JPH04259792A - 薄膜白色ｅｌパネル - Google Patents
薄膜白色ｅｌパネルInfo
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- JPH04259792A JPH04259792A JP3018534A JP1853491A JPH04259792A JP H04259792 A JPH04259792 A JP H04259792A JP 3018534 A JP3018534 A JP 3018534A JP 1853491 A JP1853491 A JP 1853491A JP H04259792 A JPH04259792 A JP H04259792A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、画像表示に使用される
薄膜白色ＥＬパネルに関するものである。
薄膜白色ＥＬパネルに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＥＬディスプレイは、完全固定、自発光
型、超薄型、高視認性、高信頼性などのメリットを有す
るフラットディスプレイであり、ＺｎＳにＭｎをドープ
したＺｎＳ：Ｍｎを発光膜とするオレンジ色のＥＬは広
く実用化されている。そして、白色ＥＬ、カラーＥＬへ
の要求が高まっており、それらに関する研究報告も多い
。白色ＥＬ、カラーＥＬのために発光膜の母体材料とし
てＺｎＳ以外の例えばＣａＳ，ＳｒＳ，ＢａＳ等のアル
カリ土類金属硫化物を用いたＥＬの研究が盛んになりつ
つある。
型、超薄型、高視認性、高信頼性などのメリットを有す
るフラットディスプレイであり、ＺｎＳにＭｎをドープ
したＺｎＳ：Ｍｎを発光膜とするオレンジ色のＥＬは広
く実用化されている。そして、白色ＥＬ、カラーＥＬへ
の要求が高まっており、それらに関する研究報告も多い
。白色ＥＬ、カラーＥＬのために発光膜の母体材料とし
てＺｎＳ以外の例えばＣａＳ，ＳｒＳ，ＢａＳ等のアル
カリ土類金属硫化物を用いたＥＬの研究が盛んになりつ
つある。
【０００３】従来、アルカリ土類金属硫化物を用いたＥ
Ｌとしては図３及び図４に示されたものが知られている
。図３はアルカリ土類の硫化物を発光母体材料として用
いたＥＬの一般的な構造を示す図である。図３のＥＬは
発光膜の両側を絶縁膜で挟んだ構造をしており、一般に
二重絶縁構造と呼ばれる。ＥＬ薄膜は、ガラス基板１１
上に透明電極１２、第一層絶縁膜１３、バッファ膜１４
、発光膜１５、バッファ膜１６、第二層絶縁膜１７、背
面電極１８の順に積層される。
Ｌとしては図３及び図４に示されたものが知られている
。図３はアルカリ土類の硫化物を発光母体材料として用
いたＥＬの一般的な構造を示す図である。図３のＥＬは
発光膜の両側を絶縁膜で挟んだ構造をしており、一般に
二重絶縁構造と呼ばれる。ＥＬ薄膜は、ガラス基板１１
上に透明電極１２、第一層絶縁膜１３、バッファ膜１４
、発光膜１５、バッファ膜１６、第二層絶縁膜１７、背
面電極１８の順に積層される。
【０００４】ガラス基板上１１の透明電極１２はストラ
イプ状に形成され、材料としてはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ
Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などが用いられる。絶縁膜
１３，１７はＳｉＯ２ ，Ｓｉ３ Ｎ４ 、あるいはＴ
ａ２ Ｏ５ などが用いられる。絶縁膜１３，１７の性
能を極力引き出すためにそれぞれを複合絶縁膜にするこ
ともある。
