JPS6089098A - 薄膜ｅｌ素子の電極構造 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子の電極構造Info
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- JPS6089098A JPS6089098A JP58198054A JP19805483A JPS6089098A JP S6089098 A JPS6089098 A JP S6089098A JP 58198054 A JP58198054 A JP 58198054A JP 19805483 A JP19805483 A JP 19805483A JP S6089098 A JPS6089098 A JP S6089098A
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- Japan
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- thin film
- electrode
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- electrode structure
- thin
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は、交流電界の印加によってエレク゛トロルミネ
ッセンス（以下ＥＬと略称する）発光を呈する薄膜ＥＬ
素子の構造に係り、特に基板を並べく従来技術〉 従来、交流動作の薄膜ＥＬ素子に関して、発光層に規則
的に高い電界（’１０’Ｖ／ｍ程度）を印加し、絶縁耐
圧３発光効率及び動作の安定性等を高めるために、０．
１〜２０ｗｔ％のＭｎ （あるいはＣｕ 、 Ａｔ、
Ｂｒ 等）をドープしたＺＨ５、Ｚｎ５ｅ等の半導体発
光層をＹ２Ｏ３，ＴｉＯ２等の誘電体薄膜でサンドイン
チした三層構造ＺｎＳ；Ｍｎ（又はｚｎ Ｓ ｅ ；
Ｍｎ ） Ｅ Ｌ素子が開発され、発光諸特性の向上が
確かめられている。この薄膜ＥＬ素子は数ＫＨ２の交流
電界印加によって高輝度発光し、しかも長寿命であると
いう特徴を有している。またこの薄膜ＥＬ素子の発光に
関しては印加電圧を昇圧していく過程と高電圧側より降
圧していく過程で、同じ印加電圧に対して発光輝度が異
なるといったヒステリシス特性を有していることが発見
され、そしてこのヒステリシス特性を有する薄膜ＥＬ素
子に印加電圧を昇圧する過程に於いて、光。
ッセンス（以下ＥＬと略称する）発光を呈する薄膜ＥＬ
素子の構造に係り、特に基板を並べく従来技術〉 従来、交流動作の薄膜ＥＬ素子に関して、発光層に規則
的に高い電界（’１０’Ｖ／ｍ程度）を印加し、絶縁耐
圧３発光効率及び動作の安定性等を高めるために、０．
１〜２０ｗｔ％のＭｎ （あるいはＣｕ 、 Ａｔ、
Ｂｒ 等）をドープしたＺＨ５、Ｚｎ５ｅ等の半導体発
光層をＹ２Ｏ３，ＴｉＯ２等の誘電体薄膜でサンドイン
チした三層構造ＺｎＳ；Ｍｎ（又はｚｎ Ｓ ｅ ；
Ｍｎ ） Ｅ Ｌ素子が開発され、発光諸特性の向上が
確かめられている。この薄膜ＥＬ素子は数ＫＨ２の交流
電界印加によって高輝度発光し、しかも長寿命であると
いう特徴を有している。またこの薄膜ＥＬ素子の発光に
関しては印加電圧を昇圧していく過程と高電圧側より降
圧していく過程で、同じ印加電圧に対して発光輝度が異
なるといったヒステリシス特性を有していることが発見
され、そしてこのヒステリシス特性を有する薄膜ＥＬ素
子に印加電圧を昇圧する過程に於いて、光。
電界、熱等が付与されると薄膜ＥＬ素子はその強啓に対
応した発光輝度の状態に励起され、光、電界、熱等を除
去して元の状態に戻しても発光輝度が高くなった状態に
留まる吉いったメモリー現象が存在することが知られて
いる。そしてこのメモリー現象を有効に活用して薄ＩＪ
％ＥＬ素子をメモリー素子に利用する薄［ＥＬ素子応用
技術が現在産業界で研究開発中である。
応した発光輝度の状態に励起され、光、電界、熱等を除
去して元の状態に戻しても発光輝度が高くなった状態に
留まる吉いったメモリー現象が存在することが知られて
いる。そしてこのメモリー現象を有効に活用して薄ＩＪ
％ＥＬ素子をメモリー素子に利用する薄［ＥＬ素子応用
技術が現在産業界で研究開発中である。
薄膜ＥＬ素子の１例としてＺｎＳ：Ｍｎ薄ＩＦｉ！ＥＬ
素子の基本的構造を第１図に示す。
素子の基本的構造を第１図に示す。
第１図に基いて薄膜ＥＬ素子の構造を具体的に説明する
と、ガラス基板ｌ上にＩｎ２Ｏ３、５ｎ０２等の透明電
極２、さらにその上に積層してｙ２ｏ３゜ＴｉＯ２，Ａ
ｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４ 、５ｉ０２等からなる第１の誘
電体層３がスパッタあるいは電子ビーム蒸着法等により
重畳形成されている。第１の誘電体層３上にはｚｎｓ
： Ｍｎ焼結ベレットを電子ビーム蒸着することにより
得られるＺｎＳ 発光層４が形成されている。この時蒸
着用のＺｎ Ｓ ： Ｍ ｎ 焼結ベレットには活性物
質となるＭｎが目的に応じた濃度に設定されたペレット
が使用される。
と、ガラス基板ｌ上にＩｎ２Ｏ３、５ｎ０２等の透明電
極２、さらにその上に積層してｙ２ｏ３゜ＴｉＯ２，Ａ
ｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４ 、５ｉ０２等からなる第１の誘
電体層３がスパッタあるいは電子ビーム蒸着法等により
重畳形成されている。第１の誘電体層３上にはｚｎｓ
： Ｍｎ焼結ベレットを電子ビーム蒸着することにより
得られるＺｎＳ 発光層４が形成されている。この時蒸
着用のＺｎ Ｓ ： Ｍ ｎ 焼結ベレットには活性物
質となるＭｎが目的に応じた濃度に設定されたペレット
が使用される。
ＺｎＳ発光層４土には第１の誘電体層３と同様のその上
［ＡＩ等から成る背面電極６が蒸着形成されている。透
明電極２と背向電極６は互いに直交する方向に配列され
て交流電源７に接続され、薄膜ＥＬ素子が駆動される。
［ＡＩ等から成る背面電極６が蒸着形成されている。透
明電極２と背向電極６は互いに直交する方向に配列され
て交流電源７に接続され、薄膜ＥＬ素子が駆動される。
電極２．６間にＡＣ電圧を印加すると、ＺｎＳ発光層４
０両側の誘電体層３．５間に上記ＡＣ電圧が誘起される
ことになり、従ってＺｎＳ発光層４内に発生した電界に
よって伝導帯に励起されかつ加速されて充分なエネルギ
ーを得た電子が、直接Ｍｎ発光センターを励起し、励起
されたＭｎ発光センターが基底状態に戻る際に黄色の発
光を行なう。即ち、高電界で加速された電子がＺｎＳ
発光層４中の発光センターであるＺｎサイトに入ったＭ
ｎ原子の電子を励起し、基底状態に落ちる時、略々５８
５０Ａ０をピークに幅広い波長領域で、強い発光を呈す
る。
０両側の誘電体層３．５間に上記ＡＣ電圧が誘起される
ことになり、従ってＺｎＳ発光層４内に発生した電界に
よって伝導帯に励起されかつ加速されて充分なエネルギ
ーを得た電子が、直接Ｍｎ発光センターを励起し、励起
されたＭｎ発光センターが基底状態に戻る際に黄色の発
光を行なう。即ち、高電界で加速された電子がＺｎＳ
発光層４中の発光センターであるＺｎサイトに入ったＭ
ｎ原子の電子を励起し、基底状態に落ちる時、略々５８
５０Ａ０をピークに幅広い波長領域で、強い発光を呈す
る。
上記の如き構造を有する薄膜ＥＬ素子はスペース・７７
クタの利点を生かした平面薄型ディスプレイ・デバイス
として、文字及び図形を含むコンピークーの出力表示端
末機器その他種々の表示（４） 装置に文字、記号、静止画像、動画像等の表示手段とし
て利用することができる。この薄膜ＥＬ表示装置は第１
図に於ける透Ｆ３Ａ電極２及び背面電極６で構成される
電極構造、即ち、互いに直交する如く清秋に複数本配列
されたマ） ＩＪフックス極構造に於いて、透明電極２
と背面電極６が平面図的に見て交叉した位置を表示画面
のｌ絵素として表示を実行する。
クタの利点を生かした平面薄型ディスプレイ・デバイス
として、文字及び図形を含むコンピークーの出力表示端
末機器その他種々の表示（４） 装置に文字、記号、静止画像、動画像等の表示手段とし
て利用することができる。この薄膜ＥＬ表示装置は第１
図に於ける透Ｆ３Ａ電極２及び背面電極６で構成される
電極構造、即ち、互いに直交する如く清秋に複数本配列
されたマ） ＩＪフックス極構造に於いて、透明電極２
と背面電極６が平面図的に見て交叉した位置を表示画面
のｌ絵素として表示を実行する。
薄膜ＥＬ表示装置は従来のブラウン管（ＣＲＴ）と比較
して動作電圧が低く、同じ平面型ディスプレイ・デバイ
スであるプラズマディスプレイパネル（ＦＤＰ） と比
較すれば重量や強度面で優れており、液晶（ＬＣＤ）
に比べて動作可能温度範囲が広く、応答速度が速い等多
くの利点を有している。また純固体マトリックス型パネ
ルであるため動作寿命が長く、そのアドレスの正確さと
ともにコンピユークー等の入出力表示手段として非常に
有効なものである。
して動作電圧が低く、同じ平面型ディスプレイ・デバイ
スであるプラズマディスプレイパネル（ＦＤＰ） と比
較すれば重量や強度面で優れており、液晶（ＬＣＤ）
に比べて動作可能温度範囲が広く、応答速度が速い等多
くの利点を有している。また純固体マトリックス型パネ
ルであるため動作寿命が長く、そのアドレスの正確さと
ともにコンピユークー等の入出力表示手段として非常に
有効なものである。
従来、かかる薄膜ＥＬパネルに於いて、透明電極２及び
背面電極６の電極取出し用端子部は、薄膜ＥＬパネルの
４辺から１本おきに交互に逆方向に取り出されていた。
背面電極６の電極取出し用端子部は、薄膜ＥＬパネルの
４辺から１本おきに交互に逆方向に取り出されていた。
しかし、この方法ではＥＬ発光面の面積がガラス基板面
積に比べて狭く、ガラス基板を有効に利用できないとい
う問題点かあっだ。
積に比べて狭く、ガラス基板を有効に利用できないとい
う問題点かあっだ。
〈目 的〉
本発明は上記従来の薄膜ＥＬ素子の構造に於ける問題点
を解決するためになされたもので、基板を並べ合わせて
大面積ＥＬを作製するのに都合の良い電極構造を提供す
るこ吉を目的とする。
を解決するためになされたもので、基板を並べ合わせて
大面積ＥＬを作製するのに都合の良い電極構造を提供す
るこ吉を目的とする。
〈実施例〉
第３図に於いて、１はガラス基板、２はＩｎ２Ｏ３。
Ｓ ｎ ０２等の透明電極、６は背面電極である。
ＥＬ発光面はガラス基板の１辺又は２辺の端から５ＩＩ
ＪＩ以内となるように構成され、透明電極２、背面電極
６の電極取出し部をガラス基板の１辺又は２辺に設ける
。この様な電極構造とすることにＳより、取出し電極の
ない基板辺を並べ合わせるこ′とにより２倍又は４倍の
表面面積をもつＥＬ発光七９ 素子を作製できる。
ＪＩ以内となるように構成され、透明電極２、背面電極
６の電極取出し部をガラス基板の１辺又は２辺に設ける
。この様な電極構造とすることにＳより、取出し電極の
ない基板辺を並べ合わせるこ′とにより２倍又は４倍の
表面面積をもつＥＬ発光七９ 素子を作製できる。
く効 果〉
以上説明した様に本発明によれば、基板を並べ合わせて
大表示面積の薄膜ＥＬ素子の電極構造が得られる。
大表示面積の薄膜ＥＬ素子の電極構造が得られる。
第１図は従来の薄膜ＥＬ素子の基本的構造を示す図、第
２図は同素子の透明電極及び背面電極の配列状態を示す
平面図、第３図（５）、（Ｂ）はそれぞれ本発明による
一実施例の薄膜ＥＬ素子の電極構成を説明する透明型ｔ
ｉＩｉ及び背面電極の配列状態を示す平面図である。 符号の説明 ｌ：カラス基板、２：透明電極、３，５：誘電体層、４
： ＺｎＳ発光層、６：背向電極、７．駆動電源。 代理人 弁理士幅 士 愛 彦（他２名）（７）
２図は同素子の透明電極及び背面電極の配列状態を示す
平面図、第３図（５）、（Ｂ）はそれぞれ本発明による
一実施例の薄膜ＥＬ素子の電極構成を説明する透明型ｔ
ｉＩｉ及び背面電極の配列状態を示す平面図である。 符号の説明 ｌ：カラス基板、２：透明電極、３，５：誘電体層、４
： ＺｎＳ発光層、６：背向電極、７．駆動電源。 代理人 弁理士幅 士 愛 彦（他２名）（７）
Claims (1)
- １、互いに直交する方向に複数本配列された２組の帯状
電極群で構成されるマトリックス電極間に誘電体層を介
して層設されたＥＬ発光層を基板上に搭載して成る薄膜
ＥＬ素子に於て、ＥＬ発光面を上記基板の所定辺の端部
から少々くとも５組以内とし、電極取出し用端子部を上
記所定辺に設けたことを特徴とする薄膜ＥＬ素子の電極
構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58198054A JPS6089098A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | 薄膜ｅｌ素子の電極構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58198054A JPS6089098A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | 薄膜ｅｌ素子の電極構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6089098A true JPS6089098A (ja) | 1985-05-18 |
Family
ID=16384759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58198054A Pending JPS6089098A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | 薄膜ｅｌ素子の電極構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6089098A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6383798U (ja) * | 1986-11-21 | 1988-06-01 | ||
| US5965980A (en) * | 1996-08-08 | 1999-10-12 | Denso Corporation | Matrix-addressed electroluminescent display device panel with orthogonally provided upper and lower electrodes, passivation layers, and terminals on one side of substrate |
-
1983
- 1983-10-21 JP JP58198054A patent/JPS6089098A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6383798U (ja) * | 1986-11-21 | 1988-06-01 | ||
| JPH0443995Y2 (ja) * | 1986-11-21 | 1992-10-16 | ||
| US5965980A (en) * | 1996-08-08 | 1999-10-12 | Denso Corporation | Matrix-addressed electroluminescent display device panel with orthogonally provided upper and lower electrodes, passivation layers, and terminals on one side of substrate |
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