JP2002134268A - 有機ｅｌ素子および有機ｅｌ素子を用いた有機ｅｌディスプレイパネル - Google Patents
有機ｅｌ素子および有機ｅｌ素子を用いた有機ｅｌディスプレイパネルInfo
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 水分や有機溶媒成分が吸着することを防止す
るとともに、水分や有機溶媒成分がガス化して、放出さ
れることを効果的に防止することができ、平坦化のため
の有機層との密着性に優れたパッシベーション層を備
え、生産性が高く、かつ、耐久性が向上した有機ＥＬ素
子およびそれを用いた有機ＥＬディスプレイパネルを提
供する。 【解決手段】 基板１と、少なくとも一層のパッシベー
ション層４と、電極５、８を備え、前記パッシベーショ
ン層４が、窒化シリコンを含有することを特徴とする有
機ＥＬ素子およびかかる構成を有する複数の有機ＥＬ素
子を備えた有機ＥＬディスプレイパネル。
るとともに、水分や有機溶媒成分がガス化して、放出さ
れることを効果的に防止することができ、平坦化のため
の有機層との密着性に優れたパッシベーション層を備
え、生産性が高く、かつ、耐久性が向上した有機ＥＬ素
子およびそれを用いた有機ＥＬディスプレイパネルを提
供する。 【解決手段】 基板１と、少なくとも一層のパッシベー
ション層４と、電極５、８を備え、前記パッシベーショ
ン層４が、窒化シリコンを含有することを特徴とする有
機ＥＬ素子およびかかる構成を有する複数の有機ＥＬ素
子を備えた有機ＥＬディスプレイパネル。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機ＥＬ（エレク
トロルミネッセンス）素子および有機ＥＬ素子を用いた
有機ＥＬディスプレイパネルに関するものであり、さら
に詳細には、水分や有機溶媒成分が吸着することを防止
するとともに、水分や有機溶媒成分がガス化して、放出
されることを効果的に防止することができ、平坦化のた
めの有機層との密着性に優れたパッシベーション層を備
え、生産性が高く、かつ、耐久性が向上した有機ＥＬ素
子およびそれを用いた有機ＥＬディスプレイパネルに関
するものである。
トロルミネッセンス）素子および有機ＥＬ素子を用いた
有機ＥＬディスプレイパネルに関するものであり、さら
に詳細には、水分や有機溶媒成分が吸着することを防止
するとともに、水分や有機溶媒成分がガス化して、放出
されることを効果的に防止することができ、平坦化のた
めの有機層との密着性に優れたパッシベーション層を備
え、生産性が高く、かつ、耐久性が向上した有機ＥＬ素
子およびそれを用いた有機ＥＬディスプレイパネルに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、占有面積を減少させるという観点
から、フラットディスプレイパネルへの要求が高まって
いる。
から、フラットディスプレイパネルへの要求が高まって
いる。
【０００３】現在のところ、フラットディスプレイパネ
ルとしては、液晶ディスプレイパネルが広く用いられて
いるが、最近では、軽量で、バックライトを必要としな
いエレクトロルミネッセント素子（以下、「ＥＬ素子」
という。）を用いたデバイスが注目を集めている。
ルとしては、液晶ディスプレイパネルが広く用いられて
いるが、最近では、軽量で、バックライトを必要としな
いエレクトロルミネッセント素子（以下、「ＥＬ素子」
という。）を用いたデバイスが注目を集めている。
【０００４】ＥＬ素子は、無機ＥＬ素子と有機ＥＬ素子
とに分類され、無機ＥＬ素子は、たとえば、ＺｎＳに微
量のＭｎなどを添加するなど、発光層に無機物を用いた
もので、分散型と薄膜型に分類されるが、いずれも、蛍
光体中の電子が高電界下で、加速されて、発光中心に衝
突して、励起される現象を利用しており、現在、実用化
されている無機ＥＬ素子は、交流で動作するものが多
く、輝度は電圧と周波数に依存する。
とに分類され、無機ＥＬ素子は、たとえば、ＺｎＳに微
量のＭｎなどを添加するなど、発光層に無機物を用いた
もので、分散型と薄膜型に分類されるが、いずれも、蛍
光体中の電子が高電界下で、加速されて、発光中心に衝
突して、励起される現象を利用しており、現在、実用化
されている無機ＥＬ素子は、交流で動作するものが多
く、輝度は電圧と周波数に依存する。
【０００５】また、有機ＥＬ素子は、外部から、電子と
ホール（正孔）を注入し、それらの再結合エネルギーに
よって、発光中心を励起するもので、一般に、錫ドープ
酸化インジウム（ＩＴＯ）などよりなるホール（正孔）
注入電極と、ホール注入電極上に成膜されたトリフェニ
ルジアミンなどを含むホール（正孔）輸送層と、ホール
輸送層上に積層されたアルミキノリノール錯体（Ａｌｑ
３）などの蛍光物質を含む有機発光層と、マグネシウム
などの仕事関数の小さな金属電極（電子注入電極）とを
基本構成として有している。
ホール（正孔）を注入し、それらの再結合エネルギーに
よって、発光中心を励起するもので、一般に、錫ドープ
酸化インジウム（ＩＴＯ）などよりなるホール（正孔）
注入電極と、ホール注入電極上に成膜されたトリフェニ
ルジアミンなどを含むホール（正孔）輸送層と、ホール
輸送層上に積層されたアルミキノリノール錯体（Ａｌｑ
３）などの蛍光物質を含む有機発光層と、マグネシウム
などの仕事関数の小さな金属電極（電子注入電極）とを
基本構成として有している。
【０００６】無機ＥＬ素子が、駆動のために、比較的高
電圧を必要とするのに対し、有機ＥＬ素子は、１０ボル
ト前後の低電圧によって、数百ないし数万ｃｄ／ｍ２と
いうきわめて高い輝度が得られるという特徴を有してお
り、ＥＬ素子のうちでは、有機ＥＬ素子が主流となって
いる。
電圧を必要とするのに対し、有機ＥＬ素子は、１０ボル
ト前後の低電圧によって、数百ないし数万ｃｄ／ｍ２と
いうきわめて高い輝度が得られるという特徴を有してお
り、ＥＬ素子のうちでは、有機ＥＬ素子が主流となって
いる。
【０００７】しかしながら、有機ＥＬ素子においては、
水分や有機溶媒成分が吸着することによって、たとえ
ば、発光素子中に、黒い斑点状のダークスポットが発生
し、発生したダークスポットが成長して、有機ＥＬ素子
の寿命を低下させるという問題があった。
水分や有機溶媒成分が吸着することによって、たとえ
ば、発光素子中に、黒い斑点状のダークスポットが発生
し、発生したダークスポットが成長して、有機ＥＬ素子
の寿命を低下させるという問題があった。
【０００８】また、有機ＥＬ素子においては、基板上
に、カラーフィルターなどを形成すると、段差が生じ、
その上に、透明電極および補助配線を形成した場合に
は、透明電極および補助配線が切断されるおそれがある
ため、平坦化のための有機層を設け、有機層上に、ＩＴ
Ｏ電極などを形成するように構成されているが、ディス
プレイ駆動時に発生する熱などにより、有機層中の水分
や有機溶媒成分が揮発し、ガスとして放出されるため、
発光素子機能が劣化し、信頼性が低下するという問題が
あった。
に、カラーフィルターなどを形成すると、段差が生じ、
その上に、透明電極および補助配線を形成した場合に
は、透明電極および補助配線が切断されるおそれがある
ため、平坦化のための有機層を設け、有機層上に、ＩＴ
Ｏ電極などを形成するように構成されているが、ディス
プレイ駆動時に発生する熱などにより、有機層中の水分
や有機溶媒成分が揮発し、ガスとして放出されるため、
発光素子機能が劣化し、信頼性が低下するという問題が
あった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】かかる問題を解決する
ため、たとえば、特開平１０−３１２８８６号公報は、
有機ＥＬ素子に、水分や有機溶媒成分が吸着することを
防止するとともに、有機ＥＬ素子に形成されたフォトレ
ジスト層に中の水分や有機溶媒成分が、ガスとして放出
されて、発光素子機能が劣化することを防止するため、
ＣＶＤ法により、フォトレジスト層上に、保護層を形成
した有機ＥＬ素子を開示している。
ため、たとえば、特開平１０−３１２８８６号公報は、
有機ＥＬ素子に、水分や有機溶媒成分が吸着することを
防止するとともに、有機ＥＬ素子に形成されたフォトレ
ジスト層に中の水分や有機溶媒成分が、ガスとして放出
されて、発光素子機能が劣化することを防止するため、
ＣＶＤ法により、フォトレジスト層上に、保護層を形成
した有機ＥＬ素子を開示している。
【００１０】しかしながら、ＣＶＤ法によって形成され
た保護層は、有機層との密着性がきわめて悪いため、そ
の後の熱処理などの工程で、しばしば膜剥離が生じ、信
頼性が低く、歩留まりが悪いだけでなく、耐久性が低い
という問題があった。
た保護層は、有機層との密着性がきわめて悪いため、そ
の後の熱処理などの工程で、しばしば膜剥離が生じ、信
頼性が低く、歩留まりが悪いだけでなく、耐久性が低い
という問題があった。
【００１１】一方、特開平１１−２６０５６２号公報
は、カラーフィルター層上に、有機層が積層され、さら
に、有機層上に、酸化シリコンを含有した保護層が形成
された有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬカラーディスプレ
イを開示している。
は、カラーフィルター層上に、有機層が積層され、さら
に、有機層上に、酸化シリコンを含有した保護層が形成
された有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬカラーディスプレ
イを開示している。
【００１２】しかしながら、酸化シリコンは吸湿性が高
いため、吸収された水分がガスとして放出されやすく、
経時的に、発光素子機能を劣化させ、耐久性が低いとい
う問題があった。
いため、吸収された水分がガスとして放出されやすく、
経時的に、発光素子機能を劣化させ、耐久性が低いとい
う問題があった。
【００１３】したがって、本発明は、水分や有機溶媒成
分が吸着することを防止するとともに、水分や有機溶媒
成分がガス化して、放出されることを効果的に防止する
ことができ、平坦化のための有機層との密着性に優れた
パッシベーション層を備え、生産性が高く、かつ、耐久
性が向上した有機ＥＬ素子およびそれを用いた有機ＥＬ
ディスプレイパネルを提供することを目的とするもので
ある。
分が吸着することを防止するとともに、水分や有機溶媒
成分がガス化して、放出されることを効果的に防止する
ことができ、平坦化のための有機層との密着性に優れた
パッシベーション層を備え、生産性が高く、かつ、耐久
性が向上した有機ＥＬ素子およびそれを用いた有機ＥＬ
ディスプレイパネルを提供することを目的とするもので
ある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明のかかる目的は、
基板と、少なくとも一層のパッシベーション層と、電極
を備え、前記パッシベーション層が、窒化シリコンを含
有することを特徴とする有機ＥＬ素子によって達成され
る。
基板と、少なくとも一層のパッシベーション層と、電極
を備え、前記パッシベーション層が、窒化シリコンを含
有することを特徴とする有機ＥＬ素子によって達成され
る。
【００１５】酸化シリコンとは異なって、窒化シリコン
は吸湿性がなく、したがって、本発明によれば、水分や
有機溶媒成分が吸着することを防止することができるか
ら、水分や有機溶媒成分がガス化し、放出されて、有機
ＥＬ素子の発光素子機能が低下することを効果的に防止
することが可能になる。
は吸湿性がなく、したがって、本発明によれば、水分や
有機溶媒成分が吸着することを防止することができるか
ら、水分や有機溶媒成分がガス化し、放出されて、有機
ＥＬ素子の発光素子機能が低下することを効果的に防止
することが可能になる。
【００１６】また、窒化シリコンはガス透過性がきわめ
て低いため、ディスプレイ駆動によって生じる熱によ
り、水分や有機溶媒成分が、ガス化しても、封じ込める
ことができ、したがって、水分や有機溶媒成分がガス化
し、放出されて、有機ＥＬ素子の発光素子機能が低下す
ることを効果的に防止することが可能になる。
て低いため、ディスプレイ駆動によって生じる熱によ
り、水分や有機溶媒成分が、ガス化しても、封じ込める
ことができ、したがって、水分や有機溶媒成分がガス化
し、放出されて、有機ＥＬ素子の発光素子機能が低下す
ることを効果的に防止することが可能になる。
【００１７】さらに、プラスチック基板を用いた場合に
は、基板からガスが放出されることがあり得るが、本発
明によれば、プラスチック基板から放出されたガスも封
じ込めることができ、プラスチック基板から放出された
ガスによって、発光素子機能が低下することを効果的に
防止することが可能になる。
は、基板からガスが放出されることがあり得るが、本発
明によれば、プラスチック基板から放出されたガスも封
じ込めることができ、プラスチック基板から放出された
ガスによって、発光素子機能が低下することを効果的に
防止することが可能になる。
【００１８】本発明の好ましい実施態様においては、有
機ＥＬ素子は、さらに、平坦化層を備え、前記パッシベ
ーション層が、前記平坦化層と前記電極との間に形成さ
れている。
機ＥＬ素子は、さらに、平坦化層を備え、前記パッシベ
ーション層が、前記平坦化層と前記電極との間に形成さ
れている。
【００１９】窒化シリコンはガス透過性がきわめて低い
ため、本発明の好ましい実施態様によれば、平坦化層に
含まれている水分や有機溶媒成分が、ディスプレイ駆動
によって生じる熱により、ガス化しても、封じ込めるこ
とができ、したがって、水分や有機溶媒成分がガス化
し、放出されて、有機ＥＬ素子の発光素子機能が低下す
ることを効果的に防止することが可能になる。
ため、本発明の好ましい実施態様によれば、平坦化層に
含まれている水分や有機溶媒成分が、ディスプレイ駆動
によって生じる熱により、ガス化しても、封じ込めるこ
とができ、したがって、水分や有機溶媒成分がガス化
し、放出されて、有機ＥＬ素子の発光素子機能が低下す
ることを効果的に防止することが可能になる。
【００２０】さらに、窒化シリコンは、平坦化層と良好
に密着するから、本発明の好ましい実施態様によれば、
有機ＥＬ素子、したがって、有機ＥＬディスプレイパネ
ルの生産性および耐久性を向上させることが可能にな
る。
に密着するから、本発明の好ましい実施態様によれば、
有機ＥＬ素子、したがって、有機ＥＬディスプレイパネ
ルの生産性および耐久性を向上させることが可能にな
る。
【００２１】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記平坦化層が、有機材料または有機溶剤を含有し
ている。
は、前記平坦化層が、有機材料または有機溶剤を含有し
ている。
【００２２】本発明の前記目的はまた、それぞれ、基板
と、窒化シリコンを含有する少なくとも一層のパッシベ
ーション層と、電極を備えた複数の有機ＥＬ素子を備
え、前記複数の有機ＥＬ素子が独立して、制御が可能
に、分割されたことを特徴とする有機ＥＬディスプレイ
パネルによって達成される。
と、窒化シリコンを含有する少なくとも一層のパッシベ
ーション層と、電極を備えた複数の有機ＥＬ素子を備
え、前記複数の有機ＥＬ素子が独立して、制御が可能
に、分割されたことを特徴とする有機ＥＬディスプレイ
パネルによって達成される。
【００２３】本発明の好ましい実施態様においては、さ
らに、有機ＥＬ素子の各々が、平坦化層を備え、前記パ
ッシベーション層が、前記平坦化層と前記電極との間に
形成されている。
らに、有機ＥＬ素子の各々が、平坦化層を備え、前記パ
ッシベーション層が、前記平坦化層と前記電極との間に
形成されている。
【００２４】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記平坦化層が、有機材料または有機溶剤を含有し
ている。
は、前記平坦化層が、有機材料または有機溶剤を含有し
ている。
【００２５】
【発明の実施の形態】本発明において、窒化シリコンを
含有するパッシベーション層は、ＣＶＤ法、スパッタリ
ング法などによって成膜することができるが、異物であ
るパーティクルを被覆し、パーティクルが欠陥となるこ
とを防止する観点からは、ＣＶＤ法、とくに、プラズマ
ＣＶＤ法によって成膜することが好ましい。
含有するパッシベーション層は、ＣＶＤ法、スパッタリ
ング法などによって成膜することができるが、異物であ
るパーティクルを被覆し、パーティクルが欠陥となるこ
とを防止する観点からは、ＣＶＤ法、とくに、プラズマ
ＣＶＤ法によって成膜することが好ましい。
【００２６】本発明において、プラズマＣＶＤ装置とし
ては、平行平板方式、ＥＣＲ方式、ＩＣＰ方式、ヘリコ
ン波プラズマ方式などのいずれをも使用することがで
き、装置コストの観点からは、平行平板方式が好ましい
が、膜の緻密化など、膜質のコントロールが容易で、ま
た、スパッタエッチングの効果の利用が可能である点か
らは、ＥＣＲプラズマ方式の方が好ましく、使用され
る。
ては、平行平板方式、ＥＣＲ方式、ＩＣＰ方式、ヘリコ
ン波プラズマ方式などのいずれをも使用することがで
き、装置コストの観点からは、平行平板方式が好ましい
が、膜の緻密化など、膜質のコントロールが容易で、ま
た、スパッタエッチングの効果の利用が可能である点か
らは、ＥＣＲプラズマ方式の方が好ましく、使用され
る。
【００２７】本発明において、平行平板型プラズマＣＶ
Ｄ装置を用いる場合には、基板温度が、５０ないし２０
０℃、成膜圧力が、１００ないし８００パスカル、成膜
パワーが、６インチウエハーに対して、０．８Ｗ／ｃｍ
２ないし３Ｗ／ｃｍ２の範囲にあることが好ましい。成
膜速度は、遅い方が、膜の緻密性が向上するため、パッ
シベーション層としての効果は向上するが、その一方
で、生産性が悪くなるため、成膜速度は、１００ｎｍ／
分ないし１０００ｎｍ／分が好ましい。これらの範囲外
では、窒化シリコンの緻密性が悪くなり、パッシベーシ
ョン膜としての効果が低下し、好ましくない。
Ｄ装置を用いる場合には、基板温度が、５０ないし２０
０℃、成膜圧力が、１００ないし８００パスカル、成膜
パワーが、６インチウエハーに対して、０．８Ｗ／ｃｍ
２ないし３Ｗ／ｃｍ２の範囲にあることが好ましい。成
膜速度は、遅い方が、膜の緻密性が向上するため、パッ
シベーション層としての効果は向上するが、その一方
で、生産性が悪くなるため、成膜速度は、１００ｎｍ／
分ないし１０００ｎｍ／分が好ましい。これらの範囲外
では、窒化シリコンの緻密性が悪くなり、パッシベーシ
ョン膜としての効果が低下し、好ましくない。
【００２８】プラズマＣＶＤの材料ガスとしては、通
常、ＳｉＨ４ 、Ｎ２、ＮＨ３が用いられるが、ＮＨ３
は膜質の制御のために用いられるものであり、ＮＨ３を
用いることは必ずしも必要ではない。本発明において、
窒化シリコンを含有するパッシベーション層を、スパッ
タリング法によって成膜する場合には、とくに、ＲＦ電
源を用いた高周波スパッタリング法によって、成膜する
ことが好ましい。ＲＦ電源を用いた高周波スパッタリン
グの電力は１０ないし１００Ｗ／平方センチメートルの
範囲が好ましく、周波数は１３．５６ＭＨｚ、成膜速度
は５ないし５０ｎｍ／分、成膜中の圧力は０．１ないし
１．０パスカルであることが好ましい。
常、ＳｉＨ４ 、Ｎ２、ＮＨ３が用いられるが、ＮＨ３
は膜質の制御のために用いられるものであり、ＮＨ３を
用いることは必ずしも必要ではない。本発明において、
窒化シリコンを含有するパッシベーション層を、スパッ
タリング法によって成膜する場合には、とくに、ＲＦ電
源を用いた高周波スパッタリング法によって、成膜する
ことが好ましい。ＲＦ電源を用いた高周波スパッタリン
グの電力は１０ないし１００Ｗ／平方センチメートルの
範囲が好ましく、周波数は１３．５６ＭＨｚ、成膜速度
は５ないし５０ｎｍ／分、成膜中の圧力は０．１ないし
１．０パスカルであることが好ましい。
【００２９】本発明において、窒化シリコンを含有する
パッシベーション層は、６３２ｎｍの波長における屈折
率が１．８ないし２．２の範囲にあることが好ましく、
６３２ｎｍの波長における屈折率が１．９ないし２．１
の範囲にあると、さらに好ましい。窒化シリコンを含有
するパッシベーション層の６３２ｎｍの波長における屈
折率が、１．８未満でも、２．２を越えていても、パッ
シベーション層に数多くの欠陥が生じ、好ましくない。
パッシベーション層は、６３２ｎｍの波長における屈折
率が１．８ないし２．２の範囲にあることが好ましく、
６３２ｎｍの波長における屈折率が１．９ないし２．１
の範囲にあると、さらに好ましい。窒化シリコンを含有
するパッシベーション層の６３２ｎｍの波長における屈
折率が、１．８未満でも、２．２を越えていても、パッ
シベーション層に数多くの欠陥が生じ、好ましくない。
【００３０】本発明において、パッシベーション層に含
有される窒化シリコンＳｉＮｘのｘが０．５ないし１．
５の範囲にあることが好ましく、ｘが０．８ないし１．
３の範囲にあると、さらに好ましい。ｘが０．５未満で
も、１．５を越えていても、パッシベーション層の吸湿
性が増大し、好ましくない。
有される窒化シリコンＳｉＮｘのｘが０．５ないし１．
