JPS60131797A - エレクトロルミネツセンス素子 - Google Patents
エレクトロルミネツセンス素子Info
- Publication number
- JPS60131797A JPS60131797A JP58241227A JP24122783A JPS60131797A JP S60131797 A JPS60131797 A JP S60131797A JP 58241227 A JP58241227 A JP 58241227A JP 24122783 A JP24122783 A JP 24122783A JP S60131797 A JPS60131797 A JP S60131797A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- transparent electrode
- light
- stripe
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は交流電界の印加によってキャラク身などを表示
するエレクトロルミネッセンス素子の構造に関するもの
で、さらに詳しくは大画面エレクトロルミネッセンスパ
ネルの電極構造に関する。
するエレクトロルミネッセンス素子の構造に関するもの
で、さらに詳しくは大画面エレクトロルミネッセンスパ
ネルの電極構造に関する。
背景技術
従来、交流動作の薄膜エレクトロルミネッセンス素子に
関して、発光層に原則的に高い電界（１０’Ｖ／ｃｍ程
度）を印加し、絶縁耐圧１発光効率および動作の安定性
などを高めるために、０．１〜２．０ｗｔ％のＭｎ（あ
るいはＣｕ、Ａｌ、Ｂｒなど）をドープした２１５．Ｚ
ｎ５ｅ などの半導体発光層をＹ２Ｏ３、ＴｉＯ□など
の誘電体薄膜でサンドインチした三ＶＷ造ＺｎＳ ：Ｍ
ｎ （ｔたはＺｎ５ｅ：Ｍｎ）エレクトロルミネッセン
ス素子か開発され、発光諸特性の向上が確かめられてい
る。このｆｄｉ膜エレクトロルミネッセンス素子はｉ＆
ｋＨｚの交流の交流電界印加によって高輝度発光し、し
かも長寿命であるという特徴を有している。またこの薄
膜エレクトロルミネッセンス素子の発光に関しては印加
電圧を昇圧していく過程と、高屯圧側より降圧していく
過程で、同じ印加電圧に対して発光輝度が異なるといっ
たヒステリシス特性を有していることが発見された。こ
のヒステリシス特性を有する薄膜エレクトロルミネッセ
ンス素子に印加電圧を昇圧していく過程において、光・
電界ｅ熱などが付与されると、薄膜エレクトｐルミネツ
センス素子はその強度に対応した発光輝度の状態に励起
され、光・′電界・熱などを除失して元の状態に戻して
も発光輝度は高くならた晶で維持されるし・わゆるメモ
リ現象か表示技術の新たな利用分野を開拓するにいたっ
た。
関して、発光層に原則的に高い電界（１０’Ｖ／ｃｍ程
度）を印加し、絶縁耐圧１発光効率および動作の安定性
などを高めるために、０．１〜２．０ｗｔ％のＭｎ（あ
るいはＣｕ、Ａｌ、Ｂｒなど）をドープした２１５．Ｚ
ｎ５ｅ などの半導体発光層をＹ２Ｏ３、ＴｉＯ□など
の誘電体薄膜でサンドインチした三ＶＷ造ＺｎＳ ：Ｍ
ｎ （ｔたはＺｎ５ｅ：Ｍｎ）エレクトロルミネッセン
ス素子か開発され、発光諸特性の向上が確かめられてい
る。このｆｄｉ膜エレクトロルミネッセンス素子はｉ＆
ｋＨｚの交流の交流電界印加によって高輝度発光し、し
かも長寿命であるという特徴を有している。またこの薄
膜エレクトロルミネッセンス素子の発光に関しては印加
電圧を昇圧していく過程と、高屯圧側より降圧していく
過程で、同じ印加電圧に対して発光輝度が異なるといっ
たヒステリシス特性を有していることが発見された。こ
のヒステリシス特性を有する薄膜エレクトロルミネッセ
ンス素子に印加電圧を昇圧していく過程において、光・
電界ｅ熱などが付与されると、薄膜エレクトｐルミネツ
センス素子はその強度に対応した発光輝度の状態に励起