イプ状に形成され、材料としてはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ
Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などが用いられる。絶縁膜
１３，１７はＳｉＯ２ ，Ｓｉ３ Ｎ４ 、あるいはＴ
ａ２ Ｏ５ などが用いられる。絶縁膜１３，１７の性
能を極力引き出すためにそれぞれを複合絶縁膜にするこ
ともある。
【０００５】図４は第一層絶縁膜及び第二層絶縁膜を複
合絶縁膜にしたＥＬの構造を示すもので、絶縁膜２３，
２７において２３ａをＳｉＯ２ など、２３ｂをＴａ２
Ｏ５ などにより形成し、これと対称的になるように
２７ａをＳｉＯ２ など、２７ｂをＴａ２ Ｏ５あるい
はＳｉ３ Ｎ４ などにより形成する。バッファ層１４
，１６は、ＺｎＳ薄膜が用いられる。このバッファ層は
ＥＬ素子の発光膜の剥離防止及び酸化防止のために設け
られた薄膜である。
合絶縁膜にしたＥＬの構造を示すもので、絶縁膜２３，
２７において２３ａをＳｉＯ２ など、２３ｂをＴａ２
Ｏ５ などにより形成し、これと対称的になるように
２７ａをＳｉＯ２ など、２７ｂをＴａ２ Ｏ５あるい
はＳｉ３ Ｎ４ などにより形成する。バッファ層１４
，１６は、ＺｎＳ薄膜が用いられる。このバッファ層は
ＥＬ素子の発光膜の剥離防止及び酸化防止のために設け
られた薄膜である。
【０００６】発光膜１５は、ＣａＳ，ＳｒＳ，ＢａＳな
どの母体材料に、０．０１〜数ｍｏ１％程度の希土類を
発光中心材料として混合したものである。白色発光のＥ
Ｌパネルの場合には、母体材料ＳｒＳにＣｅ，Ｅｕの発
光中心と、電価補償材料としてＫを用いたＳｒＳ：Ｃｅ
，Ｅｕ，Ｋが用いられる。発光膜はスパッタ法や、電子
線蒸着法などの真空成膜法により形成される。
どの母体材料に、０．０１〜数ｍｏ１％程度の希土類を
発光中心材料として混合したものである。白色発光のＥ
Ｌパネルの場合には、母体材料ＳｒＳにＣｅ，Ｅｕの発
光中心と、電価補償材料としてＫを用いたＳｒＳ：Ｃｅ
，Ｅｕ，Ｋが用いられる。発光膜はスパッタ法や、電子
線蒸着法などの真空成膜法により形成される。
【０００７】背面電極１８は、透明電極と直交する方向
にストライプ状に形成され、アルミニウムの金属電極が
用いられる。ＥＬ発光は、透明電極１２と背面電極１８
の間に、２００Ｖ程度の交流電圧を印加することにより
、これらの電極の交差した部分から生じ、ガラス基板１
１を通して観測される。このようなＥＬ素子、特に図４
に示した複合絶縁膜を用いた素子においては、１ｋＨｚ
で駆動時において５００ｃｄ／ｍ２ 程度の輝度が得ら
れている。
にストライプ状に形成され、アルミニウムの金属電極が
用いられる。ＥＬ発光は、透明電極１２と背面電極１８
の間に、２００Ｖ程度の交流電圧を印加することにより
、これらの電極の交差した部分から生じ、ガラス基板１
１を通して観測される。このようなＥＬ素子、特に図４
に示した複合絶縁膜を用いた素子においては、１ｋＨｚ
で駆動時において５００ｃｄ／ｍ２ 程度の輝度が得ら
れている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の薄膜白色ＥＬパネルにおいては、ＳｉＯ２ 膜は欠
陥が少ない緻密な膜であり、ＥＬ素子には欠かせない絶
縁膜として用いられるが、Ｓｉ３ Ｎ４ ，Ｔａ２ Ｏ
５ のようなＳｉＯ２ に積層する絶縁膜には以下のよ
うな欠点がある。
来の薄膜白色ＥＬパネルにおいては、ＳｉＯ２ 膜は欠
陥が少ない緻密な膜であり、ＥＬ素子には欠かせない絶