５の範囲にあることが好ましく、ｘが０．８ないし１．
３の範囲にあると、さらに好ましい。ｘが０．５未満で
も、１．５を越えていても、パッシベーション層の吸湿
性が増大し、好ましくない。
【００３１】本発明において、窒化シリコンを含有する
パッシベーション層は、１０ないし３０原子％の水素を
含有していることが好ましく、２０ないし３０原子％の
水素を含有しているとさらに好ましい。窒化シリコンを
含有するパッシベーション層の水素含有量が、１０原子
％未満では、平坦化のための有機層との密着性が低下
し、一方、３０原子％を越えると、パッシベーション層
の緻密性が低下し、好ましくない。
パッシベーション層は、１０ないし３０原子％の水素を
含有していることが好ましく、２０ないし３０原子％の
水素を含有しているとさらに好ましい。窒化シリコンを
含有するパッシベーション層の水素含有量が、１０原子
％未満では、平坦化のための有機層との密着性が低下
し、一方、３０原子％を越えると、パッシベーション層
の緻密性が低下し、好ましくない。
【００３２】窒化シリコンを含有するパッシベーション
層中の水素含有量は、窒化シリコンを含有するパッシベ
ーション層を成膜する際に用いる材料ガスに水素ガスを
添加することによって、増大させることができ、成膜温
度を上昇させることによって、減少させ、低下させるこ
とによって、増大させることができる。また、窒化シリ
コンを含有するパッシベーション層を成膜する際に、材
料ガスの流量を低下させて、成膜レートを低下させる
と、水素含有量は減少し、材料ガスの流量を増大させ
て、成膜レートを増大させることによって、水素含有量
を増大させることができ、平行平板型プラズマＣＶＤ装
置によって、窒化シリコンを含有するパッシベーション
層を成膜するときは、上部電極のパワーと下部電極のパ
ワーの比を大きくすることによって、水素含有量を増大
させ、小さくすることによって、水素含有量を減少させ
ることができる。
層中の水素含有量は、窒化シリコンを含有するパッシベ
ーション層を成膜する際に用いる材料ガスに水素ガスを
添加することによって、増大させることができ、成膜温
度を上昇させることによって、減少させ、低下させるこ
とによって、増大させることができる。また、窒化シリ
コンを含有するパッシベーション層を成膜する際に、材
料ガスの流量を低下させて、成膜レートを低下させる
と、水素含有量は減少し、材料ガスの流量を増大させ
て、成膜レートを増大させることによって、水素含有量
を増大させることができ、平行平板型プラズマＣＶＤ装
置によって、窒化シリコンを含有するパッシベーション
層を成膜するときは、上部電極のパワーと下部電極のパ
ワーの比を大きくすることによって、水素含有量を増大
させ、小さくすることによって、水素含有量を減少させ
ることができる。
【００３３】本発明において、窒化シリコンを含有する
パッシベーション層は、不純物として、０．５重量％以
下のＣ、Ａｒなどを含んでいてもよい。
パッシベーション層は、不純物として、０．５重量％以
下のＣ、Ａｒなどを含んでいてもよい。
【００３４】本発明において、窒化シリコンを含有する
パッシベーション層は、２ないし５０ｎｍの平均表面粗
さ（Ｒａ）を有していることが好ましく、１０ないし５
０ｎｍの最大表面粗さ（Ｒｍａｘ）を有していることが
好ましい。
パッシベーション層は、２ないし５０ｎｍの平均表面粗
さ（Ｒａ）を有していることが好ましく、１０ないし５
０ｎｍの最大表面粗さ（Ｒｍａｘ）を有していることが
好ましい。
【００３５】また、本発明において、窒化シリコンを含
有するパッシベーション層は、有機発光層から発せられ
た光の８０％以上を透過する透過率を有していることが
好ましい。
有するパッシベーション層は、有機発光層から発せられ
た光の８０％以上を透過する透過率を有していることが
好ましい。
【００３６】本発明において、窒化シリコンを含有する
パッシベーション層の厚さはとくに限定されるものでは
ないが、５ないし５０ｎｍ、とくに１０ないし３０ｎｍ
であることが好ましい。
パッシベーション層の厚さはとくに限定されるものでは
ないが、５ないし５０ｎｍ、とくに１０ないし３０ｎｍ
であることが好ましい。
【００３７】本発明において、パッシベーション層が１
層であるときは、ごみなどの異物が含まれた場合に、異
物が除去されて、膜の欠陥を生じさせることがあるの
で、パッシベーション層は、２層構造を有していること
が好ましい。
層であるときは、ごみなどの異物が含まれた場合に、異
物が除去されて、膜の欠陥を生じさせることがあるの
で、パッシベーション層は、２層構造を有していること
が好ましい。
【００３８】本発明において、基板が有機発光層から発
せられた光を取り出す側に位置しているときは、基板は
透明でなければならないが、基板が有機発光層から発せ
られた光を取り出す側に位置していないときは、半透明
であっても、不透明であってもよい。
せられた光を取り出す側に位置しているときは、基板は
透明でなければならないが、基板が有機発光層から発せ
られた光を取り出す側に位置していないときは、半透明
であっても、不透明であってもよい。
【００３９】本発明において、基板の材質はとくに限定
されるものではなく、積層される電極の材質によって、
適宜選択することができる。
されるものではなく、積層される電極の材質によって、
適宜選択することができる。
【００４０】透明な基板を形成するために好ましく使用
することのできる材料としては、ガラスが挙げられ、ガ
ラスのうち、とくに、無アルカリガラスが好ましく使用
される。
することのできる材料としては、ガラスが挙げられ、ガ
ラスのうち、とくに、無アルカリガラスが好ましく使用
される。
【００４１】また、ポリカーボネート、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリブチ
レンナフタレート、ポリエーテルスルホンなどの透明プ
ラスチックや、これらの上に、無機材料からなるパッシ
ベーション膜を形成したものも、本発明の基板として、
使用することができる。
レフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリブチ
レンナフタレート、ポリエーテルスルホンなどの透明プ
ラスチックや、これらの上に、無機材料からなるパッシ
ベーション膜を形成したものも、本発明の基板として、
使用することができる。
【００４２】基板が透明であることを要しない場合に
は、ガラスや前記透明樹脂に加えて、ポリアミドイミ
ド、ポリイミド、ポリアリールエーテルニトリルなどの
比較的耐熱性の高い樹脂、石英、アルミナなどのセラミ
ック、ステンレスなどの金属シートに表面酸化などの絶
縁処理を施したものなどが、基板として、好ましく使用
することができる。
は、ガラスや前記透明樹脂に加えて、ポリアミドイミ
ド、ポリイミド、ポリアリールエーテルニトリルなどの
比較的耐熱性の高い樹脂、石英、アルミナなどのセラミ
ック、ステンレスなどの金属シートに表面酸化などの絶
縁処理を施したものなどが、基板として、好ましく使用
することができる。
【００４３】本発明において、有機ＥＬ素子は、基板上
に、カラーフィルター層を備えている。
に、カラーフィルター層を備えている。
【００４４】カラーフィルター層は、フォトリソグラフ
ィプロセスによって形成しても、蒸着プロセスによって
形成してもよい。
ィプロセスによって形成しても、蒸着プロセスによって
形成してもよい。
【００４５】カラーフィルター層を、フォトリソグラフ
ィプロセスによって形成する場合には、公知の方法およ
び材料を使用することができる。
ィプロセスによって形成する場合には、公知の方法およ
び材料を使用することができる。
【００４６】有機ＥＬ素子を薄層化し、製造コストを低
減させる観点からは、顔料および／または有機染料を蒸
着して、カラーフィルター層を形成することが好まし
い。
減させる観点からは、顔料および／または有機染料を蒸
着して、カラーフィルター層を形成することが好まし
い。
【００４７】蒸着によって、カラーフィルター層を形成
する場合、顔料としては、無機顔料および有機顔料のい
ずれをも使用可能であり、無機顔料としては、たとえ
ば、金属の複合酸化物などを用いることができ、無機顔
料と有機顔料の混合物を使用することもできる。
する場合、顔料としては、無機顔料および有機顔料のい
ずれをも使用可能であり、無機顔料としては、たとえ
ば、金属の複合酸化物などを用いることができ、無機顔
料と有機顔料の混合物を使用することもできる。
【００４８】顔料および有機染料のうちでは、カラーバ
リエーションの多さから、有機顔料および有機染料が好
ましく使用され、有機顔料および有機染料のうちでも、
有機顔料は、耐熱性があり、有機溶媒や水に溶解しない
ため、とくに好ましい。
リエーションの多さから、有機顔料および有機染料が好
ましく使用され、有機顔料および有機染料のうちでも、
有機顔料は、耐熱性があり、有機溶媒や水に溶解しない
ため、とくに好ましい。
【００４９】カラーフィルター層は、顔料および有機染
料を共蒸着して、形成することができる。
料を共蒸着して、形成することができる。
【００５０】好ましくは、カラーフィルター層は、２種
類以上の顔料および／または２種類以上の有機染料を蒸
着して形成される。２種類以上の顔料および／または２
種類以上の有機染料を蒸着して、カラーフィルター層を
形成する場合には、２種類以上の顔料および／または２
種類以上の有機染料を組み合わせることによって、所望
の光透過特性を有するカラーフィルター層を形成するこ
とが可能になり、緑色のフィルター層など、単一の顔料
または有機染料を蒸着したときには、所望の光透過特性
を有するカラーフィルター層を形成することが困難なと
きにも、所望の光透過特性を有するカラーフィルター層
を形成することが可能になる。
類以上の顔料および／または２種類以上の有機染料を蒸
着して形成される。２種類以上の顔料および／または２
種類以上の有機染料を蒸着して、カラーフィルター層を
形成する場合には、２種類以上の顔料および／または２
種類以上の有機染料を組み合わせることによって、所望
の光透過特性を有するカラーフィルター層を形成するこ
とが可能になり、緑色のフィルター層など、単一の顔料
または有機染料を蒸着したときには、所望の光透過特性
を有するカラーフィルター層を形成することが困難なと
きにも、所望の光透過特性を有するカラーフィルター層
を形成することが可能になる。
【００５１】２種類以上の顔料および／または２種類以
上の有機染料を蒸着して、カラーフィルター層を形成す
る場合には、顔料および／または有機染料を含む各ボー
トを個別に温度制御して、２種類以上の顔料および／ま
たは２種類以上の有機染料を共蒸着して、カラーフィル
ター層を形成することが好ましい。２種類以上の顔料お
よび／または２種類以上の有機染料を共蒸着する場合に
は、同時に蒸着をすることができるから、２以上の蒸着
膜を積層する場合に比し、作業時間を短縮することが可
能になり、また、２種類以上の顔料および／または２種
類以上の有機染料を混合して、蒸着する場合に比し、そ
れぞれの顔料および／または有機染料の蒸気圧が大きく
異なっていても、所望のように、２種類以上の顔料およ
び／または２種類以上の有機染料を含むカラーフィルタ
ー層を形成することが可能になる。
上の有機染料を蒸着して、カラーフィルター層を形成す
る場合には、顔料および／または有機染料を含む各ボー
トを個別に温度制御して、２種類以上の顔料および／ま
たは２種類以上の有機染料を共蒸着して、カラーフィル
ター層を形成することが好ましい。２種類以上の顔料お
よび／または２種類以上の有機染料を共蒸着する場合に
は、同時に蒸着をすることができるから、２以上の蒸着
膜を積層する場合に比し、作業時間を短縮することが可
能になり、また、２種類以上の顔料および／または２種
類以上の有機染料を混合して、蒸着する場合に比し、そ
れぞれの顔料および／または有機染料の蒸気圧が大きく
異なっていても、所望のように、２種類以上の顔料およ
び／または２種類以上の有機染料を含むカラーフィルタ
ー層を形成することが可能になる。
【００５２】２種類以上の顔料および／または２種類以
上の有機染料を蒸着して、カラーフィルター層を形成す
る場合には、２種類以上の顔料および／または２種類以
上の有機染料を、それぞれ、蒸着して形成した２以上の
蒸着層を積層して、カラーフィルター層を形成すること
ができる。２種類以上の顔料および／または２種類以上
の有機染料を共蒸着して、カラーフィルター層を形成す
る場合には、それぞれの添加量を正確に制御することが
必要不可欠で、操作が煩雑であるが、２種類以上の顔料
および／または２種類以上の有機染料を、それぞれ、蒸
着して形成した２以上の蒸着層を積層して、カラーフィ
ルター層を形成するする場合には、簡易に、所望の光透
過特性を有するカラーフィルター層を形成することが可
能になるだけでなく、それぞれの顔料および／または有
機染料の蒸気圧が大きく異なっていても、所望の光透過
特性を有するカラーフィルター層を形成することが可能
になる。
上の有機染料を蒸着して、カラーフィルター層を形成す
る場合には、２種類以上の顔料および／または２種類以
上の有機染料を、それぞれ、蒸着して形成した２以上の
蒸着層を積層して、カラーフィルター層を形成すること
ができる。２種類以上の顔料および／または２種類以上
の有機染料を共蒸着して、カラーフィルター層を形成す
る場合には、それぞれの添加量を正確に制御することが
必要不可欠で、操作が煩雑であるが、２種類以上の顔料
および／または２種類以上の有機染料を、それぞれ、蒸
着して形成した２以上の蒸着層を積層して、カラーフィ
ルター層を形成するする場合には、簡易に、所望の光透
過特性を有するカラーフィルター層を形成することが可
能になるだけでなく、それぞれの顔料および／または有
機染料の蒸気圧が大きく異なっていても、所望の光透過
特性を有するカラーフィルター層を形成することが可能
になる。
【００５３】２種類以上の顔料および／または２種類以
上の有機染料を、それぞれ、蒸着して形成した２以上の
蒸着層を積層して、カラーフィルター層を形成する場
合、各蒸着層を、２種類以上の顔料および／または２種
類以上の有機染料を共蒸着して形成することもできる。
上の有機染料を、それぞれ、蒸着して形成した２以上の
蒸着層を積層して、カラーフィルター層を形成する場
合、各蒸着層を、２種類以上の顔料および／または２種
類以上の有機染料を共蒸着して形成することもできる。
【００５４】カラーフィルター層は、メタルマスク、シ
ャドウマスクなどのマスクを用い、顔料および／または
有機染料をマスク蒸着して形成されることが好ましい。
顔料および／または有機染料をマスク蒸着することによ
って、カラーフィルター層を形成する場合には、所望の
パターンで、カラーフィルター層を形成することが可能
になる。
ャドウマスクなどのマスクを用い、顔料および／または
有機染料をマスク蒸着して形成されることが好ましい。
顔料および／または有機染料をマスク蒸着することによ
って、カラーフィルター層を形成する場合には、所望の
パターンで、カラーフィルター層を形成することが可能
になる。
【００５５】さらに、メタルマスク、シャドウマスクな
どのマスクを用い、顔料および／または有機染料が、メ
タルマスク、シャドウマスクなどのマスクと基板面など
の被蒸着面との隙間から、基板面などの被蒸着面に回り
込むように、蒸着することによって、カラーフィルター
層と、カラーフィルター層が形成されていない領域との
境界部分に形成される壁の角度を数度の範囲に抑制する
ことができ、したがって、カラーフィルター層上に形成
される透明電極および補助配線が切断されるおそれを確
実に防止することが可能になる。
どのマスクを用い、顔料および／または有機染料が、メ
タルマスク、シャドウマスクなどのマスクと基板面など
の被蒸着面との隙間から、基板面などの被蒸着面に回り
込むように、蒸着することによって、カラーフィルター
層と、カラーフィルター層が形成されていない領域との
境界部分に形成される壁の角度を数度の範囲に抑制する
ことができ、したがって、カラーフィルター層上に形成
される透明電極および補助配線が切断されるおそれを確
実に防止することが可能になる。
【００５６】顔料および／または有機染料を蒸着する条
件はとくに限定されるものではないが、１×１０−４パ
スカル以下で、蒸着速度を０．０１ないし１ｎｍ／秒程
度とすることが好ましい。
件はとくに限定されるものではないが、１×１０−４パ
スカル以下で、蒸着速度を０．０１ないし１ｎｍ／秒程
度とすることが好ましい。
【００５７】蒸着によって、カラーフィルター層を形成
する際に用られる有機顔料および有機染料としては公知
の材料を使用することができ、たとえば、赤色用の有機
顔料および有機染料としては、ジケトピロロピロール
系、アンスラキノン系、キナクリドン系、ペリレン系、
アゾ系、ベンズイミダゾロン系などが挙げられ、緑色用
の有機顔料および有機染料としては、ハロゲン化銅フタ
ロシアニン系、アンスラキノン系などが挙げられ、青色
用の有機顔料および有機染料としては、銅フタロシアニ
ン系、インダントロン系などが挙げられる。また、混色
用の黄色用の有機顔料および有機染料としては、イソイ
ンドリン系、イソインドリノン系、キノフタロン系、ジ
スアゾ系などが、紫色用の有機顔料および有機染料とし
ては、ジオキサジン系、アンスラキノン系などが挙げら
れる。
する際に用られる有機顔料および有機染料としては公知
の材料を使用することができ、たとえば、赤色用の有機
顔料および有機染料としては、ジケトピロロピロール
系、アンスラキノン系、キナクリドン系、ペリレン系、
アゾ系、ベンズイミダゾロン系などが挙げられ、緑色用
の有機顔料および有機染料としては、ハロゲン化銅フタ
ロシアニン系、アンスラキノン系などが挙げられ、青色
用の有機顔料および有機染料としては、銅フタロシアニ
ン系、インダントロン系などが挙げられる。また、混色
用の黄色用の有機顔料および有機染料としては、イソイ
ンドリン系、イソインドリノン系、キノフタロン系、ジ
スアゾ系などが、紫色用の有機顔料および有機染料とし
ては、ジオキサジン系、アンスラキノン系などが挙げら
れる。
【００５８】これらの有機顔料および有機染料の中で、
赤色フィルター層を形成するためには、アゾ系の有機顔
料または有機染料が好ましく用いられ、青フィルター層
を形成するためには、銅フタロシアニン系の有機顔料ま
たは有機染料が好ましく用いられる。また、緑赤色フィ
ルター層は、銅フタロシアニン系の有機顔料もしくは有
機染料の蒸着層と、ジスアゾ系の有機顔料もしくは有機
染料の蒸着層とを積層して形成し、または、銅フタロシ
アニン系の有機顔料または有機染料とジスアゾ系の有機
顔料もしくは有機染料を混合して形成することが好まし
い。
赤色フィルター層を形成するためには、アゾ系の有機顔
料または有機染料が好ましく用いられ、青フィルター層
を形成するためには、銅フタロシアニン系の有機顔料ま
たは有機染料が好ましく用いられる。また、緑赤色フィ
ルター層は、銅フタロシアニン系の有機顔料もしくは有
機染料の蒸着層と、ジスアゾ系の有機顔料もしくは有機
染料の蒸着層とを積層して形成し、または、銅フタロシ
アニン系の有機顔料または有機染料とジスアゾ系の有機
顔料もしくは有機染料を混合して形成することが好まし
い。
【００５９】カラーフィルター層を蒸着によって形成す
る場合、カラーフィルター層は厚いほど、色度が向上
し、薄すぎると、カラーフィルター層としての機能が低
下するが、厚くなりすぎると、顔料の結晶が析出した
り、カラーフィルター層にひび割れが生じるため、一般
に１．５μｍ以下であることが好ましい。具体的には、
カラーフィルター層の好ましい厚さは、色によって異な
り、赤色フィルター層は、４００ないし１５０００オン
グストロームの厚さを有していることが好ましく、緑色
フィルター層は、２００ないし１００００オングストロ
ームの青色蒸着層と１０００ないし２０００オングスト
ロームの青色蒸着層とを積層した厚さを有していること
が好ましく、青色フィルター層は、４００ないし１５０
００オングストロームの厚さを有していることが好まし
い。これら赤色フィルター層、緑色フィルター層および
青色フィルター層の厚さは、要求される光学特性に応じ
て、変化させることができる。
る場合、カラーフィルター層は厚いほど、色度が向上
し、薄すぎると、カラーフィルター層としての機能が低
下するが、厚くなりすぎると、顔料の結晶が析出した
り、カラーフィルター層にひび割れが生じるため、一般
に１．５μｍ以下であることが好ましい。具体的には、
カラーフィルター層の好ましい厚さは、色によって異な
り、赤色フィルター層は、４００ないし１５０００オン
グストロームの厚さを有していることが好ましく、緑色
フィルター層は、２００ないし１００００オングストロ
ームの青色蒸着層と１０００ないし２０００オングスト
ロームの青色蒸着層とを積層した厚さを有していること
が好ましく、青色フィルター層は、４００ないし１５０
００オングストロームの厚さを有していることが好まし
い。これら赤色フィルター層、緑色フィルター層および
