JPS636529A - アクテイブマトリツクス型液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
アクテイブマトリツクス型液晶表示装置の製造方法Info
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- JPS636529A JPS636529A JP61150858A JP15085886A JPS636529A JP S636529 A JPS636529 A JP S636529A JP 61150858 A JP61150858 A JP 61150858A JP 15085886 A JP15085886 A JP 15085886A JP S636529 A JPS636529 A JP S636529A
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
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- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
この発明は薄膜トランジスタ（以下、ＴＰＴと称する）
をアクティブ素子として用いたアクティブマトリックス
型液晶表示装置の製造方法に関する。
をアクティブ素子として用いたアクティブマトリックス
型液晶表示装置の製造方法に関する。
（従来の技術）
最近、液晶やエレクトロルミネセンス（Ｅｌ）を用いた
表示装置はテレビ表示やグラフィックデイスプレィ等を
指向した大容ｌ、高密度のアクティブマトリックス型表
示装置の開発、実用化が盛んである。このような表示装
置では、クロストークのない高いコントラストの表示が
行なえるように、各画素の駆動、制御を行なう手段とし
てアクティブ素子が用いられている。このアクティブ素
子としては、単結晶Ｓｉ基板上に形成されたＭＯＳＦＥ
Ｔや、最近では、透過型表示が可能であり、大面積化も
容易である等の理由から透明絶縁基板上に形成されたＴ
ＰＴが用いられている。
表示装置はテレビ表示やグラフィックデイスプレィ等を
指向した大容ｌ、高密度のアクティブマトリックス型表
示装置の開発、実用化が盛んである。このような表示装
置では、クロストークのない高いコントラストの表示が
行なえるように、各画素の駆動、制御を行なう手段とし
てアクティブ素子が用いられている。このアクティブ素
子としては、単結晶Ｓｉ基板上に形成されたＭＯＳＦＥ
Ｔや、最近では、透過型表示が可能であり、大面積化も
容易である等の理由から透明絶縁基板上に形成されたＴ
ＰＴが用いられている。
第５図はこのようなＴＦＴのアレイを備えたアクティブ
マトリックス型液晶表示装置を示すもので、ガラスある
いはプラスチックからなる第１の基板１上にはゲート線
と一体のゲート電極２が形成され、これを覆うように絶
縁層３が形成される。
マトリックス型液晶表示装置を示すもので、ガラスある
いはプラスチックからなる第１の基板１上にはゲート線
と一体のゲート電極２が形成され、これを覆うように絶
縁層３が形成される。
そして、この絶縁Ｈ３上の所定の位置には半導体層４例
えば水素化アモルファスシリコン及び低抵抗半導体Ｔ！
Ａ５として例えばｎ型水素化アモルファスシリコンが順
に形成され、半導体層４を挟むようにデータ線と一体の
ドレイン電極６や、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔ
ｉｎ ０ｘｉｄｅ）からなる表示画素電極７と一体の
ソース電極８が形成さた後、ドレイン電極６及びソース
電極８の間の低抵抗半導体膜５をエツチング除去する。
えば水素化アモルファスシリコン及び低抵抗半導体Ｔ！
Ａ５として例えばｎ型水素化アモルファスシリコンが順
に形成され、半導体層４を挟むようにデータ線と一体の
ドレイン電極６や、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔ
ｉｎ ０ｘｉｄｅ）からなる表示画素電極７と一体の
ソース電極８が形成さた後、ドレイン電極６及びソース