され、光・′電界・熱などを除失して元の状態に戻して
も発光輝度は高くならた晶で維持されるし・わゆるメモ
リ現象か表示技術の新たな利用分野を開拓するにいたっ
た。
第１図は薄膜エレクトロルミネッセンス素子の一例とし
てＺｎＳ：Ｍｎ薄膜エレクトロルミネッセンス素子の基
本的構造を示すｉＵｉ面図である。
てＺｎＳ：Ｍｎ薄膜エレクトロルミネッセンス素子の基
本的構造を示すｉＵｉ面図である。
第１図にｊＪ、いて線膜エレクトロルミネッセンス□素
子の％ｇ造を具体的に説明すると、ガラス基板１上にＩ
ｎ ２０３ ’、 Ｓ ｎ’０’２ などの誘明電極
２゛、さらにその上に積層してＹ２０３． Ｔ ｉ Ｏ
２，、Ａ ｅ２’：＜）二、Ｓ’４．３Ｎ４１．。
子の％ｇ造を具体的に説明すると、ガラス基板１上にＩ
ｎ ２０３ ’、 Ｓ ｎ’０’２ などの誘明電極
２゛、さらにその上に積層してＹ２０３． Ｔ ｉ Ｏ
２，、Ａ ｅ２’：＜）二、Ｓ’４．３Ｎ４１．。
ミ 、′
Ｓｉ０ などから成る第１°誘専体ノ會、３妙”１．８
パ・′、′あるいは電子ど−ム蒸肴法などにより、−骨
形＃ｌｌ、 −４，、、：、。
パ・′、′あるいは電子ど−ム蒸肴法などにより、−骨
形＃ｌｌ、 −４，、、：、。
れている。第１のａ、、Ｎ Ｌ体層３上に、はＺ’ｎ
Ｓ’ ； Ｍ’ｎ焼結ペレットを電子ビーム蒸着するこ
とにより得ら −れるＺｎＳ発光層４が形成されている
。このとき蒸着用のＺｎＳ：Ｍｎ焼結ペレットには活性
物質となるＭｎが目的に応じた濃度に設定されたベレツ
゛ トが使用される。ＺｎＳ 発光層４上には第１０誘
電体層３と同様の材質から成る第２の誘電体層５か積層
され、さらにその上にＡＪなどから成る背面電４＊ ’
ｉｙが蒸着形成されている。透明電極２と背面電極６は
交流電源７に接続され一％薄膜エレクトロルミネッセン
ス素子が駆動される。
Ｓ’ ； Ｍ’ｎ焼結ペレットを電子ビーム蒸着するこ
とにより得ら −れるＺｎＳ発光層４が形成されている
。このとき蒸着用のＺｎＳ：Ｍｎ焼結ペレットには活性
物質となるＭｎが目的に応じた濃度に設定されたベレツ
゛ トが使用される。ＺｎＳ 発光層４上には第１０誘
電体層３と同様の材質から成る第２の誘電体層５か積層
され、さらにその上にＡＪなどから成る背面電４＊ ’
ｉｙが蒸着形成されている。透明電極２と背面電極６は
交流電源７に接続され一％薄膜エレクトロルミネッセン
ス素子が駆動される。
電極２，６間にＡＣ電圧を印加するとＺｎＳ発光層４０
両側の誘電体層３．５間に上記Ａ Ｃ？を圧が誘起され
ることになり、した必（つてＺｎＳ発光１曽４内に発生
した電界によって伝導帯に励起されかつ加速されて充分
なエネルギを得た電子が、直接Ｍｎｎ先光センター励起
し、励起されたＭｎ発光センターが基底状−に戻る際に
黄色の発光を行なう。すなわち高電界で加速された電子
がＺｎＳ−発光層４中の発光センターであるＺ、ｎサイ
、ドに入ったＭη原子の゛電子を励起し、基底状態に落
ちるときはＬ＊ ５３ ｓ０オングストロームをピー゛
りに幅広い波長領域で強い発光を呈する。
両側の誘電体層３．５間に上記Ａ Ｃ？を圧が誘起され
ることになり、した必（つてＺｎＳ発光１曽４内に発生
した電界によって伝導帯に励起されかつ加速されて充分
なエネルギを得た電子が、直接Ｍｎｎ先光センター励起
し、励起されたＭｎ発光センターが基底状−に戻る際に
黄色の発光を行なう。すなわち高電界で加速された電子
がＺｎＳ−発光層４中の発光センターであるＺ、ｎサイ
、ドに入ったＭη原子の゛電子を励起し、基底状態に落
ちるときはＬ＊ ５３ ｓ０オングストロームをピー゛
りに幅広い波長領域で強い発光を呈する。
第２図は第１図の透明電極２の構成を説明するための平
面図であり、第２図すはその側面図で、ある。第２図に
示すように透＃ＩＡ電極２は膜厚および膜質により、薄
膜エレクトロルミネッセンス素子の特性に大きな影響を
与える。このような薄膜エレクトロルミネッセンス素子
