JPH01102434A - マトリックス型液晶表示パネル - Google Patents
マトリックス型液晶表示パネルInfo
- Publication number
- JPH01102434A JPH01102434A JP62260694A JP26069487A JPH01102434A JP H01102434 A JPH01102434 A JP H01102434A JP 62260694 A JP62260694 A JP 62260694A JP 26069487 A JP26069487 A JP 26069487A JP H01102434 A JPH01102434 A JP H01102434A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- source bus
- film
- patterned
- bus lines
- bus line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims abstract description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 23
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims abstract description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 10
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 7
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 abstract description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 abstract 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、半導体膜にアモルファス・シリコンを用いた
逆スタガー型の薄膜トランジスタ（以下、ＴＰＴと称す
る）をアドレス素子として用いるマトリックス型液晶表
示パネルに関するものである。
逆スタガー型の薄膜トランジスタ（以下、ＴＰＴと称す
る）をアドレス素子として用いるマトリックス型液晶表
示パネルに関するものである。
〈従来の技術〉
逆スタガー型のＴＦ’Ｔをアドレス素子として用いたマ
トリックス型液晶表示パネルの構造の一例を第４図、第
５図（ａ） 、 （ｂ）に示す。第５図（ａ）は第４図
のＶＡ−ＶＡ線断面図、第５図（ｂ）は第４図のＶＢ−
ＶＢ線断線図である。この液晶表示パネルは、絶縁性基
板１の上に、基板保護膜２、ゲート電極３、ゲート絶縁
膜４、アモルファスシリコン（ａ−５ｉ）膜５、絶縁１
［６、ｎ”ａ−８ｉｌ［７、ソース電極及びドレイン電
極８、表示用絵素電極９、保護膜１０を順次積層するこ
とにより形成されている。
トリックス型液晶表示パネルの構造の一例を第４図、第
５図（ａ） 、 （ｂ）に示す。第５図（ａ）は第４図
のＶＡ−ＶＡ線断面図、第５図（ｂ）は第４図のＶＢ−
ＶＢ線断線図である。この液晶表示パネルは、絶縁性基
板１の上に、基板保護膜２、ゲート電極３、ゲート絶縁
膜４、アモルファスシリコン（ａ−５ｉ）膜５、絶縁１
［６、ｎ”ａ−８ｉｌ［７、ソース電極及びドレイン電
極８、表示用絵素電極９、保護膜１０を順次積層するこ
とにより形成されている。
ここで絶縁性基板ｌにキズやビットがある場合、あるい
は基板保護膜２にピンホール等がある場合、ゲート電極
３をパターン化する際にエツチング液が浸透（表面に大
きなキズやビットを形成）する。
は基板保護膜２にピンホール等がある場合、ゲート電極
３をパターン化する際にエツチング液が浸透（表面に大
きなキズやビットを形成）する。
従ってゲート電極３を横切ってその上にソースバスライ
ン８′を配線すると、ゲート電極３のキズやビットによ
りソースバスライン８°が断線するという問題が発生す
る。この問題の解決方法として、従来、ゲート電極３と
同材料からなる補強用薄Ｗ１１３°をソースバスライン
８゛下部に形成している。
ン８′を配線すると、ゲート電極３のキズやビットによ
りソースバスライン８°が断線するという問題が発生す
る。この問題の解決方法として、従来、ゲート電極３と
同材料からなる補強用薄Ｗ１１３°をソースバスライン
８゛下部に形成している。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかし、従来技術では補強用薄膜３゛の端部３゜ａ、３
°ｂの段差、特に（第６図に明示するように）補強用薄
膜３° とソースバスライン４との間でパターンズレが
生じた場合、ズレ部分でソースバスライン８°が断線す
るという問題が発生していた。
°ｂの段差、特に（第６図に明示するように）補強用薄
膜３° とソースバスライン４との間でパターンズレが
生じた場合、ズレ部分でソースバスライン８°が断線す
るという問題が発生していた。
本発明はこのような問題点を解決するためになされたも
のである。
のである。
く問題点を解決するための手段〉
本発明は、ソースバスライン下部補強用薄膜の端部にソ
ースバスラインに重なる突起を形成したことを特徴とす
る。
ースバスラインに重なる突起を形成したことを特徴とす
る。
く作 用〉