電極８の間の低抵抗半導体膜５をエツチング除去する。
また、この表示画素電極７を除いた半導体層４とドレイ
ン電極６及びソース電極８上には無機保護ｌｌｌ９とし
て例えばシリコン窒化膜が形成された後、有機保１１１
１０として例えばポリイミドが形成される。
ン電極６及びソース電極８上には無機保護ｌｌｌ９とし
て例えばシリコン窒化膜が形成された後、有機保１１１
１０として例えばポリイミドが形成される。
この有機保護ＩＩ！１１０上には光遮蔽電極１１．有機
保ｆｆ１１１２及び液晶配向１１１３が順に形成される
。
保ｆｆ１１１２及び液晶配向１１１３が順に形成される
。
−方、ガラスあるいはプラスチックからなる第２の基板
１４上には透明対向電極１５及び液晶配向１１１６が順
に形成される。この第２の基板１４は上記第１の基板１
と１０ｓ程度の間隔を保って周囲部が封着され、その間
隙部には液晶１７が封入される。
１４上には透明対向電極１５及び液晶配向１１１６が順
に形成される。この第２の基板１４は上記第１の基板１
と１０ｓ程度の間隔を保って周囲部が封着され、その間
隙部には液晶１７が封入される。
ところで、上記液晶表示装置にあっては、その半導体層
４の劣化防止のために、低抵抗半導体膜５をケミカルド
ライエツチング（ＣＤＥ）によりエツチング除去した後
、半導体層４上に先ず無機保護膜９を形成し、その後、
この無機保護膜９上に有機保護膜１０を形成しなければ
ならないものであるが、無機保護膜９の形成する際に、
Ｈラジカルが存在することとなるので、表示画素電極７
の表面が還元されて、表示特性が低下するという問題を
有していた。また、これによれば、無機保護Ｉｇ！９が
表示画素電極７と反応して化合物を形成し、エツチング
除去が非常に困難となるという問題も有していた。さら
に、これによれば、ドレイン電極６及びソース電極８を
形成し、ドレイン電極６及びソース電極８の間の低抵抗
半導体１１５をＣＤＥによりエツチング除去する際に、
半導体層４のバックチャンネル側に酸化膜が形成されて
いわゆる界面準位密度が太き（なり、ＴＰＴ特性が低下
されるという問題も有していた。
４の劣化防止のために、低抵抗半導体膜５をケミカルド
ライエツチング（ＣＤＥ）によりエツチング除去した後
、半導体層４上に先ず無機保護膜９を形成し、その後、
この無機保護膜９上に有機保護膜１０を形成しなければ
ならないものであるが、無機保護膜９の形成する際に、
Ｈラジカルが存在することとなるので、表示画素電極７
の表面が還元されて、表示特性が低下するという問題を
有していた。また、これによれば、無機保護Ｉｇ！９が
表示画素電極７と反応して化合物を形成し、エツチング
除去が非常に困難となるという問題も有していた。さら
に、これによれば、ドレイン電極６及びソース電極８を
形成し、ドレイン電極６及びソース電極８の間の低抵抗
半導体１１５をＣＤＥによりエツチング除去する際に、
半導体層４のバックチャンネル側に酸化膜が形成されて
いわゆる界面準位密度が太き（なり、ＴＰＴ特性が低下
されるという問題も有していた。
（発明が解決しようとする問題点）
この発明は上記の無機保護膜を形成することにより発生
する不具合と低抵抗半導体膜をエツチング除去する際に
生じる不具合を解決するためになされたもので、表示特
性及びＴＰＴ特性の高性能化を確保したうえで、無機保
護膜形成の簡略化を図り得るようにしたアクティブマト
リックス型液晶表示装置の製造方法を提供することを目
的とする。
する不具合と低抵抗半導体膜をエツチング除去する際に
生じる不具合を解決するためになされたもので、表示特
性及びＴＰＴ特性の高性能化を確保したうえで、無機保
護膜形成の簡略化を図り得るようにしたアクティブマト
リックス型液晶表示装置の製造方法を提供することを目
的とする。
［発明の構成］
（問題点を解決するため手段及び作用）この発明は、絶
縁基板上に設けられたゲート電極に対応してドレイン及
びソース１！極間に低抵抗半導体膜の被着された半導体
層を有する薄膜トランジスタとこのＷＩＩＩトランジス
タを覆い保護する無機保護膜及び有機保護膜と表示画素
電極がマトリックス状に配列形成された第１の基板と、
透明基板の一主面上に透明対向電極を形成してなる第２