青色フィルター層の厚さは、要求される光学特性に応じ
て、変化させることができる。
【００６０】カラーフィルター層を、フォトリソグラフ
ィプロセスによって、形成する場合には、Ｒ、Ｇ、Ｂの
各色によって、厚さが大きく異なることがあるため、カ
ラーフィルター層上に、直接、電極および補助配線を形
成するときは、カラーフィルター層上に形成された透明
電極および補助配線が切断されるおそれがあり、所望の
ように、配線をして、有機ＥＬディスプレイパネルとし
て、機能させることが困難になる場合がある。したがっ
て、本発明において、カラーフィルター層を、フォトリ
ソグラフィプロセスによって、形成する場合には、有機
ＥＬ素子は、カラーフィルター層上に、厚さの違いを補
償する平坦化層を有している。
ィプロセスによって、形成する場合には、Ｒ、Ｇ、Ｂの
各色によって、厚さが大きく異なることがあるため、カ
ラーフィルター層上に、直接、電極および補助配線を形
成するときは、カラーフィルター層上に形成された透明
電極および補助配線が切断されるおそれがあり、所望の
ように、配線をして、有機ＥＬディスプレイパネルとし
て、機能させることが困難になる場合がある。したがっ
て、本発明において、カラーフィルター層を、フォトリ
ソグラフィプロセスによって、形成する場合には、有機
ＥＬ素子は、カラーフィルター層上に、厚さの違いを補
償する平坦化層を有している。
【００６１】本発明において、平坦化層を形成する材料
は、とくに限定されるものではなく、たとえば、アクリ
ル樹脂、ポリイミド、エポキシ樹脂、環状オレフィン系
樹脂、シロキサン、アルコキシシラン加水重合体、無機
材料などが、好ましく使用される。
は、とくに限定されるものではなく、たとえば、アクリ
ル樹脂、ポリイミド、エポキシ樹脂、環状オレフィン系
樹脂、シロキサン、アルコキシシラン加水重合体、無機
材料などが、好ましく使用される。
【００６２】本発明において、平坦化層を設けた場合に
は、本発明にかかる窒化シリコンを含有するパッシベー
ション層は、平坦化層の表面に形成される。
は、本発明にかかる窒化シリコンを含有するパッシベー
ション層は、平坦化層の表面に形成される。
【００６３】一方、カラーフィルター層を、蒸着によっ
て形成したときは、薄層化が可能であるため、カラーフ
ィルター層の表面に、平坦化層は形成されず、本発明に
かかる窒化シリコンを含有するパッシベーション層は、
カラーフィルター層の表面に形成される。
て形成したときは、薄層化が可能であるため、カラーフ
ィルター層の表面に、平坦化層は形成されず、本発明に
かかる窒化シリコンを含有するパッシベーション層は、
カラーフィルター層の表面に形成される。
【００６４】本発明において、カラーフィルター層の電
極側に、有機発光層からの発光光を所定の波長の光に変
換する蛍光変換層を設けることができる。
極側に、有機発光層からの発光光を所定の波長の光に変
換する蛍光変換層を設けることができる。
【００６５】フォトリソグラフィプロセスによって形成
されたカラーフィルター層の電極側に、蛍光変換層を設
ける場合には、平坦化層は、蛍光変換層の表面に形成さ
れ、本発明にかかる窒化シリコンを含有するパッシベー
ション層は、蛍光変換層上に形成された平坦化層の表面
に形成される。
されたカラーフィルター層の電極側に、蛍光変換層を設
ける場合には、平坦化層は、蛍光変換層の表面に形成さ
れ、本発明にかかる窒化シリコンを含有するパッシベー
ション層は、蛍光変換層上に形成された平坦化層の表面
に形成される。
【００６６】これに対して、蒸着によって形成されたカ
ラーフィルター層の電極側に、蛍光変換層を設ける場合
には、本発明にかかる窒化シリコンを含有するパッシベ
ーション層は、蛍光変換層および／またはカラーフィル
ター層の表面に形成される。
ラーフィルター層の電極側に、蛍光変換層を設ける場合
には、本発明にかかる窒化シリコンを含有するパッシベ
ーション層は、蛍光変換層および／またはカラーフィル
ター層の表面に形成される。
【００６７】蛍光変換層は、有機発光層から入射した光
によって、励起され、入射光とは異なる波長の光を生成
して、放出する蛍光物質を含んでいる。蛍光物質は、そ
のエネルギー順位で決定される波長の光を放出する物質
であり、蛍光変換層に含まれる蛍光物質としては、赤
色、緑色、青色などの光の三原色に対応する蛍光を発す
る化合物が好ましく使用される。蛍光物質は、短波長の
光を長波長の光に変換することができるため、青色の発
光光を赤色、緑色、黄色の光に変換させることによっ
て、任意の色（波長）の光を生成することができる。
によって、励起され、入射光とは異なる波長の光を生成
して、放出する蛍光物質を含んでいる。蛍光物質は、そ
のエネルギー順位で決定される波長の光を放出する物質
であり、蛍光変換層に含まれる蛍光物質としては、赤
色、緑色、青色などの光の三原色に対応する蛍光を発す
る化合物が好ましく使用される。蛍光物質は、短波長の
光を長波長の光に変換することができるため、青色の発
光光を赤色、緑色、黄色の光に変換させることによっ
て、任意の色（波長）の光を生成することができる。
【００６８】本発明において、蛍光変換層に好ましく使
用することのできる蛍光物質の例としては、たとえば、
特開昭６３−２６４６９２号公報に開示されているキナ
クリドン、ルブレン、スチリル系色素などおよびクマリ
ン、ルモゲンなどの化合物から選択される少なくとも１
種の化合物を挙げることができる。また、下式の構造を
有するトリス（８−キノリナト）アルミニウム（Ａｌｑ
３）などの８−キノリノールまたはその誘導体を配位子
とする金属錯体、テトラフェニルブタジエン、アントラ
セン、ペリレン、コロネン、１２−フタロペリノン誘導
体などの蛍光物質も、蛍光変換層に好ましく使用するこ
とができる。さらには、特開平８−１２６００号公報に
開示されたフェニルアントラセン誘導体や特開平８−１
２９６９号に開示されたテトラアリールエテン誘導体な
ども、蛍光変換層用の蛍光物質として使用することがで
きる。
用することのできる蛍光物質の例としては、たとえば、
特開昭６３−２６４６９２号公報に開示されているキナ
クリドン、ルブレン、スチリル系色素などおよびクマリ
ン、ルモゲンなどの化合物から選択される少なくとも１
種の化合物を挙げることができる。また、下式の構造を
有するトリス（８−キノリナト）アルミニウム（Ａｌｑ
３）などの８−キノリノールまたはその誘導体を配位子
とする金属錯体、テトラフェニルブタジエン、アントラ
セン、ペリレン、コロネン、１２−フタロペリノン誘導
体などの蛍光物質も、蛍光変換層に好ましく使用するこ
とができる。さらには、特開平８−１２６００号公報に
開示されたフェニルアントラセン誘導体や特開平８−１
２９６９号に開示されたテトラアリールエテン誘導体な
ども、蛍光変換層用の蛍光物質として使用することがで
きる。
【００６９】
【化１】
【００７０】本発明において、蛍光変換層を設ける場
合、蛍光変換層の膜厚は、２０００ｎｍ以下が好まし
く、３００ｎｍないし６００ｎｍ程度がとくに好まし
い。
合、蛍光変換層の膜厚は、２０００ｎｍ以下が好まし
く、３００ｎｍないし６００ｎｍ程度がとくに好まし
い。
【００７１】本発明において、蛍光変換層は、フォトリ
ソグラフィプロセスによって形成しても、蒸着プロセス
によって形成してもよい。
ソグラフィプロセスによって形成しても、蒸着プロセス
によって形成してもよい。
【００７２】蛍光変換層を、フォトリソグラフィプロセ
スによって形成する場合には、公知の方法および材料を
使用することができる。
スによって形成する場合には、公知の方法および材料を
使用することができる。
【００７３】有機ＥＬ素子を薄層化し、製造コストを低
減させる観点からは、蛍光物質を蒸着して、蛍光変換層
を形成することが好ましい。
減させる観点からは、蛍光物質を蒸着して、蛍光変換層
を形成することが好ましい。
【００７４】本発明において、蒸着によって、蛍光変換
層を形成する場合には、蛍光変換層は、２種類以上の蛍
光物質を蒸着して、形成されていてもよい。
層を形成する場合には、蛍光変換層は、２種類以上の蛍
光物質を蒸着して、形成されていてもよい。
【００７５】本発明において、２種類以上の蛍光物質を
蒸着して、蛍光変換層を形成する場合には、蛍光物質を
含む各ボートを個別に温度制御して、２種類以上の蛍光
物質を共蒸着して、蛍光変換層を形成することが好まし
い。２種類以上の蛍光物質を共蒸着する場合には、同時
に蒸着をすることができるから、２以上の蒸着膜を積層
する場合に比し、作業時間を短縮することが可能にな
り、また、２種類以上の蛍光物質を混合して、蒸着する
場合に比し、それぞれの蛍光物質の蒸気圧が大きく異な
っていても、所望のように、２種類以上の蛍光物質を含
む蛍光変換層を形成することが可能になる。
蒸着して、蛍光変換層を形成する場合には、蛍光物質を
含む各ボートを個別に温度制御して、２種類以上の蛍光
物質を共蒸着して、蛍光変換層を形成することが好まし
い。２種類以上の蛍光物質を共蒸着する場合には、同時
に蒸着をすることができるから、２以上の蒸着膜を積層
する場合に比し、作業時間を短縮することが可能にな
り、また、２種類以上の蛍光物質を混合して、蒸着する
場合に比し、それぞれの蛍光物質の蒸気圧が大きく異な
っていても、所望のように、２種類以上の蛍光物質を含
む蛍光変換層を形成することが可能になる。
【００７６】本発明において、２種類以上の蛍光物質を
用いて、蒸着によって、蛍光変換層を形成する場合に
は、２種類以上の蛍光物質を、それぞれ、蒸着して形成
した２以上の蒸着層を積層して、蛍光変換層を形成する
ことができる。２種類以上の蛍光物質を共蒸着して、蛍
光変換層を形成する場合には、それぞれの添加量を正確
に制御することが必要不可欠で、操作が煩雑であるが、
２種類以上の蛍光物質を、それぞれ、蒸着して形成した
２以上の蒸着層を積層して、蛍光変換層を形成する場合
には、簡易に、所望の波長変換特性を有する蛍光変換層
を形成することが可能になるだけでなく、それぞれの蛍
光物質の蒸気圧が大きく異なっていても、所望の波長変
換特性を有する蛍光変換層を形成することが可能にな
る。
用いて、蒸着によって、蛍光変換層を形成する場合に
は、２種類以上の蛍光物質を、それぞれ、蒸着して形成
した２以上の蒸着層を積層して、蛍光変換層を形成する
ことができる。２種類以上の蛍光物質を共蒸着して、蛍
光変換層を形成する場合には、それぞれの添加量を正確
に制御することが必要不可欠で、操作が煩雑であるが、
２種類以上の蛍光物質を、それぞれ、蒸着して形成した
２以上の蒸着層を積層して、蛍光変換層を形成する場合
には、簡易に、所望の波長変換特性を有する蛍光変換層
を形成することが可能になるだけでなく、それぞれの蛍
光物質の蒸気圧が大きく異なっていても、所望の波長変
換特性を有する蛍光変換層を形成することが可能にな
る。
【００７７】また、本発明において、２種類以上の蛍光
物質を、それぞれ、蒸着して形成した２以上の蒸着層を
積層して、蛍光変換層を形成する場合、各蒸着層を、２
種類以上の蛍光物質を共蒸着して形成することもでき
る。
物質を、それぞれ、蒸着して形成した２以上の蒸着層を
積層して、蛍光変換層を形成する場合、各蒸着層を、２
種類以上の蛍光物質を共蒸着して形成することもでき
る。
【００７８】本発明において、蛍光物質を蒸着する条件
は、とくに限定されるものではないが、１×１０−４パ
スカル以下で、蒸着速度を０．０１ないし１ｎｍ／秒程
度とすることが好ましい。
は、とくに限定されるものではないが、１×１０−４パ
スカル以下で、蒸着速度を０．０１ないし１ｎｍ／秒程
度とすることが好ましい。
【００７９】本発明にかかる有機ＥＬ素子は、少なくと
も一方が透明な２つの電極の間に、少なくとも一層の有
機発光層を備え、有機発光層は、少なくとも発光機能に
関与する１種または２種の化合物を含んでいる。
も一方が透明な２つの電極の間に、少なくとも一層の有
機発光層を備え、有機発光層は、少なくとも発光機能に
関与する１種または２種の化合物を含んでいる。
【００８０】本発明にかかる有機ＥＬ素子において、少
なくとも一層の有機発光層から発せられる光の波長はと
くに限定されるものではないが、好ましくは、少なくと
も一層の有機発光層が、少なくとも３８０ないし７８０
ｎｍの連続した発光スペクトルを有する白色発光を発す
るように構成されている。
なくとも一層の有機発光層から発せられる光の波長はと
くに限定されるものではないが、好ましくは、少なくと
も一層の有機発光層が、少なくとも３８０ないし７８０
ｎｍの連続した発光スペクトルを有する白色発光を発す
るように構成されている。
【００８１】本発明において、少なくとも一層の有機発
光層が、４３０ｎｍないし６５０ｎｍ以下の連続した発
光スペクトルを有する白色発光を発するように構成され
ていると、とくに好ましい。
光層が、４３０ｎｍないし６５０ｎｍ以下の連続した発
光スペクトルを有する白色発光を発するように構成され
ていると、とくに好ましい。
【００８２】本発明において、有機発光層は、ホール輸
送性化合物もしくは電子輸送性化合物またはこれらの混
合物であるホスト物質を含み、ホール（正孔）および電
子の注入機能、ホールおよび電子の輸送機能ならびにホ
ールおよび電子の再結合により、励起子を生成させる機
能を有しており、電子的に比較的ニュートラルな化合物
を含んでいることが好ましい。
送性化合物もしくは電子輸送性化合物またはこれらの混
合物であるホスト物質を含み、ホール（正孔）および電
子の注入機能、ホールおよび電子の輸送機能ならびにホ
ールおよび電子の再結合により、励起子を生成させる機
能を有しており、電子的に比較的ニュートラルな化合物
を含んでいることが好ましい。
【００８３】有機発光層のホスト物質として用いられる
ホール輸送性化合物としては、トリアゾール誘導体、オ
キサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリ
ールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘
導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導
体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、
スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒ
ドラゾン誘導体、スチルベン誘導体が挙げられ、さら
に、トリフェニルジアミン誘導体が好ましく使用でき
る。
ホール輸送性化合物としては、トリアゾール誘導体、オ
キサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリ
ールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘
導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導
体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、
スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒ
ドラゾン誘導体、スチルベン誘導体が挙げられ、さら
に、トリフェニルジアミン誘導体が好ましく使用でき
る。
【００８４】トリフェニルジアミン誘導体の例として
は、テトラアリールベンジシン化合物（トリアリールジ
アミンないしトリフェニルジアミン：ＴＰＤ）がとくに
好ましい。
は、テトラアリールベンジシン化合物（トリアリールジ
アミンないしトリフェニルジアミン：ＴＰＤ）がとくに
好ましい。
【００８５】テトラアリールベンジシン化合物（ＴＤ
Ｐ）の好ましい具体例は、以下のとおりである。
Ｐ）の好ましい具体例は、以下のとおりである。
【００８６】
【化２】
【００８７】
【化３】
【００８８】
【化４】
【００８９】有機発光層のホスト物質として用いられる
電子輸送性化合物としては、キノリン誘導体が好ましく
使用することができ、さらには、８−キノリノールない
しその誘導体を配位子とする金属錯体、とくに、下式の
構造を有するトリス（８−キノリナト）アルミニウム
（Ａｌｑ３）が好ましく使用される。また、フェニルア
ントラセン誘導体やテトラアリールエテン誘導体も、電
子輸送性化合物として使用することができる。
電子輸送性化合物としては、キノリン誘導体が好ましく
使用することができ、さらには、８−キノリノールない
しその誘導体を配位子とする金属錯体、とくに、下式の
構造を有するトリス（８−キノリナト）アルミニウム
（Ａｌｑ３）が好ましく使用される。また、フェニルア
ントラセン誘導体やテトラアリールエテン誘導体も、電
子輸送性化合物として使用することができる。
【００９０】
【化５】 本発明において、有機発光層は、ホール輸送性化合物も
しくは電子輸送性化合物またはこれらの混合物であるホ
スト物質に、蛍光物質であるドーパントがドープされた
構造を有していることが好ましい。
しくは電子輸送性化合物またはこれらの混合物であるホ
スト物質に、蛍光物質であるドーパントがドープされた
構造を有していることが好ましい。
【００９１】また、本発明にかかる有機ＥＬ素子は、好
ましくは、互いに積層された２層の有機発光層を備えて
いる。２層の有機発光層を形成する場合には、それぞれ
に、異なった発光波長を有する蛍光物質をドーピングす
ることによって、広い発光波長帯域を確保し、また、発
光色の色彩の自由度を向上させることができる。
ましくは、互いに積層された２層の有機発光層を備えて
いる。２層の有機発光層を形成する場合には、それぞれ
に、異なった発光波長を有する蛍光物質をドーピングす
ることによって、広い発光波長帯域を確保し、また、発
光色の色彩の自由度を向上させることができる。
【００９２】本発明において、ドーパントとして含有さ
せる蛍光物質としては、たとえば、特開昭６３−２６４
６９２号公報に開示された化合物、具体的には、ルブレ
ン系化合物、クマリン系化合物、キナクリドン系化合
物、ジシアノメチルピラン系化合物などの化合物よりな
る群から選ばれる１種以上の化合物が好ましく使用でき
る。
せる蛍光物質としては、たとえば、特開昭６３−２６４
６９２号公報に開示された化合物、具体的には、ルブレ
ン系化合物、クマリン系化合物、キナクリドン系化合
物、ジシアノメチルピラン系化合物などの化合物よりな
る群から選ばれる１種以上の化合物が好ましく使用でき
る。
【００９３】本発明に好ましく使用できる蛍光物質の例
を挙げると、以下のとおりである。
を挙げると、以下のとおりである。
【００９４】
【化６】
【００９５】
【化７】
【００９６】
【化８】
【００９７】
【化９】
【００９８】さらに、本発明においては、特開２０００
−２６３３４号公報および特開２０００−２６３３７号
公報に記載されているナフタセン系化合物も、ドーパン
トとして含有させる蛍光物質として、好ましく使用する
ことができ、ルブレン系化合物、クマリン系化合物、キ
ナクリドン系化合物、ジシアノメチルピラン系化合物な
どと併用することによって、有機ＥＬ素子の寿命を飛躍
的に向上させることができる。
−２６３３４号公報および特開２０００−２６３３７号
公報に記載されているナフタセン系化合物も、ドーパン
トとして含有させる蛍光物質として、好ましく使用する
ことができ、ルブレン系化合物、クマリン系化合物、キ
ナクリドン系化合物、ジシアノメチルピラン系化合物な
どと併用することによって、有機ＥＬ素子の寿命を飛躍
的に向上させることができる。
【００９９】本発明において、ドーパントとして含有さ
せる蛍光物質として、好ましく使用することのできるナ
フタセン系化合物は、式（Ｉ）で示される基本骨格を有
している。
せる蛍光物質として、好ましく使用することのできるナ
フタセン系化合物は、式（Ｉ）で示される基本骨格を有
している。
【０１００】
【化１０】
【０１０１】式（Ｉ）において、Ｒ１ないしＲ４は、そ
れぞれ、非置換または置換基を有するアルキル基、アリ
ール基、アミノ基、複素環基およびアルケニル基のいず
れかを表わし、アリール基、アミノ基、複素環基および
アルケニル基のいずれかであることが好ましくい。
れぞれ、非置換または置換基を有するアルキル基、アリ
ール基、アミノ基、複素環基およびアルケニル基のいず
れかを表わし、アリール基、アミノ基、複素環基および
アルケニル基のいずれかであることが好ましくい。
【０１０２】Ｒ１ないしＲ４で表わされるアリール基と
しては、単環でも、多環でもよく、縮合環や環集合のも
のも含んでいる。総炭素数は、６ないし３０であること
が好ましく、置換基を有していてもよい。
しては、単環でも、多環でもよく、縮合環や環集合のも
のも含んでいる。総炭素数は、６ないし３０であること
が好ましく、置換基を有していてもよい。
【０１０３】Ｒ１ないしＲ４で表わされるアリール基と
しては、フェニル基、（ｏ−，ｍ−，ｐ−）トリル基、
ピレニル基、ペリレニル基、コロネニル基、（１−、お
よび２−）ナフチル基、アントリル基、（ｏ−，ｍ−，
ｐ−）ビフェニリル基、ターフェニル基、フェナントリ
ル基などが好ましい。
しては、フェニル基、（ｏ−，ｍ−，ｐ−）トリル基、
ピレニル基、ペリレニル基、コロネニル基、（１−、お
よび２−）ナフチル基、アントリル基、（ｏ−，ｍ−，
ｐ−）ビフェニリル基、ターフェニル基、フェナントリ
ル基などが好ましい。
【０１０４】Ｒ１ないしＲ４で表わされるアミノ基とし
ては、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキ
ルアミノ基などのいずれであってもよい。これらは、総
炭素数１ないし６の脂肪族および／または１なし４環の
芳香族炭素環を有していることが好ましい。具体的に
は，ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジブチルア
ミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ビス
ジフェニルアミノ基、ビスナフチルアミノ基などが含ま
れる。
ては、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキ
ルアミノ基などのいずれであってもよい。これらは、総
炭素数１ないし６の脂肪族および／または１なし４環の
芳香族炭素環を有していることが好ましい。具体的に
は，ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジブチルア
ミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ビス
ジフェニルアミノ基、ビスナフチルアミノ基などが含ま
れる。
【０１０５】Ｒ１ないしＲ４で表わされる複素環基とし
ては、ヘテロ原子として、Ｏ、Ｎ、Ｓを含有する５員環
または６員環の芳香族複素環基、炭素数２ないし２０の
縮合多環芳香族複素環基などが挙げられる。
ては、ヘテロ原子として、Ｏ、Ｎ、Ｓを含有する５員環
または６員環の芳香族複素環基、炭素数２ないし２０の
縮合多環芳香族複素環基などが挙げられる。
【０１０６】Ｒ１ないしＲ４で表わされるアルケニル基
としては、少なくとも置換基の１つにフェニル基を有す
る（１−および２−）フェニルアルケニル基、（１，２
−および２，２−）ジフェニルアルケニル基、（１，
２，２−）トリフェニルアルケニル基などが好ましい
が、非置換のものであってもよい。
としては、少なくとも置換基の１つにフェニル基を有す
る（１−および２−）フェニルアルケニル基、（１，２
−および２，２−）ジフェニルアルケニル基、（１，
２，２−）トリフェニルアルケニル基などが好ましい
が、非置換のものであってもよい。
【０１０７】芳香族複素環基および縮合多環芳香族複素
環基としては、たとえば、チエニル基、フリル基、ピロ
リル基、ピリジン基、キノリル基、キノキサリルなどが
挙げられる。
環基としては、たとえば、チエニル基、フリル基、ピロ
リル基、ピリジン基、キノリル基、キノキサリルなどが
挙げられる。
【０１０８】Ｒ１ないしＲ４が置換基を有する場合、こ
れらの置換基のうちの少なくとも２つがアリール基、ア
ミノ基、複素環基、アルケニル基およびアリーロキシ基
のいずれかであることが好ましい。アリール基、アミノ
基、複素環基およびアルケニル基については、Ｒ１ない
しＲ４と同様のものが使用できる。
れらの置換基のうちの少なくとも２つがアリール基、ア
ミノ基、複素環基、アルケニル基およびアリーロキシ基
のいずれかであることが好ましい。アリール基、アミノ
基、複素環基およびアルケニル基については、Ｒ１ない
しＲ４と同様のものが使用できる。
【０１０９】Ｒ１ないしＲ４の置換基となるアリーロキ
シ基としては、総炭素数６ないし１８のアリール基を有
するものが好ましく、具体的には、（ｏ−，ｍ−，ｐ
−）フェノキシ基などが挙げられる。
シ基としては、総炭素数６ないし１８のアリール基を有
するものが好ましく、具体的には、（ｏ−，ｍ−，ｐ
−）フェノキシ基などが挙げられる。
【０１１０】これらの置換基の２種以上が、縮合環を形
成し、あるいは、さらに、置換されていてもよい。置換
されている場合、好ましい置換基は、前記置換基を同様
である。
成し、あるいは、さらに、置換されていてもよい。置換
されている場合、好ましい置換基は、前記置換基を同様
である。
【０１１１】Ｒ１ないしＲ４が置換基を有する場合に
は、少なくとも、その２種以上が前記置換基を有してい
ることが好ましい。その置換位置は、とくに限定される
ものではなく，メタ、パラ、オルト位のいずれであって
もよい。また、Ｒ１とＲ４、Ｒ ２とＲ３は、それぞれ同
じものであることが好ましいが、互いに異なるものであ
ってもよい。
は、少なくとも、その２種以上が前記置換基を有してい
ることが好ましい。その置換位置は、とくに限定される
ものではなく，メタ、パラ、オルト位のいずれであって
もよい。また、Ｒ１とＲ４、Ｒ ２とＲ３は、それぞれ同
じものであることが好ましいが、互いに異なるものであ
ってもよい。
【０１１２】式（Ｉ）において、Ｒ１ないしＲ８のう
ち、少なくとも５種以上、好ましくは６種以上が、非置
換または置換基を有するアルキル基、アリール基、アミ
ノ基、アルケニル基または複素環基である。
ち、少なくとも５種以上、好ましくは６種以上が、非置
換または置換基を有するアルキル基、アリール基、アミ
ノ基、アルケニル基または複素環基である。
【０１１３】Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８で表わされる
アルキル基としては、炭素数が１ないし６のものが好ま
しいが、直鎖状であっても、分岐を有していてもよい。
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８で表わされるアルキル基の
好ましい具体例としては、メチル基、エチル基、（ｎ，
ｉ）プロピル基、（ｎ，ｉ，ｓｅｃ，ｔｅｒｔ）−ブチ
ル基、（ｎ，ｉ，ｎｅｏ，ｔｅｒｔ）−ペンチル基など
が挙げられる。
アルキル基としては、炭素数が１ないし６のものが好ま
しいが、直鎖状であっても、分岐を有していてもよい。
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８で表わされるアルキル基の
好ましい具体例としては、メチル基、エチル基、（ｎ，
ｉ）プロピル基、（ｎ，ｉ，ｓｅｃ，ｔｅｒｔ）−ブチ
ル基、（ｎ，ｉ，ｎｅｏ，ｔｅｒｔ）−ペンチル基など
が挙げられる。
【０１１４】Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８で表わされる
アリール基、アミノ基およびアルケニル基としては、Ｒ
１ないしＲ４と同様のものが使用できる。また、Ｒ５と
Ｒ６、Ｒ７とＲ８は、それぞれ同じものであることが好
ましいが、互いに異なるものであってもよい。
アリール基、アミノ基およびアルケニル基としては、Ｒ
１ないしＲ４と同様のものが使用できる。また、Ｒ５と
Ｒ６、Ｒ７とＲ８は、それぞれ同じものであることが好
ましいが、互いに異なるものであってもよい。
【０１１５】本発明において、ドーパントとして含有さ
せる蛍光物質として、好ましく使用することのできる化
合物には、たとえば、次のものが挙げられる。
せる蛍光物質として、好ましく使用することのできる化
合物には、たとえば、次のものが挙げられる。
【０１１６】
【化１１】
【０１１７】
【化１２】
【０１１８】二層の有機発光層を設ける場合、各有機発
光層が、２種以上のこれらの蛍光物質を含み、２種以上
の蛍光物質が、異なった発光波長を有していることが好
ましい。
光層が、２種以上のこれらの蛍光物質を含み、２種以上
の蛍光物質が、異なった発光波長を有していることが好
ましい。
【０１１９】本発明において、有機発光層におけるドー
パントの含有量は、０．０１ないし２０重量％であるこ
とが好ましく、さらに好ましくは，０．１ないし１５重
量％である。
パントの含有量は、０．０１ないし２０重量％であるこ
とが好ましく、さらに好ましくは，０．１ないし１５重
量％である。
【０１２０】本発明において、有機発光層の厚さはとく
に限定されるものではなく、その好ましい厚さは、形成
方法によっても異なるが、通常、５ないし５００ｎｍ、
さらに好ましくは、１０ないし３００ｎｍである。
に限定されるものではなく、その好ましい厚さは、形成
方法によっても異なるが、通常、５ないし５００ｎｍ、
さらに好ましくは、１０ないし３００ｎｍである。
【０１２１】本発明において、二層以上の有機発光層を
形成する場合、各有機発光層の厚さは、分子層一層分に
相当する厚さから、有機発光層全体の厚さ未満の範囲に
あり、具体的には、１ないし８５ｎｍ、好ましくは５な
いし６０ｎｍ、さらに好ましくは５ないし５０ｎｍであ
る。
形成する場合、各有機発光層の厚さは、分子層一層分に
相当する厚さから、有機発光層全体の厚さ未満の範囲に
あり、具体的には、１ないし８５ｎｍ、好ましくは５な
いし６０ｎｍ、さらに好ましくは５ないし５０ｎｍであ
る。
【０１２２】本発明において、好ましくは、有機発光層
は蒸着によって形成される。
は蒸着によって形成される。
【０１２３】本発明において、有機発光層を、蒸着によ
って形成する条件は、とくに限定されるものではない
が、１×１０−４パスカル以下で、蒸着速度を０．０１
ないし１ｎｍ／秒程度とすることが好ましい。
って形成する条件は、とくに限定されるものではない
が、１×１０−４パスカル以下で、蒸着速度を０．０１
ないし１ｎｍ／秒程度とすることが好ましい。
【０１２４】本発明において、好ましくは、有機発光層
は、ホール輸送性化合物と電子注入輸送性化合物の混合
物を含んでいる。
は、ホール輸送性化合物と電子注入輸送性化合物の混合
物を含んでいる。
【０１２５】有機発光層が、ホール輸送性化合物と電子
注入輸送性化合物の混合物を含んでいる場合には，キャ
リアのホッピング伝導パスが形成されるため、各キャリ
アは極性的に優勢な物質中を移動し、逆の極性のキャリ
ア注入が起こり難くなり、したがって、有機発光層に含
まれた化合物がダメージを受けることが防止されるの
で、素子の寿命を向上させることができるという利点が
ある。
注入輸送性化合物の混合物を含んでいる場合には，キャ
リアのホッピング伝導パスが形成されるため、各キャリ
アは極性的に優勢な物質中を移動し、逆の極性のキャリ
ア注入が起こり難くなり、したがって、有機発光層に含
まれた化合物がダメージを受けることが防止されるの
で、素子の寿命を向上させることができるという利点が
ある。
【０１２６】さらに、蛍光物質からなるドーパントを、
ホール輸送性化合物および電子注入輸送性化合物の混合
物を含んだ有機発光層に含有させることによって、有機
発光層自体が有する発光波長特性を変化させることがで
き，発光波長を長波長側に移行させるとともに、発光強
度を向上させ、さらには、有機ＥＬ素子の安定性を向上
させることが可能になる。
ホール輸送性化合物および電子注入輸送性化合物の混合
物を含んだ有機発光層に含有させることによって、有機
発光層自体が有する発光波長特性を変化させることがで
き，発光波長を長波長側に移行させるとともに、発光強
度を向上させ、さらには、有機ＥＬ素子の安定性を向上
させることが可能になる。
【０１２７】有機発光層が、ホール輸送性化合物および
電子注入輸送性化合物の混合物を含んでいる場合、ホー
ル輸送性化合物と電子注入輸送性化合物の混合比は、そ
れぞれのキャリア移動度とキャリア濃度にしたがって決
定されるが、一般的には、重量比で、１／９９ないし９
９／１、好ましくは、１０／９０ないし９０／１０、さ
らに好ましくは、２０／８０ないし８０／２０、最も好
ましくは、４０／６０ないし６０／４０が選ばれる。
電子注入輸送性化合物の混合物を含んでいる場合、ホー
ル輸送性化合物と電子注入輸送性化合物の混合比は、そ
れぞれのキャリア移動度とキャリア濃度にしたがって決
定されるが、一般的には、重量比で、１／９９ないし９
９／１、好ましくは、１０／９０ないし９０／１０、さ
らに好ましくは、２０／８０ないし８０／２０、最も好
ましくは、４０／６０ないし６０／４０が選ばれる。
【０１２８】ホール輸送性化合物および電子注入輸送性
化合物の混合物を含む有機発光層を形成する場合には、
ホール輸送性化合物と電子注入輸送性化合物を、異なる
蒸着源に入れて、蒸発させ、共蒸着することが好ましい
が、ホール輸送性化合物と電子注入輸送性化合物の蒸気
圧が同程度あるいは非常に近い場合には、あらかじめ同
じ蒸着源内で混合させておき、蒸着することもできる。
化合物の混合物を含む有機発光層を形成する場合には、
ホール輸送性化合物と電子注入輸送性化合物を、異なる
蒸着源に入れて、蒸発させ、共蒸着することが好ましい
が、ホール輸送性化合物と電子注入輸送性化合物の蒸気
圧が同程度あるいは非常に近い場合には、あらかじめ同
じ蒸着源内で混合させておき、蒸着することもできる。
【０１２９】ホール輸送性化合物および電子注入輸送性
化合物の混合物を含む有機発光層を形成する場合、有機
発光層内で、ホール輸送性化合物と電子注入輸送性化合
物とが均一に混合していることが好ましいが、均一に混
合していることは必ずしも必要でない。
化合物の混合物を含む有機発光層を形成する場合、有機
発光層内で、ホール輸送性化合物と電子注入輸送性化合
物とが均一に混合していることが好ましいが、均一に混
合していることは必ずしも必要でない。
【０１３０】本発明において、有機ＥＬ素子は、好まし
くは、少なくとも一層の有機発光層に加えて、ホール注
入電極からのホールの注入を容易にする機能、ホールを
安定的に輸送する機能および電子の輸送を妨げる機能を
有するホール注入輸送層、ならびに、電子注入電極から
の電子の注入を容易にする機能、電子を安定的に輸送す
る機能およびホールの輸送を妨げる機能を有する電子注
入輸送層を備えている。これらの層を備えることによっ
て、有機発光層に注入されるホールや電子を増大させる
とともに、有機発光層内に閉じ込めさせ、再結合領域を
最適化させ、発光効率を向上させることが可能になる。
くは、少なくとも一層の有機発光層に加えて、ホール注
入電極からのホールの注入を容易にする機能、ホールを
安定的に輸送する機能および電子の輸送を妨げる機能を
有するホール注入輸送層、ならびに、電子注入電極から
の電子の注入を容易にする機能、電子を安定的に輸送す
る機能およびホールの輸送を妨げる機能を有する電子注
入輸送層を備えている。これらの層を備えることによっ
て、有機発光層に注入されるホールや電子を増大させる
とともに、有機発光層内に閉じ込めさせ、再結合領域を
最適化させ、発光効率を向上させることが可能になる。
【０１３１】本発明において、さらに好ましくは、有機
ＥＬ素子は、ホール注入電極、ホール注入電極からのホ
ールの注入を容易にする機能を有するホール注入層、ホ
ールを安定的に輸送するとともに、電子の輸送を妨げる
機能を有するホール輸送層、二層の有機発光層、電子を
安定的に輸送するとともにホールの輸送を妨げる機能を
有する電子輸送層、電子注入電極からの電子の注入を容
易にする機能を有する電子注入層および電子注入電極を
備えている。
ＥＬ素子は、ホール注入電極、ホール注入電極からのホ
ールの注入を容易にする機能を有するホール注入層、ホ
ールを安定的に輸送するとともに、電子の輸送を妨げる
機能を有するホール輸送層、二層の有機発光層、電子を
安定的に輸送するとともにホールの輸送を妨げる機能を
有する電子輸送層、電子注入電極からの電子の注入を容
易にする機能を有する電子注入層および電子注入電極を
備えている。
【０１３２】本発明において、ホール注入輸送層、ホー
ル注入層およびホール輸送層に、好ましく使用すること
ができる化合物としては、例えば、テトラアリールベン
ジシン化合物（トリアリールジアミンないしトリフェニ
ルジアミン：ＴＰＤ）、芳香族三級アミン、ヒドラゾン
誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イ
ミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサジアゾール
誘導体、ポリチオフェンなどを挙げることができる。こ
れらのうち、テトラアリールベンジシン化合物（トリア
リールジアミンないしトリフェニルジアミン：ＴＰ
Ｄ）、ＷＯ／９８／３００７１号に記載されているトリ
アリールアミン多量体（ＡＴＰ）が、とくに好ましく使
用することができる。
ル注入層およびホール輸送層に、好ましく使用すること
ができる化合物としては、例えば、テトラアリールベン
ジシン化合物（トリアリールジアミンないしトリフェニ
ルジアミン：ＴＰＤ）、芳香族三級アミン、ヒドラゾン
誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イ
ミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサジアゾール
誘導体、ポリチオフェンなどを挙げることができる。こ
れらのうち、テトラアリールベンジシン化合物（トリア
リールジアミンないしトリフェニルジアミン：ＴＰ
Ｄ）、ＷＯ／９８／３００７１号に記載されているトリ
アリールアミン多量体（ＡＴＰ）が、とくに好ましく使
用することができる。
【０１３３】トリアリールアミン多量体（ＡＴＰ）の好
ましい具体例は、以下のとおりである。
ましい具体例は、以下のとおりである。
【０１３４】
【化１３】
【０１３５】
【化１４】
【０１３６】
【化１５】
【０１３７】本発明において、さらには、特開昭６３−
２９５６９５号公報、特開平２−１９１６９４号公報、
特開平３−７９２号公報、特開平５−２３４６８１号公
報、特開平５−２３９４５５号公報、特開平５−２９９
１７４号公報、特開平７−１２６２２５号公報、特開平
７−１２６２２６号公報、特開平８−１００１７２号公
報、ＥＰ０６５０９５５Ａ１などに記載されている各種
有機化合物も、ホール注入輸送層、ホール注入層および
ホール輸送層に使用することができる。
２９５６９５号公報、特開平２−１９１６９４号公報、
特開平３−７９２号公報、特開平５−２３４６８１号公
報、特開平５−２３９４５５号公報、特開平５−２９９
１７４号公報、特開平７−１２６２２５号公報、特開平
７−１２６２２６号公報、特開平８−１００１７２号公
報、ＥＰ０６５０９５５Ａ１などに記載されている各種
有機化合物も、ホール注入輸送層、ホール注入層および
ホール輸送層に使用することができる。
【０１３８】本発明において、２種以上のこれらの化合
物を併用してもよく、２種以上のこれらの化合物を併用
する場合には、一層中に混合しても、また、２以上の層
として、積層してもよい。
物を併用してもよく、２種以上のこれらの化合物を併用
する場合には、一層中に混合しても、また、２以上の層
として、積層してもよい。
【０１３９】ホール注入輸送層を分割して、ホール注入
層およびホール輸送層を設ける場合には、前記化合物の
中から、好ましい組み合わせを選択して、使用すること
ができる。このとき、ＩＴＯなどのホール注入電極側か
ら、イオン化ポテンシャルの小さい化合物の層の順に、
積層することが好ましい。また、ホール注入電極表面に
は、薄膜性の良好な化合物の層を形成することが好まし
い。とくに、前記ＡＴＰをホール注入層に用い、前記Ｔ
ＰＤをホール輸送層に用いると、好ましい。前記ＡＴＰ
をホール注入層に用い、前記ＴＰＤをホール輸送層に用
いることによって、駆動電圧が低下し、電流リークの発
生やダークスポットの発生および成長を防止することが
できる。
層およびホール輸送層を設ける場合には、前記化合物の
中から、好ましい組み合わせを選択して、使用すること
ができる。このとき、ＩＴＯなどのホール注入電極側か
ら、イオン化ポテンシャルの小さい化合物の層の順に、
積層することが好ましい。また、ホール注入電極表面に
は、薄膜性の良好な化合物の層を形成することが好まし
い。とくに、前記ＡＴＰをホール注入層に用い、前記Ｔ
ＰＤをホール輸送層に用いると、好ましい。前記ＡＴＰ
をホール注入層に用い、前記ＴＰＤをホール輸送層に用
いることによって、駆動電圧が低下し、電流リークの発
生やダークスポットの発生および成長を防止することが
できる。
【０１４０】本発明において、ホール注入輸送層、ホー
ル注入層およびホール輸送層は、前記化合物を蒸着する
ことによって形成することができる。蒸着によって、素
子化する場合には、均一で、ピンホールのない１ないし
１０ｎｍ程度の薄膜を形成することができるため、ホー
ル注入層にイオン化ポテンシャルが小さく、可視波長の
光を吸収する化合物を用いても、発光色の色調変化や再
吸収による発光効率の低下を防止することができる。
ル注入層およびホール輸送層は、前記化合物を蒸着する
ことによって形成することができる。蒸着によって、素
子化する場合には、均一で、ピンホールのない１ないし
１０ｎｍ程度の薄膜を形成することができるため、ホー
ル注入層にイオン化ポテンシャルが小さく、可視波長の
光を吸収する化合物を用いても、発光色の色調変化や再
吸収による発光効率の低下を防止することができる。
【０１４１】本発明において、電子注入輸送層を、電子
注入層と電子輸送層とに分割することもでき、電子注入
輸送層、電子注入層および電子輸送層に、好ましく使用
