JPH01207721A - マトリックス型液晶表示パネル - Google Patents
マトリックス型液晶表示パネルInfo
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、薄膜トランジスタをアドレス表示素子として
用いたマトリックス型液晶表示パネルの改良に関し、特
に薄膜トランジスタの電極に接続される配線パターン部
分を改良したものに関する。
用いたマトリックス型液晶表示パネルの改良に関し、特
に薄膜トランジスタの電極に接続される配線パターン部
分を改良したものに関する。
(従来の技術)
逆スタガー型の薄膜トランジスタをアドレス表示素子と
して用いた従来のマトリックス型液晶表示パネルの一例
を第3図および第4図に示す。なお、第4図(a)およ
び(ロ)は、それぞれ、第3図の線0−Pおよび線Q−
Rに沿う断面図である。
して用いた従来のマトリックス型液晶表示パネルの一例
を第3図および第4図に示す。なお、第4図(a)およ
び(ロ)は、それぞれ、第3図の線0−Pおよび線Q−
Rに沿う断面図である。
この液晶表示パネルでは、絶縁性基板1上に基板保護膜
・2が形成されている。そして、基板保護膜2上に、ゲ
ート電極3.ゲート絶縁膜4.アモルファスシリコン膜
(a−Si膜)5.保護絶縁膜6、n”a−3i膜7並
びにソース電極およびドレイン電極8が順に形成されて
逆スタガー型の薄膜トランジスタが構成されている。表
示用絵素電極9はソースまたはドレイン電極8に電気的
に接続されている。なお、第4図(a)において、 1
0は保護膜を示している。
・2が形成されている。そして、基板保護膜2上に、ゲ
ート電極3.ゲート絶縁膜4.アモルファスシリコン膜
(a−Si膜)5.保護絶縁膜6、n”a−3i膜7並
びにソース電極およびドレイン電極8が順に形成されて
逆スタガー型の薄膜トランジスタが構成されている。表
示用絵素電極9はソースまたはドレイン電極8に電気的
に接続されている。なお、第4図(a)において、 1
0は保護膜を示している。
上記のマトリックス型液晶表示パネルでは、各薄膜トラ
ンジスタのゲート電極3に接続される配線パターン3a
を第3図の横方向に接続している複数の信号線に垂直走
査信号が入力される。他方。
ンジスタのゲート電極3に接続される配線パターン3a
を第3図の横方向に接続している複数の信号線に垂直走
査信号が入力される。他方。
各薄膜トランジスタのソース電極に接続されているソー
ス配線パターン8aを配線パターン8bで垂直方向に接
続している複数の信号線に画像体号が入力されて、各薄
膜トランジスタの表示用絵素電極9に順次通電して液晶
が駆動されるものである。
ス配線パターン8aを配線パターン8bで垂直方向に接
続している複数の信号線に画像体号が入力されて、各薄
膜トランジスタの表示用絵素電極9に順次通電して液晶
が駆動されるものである。
(発明が解決しようとする課題)
このような従来のマトリックス型液晶表示パネルでは、
薄膜トランジスタの各電極3,8に接続される配線パタ
ーン3a、8a、8bが、製造に際してのエツチング工
程でオーバーエッチされることがある。そのような場合
には、該配線パターン3a、8a、8bの幅が狭くなり
、はなはだしき場合には断線に至ることもある。その結
果、配線抵抗が高くなって信号が減衰したり、断線が発
生した場合にはライン欠陥が発生し、実用に耐え得ない
表示となることがある。そのためマトリックス型液晶表
示パネルの製造歩留まりを大きく低下させていた。
薄膜トランジスタの各電極3,8に接続される配線パタ
ーン3a、8a、8bが、製造に際してのエツチング工
程でオーバーエッチされることがある。そのような場合
には、該配線パターン3a、8a、8bの幅が狭くなり
、はなはだしき場合には断線に至ることもある。その結
果、配線抵抗が高くなって信号が減衰したり、断線が発
生した場合にはライン欠陥が発生し、実用に耐え得ない
表示となることがある。そのためマトリックス型液晶表
示パネルの製造歩留まりを大きく低下させていた。
本発明の目的は、薄膜トランジスタの各電極に接続され
る配線に於ける欠陥が生じ難く、安定な表示品位のマト
リックス型液晶表示パネルを提供することにある。
る配線に於ける欠陥が生じ難く、安定な表示品位のマト
リックス型液晶表示パネルを提供することにある。
(課題を解決するための手段)
本発明゛のマトリックス型液晶表示パネルは、薄膜トラ
ンジスタをアドレス表示素子として用いたマトリックス
型液晶表示パネルであって、該薄膜トランジスタの電極
に接続される少なくとも1の配線パターン上に形成され
、該配線パターンよりも幅の広い導電膜を備えており、
そのことにより上記目的が達成される。
ンジスタをアドレス表示素子として用いたマトリックス
型液晶表示パネルであって、該薄膜トランジスタの電極
に接続される少なくとも1の配線パターン上に形成され
、該配線パターンよりも幅の広い導電膜を備えており、
そのことにより上記目的が達成される。
(発明の作用)
本発明によれば、配線パターン上に該配線パターンより
も幅の広い導電膜を形成することにより。
も幅の広い導電膜を形成することにより。
オーバーエッチに起因する配線パターンの欠陥を該導電
膜により補償することができる。従って。
膜により補償することができる。従って。
製造されたマトリックス型液晶表示パネルに於いて、配
線パターンの幅の減少や断線等が発生していたとしても
、その部分における通電は該導電膜により果たされる。
線パターンの幅の減少や断線等が発生していたとしても
、その部分における通電は該導電膜により果たされる。
それ故、配線パターンの電気抵抗が上昇することがなり
、減衰のない信号が入力され2表示画面にライン欠陥が
発生しない。
、減衰のない信号が入力され2表示画面にライン欠陥が
発生しない。
(実施例)
以下に本発明の実施例について説明する。
第1図は1本発明の一実施例の部分平面図であり、第2
図(a)および(ハ)は、それぞれ、第1図の線A−B
および線C=Dに沿う断面図である。なお。
図(a)および(ハ)は、それぞれ、第1図の線A−B
および線C=Dに沿う断面図である。なお。
第1図では、後述する最上層の保護膜10を省略して図
示しである。
示しである。
□この実施例の構造を、その製造工程を説明することに
より明らかにする。ガラスからなる絶縁性基板1上に、
スパッタリングにより五酸化タンタルからなる基板保護
膜2を3000人の厚さに形成する。次に、スパッタリ
ングにより、タンタルを3000人の厚さに形成し、さ
らにフォトエツチングによりゲート電極3を形成する。
より明らかにする。ガラスからなる絶縁性基板1上に、
スパッタリングにより五酸化タンタルからなる基板保護
膜2を3000人の厚さに形成する。次に、スパッタリ
ングにより、タンタルを3000人の厚さに形成し、さ
らにフォトエツチングによりゲート電極3を形成する。
次に、プラズマCVD法により、 3000人の厚さの
SiN、からなるゲート絶縁膜4と、200人の厚さの
a−3t膜5と、 2000人の厚さのSiN、からな
る絶縁層6とを連続的に堆積する。
SiN、からなるゲート絶縁膜4と、200人の厚さの
a−3t膜5と、 2000人の厚さのSiN、からな
る絶縁層6とを連続的に堆積する。
さらに、上記a−3i膜5および絶縁層6をフォトエツ
チングによりパターン化した後、これらの上に400人
の厚さのn”a−Si膜7を形成し、同様にフォトエツ
チングによりパターン化する。
チングによりパターン化した後、これらの上に400人
の厚さのn”a−Si膜7を形成し、同様にフォトエツ
チングによりパターン化する。
次に、ソース・ドレイン金属膜を3000人の厚さに形
成し、フォトエツチングによりパターン化してソースお
よびドレイン電極8.ならびにソースパスラインとして
配線パターン8a、8bを同時に形成する。
成し、フォトエツチングによりパターン化してソースお
よびドレイン電極8.ならびにソースパスラインとして
配線パターン8a、8bを同時に形成する。
次に、 ITOのような透明導電材料よりなる透明導電
膜を1000人の厚さに形成し、フォトエツチングによ
りパターン化して、絵素電極9およびソースパスライン
断線補償用導電膜11を形成する。さらに、 5000
人の厚さの保護膜10を最上層にコーティングする。第
1図及び第2図に示すように、断線補償用導電膜11の
幅は配線パターン8a、8bの幅よりも大きい。
膜を1000人の厚さに形成し、フォトエツチングによ
りパターン化して、絵素電極9およびソースパスライン
断線補償用導電膜11を形成する。さらに、 5000
人の厚さの保護膜10を最上層にコーティングする。第
1図及び第2図に示すように、断線補償用導電膜11の
幅は配線パターン8a、8bの幅よりも大きい。
上記の製造工程の説明から明らかなように、この実施例
では、配線パターン8a、8bよりも幅の広い断線補償
用導電膜11が、配線パターン8a。
では、配線パターン8a、8bよりも幅の広い断線補償
用導電膜11が、配線パターン8a。
8bの上に形成されている。従って、第5図に示すよう
に、配線パターン8bのエツチングによるパターン化に
際し、オーバーエッチにより幅の狭い部分8cが生じた
としても、該断線補償用導電膜11により配線の抵抗の
上昇が防止される。
に、配線パターン8bのエツチングによるパターン化に
際し、オーバーエッチにより幅の狭い部分8cが生じた
としても、該断線補償用導電膜11により配線の抵抗の
上昇が防止される。
また、第6図(a)および(ロ)に示すように配線パタ
ーン8bに断線が生じた場合、従来の構成では配線パタ
ーン8b直上の導電膜11が該配線パターン8bの断差
部を覆いきれないことがある。従って断線補償用導電膜
11の幅が配線パターン8bの幅以下の場合は、第6図
(C)に示すように、導電膜11が断線し、断線の補償
を行えないことがあり得る。
ーン8bに断線が生じた場合、従来の構成では配線パタ
ーン8b直上の導電膜11が該配線パターン8bの断差
部を覆いきれないことがある。従って断線補償用導電膜
11の幅が配線パターン8bの幅以下の場合は、第6図
(C)に示すように、導電膜11が断線し、断線の補償
を行えないことがあり得る。
ところが1本発明によれば、第6図(a)に示すように
、導電膜11の幅が配線パターン8bの幅よりも広く形
成されるので、たとえ配線パターン8b直上の導電膜1
1が該配線8bの断差部を覆いきれない場合であっても
、導電膜11は断線することなく。
、導電膜11の幅が配線パターン8bの幅よりも広く形
成されるので、たとえ配線パターン8b直上の導電膜1
1が該配線8bの断差部を覆いきれない場合であっても
、導電膜11は断線することなく。
それにより導通が保たれる。従って、ライン欠陥に基づ
く表示品位の低下のおそれのない液晶表示パネルを構成
し得ることがわかる。
く表示品位の低下のおそれのない液晶表示パネルを構成
し得ることがわかる。
なお、上記した実施例では、ソースパスラインを構成す
る配線パターンに対して断線補償用導電膜11を形成し
たが、同様の断線補償用導電膜をゲートバスバーに対し
て形成することも可能である。
る配線パターンに対して断線補償用導電膜11を形成し
たが、同様の断線補償用導電膜をゲートバスバーに対し
て形成することも可能である。
要するに、薄膜トランジスタのゲート、ソースおよびド
レイン電極に接続される任意の配線パターンに対して断
線補償用導電膜を形成すれば9本発明の効果を得ること
ができる。
レイン電極に接続される任意の配線パターンに対して断
線補償用導電膜を形成すれば9本発明の効果を得ること
ができる。
(発明の効果)
以上のように1本発明によれば、薄膜トランジスタをア
ドレス表示素子として用いるマトリックス型液晶表示パ
ネルにおいて、薄膜トランジスタの各電極に接続される
配線パターン上に、該配線パターンよりも広い幅の導電
膜が形成されているので、製造時のオーバーエッチ等に
基づく配線パターンの細りゃ断線に起因するライン欠陥
を補償することができる。よって、高品位の表示が安定
に得られるマトリックス型の液晶表示パネルを実現する
ことができ、その製造歩留まりを大幅に向上することが
可能となる。
ドレス表示素子として用いるマトリックス型液晶表示パ
ネルにおいて、薄膜トランジスタの各電極に接続される
配線パターン上に、該配線パターンよりも広い幅の導電
膜が形成されているので、製造時のオーバーエッチ等に
基づく配線パターンの細りゃ断線に起因するライン欠陥
を補償することができる。よって、高品位の表示が安定
に得られるマトリックス型の液晶表示パネルを実現する
ことができ、その製造歩留まりを大幅に向上することが
可能となる。
4 ゛の な看
第1図は本発明の一実施例の部分平面図、第2図(a)
および(b)はそれぞれ第1図の線A−Bおよび線C−
Dに沿う断面図、第3図は従来例の部分平面図、第4図
(a)および(b)はそれぞれ第3図の線0−Pおよび
線Q−Rに沿う断面図、第5図は配線パターンの細りが
生じた場合の導電膜の機能を説明するための平面図、第
6図(a)および(C)は配線パターンに断線が生じた
場合の導電膜の機能を説明するための平面図、第6図(
b)は第6図(a)および(C)の線E−Fに沿う断面
図である。
および(b)はそれぞれ第1図の線A−Bおよび線C−
Dに沿う断面図、第3図は従来例の部分平面図、第4図
(a)および(b)はそれぞれ第3図の線0−Pおよび
線Q−Rに沿う断面図、第5図は配線パターンの細りが
生じた場合の導電膜の機能を説明するための平面図、第
6図(a)および(C)は配線パターンに断線が生じた
場合の導電膜の機能を説明するための平面図、第6図(
b)は第6図(a)および(C)の線E−Fに沿う断面
図である。
3・・・ゲート電極、5・・・a−3i膜、7・・・n
′″a−5i膜、8・・・ソース・ドレイン電極、8a
、8b・・・配線パターン、11・・・導電膜。
′″a−5i膜、8・・・ソース・ドレイン電極、8a
、8b・・・配線パターン、11・・・導電膜。
以上
Claims (1)
- 1、薄膜トランジスタをアドレス表示素子として用いた
マトリックス型液晶表示パネルであって、該薄膜トラン
ジスタの電極に接続される少なくとも1の配線パターン
上に形成され、該配線パターンよりも幅の広い導電膜を
備えたマトリックス型液晶表示パネル。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3369188A JPH0814668B2 (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | マトリックス型液晶表示パネル |
EP88309135A EP0328810B1 (en) | 1988-02-16 | 1988-09-30 | A matrix-type liquid-crystal display panel |
DE3850092T DE3850092T2 (de) | 1988-02-16 | 1988-09-30 | Flüssigkristallmatrixanzeigetafel. |
US07/251,562 US5103330A (en) | 1988-02-16 | 1988-09-30 | Matrix-type liquid-crystal display panel having redundant conductor structures |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3369188A JPH0814668B2 (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | マトリックス型液晶表示パネル |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01207721A true JPH01207721A (ja) | 1989-08-21 |
JPH0814668B2 JPH0814668B2 (ja) | 1996-02-14 |
Family
ID=12393445
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3369188A Expired - Lifetime JPH0814668B2 (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | マトリックス型液晶表示パネル |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5103330A (ja) |
EP (1) | EP0328810B1 (ja) |
JP (1) | JPH0814668B2 (ja) |
DE (1) | DE3850092T2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0391721A (ja) * | 1989-09-04 | 1991-04-17 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2976483B2 (ja) * | 1990-04-24 | 1999-11-10 | 日本電気株式会社 | 液晶表示素子用薄膜トランジスタの製造方法 |
US5287206A (en) * | 1990-11-30 | 1994-02-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix display device |
JP2650780B2 (ja) * | 1990-11-30 | 1997-09-03 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板 |
US5555001A (en) * | 1994-03-08 | 1996-09-10 | Prime View Hk Limited | Redundant scheme for LCD display with integrated data driving circuit |
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