KR20100068661A - 레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법 - Google Patents
레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20100068661A KR20100068661A KR1020080127092A KR20080127092A KR20100068661A KR 20100068661 A KR20100068661 A KR 20100068661A KR 1020080127092 A KR1020080127092 A KR 1020080127092A KR 20080127092 A KR20080127092 A KR 20080127092A KR 20100068661 A KR20100068661 A KR 20100068661A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- manufacturing
- laser beam
- substrate
- peeling
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 100
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 57
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 43
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 12
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 claims description 12
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 5
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 209
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910005535 GaOx Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/12—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
- H01L21/566—Release layers for moulds, e.g. release layers, layers against residue during moulding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
- H01L23/15—Ceramic or glass substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
Claims (18)
- 모체 기판 상에 박리층을 형성하는 단계;상기 박리층을 박리 촉진용 도펀트로 도핑하는 단계;상기 박리층 상에 지지층을 형성하는 단계;상기 지지층 상에 반도체 소자층을 형성하는 단계; 및상기 박리층에 레이저를 조사하여 상기 모체 기판을 분리 제거하는 단계; 를 포함하는 레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법.
- 청구항 1에 있어서,상기 모체 기판은 유리 기판 또는 석영 기판인 레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법.
- 청구항 1에 있어서,상기 박리층은 GaN, ITO, GaOx 및 GaOxNy 중에서 선택되는 적어도 어느 하나로 형성하는 레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법.
- 청구항 1에 있어서,상기 박리 촉진용 도펀트는 Co, Mn, Sn, In, Zn, B, Li, C, F, Na, Mg, Al, Si, P, K, Ca, Ti, V, Cr, Ni, Cu, Ga, Ge, As, Nb, Mo, Ru, Pd, Ag, Cd, Cs, Ba, Ta, W, Ir, Au, Bi, Pb 및 이로 이루어진 산화물, 질화물, 탄화물 중에서 적어도 어느 하나로 형성하는 레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법.
- 청구항 1에 있어서,상기 박리 촉진용 도펀트의 도핑 농도는 0.01% 내지 30% 범위인 레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법.
- 청구항 1에 있어서,상기 지지층은 Al, Fe, Ni, Ta, Ag, Cu, Au, W, Rh, Pt, Mg, Ir, Mo, Ru, Zn, Co, Cd, Pd, Ti, Cr, Co, In, Sn, Bi, Pb 및 이로 이루어진 산화물, 질화물, 탄화물 중에서 적어도 어느 하나로 형성하는 레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법.
- 청구항 1에 있어서,상기 반도체 소자층을 형성한 이후에,상기 반도체 소자층 상에 봉지층을 형성하는 단계; 를 더 포함하는 레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법.
- 청구항 1에 있어서,상기 모체 기판를 분리한 이후에,상기 지지층의 하면에 플렉서블 기판을 부착하는 단계; 를 더 포함하는 레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법.
- 청구항 1에 있어서상기 반도체 소자층은 유기 발광 다이오드, 유기 전계 트랜지스터, 무기 박막 트랜지스터, 태양 전지 중 적어도 어느 하나를 포함하는 레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법.
- 모체 기판 상에 박리층을 형성하는 단계;상기 박리층 상에 지지층을 형성하는 단계;상기 지지층 상에 반도체 소자층을 형성하는 단계; 및상기 박리층에 레이저를 조사하여 상기 지지층의 하부에서 상기 모체 기판을 분리 제거하는 단계; 를 포함하고,상기 박리층의 형성 전에 상기 모체 기판 상에 박리 촉진층을 형성하는 단계 및 상기 박리층의 형성 후에 상기 박리층 상에 박리 촉진층을 형성하는 단계 중 적어도 어느 하나를 더 포함하는 레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법.
- 청구항 10에 있어서,상기 모체 기판은 유리 기판 또는 석영 기판인 레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법.
- 청구항 10에 있어서,상기 박리층은 GaN, ITO, GaOx 및 GaOxNy 중에서 선택되는 적어도 어느 하나로 형성하는 레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법.