は透明冨、極２の構造により、発光特性および絶縁特性
が左右される。
面図であり、第２図すはその側面図で、ある。第２図に
示すように透＃ＩＡ電極２は膜厚および膜質により、薄
膜エレクトロルミネッセンス素子の特性に大きな影響を
与える。このような薄膜エレクトロルミネッセンス素子
は透明冨、極２の構造により、発光特性および絶縁特性
が左右される。
透明電極２の抵抗Ｒは、次の＠１式でめられる。
Ｒ＝始 ・・・（１）
ただし Ａは電極の長さ
Ｐは比抵抗
Ｂは電極の幅
りは膜厚
を示す。 ・
たとえば大形表示容瞳の発光エレクトロルミネッセンス
素子を製作する場合、透明゛電極２はＡｌの背面電極６
に比べて比抵抗Ｐが高く、ストライプ２ａが長くなるに
従い抵抗Ｒが高くなる。したがって透明′電極２に宙、
圧を印加すると、その透明電極２の端子部から末端部に
かけて電圧降下が生じ１、発光層４の輝度むらの原因と
なる。このような発光層４のシ）（度むらは表示品位を
下げることになる。このような現象を無くすために透明
電極２の膜厚あるいはストライプｌ’＝ ２ ａを広く
する必要がある。しかしエレクトロルミネッセンス素子
の場合は透明電極２を厚くすると、絶縁膜によるストラ
イプ２ａの絶縁繍能が下がり透明電極２の絶縁耐圧を低
下させる。またストライプ２ａの幅を広くすると抵抗Ｒ
は下がるがエレクトロルミネッセンスパネルの解像度よ
りストライプ２ａの幅には限界がある。
素子を製作する場合、透明゛電極２はＡｌの背面電極６
に比べて比抵抗Ｐが高く、ストライプ２ａが長くなるに
従い抵抗Ｒが高くなる。したがって透明′電極２に宙、
圧を印加すると、その透明電極２の端子部から末端部に
かけて電圧降下が生じ１、発光層４の輝度むらの原因と
なる。このような発光層４のシ）（度むらは表示品位を
下げることになる。このような現象を無くすために透明
電極２の膜厚あるいはストライプｌ’＝ ２ ａを広く
する必要がある。しかしエレクトロルミネッセンス素子
の場合は透明電極２を厚くすると、絶縁膜によるストラ
イプ２ａの絶縁繍能が下がり透明電極２の絶縁耐圧を低
下させる。またストライプ２ａの幅を広くすると抵抗Ｒ
は下がるがエレクトロルミネッセンスパネルの解像度よ
りストライプ２ａの幅には限界がある。
目 的
本発明の目的は上述の技術的課題をｊｊｑ決し、表示画
ｉＭｔの輝度の向上ならびに均一化をはかり大画面で高
精度なエレクトロルミネッセンスパネルを提供すること
である。
ｉＭｔの輝度の向上ならびに均一化をはかり大画面で高
精度なエレクトロルミネッセンスパネルを提供すること
である。
実施例
第３図は本発＋９Ｊの一実施例である透明電極２の平面
図であり、第３図すはその側面図である。大画面高精細
度の薄膜エレクトロルミネッセンスパネルを実現するた
めには透明電極２の光の透過率が高く、ストライプ抵抗
の低い股が必要である。
図であり、第３図すはその側面図である。大画面高精細
度の薄膜エレクトロルミネッセンスパネルを実現するた
めには透明電極２の光の透過率が高く、ストライプ抵抗
の低い股が必要である。
そこで１ニ一９実施例のように透明電極２のストライプ
２ａの両側に数μｍｍ幅の金属電極ストライプ８をｖｈ
Ｗさせるとストライプ抵抗が低くなり電圧降下が小さ
くなる。これによってエレクトロルミネッセンスパネル
の輝度特性が向上する。透明ｔｊｉ４ｉ ２のパターン
Ｊ１≧状はこの実施例のようなものに１（１・１らずい
ろいろなＪＩＳ ｆｒ−ｒをとることができる。またル
５電体層３上に積層される各部１１−２については従来
と同様のｈ ｆｑを採用することができる。
２ａの両側に数μｍｍ幅の金属電極ストライプ８をｖｈ
Ｗさせるとストライプ抵抗が低くなり電圧降下が小さ
くなる。これによってエレクトロルミネッセンスパネル
の輝度特性が向上する。透明ｔｊｉ４ｉ ２のパターン
Ｊ１≧状はこの実施例のようなものに１（１・１らずい
ろいろなＪＩＳ ｆｒ−ｒをとることができる。またル
５電体層３上に積層される各部１１−２については従来
と同様のｈ ｆｑを採用することができる。
効 果
以上のように本発明によれば？ｊ町電極のストライプの
両１１１１１ Ｋ金ｋ Ｗ；、 極ストライプを設ける
ことにより表示画面の輝１１１が向上し、また均一化を
はかることができる。またこれにより大画面高精細度な
エレクトロルミネッセンスパネルを実現することができ
る。
両１１１１１ Ｋ金ｋ Ｗ；、 極ストライプを設ける
ことにより表示画面の輝１１１が向上し、また均一化を
はかることができる。またこれにより大画面高精細度な
エレクトロルミネッセンスパネルを実現することができ
る。
９３°１ｌｉｌｌｊは従来の薄膜エレクトロルミネッセ
ンス素子の基本的構造を示す構成図、第２図（２）は従
来−０−透−明爾、極２付近の構造を示す平面図、第２
図■は第２図（４）に示す透Ｉ！ｌＪ電極２付近の側面
図、第３図に）は本発明の一実施例を説明するための透
明電極２付近の構造を示す平面図、鮎３図■は第３図（
５）に示ず透ψｊ１ｕ極２付近の側面（９）である。 １・・・ガラス基板、２・・・透明電極、３用誘電体層
、６・・・背ｉ１ｕ電極、８・・・金属電極ストライプ
、２ａ・・・ストライプ 代理人 弁理士 西教圭一部
ンス素子の基本的構造を示す構成図、第２図（２）は従
来−０−透−明爾、極２付近の構造を示す平面図、第２
図■は第２図（４）に示す透Ｉ！ｌＪ電極２付近の側面
図、第３図に）は本発明の一実施例を説明するための透
明電極２付近の構造を示す平面図、鮎３図■は第３図（
５）に示ず透ψｊ１ｕ極２付近の側面（９）である。 １・・・ガラス基板、２・・・透明電極、３用誘電体層
、６・・・背ｉ１ｕ電極、８・・・金属電極ストライプ
、２ａ・・・ストライプ 代理人 弁理士 西教圭一部
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 互いに直交する方向に袢数本マトリクス状に配列された
透明電極と背面電極との間に各誘電体層を介して発光層
をＭ股して形成され１透明電、極を載板上に搭載して成
るエレクトロルミネッセンス素子において、 前記透１！ＩＩ Ｉｔ極のストライプ両側に衝接させる
金槁電極ストライプを設けることを特徴とするエレクト
ロルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58241227A JPS60131797A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | エレクトロルミネツセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58241227A JPS60131797A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | エレクトロルミネツセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60131797A true JPS60131797A (ja) | 1985-07-13 |
Family
ID=17071089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58241227A Pending JPS60131797A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | エレクトロルミネツセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60131797A (ja) |
-
1983
- 1983-12-20 JP JP58241227A patent/JPS60131797A/ja active Pending
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