縁膜として用いられるが、Ｓｉ３ Ｎ４ ，Ｔａ２ Ｏ
５ のようなＳｉＯ２ に積層する絶縁膜には以下のよ
うな欠点がある。
【０００９】すなわち、Ｓｉ３ Ｎ４ を絶縁膜として
用いる場合、Ｓｉ３ Ｎ４ は誘電率が約９と低いため
、膜厚をあまり厚くできない。そして、絶縁膜Ｓｉ３
Ｎ４ の膜厚が不十分であると、耐圧性が低下し、ＥＬ
素子の破壊の原因となる。また、Ｔａ２ Ｏ５ は誘電
率が２４と高く、膜厚を十分厚くすることができ耐圧性
を良くできるが、Ｔａと酸素Ｏの結合が弱いので、絶縁
膜から発光膜への酸素の拡散により、発光輝度が低減す
る原因となる。
用いる場合、Ｓｉ３ Ｎ４ は誘電率が約９と低いため
、膜厚をあまり厚くできない。そして、絶縁膜Ｓｉ３
Ｎ４ の膜厚が不十分であると、耐圧性が低下し、ＥＬ
素子の破壊の原因となる。また、Ｔａ２ Ｏ５ は誘電
率が２４と高く、膜厚を十分厚くすることができ耐圧性
を良くできるが、Ｔａと酸素Ｏの結合が弱いので、絶縁
膜から発光膜への酸素の拡散により、発光輝度が低減す
る原因となる。
【００１０】つまり、ＳｉＯ２ に積層する絶縁膜の材
料は誘電率が高く、かつ化学的な安定性の良いという条
件を備えていることが必要であるにもかかわらず、その
条件を満たす材料が得られていないという問題点があっ
た。ここで、前記問題点の理解を容易にするために、Ｅ
Ｌ用の絶縁膜の厚さ、誘電率、及び印加電圧の関係につ
いて説明しておく。
料は誘電率が高く、かつ化学的な安定性の良いという条
件を備えていることが必要であるにもかかわらず、その
条件を満たす材料が得られていないという問題点があっ
た。ここで、前記問題点の理解を容易にするために、Ｅ
Ｌ用の絶縁膜の厚さ、誘電率、及び印加電圧の関係につ
いて説明しておく。
【００１１】ＥＬ素子に対する印加電圧はすべてが発光
膜にかかるわけではなく、絶縁膜で電圧降下がおこる。 絶縁膜にかかる電圧が増加すると、その分、発光膜にか
かる電圧が減るため、発光輝度が低下し、また十分な輝
度を得るためには素子への印加電圧を増加する必要があ
る。一般にＥＬ用の絶縁膜の厚さと絶縁膜にかかる電圧
の関係は式（１）で表している。 Ｖ＝ｄ・Ｅ …… （１） ここでＶは絶縁膜にかかる電圧、ｄは膜の厚さ、Ｅは膜
内部の電界である。Ｖはｄを減らせば小さくなるが、絶
縁膜を薄くすることは耐圧性を劣化することになるので
十分な耐圧性が得られる厚さ以下にはできない。
膜にかかるわけではなく、絶縁膜で電圧降下がおこる。 絶縁膜にかかる電圧が増加すると、その分、発光膜にか
かる電圧が減るため、発光輝度が低下し、また十分な輝
度を得るためには素子への印加電圧を増加する必要があ
る。一般にＥＬ用の絶縁膜の厚さと絶縁膜にかかる電圧
の関係は式（１）で表している。 Ｖ＝ｄ・Ｅ …… （１） ここでＶは絶縁膜にかかる電圧、ｄは膜の厚さ、Ｅは膜
内部の電界である。Ｖはｄを減らせば小さくなるが、絶
縁膜を薄くすることは耐圧性を劣化することになるので
十分な耐圧性が得られる厚さ以下にはできない。
【００１２】ＥＬ用の絶縁膜の誘電率によって、絶縁膜
の厚さをどのぐらいにできるか目安のために、誘電率ε
１ ，ε２ の二種類絶縁膜を用いて説明する。まず、
絶縁膜１と２の電束密度連続の条件より、 ε１ ・Ｅ１ ＝ε２ ・Ｅ２ …… （２）が成り
立つ。
の厚さをどのぐらいにできるか目安のために、誘電率ε
１ ，ε２ の二種類絶縁膜を用いて説明する。まず、
絶縁膜１と２の電束密度連続の条件より、 ε１ ・Ｅ１ ＝ε２ ・Ｅ２ …… （２）が成り
立つ。
【００１３】絶縁膜１と絶縁膜２の誘電率が、例えばε
１ がε２の３倍である。すなわち、ε１ ＝３ε２
