる抵抗変化が殆どない。通常のＩｎ2Ｏ
3（ＺｎＯ）Xは、ＩＴＯと同様に膜中の酸素欠損が生じ
やすく、それがドナーとなるため、ｎ型の半導体になり
導電性を示す。しかし、本実施形態で保護層５に用いる
六方晶層状化合物であるＩｎ2Ｏ3（ＺｎＯ）X（但し、
ｘ≧０）では、後記するように膜中の酸素欠損を積極的
に埋めることで絶縁性（高抵抗性）を持たせものである
ため、封止材として良好な特性をもつ。因に、本実施形
態で保護層５として用いたＩｎ2Ｏ3（ＺｎＯ）Xのシー
ト抵抗（面抵抗）は、１０ｋΩ／□以上である。
は、透明電極２と有機ＥＬ層３と対向電極４とでなる発
光部全体を覆うように保護層５が形成されている。な
お、透明電極２と対向電極４の引き出し端子部は保護層
５で覆われずに透明基板１の周縁部まで導出されてい
る。この保護層５は、酸化インジウムと酸化亜鉛との複
合酸化物を六方晶層状化合物となるように形成したもの
であり、図２に示すような結晶構造をもつＩｎ2Ｏ3（Ｚ
ｎＯ）X（但し、ｘ≧０）である。この六方晶層状化合
物であるＩｎ2Ｏ3（ＺｎＯ）X（但し、ｘ≧０）は、Ｘ
線回折や電子線回折でも完全な非晶質パターンを示し、
２５０℃までの熱処理でも非晶質パターンの変化は認め
られず安定な非晶質構造を保っている。また、この六方
晶層状化合物は、１次粒径が細かいため表面平滑性に優
れた膜が得られる。さらに、この六方晶層状化合物は、
高温高湿環境下に長時間放置しても電気抵抗変化が殆ど
ないという性質がある。また、この六方晶層状化合物の
下地に対する密着性は、碁盤目試験により剥離されにく
く、曲げによる抵抗変化が殆どない。通常のＩｎ2Ｏ
3（ＺｎＯ）Xは、ＩＴＯと同様に膜中の酸素欠損が生じ
やすく、それがドナーとなるため、ｎ型の半導体になり
導電性を示す。しかし、本実施形態で保護層５に用いる
六方晶層状化合物であるＩｎ2Ｏ3（ＺｎＯ）X（但し、
ｘ≧０）では、後記するように膜中の酸素欠損を積極的
に埋めることで絶縁性（高抵抗性）を持たせものである
ため、封止材として良好な特性をもつ。因に、本実施形
態で保護層５として用いたＩｎ2Ｏ3（ＺｎＯ）Xのシー
ト抵抗（面抵抗）は、１０ｋΩ／□以上である。
【００１６】次に、本実施形態における保護層５の成膜
プロセスを説明する。透明電極２、有機ＥＬ層３、及び
対向電極５を形成した透明基板１をマグネトロンスパッ
タ装置内に設置・固定した後、封止領域を開口したマス
クを配置してＩｎ2Ｏ3（ＺｎＯ）Xを堆積させる。この
成膜プロセスにおいては、ＤＣリアクティブ方式を採用
し、ターゲットとしてＩｎ2Ｏ3：ＺｎＯ（９５〜５０：
５〜５０ｗｔ％）を用い、圧力をｍｔｏｒｒオーダに設
定し、出力密度０.５〜５Ｗ／ｃｍ2に設定して成膜を行
った。なお、この成膜プロセスに際して、形成される保
護層５の電気抵抗値を上げるためにプラズマガスとし
て、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン
（Ｘｅ）などの不活性ガスに５体積％（分圧比）以上の
酸素ガスを混合したガスをプラズマ化して用いる。Ｉｎ
2Ｏ3（ＺｎＯ）Xの導電性は成膜時の雰囲気中の酸素の
分圧比に依存し、酸素ガス０体積％での膜の抵抗は、５
０．６Ω、５体積％では１０．９ＭΩ、１０体積％では
４．３２ＧΩであった。このように、不活性ガスと酸素
ガスとをプラズマ化して用いることにより、Ｉｎ2Ｏ
3（ＺｎＯ）Xの膜中の酸素欠損を解消して、シート抵抗
が１０ｋΩ／□以上の保護層５を形成することができ
る。なお、成膜時の基板表面温度は、有機ＥＬ層３の有
機材料の熱劣化を防ぐために、１００℃以下に設定し
た。また、この保護層５の膜厚は、４００〜１０００ｎ
ｍ程度に設定した。また、マグネトロンスパッタ法の他
に、対向ターゲットスパッタ法、イオンビームスパッタ
法、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）スパッタ法など
の成膜法を適用することが可能である。
プロセスを説明する。透明電極２、有機ＥＬ層３、及び
対向電極５を形成した透明基板１をマグネトロンスパッ
タ装置内に設置・固定した後、封止領域を開口したマス
クを配置してＩｎ2Ｏ3（ＺｎＯ）Xを堆積させる。この
成膜プロセスにおいては、ＤＣリアクティブ方式を採用
し、ターゲットとしてＩｎ2Ｏ3：ＺｎＯ（９５〜５０：
５〜５０ｗｔ％）を用い、圧力をｍｔｏｒｒオーダに設
定し、出力密度０.５〜５Ｗ／ｃｍ2に設定して成膜を行
った。なお、この成膜プロセスに際して、形成される保