- 청구항 10에 있어서,상기 박리 촉진층은 Co, Mn, Sn, In, Zn, B, Li, C, F, Na, Mg, Al, Si, P, K, Ca, Ti, V, Cr, Ni, Cu, Ga, Ge, As, Nb, Mo, Ru, Pd, Ag, Cd, Cs, Ba, Ta, W, Ir, Au, Bi, Pb 및 이로 이루어진 산화물, 질화물, 탄화물 중에서 적어도 어느 하나로 형성하는 레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법.
- 청구항 10에 있어서,상기 박리 촉진층은 500Å 이하의 두께로 형성하는 레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법.
- 청구항 19에 있어서,상기 지지층은 Al, Fe, Ni, Ta, Ag, Cu, Au, W, Rh, Pt, Mg, Ir, Mo, Ru, Zn, Co, Cd, Pd, Ti, Cr, Co, In, Sn, Bi, Pb 및 이로 이루어진 산화물, 질화물, 탄화물 중에서 적어도 어느 하나로 형성하는 레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법.
- 청구항 10에 있어서,상기 반도체 소자층을 형성한 이후에,상기 반도체 소자층 상에 봉지층을 형성하는 단계; 를 더 포함하는 레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법.
- 청구항 10에 있어서,상기 모체 기판을 분리한 이후에,상기 지지층의 하면에 플렉서블 기판을 부착하는 단계; 를 더 포함하는 레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법.
- 청구항 10에 있어서상기 반도체 소자층은 유기 발광 다이오드, 유기 전계 트랜지스터, 무기 박막 트랜지스터, 태양 전지 중 적어도 어느 하나를 포함하는 레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080127092A KR101010023B1 (ko) | 2008-12-15 | 2008-12-15 | 레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080127092A KR101010023B1 (ko) | 2008-12-15 | 2008-12-15 | 레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100068661A true KR20100068661A (ko) | 2010-06-24 |
KR101010023B1 KR101010023B1 (ko) | 2011-01-21 |
Family
ID=42366878
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080127092A KR101010023B1 (ko) | 2008-12-15 | 2008-12-15 | 레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101010023B1 (ko) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2498316A1 (en) * | 2011-03-10 | 2012-09-12 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Flexible display device and manufacturing method thereof |
KR20120103388A (ko) * | 2011-03-10 | 2012-09-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 가요성 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
CN103311455A (zh) * | 2012-03-13 | 2013-09-18 | 乐金显示有限公司 | 制造薄膜晶体管基板及使用它的有机发光显示装置的方法 |
KR20140118222A (ko) * | 2013-03-28 | 2014-10-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치 및 이의 제조방법 |
KR20150124816A (ko) * | 2014-04-29 | 2015-11-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치 및 이의 제조방법 |
US9362532B2 (en) | 2012-11-29 | 2016-06-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus and method for ablating substrate and method of fabricating display apparatus |
KR20190061807A (ko) * | 2017-11-28 | 2019-06-05 | 고려대학교 세종산학협력단 | 유기광전소자 및 이의 제조방법 |
WO2019227940A1 (zh) * | 2018-05-28 | 2019-12-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示装置的制作方法和柔性显示装置 |
JP2022023055A (ja) * | 2013-12-02 | 2022-02-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 線状ビーム照射装置の使用方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9496165B1 (en) | 2015-07-09 | 2016-11-15 | International Business Machines Corporation | Method of forming a flexible semiconductor layer and devices on a flexible carrier |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4634680B2 (ja) | 1999-07-08 | 2011-02-16 | ソマール株式会社 | 容易に剥離可能な粘着性フィルム |
JP4472238B2 (ja) | 2001-08-10 | 2010-06-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 剥離方法および半導体装置の作製方法 |
KR20080013068A (ko) * | 2006-08-07 | 2008-02-13 | 학교법인 포항공과대학교 | 레이저를 이용한 플렉서블 소자의 제조방법 및 플렉서블소자 |
-
2008
- 2008-12-15 KR KR1020080127092A patent/KR101010023B1/ko active IP Right Grant
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2498316A1 (en) * | 2011-03-10 | 2012-09-12 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Flexible display device and manufacturing method thereof |
KR20120103388A (ko) * | 2011-03-10 | 2012-09-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 가요성 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
CN102683379A (zh) * | 2011-03-10 | 2012-09-19 | 三星移动显示器株式会社 | 柔性显示装置及其制造方法 |