とすると、これを式（２）に代入して、 ３ε２ ・Ｅ１ ＝ε２ ・Ｅ２ そこで、３Ｅ１ ＝
Ｅ２ …… （３） が得られる。
１ がε２の３倍である。すなわち、ε１ ＝３ε２
とすると、これを式（２）に代入して、 ３ε２ ・Ｅ１ ＝ε２ ・Ｅ２ そこで、３Ｅ１ ＝
Ｅ２ …… （３） が得られる。
【００１４】次に、例えば誘電率ε１ ，ε２ 二種類
の絶縁膜に同じ大きさの電圧がかかっている場合、すな
わちＶ１ ＝Ｖ２とすると、式（１）によりｄ１ ・Ｅ
１ ＝ｄ２ ・Ｅ２ …… （４）が得られる。式（
３）を式（４）に代入してｄ１ ・Ｅ１ ＝ｄ２ ・３
Ｅ１ すなわち、ｄ１ ＝３ｄ２ となる。
の絶縁膜に同じ大きさの電圧がかかっている場合、すな
わちＶ１ ＝Ｖ２とすると、式（１）によりｄ１ ・Ｅ
１ ＝ｄ２ ・Ｅ２ …… （４）が得られる。式（
３）を式（４）に代入してｄ１ ・Ｅ１ ＝ｄ２ ・３
Ｅ１ すなわち、ｄ１ ＝３ｄ２ となる。
【００１５】以上の説明から分かるように、誘電率が３
倍大きな絶縁膜を用いると絶縁膜を３倍にしても同じ大
きさの電圧しかかからない。すなわち、誘電率の高い絶
縁膜の膜厚は厚くすることができることが分かる。さら
に、十分な耐圧性を維持する範囲で膜厚を薄くすると、
印加電圧を低下することができることが分かる。本発明
は、上記従来の問題点を解決してアルカリ土類硫化物を
発光母体材料として用いた薄膜ＥＬ素子の耐圧性の向上
及び印加電圧の低下が可能な薄膜白色ＥＬパネルを提供
することを目的とする。
倍大きな絶縁膜を用いると絶縁膜を３倍にしても同じ大
きさの電圧しかかからない。すなわち、誘電率の高い絶
縁膜の膜厚は厚くすることができることが分かる。さら
に、十分な耐圧性を維持する範囲で膜厚を薄くすると、
印加電圧を低下することができることが分かる。本発明
は、上記従来の問題点を解決してアルカリ土類硫化物を
発光母体材料として用いた薄膜ＥＬ素子の耐圧性の向上
及び印加電圧の低下が可能な薄膜白色ＥＬパネルを提供
することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】前記問題点を解決するた
めに、本発明は、アルカリ土類金属硫化物を材料とする
を発光膜を備えた薄膜白色ＥＬパネルにおいて、誘電率
が高く、かつ化学的な安定性が良い窒化物であるＳｉＡ
ｌＮ、ＳｉＡｌＯＮ等を絶縁膜として用いたものである
。
めに、本発明は、アルカリ土類金属硫化物を材料とする
を発光膜を備えた薄膜白色ＥＬパネルにおいて、誘電率
が高く、かつ化学的な安定性が良い窒化物であるＳｉＡ
ｌＮ、ＳｉＡｌＯＮ等を絶縁膜として用いたものである
。
【００１７】
【作用】本発明によれば、以上のように薄膜白色ＥＬパ
ネルを構成したので、誘電率の低い絶縁膜を用いたもの
と比較すると、同じ印加電圧に対して絶縁膜を厚くする
ことが可能であり、耐圧性を高めることができる。また
、ＳｉＡｌＯＮ、ＳｉＡｌＮ等は化学的な安定性が高く
緻密な膜であるから、ＥＬ素子の絶縁膜の膜厚を薄くす
ることができ、印加電圧を低下させることが可能となる
。また、化学的な安定性が良い膜を用いたことにより、
絶縁膜から発光膜への酸素の拡散による発光輝度の低下
を防止することができる。
ネルを構成したので、誘電率の低い絶縁膜を用いたもの
と比較すると、同じ印加電圧に対して絶縁膜を厚くする
ことが可能であり、耐圧性を高めることができる。また
、ＳｉＡｌＯＮ、ＳｉＡｌＮ等は化学的な安定性が高く
緻密な膜であるから、ＥＬ素子の絶縁膜の膜厚を薄くす
ることができ、印加電圧を低下させることが可能となる
。また、化学的な安定性が良い膜を用いたことにより、
