JPS63289533A - 液晶ディスプレイ装置 - Google Patents
液晶ディスプレイ装置Info
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- JPS63289533A JPS63289533A JP62123690A JP12369087A JPS63289533A JP S63289533 A JPS63289533 A JP S63289533A JP 62123690 A JP62123690 A JP 62123690A JP 12369087 A JP12369087 A JP 12369087A JP S63289533 A JPS63289533 A JP S63289533A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、液晶ディスプレイ装置に関し、特に非晶質シ
リコン薄膜トランジスタを内蔵した液晶ディスプレイ装
置の画素電極に関するものである。
リコン薄膜トランジスタを内蔵した液晶ディスプレイ装
置の画素電極に関するものである。
（従来の技術〕
非晶質シリコン（ａ−３ｉ ＞を用いた薄膜トランジス
タ（ＴＦＴ）を内蔵したアクティブマトリックス形液晶
ディスプレイ（ＬＣＤ、 Ｌｉｑｕｉｄｃｒｙｓｔａ＋
Ｄｉｓｐｌａｙ）は、ａ−３ｉ ＴＦＴが高いスイツ
ヂング比を持つこと、ガラス基板が利用できる低温工程
で製造できる等の特徴があり、大面積、高精細化に対し
て最も有利な方法と考えられている。以下、第２図を参
照して従来の液晶ディスプレイ用ａ−３ｉ ＴＦＴの製
造方法を説明する。
タ（ＴＦＴ）を内蔵したアクティブマトリックス形液晶
ディスプレイ（ＬＣＤ、 Ｌｉｑｕｉｄｃｒｙｓｔａ＋
Ｄｉｓｐｌａｙ）は、ａ−３ｉ ＴＦＴが高いスイツ
ヂング比を持つこと、ガラス基板が利用できる低温工程
で製造できる等の特徴があり、大面積、高精細化に対し
て最も有利な方法と考えられている。以下、第２図を参
照して従来の液晶ディスプレイ用ａ−３ｉ ＴＦＴの製
造方法を説明する。
まず、真空蒸着法またはスパッタ法とホトリソ・エツチ
ング法を用いてガラス基板等からなる透光性絶縁物基板
１１上に、１丁０（Ｉｎ２０３＋５ｎＯ）と３ｎ○２の
透明電極１２を形成する。
ング法を用いてガラス基板等からなる透光性絶縁物基板
１１上に、１丁０（Ｉｎ２０３＋５ｎＯ）と３ｎ○２の
透明電極１２を形成する。
次に、真空蒸着法またはスパッタ法を用いて、ニクロム
（ＮｉＣｒ＞、タングステン（Ｗ＞等より成る金属層を
２００〜１００ＯＡ程度の厚さに被着し、次にこれにパ
ターンニングを施してゲート電極１３を形成する。
（ＮｉＣｒ＞、タングステン（Ｗ＞等より成る金属層を
２００〜１００ＯＡ程度の厚さに被着し、次にこれにパ
ターンニングを施してゲート電極１３を形成する。
次いで、ＮＨとＳｉＨ４を主成分ガスとして用いたグロ
ー放電法により、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）１４を０
．２〜０．４μｍ程度の膜厚として基板全面に堆積する
。
ー放電法により、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）１４を０
．２〜０．４μｍ程度の膜厚として基板全面に堆積する
。
更に、その上にｓ； Ｈ４ガスを用いたグロー放電法に
より非晶質シリコン膜（ａ−３ｉ）’１５を、０．０２
〜０．２１１ａ程度堆積する（第２図（ａ））。
より非晶質シリコン膜（ａ−３ｉ）’１５を、０．０２
〜０．２１１ａ程度堆積する（第２図（ａ））。
次に、ａ−３ｉ ＴＦＴの構成部分以外を、ホトリソと
ドライエツチング （ＣＦ４＋０２ガスを用いたプラズ
マエツチング）によりａ−３ｉ層１５およびシリコン窒
化膜コ４を島状（１６）に形成して、活性層（ａ−３ｉ
）１５ａ及びゲート絶縁膜（Ｓｉ Ｎｘ）１４ａを形成
する（第２図（ｂ））。
ドライエツチング （ＣＦ４＋０２ガスを用いたプラズ
マエツチング）によりａ−３ｉ層１５およびシリコン窒
化膜コ４を島状（１６）に形成して、活性層（ａ−３ｉ
）１５ａ及びゲート絶縁膜（Ｓｉ Ｎｘ）１４ａを形成
する（第２図（ｂ））。
次に、アルミニウム（八Ω）から成る第２の金属層２０
を真空蒸着法により０．５〜１．０μｍ程度被着し、フ
ォトレジストのパターン２４を用いて、金属層２０をパ
ターンニングすることによりドレイン電極１７及びソー
ス電極１８を夫々形成する（第２図（ｄ））。
を真空蒸着法により０．５〜１．０μｍ程度被着し、フ
ォトレジストのパターン２４を用いて、金属層２０をパ
ターンニングすることによりドレイン電極１７及びソー