JP2012189974A (ja) * | 2011-03-10 | 2012-10-04 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 可撓性表示装置及びこの製造方法 |
US9614190B2 (en) | 2011-03-10 | 2017-04-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Flexible display device and manufacturing method thereof |
CN102683379B (zh) * | 2011-03-10 | 2016-05-11 | 三星显示有限公司 | 柔性显示装置及其制造方法 |
CN103311455B (zh) * | 2012-03-13 | 2015-12-09 | 乐金显示有限公司 | 制造薄膜晶体管基板及使用它的有机发光显示装置的方法 |
US8969128B2 (en) | 2012-03-13 | 2015-03-03 | Lg Display Co., Ltd. | Method of fabricating thin film transistor substrate and organic light emitting display device using the same |
CN103311455A (zh) * | 2012-03-13 | 2013-09-18 | 乐金显示有限公司 | 制造薄膜晶体管基板及使用它的有机发光显示装置的方法 |
US9362532B2 (en) | 2012-11-29 | 2016-06-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus and method for ablating substrate and method of fabricating display apparatus |
KR20140118222A (ko) * | 2013-03-28 | 2014-10-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치 및 이의 제조방법 |
JP2022023055A (ja) * | 2013-12-02 | 2022-02-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 線状ビーム照射装置の使用方法 |
US11672148B2 (en) | 2013-12-02 | 2023-06-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
KR20150124816A (ko) * | 2014-04-29 | 2015-11-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치 및 이의 제조방법 |
KR20190061807A (ko) * | 2017-11-28 | 2019-06-05 | 고려대학교 세종산학협력단 | 유기광전소자 및 이의 제조방법 |
WO2019227940A1 (zh) * | 2018-05-28 | 2019-12-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示装置的制作方法和柔性显示装置 |
US11316136B2 (en) | 2018-05-28 | 2022-04-26 | Hefei Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Manufacturing method of flexible display device and flexible display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101010023B1 (ko) | 2011-01-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101010023B1 (ko) | 레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법 | |
US11997866B2 (en) | Hermetically sealed isolated OLED pixels | |
EP2110003B1 (en) | Method of manufacturing a flexible device and method of manufacturing a flexible display | |
US6420031B1 (en) | Highly transparent non-metallic cathodes | |
US9401391B2 (en) | Organic light-emitting diode (OLED) display and fabrication method for the same | |
US8927325B2 (en) | Method for producing an organic radiation-emitting component and organic radiation-emitting component | |
KR100778820B1 (ko) | 금속 전극 형성 방법 및 반도체 발광 소자의 제조 방법 및질화물계 화합물 반도체 발광 소자 | |
JP2001052878A (ja) | 透明カソード及びそれを含む有機発光ダイオード | |
US20050012448A1 (en) | Organic light emitting diode (oled) | |
US20030003225A1 (en) | Method of making organic electroluminescent display | |
US9331304B2 (en) | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same | |
JP2005260244A (ja) | トップエミット型窒化物系発光素子及びその製造方法 | |
KR20100118134A (ko) | 단락 저하층을 갖는 oled 디바이스 | |
US20110303918A1 (en) | Organic light-emitting display and method of manufacturing the same | |
KR100913124B1 (ko) | 레이저를 이용한 플렉서블 소자의 제조방법 | |
KR20120106192A (ko) | 유기 발광 장치 및 그 제조 방법 | |
TW201423978A (zh) | 顯示裝置及其製造方法 | |
KR102484903B1 (ko) | 유기발광소자 및 그 제조방법 | |
WO2008018737A1 (en) | Manufacturing method for flexible element using laser and flexible element | |
JP2001057286A (ja) | 有機el素子 | |
JP3724733B2 (ja) | 有機el発光素子およびその製造方法 | |
KR102263522B1 (ko) | 전면 발광형 유기발광소자, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 표시장치 | |
KR101605008B1 (ko) | 유기발광표시장치의 제조방법 | |
JP2003045665A (ja) | 有機el表示装置 | |
JP5100180B2 (ja) | 発光素子および製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140110 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150108 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160113 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170110 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180110 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200115 Year of fee payment: 10 |