絶縁膜から発光膜への酸素の拡散による発光輝度の低下
を防止することができる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例による薄
膜白色ＥＬパネルの構造を示す一部断面図である。本発
明の実施例による薄膜白色ＥＬパネルは、ガラス基板１
上に、透明電極２を形成したのち、第一層絶縁膜３を形
成する。この絶縁膜３は、二種類の絶縁膜を積層した複
合絶縁膜とする。透明電極２側の絶縁膜３ａは透明電極
２とガラス基板１に対して付着力の強いＳｉＯ２ とし
、その上に絶縁膜３ｂとして誘電率が高く、かつ化学的
な安定性の良いＳｉＡｌＮ、あるいはＳｉＡｌＯＮのよ
うな窒化物を積層する。この実施例においては、３ａは
スパッタリング法で成膜した厚さ８０ｎｍのＳｉＯ２
薄膜とし、３ｂは厚さ１５０ｎｍ〜３００ｎｍのＳｉＡ
ｌＮ薄膜あるいはＳｉＡｌＯＮ薄膜とした。
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例による薄
膜白色ＥＬパネルの構造を示す一部断面図である。本発
明の実施例による薄膜白色ＥＬパネルは、ガラス基板１
上に、透明電極２を形成したのち、第一層絶縁膜３を形
成する。この絶縁膜３は、二種類の絶縁膜を積層した複
合絶縁膜とする。透明電極２側の絶縁膜３ａは透明電極
２とガラス基板１に対して付着力の強いＳｉＯ２ とし
、その上に絶縁膜３ｂとして誘電率が高く、かつ化学的
な安定性の良いＳｉＡｌＮ、あるいはＳｉＡｌＯＮのよ
うな窒化物を積層する。この実施例においては、３ａは
スパッタリング法で成膜した厚さ８０ｎｍのＳｉＯ２
薄膜とし、３ｂは厚さ１５０ｎｍ〜３００ｎｍのＳｉＡ
ｌＮ薄膜あるいはＳｉＡｌＯＮ薄膜とした。
【００１９】なお、ＳｉＡｌＮとＳｉＡｌＯＮの誘電率
はそれぞれ１８と２１である。また、ＳｉＡｌＯＮは酸
化物であるが、化学的な安定性が高いため、絶縁膜の酸
素が発光膜へ拡散することはほとんどない。続いて、バ
ッファ層４のＺｎＳを電子線蒸着で形成した。発光膜５
は、白色発光のＳｒＳ：Ｃｅ，Ｅｕ，Ｋにおいて、Ｓｒ
Ｓを母体材料とし、その中にＣｅは青緑の発光中心とし
て希土類化合物ＣｅＣｌ３ の形で０．１ｍｏ１％、Ｅ
ｕは赤の発光中心として希土類化合物ＥｕＳを０．０３
ｍｏ１％、Ｃｅの電荷補償材料ＫとしてＫＣｌの形で０
．１ｍｏ１％を混合した粉末を加圧成型したペレットを
蒸着材料として用い、電子線蒸着法により成膜した。
はそれぞれ１８と２１である。また、ＳｉＡｌＯＮは酸
化物であるが、化学的な安定性が高いため、絶縁膜の酸
素が発光膜へ拡散することはほとんどない。続いて、バ
ッファ層４のＺｎＳを電子線蒸着で形成した。発光膜５
は、白色発光のＳｒＳ：Ｃｅ，Ｅｕ，Ｋにおいて、Ｓｒ
Ｓを母体材料とし、その中にＣｅは青緑の発光中心とし
て希土類化合物ＣｅＣｌ３ の形で０．１ｍｏ１％、Ｅ
ｕは赤の発光中心として希土類化合物ＥｕＳを０．０３
ｍｏ１％、Ｃｅの電荷補償材料ＫとしてＫＣｌの形で０
．１ｍｏ１％を混合した粉末を加圧成型したペレットを
蒸着材料として用い、電子線蒸着法により成膜した。
【００２０】さらに、ＺｎＳ膜６をＺｎＳ膜４と同様に
形成した。第二層絶縁膜７は、第一層絶縁膜３の二種類
の絶縁膜３ａ，３ｂとの膜構成が発光膜５に対して対称
になるように形成する。すなわち、発光膜側に厚さ１５
０ｎｍ〜３００ｎｍのＳｉＡｌＯＮあるいはＳｉＡｌＮ
による薄膜７ｂを形成し、背面電極側にＳｉＯ２ 薄膜
７ａを形成した。
形成した。第二層絶縁膜７は、第一層絶縁膜３の二種類
の絶縁膜３ａ，３ｂとの膜構成が発光膜５に対して対称
