JPS5927497A - 薄膜ｅｌ素子の電極形成方法 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子の電極形成方法Info
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- JPS5927497A JPS5927497A JP57136485A JP13648582A JPS5927497A JP S5927497 A JPS5927497 A JP S5927497A JP 57136485 A JP57136485 A JP 57136485A JP 13648582 A JP13648582 A JP 13648582A JP S5927497 A JPS5927497 A JP S5927497A
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈発明の技術分野〉
本発明は交流電界の印加に依ってＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒ。
Ｌｕｍ１ ｎｅｓｃｅｎｃｅ ）発光を呈する薄膜ＥＬ
素子の製造方法に関するものである。
素子の製造方法に関するものである。
〈従来技術〉
従来、表示装置の表示体として用いられる薄膜Ｅ Ｌ素
子に於いて、発光層に規則的に高い交流電界（Ｉ Ｏ６
Ｖ／ａｍ程度）を印加した際の絶縁耐圧、発光効率及び
動作の安定性等を高めるために、０１〜２０ｗ（％のＭ
ｎ（あるいはＣｕ、Ａｎ、Ｂｒ等）をドープしたＺｎＳ
、Ｚｎ５ｅ等の半導体発光層をＹ２Ｏ３゜ＴｉＯ２等の
誘電体簿膜でザンドイッチした三層構造ＺｎＳ：Ｍｎ（
又はＺｎ５ｅ ：Ｍｎ ） Ｅ Ｌ素子が開発され、発
光緒特性の向上が確かめられている。この薄膜ＥＬ素子
は数ＫＨｚの交流電界印加によって高輝度発光し、しか
も長寿命であるという特徴を有している。
子に於いて、発光層に規則的に高い交流電界（Ｉ Ｏ６
Ｖ／ａｍ程度）を印加した際の絶縁耐圧、発光効率及び
動作の安定性等を高めるために、０１〜２０ｗ（％のＭ
ｎ（あるいはＣｕ、Ａｎ、Ｂｒ等）をドープしたＺｎＳ
、Ｚｎ５ｅ等の半導体発光層をＹ２Ｏ３゜ＴｉＯ２等の
誘電体簿膜でザンドイッチした三層構造ＺｎＳ：Ｍｎ（
又はＺｎ５ｅ ：Ｍｎ ） Ｅ Ｌ素子が開発され、発
光緒特性の向上が確かめられている。この薄膜ＥＬ素子
は数ＫＨｚの交流電界印加によって高輝度発光し、しか
も長寿命であるという特徴を有している。
薄膜ＥＬ素子の１例としてＺｎＳ：Ｍｎ薄膜ＥＬ素子の
基本的構造を第１図に示す。
基本的構造を第１図に示す。
第１図に基いて薄膜ＥＬ素子の構造を具体的に説明する
と、ガラス基板１上にＩｎ２Ｏ３，５ｎ０２１’の透明
電極２、さらにその上に積層してＹ２Ｏ３゜Ｔａ２０５
．ＴｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｓｉ３Ｎ４．５ｉ０２等かラ
ナル第１の誘電体層３がスパッタあるいは電子ビーム蒸
事法等により重畳形成されている。第１の誘電体層３上
にはＺｎＳ：Ｍｎ焼結ペレットを電子ビーム蒸着するこ
とにより得られるＺｎＳ発光層４が形成されている。こ
の時蒸着用のＺ１５：Ｍｎ焼結ペレットには活性物質と
なるＭｎが目的に応じた濃度に設定されたペレットが使
用される。ＺｎＳ発光層４上には第１の誘電体層３と同
様の材質から成る第２の誘電体層５が積層され、更にそ
の上にＡ２等から成る帯状の背面電極６が蒸着形成され
ている。
と、ガラス基板１上にＩｎ２Ｏ３，５ｎ０２１’の透明
電極２、さらにその上に積層してＹ２Ｏ３゜Ｔａ２０５
．ＴｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｓｉ３Ｎ４．５ｉ０２等かラ
ナル第１の誘電体層３がスパッタあるいは電子ビーム蒸
事法等により重畳形成されている。第１の誘電体層３上
にはＺｎＳ：Ｍｎ焼結ペレットを電子ビーム蒸着するこ
とにより得られるＺｎＳ発光層４が形成されている。こ
の時蒸着用のＺ１５：Ｍｎ焼結ペレットには活性物質と
なるＭｎが目的に応じた濃度に設定されたペレットが使
用される。ＺｎＳ発光層４上には第１の誘電体層３と同
様の材質から成る第２の誘電体層５が積層され、更にそ
の上にＡ２等から成る帯状の背面電極６が蒸着形成され
ている。
透明電極２と背面電極６は電極端子７を介して交流電源
に接続され、薄膜ＥＬ素子が駆動される。
に接続され、薄膜ＥＬ素子が駆動される。
電極２，６間にＡＣ電圧を印加すると、ＺｎＳ発光層４
の両側の誘電体層３，５間に一１―記ＡＣ電圧が誘起さ
れることになり、従ってＺｎＳ発光層４内に発生した電
界によって伝導帯に励起されかつ加速されて充分なエネ
ルギーを得た電子が、自由電子となって発光層界面へ誘
引され、この界面で蓄積されて内部分極を形成する。こ
の時に高速移動する自由電子が直接Ｍｎ発光センターを
励起し、励起されたＭｎ発光センターが基底状態に戻る
際で加速された自由電子が発光層の界面から他方の界面
へ移動する過程でＺｎＳ発光層４中の発光センターであ
るＺｎサイトに入ったＭｎ原子の電子を励起し、基底状
態に落ちる時、略々５８５０Ａをピークに幅広い波長領
域で、強いＥＬ発光を放射する。活性物質としてＭ’
ｎ以外に希土類の弗化物を用いた場合にはこの希土類に
特有の緑色その他の発光色が得られる。
の両側の誘電体層３，５間に一１―記ＡＣ電圧が誘起さ
れることになり、従ってＺｎＳ発光層４内に発生した電
界によって伝導帯に励起されかつ加速されて充分なエネ
ルギーを得た電子が、自由電子となって発光層界面へ誘
引され、この界面で蓄積されて内部分極を形成する。こ
の時に高速移動する自由電子が直接Ｍｎ発光センターを
励起し、励起されたＭｎ発光センターが基底状態に戻る
際で加速された自由電子が発光層の界面から他方の界面
へ移動する過程でＺｎＳ発光層４中の発光センターであ
るＺｎサイトに入ったＭｎ原子の電子を励起し、基底状
態に落ちる時、略々５８５０Ａをピークに幅広い波長領
域で、強いＥＬ発光を放射する。活性物質としてＭ’
ｎ以外に希土類の弗化物を用いた場合にはこの希土類に
特有の緑色その他の発光色が得られる。
上記の如き構造を有する薄膜ＥＬ素子に於いて背面電極
６及び電極端子７は以下の方法で形成される。
６及び電極端子７は以下の方法で形成される。
（＋１）背面電極用金属膜としてＡＡ膜を蒸着する。
（１）） フォトエツチングによりＡｎ膜をストライ
プ状に加］二する。
プ状に加］二する。
（Ｃ） 洗浄後、Ａ℃膜の真空脱ガスを行なう。
（ｄ） メタルマスクを用いて電極端子７として４℃
とＮｉの積層膜を透明電極２と背面電極６の端部に合わ
せてマスク蒸着する。
とＮｉの積層膜を透明電極２と背面電極６の端部に合わ
せてマスク蒸着する。
しかしながらこの様な背面電極６及び電極端子７の形成
方法は次の如き欠点を有する。即ち、（１）メタルマス
クを用いたマスク合せといった非常に作業性の悪い工程
が存在する。（２）メタルマスクを用いるため高精細度
に対応し難く、蒸着装置にもマスクずれ防止の対策が必
要である等の制約が生じる。等の問題点を有し、量産性
及び信頼性に欠けるものであった。
方法は次の如き欠点を有する。即ち、（１）メタルマス
クを用いたマスク合せといった非常に作業性の悪い工程
が存在する。（２）メタルマスクを用いるため高精細度
に対応し難く、蒸着装置にもマスクずれ防止の対策が必
要である等の制約が生じる。等の問題点を有し、量産性
及び信頼性に欠けるものであった。
〈発明の目的〉
本発明は、背面電極膜を蒸着後電極取り出し端子膜を透
明電極及び背面電極膜に接続するものであり、蒸着後、
フォトエツチングにより、背面電極と電極取り出し端子
膜を同時に適当なストライプに加工することによって上
述の問題点を解決した新規有用な薄膜ＥＬ素子の電極形
成法を提供することを目的とするものである。即ち、本
発明では、メタルマスクを用いたマスク蒸着による電極
取り出し端子形成を行なわず、−回のフォトエツチング
工程で背面電極ストライプ形成と同時に電極取り出し端
子ストライプを形成するため、作業性に優れ、フォトエ
ツチングを用いるため、高精細度に対応できるとともに
蒸着装置面での制約が解消されることとなる。
明電極及び背面電極膜に接続するものであり、蒸着後、
フォトエツチングにより、背面電極と電極取り出し端子
膜を同時に適当なストライプに加工することによって上
述の問題点を解決した新規有用な薄膜ＥＬ素子の電極形
成法を提供することを目的とするものである。即ち、本
発明では、メタルマスクを用いたマスク蒸着による電極
取り出し端子形成を行なわず、−回のフォトエツチング
工程で背面電極ストライプ形成と同時に電極取り出し端
子ストライプを形成するため、作業性に優れ、フォトエ
ツチングを用いるため、高精細度に対応できるとともに
蒸着装置面での制約が解消されることとなる。
実施例
以下、本発明を実施例に従って図面を参照しながら詳説
する。
する。
第１図同様にガラス基板１上に帯状の透明電極２を平行
に複数本並設し、この上に第１の誘電体層３、ＺｎＳ発
光層４、第２の誘電体層５を順次積層する。次に、第２
の誘電体層５上に第２図に示す如く厚力２，０００〜１
０，０ＯＯＡのＡｆ！、膜６′を全面蒸着する。またＡ
℃膜６′の端縁は透明電極２に直交する方向がガラス基
板１上に延在され、この端部に重畳してＡ℃膜とＮｉ膜
の２層膜７′を蒸着する。
に複数本並設し、この上に第１の誘電体層３、ＺｎＳ発
光層４、第２の誘電体層５を順次積層する。次に、第２
の誘電体層５上に第２図に示す如く厚力２，０００〜１
０，０ＯＯＡのＡｆ！、膜６′を全面蒸着する。またＡ
℃膜６′の端縁は透明電極２に直交する方向がガラス基
板１上に延在され、この端部に重畳してＡ℃膜とＮｉ膜
の２層膜７′を蒸着する。
同時に透明電極２の延設端にもこの２層膜７′を蒸着す
る。２層膜７′のＡＱ膜は２，０００〜１０．Ｑ ＯＯ
Ａ。
る。２層膜７′のＡＱ膜は２，０００〜１０．Ｑ ＯＯ
Ａ。
Ｎ１膜は１，０００〜Ｉ Ｏ，０００又とし、Ａ℃膜と
Ｎｉ膜は同一蒸着装置でＡｎ蒸着後この上に連続的にＮ
ｉを蒸着して形成する。
Ｎｉ膜は同一蒸着装置でＡｎ蒸着後この上に連続的にＮ
ｉを蒸着して形成する。
次にフォトエツチングにより背面電極用のＡ１膜６′と
電極端子用２層膜７′をストライプ状に成形加力Ｊるが
、これは、まず最初にフォトフアプリケーションにより
レジストパターンを形成し、常温の希硝酸系のエツチン
グ液で２層膜７′のＮ１膜をエツチングする。第３図は
Ｎｉ膜をエツチングした後の構成を示す。希硝酸系のエ
ツチング液ではＡＩ！、はＮｉに比較してエツチングレ
ートが低く従ってＮｉ膜のみがエツチングされる。次に
４０℃〜６０°Ｃに加熱したリン酸−硝酸混合液から成
るＡ−ｆｌ膜用のエツチング液で背面電極用のＡｆｉ膜
６′と電極端子用２層膜７′のＡｆｌ膜を同時にエツチ
ングする。最後に水洗後レジストを剥離することにより
第１図に示す如き電極構造及び電極端子構造が得られる
。
電極端子用２層膜７′をストライプ状に成形加力Ｊるが
、これは、まず最初にフォトフアプリケーションにより
レジストパターンを形成し、常温の希硝酸系のエツチン
グ液で２層膜７′のＮ１膜をエツチングする。第３図は
Ｎｉ膜をエツチングした後の構成を示す。希硝酸系のエ
ツチング液ではＡＩ！、はＮｉに比較してエツチングレ
ートが低く従ってＮｉ膜のみがエツチングされる。次に
４０℃〜６０°Ｃに加熱したリン酸−硝酸混合液から成
るＡ−ｆｌ膜用のエツチング液で背面電極用のＡｆｉ膜
６′と電極端子用２層膜７′のＡｆｌ膜を同時にエツチ
ングする。最後に水洗後レジストを剥離することにより
第１図に示す如き電極構造及び電極端子構造が得られる
。
上記工程を介して作製された薄膜ＥＬ素子の輝度、耐圧
等の物理的特性及び素子の信頼性は従来のものと略々間
等であった。
等の物理的特性及び素子の信頼性は従来のものと略々間
等であった。
〈効 果〉
以上詳説した如く、本発明は薄膜ＥＬ素子の信頼性を損
うことなく工程を簡略化し、量産性を確立するとともに
高精細度の電極構造にも対応するこ＼、！／）ｉ、、、
＠能な製造技術を構成したものでありその技術的意義は
多大である。
うことなく工程を簡略化し、量産性を確立するとともに
高精細度の電極構造にも対応するこ＼、！／）ｉ、、、
＠能な製造技術を構成したものでありその技術的意義は
多大である。
第１図は薄膜Ｅ Ｌ素子の基本的構造を示す構成図であ
る。 第２図及び第３図は本発明の１実施例を説明する薄膜Ｅ
Ｌ素子の製作工程図である。 ２・・・透明電極 ６・・・背面電極 ６′・・・Ａｆ
！、膜７・・電極端子 ７′・・・２層膜
る。 第２図及び第３図は本発明の１実施例を説明する薄膜Ｅ
Ｌ素子の製作工程図である。 ２・・・透明電極 ６・・・背面電極 ６′・・・Ａｆ
！、膜７・・電極端子 ７′・・・２層膜
Claims (1)
- １、電界の印加に応答してＥＬ発光を呈する薄膜Ｅ Ｌ
素子の素子構成膜背面にＡ２を全面蒸着しかつ該Ａβ膜
端縁を延在して延設端にＡＩＶ、とＮｉの２層膜を重畳
せしめる工程と、前記２層膜のＮｉ層をストライプ状に
エツチング加工する工程と、露呈した前記２層膜のＡＩ
！、層と前記Ａμ膜をストライプ状に同時エツチング加
工する工程と、を具備して成り、前記Ａｎ膜を背面電極
、前記２層膜を電極端子とすることを特徴とする薄膜Ｅ
Ｌ素子の電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57136485A JPS5927497A (ja) | 1982-08-04 | 1982-08-04 | 薄膜ｅｌ素子の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57136485A JPS5927497A (ja) | 1982-08-04 | 1982-08-04 | 薄膜ｅｌ素子の電極形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5927497A true JPS5927497A (ja) | 1984-02-13 |
| JPS6248359B2 JPS6248359B2 (ja) | 1987-10-13 |
Family
ID=15176238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57136485A Granted JPS5927497A (ja) | 1982-08-04 | 1982-08-04 | 薄膜ｅｌ素子の電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5927497A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS646395A (en) * | 1987-06-26 | 1989-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of thin film el panel |
| JPH03250586A (ja) * | 1990-01-11 | 1991-11-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜ｅｌパネルの電極形成方法 |
-
1982
- 1982-08-04 JP JP57136485A patent/JPS5927497A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS646395A (en) * | 1987-06-26 | 1989-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of thin film el panel |
| JP2605720B2 (ja) * | 1987-06-26 | 1997-04-30 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 |
| JPH03250586A (ja) * | 1990-01-11 | 1991-11-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜ｅｌパネルの電極形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6248359B2 (ja) | 1987-10-13 |
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