の基板と、前記第１及び第２の基板の間に挟持される液
晶とを備えたアクティブマトリックス型液晶表示装置の
製造方法において、前記ドレイン及びソース電極を形成
した後、前記半導体層上のドレイン及びソース電極間の
低抵抗半導体膜をエツチング除去して水素プラズマ処理
を施し、その後、・前記無機保護膜を形成し、つぎに前
記ソース電極上における前記無機保護膜の一部をエツチ
ング除去して前記表示画素電極を形成することにより、
前記無機保ｒ！ｉ躾形成による表示画素電極の表示特性
及びＴＰＴ特性の低下を防止するようにしたことを特徴
とする。
縁基板上に設けられたゲート電極に対応してドレイン及
びソース１！極間に低抵抗半導体膜の被着された半導体
層を有する薄膜トランジスタとこのＷＩＩＩトランジス
タを覆い保護する無機保護膜及び有機保護膜と表示画素
電極がマトリックス状に配列形成された第１の基板と、
透明基板の一主面上に透明対向電極を形成してなる第２
の基板と、前記第１及び第２の基板の間に挟持される液
晶とを備えたアクティブマトリックス型液晶表示装置の
製造方法において、前記ドレイン及びソース電極を形成
した後、前記半導体層上のドレイン及びソース電極間の
低抵抗半導体膜をエツチング除去して水素プラズマ処理
を施し、その後、・前記無機保護膜を形成し、つぎに前
記ソース電極上における前記無機保護膜の一部をエツチ
ング除去して前記表示画素電極を形成することにより、
前記無機保ｒ！ｉ躾形成による表示画素電極の表示特性
及びＴＰＴ特性の低下を防止するようにしたことを特徴
とする。
（実施例）
以下、この発明の実施例について、図面を参照して詳細
に説明する。
に説明する。
第２図はこの発明に係るアクティブマトリックス型液晶
表示装置の等両回路を示すもので、図中（Ｘｉ ）（ｉ
−１，２，３，・・・ｍ）は複数のデータ線、（Ｙｊ
）（ｊ−１，２，３，・・・ｎ）は複数のゲート線であ
り、これらデータＩＩ（Ｘｉ）とゲート線（Ｙｊ ）の
各交点位置にＴＰＴ２０が構成される。２１は表示画素
電極であり、各ＴＦＴ２ｏのソースに接続され、この表
示画素電極２１と透明対向電極２２との間に液晶２３が
挟持される。
表示装置の等両回路を示すもので、図中（Ｘｉ ）（ｉ
−１，２，３，・・・ｍ）は複数のデータ線、（Ｙｊ
）（ｊ−１，２，３，・・・ｎ）は複数のゲート線であ
り、これらデータＩＩ（Ｘｉ）とゲート線（Ｙｊ ）の
各交点位置にＴＰＴ２０が構成される。２１は表示画素
電極であり、各ＴＦＴ２ｏのソースに接続され、この表
示画素電極２１と透明対向電極２２との間に液晶２３が
挟持される。
第１図はこの発明の一実施例に係るアクティブマトリッ
クス型液晶表示装置の製造方法を説明するために示した
断面図である。すなわち、ガラスあるいはプラスチック
からなる第１の基板２４上には先ずゲート電極２５が形
成され、このゲート電極２５上には絶縁層２６として例
えばシリコン窒化膜が堆積された後、例えば水素化アモ
ルファスシリコン及びｎ型水素化アモルファスシリコン
が順に堆積されて半導体８２７及び低抵抗半導体１２８
が所定の形状に形成される。そして、この半導体層２７
を含む絶縁層２６上には例えばアルミニウムが堆積され
、これを所定の形状にエツチングした後、低抵抗半導体
膜２８をその形状に対応してＣＤＥによりエツチング除
去して上記半導体層２７を挟んでデータＩ（Ｙｊ）と−
体のドレインＮ極２９及びソース電極３０が形成され、
その後、水素プラズマ処理が塵される。次に、ドレイン
電極２９．半導体層２７．ソース電極３０及び絶縁１１
２６上には無機保護膜３１例えばシリコン窒化膜を堆積
し、それのソース電極３０上の一部を含む所定の部分が
エツチング除去された後、例えばＩＴＯが堆積され、更
にそれを所定の形状にエツチング除去して上記表示画素
電極２１が形成される。そして、この表示画素電極２１
及び無機保護膜３１上には有機保護膜３２として例えば
ポリイミドが堆積され、そのうち表示画素電極２１上の
所定の部分がエツチング除去される。また、この有機保
護膜３２上には光遮蔽電極３３が上記半導体層２７に対
応して形成され、更に有機保護膜３２及び光遮蔽電極３
３上に有機保ｌ！膜３４を形成し、この有機保護膜３４