になるように形成する。すなわち、発光膜側に厚さ１５
０ｎｍ〜３００ｎｍのＳｉＡｌＯＮあるいはＳｉＡｌＮ
による薄膜７ｂを形成し、背面電極側にＳｉＯ２ 薄膜
７ａを形成した。
【００２１】背面電極８は、例えばＡｌなどの金属電極
を用いた。ＥＬ発光は、透明電極と背面電極に交流電圧
を印加することにより、白色発光はこれらの電極の交差
した部分から生じ、ガラス基板を通して観測される。図
２は本発明の実施例による薄膜白色ＥＬパネルの輝度−
電圧特性図で、ＥＬ素子の絶縁膜３ｂ，７ｂのＳｉＡｌ
ＯＮ（１５０ｎｍ）、あるいはＳｉＡｌＮ（１５０ｎｍ
）と図４の従来の素子２３ｂのＳｉ３ Ｎ４ （１５０
ｎｍ）の膜厚が同じ場合の輝度−電圧特性を示している
。
を用いた。ＥＬ発光は、透明電極と背面電極に交流電圧
を印加することにより、白色発光はこれらの電極の交差
した部分から生じ、ガラス基板を通して観測される。図
２は本発明の実施例による薄膜白色ＥＬパネルの輝度−
電圧特性図で、ＥＬ素子の絶縁膜３ｂ，７ｂのＳｉＡｌ
ＯＮ（１５０ｎｍ）、あるいはＳｉＡｌＮ（１５０ｎｍ
）と図４の従来の素子２３ｂのＳｉ３ Ｎ４ （１５０
ｎｍ）の膜厚が同じ場合の輝度−電圧特性を示している
。
【００２２】１ｋＨｚの正弦波で駆動した時、実施例の
ＳｉＡｌＯＮ、ＳｉＡｌＮ絶縁膜を用いた素子と従来の
Ｓｉ３ Ｎ４ 絶縁膜を用いた素子の最高輝度はほとん
ど同じである。しかし、実施例のＥＬ素子はＳｉ３Ｎ４
絶縁膜のＥＬ素子より、発光開始電圧がかなり低くな
った。 すなわち、同じ輝度１ｃｄ／ｍ２ を得るのに、ＳｉＡ
ｌＯＮ、ＳｉＡｌＮ絶縁膜の素子の場合は、約１１０Ｖ
に対し、絶縁膜Ｓｉ３ Ｎ４ のＥＬ素子の場合は約１
５０Ｖになる。したがって、ＳｉＡｌＯＮ、あるいはＳ
ｉＡｌＮを絶縁膜として用いることにより、印加電圧を
低下することが可能になる。
ＳｉＡｌＯＮ、ＳｉＡｌＮ絶縁膜を用いた素子と従来の
Ｓｉ３ Ｎ４ 絶縁膜を用いた素子の最高輝度はほとん
ど同じである。しかし、実施例のＥＬ素子はＳｉ３Ｎ４
絶縁膜のＥＬ素子より、発光開始電圧がかなり低くな
った。 すなわち、同じ輝度１ｃｄ／ｍ２ を得るのに、ＳｉＡ
ｌＯＮ、ＳｉＡｌＮ絶縁膜の素子の場合は、約１１０Ｖ
に対し、絶縁膜Ｓｉ３ Ｎ４ のＥＬ素子の場合は約１
５０Ｖになる。したがって、ＳｉＡｌＯＮ、あるいはＳ
ｉＡｌＮを絶縁膜として用いることにより、印加電圧を
低下することが可能になる。
【００２３】さらに、ＳｉＡｌＯＮやＳｉＡｌＮのよう
な絶縁膜の膜厚を３００ｎｍまで増加すると、ＥＬ素子
への印加電圧は増加するが、絶縁膜の膜厚が厚くなった
ことで、耐圧も向上し、Ｓｉ３ Ｎ４ 絶縁膜を用いた
素子の約１．５倍の最大輝度が得られた。なお、上記実
施例においてはＳｉＡｌＯＮもしくはＳｉＡｌＮを絶縁
膜として用いているが、ＳｉＢＯＮ、ＳｉＢＮ、ＳｉＧ
ａＯＮ、ＳｉＧａＮを絶縁膜として用いてもよい。
な絶縁膜の膜厚を３００ｎｍまで増加すると、ＥＬ素子
への印加電圧は増加するが、絶縁膜の膜厚が厚くなった
ことで、耐圧も向上し、Ｓｉ３ Ｎ４ 絶縁膜を用いた
素子の約１．５倍の最大輝度が得られた。なお、上記実
施例においてはＳｉＡｌＯＮもしくはＳｉＡｌＮを絶縁
膜として用いているが、ＳｉＢＯＮ、ＳｉＢＮ、ＳｉＧ
ａＯＮ、ＳｉＧａＮを絶縁膜として用いてもよい。
【００２４】また、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能で
あり、それらを本発明の範囲から排除するものではない
。
のではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能で
