JPS62115692A - 薄膜ｅｌ表示素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ表示素子Info
- Publication number
- JPS62115692A JPS62115692A JP60254534A JP25453485A JPS62115692A JP S62115692 A JPS62115692 A JP S62115692A JP 60254534 A JP60254534 A JP 60254534A JP 25453485 A JP25453485 A JP 25453485A JP S62115692 A JPS62115692 A JP S62115692A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- transparent electrode
- electrode film
- thin film
- display element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「技術分野」
本発明は、蛍光体材料に電界を印加させて発光させるよ
うにした薄膜ＥＬ表示素子に関する。
うにした薄膜ＥＬ表示素子に関する。
「従来技術およびその問題点」
近年、薄膜ＥＬ表示素子は、各種装置のディスプレイに
応用されつつある。従来の一般的な薄膜ＥＬ表示素子は
、第３図に示すように、透明ガラス基板１上に、透明電
極膜２と絶縁膜３とＥＬ発光膜４と絶縁１ｔ！５ と対
向電極膜Ｂとが順次積層された２重絶縁型６層構造で構
成されている。この薄膜ＥＬ表示素子は、透明電極膜２
と対向電極膜６との間に数１０Ｈｚから数ＫＨｚの交流
電界を印加することにより、ＥＬ発光膜への活性種イオ
ンが励起され、発光するようになっている。
応用されつつある。従来の一般的な薄膜ＥＬ表示素子は
、第３図に示すように、透明ガラス基板１上に、透明電
極膜２と絶縁膜３とＥＬ発光膜４と絶縁１ｔ！５ と対
向電極膜Ｂとが順次積層された２重絶縁型６層構造で構
成されている。この薄膜ＥＬ表示素子は、透明電極膜２
と対向電極膜６との間に数１０Ｈｚから数ＫＨｚの交流
電界を印加することにより、ＥＬ発光膜への活性種イオ
ンが励起され、発光するようになっている。
しかしながら、従来の薄膜ＥＬ表示素子は、透明ガラス
基板１にＩ＋１２０３−３ｎ０２系の透明電極膜２をス
パッタリングや真空蒸着法により成膜すると、部分的に
突起部２ａが形成され、絶縁膜３．ＥＬ発光膜４、絶縁
膜５の各層をつら抜いて、対向型Ｍ膜ｅと接近あるいは
接触し、交流電界を印加した場合にショートが発生して
正常なＥＬ発光が得られないことがあった。
基板１にＩ＋１２０３−３ｎ０２系の透明電極膜２をス
パッタリングや真空蒸着法により成膜すると、部分的に
突起部２ａが形成され、絶縁膜３．ＥＬ発光膜４、絶縁
膜５の各層をつら抜いて、対向型Ｍ膜ｅと接近あるいは
接触し、交流電界を印加した場合にショートが発生して
正常なＥＬ発光が得られないことがあった。
「発明の目的」
本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決し、ショ
ートによる発光不良のない信頼性の高い薄膜ＥＬ表示素
子を提供することにある。
ートによる発光不良のない信頼性の高い薄膜ＥＬ表示素
子を提供することにある。
「発明の構成」
本発明による薄膜ＥＬ表示素子は、透明基板上に、少な
くとも透明電極膜と絶縁膜とＥＬ発光膜と対向電極膜と
を備え、前記透明基板上に前記透明電極膜と前記絶縁膜
とを形成した後にエツチング処理することにより前記透
明電極膜の突起部が除去されていることを特徴とする。
くとも透明電極膜と絶縁膜とＥＬ発光膜と対向電極膜と
を備え、前記透明基板上に前記透明電極膜と前記絶縁膜
とを形成した後にエツチング処理することにより前記透
明電極膜の突起部が除去されていることを特徴とする。
このように、本発明では、透明電極膜の突起部が除去さ
れているので、突起部によるショートの発生を防止でき
、素子の信頼性を高めることができる。
れているので、突起部によるショートの発生を防止でき
、素子の信頼性を高めることができる。
本発明による薄膜ＥＬ表示素子は、例えば次のようにし
て製造される。まず、ガラス等の透明基板上に、例えば
Ｉｎ２Ｑ３−９ｎ０２系の透明電極膜をスパッタリング
や真空蒸着法により成膜する。その上に、例えばＴａ２
Ｑ５ 、 Ｓａｃ 、 Ｓｉ３Ｎ４ 、 Ｓ！０２、Ｙ
２Ｏ３−’ｉｔ”の金属酸化物、金属窒化物、金属炭素
化物等からなる絶縁膜をスパッタリング法などにより形
成する。その後、例えばＨＣｌ−ＨＮＯ３系等のエツチ
ング液を用いて浸漬処理し、絶縁膜より突出した透明電
極膜の突起部を除去する。こうして透明電極膜の突起部
を除去した後、各種付活剤をドープした硫化亜鉛などか
らなるＥｌ、発光層をスパッタリング法などにより形成
し、さらに、必要に応じて上記と同様な絶縁膜を形成し
、最後にアルミニウムなどからなる対向電極膜を形成し
て薄膜ＥＬ表示素子を得ることができる。
て製造される。まず、ガラス等の透明基板上に、例えば
Ｉｎ２Ｑ３−９ｎ０２系の透明電極膜をスパッタリング
や真空蒸着法により成膜する。その上に、例えばＴａ２
Ｑ５ 、 Ｓａｃ 、 Ｓｉ３Ｎ４ 、 Ｓ！０２、Ｙ
２Ｏ３−’ｉｔ”の金属酸化物、金属窒化物、金属炭素
化物等からなる絶縁膜をスパッタリング法などにより形
成する。その後、例えばＨＣｌ−ＨＮＯ３系等のエツチ
ング液を用いて浸漬処理し、絶縁膜より突出した透明電
極膜の突起部を除去する。こうして透明電極膜の突起部
を除去した後、各種付活剤をドープした硫化亜鉛などか
らなるＥｌ、発光層をスパッタリング法などにより形成
し、さらに、必要に応じて上記と同様な絶縁膜を形成し
、最後にアルミニウムなどからなる対向電極膜を形成し
て薄膜ＥＬ表示素子を得ることができる。
「発明の実施例」
第１図および第２図には、本発明によるＥＬ発光素子の
実施例が示されている。
実施例が示されている。
すなわち、第２図（ａ）に示すように、透明ガラス基板
１の上にＩｎ２Ｑ ３−５ ｉ０２系の透明電極膜２を
スパッタリング法により形成する。透明電極膜２の一部
には突起部２ａが生じている６次に、第２図（ｂ）に示
すように、Ｔａをターゲットとし、Ａｒガス８０ＳＣＣ
Ｍ、０□ガス１３ＳＣＣＭの混合ガス雰囲気中にてスパ
ッタリングを行ない、Ｔａ２０５の絶縁膜３を透明電極
膜２の上に形成する。なお、絶縁膜３には、ピンホール
３ａが生じることがある０次に、第２図（ｃ）に示すよ
うに、ＨＣｉ：ＨＮＯ３：Ｈ２０＝３００：４０：３０
０で混合したエツチング液を５〜６分間浸漬して透明電
極膜２の突起部２ａをエツチング除去する。このとき、
絶縁膜３のピンホール３ａに位置する透明電極膜２の部
分も除去される。
１の上にＩｎ２Ｑ ３−５ ｉ０２系の透明電極膜２を
スパッタリング法により形成する。透明電極膜２の一部
には突起部２ａが生じている６次に、第２図（ｂ）に示
すように、Ｔａをターゲットとし、Ａｒガス８０ＳＣＣ
Ｍ、０□ガス１３ＳＣＣＭの混合ガス雰囲気中にてスパ
ッタリングを行ない、Ｔａ２０５の絶縁膜３を透明電極
膜２の上に形成する。なお、絶縁膜３には、ピンホール
３ａが生じることがある０次に、第２図（ｃ）に示すよ
うに、ＨＣｉ：ＨＮＯ３：Ｈ２０＝３００：４０：３０
０で混合したエツチング液を５〜６分間浸漬して透明電
極膜２の突起部２ａをエツチング除去する。このとき、
絶縁膜３のピンホール３ａに位置する透明電極膜２の部
分も除去される。
そして、第１図に示すように、上記絶、！１１１３上に
、マンガンをドープした硫化亜鉛からなるＥＬ発光膜４
をスパッタリング法により形成し、その上にＴａ２０５
からなる絶縁膜を上記と同様な反応性スパッタリング法
により形成する。さらに、アルミニウムからなる対向電
極膜６をスパッタリング法により形成する。
、マンガンをドープした硫化亜鉛からなるＥＬ発光膜４
をスパッタリング法により形成し、その上にＴａ２０５
からなる絶縁膜を上記と同様な反応性スパッタリング法
により形成する。さらに、アルミニウムからなる対向電
極膜６をスパッタリング法により形成する。
こうして得た薄膜ＥＬ表示素子は、透明電極膜２の突起
部２ａがエツチングにより除去されているので、突起部