することができる化合物としては、たとえば、トリス
（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）などの
８−キノリノールないしその誘導体を配位子とする有機
金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、
ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導
体などを挙げることができる。
注入層と電子輸送層とに分割することもでき、電子注入
輸送層、電子注入層および電子輸送層に、好ましく使用
することができる化合物としては、たとえば、トリス
（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）などの
８−キノリノールないしその誘導体を配位子とする有機
金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、
ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導
体などを挙げることができる。
【０１４２】本発明において、電子注入輸送層、電子注
入層および電子輸送層は、前記化合物を蒸着することに
よって形成することができる。
入層および電子輸送層は、前記化合物を蒸着することに
よって形成することができる。
【０１４３】本発明において、有機発光層、ホール注入
輸送層あるいはホール注入層およびホール輸送層、なら
びに、電子注入輸送層あるいは電子注入層および電子輸
送層の各層を、蒸着によって形成する条件はとくに限定
されるものではないが、１×１０−４パスカル以下で、
蒸着速度を０．０１ないし１ｎｍ／秒程度とすることが
好ましい。各層は、１×１０−４パスカル以下の減圧下
で、連続して、形成されることが好ましい。１×１０
−４パスカル以下の減圧下で、連続して、各層を形成す
ることによって、各層の界面に不純物が吸着されること
を防止することができるから、高特性の有機ＥＬ素子を
得ることが可能になるとともに、有機ＥＬ素子の駆動電
圧を低下させ、ダークスポットが発生し、成長すること
を抑制することができる。
輸送層あるいはホール注入層およびホール輸送層、なら
びに、電子注入輸送層あるいは電子注入層および電子輸
送層の各層を、蒸着によって形成する条件はとくに限定
されるものではないが、１×１０−４パスカル以下で、
蒸着速度を０．０１ないし１ｎｍ／秒程度とすることが
好ましい。各層は、１×１０−４パスカル以下の減圧下
で、連続して、形成されることが好ましい。１×１０
−４パスカル以下の減圧下で、連続して、各層を形成す
ることによって、各層の界面に不純物が吸着されること
を防止することができるから、高特性の有機ＥＬ素子を
得ることが可能になるとともに、有機ＥＬ素子の駆動電
圧を低下させ、ダークスポットが発生し、成長すること
を抑制することができる。
【０１４４】本発明において、有機発光層、ホール注入
輸送層、ホール注入層、ホール輸送層、電子注入輸送
層、電子注入層あるいは電子輸送層に、２種以上の化合
物を含有させる場合には、化合物を入れた各ボートを個
別に温度制御して、共蒸着によって、有機発光層、ホー
ル注入輸送層、ホール注入層、ホール輸送層、電子注入
輸送層、電子注入層あるいは電子輸送層を形成すること
が好ましい。
輸送層、ホール注入層、ホール輸送層、電子注入輸送
層、電子注入層あるいは電子輸送層に、２種以上の化合
物を含有させる場合には、化合物を入れた各ボートを個
別に温度制御して、共蒸着によって、有機発光層、ホー
ル注入輸送層、ホール注入層、ホール輸送層、電子注入
輸送層、電子注入層あるいは電子輸送層を形成すること
が好ましい。
【０１４５】本発明において、前記ホール注入輸送層ま
たは前記ホール注入層および前記ホール輸送層に代え
て、あるいは、これらに加えて、ホールの導通パスを備
え、電子をブロックする機能を有する高抵抗の無機ホー
ル注入輸送層を設けることもできる。
たは前記ホール注入層および前記ホール輸送層に代え
て、あるいは、これらに加えて、ホールの導通パスを備
え、電子をブロックする機能を有する高抵抗の無機ホー
ル注入輸送層を設けることもできる。
【０１４６】このように、ホールの導通パスを備え、電
子をブロックする機能を有する高抵抗の無機ホール注入
輸送層を設けることによって、有機発光層にホールを効
率よく注入することができ、発光効率を向上させること
が可能となるとともに、駆動電圧を低下させることが可
能になる。さらには、ホールの導通パスを備え、電子を
ブロックする機能を有する高抵抗の無機ホール注入輸送
層を設けることによって、有機ＥＬディスプレイパネル
および有機ＥＬ素子の厚さを減少させることができ、蒸
着によって、カラーフィルター層ないしカラーフィルタ
ーを形成することによって薄層化された有機ＥＬディス
プレイパネルおよび有機ＥＬ素子をより一層薄層化する
ことが可能となる。
子をブロックする機能を有する高抵抗の無機ホール注入
輸送層を設けることによって、有機発光層にホールを効
率よく注入することができ、発光効率を向上させること
が可能となるとともに、駆動電圧を低下させることが可
能になる。さらには、ホールの導通パスを備え、電子を
ブロックする機能を有する高抵抗の無機ホール注入輸送
層を設けることによって、有機ＥＬディスプレイパネル
および有機ＥＬ素子の厚さを減少させることができ、蒸
着によって、カラーフィルター層ないしカラーフィルタ
ーを形成することによって薄層化された有機ＥＬディス
プレイパネルおよび有機ＥＬ素子をより一層薄層化する
ことが可能となる。
【０１４７】本発明において、無機ホール注入輸送層の
主成分として、シリコンやゲルマニウムなどの金属ある
いは半金属の酸化物を用い、これに、仕事関数が４．５
ｅＶ以上、好ましくは、４．５ないし６．０ｅＶの金
属、半金属およびこれらの酸化物、炭化物、窒化物、ケ
イ化物、硼化物のいずれか１種以上を含有させて、ホー
ルの導通パスを形成すると、ホール注入電極から有機発
光層へ、ホールを効率よく注入することができるだけで
なく、有機発光層からホール注入電極への電子の移動を
抑制して、有機発光層において、ホールと電子とを効率
よく再結合させることができ、好ましい。
主成分として、シリコンやゲルマニウムなどの金属ある
いは半金属の酸化物を用い、これに、仕事関数が４．５
ｅＶ以上、好ましくは、４．５ないし６．０ｅＶの金
属、半金属およびこれらの酸化物、炭化物、窒化物、ケ
イ化物、硼化物のいずれか１種以上を含有させて、ホー
ルの導通パスを形成すると、ホール注入電極から有機発
光層へ、ホールを効率よく注入することができるだけで
なく、有機発光層からホール注入電極への電子の移動を
抑制して、有機発光層において、ホールと電子とを効率
よく再結合させることができ、好ましい。
【０１４８】高抵抗の無機ホール注入輸送層を設ける場
合には、従来の有機のホール注入輸送層や、有機のホー
ル注入層、有機のホール輸送層を有する有機ＥＬ素子に
比して、同等か、それ以上の輝度を得ることができ、し
かも、耐熱性、耐候性が高いので、寿命が長く、無機材
料であるホール注入電極との接続性も良好になり、その
ため、リークやダークスポットの発生も少ないという利
点がある。さらには、比較的高価な有機物質とは異な
り、無機ホール注入輸送層を形成するための無機物質
は、安価で、入手がしやすく、無機ホール注入輸送層の
形成も容易であるので、有機ＥＬ素子ないし有機ＥＬデ
ィスプレイパネルの製造コストを低減させることができ
る。
合には、従来の有機のホール注入輸送層や、有機のホー
ル注入層、有機のホール輸送層を有する有機ＥＬ素子に
比して、同等か、それ以上の輝度を得ることができ、し
かも、耐熱性、耐候性が高いので、寿命が長く、無機材
料であるホール注入電極との接続性も良好になり、その
ため、リークやダークスポットの発生も少ないという利
点がある。さらには、比較的高価な有機物質とは異な
り、無機ホール注入輸送層を形成するための無機物質
は、安価で、入手がしやすく、無機ホール注入輸送層の
形成も容易であるので、有機ＥＬ素子ないし有機ＥＬデ
ィスプレイパネルの製造コストを低減させることができ
る。
【０１４９】高抵抗の無機ホール注入輸送層の抵抗率
は、１Ω・ｃｍないし１×１０１１Ω・ｃｍであること
が好ましく、１×１０３Ω・ｃｍないし１×１０８Ω・
ｃｍであることが、とくに好ましい。無機ホール注入輸
送層の抵抗率をかかる範囲に設定することによって、高
い電子ブロック性を維持しつつ、ホール注入効率を飛躍
的に向上させることが可能になる。高抵抗の無機ホール
注入輸送層の抵抗率は、シート抵抗と膜厚からも求める
ことができる。
は、１Ω・ｃｍないし１×１０１１Ω・ｃｍであること
が好ましく、１×１０３Ω・ｃｍないし１×１０８Ω・
ｃｍであることが、とくに好ましい。無機ホール注入輸
送層の抵抗率をかかる範囲に設定することによって、高
い電子ブロック性を維持しつつ、ホール注入効率を飛躍
的に向上させることが可能になる。高抵抗の無機ホール
注入輸送層の抵抗率は、シート抵抗と膜厚からも求める
ことができる。
【０１５０】高抵抗の無機ホール注入輸送層は、シリコ
ンとゲルマニウムの酸化物（Ｓｉ１ −ｘＧｅｘ）Ｏｙを
主成分とすることが好ましく、ここに、ｘは０ないし
１、ｙは１．７ないし２．２、好ましくは、１．７ない
し１．９９である。無機ホール注入輸送層の主成分は、
酸化シリコン（すなわち、ｘが０．５以下）でも、酸化
ゲルマニウム（すなわち、ｘが０．５を越えている）で
もよく、それらの混合薄膜であってもよい。ｙが、この
範囲より大きくても、小さくても、ホール注入機能が低
下し、好ましくない。組成は、たとえば、ラザフォード
後方散乱、化学分析などによって調べることができる。
ンとゲルマニウムの酸化物（Ｓｉ１ −ｘＧｅｘ）Ｏｙを
主成分とすることが好ましく、ここに、ｘは０ないし
１、ｙは１．７ないし２．２、好ましくは、１．７ない
し１．９９である。無機ホール注入輸送層の主成分は、
酸化シリコン（すなわち、ｘが０．５以下）でも、酸化
ゲルマニウム（すなわち、ｘが０．５を越えている）で
もよく、それらの混合薄膜であってもよい。ｙが、この
範囲より大きくても、小さくても、ホール注入機能が低
下し、好ましくない。組成は、たとえば、ラザフォード
後方散乱、化学分析などによって調べることができる。
【０１５１】無機ホール注入輸送層は、さらに、仕事関
数が４．５ｅＶ以上、好ましくは、４．５ないし６．０
ｅＶの金属、半金属およびこれらの酸化物、炭化物、窒
化物、ケイ化物、硼化物のいずれか１種以上を含有して
いることが好ましい。仕事関数が４．５ｅＶ以上、好ま
しくは、４．５ないし６．０ｅＶの金属、半金属として
は、Ａｕ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ｉ
ｒ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｃｏを挙げる
ことができる。これらの金属、半金属およびこれらの酸
化物、炭化物、窒化物、ケイ化物、硼化物は混合して用
いることができ、その場合の混合比は任意である。これ
らの含有量は、好ましくは、０．２ないし４０モル％、
より好ましくは、１ないし２０モル％である。これらの
含有量が、０．２モル％よりも少ないと、ホール注入機
能が低下し、一方、４０モル％よりも多いと、電子ブロ
ック機能が低下し、好ましくない。これらを２種以上併
用する場合には、合計の含有量がかかる範囲内にあるこ
とが好ましい。
数が４．５ｅＶ以上、好ましくは、４．５ないし６．０
ｅＶの金属、半金属およびこれらの酸化物、炭化物、窒
化物、ケイ化物、硼化物のいずれか１種以上を含有して
いることが好ましい。仕事関数が４．５ｅＶ以上、好ま
しくは、４．５ないし６．０ｅＶの金属、半金属として
は、Ａｕ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ｉ
ｒ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｃｏを挙げる
ことができる。これらの金属、半金属およびこれらの酸
化物、炭化物、窒化物、ケイ化物、硼化物は混合して用
いることができ、その場合の混合比は任意である。これ
らの含有量は、好ましくは、０．２ないし４０モル％、
より好ましくは、１ないし２０モル％である。これらの
含有量が、０．２モル％よりも少ないと、ホール注入機
能が低下し、一方、４０モル％よりも多いと、電子ブロ
ック機能が低下し、好ましくない。これらを２種以上併
用する場合には、合計の含有量がかかる範囲内にあるこ
とが好ましい。
【０１５２】前記金属、半金属およびこれらの酸化物、
炭化物、窒化物、ケイ化物、硼化物は、通常、高抵抗の
無機ホール注入輸送層中に、分散状態で、含有されてい
る。分散粒子の粒径は、通常、１ないし５ｎｍ程度であ
る。これらの導体である分散粒子間に、主成分である高
抵抗のシリコンとゲルマニウムの酸化物を介して、ホー
ルを輸送するためのホッピングパスが形成されるものと
考えられる。
炭化物、窒化物、ケイ化物、硼化物は、通常、高抵抗の
無機ホール注入輸送層中に、分散状態で、含有されてい
る。分散粒子の粒径は、通常、１ないし５ｎｍ程度であ
る。これらの導体である分散粒子間に、主成分である高
抵抗のシリコンとゲルマニウムの酸化物を介して、ホー
ルを輸送するためのホッピングパスが形成されるものと
考えられる。
【０１５３】高抵抗の無機ホール注入輸送層は、さら
に、不純物として、Ｈや、スパッタガスとして用いるＮ
ｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅなどを、合計５分子％以下含有し
ていてもよい。
に、不純物として、Ｈや、スパッタガスとして用いるＮ
ｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅなどを、合計５分子％以下含有し
ていてもよい。
【０１５４】高抵抗の無機ホール注入輸送層の組成は均
一でなくてもよく、平均として、かかる組成を有してい
れば、膜厚方向に濃度勾配を有していてもよい。
一でなくてもよく、平均として、かかる組成を有してい
れば、膜厚方向に濃度勾配を有していてもよい。
【０１５５】高抵抗の無機ホール注入輸送層は、通常、
非晶質状態である。
非晶質状態である。
【０１５６】高抵抗の無機ホール注入輸送層は、０．３
ないし１００ｎｍの膜厚を有していることが好ましく、
より好ましくは、１ないし１００ｎｍであり、５ないし
３０ｎｍの膜厚を有していると、とくに好ましい。高抵
抗の無機ホール注入輸送層の膜厚が、０．３ｎｍ未満で
も、１００ｎｍを越えていても、ホール注入の機能が十
分に発揮されなくなる。
ないし１００ｎｍの膜厚を有していることが好ましく、
より好ましくは、１ないし１００ｎｍであり、５ないし
３０ｎｍの膜厚を有していると、とくに好ましい。高抵
抗の無機ホール注入輸送層の膜厚が、０．３ｎｍ未満で
も、１００ｎｍを越えていても、ホール注入の機能が十
分に発揮されなくなる。
【０１５７】高抵抗の無機ホール注入輸送層は、スパッ
タリング、蒸着など、各種の物理的あるいは化学的な薄
膜形成方法によって、形成することができるが、スパッ
タリング法によって形成することが好ましい。とくに、
主成分であるシリコンとゲルマニウムの酸化物と、仕事
関数が４．５ｅＶ以上の金属、半金属およびこれらの酸
化物、炭化物、窒化物、ケイ化物、硼化物のいずれか１
種以上を、ターゲットとして、別個にスパッタリングす
る多元スパッタリング法によって、無機ホール注入輸送
層を形成することが好ましい。多元スパッタリング法に
よれば、それぞれのターゲットに適した条件で、スパッ
タリングすることができる。また、主成分のターゲット
上に、金属、半金属およびこれらの酸化物、炭化物、窒
化物、ケイ化物、硼化物のいずれか１種以上の小片を配
置し、これらの面積比を適当に調整することによって、
組成を調整すれば、一元スパッタリング法によって、無
機ホール注入輸送層を形成することもできる。
タリング、蒸着など、各種の物理的あるいは化学的な薄
膜形成方法によって、形成することができるが、スパッ
タリング法によって形成することが好ましい。とくに、
主成分であるシリコンとゲルマニウムの酸化物と、仕事
関数が４．５ｅＶ以上の金属、半金属およびこれらの酸
化物、炭化物、窒化物、ケイ化物、硼化物のいずれか１
種以上を、ターゲットとして、別個にスパッタリングす
る多元スパッタリング法によって、無機ホール注入輸送
層を形成することが好ましい。多元スパッタリング法に
よれば、それぞれのターゲットに適した条件で、スパッ
タリングすることができる。また、主成分のターゲット
上に、金属、半金属およびこれらの酸化物、炭化物、窒
化物、ケイ化物、硼化物のいずれか１種以上の小片を配
置し、これらの面積比を適当に調整することによって、
組成を調整すれば、一元スパッタリング法によって、無
機ホール注入輸送層を形成することもできる。
【０１５８】無機ホール注入輸送層をスパッタリング法
によって形成する場合、スパッタガスの圧力は、０．１
ないし１パスカルの範囲に設定することが好ましい。ス
パッタガスとしては、スパッタリングに、通常、用いら
れる不活性ガス、たとえば、Ａｒ、Ｎｅ、Ｘｅ、Ｋｒな
どを使用することができ、必要に応じて、窒素ガスを用
いることもできる。スパッタリング時において、これら
のスパッタガスに加えて、１ないし９９％の酸素ガスを
混合するようにしてもよい。
によって形成する場合、スパッタガスの圧力は、０．１
ないし１パスカルの範囲に設定することが好ましい。ス
パッタガスとしては、スパッタリングに、通常、用いら
れる不活性ガス、たとえば、Ａｒ、Ｎｅ、Ｘｅ、Ｋｒな
どを使用することができ、必要に応じて、窒素ガスを用
いることもできる。スパッタリング時において、これら
のスパッタガスに加えて、１ないし９９％の酸素ガスを
混合するようにしてもよい。
【０１５９】スパッタリング法としては、ＲＦ電源を用
いた高周波スパッタリング法や、ＤＣスパッタリング法
を使用することができ、ＲＦ電源を用いた高周波スパッ
タリングの電力は０．１ないし１０Ｗ／平方センチメー
トルの範囲が好ましく、成膜速度は０．５ないし１０ｎ
ｍ／分、とくに、１ないし５ｎｍの範囲が好ましい。
いた高周波スパッタリング法や、ＤＣスパッタリング法
を使用することができ、ＲＦ電源を用いた高周波スパッ
タリングの電力は０．１ないし１０Ｗ／平方センチメー
トルの範囲が好ましく、成膜速度は０．５ないし１０ｎ
ｍ／分、とくに、１ないし５ｎｍの範囲が好ましい。
【０１６０】成膜時の基板温度は、２５ないし１５０℃
程度である。
程度である。
【０１６１】本発明において、前記電子注入輸送層また
は前記電子注入層および前記電子輸送層に代えて、ある
いは、これらに加えて、電子の導通パスを備え、ホール
をブロックする機能を有する高抵抗の無機電子注入輸送
層を設けることもできる。
は前記電子注入層および前記電子輸送層に代えて、ある
いは、これらに加えて、電子の導通パスを備え、ホール
をブロックする機能を有する高抵抗の無機電子注入輸送
層を設けることもできる。
【０１６２】このように、電子の導通パスを備え、ホー
ルをブロックする機能を有する高抵抗の無機電子注入輸
送層を、有機発光層と電子注入電極との間に、設けるこ
とによって、有機発光層に電子を効率よく注入すること
ができ、発光効率を向上させることが可能となるととも
に、駆動電圧を低下させることが可能になる。さらに
は、電子の導通パスを備え、ホールをブロックする機能
を有する高抵抗の無機電子注入輸送層を設けることによ
って、有機ＥＬディスプレイパネルおよび有機ＥＬ素子
の厚さを減少させることができ、蒸着によって、カラー
フィルター層ないしカラーフィルターを形成することに
よって薄層化された有機ＥＬディスプレイパネルおよび
有機ＥＬ素子をより一層薄層化することが可能となる。
ルをブロックする機能を有する高抵抗の無機電子注入輸
送層を、有機発光層と電子注入電極との間に、設けるこ
とによって、有機発光層に電子を効率よく注入すること
ができ、発光効率を向上させることが可能となるととも
に、駆動電圧を低下させることが可能になる。さらに
は、電子の導通パスを備え、ホールをブロックする機能
を有する高抵抗の無機電子注入輸送層を設けることによ
って、有機ＥＬディスプレイパネルおよび有機ＥＬ素子
の厚さを減少させることができ、蒸着によって、カラー
フィルター層ないしカラーフィルターを形成することに
よって薄層化された有機ＥＬディスプレイパネルおよび
有機ＥＬ素子をより一層薄層化することが可能となる。
【０１６３】高抵抗の無機電子注入輸送層は、好ましく
は、第一成分として、仕事関数が４ｅＶ以下、好ましく
は、１ｅＶないし４ｅＶであって、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒ
ｂ、ＣｓおよびＦｒよりなる群から選ばれる１種以上の
アルカリ金属元素、または、Ｍｇ、ＣａおよびＳｒより
なる群から選ばれる１種以上のアルカリ金属土類元素、
