JPS62283319A - アクテイブマトリツクス型液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
アクテイブマトリツクス型液晶表示装置の製造方法Info
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- JPS62283319A JPS62283319A JP61126343A JP12634386A JPS62283319A JP S62283319 A JPS62283319 A JP S62283319A JP 61126343 A JP61126343 A JP 61126343A JP 12634386 A JP12634386 A JP 12634386A JP S62283319 A JPS62283319 A JP S62283319A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
この発明は薄膜トランジスタ（以下、ＴＰＴと称する）
をアクティブ素子として用いたアクティブマトリックス
型液晶表示装置の製造方法に関する。
をアクティブ素子として用いたアクティブマトリックス
型液晶表示装置の製造方法に関する。
（従来の技術）
最近、液晶やエレクトロルミネセンス（ＥＬ）を用いた
表示装置はテレビ表示やグラフィックディスプレイ等を
指向した大容量、高Ｚ度のアクティブマトリックス型表
示装置の開発、実用化が盛んである。このような表示装
置では、クロストークのない高いコントラストの表示が
行なえるように、各画素の駆動、制御を行なう手段とし
てアクティブ素子が用いられている。このアクティブ素
子としては、単結晶３ｉ基板上に形成されたＭＯＳＦＥ
Ｔや、最近では、透過型表示が可能であり、大面積化も
容易である等の理由から透明絶縁基板上に形成されたＴ
ＰＴが用いられている。
表示装置はテレビ表示やグラフィックディスプレイ等を
指向した大容量、高Ｚ度のアクティブマトリックス型表
示装置の開発、実用化が盛んである。このような表示装
置では、クロストークのない高いコントラストの表示が
行なえるように、各画素の駆動、制御を行なう手段とし
てアクティブ素子が用いられている。このアクティブ素
子としては、単結晶３ｉ基板上に形成されたＭＯＳＦＥ
Ｔや、最近では、透過型表示が可能であり、大面積化も
容易である等の理由から透明絶縁基板上に形成されたＴ
ＰＴが用いられている。
第４図はこのようなＴＰＴのアレイを備えたアクティブ
マトリックス型液晶表示装置を示すもので、ガラスある
いはプラスチックからなる第１の基板１上にはゲート線
と一体のゲート電極２が形成され、これを覆うように絶
縁層３が形成される。
マトリックス型液晶表示装置を示すもので、ガラスある
いはプラスチックからなる第１の基板１上にはゲート線
と一体のゲート電極２が形成され、これを覆うように絶
縁層３が形成される。
そして。この絶縁層３上の所定の位置には半導体層４例
えば水素アモルファスシリコンが形成され、この半導体
層４を挟むようにデータ線と一体のドレイン電極５や、
例えばＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎ ０ｘｉｄｅ）か
らなる表示画素電極６と一体のソース電極７が形成され
る。また、この表示画素電極６を除いた半導体層４とド
レイン電極５゛及びソース電極７上には無灘保護ｌ１８
として例えばシリコン窒化膜が形成された後、有機保護
膜９として例えばポリイミドが形成される。この有機保
護ｉ！Ｊ９上には光遮蔽電極１０．有機保護膜１１及び
液晶配向１１１１２が順に形成される。
えば水素アモルファスシリコンが形成され、この半導体
層４を挟むようにデータ線と一体のドレイン電極５や、
例えばＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎ ０ｘｉｄｅ）か
らなる表示画素電極６と一体のソース電極７が形成され
る。また、この表示画素電極６を除いた半導体層４とド
レイン電極５゛及びソース電極７上には無灘保護ｌ１８
として例えばシリコン窒化膜が形成された後、有機保護
膜９として例えばポリイミドが形成される。この有機保
護ｉ！Ｊ９上には光遮蔽電極１０．有機保護膜１１及び
液晶配向１１１１２が順に形成される。
一方、ガラスあるいはプラスチックからなる第２の基板