２ａによるショートの発生が防止され、歩留りが向上し
信頼性を高めることができる。また、絶縁膜３のピンホ
ール３ａにおける透明電極膜２も除去されているので、
ピンホール３ａの部分におけるショートの発生も防止さ
れる。
部２ａがエツチングにより除去されているので、突起部
２ａによるショートの発生が防止され、歩留りが向上し
信頼性を高めることができる。また、絶縁膜３のピンホ
ール３ａにおける透明電極膜２も除去されているので、
ピンホール３ａの部分におけるショートの発生も防止さ
れる。
「発明の効果」
以上説明したように、本発明によれば、透明基板上に、
透明電極膜および絶縁膜を形成した後、エツチングによ
り透明電極膜の突起部を除去するようにしたので、突起
部によるショートの発生を防止し、信頼性を向上させる
ことができる。
透明電極膜および絶縁膜を形成した後、エツチングによ
り透明電極膜の突起部を除去するようにしたので、突起
部によるショートの発生を防止し、信頼性を向上させる
ことができる。
第１図は本発明による薄膜ＥＬ表示素子の実施例を示す
断面図、第２図（ａ）は同薄膜ＥＬ表示素子の製造にお
いて透明基板上に透明電極膜を形成した状態を示す断面
図、第２図（ｂ）は同薄膜ＥＬ表示素子の製゛造におい
て透明電極膜上に絶縁膜を形成した状態を示す断面図、
第２図（ｃ）は同薄膜ＥＬ表示素子の製造においてエツ
チング処理を行なった状態を示す断面図、第３図は従来
の薄膜ＥＬ表示素子の一例を示す断面図である。 図中、１は透明ガラス基板、２は透明電極膜、２ａは突
起部、３は絶縁膜、４はＥＬ発光層、５は絶縁膜、６は
対向電極膜である。
断面図、第２図（ａ）は同薄膜ＥＬ表示素子の製造にお
いて透明基板上に透明電極膜を形成した状態を示す断面
図、第２図（ｂ）は同薄膜ＥＬ表示素子の製゛造におい
て透明電極膜上に絶縁膜を形成した状態を示す断面図、
第２図（ｃ）は同薄膜ＥＬ表示素子の製造においてエツ
チング処理を行なった状態を示す断面図、第３図は従来
の薄膜ＥＬ表示素子の一例を示す断面図である。 図中、１は透明ガラス基板、２は透明電極膜、２ａは突
起部、３は絶縁膜、４はＥＬ発光層、５は絶縁膜、６は
対向電極膜である。
Claims (1)
- 透明基板上に、少なくとも透明電極膜と絶縁膜とＥＬ発
光膜と対向電極膜とを備えた薄膜ＥＬ表示素子において
、前記透明基板上に前記透明電極膜と前記絶縁膜とを形
成した後にエッチング処理することにより前記透明電極
膜の突起部が除去されていることを特徴とする薄膜ＥＬ
表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60254534A JPS62115692A (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | 薄膜ｅｌ表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60254534A JPS62115692A (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | 薄膜ｅｌ表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62115692A true JPS62115692A (ja) | 1987-05-27 |
Family
ID=17266379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60254534A Pending JPS62115692A (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | 薄膜ｅｌ表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62115692A (ja) |
-
1985
- 1985-11-13 JP JP60254534A patent/JPS62115692A/ja active Pending
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