または、ＬａおよびＣｅよりなる群から選ばれる１種以
上のランタノイド系元素の酸化物を含有している。これ
らの中では、とくに、酸化リチウム、酸化マグネシウ
ム、酸化カルシウム、酸化セリウムが好ましい。これら
の元素を混合して用いる場合、混合比は任意に決定する
ことができる。これらの元素を混合して用いる場合、混
合物中に、酸化リチウムが、Ｌｉ２Ｏ換算で、５０モル
％以上が含有されていることが好ましい。
は、第一成分として、仕事関数が４ｅＶ以下、好ましく
は、１ｅＶないし４ｅＶであって、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒ
ｂ、ＣｓおよびＦｒよりなる群から選ばれる１種以上の
アルカリ金属元素、または、Ｍｇ、ＣａおよびＳｒより
なる群から選ばれる１種以上のアルカリ金属土類元素、
または、ＬａおよびＣｅよりなる群から選ばれる１種以
上のランタノイド系元素の酸化物を含有している。これ
らの中では、とくに、酸化リチウム、酸化マグネシウ
ム、酸化カルシウム、酸化セリウムが好ましい。これら
の元素を混合して用いる場合、混合比は任意に決定する
ことができる。これらの元素を混合して用いる場合、混
合物中に、酸化リチウムが、Ｌｉ２Ｏ換算で、５０モル
％以上が含有されていることが好ましい。
【０１６４】高抵抗の無機電子注入輸送層は、さらに、
第二成分として、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｖ、Ｒｕ、ＳｍおよびＩ
ｎよりなる群から選ばれる１種以上の元素を含有してい
る。第二成分の含有量は、好ましくは、０．２ないし４
０モル％、より好ましくは、１ないし２０モル％であ
る。第二成分の含有量が、０．２モル％より少ないと、
電子注入機能が低下し、他方、４０モル％を越えると、
ホールブロック機能が低下し、好ましくない。第二成分
として、２種以上の元素を併用する場合、合計の含有量
がかかる範囲内にあることが好ましい。第二成分は、金
属の状態で存在しても、酸化物の状態で存在してもよ
い。
第二成分として、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｖ、Ｒｕ、ＳｍおよびＩ
ｎよりなる群から選ばれる１種以上の元素を含有してい
る。第二成分の含有量は、好ましくは、０．２ないし４
０モル％、より好ましくは、１ないし２０モル％であ
る。第二成分の含有量が、０．２モル％より少ないと、
電子注入機能が低下し、他方、４０モル％を越えると、
ホールブロック機能が低下し、好ましくない。第二成分
として、２種以上の元素を併用する場合、合計の含有量
がかかる範囲内にあることが好ましい。第二成分は、金
属の状態で存在しても、酸化物の状態で存在してもよ
い。
【０１６５】このように、高抵抗である第一成分中に、
第二成分として、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｖ、Ｒｕ、ＳｍおよびＩ
ｎよりなる群から選ばれる１種以上の元素を、０．２な
いし４０モル％含有させて、導電パスを形成することに
より、電子注入電極から有機発光層に、効率よく、電子
を注入することができる。これは、第一成分中に、第二
成分を含有させることによって、絶縁物質中に、導電物
質が島状に存在することになり、電子注入のためのホッ
ピングパスが形成されるためと考えられる。
第二成分として、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｖ、Ｒｕ、ＳｍおよびＩ
ｎよりなる群から選ばれる１種以上の元素を、０．２な
いし４０モル％含有させて、導電パスを形成することに
より、電子注入電極から有機発光層に、効率よく、電子
を注入することができる。これは、第一成分中に、第二
成分を含有させることによって、絶縁物質中に、導電物
質が島状に存在することになり、電子注入のためのホッ
ピングパスが形成されるためと考えられる。
【０１６６】第一成分中に、第二成分を、０．２ないし
４０モル％含有させることにより、さらに、有機発光層
から電子注入電極へのホールの移動を抑制することが可
能になり、有機発光層において、ホールと電子とを効率
よく再結合させることができる。
４０モル％含有させることにより、さらに、有機発光層
から電子注入電極へのホールの移動を抑制することが可
能になり、有機発光層において、ホールと電子とを効率
よく再結合させることができる。
【０１６７】高抵抗の無機電子注入輸送層を設ける場合
には、従来の有機の電子注入輸送層や、有機の電子注入
層、有機の電子輸送層を有する有機ＥＬ素子に比して、
同等か、それ以上の輝度を得ることができ、しかも、耐
熱性、耐候性が高いので、寿命が長く、無機材料である
電子注入電極との接続性も良好になり、そのため、リー
クやダークスポットの発生も少ないという利点がある。
さらには、比較的高価な有機物質とは異なり、無機電気
注入輸送層を形成するための無機物質は、安価で、入手
がしやすく、無機電子注入輸送層の形成も容易であるの
で、有機ＥＬ素子ないし有機ＥＬディスプレイパネルの
製造コストを低減させることができる。
には、従来の有機の電子注入輸送層や、有機の電子注入
層、有機の電子輸送層を有する有機ＥＬ素子に比して、
同等か、それ以上の輝度を得ることができ、しかも、耐
熱性、耐候性が高いので、寿命が長く、無機材料である
電子注入電極との接続性も良好になり、そのため、リー
クやダークスポットの発生も少ないという利点がある。
さらには、比較的高価な有機物質とは異なり、無機電気
注入輸送層を形成するための無機物質は、安価で、入手
がしやすく、無機電子注入輸送層の形成も容易であるの
で、有機ＥＬ素子ないし有機ＥＬディスプレイパネルの
製造コストを低減させることができる。
【０１６８】高抵抗の無機電子注入輸送層の抵抗率は、
１Ω・ｃｍないし１×１０１１Ω・ｃｍであることが好
ましく、１×１０３Ω・ｃｍないし１×１０８Ω・ｃｍ
であることが、とくに好ましい。無機電子注入輸送層の
抵抗率をかかる範囲に設定することによって、高いホー
ルブロック性を維持しつつ、電子注入効率を飛躍的に向
上させることが可能になる。この場合、シート抵抗は４
端子法などによって測定することができる。
１Ω・ｃｍないし１×１０１１Ω・ｃｍであることが好
ましく、１×１０３Ω・ｃｍないし１×１０８Ω・ｃｍ
であることが、とくに好ましい。無機電子注入輸送層の
抵抗率をかかる範囲に設定することによって、高いホー
ルブロック性を維持しつつ、電子注入効率を飛躍的に向
上させることが可能になる。この場合、シート抵抗は４
端子法などによって測定することができる。
【０１６９】第一成分の酸化物は、通常、化学量論組成
（stoichiometric composition）であるが、これか
ら、多少偏倚して、非化学量論組成（non‐stoichiomet
ry）となっていてもよい。第二成分の酸化物も同様であ
る。
（stoichiometric composition）であるが、これか
ら、多少偏倚して、非化学量論組成（non‐stoichiomet
ry）となっていてもよい。第二成分の酸化物も同様であ
る。
【０１７０】高抵抗の無機電子注入輸送層は、さらに、
不純物として、Ｈや、スパッタガスとして用いるＮｅ、
Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅなどを、合計５分子％以下含有してい
てもよい。
不純物として、Ｈや、スパッタガスとして用いるＮｅ、
Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅなどを、合計５分子％以下含有してい
てもよい。
【０１７１】高抵抗の無機電子注入輸送層は、通常、非
晶質状態である。
晶質状態である。
【０１７２】高抵抗の無機電子注入輸送層は、０．２な
いし３０ｎｍの膜厚を有していることが好ましく、０．
２ないし２０の膜厚を有していると、とくに好ましい。
高抵抗の無機電子注入輸送層の膜厚が、０．２ｎｍ未満
でも、３０ｎｍを越えていても、電子注入の機能が十分
に発揮されなくなる。
いし３０ｎｍの膜厚を有していることが好ましく、０．
２ないし２０の膜厚を有していると、とくに好ましい。
高抵抗の無機電子注入輸送層の膜厚が、０．２ｎｍ未満
でも、３０ｎｍを越えていても、電子注入の機能が十分
に発揮されなくなる。
【０１７３】高抵抗の無機電子注入輸送層は、スパッタ
リング、蒸着など、各種の物理的あるいは化学的な薄膜
形成方法によって、形成することができるが、スパッタ
リング法によって形成することが好ましい。とくに、第
一成分と第二成分を、ターゲットとして、別個にスパッ
タリングする多元スパッタリング法によって、無機電子
注入輸送層を形成することが好ましい。多元スパッタリ
ング法によれば、それぞれのターゲットに適した条件
で、スパッタリングすることができる。また、大地成分
と第二成分の混合ターゲットを用いて、一元スパッタリ
ング法によって、無機電子注入輸送層を形成することも
できる。
リング、蒸着など、各種の物理的あるいは化学的な薄膜
形成方法によって、形成することができるが、スパッタ
リング法によって形成することが好ましい。とくに、第
一成分と第二成分を、ターゲットとして、別個にスパッ
タリングする多元スパッタリング法によって、無機電子
注入輸送層を形成することが好ましい。多元スパッタリ
ング法によれば、それぞれのターゲットに適した条件
で、スパッタリングすることができる。また、大地成分
と第二成分の混合ターゲットを用いて、一元スパッタリ
ング法によって、無機電子注入輸送層を形成することも
できる。
【０１７４】無機電子注入輸送層をスパッタリング法に
よって形成する場合、スパッタガスの圧力は、０．１な
いし１パスカルの範囲に設定することが好ましい。スパ
ッタガスとしては、スパッタリング法に、通常、用いら
れる不活性ガス、たとえば、Ａｒ、Ｎｅ、Ｘｅ、Ｋｒな
どを使用することができ、必要に応じて、窒素ガスを用
いることもできる。スパッタリング時において、これら
のスパッタガスに加えて、１ないし９９％の酸素ガスを
混合するようにしてもよい。
よって形成する場合、スパッタガスの圧力は、０．１な
いし１パスカルの範囲に設定することが好ましい。スパ
ッタガスとしては、スパッタリング法に、通常、用いら
れる不活性ガス、たとえば、Ａｒ、Ｎｅ、Ｘｅ、Ｋｒな
どを使用することができ、必要に応じて、窒素ガスを用
いることもできる。スパッタリング時において、これら
のスパッタガスに加えて、１ないし９９％の酸素ガスを
混合するようにしてもよい。
【０１７５】スパッタリング法としては、ＲＦ電源を用
いた高周波スパッタリング法や、ＤＣスパッタリング法
を使用することができ、ＲＦ電源を用いた高周波スパッ
タリングの電力は０．１ないし１０Ｗ／平方センチメー
トルの範囲が好ましく、成膜速度は０．５ないし１０ｎ
ｍ／分、とくに、１ないし５ｎｍの範囲が好ましい。
いた高周波スパッタリング法や、ＤＣスパッタリング法
を使用することができ、ＲＦ電源を用いた高周波スパッ
タリングの電力は０．１ないし１０Ｗ／平方センチメー
トルの範囲が好ましく、成膜速度は０．５ないし１０ｎ
ｍ／分、とくに、１ないし５ｎｍの範囲が好ましい。
【０１７６】成膜時の基板温度は、２５ないし１５０℃
程度である。
程度である。
【０１７７】本発明において、ホール注入電極は、ホー
ル注入輸送層あるいはホール注入層に、ホールを効率よ
く、注入することのできる材料によって形成されること
が好ましく、仕事関数が４．５ないし５．５ｅＶの材料
によって形成されることが好ましい。ホール注入電極を
形成するために、好ましく使用できる材料としては、た
とえば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドー
プ酸化インジウム（ＩＺＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ２
Ｏ３）、酸化錫（ＳｎＯ２）および酸化亜鉛（ＺｎＯ）
のいずれかを主成分とした酸化物が挙げられる。これら
の酸化物は、その化学量論組成から、多少偏倚した組成
を有していてもよい。錫ドープ酸化インジウム（ＩＴ
Ｏ）における酸化インジウムに対する酸化錫の混合比は
１ないし２０重量％が好ましく、さらに好ましくは、５
ないし１２重量％である。また、亜鉛ドープ酸化インジ
ウム（ＩＺＯ）における酸化インジウムに対する酸化亜
鉛の混合比は、通常、１２ないし３２重量％である。
ル注入輸送層あるいはホール注入層に、ホールを効率よ
く、注入することのできる材料によって形成されること
が好ましく、仕事関数が４．５ないし５．５ｅＶの材料
によって形成されることが好ましい。ホール注入電極を
形成するために、好ましく使用できる材料としては、た
とえば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドー
プ酸化インジウム（ＩＺＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ２
Ｏ３）、酸化錫（ＳｎＯ２）および酸化亜鉛（ＺｎＯ）
のいずれかを主成分とした酸化物が挙げられる。これら
の酸化物は、その化学量論組成から、多少偏倚した組成
を有していてもよい。錫ドープ酸化インジウム（ＩＴ
Ｏ）における酸化インジウムに対する酸化錫の混合比は
１ないし２０重量％が好ましく、さらに好ましくは、５
ないし１２重量％である。また、亜鉛ドープ酸化インジ
ウム（ＩＺＯ）における酸化インジウムに対する酸化亜
鉛の混合比は、通常、１２ないし３２重量％である。
【０１７８】本発明において、ホール注入電極は、仕事
関数を調整するため、酸化シリコン（ＳｉＯ２）を含ん
でいてもよい。酸化シリコン（ＳｉＯ２）の含有量は、
錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）に対するモル比で、
０．５なしし１０％であることが好ましい。酸化シリコ
ンを含有させることによって、錫ドープ酸化インジウム
（ＩＴＯ）を増大させることができる。
関数を調整するため、酸化シリコン（ＳｉＯ２）を含ん
でいてもよい。酸化シリコン（ＳｉＯ２）の含有量は、
錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）に対するモル比で、
０．５なしし１０％であることが好ましい。酸化シリコ
ンを含有させることによって、錫ドープ酸化インジウム
（ＩＴＯ）を増大させることができる。
【０１７９】本発明において、有機発光層から発せられ
た光を取り出す側の電極は、通常、４００ないし７００
ｎｍの発光波長帯域の光、とくに、各発光光に対する光
透過率が５０％以上であることが好ましくは、さらに好
ましくは８０％以上、最も好ましくは９０％以上の光透
過率を有している。光透過率がこれ以下の場合には、発
光素子として必要な輝度を得ることができない。
た光を取り出す側の電極は、通常、４００ないし７００
ｎｍの発光波長帯域の光、とくに、各発光光に対する光
透過率が５０％以上であることが好ましくは、さらに好
ましくは８０％以上、最も好ましくは９０％以上の光透
過率を有している。光透過率がこれ以下の場合には、発
光素子として必要な輝度を得ることができない。
【０１８０】本発明において、有機発光層から発せられ
た光を取り出す側の電極の厚さは、５０ないし５００ｎ
ｍであることが好ましく、５０ないし３００ｎｍであれ
ば、さらに好ましい。厚すぎると、光透過率が低下し、
また、剥離のおそれが生じ、好ましくない。一方、薄す
ぎると、強度が低下し、好ましくない。
た光を取り出す側の電極の厚さは、５０ないし５００ｎ
ｍであることが好ましく、５０ないし３００ｎｍであれ
ば、さらに好ましい。厚すぎると、光透過率が低下し、
また、剥離のおそれが生じ、好ましくない。一方、薄す
ぎると、強度が低下し、好ましくない。
【０１８１】本発明において、電子注入電極は、電子注
入輸送層あるいは電子注入層に、電子を効率よく、注入
することのできる材料によって形成されることが好まし
い。
入輸送層あるいは電子注入層に、電子を効率よく、注入
することのできる材料によって形成されることが好まし
い。
【０１８２】有機材料によって、電子注入輸送層あるい
は電子注入層が形成されている場合には、電子注入電極
を形成するために、好ましく使用できる材料としては、
たとえば、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｃａ、
Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｚｒなどの金属元素単体、ま
たは、安定性を向上させるために、これらの金属元素を
含む二成分もしくは三成分の合金を挙げることができ
る。これらの金属元素を含む二成分もしくは三成分の合
金の具体例としては、Ａｇ・Ｍｇ（Ａｇ：０．１ないし
５０原子％）、Ａｌ・Ｌｉ（Ｌｉ：０．０１ないし１４
原子％）、Ｉｎ・Ｍｇ（Ｍｇ：５０ないし８０原子
％）、Ａｌ・Ｃａ（Ｃａ：０．０１ないし２０原子％）
を挙げることができる。
は電子注入層が形成されている場合には、電子注入電極
を形成するために、好ましく使用できる材料としては、
たとえば、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｃａ、
Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｚｒなどの金属元素単体、ま
たは、安定性を向上させるために、これらの金属元素を
含む二成分もしくは三成分の合金を挙げることができ
る。これらの金属元素を含む二成分もしくは三成分の合
金の具体例としては、Ａｇ・Ｍｇ（Ａｇ：０．１ないし
５０原子％）、Ａｌ・Ｌｉ（Ｌｉ：０．０１ないし１４
原子％）、Ｉｎ・Ｍｇ（Ｍｇ：５０ないし８０原子
％）、Ａｌ・Ｃａ（Ｃａ：０．０１ないし２０原子％）
を挙げることができる。
【０１８３】本発明において、電子注入電極の厚さは、
０．１ｎｍ以上であることが好ましく、さらに好ましく
は０．５ｎｍ以上、最も好ましくは１ｎｍ以上である。
電子注入電極の厚さの上限値はとくに限定されないが、
通常は、１ないし５００ｎｍ程度である。
０．１ｎｍ以上であることが好ましく、さらに好ましく
は０．５ｎｍ以上、最も好ましくは１ｎｍ以上である。
電子注入電極の厚さの上限値はとくに限定されないが、
通常は、１ないし５００ｎｍ程度である。
【０１８４】これに対して、無機材料によって、無機電
子注入輸送層が形成されている場合には、低仕事関数
で、電子注入性を有している必要がないので、電子注入
電極を形成するための材料はとくに限定されるものでは
なく、通常の金属を用いることができる。金属の中で
は、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｗ、
Ｐｔ、ＰｄおよびＮｉよりなる群、とくに、Ａｌおよび
Ａｇよりなる群から選ばれる１種または２種以上の金属
元素が、導電率や取り扱いやすさの観点から、好ましく
使用することができる。
子注入輸送層が形成されている場合には、低仕事関数
で、電子注入性を有している必要がないので、電子注入
電極を形成するための材料はとくに限定されるものでは
なく、通常の金属を用いることができる。金属の中で
は、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｗ、
Ｐｔ、ＰｄおよびＮｉよりなる群、とくに、Ａｌおよび
Ａｇよりなる群から選ばれる１種または２種以上の金属
元素が、導電率や取り扱いやすさの観点から、好ましく
使用することができる。
【０１８５】さらに、有機発光層や電極の劣化を防止す
るために、有機ＥＬ素子を、封止板などによって封止す
ることが好ましい。封止板は、湿気の侵入を防ぐため
に、接着性樹脂層を用いて、有機ＥＬ素子に接着され、
有機ＥＬ素子が封止される。封止ガスとしては、Ａｒ、
Ｈｅ、Ｎ２などの不活性なガスが好ましい。封止ガスの
水分含有量は、１００ｐｐｍ以下が好ましく、さらに好
ましく、は１０ｐｐｍ以下、最も好ましくは、１ｐｐｍ
以下である。封止ガスの水分含有量の下限値はとくに限
定されるものではないが、通常、０．１ｐｐｍ程度であ
る。
るために、有機ＥＬ素子を、封止板などによって封止す
ることが好ましい。封止板は、湿気の侵入を防ぐため
に、接着性樹脂層を用いて、有機ＥＬ素子に接着され、
有機ＥＬ素子が封止される。封止ガスとしては、Ａｒ、
Ｈｅ、Ｎ２などの不活性なガスが好ましい。封止ガスの
水分含有量は、１００ｐｐｍ以下が好ましく、さらに好
ましく、は１０ｐｐｍ以下、最も好ましくは、１ｐｐｍ
以下である。封止ガスの水分含有量の下限値はとくに限
定されるものではないが、通常、０．１ｐｐｍ程度であ
る。
【０１８６】封止板は、平板状であることが好ましく、
好ましい材料としては、ガラスや、石英、樹脂などの透
明または半透明材料が挙げられるが、これらのうち、ガ
ラスと樹脂がとくに好ましく使用される。ガラスとして
は、コスト面から、アルカリガラスが好ましく使用さ
れ、とくに、表面処理が施されていないソーダガラスが
安価であり、好ましい。樹脂としては、基板と同様な材