及び表示画素電極２１上には液晶配向膜３５が形成され
る。このように液晶配向膜３５を形成した第１の基板２
４には上記透明対向電極２２及び液晶配向層３６の形成
された第２の基板３７と所定の間隔を保って周囲部が封
着され、その間隙部に上記液晶２３が封入される。
クス型液晶表示装置の製造方法を説明するために示した
断面図である。すなわち、ガラスあるいはプラスチック
からなる第１の基板２４上には先ずゲート電極２５が形
成され、このゲート電極２５上には絶縁層２６として例
えばシリコン窒化膜が堆積された後、例えば水素化アモ
ルファスシリコン及びｎ型水素化アモルファスシリコン
が順に堆積されて半導体８２７及び低抵抗半導体１２８
が所定の形状に形成される。そして、この半導体層２７
を含む絶縁層２６上には例えばアルミニウムが堆積され
、これを所定の形状にエツチングした後、低抵抗半導体
膜２８をその形状に対応してＣＤＥによりエツチング除
去して上記半導体層２７を挟んでデータＩ（Ｙｊ）と−
体のドレインＮ極２９及びソース電極３０が形成され、
その後、水素プラズマ処理が塵される。次に、ドレイン
電極２９．半導体層２７．ソース電極３０及び絶縁１１
２６上には無機保護膜３１例えばシリコン窒化膜を堆積
し、それのソース電極３０上の一部を含む所定の部分が
エツチング除去された後、例えばＩＴＯが堆積され、更
にそれを所定の形状にエツチング除去して上記表示画素
電極２１が形成される。そして、この表示画素電極２１
及び無機保護膜３１上には有機保護膜３２として例えば
ポリイミドが堆積され、そのうち表示画素電極２１上の
所定の部分がエツチング除去される。また、この有機保
護膜３２上には光遮蔽電極３３が上記半導体層２７に対
応して形成され、更に有機保護膜３２及び光遮蔽電極３
３上に有機保ｌ！膜３４を形成し、この有機保護膜３４
及び表示画素電極２１上には液晶配向膜３５が形成され
る。このように液晶配向膜３５を形成した第１の基板２
４には上記透明対向電極２２及び液晶配向層３６の形成
された第２の基板３７と所定の間隔を保って周囲部が封
着され、その間隙部に上記液晶２３が封入される。
第３図は上記実施例における表示電極アレイの一画素部
分を示すもので、上述した第２図は第３図のＡ−Ｃ−８
断面に相当する。但し、第３図においては、図の繁雑さ
を避けるために、保１！膜形成以前までに完成された部
分だけを図示した。
分を示すもので、上述した第２図は第３図のＡ−Ｃ−８
断面に相当する。但し、第３図においては、図の繁雑さ
を避けるために、保１！膜形成以前までに完成された部
分だけを図示した。
上記のように構成されたアクティブマトリックス型液晶
表示装置の動作をのべると、次のように動作する。ゲー
ト１！ （Ｙｊは、アドレス信号により順次走査駆動さ
れ、Ｔｆをフレーム走査周期とすると、ＴＰＴ２０は行
毎に（Ｔｆ ／ｎ）期間ずつ順次導通状態にされる。−
方１．このゲート線（Ｙｊ ）の走査と同期して、デー
タＩＩ（Ｘｉ）には例えばｍ並列の画素信号が供給され
る。これにより、信号電圧は行毎に順次表示画素電極２
１に導かれ、透明対向電極２２との間に挟持された液晶
２３が励起されて画像表示がなされる。
表示装置の動作をのべると、次のように動作する。ゲー
ト１！ （Ｙｊは、アドレス信号により順次走査駆動さ
れ、Ｔｆをフレーム走査周期とすると、ＴＰＴ２０は行
毎に（Ｔｆ ／ｎ）期間ずつ順次導通状態にされる。−
方１．このゲート線（Ｙｊ ）の走査と同期して、デー
タＩＩ（Ｘｉ）には例えばｍ並列の画素信号が供給され
る。これにより、信号電圧は行毎に順次表示画素電極２
１に導かれ、透明対向電極２２との間に挟持された液晶
２３が励起されて画像表示がなされる。
上記アクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法
によると、半導体層２７上の低抵抗半導体ＷＩ２８をエ
ツチング除去してドレイン電極２つ及びソース電極３ｏ
を形成した後、水素プラズマ処理を施し、その後、無機
保護［１３１を形成し、つぎに上記ソース電極３０上に
おける無機保護膜３１の一部をエツチング除去して表示
画素電極２１を形成するので、従来のように無機保ｌｌ
３１を形成する際、表示画素電極２１の抵抗値が変化す
ることがないので、良好な表示特性を得ることができる
。また、その製造工程において、表示画素電極２１を構
成するＩＴＯ上に無機保護膜３１との化合物の発生の心
配がないことで、表示画素電極２１の形成工程が容易と
なる。さらに、上記製造方法によれば、半導体１！２７
上の低抵抗半導体膜２８をＣＤＥによりエツチング除去
した状態で、水素プラズマ処理を施しているので、可及
的に半導体層２７のバックチャンネル側における酸化膜
の形成が防止されて界面単位密度が少なくなり、可及的
にＴＰＴ特性の向上が実現される。
によると、半導体層２７上の低抵抗半導体ＷＩ２８をエ
ツチング除去してドレイン電極２つ及びソース電極３ｏ
を形成した後、水素プラズマ処理を施し、その後、無機
保護［１３１を形成し、つぎに上記ソース電極３０上に
おける無機保護膜３１の一部をエツチング除去して表示
画素電極２１を形成するので、従来のように無機保ｌｌ
３１を形成する際、表示画素電極２１の抵抗値が変化す
ることがないので、良好な表示特性を得ることができる
。また、その製造工程において、表示画素電極２１を構
成するＩＴＯ上に無機保護膜３１との化合物の発生の心
配がないことで、表示画素電極２１の形成工程が容易と
なる。さらに、上記製造方法によれば、半導体１！２７
上の低抵抗半導体膜２８をＣＤＥによりエツチング除去
した状態で、水素プラズマ処理を施しているので、可及
的に半導体層２７のバックチャンネル側における酸化膜
の形成が防止されて界面単位密度が少なくなり、可及的
にＴＰＴ特性の向上が実現される。
また、この発明は上記実施例に限ることなく、例えば第
４図に示すようにソース電極３０のエツジ部に所定の傾
斜角（テーパ）を設け、ソース電極３０の信頼性の向上
を図り得るように構成することも可能である。
４図に示すようにソース電極３０のエツジ部に所定の傾
斜角（テーパ）を設け、ソース電極３０の信頼性の向上
を図り得るように構成することも可能である。
［発明の効果］
以上詳述したように、この発明によれば、表示特性及び
ＴＰＴ特性の高性能化を確保したうえで、無機保ｒｉ！
膜形成の簡略化を図り得るアクティブマトリックス型液
晶表示装置の製造方法を提供することができる。
ＴＰＴ特性の高性能化を確保したうえで、無機保ｒｉ！
膜形成の簡略化を図り得るアクティブマトリックス型液
晶表示装置の製造方法を提供することができる。
第１図はこの発明の一実施例に係るアクティブマトリッ
クス型液晶表示装置の製造方法を説明するために示した
断面図、第２図はこの発明に係る等価回路の一例を示す
図、第３図は第２図の適用される表示電極アレーを示す
平面図、第４図はこの発明の他の実施例に係る断面図、
第５図は従来のアクティブマトリックス型液晶表示装置
を示す断面図である。 ２０・・・ＴＦＴ、２１・・・表示画素電極、２２・・
・透明対向電極、２３・・・液晶、２４・・・第１の基
板、２５・・・ゲート電極、２６・・・絶縁層、２７・
・・半導体層、２８・・・低抵抗半導体膜、２９・・・
ドレイン電極、３ｏ・・・ソース電極、３１・・・無機
保護膜、３２゜３４・・・有機保護膜、３３・・・光遮
蔽電極、３５゜３６・・・液晶配向膜、３７・・・第２
の基板出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図 第３図 第４図
クス型液晶表示装置の製造方法を説明するために示した
断面図、第２図はこの発明に係る等価回路の一例を示す
図、第３図は第２図の適用される表示電極アレーを示す
平面図、第４図はこの発明の他の実施例に係る断面図、
第５図は従来のアクティブマトリックス型液晶表示装置
を示す断面図である。 ２０・・・ＴＦＴ、２１・・・表示画素電極、２２・・
・透明対向電極、２３・・・液晶、２４・・・第１の基
板、２５・・・ゲート電極、２６・・・絶縁層、２７・
・・半導体層、２８・・・低抵抗半導体膜、２９・・・
ドレイン電極、３ｏ・・・ソース電極、３１・・・無機
保護膜、３２゜３４・・・有機保護膜、３３・・・光遮
蔽電極、３５゜３６・・・液晶配向膜、３７・・・第２
の基板出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- 絶縁基板上に設けられたゲート電極に対応してドレイン
及びソース電極間に低抵抗半導体膜の被着された半導体
層を有する薄膜トランジスタとこの薄膜トランジスタを
覆い保護する無機保護膜及び有機保護膜と表示画素電極
がマトリックス状に配列形成された第１の基板と、透明
基板の一主面上に透明対向電極を形成してなる第２の基
板と、前記第１及び第２の基板の間に挟持される液晶と
を備えたアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造
方法において、前記半導体層上に前記ドレイン及びソー
ス電極を形成した後、前記ドレイン及びソース電極間の
低抵抗半導体膜をエッチング除去し、さらに水素プラズ
マ処理を施し、その後、前記無機保護膜を形成し、つぎ
に前記ソース電極上における前記無機保護膜の一部をエ
ッチング除去し、この後前記表示画素電極を形成するこ
とを特徴とするアクティブマトリックス型液晶表示装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61150858A JPS636529A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | アクテイブマトリツクス型液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61150858A JPS636529A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | アクテイブマトリツクス型液晶表示装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS636529A true JPS636529A (ja) | 1988-01-12 |
Family
ID=15505910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61150858A Pending JPS636529A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | アクテイブマトリツクス型液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS636529A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0290128A (ja) * | 1988-09-28 | 1990-03-29 | Ube Ind Ltd | 液晶表示装置 |
| US5237436A (en) * | 1990-12-14 | 1993-08-17 | North American Philips Corporation | Active matrix electro-optic display device with light shielding layer and projection and color employing same |
-
1986
- 1986-06-27 JP JP61150858A patent/JPS636529A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0290128A (ja) * | 1988-09-28 | 1990-03-29 | Ube Ind Ltd | 液晶表示装置 |
| US5237436A (en) * | 1990-12-14 | 1993-08-17 | North American Philips Corporation | Active matrix electro-optic display device with light shielding layer and projection and color employing same |
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