上記突起状のパターンを有するソースバスライン下部補
強用薄膜により、ソースバスラインと補強用薄膜の重な
る部分を多くし、ソースバスラインの断線を防止する。
強用薄膜により、ソースバスラインと補強用薄膜の重な
る部分を多くし、ソースバスラインの断線を防止する。
〈実施例〉
第１図、第２図（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｃ） 、
（ｄ） 、第３図を用いて本発明の一実施例を詳細に説
明する。ここで、第２図（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｃ
） 、 （ｄ）はそれぞれ第１図ノ■Ａ−ＩＩＡ線、Ｉ
［Ｂ−■Ｂ線、■Ｃ−［ＩＣ線、ｌＩＤ−ｌ１Ｄ線断面
図で、第３図、は補強用薄膜端部の拡大図である。
（ｄ） 、第３図を用いて本発明の一実施例を詳細に説
明する。ここで、第２図（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｃ
） 、 （ｄ）はそれぞれ第１図ノ■Ａ−ＩＩＡ線、Ｉ
［Ｂ−■Ｂ線、■Ｃ−［ＩＣ線、ｌＩＤ−ｌ１Ｄ線断面
図で、第３図、は補強用薄膜端部の拡大図である。
ガラスからなる絶縁性基板ｌ上に、スパッタリングによ
り五酸化タンタルからなる絶縁膜２を３０００人の厚さ
に形成する。次にスパッタリングによりタンタルを３０
００人の厚さに形成し、これをフォトエツチングにより
パターン化して、ゲート電極３及びソースバスライン下
部補強用薄膜３°を同一平面上に形成する。該補強用薄
膜３゜の各端部は突起状を有してなる。
り五酸化タンタルからなる絶縁膜２を３０００人の厚さ
に形成する。次にスパッタリングによりタンタルを３０
００人の厚さに形成し、これをフォトエツチングにより
パターン化して、ゲート電極３及びソースバスライン下
部補強用薄膜３°を同一平面上に形成する。該補強用薄
膜３゜の各端部は突起状を有してなる。
次にプラズマＣＶＤにより、ＳｉＮｘからなる絶縁１１
１４を４０００人の厚さに形成し、連続してアモルファ
スシリコン（ａ−Ｓｉ）からなる半導体層を３００人の
厚さに形成し、さらにＳｉＮｘからなる絶縁層を２００
０人の厚さに形成する。そして、上記半導体層及び絶縁
層をフォトエツチングにてパターン化する事により半導
体ＩＩ５、絶縁膜６を形成する。次に、プラズマＣＶＤ
によりｎ“アモルファスシリコノ（ｎａ−８ｉ）からな
る半導体膜を４００人の厚さに形成し、フォトエツチン
グにてパターン化する事によりパターン化された半導体
膜７を形成する。
１４を４０００人の厚さに形成し、連続してアモルファ
スシリコン（ａ−Ｓｉ）からなる半導体層を３００人の
厚さに形成し、さらにＳｉＮｘからなる絶縁層を２００
０人の厚さに形成する。そして、上記半導体層及び絶縁
層をフォトエツチングにてパターン化する事により半導
体ＩＩ５、絶縁膜６を形成する。次に、プラズマＣＶＤ
によりｎ“アモルファスシリコノ（ｎａ−８ｉ）からな
る半導体膜を４００人の厚さに形成し、フォトエツチン
グにてパターン化する事によりパターン化された半導体
膜７を形成する。
次にスパッタリングあるいは電子ビーム蒸着によりＴｉ
、Ｍｏ、Ｗ等を３０００人の厚さに形成し、フォトエツ
チングにてパターン化することによりパターン化された
ソース及びドレイン電極８、さらにソースバスライン８
′を同時に形成する。次にスパッタリングあるいは電子
ビーム蒸着により酸化インジウムを主成分をする透明電
導膜を１０００人の厚さに形成し、これをフォトエツチ
ングにてパターン化し、表示用絵素電極９を形成する。
、Ｍｏ、Ｗ等を３０００人の厚さに形成し、フォトエツ
チングにてパターン化することによりパターン化された
ソース及びドレイン電極８、さらにソースバスライン８
′を同時に形成する。次にスパッタリングあるいは電子
ビーム蒸着により酸化インジウムを主成分をする透明電
導膜を１０００人の厚さに形成し、これをフォトエツチ
ングにてパターン化し、表示用絵素電極９を形成する。
さらに、プラズマＣＶＤによりＳｉＮｘからなる保護膜
ｌＯを５０００人の厚さに形成する。
ｌＯを５０００人の厚さに形成する。
以上の様にして、突起状のパターンを有するソースバス
ライン下部補強用薄膜３°を形成したマトリクス型液晶
表示パネルを得る事が出来る。
ライン下部補強用薄膜３°を形成したマトリクス型液晶
表示パネルを得る事が出来る。
上記の突起状のパターンを有するソースバスライン下部
補強要薄膜３°により、ソースバスライン８° とのパ
ターンズレが生じても、ソースバスライン８°の断線欠
陥が少なくなる。即ち、第３図の拡大図に明らかなよう
に、補強用薄膜３° とソースバスライン８° との間
にパターンズレが生じ、仮に、Ａ部分で断線の恐れがあ
っても、補強用薄ＷＸ３°端部の突起部分Ｂでソースバ
スライン８° と多（重なり合うことができ、該部分の
重なりでソースバスライン８゛の断線を防止できる。
補強要薄膜３°により、ソースバスライン８° とのパ
ターンズレが生じても、ソースバスライン８°の断線欠
陥が少なくなる。即ち、第３図の拡大図に明らかなよう
に、補強用薄膜３° とソースバスライン８° との間
にパターンズレが生じ、仮に、Ａ部分で断線の恐れがあ
っても、補強用薄ＷＸ３°端部の突起部分Ｂでソースバ
スライン８° と多（重なり合うことができ、該部分の
重なりでソースバスライン８゛の断線を防止できる。
〈発明の効果〉
以上のように本発明によれば、ソースバスライン下部の
補強用薄膜のパターンを長方形より突起状のパターンを
設けることにより、ソースバスライン下部の補強用薄膜
とソースバスラインとの間のパターンズレにより生じる
ソースバスライン断線欠陥のないマトリックス型液晶表
示パネルを提供することが出来る。
補強用薄膜のパターンを長方形より突起状のパターンを
設けることにより、ソースバスライン下部の補強用薄膜
とソースバスラインとの間のパターンズレにより生じる
ソースバスライン断線欠陥のないマトリックス型液晶表
示パネルを提供することが出来る。
第１図は本発明の一実施例を示す平面図、第２図（ａ）
、 （ｂ） 、 （ｃ） 、 （ｄ）はそれぞれ第１
図の■Ａ−ＩＩＡ線、ＪＩＢ−ＪＩＢ線、ｎｃ−ｎａ線
、ＩＩＤ−ｎＤ線断面図、 第３図は第１図の要部拡大図、 第４図は従来例を示す平面図、 第５図（ａ） 、 （ｂ）はそれぞれ第４図のＶＡ−Ｖ
Ａ線、ＶＢ−ＶＢ線断面図、 第６図は第４図の要部拡大図である。 ｌ・・・絶縁性基板、２．４．６・・・絶縁膜、３・・
・ゲート電極、３”・・・補強用薄膜、５．７・・・半
導体膜、 ８・・・ソースあるいはドレイン電極、８′・・・ソー
スバスライン、９・・・絵素電極、１０・・・保護膜。 代理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名）第１図 第２ 図（Ｑ） 室２図（（）） 口 寸 １駅 ロ ロ ！−Ｏｕ〕 牝９
、 （ｂ） 、 （ｃ） 、 （ｄ）はそれぞれ第１
図の■Ａ−ＩＩＡ線、ＪＩＢ−ＪＩＢ線、ｎｃ−ｎａ線
、ＩＩＤ−ｎＤ線断面図、 第３図は第１図の要部拡大図、 第４図は従来例を示す平面図、 第５図（ａ） 、 （ｂ）はそれぞれ第４図のＶＡ−Ｖ
Ａ線、ＶＢ−ＶＢ線断面図、 第６図は第４図の要部拡大図である。 ｌ・・・絶縁性基板、２．４．６・・・絶縁膜、３・・
・ゲート電極、３”・・・補強用薄膜、５．７・・・半
導体膜、 ８・・・ソースあるいはドレイン電極、８′・・・ソー
スバスライン、９・・・絵素電極、１０・・・保護膜。 代理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名）第１図 第２ 図（Ｑ） 室２図（（）） 口 寸 １駅 ロ ロ ！−Ｏｕ〕 牝９
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、逆スタガー型の薄膜トランジスタをアドレス表示と
して用い、マトリックス表示する液晶表示パネルに於い
て、 ソースバスライン下部に補強用薄膜のパターンを設け、
該補強用薄膜の端部に前記ソースバスラインと重なる突
起を形成したことを特徴とするマトリックス型液晶表示
パネル。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62260694A JPH01102434A (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | マトリックス型液晶表示パネル |
| EP88308178A EP0313199B1 (en) | 1987-10-15 | 1988-09-02 | Liquid crystal display device |
| DE88308178T DE3883697T2 (de) | 1987-10-15 | 1988-09-02 | Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung. |
| US07/486,359 US4991939A (en) | 1987-10-15 | 1990-02-28 | Liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62260694A JPH01102434A (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | マトリックス型液晶表示パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01102434A true JPH01102434A (ja) | 1989-04-20 |
| JPH0569409B2 JPH0569409B2 (ja) | 1993-10-01 |
Family
ID=17351478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62260694A Granted JPH01102434A (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | マトリックス型液晶表示パネル |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4991939A (ja) |
| EP (1) | EP0313199B1 (ja) |
| JP (1) | JPH01102434A (ja) |
| DE (1) | DE3883697T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100379565B1 (ko) * | 1999-07-07 | 2003-04-10 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 액정 표시장치 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2620240B2 (ja) * | 1987-06-10 | 1997-06-11 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