料を好ましく使用することができる。
好ましい材料としては、ガラスや、石英、樹脂などの透
明または半透明材料が挙げられるが、これらのうち、ガ
ラスと樹脂がとくに好ましく使用される。ガラスとして
は、コスト面から、アルカリガラスが好ましく使用さ
れ、とくに、表面処理が施されていないソーダガラスが
安価であり、好ましい。樹脂としては、基板と同様な材
料を好ましく使用することができる。
【０１８７】封止板は、スペーサーを用いて、所望の高
さに保持することができる。スペーサーとしては、樹脂
ビーズ、シリカビーズ、ガラスビーズ、ガラスファイバ
ーなどが使用可能であるが、これらのうち、ガラスビー
ズがとくに好ましい。
さに保持することができる。スペーサーとしては、樹脂
ビーズ、シリカビーズ、ガラスビーズ、ガラスファイバ
ーなどが使用可能であるが、これらのうち、ガラスビー
ズがとくに好ましい。
【０１８８】また、スペーサーを使用しないで、封止板
に凹部を形成することもでき、封止板に凹部を形成した
ときに、スペーサーを使用することもできる。封止板に
凹部を形成した上で、スペーサーを使用するときは、２
ないし８μｍのスペーサーを用いることが好ましい。
に凹部を形成することもでき、封止板に凹部を形成した
ときに、スペーサーを使用することもできる。封止板に
凹部を形成した上で、スペーサーを使用するときは、２
ないし８μｍのスペーサーを用いることが好ましい。
【０１８９】封止板を接着する接着剤としては、安定し
た強度を保つことができ、気密性が良好なものであれば
とくに限定されるものではないが、カチオン硬化型の紫
外線硬化型エポキシ樹脂接着剤が好ましく使用される。
た強度を保つことができ、気密性が良好なものであれば
とくに限定されるものではないが、カチオン硬化型の紫
外線硬化型エポキシ樹脂接着剤が好ましく使用される。
【０１９０】本発明にかかる有機ＥＬ素子および有機Ｅ
Ｌディスプレイパネルは、通常、直流駆動型あるいはパ
ルス駆動型の有機ＥＬ素子および有機ＥＬディスプレイ
パネルとして用いられるが、交流によって駆動すること
もできる。
Ｌディスプレイパネルは、通常、直流駆動型あるいはパ
ルス駆動型の有機ＥＬ素子および有機ＥＬディスプレイ
パネルとして用いられるが、交流によって駆動すること
もできる。
【０１９１】
【実施例】以下において、本発明の効果を、一層明らか
にするため、比較例および実施例を掲げる。
にするため、比較例および実施例を掲げる。
【０１９２】比較例１ 無アルカリガラス基板上に、感光性を有するアクリル樹
脂として、東京応化工業株式会社製の商品名「ＣＦＰ
Ｒ」を塗布し、露光、現像後、オーブンにより、２２０
℃で、４時間にわたって、焼成した。
脂として、東京応化工業株式会社製の商品名「ＣＦＰ
Ｒ」を塗布し、露光、現像後、オーブンにより、２２０
℃で、４時間にわたって、焼成した。
【０１９３】こうして形成されたアクリル樹脂層上に、
プラズマＣＶＤ法によって、以下の条件で、シリコン酸
化膜を形成した。
プラズマＣＶＤ法によって、以下の条件で、シリコン酸
化膜を形成した。
【０１９４】ＲＦ電源電力：０．９ないし１．７Ｗ／平
方センチメートル ガス流量：ＳｉＨ４：１〜５０ｃｃ／秒、 Ｎ２Ｏ：６００〜３０００ｃｃ／秒 ガス圧力：１３３〜４００Ｐａ 成膜温度：１５０〜２００℃ 膜厚：５０〜２００ｎｍ こうして形成されたシリコン酸化膜を超音波で洗浄し
て、パーティクルを除去し、１５０℃で、１時間にわた
って、焼成して、脱水、乾燥した。
方センチメートル ガス流量：ＳｉＨ４：１〜５０ｃｃ／秒、 Ｎ２Ｏ：６００〜３０００ｃｃ／秒 ガス圧力：１３３〜４００Ｐａ 成膜温度：１５０〜２００℃ 膜厚：５０〜２００ｎｍ こうして形成されたシリコン酸化膜を超音波で洗浄し
て、パーティクルを除去し、１５０℃で、１時間にわた
って、焼成して、脱水、乾燥した。
【０１９５】その後、シリコン酸化膜上に、プラズマＣ
ＶＤ法により、同様にして、シリコン酸化膜を形成し、
超音波で洗浄したところ、膜剥離が発生した。
ＶＤ法により、同様にして、シリコン酸化膜を形成し、
超音波で洗浄したところ、膜剥離が発生した。
【０１９６】比較例２比較例１と同様にして形成したア
クリル樹脂層上に、プラズマＣＶＤ法によって、以下の
条件で、シリコン酸化膜を形成した。
クリル樹脂層上に、プラズマＣＶＤ法によって、以下の
条件で、シリコン酸化膜を形成した。
【０１９７】ＲＦ電源電力：０．９ないし１．７Ｗ／平
方センチメートル ガス流量：テトラエトキシオルソシリケート（ＴＥＯ
Ｓ）：３０〜１００ｃｃ／秒、 Ｏ２：３００〜１２００ｃｃ／秒 ガス圧力：３３３〜４６６Ｐａ 成膜温度：１５０〜２００℃ 膜厚：５０〜２００ｎｍ こうして、シリコン酸化膜が形成された基板を超音波で
洗浄して、パーティクルを除去し、１５０℃で、１時間
にわたって、焼成して、脱水、乾燥した。
方センチメートル ガス流量：テトラエトキシオルソシリケート（ＴＥＯ
Ｓ）：３０〜１００ｃｃ／秒、 Ｏ２：３００〜１２００ｃｃ／秒 ガス圧力：３３３〜４６６Ｐａ 成膜温度：１５０〜２００℃ 膜厚：５０〜２００ｎｍ こうして、シリコン酸化膜が形成された基板を超音波で
洗浄して、パーティクルを除去し、１５０℃で、１時間
にわたって、焼成して、脱水、乾燥した。
【０１９８】その後、シリコン酸化膜上に、プラズマＣ
ＶＤ法により、同様にして、シリコン酸化膜を形成し、
超音波で洗浄したが、膜剥離は観察されなかった。
ＶＤ法により、同様にして、シリコン酸化膜を形成し、
超音波で洗浄したが、膜剥離は観察されなかった。
【０１９９】比較例３ 比較例１と同様にして形成したアクリル樹脂層上に、プ
ラズマＣＶＤ法によって、以下の条件で、シリコン酸窒
化膜を形成した。
ラズマＣＶＤ法によって、以下の条件で、シリコン酸窒
化膜を形成した。
【０２００】ＲＦ電源電力：０．９ないし１．７Ｗ／平
方センチメートル ガス流量：テトラエトキシオルソシリケート：３０〜１
００ｃｃ／秒、 Ｎ２：３００〜１２００ｃｃ／秒 ガス圧力：３３３〜４６６Ｐａ 成膜温度：１５０〜２００℃ 膜厚：５０〜２００ｎｍ こうして、シリコン酸窒化膜が形成された基板を超音波
で洗浄して、パーティクルを除去し、１５０℃で、１時
間にわたって、焼成して、脱水、乾燥した。
方センチメートル ガス流量：テトラエトキシオルソシリケート：３０〜１
００ｃｃ／秒、 Ｎ２：３００〜１２００ｃｃ／秒 ガス圧力：３３３〜４６６Ｐａ 成膜温度：１５０〜２００℃ 膜厚：５０〜２００ｎｍ こうして、シリコン酸窒化膜が形成された基板を超音波
で洗浄して、パーティクルを除去し、１５０℃で、１時
間にわたって、焼成して、脱水、乾燥した。
【０２０１】その後、シリコン酸窒化膜上に、プラズマ
ＣＶＤ法により、同様にして、シリコン酸窒化膜を形成
し、超音波で洗浄したが、膜剥離は観察されなかった。
ＣＶＤ法により、同様にして、シリコン酸窒化膜を形成
し、超音波で洗浄したが、膜剥離は観察されなかった。
【０２０２】比較例４ 比較例１と同様にして形成したアクリル樹脂層上に、プ
ラズマＣＶＤ法によって、以下の条件で、シリコン酸窒
化膜を形成した。
ラズマＣＶＤ法によって、以下の条件で、シリコン酸窒
化膜を形成した。
【０２０３】ＲＦ電源電力：０．９ないし１．５Ｗ／平
方センチメートル ガス流量：ＳｉＨ４：１〜５０ｃｃ／秒、 Ｎ２：２０００ｃｃ／秒 Ｎ２Ｏ：５０〜５００ｃｃ／秒 ガス圧力：１３３〜４００Ｐａ 成膜温度：１５０〜２００℃ 膜厚：５０〜２００ｎｍ こうして、シリコン酸窒化膜が形成された基板を超音波
で洗浄して、パーティクルを除去し、１５０℃で、１時
間にわたって、焼成して、脱水、乾燥した。
方センチメートル ガス流量：ＳｉＨ４：１〜５０ｃｃ／秒、 Ｎ２：２０００ｃｃ／秒 Ｎ２Ｏ：５０〜５００ｃｃ／秒 ガス圧力：１３３〜４００Ｐａ 成膜温度：１５０〜２００℃ 膜厚：５０〜２００ｎｍ こうして、シリコン酸窒化膜が形成された基板を超音波
で洗浄して、パーティクルを除去し、１５０℃で、１時
間にわたって、焼成して、脱水、乾燥した。
【０２０４】その後、シリコン酸窒化膜上に、プラズマ
ＣＶＤ法により、同様にして、シリコン酸窒化膜を形成
し、超音波で洗浄したが、膜剥離は観察されなかった。
ＣＶＤ法により、同様にして、シリコン酸窒化膜を形成
し、超音波で洗浄したが、膜剥離は観察されなかった。
【０２０５】実施例１ 比較例１と同様にして形成したアクリル樹脂層上に、プ
ラズマＣＶＤ法によって、以下の条件で、シリコン窒化
膜を形成した。
ラズマＣＶＤ法によって、以下の条件で、シリコン窒化
膜を形成した。
【０２０６】ＲＦ電源電力：０．９ないし２．５Ｗ／平
方センチメートル ガス流量：ＳｉＨ４：３０〜１００ｃｃ／秒、 Ｎ２：３００〜１２００ｃｃ／秒 ガス圧力：３３３〜４６６Ｐａ 成膜温度：１５０〜２００℃ 膜厚：５０〜２００ｎｍ こうして、シリコン窒化膜が形成された基板を超音波で
洗浄して、パーティクルを除去し、１５０℃で、１時間
にわたって、焼成して、脱水、乾燥した。
方センチメートル ガス流量：ＳｉＨ４：３０〜１００ｃｃ／秒、 Ｎ２：３００〜１２００ｃｃ／秒 ガス圧力：３３３〜４６６Ｐａ 成膜温度：１５０〜２００℃ 膜厚：５０〜２００ｎｍ こうして、シリコン窒化膜が形成された基板を超音波で
洗浄して、パーティクルを除去し、１５０℃で、１時間
にわたって、焼成して、脱水、乾燥した。
【０２０７】その後、シリコン窒化膜上に、プラズマＣ
ＶＤ法により、同様にして、シリコン窒化膜を形成し、
超音波で洗浄したが、膜剥離は観察されなかった。
ＶＤ法により、同様にして、シリコン窒化膜を形成し、
超音波で洗浄したが、膜剥離は観察されなかった。
【０２０８】窒化シリコン（ＳｉＮｘ）の組成は、ｘ＝
１．３であった。
１．３であった。
【０２０９】実施例２ 比較例１と同様にして形成したアクリル樹脂層上に、プ
ラズマＣＶＤ法によって、以下の条件で、シリコン窒化
膜を形成した。
ラズマＣＶＤ法によって、以下の条件で、シリコン窒化
膜を形成した。
【０２１０】ＲＦ電源電力：０．９ないし２．５Ｗ／平
方センチメートル ガス流量：ＳｉＨ４：３０〜１００ｃｃ／秒、 Ｎ２：２０００ｃｃ／秒 ＮＨ３：３０〜１００ｃｃ／秒 ガス圧力：３３３〜４６６Ｐａ 成膜温度：１５０〜２００℃ 膜厚：５０〜２００ｎｍ こうして、シリコン窒化膜が形成された基板を超音波で
洗浄して、パーティクルを除去し、１５０℃で、１時間
にわたって、焼成して、脱水、乾燥した。
方センチメートル ガス流量：ＳｉＨ４：３０〜１００ｃｃ／秒、 Ｎ２：２０００ｃｃ／秒 ＮＨ３：３０〜１００ｃｃ／秒 ガス圧力：３３３〜４６６Ｐａ 成膜温度：１５０〜２００℃ 膜厚：５０〜２００ｎｍ こうして、シリコン窒化膜が形成された基板を超音波で
洗浄して、パーティクルを除去し、１５０℃で、１時間
にわたって、焼成して、脱水、乾燥した。
【０２１１】その後、シリコン窒化膜上に、プラズマＣ
ＶＤ法により、同様にして、シリコン窒化膜を形成し、
超音波で洗浄したが、膜剥離は観察されなかった。
ＶＤ法により、同様にして、シリコン窒化膜を形成し、
超音波で洗浄したが、膜剥離は観察されなかった。
【０２１２】窒化シリコン（ＳｉＮｘ）の組成は、ｘ＝
１．３であった。
１．３であった。
【０２１３】比較例５ 比較例１と同様にして形成したアクリル樹脂層上に、Ｒ
Ｆマグネトロンスパッタと、ＳｉＯ２ターゲットを用い
て、ＲＦ電源電力２．５Ｗ／平方センチメートルで、シ
リコン酸化膜を形成した。成膜条件は以下のとおりであ
った。 ガス流量：Ａｒ：４０ｃｃ／秒 ガス圧力：０．３５Ｐａ 成膜温度：室温 膜厚：６０ｎｍ こうして、シリコン酸化膜が形成された基板を超音波で
洗浄し、１５０℃で、１時間にわたり、焼成した後、シ
リコン酸化膜上に、ＲＦマグネトロンスパッタと、Ｓｉ
Ｏ２ターゲットを用いて、ＲＦ電源電力２．５Ｗ／平方
センチメートルで、シリコン酸窒化膜を形成した。成膜
条件は以下のとおりであった。
Ｆマグネトロンスパッタと、ＳｉＯ２ターゲットを用い
て、ＲＦ電源電力２．５Ｗ／平方センチメートルで、シ
リコン酸化膜を形成した。成膜条件は以下のとおりであ
った。 ガス流量：Ａｒ：４０ｃｃ／秒 ガス圧力：０．３５Ｐａ 成膜温度：室温 膜厚：６０ｎｍ こうして、シリコン酸化膜が形成された基板を超音波で
洗浄し、１５０℃で、１時間にわたり、焼成した後、シ
リコン酸化膜上に、ＲＦマグネトロンスパッタと、Ｓｉ
Ｏ２ターゲットを用いて、ＲＦ電源電力２．５Ｗ／平方
センチメートルで、シリコン酸窒化膜を形成した。成膜
条件は以下のとおりであった。
【０２１４】ガス流量：Ａｒ：４０ｃｃ／秒、 Ｎ２：４．７５ｃｃ／秒 ガス圧力：０．３５Ｐａ 成膜温度：室温 膜厚：２０ｎｍ こうして、シリコン酸化膜およびシリコン酸窒化膜が形
成された基板を超音波で洗浄したが、膜剥離は観察され
なかった。
成された基板を超音波で洗浄したが、膜剥離は観察され
なかった。
【０２１５】実施例３ 無アルカリガラス基板上に、フォトレジストとして、日
本ゼオン株式会社製の商品名「ＺＰＰ１８５０」を塗布
し、露光、現像後、オーブンにおいて、１８０℃で、４
時間にわたって、焼成した。
本ゼオン株式会社製の商品名「ＺＰＰ１８５０」を塗布
し、露光、現像後、オーブンにおいて、１８０℃で、４
時間にわたって、焼成した。
【０２１６】こうして形成されたレジスト層上に、プラ
ズマＣＶＤ法により、比較例３および４と同様にして、
シリコン酸窒化膜を形成し、比較例３および４と同様
に、超音波で洗浄し、１５０℃で、１時間にわたり、焼
成した後、再度、シリコン酸窒化膜を成膜して、超音波
で洗浄したが、膜剥離は観察されなかった。
ズマＣＶＤ法により、比較例３および４と同様にして、
シリコン酸窒化膜を形成し、比較例３および４と同様
に、超音波で洗浄し、１５０℃で、１時間にわたり、焼
成した後、再度、シリコン酸窒化膜を成膜して、超音波
で洗浄したが、膜剥離は観察されなかった。
【０２１７】また、上述のようにして形成されたレジス
ト層上に、プラズマＣＶＤ法によって、実施例１と同様
にして、シリコン窒化膜を形成した後、実施例１と同様
にして、超音波で洗浄し、１５０℃で、１時間にわた
り、焼成した後、再度、シリコン窒化膜を成膜して、超
音波で洗浄したが、膜剥離は観察されなかった。
ト層上に、プラズマＣＶＤ法によって、実施例１と同様
にして、シリコン窒化膜を形成した後、実施例１と同様
にして、超音波で洗浄し、１５０℃で、１時間にわた
り、焼成した後、再度、シリコン窒化膜を成膜して、超
音波で洗浄したが、膜剥離は観察されなかった。
【０２１８】一方、上述のようにして形成されたレジス
ト層上に、プラズマＣＶＤ法によって、比較例１と同様
にして、シリコン酸化膜を形成した後、比較例１と同様
にして、超音波で洗浄し、１５０℃で、１時間にわた
り、焼成した後、再度、シリコン酸化膜を成膜して、超
音波で洗浄したところ、膜剥離が発生した。
ト層上に、プラズマＣＶＤ法によって、比較例１と同様
にして、シリコン酸化膜を形成した後、比較例１と同様
にして、超音波で洗浄し、１５０℃で、１時間にわた
り、焼成した後、再度、シリコン酸化膜を成膜して、超
音波で洗浄したところ、膜剥離が発生した。
【０２１９】比較例１ないし４ならびに実施例１ないし
３から、シリコン窒化膜およびシリコン酸窒化膜の場合
には、アルカリ樹脂層上に形成しても、レジスト層上に
形成しても、膜剥離の発生は認められず、シリコン窒化
膜の場合は、ＣＶＤ法に代えて、スパッタ法によって、
成膜をしても、膜剥離の発生が認められず、平坦化のた
めの下地有機層との密着性に優れていることが判明し
た。
３から、シリコン窒化膜およびシリコン酸窒化膜の場合
には、アルカリ樹脂層上に形成しても、レジスト層上に
形成しても、膜剥離の発生は認められず、シリコン窒化
膜の場合は、ＣＶＤ法に代えて、スパッタ法によって、
成膜をしても、膜剥離の発生が認められず、平坦化のた
めの下地有機層との密着性に優れていることが判明し
た。
【０２２０】一方、シリコン酸化膜の場合には、材料ガ
スとして、テトラエトキシオルソシリケートを用いたと
きには、膜剥離の発生が認められなかったものの、材料
ガスとして、ＳｉＨ４を用いた場合には、シリコン酸化
膜を、アルカリ樹脂層およびレジスト層のいずれに形成
しても、膜剥離が発生し、平坦化のための下地有機層と
の密着性が低いことが判明した。
スとして、テトラエトキシオルソシリケートを用いたと
きには、膜剥離の発生が認められなかったものの、材料
ガスとして、ＳｉＨ４を用いた場合には、シリコン酸化
膜を、アルカリ樹脂層およびレジスト層のいずれに形成
しても、膜剥離が発生し、平坦化のための下地有機層と
の密着性が低いことが判明した。
【０２２１】実施例４ 比較例２、４および５ならびに実施例１およびと同様に
して、アクリル樹脂層上に、保護膜を形成し、６３２ｎ
ｍの波長での屈折率を測定した。
して、アクリル樹脂層上に、保護膜を形成し、６３２ｎ
ｍの波長での屈折率を測定した。
【０２２２】さらに、保護膜が形成された基板を、９０
℃以上に加熱した有機膜剥離液（富士フイルムオーリン
株式会社製：「ＭＳ−２００１」）に、３０分にわたっ
て、浸漬し、アクリル樹脂層あるいはレジスト層に生じ
た孔（欠陥）の数によって、膜の欠陥を評価した。
℃以上に加熱した有機膜剥離液（富士フイルムオーリン
株式会社製：「ＭＳ−２００１」）に、３０分にわたっ
て、浸漬し、アクリル樹脂層あるいはレジスト層に生じ
た孔（欠陥）の数によって、膜の欠陥を評価した。
【０２２３】屈折率の測定結果および膜の欠陥の評価結
果は、表１に示されている。
果は、表１に示されている。
【０２２４】
【表１】 表１から、保護膜の屈折率が高くなるほど、欠陥の数は
減少し、保護膜がシリコン窒化膜の場合に、膜質が良好
で、実施例２の屈折率が１．９のシリコン窒化膜は、欠
陥がなく、最も良好な結果が得られたことがわかる。
減少し、保護膜がシリコン窒化膜の場合に、膜質が良好
で、実施例２の屈折率が１．９のシリコン窒化膜は、欠
陥がなく、最も良好な結果が得られたことがわかる。
【０２２５】この結果、ＳｉＯ２の屈折率は１．４５
で、ＳｉＮ２の屈折率は２．００であるので、保護膜の
組成がＳｉ３Ｎ４に近づくほど、膜質が向上し、保護機
能が向上することが判明した。
で、ＳｉＮ２の屈折率は２．００であるので、保護膜の
組成がＳｉ３Ｎ４に近づくほど、膜質が向上し、保護機
能が向上することが判明した。
【０２２６】実施例５ 比較例１ならびに実施例１および２と同様にして、アク
リル樹脂層上に、保護膜を形成し、ＲＢＳ（Ratherford
Backscattering Spectrometry）法により、保護膜の
組成を分析した。
リル樹脂層上に、保護膜を形成し、ＲＢＳ（Ratherford
Backscattering Spectrometry）法により、保護膜の
組成を分析した。
【０２２７】分析結果は表２に示されている。
【０２２８】
【表２】 表２に示されるように、比較例１のシリコン酸化膜は
４．２原子％の水素を含有しているに過ぎないのに対
し、実施例１および２のシリコン窒化膜は、それぞれ、
２２原子％の水素、２９原子％の水素を含有しており、
比較例１のシリコン酸化膜に比して、水素を多量に含ん
でいることがわかった。
４．２原子％の水素を含有しているに過ぎないのに対
し、実施例１および２のシリコン窒化膜は、それぞれ、
２２原子％の水素、２９原子％の水素を含有しており、
比較例１のシリコン酸化膜に比して、水素を多量に含ん
でいることがわかった。
【０２２９】この結果から、実施例１および２のシリコ
ン窒化膜が、下地有機層であるアクリル樹脂層との密着
性が優れているのは、水素を多量に含んでいるため、下
地有機層と水素結合を形成するためと推測することがで
きる。
ン窒化膜が、下地有機層であるアクリル樹脂層との密着
性が優れているのは、水素を多量に含んでいるため、下
地有機層と水素結合を形成するためと推測することがで
きる。
【０２３０】実施例３にしたがって形成したレジスト層
上に、比較例１ならびに実施例１および２と同様にし
て、保護膜を形成し、ＲＢＳ（Ratherford Backscatte
ringSpectrometry）法により、保護膜の組成を分析した
ところ、同様な結果が得られた。
上に、比較例１ならびに実施例１および２と同様にし
て、保護膜を形成し、ＲＢＳ（Ratherford Backscatte
ringSpectrometry）法により、保護膜の組成を分析した
ところ、同様な結果が得られた。
【０２３１】実施例６ 図１ないし図５に示されるようにして、有機ＥＬ素子を
作成し、素子寿命を評価した。
作成し、素子寿命を評価した。
【０２３２】まず、図１に示されるように、無アルカリ
ガラス基板１上に、Ｒ、Ｇ、Ｂ用のカラーフィルター２
（富士フイルムオーリン株式会社製：商品名「ＣＲ−７
００１」「ＣＢ−７００１」、「ＣＧ−７００１」）を
形成した。
ガラス基板１上に、Ｒ、Ｇ、Ｂ用のカラーフィルター２
（富士フイルムオーリン株式会社製：商品名「ＣＲ−７
００１」「ＣＢ−７００１」、「ＣＧ−７００１」）を
形成した。
【０２３３】次いで、カラーフィルターの凹凸を緩和す
るため、感光性を有するアクリル樹脂（東京応化工業株
式会社製：商品名「ＣＦＰＲ」）を塗布して、アクリル