１３上には透明対向電極１４及び液晶配向１１５が順に
形成される。この第２の基板１３は上記第１の基板１と
１０−程度の間隔を保って周囲部が封着され、その間隙
部には液晶１６が封入される。
１３上には透明対向電極１４及び液晶配向１１５が順に
形成される。この第２の基板１３は上記第１の基板１と
１０−程度の間隔を保って周囲部が封着され、その間隙
部には液晶１６が封入される。
ところで、上記液晶表示装置にあっては、その半導体層
４の劣化防止のために、該半導体層４上に先ず無機保護
膜８を形成した後、有機保１１１９を形成しなければな
らないものであるが、無機保１１１８の形成する際に、
Ｈラジカルが存在することとなるので、表示画素電極６
の表面が還元されて、その抵抗値が大きくなり、表示特
性が低下するという問題を有していた。また、゛これに
よれば、無機保護膜８が表示画素電極６と反応して化合
物を形成し、エツチング除去が非常に困難となるという
問題も有していた。
４の劣化防止のために、該半導体層４上に先ず無機保護
膜８を形成した後、有機保１１１９を形成しなければな
らないものであるが、無機保１１１８の形成する際に、
Ｈラジカルが存在することとなるので、表示画素電極６
の表面が還元されて、その抵抗値が大きくなり、表示特
性が低下するという問題を有していた。また、゛これに
よれば、無機保護膜８が表示画素電極６と反応して化合
物を形成し、エツチング除去が非常に困難となるという
問題も有していた。
（発明が解決しようとする問題点）
この発明は上記の無機保護膜を形成することにより発生
する不具合を解決するためになされたもので、表示画素
電極の高性能化を確保したうえで、無礪保ｒ！ｉ膜形成
の簡略化を図り得るようにしたアクティブマトリックス
型液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする
。
する不具合を解決するためになされたもので、表示画素
電極の高性能化を確保したうえで、無礪保ｒ！ｉ膜形成
の簡略化を図り得るようにしたアクティブマトリックス
型液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする
。
［発明の構成］
（問題点を解決するため手段）
この発明は、絶縁基板上に設けられたゲート電極に対応
してドレイン及びソース電極間に半導体Ｉｌｌを有する
薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを覆い保護
する無機保ｒＪ膜及び有機保ｆ！Ｉｌｌと表示画素電極
がマトリックス状に配列形成された第１の基板と、透明
基板の一主面上に透明対向電極を形成してなる第２の基
板と、前記第１及び第２の基板の間に挟持される液晶と
を備えたアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造
方法において、前記第１の基板の表示画素電極上に金属
膜を形成することにより、前記無機保護膜による表示画
素電極の不具合を防止するようにしたことを特徴とする
。
してドレイン及びソース電極間に半導体Ｉｌｌを有する
薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを覆い保護
する無機保ｒＪ膜及び有機保ｆ！Ｉｌｌと表示画素電極
がマトリックス状に配列形成された第１の基板と、透明
基板の一主面上に透明対向電極を形成してなる第２の基
板と、前記第１及び第２の基板の間に挟持される液晶と
を備えたアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造
方法において、前記第１の基板の表示画素電極上に金属
膜を形成することにより、前記無機保護膜による表示画
素電極の不具合を防止するようにしたことを特徴とする
。
（実施例）
以下、この発明の実施例について、図面を参照して詳細
に説明する。
に説明する。
第２図はこの発明に係るアクティブマトリックス型液晶
表示装置の等価回路を示すもので、図中（Ｘｉ ）（ｔ
−１，２，３，・・・ｍ）は複数のデータ線、（Ｙｊ
）（ｊ−１，２，３，・・・ｎ）は複数のゲート線であ
り、これらデータ線（Ｘｉ ）とゲート線（Ｙｊ ）の
各交点位置にＴＰＴ２０が構成される。２１は表示画素
電極であり、各ＴＰＴ２ｏのソースに接続され、この表