あり、それらを本発明の範囲から排除するものではない
。
【００２５】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、アルカリ土類硫化物を発光材料とするＥＬ素子に
おいて、ＳｉＡｌＯＮ，ＳｉＡｌＮなどの誘電率が高く
、かつ化学的な安定性の良い絶縁膜を用いることによっ
て、ＥＬ素子の印加電圧の低下が達成でき、さらに耐圧
性の向上も達成できる。
れば、アルカリ土類硫化物を発光材料とするＥＬ素子に
おいて、ＳｉＡｌＯＮ，ＳｉＡｌＮなどの誘電率が高く
、かつ化学的な安定性の良い絶縁膜を用いることによっ
て、ＥＬ素子の印加電圧の低下が達成でき、さらに耐圧
性の向上も達成できる。
【図１】本発明の実施例による薄膜白色ＥＬパネルの構
造を示す一部断面図である。
造を示す一部断面図である。
【図２】本発明の実施例による薄膜白色ＥＬパネルの輝
度−電圧特性図である。
度−電圧特性図である。
【図３】従来の薄膜白色ＥＬパネルの構造を示す一部断
面図である。
面図である。
【図４】従来の他の薄膜白色ＥＬパネルの構造を示す一
部断面図である。
部断面図である。
１ ガラス基板
２ 透明電極
３ａ ＳｉＯ２ 層
３ｂ ＳｉＡｌＮ，ＳｉＡｌＯＮ層４
バッファ層 ５ 発光膜 ６ バッファ層 ７ 第二層絶縁膜 ８ 背面電極
バッファ層 ５ 発光膜 ６ バッファ層 ７ 第二層絶縁膜 ８ 背面電極
Claims (3)
- 【請求項１】 アルカリ土類金属硫化物を材料とする
を発光膜を備えた薄膜白色ＥＬパネルにおいて、誘電率
が高く、かつ化学的な安定性が良い窒化物により構成さ
れる絶縁層を設けたことを特徴とする薄膜白色ＥＬパネ
ル。 - 【請求項２】 窒化物としてＳｉＡｌＮ、又はＳｉＡ
ｌＯＮを用いた請求項１記載の薄膜白色ＥＬパネル。 - 【請求項３】 窒化物としてＳｉＢＮ、ＳｉＢＯＮ、
ＳｉＧａＮ、ＳｉＧａＯＮのいずれか１つを用いた請求
項１記載の薄膜白色ＥＬパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3018534A JPH04259792A (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | 薄膜白色ｅｌパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3018534A JPH04259792A (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | 薄膜白色ｅｌパネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04259792A true JPH04259792A (ja) | 1992-09-16 |
Family
ID=11974296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3018534A Withdrawn JPH04259792A (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | 薄膜白色ｅｌパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04259792A (ja) |
-
1991
- 1991-02-12 JP JP3018534A patent/JPH04259792A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |