JPS5854377A - 薄膜ｅｌ素子の電極構造 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子の電極構造Info
- Publication number
- JPS5854377A JPS5854377A JP56154189A JP15418981A JPS5854377A JP S5854377 A JPS5854377 A JP S5854377A JP 56154189 A JP56154189 A JP 56154189A JP 15418981 A JP15418981 A JP 15418981A JP S5854377 A JPS5854377 A JP S5854377A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin film
- layer
- back electrode
- electrode
- Prior art date
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は交流電界の印加に依ってＥ Ｌ（Ｅｌｅｃｔｒ
。
。
Ｌｕｍ１ｎｅｓｃｅｎｃｅ ）発光を呈する薄膜ＥＬ素
子の電極構造に関するものである。
子の電極構造に関するものである。
従来、交流動作の薄膜ＥＬ素子に関して、発光層に規則
的に高い電界（１０６Ｖ／ａｍ程度）を印加し、絶縁耐
圧、発光効率及び動作の安定性等を高めるために、０．
１〜２．０ｗｔ％のＭｎ（あるいはＣｕ。
的に高い電界（１０６Ｖ／ａｍ程度）を印加し、絶縁耐
圧、発光効率及び動作の安定性等を高めるために、０．
１〜２．０ｗｔ％のＭｎ（あるいはＣｕ。
Ａｐ、Ｂｒ等）をドープしたＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ等の半導
体発光層をＹ２Ｏ３、ＴｉＯ２等の誘電体薄膜でサンド
インチした三層構造ＺｎＳ：Ｍｎ（又はＺｎ５ｅ：Ｍｎ
）ＥＬ素子が開発され、発光路特性の向−Ｆが確かめら
れている。この薄膜ＥＬ素子は数ＫＨｚの交流電界印加
によって高輝度発光し、しかも長寿命であるという特徴
を有している。
体発光層をＹ２Ｏ３、ＴｉＯ２等の誘電体薄膜でサンド
インチした三層構造ＺｎＳ：Ｍｎ（又はＺｎ５ｅ：Ｍｎ
）ＥＬ素子が開発され、発光路特性の向−Ｆが確かめら
れている。この薄膜ＥＬ素子は数ＫＨｚの交流電界印加
によって高輝度発光し、しかも長寿命であるという特徴
を有している。
薄膜ＥＬ素子の１例としてマトリックス型電極構造を有
するＺｎＳ：Ｍｎ薄膜ＥＬ素子の基本的構造を第１図に
示す。
するＺｎＳ：Ｍｎ薄膜ＥＬ素子の基本的構造を第１図に
示す。
第１図に基いて薄膜ＥＬ素子の構造を具体的に説明する
と、ガラス基板１Ｊ−に１ｎ２０３，５ｎ０２等の透明
電極２、さらにそのＬに積層してＹ ２０３ ＋ＴｉＯ
２，Ａｌ２Ｏ３，Ｓｉ３Ｎ４，５ｉ０２等からなる第１
の誘電体層３がスパッタあるいは電子ビーム蒸着法等に
より重畳形成されている。第１の誘電体層３−１＝には
ＺｎＳ：Ｍｎ焼結ペレットを電子ビーム蒸着することに
より得られるＺｎＳ発光層４が形成されている。この時
蒸着用のＺｎＳ：Ｍｎ焼結ペレットには活性物質となる
Ｍｎが目的に応じた濃度に設定されたベレットが使用さ
れる。Ｚｎ５Ｊ＠光層４Ｉ−には第１の誘電体層３と同
様の材質から成る第２の誘電体層５が積層され、更にそ
の上にＡｊ２等から成る背面電極６が蒸着形成されてい
る。透明電極２と背面電極６の各端部にはそれぞれリー
ド付用端子膜７が電子ビーム蒸着によって形成され、こ
の端子膜７は交流電源に接続されて薄膜団素子が駆動さ
れる。
と、ガラス基板１Ｊ−に１ｎ２０３，５ｎ０２等の透明
電極２、さらにそのＬに積層してＹ ２０３ ＋ＴｉＯ
２，Ａｌ２Ｏ３，Ｓｉ３Ｎ４，５ｉ０２等からなる第１
の誘電体層３がスパッタあるいは電子ビーム蒸着法等に
より重畳形成されている。第１の誘電体層３−１＝には
ＺｎＳ：Ｍｎ焼結ペレットを電子ビーム蒸着することに
より得られるＺｎＳ発光層４が形成されている。この時
蒸着用のＺｎＳ：Ｍｎ焼結ペレットには活性物質となる
Ｍｎが目的に応じた濃度に設定されたベレットが使用さ
れる。Ｚｎ５Ｊ＠光層４Ｉ−には第１の誘電体層３と同
様の材質から成る第２の誘電体層５が積層され、更にそ
の上にＡｊ２等から成る背面電極６が蒸着形成されてい
る。透明電極２と背面電極６の各端部にはそれぞれリー
ド付用端子膜７が電子ビーム蒸着によって形成され、こ
の端子膜７は交流電源に接続されて薄膜団素子が駆動さ
れる。
電極２，６間にＡＣ電圧を印加すると、ＺｎＳ発光層４
の両側の誘電体層３，５間に上記ＡＣ電圧が誘起される
ことになり、従ってＺｎＳ発光層４内に発生した電界に
よって伝導帯に励起されかつ加速されて充分なエネルギ
ーを得た電子が自由電子となってＺｎＳ発光層４界而へ
誘引される過程で直接Ｍｎ発光センターを励起し、励起
されたＭｎ発光センターが基底状態に戻る際に黄橙色の
発光を放射する。即ち高電界で加速された電子がＺｎＳ
発光層４中の発光センターであるＺｎサイトに入ったＭ
ｎ原子の電子を励起し、励起された電子が基底状態に落
ちる時１、略々５８５０久をピークに幅広い波長領域で
、強い発光を呈する。活性物質としてＭｎ以外に希土類
の弗化物を用いた場合にはこの希土類に特有の緑色その
他の発光色が得られる。
の両側の誘電体層３，５間に上記ＡＣ電圧が誘起される
ことになり、従ってＺｎＳ発光層４内に発生した電界に
よって伝導帯に励起されかつ加速されて充分なエネルギ
ーを得た電子が自由電子となってＺｎＳ発光層４界而へ
誘引される過程で直接Ｍｎ発光センターを励起し、励起
されたＭｎ発光センターが基底状態に戻る際に黄橙色の
発光を放射する。即ち高電界で加速された電子がＺｎＳ
発光層４中の発光センターであるＺｎサイトに入ったＭ
ｎ原子の電子を励起し、励起された電子が基底状態に落
ちる時１、略々５８５０久をピークに幅広い波長領域で
、強い発光を呈する。活性物質としてＭｎ以外に希土類
の弗化物を用いた場合にはこの希土類に特有の緑色その
他の発光色が得られる。
上記の如き構造を有する薄膜ＥＬ素子に於いて・ストラ
イブ状の背面電極群６及びリード付は用端子膜７の形成
は、従来全く個別の工程によって行われていた。即ち背
面電極６は第２の誘電体層５まで積層した基板の上にＡ
ｒ１．膜を蒸着したのちにこれを７オトエソチング法に
より適当なストライプ状に加工することにより形成され
るが、フォトエツチングを施された薄膜ＥＬ素子は不純
物イオンで汚染されているので、これを純水によって洗
浄し、次に水分を除くために真空ガス出しを行ない・ガ
ス出しの完了した薄膜ＥＬ素子を複数のるつぼを有する
電子ビーム蒸着機内に載置し、メタルマスクを使用して
リード付は用端子膜７を形成しており、製造工程が非常
に繁雑なものとなった。
イブ状の背面電極群６及びリード付は用端子膜７の形成
は、従来全く個別の工程によって行われていた。即ち背
面電極６は第２の誘電体層５まで積層した基板の上にＡ
ｒ１．膜を蒸着したのちにこれを７オトエソチング法に
より適当なストライプ状に加工することにより形成され
るが、フォトエツチングを施された薄膜ＥＬ素子は不純
物イオンで汚染されているので、これを純水によって洗
浄し、次に水分を除くために真空ガス出しを行ない・ガ
ス出しの完了した薄膜ＥＬ素子を複数のるつぼを有する
電子ビーム蒸着機内に載置し、メタルマスクを使用して
リード付は用端子膜７を形成しており、製造工程が非常
に繁雑なものとなった。
本発明は、背面電極膜とリード付は用端子膜を同一・の
材料で構成するとともに同時形成することにより製造を
程を短縮した新規有用な薄膜ＥＪ、素子の電極構造を提
供することを目的とするもので［蛸 以下、本発明を実施例に従って図面を参照しながら詳説
する。
材料で構成するとともに同時形成することにより製造を
程を短縮した新規有用な薄膜ＥＪ、素子の電極構造を提
供することを目的とするもので［蛸 以下、本発明を実施例に従って図面を参照しながら詳説
する。
第２図は本発明の１実施例を示す薄膜ＥＬ素子の構成図
である。図中第１図と同一符号は同一内容を示す。
である。図中第１図と同一符号は同一内容を示す。
ガラス基板ＩＦに透明電極２、第１の誘電体層３、Ｚｎ
Ｓ発光層４、第２の誘電体層５を順次積層する。次に第
２の誘電体層５上に厚さ２０００〜のＮｉ膜を電子ビー
ム蒸着法により２層膜８として連続形成する。この時、
同時に透明電極２の露呈している端部にもＮｉ膜とＡ２
膜の２層膜８を蒸着形成する。この工程において、メタ
ルマスクによる位置合せに伴う特殊な熟練は必要としな
い。
Ｓ発光層４、第２の誘電体層５を順次積層する。次に第
２の誘電体層５上に厚さ２０００〜のＮｉ膜を電子ビー
ム蒸着法により２層膜８として連続形成する。この時、
同時に透明電極２の露呈している端部にもＮｉ膜とＡ２
膜の２層膜８を蒸着形成する。この工程において、メタ
ルマスクによる位置合せに伴う特殊な熟練は必要としな
い。
次ニ周知のフォトエツチング法を用いてＡ℃膜とＮｉ膜
を加工し、背面電極およびリード付用端子とする。
を加工し、背面電極およびリード付用端子とする。
以下、この形成方法について説明する。まず、Ｎｉ膜表
面に生成している酸化物薄膜層を６０゛Ｃに加熱した５
０％硫酸を用いて除去する。この酸洗い工程は品質管理
−Ｌ不可欠の操作である。酸洗いの後水洗し、次に１５
％過酸化水素水と６０％硝酸を等容に混合させたＮｉ膜
用エツチング液を用い常温でエツチングする。酸洗いに
は１５秒程度、Ｎｉ膜エツチングには１０〜２０秒程度
し程度しない。次に水洗後８５％リン酸＝６０％硝酸：
水−２０：３：１０なる組成のＡｆｉ膜用エツチング液
を４５℃に加温してＡｒ１．膜のエツチングを行う０以
にノエノチング工程が完了した後、直ちニ充分な純水洗
を行い、乾燥させた後レジスト膜を除去する。このよう
な工程で製造された薄膜ＥＬ素子においては背面電極と
リード付は用端子膜の材料及び構成は全く同一となる。
面に生成している酸化物薄膜層を６０゛Ｃに加熱した５
０％硫酸を用いて除去する。この酸洗い工程は品質管理
−Ｌ不可欠の操作である。酸洗いの後水洗し、次に１５
％過酸化水素水と６０％硝酸を等容に混合させたＮｉ膜
用エツチング液を用い常温でエツチングする。酸洗いに
は１５秒程度、Ｎｉ膜エツチングには１０〜２０秒程度
し程度しない。次に水洗後８５％リン酸＝６０％硝酸：
水−２０：３：１０なる組成のＡｆｉ膜用エツチング液
を４５℃に加温してＡｒ１．膜のエツチングを行う０以
にノエノチング工程が完了した後、直ちニ充分な純水洗
を行い、乾燥させた後レジスト膜を除去する。このよう
な工程で製造された薄膜ＥＬ素子においては背面電極と
リード付は用端子膜の材料及び構成は全く同一となる。
尚、２層膜８はＡμを主とする合金膜とＮｉを主とする
合金膜で形成することもできる。
合金膜で形成することもできる。
従来の工程で製造された薄膜ＥＬ素子のパネルにおいて
は背面電極がＡＩｌ単膜でリード付は用端子が／ｌとＮ
ｉの２層膜であり、その材料な、らびに構成が相違して
いたが本実施例の如く材料、構成が同一であることは一
回の蒸着をもって処理できることを意味している。また
本実施例ではメタルマスクによるマスク蒸着工程がない
ために、電極の精細度を向−卜させる必要が生じた際に
も充分対応することができる。即ちマスク蒸着において
はメタルマスクと基板材料の熱膨張差によるたわみに起
因する蒸着ぼけを避けることができず薄膜ＥＬ素子の電
極精細度が向ヒしたときに電極の端子間で短絡が起こる
ことがある。またマスク蒸着には熟練を要しそのため量
産に適していないところがある。しかしながら第２図に
示す構造に於いては、このようなメタルマスクに起因す
る一切の不都合を除去することができ、信頼性の高い薄
膜ＥＬ素子の表示パネルが得られる。
は背面電極がＡＩｌ単膜でリード付は用端子が／ｌとＮ
ｉの２層膜であり、その材料な、らびに構成が相違して
いたが本実施例の如く材料、構成が同一であることは一
回の蒸着をもって処理できることを意味している。また
本実施例ではメタルマスクによるマスク蒸着工程がない
ために、電極の精細度を向−卜させる必要が生じた際に
も充分対応することができる。即ちマスク蒸着において
はメタルマスクと基板材料の熱膨張差によるたわみに起
因する蒸着ぼけを避けることができず薄膜ＥＬ素子の電
極精細度が向ヒしたときに電極の端子間で短絡が起こる
ことがある。またマスク蒸着には熟練を要しそのため量
産に適していないところがある。しかしながら第２図に
示す構造に於いては、このようなメタルマスクに起因す
る一切の不都合を除去することができ、信頼性の高い薄
膜ＥＬ素子の表示パネルが得られる。
以下、上記実施例の薄膜ＥＬ素子に於ける信頼性につい
て説明する。
て説明する。
薄膜ＥＬ素子特有の不完全さ即ちピンホール等によって
通電時に起こるブレークダウンに基く微小損傷領域は背
面電極がＡｒ１．単膜のときよりもＡ℃とＮｉの二層膜
のときの方が拡大し易い傾向にある。これはＡλとＮｉ
の融点の相違が原因である。
通電時に起こるブレークダウンに基く微小損傷領域は背
面電極がＡｒ１．単膜のときよりもＡ℃とＮｉの二層膜
のときの方が拡大し易い傾向にある。これはＡλとＮｉ
の融点の相違が原因である。
即ち、Ａｒ１．融点６５９℃、Ｎｉ融点１４５５”Ｃで
Ｎｉの方がかなり高いため絶縁破壊時のガスエネルギー
が／ｌ膜中に伝播しやす（Ｎｉ膜中へあまり伝播しない
ためである。その分だけ絶縁破壊の大きさがＡｎ単膜の
場合よりその上にＮｉ膜を積層した場合の方が大きくな
る。第３図はＡＱ膜とＮｉ膜の膜厚構成比と絶縁破壊の
大きさをグラフ化したものである。Ａ２膜厚を３０００
λ一定とした場合Ｎｉ膜厚か１５００ｋを超えるところ
から急激に絶縁破壊の大きさが大きくなっている様子が
わかる。絶縁破壊は通電中に拡大していくことがあるの
で、信頼性の見地から絶縁破壊の許容される大きさは背
面電極ストライプの幅の大きさによって変わる。例えば
背面電極ストライプの幅が２２０μｍのとき信頼性ト許
容され得る絶縁破壊の大きさは１６０μｍ程度である。
Ｎｉの方がかなり高いため絶縁破壊時のガスエネルギー
が／ｌ膜中に伝播しやす（Ｎｉ膜中へあまり伝播しない
ためである。その分だけ絶縁破壊の大きさがＡｎ単膜の
場合よりその上にＮｉ膜を積層した場合の方が大きくな
る。第３図はＡＱ膜とＮｉ膜の膜厚構成比と絶縁破壊の
大きさをグラフ化したものである。Ａ２膜厚を３０００
λ一定とした場合Ｎｉ膜厚か１５００ｋを超えるところ
から急激に絶縁破壊の大きさが大きくなっている様子が
わかる。絶縁破壊は通電中に拡大していくことがあるの
で、信頼性の見地から絶縁破壊の許容される大きさは背
面電極ストライプの幅の大きさによって変わる。例えば
背面電極ストライプの幅が２２０μｍのとき信頼性ト許
容され得る絶縁破壊の大きさは１６０μｍ程度である。
絶縁破壊の大きさが背面電極ストライプの幅と同等具」
−になると薄膜ＥＬ素子の致命的欠陥である［絵素欠け
−１を呈することになる。従って絶縁破壊の大きさは信
頼性上重要な指標となる。
−になると薄膜ＥＬ素子の致命的欠陥である［絵素欠け
−１を呈することになる。従って絶縁破壊の大きさは信
頼性上重要な指標となる。
第４図ははんだ付は用端子膜の引っ張り強度を膜の構成
より調べたものである。Ａｒ１．膜は下層である透明導
電膜及び上層のＮｉ膜と化学的に結び付くのではんだ付
は用端子膜の引っ張り強度に与える要素が大−きい。従
って／ｌ膜厚はある一定以になければならない。第４図
よりＮｉ膜厚を１００ＯＡ一定とした場合Ａ２の膜厚は
２００ＯＡ以り必要であることがわかる。なお蒸着条件
は基板温度２２０″Ｑしている。Ａｎ膜厚の上限値は背
面電極の総合膜厚が一定限度内でなくてはならないとい
う理由で制限される。即ち、背面電極膜が過度に積層さ
れると既に積層されている誘電体層との間に内部応力が
発生しやすくなり、これが絶縁破壊発生の巣となるため
である。従って背面電極の総合膜厚は約１μ、以下が望
ましいことになり２層膜８に於けるＡＩｌ膜のみの厚さ
は７０００Ａ以下に限定されることとなる。第５図（Ａ
）（Ｂ）は第２図の構造を有する背面電極を具有する薄
膜ＥＬ素子と従来の、１、単膜からなる背面電極を具有
する薄膜ＥＬ素子のＤＣ絶縁耐圧の比較を示したもので
ある。第５図（５）はＡｎ単膜６５００Ａ厚の場合であ
り、第５図（Ｂ）はＡ２膜３０００ＡとＮｉ膜１０００
Ａの２層膜の場合の実験結果である。絶縁破壊の頻度は
両者間でほとんど差がないことがわかる。
より調べたものである。Ａｒ１．膜は下層である透明導
電膜及び上層のＮｉ膜と化学的に結び付くのではんだ付
は用端子膜の引っ張り強度に与える要素が大−きい。従
って／ｌ膜厚はある一定以になければならない。第４図
よりＮｉ膜厚を１００ＯＡ一定とした場合Ａ２の膜厚は
２００ＯＡ以り必要であることがわかる。なお蒸着条件
は基板温度２２０″Ｑしている。Ａｎ膜厚の上限値は背
面電極の総合膜厚が一定限度内でなくてはならないとい
う理由で制限される。即ち、背面電極膜が過度に積層さ
れると既に積層されている誘電体層との間に内部応力が
発生しやすくなり、これが絶縁破壊発生の巣となるため
である。従って背面電極の総合膜厚は約１μ、以下が望
ましいことになり２層膜８に於けるＡＩｌ膜のみの厚さ
は７０００Ａ以下に限定されることとなる。第５図（Ａ
）（Ｂ）は第２図の構造を有する背面電極を具有する薄
膜ＥＬ素子と従来の、１、単膜からなる背面電極を具有
する薄膜ＥＬ素子のＤＣ絶縁耐圧の比較を示したもので
ある。第５図（５）はＡｎ単膜６５００Ａ厚の場合であ
り、第５図（Ｂ）はＡ２膜３０００ＡとＮｉ膜１０００
Ａの２層膜の場合の実験結果である。絶縁破壊の頻度は
両者間でほとんど差がないことがわかる。
以上の様に本発明は薄膜ＥＬ素子の電極構造に対して素
子の信頼性を全く損うことなく工程を簡略化して量産性
を付与しかつ電極が高精細度の薄膜ＥＬ素子を実現する
ことができるなどその技術的効果は極めて有用なもので
ある。
子の信頼性を全く損うことなく工程を簡略化して量産性
を付与しかつ電極が高精細度の薄膜ＥＬ素子を実現する
ことができるなどその技術的効果は極めて有用なもので
ある。
第１図は従来の薄膜ＥＬ素子の構成図である。
第２図は本発明の１実施例を示す薄膜ＥＬ素子の構成図
である。第３図はＮｉ膜厚と絶縁破壊の大きさの関係を
示す説明図である。第、４図はＡＭ膜厚と引張り強度の
関係を示す説明図である。第５図（Ａ）（Ｂ）はＤＣ電
圧と絶縁破壊頻度の関係を示す説明図である。 ２・・透明電極 ４・・・ＺｎＳ発光層 ８・・２層膜
代理人 弁理士 福 士 愛 彦 手続補正書 昭和、６７年 ７月２０１１ 特許庁長官 殿 ■、小イ′１の表示 特願昭、５１．−／、５グ／♂り ２、発明の名称 薄膜ＥＬ素子の′磁極構造 ３、補正をする者 事件どの関係 特許出願人 名称（５０４） ｉ／ヤープ株式会社 代に者 佐 伯 旭 ４、代 理 人 自発 ６、ヤ１１）正のχ１象 明細書の発明の詳細な説明 ２ 補正の内容 （１）明細書中発明の詳細な説明の項において、グ頁／
ｊ行目に１・・・となまた。」とあるのを１・・・とな
っていた。」と訂正します。 （２）同、ｌＫ３行目に「硝酸を・・・」とあるυ）を
「硝酸−並びに水を・・・」と訂正します。 （３） 同、に頁グ行目に「・・・／ｊ秒捏」とある
、υを「３０秒程度と訂正します。 （４）同、Ｚ頁ｊ行目に「・・・７０〜−０秒・・・」
とあるのを「・・・３０秒・・・」と訂正します。 １５） 同、２頁！行目に「をグｊ℃に・・・」とあ
るのを「をｙ、ｓ−、ｓｏ℃に・・・」と訂正します。 （６）同、２頁ｇ行目に「・・・−一θ℃」とあるのを
１・・・、２００℃」と訂正します。 以 上
である。第３図はＮｉ膜厚と絶縁破壊の大きさの関係を
示す説明図である。第、４図はＡＭ膜厚と引張り強度の
関係を示す説明図である。第５図（Ａ）（Ｂ）はＤＣ電
圧と絶縁破壊頻度の関係を示す説明図である。 ２・・透明電極 ４・・・ＺｎＳ発光層 ８・・２層膜
代理人 弁理士 福 士 愛 彦 手続補正書 昭和、６７年 ７月２０１１ 特許庁長官 殿 ■、小イ′１の表示 特願昭、５１．−／、５グ／♂り ２、発明の名称 薄膜ＥＬ素子の′磁極構造 ３、補正をする者 事件どの関係 特許出願人 名称（５０４） ｉ／ヤープ株式会社 代に者 佐 伯 旭 ４、代 理 人 自発 ６、ヤ１１）正のχ１象 明細書の発明の詳細な説明 ２ 補正の内容 （１）明細書中発明の詳細な説明の項において、グ頁／
ｊ行目に１・・・となまた。」とあるのを１・・・とな
っていた。」と訂正します。 （２）同、ｌＫ３行目に「硝酸を・・・」とあるυ）を
「硝酸−並びに水を・・・」と訂正します。 （３） 同、に頁グ行目に「・・・／ｊ秒捏」とある
、υを「３０秒程度と訂正します。 （４）同、Ｚ頁ｊ行目に「・・・７０〜−０秒・・・」
とあるのを「・・・３０秒・・・」と訂正します。 １５） 同、２頁！行目に「をグｊ℃に・・・」とあ
るのを「をｙ、ｓ−、ｓｏ℃に・・・」と訂正します。 （６）同、２頁ｇ行目に「・・・−一θ℃」とあるのを
１・・・、２００℃」と訂正します。 以 上
Claims (1)
- １、Ａｆｉを１ミとして成る金属膜にＮｉを主として成
る金属膜を積層した積層膜を薄膜ＥＬ素子の一ノｊの電
極として構成するとともに該積層膜を延設して電極取出
用リード端子としたことを特徴とする薄膜ＥＬ素子の電
極構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56154189A JPS5854377A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 薄膜ｅｌ素子の電極構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56154189A JPS5854377A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 薄膜ｅｌ素子の電極構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5854377A true JPS5854377A (ja) | 1983-03-31 |
| JPS6313187B2 JPS6313187B2 (ja) | 1988-03-24 |
Family
ID=15578775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56154189A Granted JPS5854377A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 薄膜ｅｌ素子の電極構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5854377A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000029404A (ja) * | 1998-07-10 | 2000-01-28 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子およびその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50133463A (ja) * | 1974-04-15 | 1975-10-22 |
-
1981
- 1981-09-28 JP JP56154189A patent/JPS5854377A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50133463A (ja) * | 1974-04-15 | 1975-10-22 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000029404A (ja) * | 1998-07-10 | 2000-01-28 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6313187B2 (ja) | 1988-03-24 |
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