ス電極１８を夫々形成する（第２図（ｄ））。
（発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、以上述べた従来の製造方法では、アルミ
ニウム（１）よりなるソース・トレイン電極１７．１Ｂ
を加工するときのホトリソの現像中（第２図（Ｃ））に
、画素電極である３ｎ ０２ ／ Ｉ Ｔｏ １２上の
へ９層２０が膨れることがある（第２図の２０ａ＞。こ
のときＡｆ１層の下地でおる８００２７１１０層もＡｇ
層と同時に膨れ（２１）、ガラス基板から剥離し、画素
電極１２に欠陥（２２）が生ずるという問題点があつた
。
ニウム（１）よりなるソース・トレイン電極１７．１Ｂ
を加工するときのホトリソの現像中（第２図（Ｃ））に
、画素電極である３ｎ ０２ ／ Ｉ Ｔｏ １２上の
へ９層２０が膨れることがある（第２図の２０ａ＞。こ
のときＡｆ１層の下地でおる８００２７１１０層もＡｇ
層と同時に膨れ（２１）、ガラス基板から剥離し、画素
電極１２に欠陥（２２）が生ずるという問題点があつた
。
これは１層２０中のピンホール（第２図に２３で示す）
において、３ｎ ｏ２／ＩＴｏ’Ｉ ２と１が現像液例
えばアルカリ系の現像液を電解質溶液とする局部電池と
して作用することが原因と考えられる。
において、３ｎ ｏ２／ＩＴｏ’Ｉ ２と１が現像液例
えばアルカリ系の現像液を電解質溶液とする局部電池と
して作用することが原因と考えられる。
この発明は、以上述べた画素電極の欠陥発生という問題
点を除去し、画素電極の欠陥のない、液晶ディスプレイ
装置を提供することを目的とする。
点を除去し、画素電極の欠陥のない、液晶ディスプレイ
装置を提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段〕
本発明は、液晶ディスプレイ装置において画素電極を構
成するＳｎ ０２ ／ＩＴｏまたはＩＴＯの層の上に、
イオン化傾向が接続導体例えば八１に近い金属例えばチ
タン（Ｔｉ）、ニクロム（ＮｉＣｒ）、クロム（Ｃｒ）
、 ニッケル（Ｎｉ）等から成り、厚さが２Ｑ〜１００
Ａ程度の超薄膜金属層を形成したことを特徴とするもの
である。
成するＳｎ ０２ ／ＩＴｏまたはＩＴＯの層の上に、
イオン化傾向が接続導体例えば八１に近い金属例えばチ
タン（Ｔｉ）、ニクロム（ＮｉＣｒ）、クロム（Ｃｒ）
、 ニッケル（Ｎｉ）等から成り、厚さが２Ｑ〜１００
Ａ程度の超薄膜金属層を形成したことを特徴とするもの
である。
（作 用）
上記のように構成すると、例え接続導体例えばＡ１の層
にピンホールがあったとしても、そのパターニング中に
、上記の超薄膜金属層が局部電池の形成を妨げる。従っ
て３ｎ ０２ ／ＩＴｏヤＩＴＯから成る層の膨れヤ、
これに伴う部分的な剥離を防ぐことができ、画素電極の
欠陥の発生を回避することができる。
にピンホールがあったとしても、そのパターニング中に
、上記の超薄膜金属層が局部電池の形成を妨げる。従っ
て３ｎ ０２ ／ＩＴｏヤＩＴＯから成る層の膨れヤ、
これに伴う部分的な剥離を防ぐことができ、画素電極の
欠陥の発生を回避することができる。
第１図（ｄ）は本発明一実施例の液晶ディスプレイ装置
の一部を示す断面図である。同図で、第２図と同一の符
号は同一または類似の部材または層を示す。
の一部を示す断面図である。同図で、第２図と同一の符
号は同一または類似の部材または層を示す。
第１図の装置が第２図の装置と異なるのは、画素電極２
５が、従来と同じＳｎ ０２ ／ Ｉ Ｔｏ １２の層
とその上に形成された、イオン化傾向がＡｌ１に近い金
属、例えばＴｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ に
ニッケル）、ＮｉＣｒにクロム）等から成り、厚さが２
０〜１００ Ａ程度の超薄膜金属層３０とから成り、ア
ルミニウム電極１８が超薄膜金属層３０上の一部に接す
るように形成されている点でおる。
５が、従来と同じＳｎ ０２ ／ Ｉ Ｔｏ １２の層
とその上に形成された、イオン化傾向がＡｌ１に近い金
属、例えばＴｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ に
ニッケル）、ＮｉＣｒにクロム）等から成り、厚さが２
０〜１００ Ａ程度の超薄膜金属層３０とから成り、ア
ルミニウム電極１８が超薄膜金属層３０上の一部に接す
るように形成されている点でおる。
以下、上記の装置の製造方法を説明する。
まず、真空蒸着法またはスパッタ法を用いて、ガラス基
板等からなる透光性絶縁物基板１１上にＳｎ ０２ ／
ＩＴＯ（Ｉｎ ２０３ ＋Ｓｎ ０２ ＞の透明導電膜
１２を堆積する。次に真空蒸着法またはスパッタ法を用
いて、２０〜１００ Ａ程度の膜厚のＴｉ 、Ｎｉ 、
Ｏｒ、Ｎｉ Ｃｒ等のうちのいずれが１つから成る超薄
膜金属層３０を形成する。
板等からなる透光性絶縁物基板１１上にＳｎ ０２ ／
ＩＴＯ（Ｉｎ ２０３ ＋Ｓｎ ０２ ＞の透明導電膜
１２を堆積する。次に真空蒸着法またはスパッタ法を用
いて、２０〜１００ Ａ程度の膜厚のＴｉ 、Ｎｉ 、
Ｏｒ、Ｎｉ Ｃｒ等のうちのいずれが１つから成る超薄
膜金属層３０を形成する。
次にホトリソ・エツチングにより透明導電膜１２と超薄
膜金属層３０を加工して、画素電極を形成する（第１図
（ａ））。
膜金属層３０を加工して、画素電極を形成する（第１図
（ａ））。
これ以後の、ゲート電極１３の形成、活性層１５ａ及び
ゲート絶縁膜１４ａの島１６の形成、ソース・ドレイン
電極１７．１８の形成は従来と同様に行う（第１図（ｂ
）、（Ｃ））。
ゲート絶縁膜１４ａの島１６の形成、ソース・ドレイン
電極１７．１８の形成は従来と同様に行う（第１図（ｂ
）、（Ｃ））。
上記のうち、ソース・ドレイン電極１７．１８の形成に
際し、ホトリソの現像が行なわれるが、本発明では、仮
にアルミニウム層２０にピンホールがあったとしても、
画素電極２５の膨れや、それに伴う画素電極の欠陥（第
２図（ｄ＞の２２）は発生しない。これは金属層３０が
局部電池の形成を妨げるからである。
際し、ホトリソの現像が行なわれるが、本発明では、仮
にアルミニウム層２０にピンホールがあったとしても、
画素電極２５の膨れや、それに伴う画素電極の欠陥（第
２図（ｄ＞の２２）は発生しない。これは金属層３０が
局部電池の形成を妨げるからである。
以上のプロセスにより、液晶ディスプレイ用薄膜トラン
ジスタアレイが完成する（第１図（ｄ））。
ジスタアレイが完成する（第１図（ｄ））。
本発明において、超薄膜金属層３０は２０〜１００Ａ程
度の膜厚であるため、可視光の透過率は９０％以上でお
る。すなわち、超薄膜金属層３０は十分透明であり、Ｓ
ｎ ０２ ／ Ｉ Ｔ Ｏ上に形成しても、液晶表示
上なんら問題とならない。
度の膜厚であるため、可視光の透過率は９０％以上でお
る。すなわち、超薄膜金属層３０は十分透明であり、Ｓ
ｎ ０２ ／ Ｉ Ｔ Ｏ上に形成しても、液晶表示
上なんら問題とならない。
尚上記の実施例の３ｎ ０２ ／ＩＴｏ層１２の代りに
ＩＴＯのみから成る層を用いてもよい。
ＩＴＯのみから成る層を用いてもよい。
また、本発明の二層構造の画素電極は、薄膜トランジス
タを内蔵した液晶ディスプレイのみならず、ＭＩＨ（ｍ
ｅｔａｌ １ｎｓＬＩｌａｔｏｒ ｍｅｔａｌ）素子、
ＰＩＮ型ダイオード、ＮＩＮ （ｎ ｔｙｐｅ １ｎ
ｓｔｒｉｎｓｌｃ ｎｔｙｐｅ）素子等の非線形素子
を内蔵したアクティブマトリックス形液晶ディスプレイ
にも適応可能である。
タを内蔵した液晶ディスプレイのみならず、ＭＩＨ（ｍ
ｅｔａｌ １ｎｓＬＩｌａｔｏｒ ｍｅｔａｌ）素子、
ＰＩＮ型ダイオード、ＮＩＮ （ｎ ｔｙｐｅ １ｎ
ｓｔｒｉｎｓｌｃ ｎｔｙｐｅ）素子等の非線形素子
を内蔵したアクティブマトリックス形液晶ディスプレイ
にも適応可能である。
（発明の効果〕
以上、詳細に説明したように本発明によれば、画素電極
を構成するＳｎ ０２ ／ＩＴｏまたはＩＴＯ層の上に
Ｔｉ 、Ｎｉ 、Ｃｒ、Ｎｉ Ｃｒ等がへらなる超薄膜
金属層を追加しているため、被着した接続導体例えば１
層にピンホールがおっても上記の超薄膜金属層がＳｎ
０２ ／ＩＴｏ層を覆いかくし、このため、接続導体の
パターニングのホトリソ時に局部電池が形成されない。
を構成するＳｎ ０２ ／ＩＴｏまたはＩＴＯ層の上に
Ｔｉ 、Ｎｉ 、Ｃｒ、Ｎｉ Ｃｒ等がへらなる超薄膜
金属層を追加しているため、被着した接続導体例えば１
層にピンホールがおっても上記の超薄膜金属層がＳｎ
０２ ／ＩＴｏ層を覆いかくし、このため、接続導体の
パターニングのホトリソ時に局部電池が形成されない。
従って、画素欠陥のない液晶ディスプレイ装置が得られ
る。
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明一実施例の液晶ディスプレイ装置の製造
工程を示す断面図、 第２図は従来の液晶ディスプレイ装置の製造工程を示す
断面図である。 １１・・・透光性絶縁物基板、１２・・・Ｓｎ ０２
／ＩＴＩ、１８・・・ソース電極、３０・・・超薄膜金
属層。
工程を示す断面図、 第２図は従来の液晶ディスプレイ装置の製造工程を示す
断面図である。 １１・・・透光性絶縁物基板、１２・・・Ｓｎ ０２
／ＩＴＩ、１８・・・ソース電極、３０・・・超薄膜金
属層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、透明基板と、 上記基板上に形成された画素電極と、 上記画素電極上に部分的に接するように形成される接続
導体とを有する液晶ディスプレイ装置において、 上記画素電極が、 ＳｎＯ＿２／ＩＴＯまたはＩＴＯから成る第１の層と、 上記第１の層の上に形成され、上記接続導体とイオン化
傾向が近い金属から成り、厚さが約２０〜１００Ａの第
２の層と を有し、上記接続導体が上記第２の層の上に形成されて
いることを特徴とする液晶ディスプレイ装置。 ２、上記接続導体がＡｌであることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の装置。 ３、上記第２の層を形成する金属がＴｉ、Ｎｉ、Ｃｒま
たはＮｉＣｒであることを特徴とする特許請求の範囲第
２項記載の装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62123690A JPS63289533A (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | 液晶ディスプレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62123690A JPS63289533A (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | 液晶ディスプレイ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63289533A true JPS63289533A (ja) | 1988-11-28 |
Family
ID=14866913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62123690A Pending JPS63289533A (ja) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | 液晶ディスプレイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63289533A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63296021A (ja) * | 1987-05-28 | 1988-12-02 | Canon Inc | 液晶表示パネル基板，液晶表示パネルおよびその製造方法 |
| JPS6440881U (ja) * | 1987-09-05 | 1989-03-10 | ||
| JPH02189523A (ja) * | 1989-01-18 | 1990-07-25 | Seiko Instr Inc | 電気光学装置 |
| JPH02271321A (ja) * | 1989-04-12 | 1990-11-06 | Ricoh Co Ltd | 液晶表示装置 |
| EP0421429A2 (en) * | 1989-10-03 | 1991-04-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electrode pattern forming method |
| EP0444580A2 (en) * | 1990-02-26 | 1991-09-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device and display apparatus |
| JPH0388223U (ja) * | 1989-12-26 | 1991-09-10 | ||
| EP0457328A2 (en) * | 1990-05-16 | 1991-11-21 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Active matrix structure for liquid crystal display elements |
| EP0518296A2 (en) * | 1991-06-12 | 1992-12-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrode plate and process for production thereof |
| JPH05142576A (ja) * | 1991-11-25 | 1993-06-11 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
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