示画素電極２１と透明対向電極２２との間に液晶２３が
挟持される。
表示装置の等価回路を示すもので、図中（Ｘｉ ）（ｔ
−１，２，３，・・・ｍ）は複数のデータ線、（Ｙｊ
）（ｊ−１，２，３，・・・ｎ）は複数のゲート線であ
り、これらデータ線（Ｘｉ ）とゲート線（Ｙｊ ）の
各交点位置にＴＰＴ２０が構成される。２１は表示画素
電極であり、各ＴＰＴ２ｏのソースに接続され、この表
示画素電極２１と透明対向電極２２との間に液晶２３が
挟持される。
第１図はこの発明の一実施例に係るアクティブマトリッ
クス型液晶表示装置の製造方法を説明するために示した
断面図である。但し、図において、前述した第４因と同
様に構成される上記透明対向電極２２（第２図参照）を
有する第２の基板及び液晶２３（第２図参照）について
は省略する。
クス型液晶表示装置の製造方法を説明するために示した
断面図である。但し、図において、前述した第４因と同
様に構成される上記透明対向電極２２（第２図参照）を
有する第２の基板及び液晶２３（第２図参照）について
は省略する。
すなわち、ガラスあるいはプラスチックからなる第１の
基板２４上には先ずゲート電極２５が形成され、このゲ
ート電極２５上には絶縁層２６として例えばシリコン窒
化膜が堆積された後、例えば水素化アモルファシリコン
が堆積されて半導体層２７が形成される。この半導体層
２７を含む絶縁層２６上には例えばＩＴＯ２８及びモリ
ブデン２つが順に堆積され、これを所定の形状にエッチ
ングして上記表示画紫電１２１が形成される（第１図（
ａ）参照）。そして、表示画素電極２１゜半導体層２７
を含む絶縁層２６上には例えばアルミニウムを堆積し、
１更にエツチングして上記半導体層２７を挟んでデータ
線（Ｙｊ ）と一体のドレイン電極３０及び表示画素電
極２１と二律のソース電極３１が形成される。次に、ド
レイン電極３０、半導体１ｍ２７．表示画素電極２１及
びソース電極３１上には無機保護Ｗ４３２例えばシリコ
ン窒化膜及び有識保護ｌｌ３３例えばポリイミドが順に
堆積されて形成された後、表示画素電極２１上の態様保
護膜３１．有機保：！Ｗ１３２がエツチング除去され（
第１図（ａ）参照）、更に金属［１２８がエツチング除
去される（同図（ｂ）参照）。また、上記有灘保護１１
３３上には光遮蔽電極３４が上記半導体層２７に対応し
て形成され、更に有機保護膜３３及び光遮蔽電極３４上
に有閤保慢膜３５を形成し、この有機保１１１３５及び
表示画素１ｉｔｉ２ｉ上には液晶配向膜３６が形成され
る。このように液晶配向！！３６を形成した第１の基板
２４には前述したように透明対向電極２２の形成された
第２の基板（図示せず）と所定の間隔を保って周囲部が
封着され、その間隙部に液晶２３が封入される。
基板２４上には先ずゲート電極２５が形成され、このゲ
ート電極２５上には絶縁層２６として例えばシリコン窒
化膜が堆積された後、例えば水素化アモルファシリコン
が堆積されて半導体層２７が形成される。この半導体層
２７を含む絶縁層２６上には例えばＩＴＯ２８及びモリ
ブデン２つが順に堆積され、これを所定の形状にエッチ
ングして上記表示画紫電１２１が形成される（第１図（
ａ）参照）。そして、表示画素電極２１゜半導体層２７
を含む絶縁層２６上には例えばアルミニウムを堆積し、
１更にエツチングして上記半導体層２７を挟んでデータ
線（Ｙｊ ）と一体のドレイン電極３０及び表示画素電
極２１と二律のソース電極３１が形成される。次に、ド
レイン電極３０、半導体１ｍ２７．表示画素電極２１及
びソース電極３１上には無機保護Ｗ４３２例えばシリコ
ン窒化膜及び有識保護ｌｌ３３例えばポリイミドが順に
堆積されて形成された後、表示画素電極２１上の態様保
護膜３１．有機保：！Ｗ１３２がエツチング除去され（
第１図（ａ）参照）、更に金属［１２８がエツチング除
去される（同図（ｂ）参照）。また、上記有灘保護１１
３３上には光遮蔽電極３４が上記半導体層２７に対応し
て形成され、更に有機保護膜３３及び光遮蔽電極３４上
に有閤保慢膜３５を形成し、この有機保１１１３５及び
表示画素１ｉｔｉ２ｉ上には液晶配向膜３６が形成され
る。このように液晶配向！！３６を形成した第１の基板
２４には前述したように透明対向電極２２の形成された
第２の基板（図示せず）と所定の間隔を保って周囲部が
封着され、その間隙部に液晶２３が封入される。
第３図は上記実施例における表示電極アレイの一画素部
分を示すもので、上述した第２図は第３図のＡ−Ｃ−８
断面に相当する。但し、第３図においては、図の繁雑さ
を避けるために、保護膜形成以前までに完成された部分
だけを図示した。
分を示すもので、上述した第２図は第３図のＡ−Ｃ−８
断面に相当する。但し、第３図においては、図の繁雑さ
を避けるために、保護膜形成以前までに完成された部分
だけを図示した。
上記のように構成されたアクティブマトリックス型液晶
表示装置の動作をのべると、次のように動作する。ゲー
ト線（ＹＪは、アドレス信号により順次走査駆動され、
Ｔｆをフレーム走査周期とすると、ＴＰＴ２０は行毎に
（ＴＩ／ｎ）期間ずつ順次導通状態にされる。一方、こ
のゲート線（Ｙｊ ）の走査と周期して、データ線（Ｘ
ｉ）には例えばｍ並列の画素信号が供給される。これに
より、信号電圧は行毎に順次表示画素電極２１に導かれ
、透明対向電極２２との間に挟持された液晶２３が励起
されて画像表示がなされる。
表示装置の動作をのべると、次のように動作する。ゲー
ト線（ＹＪは、アドレス信号により順次走査駆動され、
Ｔｆをフレーム走査周期とすると、ＴＰＴ２０は行毎に
（ＴＩ／ｎ）期間ずつ順次導通状態にされる。一方、こ
のゲート線（Ｙｊ ）の走査と周期して、データ線（Ｘ
ｉ）には例えばｍ並列の画素信号が供給される。これに
より、信号電圧は行毎に順次表示画素電極２１に導かれ
、透明対向電極２２との間に挟持された液晶２３が励起
されて画像表示がなされる。
上記アクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法
によると、表示画素電極２１を構成するＩＴＯ２８上に
金１１１２９ｅ形成シタ状ａｒ、ドレイン電極３０及び
ソース電極３１を形成し、その後に無滋保１１１１３２
及び有機保護膜３３を堆積して、所望の表示画素ｉ！極
２１を形成するので、従来のように表示画素電極２１の
抵抗値が大きくなることなく、良好な表示特性を得るこ
とができる。また、これによれば、表示画素電極２１を
構成するＩＴＯ上に無機保護１１３１との化合物の発生
が確実に防止されることで、表示画素電極２１の形成工
程が容易となる。
によると、表示画素電極２１を構成するＩＴＯ２８上に
金１１１２９ｅ形成シタ状ａｒ、ドレイン電極３０及び
ソース電極３１を形成し、その後に無滋保１１１１３２
及び有機保護膜３３を堆積して、所望の表示画素ｉ！極
２１を形成するので、従来のように表示画素電極２１の
抵抗値が大きくなることなく、良好な表示特性を得るこ
とができる。また、これによれば、表示画素電極２１を
構成するＩＴＯ上に無機保護１１３１との化合物の発生
が確実に防止されることで、表示画素電極２１の形成工
程が容易となる。
なお、上記実施例では、ＩＴＯ２８上に金属膜２９を形
成して、表示画素電極２１を形成する部分については、
該金属！１２９をエツチング除去するように構成した場
合で説明したが、この発明はこれに限ることなく、例え
ば金属膜が無機保ｌｌｌ３２形成時にシリサイド化合物
を形成し、透明膜を形成する場合には、エツチング除去
しなくても、同様の効果を期待できる。
成して、表示画素電極２１を形成する部分については、
該金属！１２９をエツチング除去するように構成した場
合で説明したが、この発明はこれに限ることなく、例え
ば金属膜が無機保ｌｌｌ３２形成時にシリサイド化合物
を形成し、透明膜を形成する場合には、エツチング除去
しなくても、同様の効果を期待できる。
［発明の効果］
以上詳述したように、この発明によれば、表示画素電極
の高性能化を確保したうえで、無機保護膜形成の簡略化
を図り得るアクティブマトリックス型液晶表示装置の製
造方法を提供することができる。
の高性能化を確保したうえで、無機保護膜形成の簡略化
を図り得るアクティブマトリックス型液晶表示装置の製
造方法を提供することができる。
第１図はこの発明の一実施例に係るアクティブマトリッ
クス型液晶表示装置の製造方法を説明するために示した
断面図、第２図はこの発明に係る等価回路の一例を示す
図、第３図は第２図の適用される表示電極アレーを示す
平面図、第４図は従来のアクティブマトリックス型液晶
表示装置を示す断面図である。 ２０・・・ＴＦＴ、２１・・・表示画素電極、２２・・
・透明対向電極、２３・・・液晶、２４・・・第１の基
板、２５・・・ゲート電橋、２６・・・絶縁層、２７・
・・半導体層、２８・・・ＩＴ○、２９・・・金属膜、
３０・・・ドレイン電極、３１°・・・ソース電極、３
２・・・無機保護膜、３３．２５・・・有機保護膜、３
４・・・光遮蔽電極、３６・・・液晶配向膜。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 （Ｑ） 第１図 ＸＩ Ｘ２ −一−Ｘｍ 第２図 第３図
クス型液晶表示装置の製造方法を説明するために示した
断面図、第２図はこの発明に係る等価回路の一例を示す
図、第３図は第２図の適用される表示電極アレーを示す
平面図、第４図は従来のアクティブマトリックス型液晶
表示装置を示す断面図である。 ２０・・・ＴＦＴ、２１・・・表示画素電極、２２・・
・透明対向電極、２３・・・液晶、２４・・・第１の基
板、２５・・・ゲート電橋、２６・・・絶縁層、２７・
・・半導体層、２８・・・ＩＴ○、２９・・・金属膜、
３０・・・ドレイン電極、３１°・・・ソース電極、３
２・・・無機保護膜、３３．２５・・・有機保護膜、３
４・・・光遮蔽電極、３６・・・液晶配向膜。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 （Ｑ） 第１図 ＸＩ Ｘ２ −一−Ｘｍ 第２図 第３図
Claims (1)
- 絶縁基板上に設けられたゲート電極に対応してドレイン
及びソース電極間に半導体薄膜を有する薄膜トランジス
タと、この薄膜トランジスタを覆い保護する無機保護膜
及び有機保護膜と表示画素電極がマトリックス状に配列
形成された第１の基板と、透明基板の一主面上に透明対
向電極を形成してなる第２の基板と、前記第１及び第２
の基板の間に挟持される液晶とを備えたアクティブマト
リックス型液晶表示装置の製造方法において、前記無機
保護膜の形成以前に前記第１の基板の表示画素電極上に
金属膜を形成することを特徴とするアクティブマトリッ
クス型液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61126343A JPS62283319A (ja) | 1986-05-31 | 1986-05-31 | アクテイブマトリツクス型液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61126343A JPS62283319A (ja) | 1986-05-31 | 1986-05-31 | アクテイブマトリツクス型液晶表示装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62283319A true JPS62283319A (ja) | 1987-12-09 |
Family
ID=14932814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61126343A Pending JPS62283319A (ja) | 1986-05-31 | 1986-05-31 | アクテイブマトリツクス型液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62283319A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5103330A (en) * | 1988-02-16 | 1992-04-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Matrix-type liquid-crystal display panel having redundant conductor structures |
-
1986
- 1986-05-31 JP JP61126343A patent/JPS62283319A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5103330A (en) * | 1988-02-16 | 1992-04-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Matrix-type liquid-crystal display panel having redundant conductor structures |
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