| JPH0814668B2 (ja) * | 1988-02-16 | 1996-02-14 | シャープ株式会社 | マトリックス型液晶表示パネル |
| US5287206A (en) * | 1990-11-30 | 1994-02-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix display device |
| JP2650780B2 (ja) * | 1990-11-30 | 1997-09-03 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板 |
| US5303074A (en) * | 1991-04-29 | 1994-04-12 | General Electric Company | Embedded repair lines for thin film electronic display or imager devices |
| JPH05243579A (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-21 | Canon Inc | 半導体装置 |
| JP2823178B2 (ja) * | 1992-04-06 | 1998-11-11 | シャープ株式会社 | 金属配線基板及びその製造方法 |
| EP0582387B1 (en) * | 1992-08-05 | 1999-05-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Metallic wiring board and method for producing the same |
| JP2915732B2 (ja) * | 1993-02-01 | 1999-07-05 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板 |
| JP3671056B2 (ja) * | 1993-12-20 | 2005-07-13 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | アドレス線修理構造及び薄膜作像装置に対する方法 |
| US5486485A (en) * | 1994-02-18 | 1996-01-23 | Philip Electronics North America Corporation | Method of manufacturing a reflective display |
| US6383899B1 (en) | 1996-04-05 | 2002-05-07 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method of forming polycrystalline semiconductor film from amorphous deposit by modulating crystallization with a combination of pre-annealing and ion implantation |
| JP4596101B2 (ja) * | 2000-10-18 | 2010-12-08 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60140926U (ja) * | 1984-02-24 | 1985-09-18 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1121489A (en) * | 1979-05-30 | 1982-04-06 | Northern Telecom Limited | Lcds (liquid crystal displays) controlled by mims (metal-insulator-metal) devices |
| DE3153620C2 (ja) * | 1980-04-01 | 1992-01-23 | Canon K.K., Tokio/Tokyo, Jp | |
| JPS616729A (ja) * | 1984-06-20 | 1986-01-13 | Sharp Corp | 情報入出力装置 |
| EP0196915B1 (en) * | 1985-03-29 | 1991-08-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film transistor array and method of manufacturing same |
| US4705358A (en) * | 1985-06-10 | 1987-11-10 | Seiko Instruments & Electronics Ltd. | Substrate for active matrix display |
| FR2585167B1 (fr) * | 1985-07-19 | 1993-05-07 | Gen Electric | Structures conductrices redondantes pour affichages a cristaux liquides commandes par des transistors a effet de champ en couche mince |