護層５の電気抵抗値を上げるためにプラズマガスとし
て、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン
（Ｘｅ）などの不活性ガスに５体積％（分圧比）以上の
酸素ガスを混合したガスをプラズマ化して用いる。Ｉｎ
2Ｏ3（ＺｎＯ）Xの導電性は成膜時の雰囲気中の酸素の
分圧比に依存し、酸素ガス０体積％での膜の抵抗は、５
０．６Ω、５体積％では１０．９ＭΩ、１０体積％では
４．３２ＧΩであった。このように、不活性ガスと酸素
ガスとをプラズマ化して用いることにより、Ｉｎ2Ｏ
3（ＺｎＯ）Xの膜中の酸素欠損を解消して、シート抵抗
が１０ｋΩ／□以上の保護層５を形成することができ
る。なお、成膜時の基板表面温度は、有機ＥＬ層３の有
機材料の熱劣化を防ぐために、１００℃以下に設定し
た。また、この保護層５の膜厚は、４００〜１０００ｎ
ｍ程度に設定した。また、マグネトロンスパッタ法の他
に、対向ターゲットスパッタ法、イオンビームスパッタ
法、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）スパッタ法など
の成膜法を適用することが可能である。
【００１７】以上、実施形態１について説明したが、保
護層５の成膜方法としては、スパッタ法の他に、不活性
ガスと酸素ガスとをプラズマ化したものを用いて、プラ
ズマ・イオンプレーティングを行う方法などを用いるこ
とが可能である。
護層５の成膜方法としては、スパッタ法の他に、不活性
ガスと酸素ガスとをプラズマ化したものを用いて、プラ
ズマ・イオンプレーティングを行う方法などを用いるこ
とが可能である。
【００１８】下表１に、保護膜５を対向ターゲットスパ
ッタ法にて形成した電界発光素子（本実施形態）と保護
膜を形成しない電界発光素子（比較例）を８０℃で放置
し、発光面内に対するダークスポット（黒点）の成長面
積率を時間を追って比較して示している。なお、下表１
中の単位は％である。
ッタ法にて形成した電界発光素子（本実施形態）と保護
膜を形成しない電界発光素子（比較例）を８０℃で放置
し、発光面内に対するダークスポット（黒点）の成長面
積率を時間を追って比較して示している。なお、下表１
中の単位は％である。
【００１９】
【表１】
【００２０】上記の表１から判るように、本実施形態の
電界発光素子は、比較例に比べて、３１２時間でダーク
スポットの成長を１１倍以上抑制していることが確認で
きる。本実施形態で形成された保護膜５は、外気を遮断
する能力が高く、対向電極４の酸化や、有機ＥＬ層３と
対向電極４との界面剥離を抑制できる。このため、電界
発光素子の劣化を抑制して、寿命を向上させることがで
きる。また、従来の電界発光素子のように保護膜として
ＳｉＯ2などの絶縁物で形成するには、ターゲットも絶
縁物であるため、ＲＦ（高周波）スパッタしか用いるこ
とができなかったが、本実施形態では、Ｉｎ2Ｏ3（Ｚｎ
Ｏ）Xのターゲットは導電性物質であるため、ＤＣ（直
流）スパッタ法を用いることができる。このようにＤＣ
スパッタ法を用いれば、ＲＦスパッタ法の２０倍以上の
成膜レートを得ることが可能となり、タクトの向上を図
ることができる。
電界発光素子は、比較例に比べて、３１２時間でダーク
スポットの成長を１１倍以上抑制していることが確認で
きる。本実施形態で形成された保護膜５は、外気を遮断
する能力が高く、対向電極４の酸化や、有機ＥＬ層３と
対向電極４との界面剥離を抑制できる。このため、電界
発光素子の劣化を抑制して、寿命を向上させることがで
きる。また、従来の電界発光素子のように保護膜として
ＳｉＯ2などの絶縁物で形成するには、ターゲットも絶
縁物であるため、ＲＦ（高周波）スパッタしか用いるこ
とができなかったが、本実施形態では、Ｉｎ2Ｏ3（Ｚｎ
Ｏ）Xのターゲットは導電性物質であるため、ＤＣ（直
流）スパッタ法を用いることができる。このようにＤＣ
スパッタ法を用いれば、ＲＦスパッタ法の２０倍以上の
成膜レートを得ることが可能となり、タクトの向上を図
ることができる。
【００２１】（実施形態２）図３は、本発明に係る電界
発光素子の実施形態２を示している。本実施形態の電界
発光素子では、ガラスや合成樹脂でなる基板６の上に対
向電極４が複数平行に形成され、その上に有機ＥＬ層３
が形成され、有機ＥＬ層３の上に対向電極４と交差する
方向に向けて互いに平行をなす複数の透明電極２が形成
されている。このような構造において、透明電極２と有
機ＥＬ層３と対向電極４とでなる発光部全体を覆うよう
に透明な保護層５が形成されている。本実施形態の電界
発光素子では、有機ＥＬ層３の発光を透明電極２を通じ
て保護膜５より射出するものであり、基板６は透明であ
る必要はない。なお、本実施形態における各構成部分の
材料は、上記した実施形態１と同様である。
発光素子の実施形態２を示している。本実施形態の電界
発光素子では、ガラスや合成樹脂でなる基板６の上に対
向電極４が複数平行に形成され、その上に有機ＥＬ層３
が形成され、有機ＥＬ層３の上に対向電極４と交差する
方向に向けて互いに平行をなす複数の透明電極２が形成
されている。このような構造において、透明電極２と有
機ＥＬ層３と対向電極４とでなる発光部全体を覆うよう
に透明な保護層５が形成されている。本実施形態の電界
発光素子では、有機ＥＬ層３の発光を透明電極２を通じ
て保護膜５より射出するものであり、基板６は透明であ
る必要はない。なお、本実施形態における各構成部分の
材料は、上記した実施形態１と同様である。
【００２２】本実施形態では、上記した実施形態１の作
用・効果に加えて、基板６内の光の導波がなくなるた
め、光の利用効率が向上するなどの効果が得られる。ま
た、本実施形態では、例えばマグネシウムインジウム
（ＭｇＩｎ）でなる仕事関数の低い導電性材料やＡｌ合
金等でなる対向電極４を基板６の上に形成するため、フ
ォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を用いて高
精細に加工することが可能となる。
用・効果に加えて、基板６内の光の導波がなくなるた
め、光の利用効率が向上するなどの効果が得られる。ま
た、本実施形態では、例えばマグネシウムインジウム
（ＭｇＩｎ）でなる仕事関数の低い導電性材料やＡｌ合
金等でなる対向電極４を基板６の上に形成するため、フ
ォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を用いて高
精細に加工することが可能となる。
【００２３】以上、実施形態１及び実施形態２について
説明したが、本発明はこれらに限定されるものではな
く、構成の要旨に付随する各種の変更が可能である。例
えば、上記した各実施形態では、透明電極２としてＩＴ
Ｏを用いたが、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ
2）などの正孔注入性の良い、透明導電性材料を用いて
もよい。また、対向電極４としてＭｇＩｎを用いたが、
この他に、ＭｇＡｇやＡｌＬｉなどの低仕事関数材料を
用いることができる。さらに、上記した各実施形態で
は、３層構造の有機ＥＬ層３を用いたが、単層構造、２
層構造、４層構造など各種の構造変更、材料変更が可能
である。
説明したが、本発明はこれらに限定されるものではな
く、構成の要旨に付随する各種の変更が可能である。例
えば、上記した各実施形態では、透明電極２としてＩＴ
Ｏを用いたが、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ
2）などの正孔注入性の良い、透明導電性材料を用いて
もよい。また、対向電極４としてＭｇＩｎを用いたが、
この他に、ＭｇＡｇやＡｌＬｉなどの低仕事関数材料を
用いることができる。さらに、上記した各実施形態で
は、３層構造の有機ＥＬ層３を用いたが、単層構造、２
層構造、４層構造など各種の構造変更、材料変更が可能
である。
【００２４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、この発
明によれば、外気を遮断する能力が高く、素子劣化を抑
制した寿命の長い電界発光素子を実現することができ
る。
明によれば、外気を遮断する能力が高く、素子劣化を抑
制した寿命の長い電界発光素子を実現することができ
る。
【図１】本発明に係る電界発光素子の実施形態１を示す
断面図。
断面図。
【図２】実施形態１に用いた保護膜を構成する六方晶層
状構造のＩｎ2Ｏ3（ＺｎＯ）X（但し、ｘ≧０）の結晶
構造を示す説明図。
状構造のＩｎ2Ｏ3（ＺｎＯ）X（但し、ｘ≧０）の結晶
構造を示す説明図。
【図３】本発明に係る電界発光素子の実施形態２を示す
断面図。
断面図。
１ 透明基板 ２ 透明電極 ３ 有機ＥＬ層 ４ 対向電極 ５ 保護膜 ６ 基板
Claims (3)
- 【請求項１】 有機ＥＬ材料を含む発光層を電極で挟ん
でなる発光部が、六方晶層状構造を有する、Ｉｎ2Ｏ
3（ＺｎＯ）X（但し、ｘ≧０）でなる保護膜で、封止さ
れていることを特徴とする電界発光素子。 - 【請求項２】 前記保護膜のシート抵抗は、１０ｋΩ／
□で以上であることを特徴とする請求項１記載の電界発
光素子。 - 【請求項３】 前記保護膜の膜厚は、３００〜１０００
ｎｍであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記
載の電界発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25180398A JP3873159B2 (ja) | 1998-08-24 | 1998-08-24 | 電界発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25180398A JP3873159B2 (ja) | 1998-08-24 | 1998-08-24 | 電界発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000068560A true JP2000068560A (ja) | 2000-03-03 |
| JP3873159B2 JP3873159B2 (ja) | 2007-01-24 |
Family
ID=17228166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25180398A Expired - Lifetime JP3873159B2 (ja) | 1998-08-24 | 1998-08-24 | 電界発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3873159B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009033279A1 (en) * | 2007-09-11 | 2009-03-19 | Group Iv Semiconductor, Inc. | Zinc oxide thin film electroluminescent devices |
| KR100903486B1 (ko) | 2004-03-04 | 2009-06-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 소자 및 유기 발광 소자용 보호막 형성 방법 |
| US7923288B2 (en) | 2007-01-10 | 2011-04-12 | Group Iv Semiconductor, Inc. | Zinc oxide thin film electroluminescent devices |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10162959A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
-
1998
- 1998-08-24 JP JP25180398A patent/JP3873159B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10162959A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100903486B1 (ko) | 2004-03-04 | 2009-06-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 소자 및 유기 발광 소자용 보호막 형성 방법 |
| US7923288B2 (en) | 2007-01-10 | 2011-04-12 | Group Iv Semiconductor, Inc. | Zinc oxide thin film electroluminescent devices |
| WO2009033279A1 (en) * | 2007-09-11 | 2009-03-19 | Group Iv Semiconductor, Inc. | Zinc oxide thin film electroluminescent devices |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3873159B2 (ja) | 2007-01-24 |
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