樹脂層を形成し、露光、現像後、オーブンにて、２２０
℃で、４時間にわたって、焼成した。
るため、感光性を有するアクリル樹脂（東京応化工業株
式会社製：商品名「ＣＦＰＲ」）を塗布して、アクリル
樹脂層を形成し、露光、現像後、オーブンにて、２２０
℃で、４時間にわたって、焼成した。
【０２３４】このときのアクリル樹脂層３の膜厚は約
１．７μｍであった。
１．７μｍであった。
【０２３５】図２に示されるように、こうして、基板上
に形成したアクリル樹脂層３上に、以下の条件で、シリ
コン窒化膜を、５０ないし１００ｎｍの膜厚に形成し
た。
に形成したアクリル樹脂層３上に、以下の条件で、シリ
コン窒化膜を、５０ないし１００ｎｍの膜厚に形成し
た。
【０２３６】ＲＦ電源電力：０．９ないし２．５Ｗ／平
方センチメートル ガス流量：ＳｉＨ４：３０〜１００ｃｃ／秒、 Ｎ２：２０００ｃｃ／秒 ＮＨ３：３０〜１００ｃｃ／秒 ガス圧力：３３３〜４６６Ｐａ 成膜温度：１５０〜２００℃ 膜厚：５０〜２００ｎｍ こうして、シリコン窒化膜が形成された基板を超音波で
洗浄して、パーティクルを除去し、１５０℃で、１時間
にわたって、焼成して、脱水、乾燥した。
方センチメートル ガス流量：ＳｉＨ４：３０〜１００ｃｃ／秒、 Ｎ２：２０００ｃｃ／秒 ＮＨ３：３０〜１００ｃｃ／秒 ガス圧力：３３３〜４６６Ｐａ 成膜温度：１５０〜２００℃ 膜厚：５０〜２００ｎｍ こうして、シリコン窒化膜が形成された基板を超音波で
洗浄して、パーティクルを除去し、１５０℃で、１時間
にわたって、焼成して、脱水、乾燥した。
【０２３７】その後、シリコン窒化膜上に、プラズマＣ
ＶＤ法によって、全く同様にして、５０ないし１００ｎ
ｍの膜厚のシリコン窒化膜を形成し、パッシベーション
層４とした。
ＶＤ法によって、全く同様にして、５０ないし１００ｎ
ｍの膜厚のシリコン窒化膜を形成し、パッシベーション
層４とした。
【０２３８】図３に示されるように、以上のようにして
形成されたパッシベーション層４上に、Ｏ２／Ａｒの雰
囲気で、０．４パスカルの減圧下で、スパッタリングに
よって、１００ｎｍの膜厚の透明電極（ＩＴＯ）５を形
成し、フォトリソグラフィーによって、配線を形成し
た。
形成されたパッシベーション層４上に、Ｏ２／Ａｒの雰
囲気で、０．４パスカルの減圧下で、スパッタリングに
よって、１００ｎｍの膜厚の透明電極（ＩＴＯ）５を形
成し、フォトリソグラフィーによって、配線を形成し
た。
【０２３９】次いで、図４に示されるように、透明電極
５のエッジを保護するために、レジストと用いて、エッ
ジカバー６を形成した。
５のエッジを保護するために、レジストと用いて、エッ
ジカバー６を形成した。
【０２４０】こうして得られた基板を、ＵＶ／Ｏ３によ
って、１時間にわたって、処理し、表面の有機成分を除
去した後、図５に示されるように、真空蒸着装置によっ
て、有機発光層７および電極８を形成し、有機ＥＬ素子
＃１を得た。
って、１時間にわたって、処理し、表面の有機成分を除
去した後、図５に示されるように、真空蒸着装置によっ
て、有機発光層７および電極８を形成し、有機ＥＬ素子
＃１を得た。
【０２４１】さらに、上述のようにして、基板１上に形
成したアクリル樹脂層３上に、２層のシリコン窒化膜よ
りなるパッシベーション層４に代えて、比較例５と同様
にして、シリコン酸化膜とシリコン酸窒化膜を形成し
て、パッシベーション層４を形成し、上述したのと同様
にして、透明電極５、配線、エッジカバー６、有機発光
層７および電極８を形成し、有機ＥＬ素子＃２を得た。
成したアクリル樹脂層３上に、２層のシリコン窒化膜よ
りなるパッシベーション層４に代えて、比較例５と同様
にして、シリコン酸化膜とシリコン酸窒化膜を形成し
て、パッシベーション層４を形成し、上述したのと同様
にして、透明電極５、配線、エッジカバー６、有機発光
層７および電極８を形成し、有機ＥＬ素子＃２を得た。
【０２４２】また、カラーフィルター２上に、アクリル
樹脂層３を形成することなく、比較例２と同様にして、
２層のシリコン酸化膜を形成して、パッシベーション層
４を形成し、上述したのと同様にして、透明電極５、配
線、エッジカバー６、有機発光層７および電極８を形成
し、有機ＥＬ素子＃３を得た。
樹脂層３を形成することなく、比較例２と同様にして、
２層のシリコン酸化膜を形成して、パッシベーション層
４を形成し、上述したのと同様にして、透明電極５、配
線、エッジカバー６、有機発光層７および電極８を形成
し、有機ＥＬ素子＃３を得た。
【０２４３】こうして得られた有機ＥＬ素子＃１、＃２
および＃３を、アルゴンガス雰囲気下で、定電流駆動し
て、ダークスポットの生成、成長を観察するとともに、
電流のリークが発生して、有機ＥＬ素子が破壊に至るま
での時間を測定した。
および＃３を、アルゴンガス雰囲気下で、定電流駆動し
て、ダークスポットの生成、成長を観察するとともに、
電流のリークが発生して、有機ＥＬ素子が破壊に至るま
での時間を測定した。
【０２４４】また、有機ＥＬ素子＃１を、大気中で、定
電流駆動して、電流のリークが発生して、有機ＥＬ素子
が破壊に至るまでの時間を測定した。
電流駆動して、電流のリークが発生して、有機ＥＬ素子
が破壊に至るまでの時間を測定した。
【０２４５】測定結果は、図６に示されている。
【０２４６】図６に示されるように、シリコン酸化膜と
シリコン酸窒化膜よりなるパッシベーション層４を備え
た有機ＥＬ素子＃２が、２３０時間で、電流のリークが
発生して、破壊に至り、ガスを発生させる原因となる水
分や有機溶媒成分を含むアクリル樹脂層３を備えていな
いにもかかわらず、２層のシリコン酸化膜よりなるパッ
シベーション層４を備えた有機ＥＬ素子＃３が、３００
時間で、電流のリークが発生して、破壊に至るのに対
し、本発明にかかる２層のシリコン窒化膜よりなるパッ
シベーション層４を備えた有機ＥＬ素子＃１は、３４０
時間を経過するまで、破壊せず、窒化シリコンを含むパ
ッシベーション層４を設けることによって、有機ＥＬ素
子の耐久性が大幅に向上することが判明した。
シリコン酸窒化膜よりなるパッシベーション層４を備え
た有機ＥＬ素子＃２が、２３０時間で、電流のリークが
発生して、破壊に至り、ガスを発生させる原因となる水
分や有機溶媒成分を含むアクリル樹脂層３を備えていな
いにもかかわらず、２層のシリコン酸化膜よりなるパッ
シベーション層４を備えた有機ＥＬ素子＃３が、３００
時間で、電流のリークが発生して、破壊に至るのに対
し、本発明にかかる２層のシリコン窒化膜よりなるパッ
シベーション層４を備えた有機ＥＬ素子＃１は、３４０
時間を経過するまで、破壊せず、窒化シリコンを含むパ
ッシベーション層４を設けることによって、有機ＥＬ素
子の耐久性が大幅に向上することが判明した。
【０２４７】図６に示されるように、２層のシリコン窒
化膜よりなるパッシベーション層４を備えた有機ＥＬ素
子＃１であっても、水分や有機物が存在する大気中にお
いては、有機ＥＬ素子の劣化が著しく、２０時間で、有
機ＥＬ素子が破壊に至ることがわかった。これは、有機
ＥＬ素子が湿気や有機物などに弱いことを示すものであ
る。
化膜よりなるパッシベーション層４を備えた有機ＥＬ素
子＃１であっても、水分や有機物が存在する大気中にお
いては、有機ＥＬ素子の劣化が著しく、２０時間で、有
機ＥＬ素子が破壊に至ることがわかった。これは、有機
ＥＬ素子が湿気や有機物などに弱いことを示すものであ
る。
【０２４８】実施例７ 実施例６と同様にして、基板１上に形成されたアクリル
樹脂層３上に、比較例２と同様にして、２層のシリコン
酸化膜を形成して、パッシベーション層４を形成し、上
述したのと同様にして、透明電極５、配線、エッジカバ
ー６、有機発光層７および電極８を形成し、有機ＥＬ素
子＃４を得た。
樹脂層３上に、比較例２と同様にして、２層のシリコン
酸化膜を形成して、パッシベーション層４を形成し、上
述したのと同様にして、透明電極５、配線、エッジカバ
ー６、有機発光層７および電極８を形成し、有機ＥＬ素
子＃４を得た。
【０２４９】実施例６において作成した有機ＥＬ素子＃
１、＃２および＃３と、有機ＥＬ素子＃４を、アルゴン
ガス雰囲気下で、定電流駆動して、ダークスポットの生
成、成長を観察した。
１、＃２および＃３と、有機ＥＬ素子＃４を、アルゴン
ガス雰囲気下で、定電流駆動して、ダークスポットの生
成、成長を観察した。
【０２５０】観察結果は、図７に示されている。
【０２５１】図７に示されるように、２層のシリコン酸
化膜よりなるパッシベーション層４を備えた有機ＥＬ素
子＃４においては、４８時間経過後のダークスポット面
積が、通電開始時の約２．８倍に増大し、シリコン酸化
膜とシリコン酸窒化膜よりなるパッシベーション層４を
備えた有機ＥＬ素子＃２においては、約２．４倍に増大
したのに対し、本発明にかかる２層のシリコン窒化膜よ
りなるパッシベーション層４を備えた有機ＥＬ素子＃１
においては、約１．６倍で、ガスを発生させる原因とな
る水分や有機溶媒成分を含むアクリル樹脂層３を備えて
いない有機ＥＬ素子＃３におけるのと大きな差がないこ
とが判明した。
化膜よりなるパッシベーション層４を備えた有機ＥＬ素
子＃４においては、４８時間経過後のダークスポット面
積が、通電開始時の約２．８倍に増大し、シリコン酸化
膜とシリコン酸窒化膜よりなるパッシベーション層４を
備えた有機ＥＬ素子＃２においては、約２．４倍に増大
したのに対し、本発明にかかる２層のシリコン窒化膜よ
りなるパッシベーション層４を備えた有機ＥＬ素子＃１
においては、約１．６倍で、ガスを発生させる原因とな
る水分や有機溶媒成分を含むアクリル樹脂層３を備えて
いない有機ＥＬ素子＃３におけるのと大きな差がないこ
とが判明した。
【０２５２】ここに、通電開始時に、すでに、ダークス
ポットが発生しているのは、ダークスポット評価用の実
験器具にセットするまでの間に、有機ＥＬ素子＃１、＃
２、＃３および＃４が大気に曝されたためである。
ポットが発生しているのは、ダークスポット評価用の実
験器具にセットするまでの間に、有機ＥＬ素子＃１、＃
２、＃３および＃４が大気に曝されたためである。
【０２５３】本発明は、以上の実施例に限定されること
なく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々
の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含さ
れるものであることはいうまでもない。
なく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々
の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含さ
れるものであることはいうまでもない。
【０２５４】たとえば、前記実施例においては、いずれ
も２層のシリコン窒化膜により、パッシベーション層を
形成しているが、パッシベーション層が２層構造である
ことは必ずしも必要ではなく、単層でも、あるいは、３
層以上でもよい。
も２層のシリコン窒化膜により、パッシベーション層を
形成しているが、パッシベーション層が２層構造である
ことは必ずしも必要ではなく、単層でも、あるいは、３
層以上でもよい。
【０２５５】
【発明の効果】本発明によれば、水分や有機溶媒成分が
吸着することを防止するとともに、水分や有機溶媒成分
がガス化して、放出されることを効果的に防止すること
ができ、平坦化のための有機層との密着性に優れたパッ
シベーション層を備え、生産性が高く、かつ、耐久性が
向上した有機ＥＬ素子およびそれを用いた有機ＥＬディ
スプレイパネルを提供することが可能になる。
吸着することを防止するとともに、水分や有機溶媒成分
がガス化して、放出されることを効果的に防止すること
ができ、平坦化のための有機層との密着性に優れたパッ
シベーション層を備え、生産性が高く、かつ、耐久性が
向上した有機ＥＬ素子およびそれを用いた有機ＥＬディ
スプレイパネルを提供することが可能になる。
【図１】図１は、実施例６における有機ＥＬ素子作成の
ステップを示す工程図である。
ステップを示す工程図である。
【図２】図２は、実施例６における有機ＥＬ素子作成の
ステップを示す工程図である。
ステップを示す工程図である。
【図３】図３は、実施例６における有機ＥＬ素子作成の
ステップを示す工程図である。
ステップを示す工程図である。
【図４】図４は、実施例６における有機ＥＬ素子作成の
ステップを示す工程図である。
ステップを示す工程図である。
【図５】図５は、実施例６における有機ＥＬ素子作成の
ステップを示す工程図である。
ステップを示す工程図である。
【図６】図６は、実施例６における有機ＥＬ素子＃１、
＃２、＃３の破壊に至る時間を測定した結果を示すグラ
フである。
＃２、＃３の破壊に至る時間を測定した結果を示すグラ
フである。
【図７】図７は、実施例７における有機ＥＬ素子＃１、
＃２、＃３、＃４のダークスポットの生成、成長を観察
した結果を示すグラフである。
＃２、＃３、＃４のダークスポットの生成、成長を観察
した結果を示すグラフである。
１ 基板 ２ カラーフィルター ３ アクリル樹脂層 ４ パッシベーション層 ５ 透明電極 ６ エッジカバー ７ 有機発光層 ８ 電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山谷 学 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 青山 恵 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 Ｆターム(参考） 3K007 AB04 AB11 AB13 AB15 AB18 BA06 BB00 BB06 CA01 CA05 CB01 DA01 DB03 EA01 EB00 FA01 FA02
Claims (26)
- 【請求項１】 基板と、少なくとも一層のパッシベーシ
ョン層と、電極を備え、前記パッシベーション層が、窒
化シリコンを含有することを特徴とする有機ＥＬ素子。 - 【請求項２】 さらに、平坦化層を備え、前記パッシベ
ーション層が、前記平坦化層と前記電極との間に形成さ
れたことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項３】 前記平坦化層が、有機材料または有機溶
剤を含有していることを特徴とする請求項２に記載の有
機ＥＬ素子。 - 【請求項４】 さらに、蒸着によって形成されたカラー
フィルター層を備え、前記パッシベーション層が、前記
カラーフィルター層と前記電極との間に形成されたこと
を特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項５】 ６３２ｎｍの波長における前記パッシベ
ーション層の屈折率が１．８ないし２．２の範囲にある
ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記
載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項６】 ６３２ｎｍの波長における前記パッシベ
ーション層の屈折率が１．９ないし２．１の範囲にある
ことを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項７】 前記窒化シリコンがＳｉＮｘで表わした
ときに、ｘが０．５ないし１．５の範囲内にあることを
特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の有
機ＥＬ素子。 - 【請求項８】 前記窒化シリコンがＳｉＮｘで表わした
ときに、ｘが０．８ないし１．３の範囲内にあることを
特徴とする請求項７に記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項９】 前記パッシベーションが、１０原子％な
いし３０原子％の水素を含有することを特徴とする請求
項１ないし８のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項１０】 前記パッシベーションが、２０原子％
ないし３０原子％の水素を含有することを特徴とする請
求項９に記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項１１】 前記パッシベーション層が、ＣＶＤ法
によって成膜されたことを特徴とする請求項１ないし１
０のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項１２】 前記パッシベーション層が、プラズマ
ＣＶＤ法によって成膜されたことを特徴とする請求項１
１に記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項１３】 前記パッシベーション層が２層よりな
ることを特徴とする請求項１ないし１２のいずれか１項
に記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項１４】 それぞれ、基板と、窒化シリコンを含
有する少なくとも一層のパッシベーション層と、電極を
備えた複数の有機ＥＬ素子を備え、前記複数の有機ＥＬ
素子が独立して、制御が可能に、分割されたことを特徴
とする有機ＥＬディスプレイパネル。 - 【請求項１５】 さらに、前記有機ＥＬ素子の各々が、
平坦化層を備え、前記パッシベーション層が、前記平坦
化層と前記電極との間に形成されたことを特徴とする請
求項１４に記載の有機ＥＬディスプレイパネル。 - 【請求項１６】 前記平坦化層が、有機材料または有機
溶剤を含有していることを特徴とする請求項１５に記載
の有機ＥＬディスプレイパネル。 - 【請求項１７】 さらに、前記有機ＥＬ素子の各々が、
蒸着によって形成されたカラーフィルター層を備え、前
記パッシベーション層が、前記カラーフィルター層と前
記電極との間に形成されたことを特徴とする請求項１４
に記載の有機ＥＬディスプレイパネル。 - 【請求項１８】 ６３２ｎｍの波長における前記パッシ
ベーション層の屈折率が１．８ないし２．２の範囲にあ
ることを特徴とする請求項１４ないし１７のいずれか１
項に記載の有機ＥＬディスプレイパネル。 - 【請求項１９】 ６３２ｎｍの波長における前記パッシ
ベーション層の屈折率が１．９ないし２．１の範囲にあ
ることを特徴とする請求項１８に記載の有機ＥＬディス
プレイパネル。 - 【請求項２０】 前記窒化シリコンがＳｉＮｘで表わし
たときに、ｘが０．５ないし１．５の範囲内にあること
を特徴とする請求項１４ないし１９のいずれか１項に記
載の有機ＥＬディスプレイパネル。 - 【請求項２１】 前記窒化シリコンがＳｉＮｘで表わし
たときに、ｘが０．８ないし１．３の範囲内にあること
を特徴とする請求項２０に記載の有機ＥＬディスプレイ
パネル。 - 【請求項２２】 前記パッシベーションが、１０原子％
ないし３０原子％の水素を含有することを特徴とする請
求項１４ないし２１のいずれか１項に記載の有機ＥＬデ
ィスプレイパネル。 - 【請求項２３】 前記パッシベーションが、２０原子％
ないし３０原子％の水素を含有することを特徴とする請
求項２２に記載の有機ＥＬディスプレイパネル。 - 【請求項２４】 前記パッシベーション層が、ＣＶＤ法
によって成膜されたことを特徴とする請求項１４ないし
２３のいずれか１項に記載の有機ＥＬディスプレイパネ
ル。 - 【請求項２５】 前記パッシベーション層が、プラズマ
ＣＶＤ法によって成膜されたことを特徴とする請求項２
４に記載の有機ＥＬディスプレイパネル。 - 【請求項２６】 前記パッシベーション層が２層よりな
ることを特徴とする請求項１４ないし２５のいずれか１
項に記載の有機ＥＬディスプレイパネル。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000328673A JP4600857B2 (ja) | 2000-10-27 | 2000-10-27 | 有機ｅｌ素子の製造方法および有機ｅｌ素子 |
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|---|---|---|---|
| JP2000328673A JP4600857B2 (ja) | 2000-10-27 | 2000-10-27 | 有機ｅｌ素子の製造方法および有機ｅｌ素子 |
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|---|---|
| JP2002134268A true JP2002134268A (ja) | 2002-05-10 |
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002184578A (ja) * | 2000-12-18 | 2002-06-28 | Fuji Electric Co Ltd | 色変換フィルタ基板、該色変換フィルタ基板を具備する色変換カラーディスプレイ、およびそれらの製造方法 |
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