| JPH0713715B2 (ja) * | 1987-01-22 | 1995-02-15 | ホシデン株式会社 | カラ−液晶表示素子 |
-
1987
- 1987-10-15 JP JP62260694A patent/JPH01102434A/ja active Granted
-
1988
- 1988-09-02 DE DE88308178T patent/DE3883697T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-09-02 EP EP88308178A patent/EP0313199B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-02-28 US US07/486,359 patent/US4991939A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60140926U (ja) * | 1984-02-24 | 1985-09-18 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100379565B1 (ko) * | 1999-07-07 | 2003-04-10 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 액정 표시장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4991939A (en) | 1991-02-12 |
| DE3883697D1 (de) | 1993-10-07 |
| DE3883697T2 (de) | 1994-02-24 |
| EP0313199A1 (en) | 1989-04-26 |
| EP0313199B1 (en) | 1993-09-01 |
| JPH0569409B2 (ja) | 1993-10-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8068188B2 (en) | Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof | |
| US20010040649A1 (en) | Manufacturing method of a liquid crystal display | |
| JPH04163528A (ja) | アクティブマトリクス表示装置 | |
| JPH01102434A (ja) | マトリックス型液晶表示パネル | |
| US20010005597A1 (en) | Method for manufacturing fringe field switching mode liquid crystal display device | |
| JP3222762B2 (ja) | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 | |
| JPS63289533A (ja) | 液晶ディスプレイ装置 | |
| JP2906470B2 (ja) | アクティブマトリックス基板 | |
| JPH0690372B2 (ja) | 液晶表示素子 | |
| JPH028821A (ja) | アクティブマトリックス基板 | |
| KR100192507B1 (ko) | 티에프티-엘씨디의 구조 및 제조방법 | |
| JPS61188967A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JP2000206560A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
| JPH01245226A (ja) | アクティブマトリクス基板の製造方法 | |
| JPH03132626A (ja) | 半導体装置と半導体装置の製造方法 | |
| JPH0437822A (ja) | アクティブマトリクス型表示装置及びその製造方法 | |
| JPH039531A (ja) | 薄膜半導体装置 | |
| JP2656555B2 (ja) | 薄膜トランジスタならびにそれを用いたアクティブマトリクス回路基板と画像表示装置 | |
| JP3011210B2 (ja) | アクティブマトリックス基板の製造方法 | |
| JPH0618922A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH11289093A (ja) | 表示装置用アレイ基板の製造方法 | |
| JPS61188968A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JPH0548106A (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
| JPH0584914B2 (ja) | ||
| JPS6315283A (ja) | 薄膜トランジスタマトリクスの形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |