JPH11195491A - 有機ｅｌディスプレイパネル及びその製造方法 - Google Patents
有機ｅｌディスプレイパネル及びその製造方法Info
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- JPH11195491A JPH11195491A JP10012110A JP1211098A JPH11195491A JP H11195491 A JPH11195491 A JP H11195491A JP 10012110 A JP10012110 A JP 10012110A JP 1211098 A JP1211098 A JP 1211098A JP H11195491 A JPH11195491 A JP H11195491A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
- H10K71/211—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by selective transformation of an existing layer
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 陽極層上に高分子層を成膜した後、所望の領
域を導電性化、又は非導電性化することにより所望の領
域に導電性高分子層を形成し、信頼性の向上した有機Ｅ
Ｌディスプレイパネル及びその製造方法を提供すること
を目的とする。 【解決手段】 有機ＥＬディスプレイパネルにおいて、
基板上に間隙をおいて配される複数の陽極層、高分子材
料からなる高分子層、有機ＥＬ層、間隙をおいて配され
る複数の陰極層が順次積層されてなる有機ＥＬディスプ
レイパネルであって、高分子層のうちの間隙に対応する
ギャップ領域は陽極層に対応する領域と比べて導電性が
低いように形成されることを特徴とする。
域を導電性化、又は非導電性化することにより所望の領
域に導電性高分子層を形成し、信頼性の向上した有機Ｅ
Ｌディスプレイパネル及びその製造方法を提供すること
を目的とする。 【解決手段】 有機ＥＬディスプレイパネルにおいて、
基板上に間隙をおいて配される複数の陽極層、高分子材
料からなる高分子層、有機ＥＬ層、間隙をおいて配され
る複数の陰極層が順次積層されてなる有機ＥＬディスプ
レイパネルであって、高分子層のうちの間隙に対応する
ギャップ領域は陽極層に対応する領域と比べて導電性が
低いように形成されることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機ＥＬ（Electr
oluminecsence ）ディスプレイパネル及びその製造方法
に関し、特に陽極層と有機ＥＬ層の間に導電性高分子層
を用いた有機ＥＬディスプレイパネル及びその製造方法
に関する。
oluminecsence ）ディスプレイパネル及びその製造方法
に関し、特に陽極層と有機ＥＬ層の間に導電性高分子層
を用いた有機ＥＬディスプレイパネル及びその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ガラス板、あるいは透明な有機フ
ィルム上に形成した蛍光体に電流を流して発光させる有
機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子
と称する）を用いたディスプレイパネルが知られてい
る。有機ＥＬ素子としては、図４に示すように、ガラス
等の透明な基板６上に、ＩＴＯ等の複数の透明電極から
なる陽極層２、信頼性向上を図る導電性高分子層１０
４、正孔輸送層及び発光層からなる有機ＥＬ層３、陽極
層２に交差する複数の金属電極からなる陰極層１を順に
積層して形成される。有機ＥＬ層３を挾持して互いに対
向し対をなす陽極層２及び陰極層１とによって有機ＥＬ
発光素子となる発光部が形成され、陽極層２及び陰極層
１の各々が互いに対向して交差する交差領域部の発光部
を１単位として１画素が形成される。
ィルム上に形成した蛍光体に電流を流して発光させる有
機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子
と称する）を用いたディスプレイパネルが知られてい
る。有機ＥＬ素子としては、図４に示すように、ガラス
等の透明な基板６上に、ＩＴＯ等の複数の透明電極から
なる陽極層２、信頼性向上を図る導電性高分子層１０
４、正孔輸送層及び発光層からなる有機ＥＬ層３、陽極
層２に交差する複数の金属電極からなる陰極層１を順に
積層して形成される。有機ＥＬ層３を挾持して互いに対
向し対をなす陽極層２及び陰極層１とによって有機ＥＬ
発光素子となる発光部が形成され、陽極層２及び陰極層
１の各々が互いに対向して交差する交差領域部の発光部
を１単位として１画素が形成される。
【０００３】陰極層１には、Ａｌ、Ｉｎ、Ａｇの合金等
の仕事関数の小さな金属（例えばＡｌ−Ｌｉ合金）が用
いられ、陽極層２にはＩＴＯ等の仕事関数の大きな導電
性材料（ＩＴＯの仕事関数＝約５．０ｅＶ）又は金（Ａ
ｕの仕事関数＝約５．１ｅＶ）等が用いられる。なお、
金を電極材料として用いた場合には、電極は半透明の状
態となる。
の仕事関数の小さな金属（例えばＡｌ−Ｌｉ合金）が用
いられ、陽極層２にはＩＴＯ等の仕事関数の大きな導電
性材料（ＩＴＯの仕事関数＝約５．０ｅＶ）又は金（Ａ
ｕの仕事関数＝約５．１ｅＶ）等が用いられる。なお、
金を電極材料として用いた場合には、電極は半透明の状
態となる。
【０００４】また、高分子層１０４には、ポリアニリン
が用いられる。導電性高分子層により信頼性向上を図る
ことについては特開平９−４５４７６９号により開示さ
れている。
が用いられる。導電性高分子層により信頼性向上を図る
ことについては特開平９−４５４７６９号により開示さ
れている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記導電性高分子層に
よる信頼性向上の技術をドットマトリクス等の陽極、陰
極が複数に分割された構造を有するディスプレイパネル
において採用すると、導電性高分子層の抵抗が低いた
め、隣り合う陽極どうしが電気的に接続され、クロスト
ークが発生する。すなわち、ある陽極層上の画素を非発
光とすべくその陽極層に通電を行わない場合であって
も、高分子層の電気抵抗が低いため隣り合う陽極層から
電流が流れ込むため、非発光とすべき画素が発光してし
まう。これにより、所望の画像を得ることができなくな
るという問題があった。
よる信頼性向上の技術をドットマトリクス等の陽極、陰
極が複数に分割された構造を有するディスプレイパネル
において採用すると、導電性高分子層の抵抗が低いた
め、隣り合う陽極どうしが電気的に接続され、クロスト
ークが発生する。すなわち、ある陽極層上の画素を非発
光とすべくその陽極層に通電を行わない場合であって
も、高分子層の電気抵抗が低いため隣り合う陽極層から
電流が流れ込むため、非発光とすべき画素が発光してし
まう。これにより、所望の画像を得ることができなくな
るという問題があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１に記載の有機ＥＬディスプレイパネルは、
基板上に間隙をおいて配される複数の陽極層、高分子材
料からなる高分子層、有機ＥＬ層、間隙をおいて配され
る複数の陰極層が順次積層されてなる有機ＥＬディスプ
レイパネルであって、高分子層のうちの間隙に対応する
ギャップ領域は陽極層に対応する領域と比べて導電性が
低いように形成されることを特徴とする。
に、請求項１に記載の有機ＥＬディスプレイパネルは、
基板上に間隙をおいて配される複数の陽極層、高分子材
料からなる高分子層、有機ＥＬ層、間隙をおいて配され
る複数の陰極層が順次積層されてなる有機ＥＬディスプ
レイパネルであって、高分子層のうちの間隙に対応する
ギャップ領域は陽極層に対応する領域と比べて導電性が
低いように形成されることを特徴とする。
【０００７】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載の有機ＥＬディスプレイパネルであって、高分子
層のギャップ領域は絶縁性を有するように形成されるこ
とを特徴とする。
に記載の有機ＥＬディスプレイパネルであって、高分子
層のギャップ領域は絶縁性を有するように形成されるこ
とを特徴とする。
【０００８】また、請求項３に記載の発明は、基板上に
所定の間隙をおいて配されるように複数の陽極層を形成
し、さらに、その上に導電性高分子層、有機ＥＬ層、陰
極層を順次積層して形成した有機ＥＬディスプレイパネ
ルであって、導電性高分子層は、その積層を行った後
に、間隙に対応するギャップ領域の導電性を低下させる
低導電性化工程が施されることを特徴とする。
所定の間隙をおいて配されるように複数の陽極層を形成
し、さらに、その上に導電性高分子層、有機ＥＬ層、陰
極層を順次積層して形成した有機ＥＬディスプレイパネ
ルであって、導電性高分子層は、その積層を行った後
に、間隙に対応するギャップ領域の導電性を低下させる
低導電性化工程が施されることを特徴とする。
【０００９】また、請求項４に記載の発明は、請求項３
に記載の有機ＥＬディスプレイパネルであって、導電性
高分子層のギャップ領域は、低導電性化工程により絶縁
性化されることを特徴とする。
に記載の有機ＥＬディスプレイパネルであって、導電性
高分子層のギャップ領域は、低導電性化工程により絶縁
性化されることを特徴とする。
【００１０】また、請求項５に記載の発明は、請求項３
又は請求項４に記載の有機ＥＬディスプレイパネルであ
って、導電性高分子層は、ショウノウ−スルホン酸を混
入したポリアニリンからなるとともに、低導電性化工程
は導電性高分子層のギャップ領域をアルカリ溶液に浸漬
させることで行われることを特徴とする。
又は請求項４に記載の有機ＥＬディスプレイパネルであ
って、導電性高分子層は、ショウノウ−スルホン酸を混
入したポリアニリンからなるとともに、低導電性化工程
は導電性高分子層のギャップ領域をアルカリ溶液に浸漬
させることで行われることを特徴とする。
【００１１】また、請求項６に記載の発明は、基板上に
間隙をおいて配されるように複数の陽極層を形成し、さ
らに、その上に導電性の付与が可能な非導電性高分子層
を形成し、さらに、その上に有機ＥＬ層、陰極層を順次
積層して形成した有機ＥＬディスプレイパネルであっ
て、非導電性高分子層は、その積層を行った後に、陽極
層に対応する通電領域に導電性を付与する導電性付与工
程が施されることを特徴とする。
間隙をおいて配されるように複数の陽極層を形成し、さ
らに、その上に導電性の付与が可能な非導電性高分子層
を形成し、さらに、その上に有機ＥＬ層、陰極層を順次
積層して形成した有機ＥＬディスプレイパネルであっ
て、非導電性高分子層は、その積層を行った後に、陽極
層に対応する通電領域に導電性を付与する導電性付与工
程が施されることを特徴とする。
【００１２】また、請求項７に記載の発明は、請求項６
に記載の有機ＥＬディスプレイパネルであって、非導電
性高分子層はポリアニリンからなるとともに、導電性付
与工程は通電領域を酸性溶液に浸漬させることで行われ
ることを特徴とする。
に記載の有機ＥＬディスプレイパネルであって、非導電
性高分子層はポリアニリンからなるとともに、導電性付
与工程は通電領域を酸性溶液に浸漬させることで行われ
ることを特徴とする。
【００１３】また、請求項８に記載の発明は、有機ＥＬ
ディスプレイパネルの製造方法であって、基板上に所定
の間隙をおいて配されるように複数の陽極層を形成し、
基板上に複数の陽極層を被覆するように導電性高分子層
を積層し、その後、導電性高分子層のうちの間隙に対応
するギャップ領域の導電性を低下させる低導電性化工程
が施され、さらに、導電性高分子層の上に有機ＥＬ層及
び陰極層を順次積層することを特徴とする。
ディスプレイパネルの製造方法であって、基板上に所定
の間隙をおいて配されるように複数の陽極層を形成し、
基板上に複数の陽極層を被覆するように導電性高分子層
を積層し、その後、導電性高分子層のうちの間隙に対応
するギャップ領域の導電性を低下させる低導電性化工程
が施され、さらに、導電性高分子層の上に有機ＥＬ層及
び陰極層を順次積層することを特徴とする。
【００１４】また、請求項９に記載の発明は、請求項８
に記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法であっ
て、低導電性化工程はギャップ領域を絶縁性化するもの
であることを特徴とする。
に記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法であっ
て、低導電性化工程はギャップ領域を絶縁性化するもの
であることを特徴とする。
【００１５】また、請求項１０に記載の発明は、請求項
８又は請求項９に記載の有機ＥＬディスプレイパネルの
製造方法であって、導電性高分子層は、ショウノウ−ス
ルホン酸を混入したポリアニリンからなるとともに、低
導電性化工程は導電性高分子層のギャップ領域をアルカ
リ溶液に浸漬させることで行われることを特徴とする。
８又は請求項９に記載の有機ＥＬディスプレイパネルの
製造方法であって、導電性高分子層は、ショウノウ−ス
ルホン酸を混入したポリアニリンからなるとともに、低
導電性化工程は導電性高分子層のギャップ領域をアルカ
リ溶液に浸漬させることで行われることを特徴とする。
【００１６】また、請求項１１に記載の発明は、有機Ｅ
Ｌディスプレイパネルの製造方法であって、基板上に所
定の間隙をおいて配されるように複数の陽極層を形成
し、基板上に複数の陽極層を被覆するように導電性の付
与が可能な非導電性高分子層を積層し、その後、非導電
性高分子層のうちの陽極層に対応する通電領域に導電性
を付与する導電性付与工程が施され、さらに、導電性高
分子層の上に有機ＥＬ層及び陰極層を順次積層すること
を特徴とする。
Ｌディスプレイパネルの製造方法であって、基板上に所
定の間隙をおいて配されるように複数の陽極層を形成
し、基板上に複数の陽極層を被覆するように導電性の付
与が可能な非導電性高分子層を積層し、その後、非導電
性高分子層のうちの陽極層に対応する通電領域に導電性
を付与する導電性付与工程が施され、さらに、導電性高
分子層の上に有機ＥＬ層及び陰極層を順次積層すること
を特徴とする。
【００１７】また、請求項１２に記載の発明は、請求項
１１に記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法で
あって、非導電性高分子層はポリアニリンからなるとと
もに、導電性付与工程は通電領域を酸性溶液に浸漬させ
ることで行われることを特徴とする。
１１に記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法で
あって、非導電性高分子層はポリアニリンからなるとと
もに、導電性付与工程は通電領域を酸性溶液に浸漬させ
ることで行われることを特徴とする。
【００１８】
【作用】本発明によれば、隣り合う陽極層の電気的な接
続を回避できるので、高分子層を有するマトリクスディ
スクプレイにおいて、従来問題とされたクロストークを
極力抑えることができる。
続を回避できるので、高分子層を有するマトリクスディ
スクプレイにおいて、従来問題とされたクロストークを
極力抑えることができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下に本発明の第１の実施の形態
を図１を参照しつつ説明する。図１は、本発明における
有機ＥＬディスプレイパネルの構造の部分断面を示して
いる。
を図１を参照しつつ説明する。図１は、本発明における
有機ＥＬディスプレイパネルの構造の部分断面を示して
いる。
【００２０】図１に示すように、有機ＥＬディスプレイ
パネルは、ガラス等からなる透明な基板６上には、ＩＴ
Ｏ等からなる複数の陽極層２、高分子層４、発光層を形
成する正孔輸送層及び発光層からなる有機ＥＬ層３、陽
極層２に交差する複数の金属電極からなる陰極層１を順
に積層して形成される。複数の陽極層２は、各々が略帯
状であり、所定の間隙をおいて互いに平行となるように
配される。複数の陰極層１も、陽極層２と同様に、各々
が略帯状であり所定の間隙をおいて平行となるように配
されている。陰極層１と陽極層２はその伸長方向が略垂
直に直交しており、これらが交差する領域、すなわち、
有機ＥＬ層３が陰極層１と陽極層２とによって挟まれて
いる領域が発光領域となり、ディスプレイの１画素に対
応する。
パネルは、ガラス等からなる透明な基板６上には、ＩＴ
Ｏ等からなる複数の陽極層２、高分子層４、発光層を形
成する正孔輸送層及び発光層からなる有機ＥＬ層３、陽
極層２に交差する複数の金属電極からなる陰極層１を順
に積層して形成される。複数の陽極層２は、各々が略帯
状であり、所定の間隙をおいて互いに平行となるように
配される。複数の陰極層１も、陽極層２と同様に、各々
が略帯状であり所定の間隙をおいて平行となるように配
されている。陰極層１と陽極層２はその伸長方向が略垂
直に直交しており、これらが交差する領域、すなわち、
有機ＥＬ層３が陰極層１と陽極層２とによって挟まれて
いる領域が発光領域となり、ディスプレイの１画素に対
応する。
【００２１】陰極層１には、Ａｌ、Ｉｎの合金等の仕事
関数が小さな金属（例えば、Ａｌ−Ｌｉ合金）を用い
る。また、陽極層２には、ＩＴＯ等の仕事関数の大きな
導電性材料又は金等を用いることができる。なお、金を
電極材料として用いた場合には、電極は半透明の状態と
なる。
関数が小さな金属（例えば、Ａｌ−Ｌｉ合金）を用い
る。また、陽極層２には、ＩＴＯ等の仕事関数の大きな
導電性材料又は金等を用いることができる。なお、金を
電極材料として用いた場合には、電極は半透明の状態と
なる。
【００２２】高分子層４は、陽極層２に対面する領域
（通電領域）が導電性を有するように形成され、隣り合
う陽極層２の間隙に対応する領域（ギャップ領域）が導
電性を有しないように形成される。これによれば、発光
領域における陰極層１と陽極層２間の抵抗を大きくする
ことなく、隣り合う陽極層を電気的に隔離された状態と
できるので、ディスプレイの発光特性を劣化させること
なく、クロストークは回避できる。ここで図示されるよ
うに、高分子層４のギャップ領域が陽極層２のエッジに
かかるようにすることで、エッジからの電流の漏れ出し
を抑えられる。
（通電領域）が導電性を有するように形成され、隣り合
う陽極層２の間隙に対応する領域（ギャップ領域）が導
電性を有しないように形成される。これによれば、発光
領域における陰極層１と陽極層２間の抵抗を大きくする
ことなく、隣り合う陽極層を電気的に隔離された状態と
できるので、ディスプレイの発光特性を劣化させること
なく、クロストークは回避できる。ここで図示されるよ
うに、高分子層４のギャップ領域が陽極層２のエッジに
かかるようにすることで、エッジからの電流の漏れ出し
を抑えられる。
【００２３】次に、図２を参照して本発明の高分子層４
の製造工程について説明する。 （第１の実施の形態）第１の実施形態は、一旦導電性の
高分子層を形成し、その後、形成された高分子層の陽極
層２の間隙に対応する領域の導電性を低下させる工程を
とるものである。図２（ａ）に示すように陽極層２を形
成するＩＴＯがストライプ上にパターニングされたガラ
ス等の透明な基板６を十分洗浄した後、パターニングさ
れた陽極層２を含む基板６上に導電性高分子層４とし
て、ショウノウ−スルホン酸（ＣＳＡ）を混入したポリ
アニリン（ＰＡｎ）溶液をスピンコート等により積層
し、クリーンオーブンにより乾燥し、５００オングスト
ロームのＣＳＡドープＰＡｎ層を成膜する。
の製造工程について説明する。 （第１の実施の形態）第１の実施形態は、一旦導電性の
高分子層を形成し、その後、形成された高分子層の陽極
層２の間隙に対応する領域の導電性を低下させる工程を
とるものである。図２（ａ）に示すように陽極層２を形
成するＩＴＯがストライプ上にパターニングされたガラ
ス等の透明な基板６を十分洗浄した後、パターニングさ
れた陽極層２を含む基板６上に導電性高分子層４とし
て、ショウノウ−スルホン酸（ＣＳＡ）を混入したポリ
アニリン（ＰＡｎ）溶液をスピンコート等により積層
し、クリーンオーブンにより乾燥し、５００オングスト
ロームのＣＳＡドープＰＡｎ層を成膜する。
【００２４】次に、フォトレジスト（東京応化製ＯＦＰ
Ｒ−８００ＬＢ）１１ａをスピンコート等により積層
し、所定の工程で画素部分にフォトレジストパターンを
形成する（図２（ｂ））。このようにして作製した基板
をアンモニア水に浸漬し、画素以外の部分のＣＳＡドー
プＰＡｎ層脱ドープを行う（図２（ｃ））。最後にフォ
トレジスト１１ａを剥離させることで高分子層４の形成
は終了する（図２（ｄ））。その後は、発光層を含む有
機ＥＬ層、陰極層を順次積層する。
Ｒ−８００ＬＢ）１１ａをスピンコート等により積層
し、所定の工程で画素部分にフォトレジストパターンを
形成する（図２（ｂ））。このようにして作製した基板
をアンモニア水に浸漬し、画素以外の部分のＣＳＡドー
プＰＡｎ層脱ドープを行う（図２（ｃ））。最後にフォ
トレジスト１１ａを剥離させることで高分子層４の形成
は終了する（図２（ｄ））。その後は、発光層を含む有
機ＥＬ層、陰極層を順次積層する。
【００２５】上記脱ドープにより導電性高分子層４のう
ち、陽極の間隙に対応する部分Ｑが陽極に対応する部分
Ｐよりも導電性が低下するようになる。
ち、陽極の間隙に対応する部分Ｑが陽極に対応する部分
Ｐよりも導電性が低下するようになる。
【００２６】最後に封止を行い、有機ＥＬディスプレイ
パネルが完成する。上述した製造方法により２５６×６
４ドットの有機ＥＬディスプレイパネルの試作を行って
表示動作を行った結果、クロストークのない良好な発光
状態を得た。
パネルが完成する。上述した製造方法により２５６×６
４ドットの有機ＥＬディスプレイパネルの試作を行って
表示動作を行った結果、クロストークのない良好な発光
状態を得た。
【００２７】（第２の実施の形態）第２の実施形態は、
一旦非導電性の高分子層を形成し、その後、形成された
高分子層の陽極層に対面する領域に導電性を付与する工
程をとるものである。図３（ａ）に示すように陽極層２
を形成するＩＴＯがストライプ上にパターニングされた
ガラス等の透明な基板６を十分洗浄した後、パターニン
グされた陽極層２を含む基板６上に非導電性高分子層４
として、ポリアニリン（ＰＡｎ）溶液をスピンコート等
により積層し、クリーンオーブンにより乾燥し、５００
オングストロームのＰＡｎ層を成膜する。
一旦非導電性の高分子層を形成し、その後、形成された
高分子層の陽極層に対面する領域に導電性を付与する工
程をとるものである。図３（ａ）に示すように陽極層２
を形成するＩＴＯがストライプ上にパターニングされた
ガラス等の透明な基板６を十分洗浄した後、パターニン
グされた陽極層２を含む基板６上に非導電性高分子層４
として、ポリアニリン（ＰＡｎ）溶液をスピンコート等
により積層し、クリーンオーブンにより乾燥し、５００
オングストロームのＰＡｎ層を成膜する。
【００２８】次に、フォトレジスト（東京応化製ＯＦＰ
Ｒ−８００ＬＢ）１１ｂをスピンコート等により積層
し、所定の工程で隣接陽極間のギャップ領域にフォトレ
ジストパターンを形成する（図３（ｂ））。このように
して作製した基板を硫酸に浸漬し、画素部分のＰＡｎ層
のドープを行う（図３（ｃ））。最後にフォトレジスト
１１ａを剥離させることで高分子層４の形成は終了する
（図３（ｄ））。その後は、発光層を含む有機ＥＬ層、
陰極層を順次積層する。
Ｒ−８００ＬＢ）１１ｂをスピンコート等により積層
し、所定の工程で隣接陽極間のギャップ領域にフォトレ
ジストパターンを形成する（図３（ｂ））。このように
して作製した基板を硫酸に浸漬し、画素部分のＰＡｎ層
のドープを行う（図３（ｃ））。最後にフォトレジスト
１１ａを剥離させることで高分子層４の形成は終了する
（図３（ｄ））。その後は、発光層を含む有機ＥＬ層、
陰極層を順次積層する。
【００２９】上記ドープにより非導電性高分子層４のう
ち、陽極に対応する部分Ｐが導電性化され、陽極の間隙
に対応する部分Ｑは非導電性のままとなる。
ち、陽極に対応する部分Ｐが導電性化され、陽極の間隙
に対応する部分Ｑは非導電性のままとなる。
【００３０】最後に封止を行い、有機ＥＬディスプレイ
パネルが完成する。上述した製造方法により２５６×６
４ドットの有機ＥＬディスプレイパネルの試作を行って
表示動作を行った結果、クロストークのない良好な発光
状態を得た。なお、高分子層４の非導電性化された領域
（ギャップ領域）は、絶縁性を有することが最も望まし
いが、導電性化された領域（通電領域）に比べて低導電
性であれば、少なくとも従来に比べてクロストークの発
生を抑えることができる。また、高分子層４の導電性化
された領域（通電領域）を、陰極層１と陽極層２が交差
する発光領域に対応させ、その他の領域をすべて非導電
性化しても良い。
パネルが完成する。上述した製造方法により２５６×６
４ドットの有機ＥＬディスプレイパネルの試作を行って
表示動作を行った結果、クロストークのない良好な発光
状態を得た。なお、高分子層４の非導電性化された領域
（ギャップ領域）は、絶縁性を有することが最も望まし
いが、導電性化された領域（通電領域）に比べて低導電
性であれば、少なくとも従来に比べてクロストークの発
生を抑えることができる。また、高分子層４の導電性化
された領域（通電領域）を、陰極層１と陽極層２が交差
する発光領域に対応させ、その他の領域をすべて非導電
性化しても良い。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
高分子層を有するマトリクスディスプレイにおいて隣り
合う陽極層間の通電を極力回避できるので、クロストー
クを極力抑えることができ、従来に比べてより良い画像
を形成することができる。
高分子層を有するマトリクスディスプレイにおいて隣り
合う陽極層間の通電を極力回避できるので、クロストー
クを極力抑えることができ、従来に比べてより良い画像
を形成することができる。
【図１】本発明における有機ＥＬディスプレイパネルの
構造を示す部分断面図である。
構造を示す部分断面図である。
【図２】本発明における有機ＥＬディスプレイパネルの
第１の実施の形態の製造工程を示す図である。
第１の実施の形態の製造工程を示す図である。
【図３】本発明における有機ＥＬディスプレイパネルの
第２の実施の形態の製造工程を示す図である。
第２の実施の形態の製造工程を示す図である。
【図４】従来の有機ＥＬディスプレイパネルの部分断面
図である。
図である。
１・・・・陰極層 ２・・・・陽極層 ３・・・・有機ＥＬ層 ４，１０４・・・・高分子層 ６・・・・基板 １１ａ，１１ｂ・・・・フォトレジスト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 仲田 仁 山形県米沢市八幡原４丁目3146番地７ 東 北パイオニア株式会社米沢工場内
Claims (12)
- 【請求項１】 基板上に間隙をおいて配される複数の陽
極層、高分子材料からなる高分子層、有機ＥＬ層、間隙
をおいて配される複数の陰極層が順次積層されてなる有
機ＥＬディスプレイパネルであって、 前記高分子層のうちの前記間隙に対応するギャップ領域
は前記陽極層に対応する領域と比べて導電性が低いよう
に形成されることを特徴とする有機ＥＬディスプレイパ
ネル。 - 【請求項２】 前記高分子層の前記ギャップ領域は絶縁
性を有するように形成されることを特徴とする請求項１
に記載の有機ＥＬディスプレイパネル。 - 【請求項３】 基板上に所定の間隙をおいて配されるよ
うに複数の陽極層を形成し、さらに、その上に導電性高
分子層、有機ＥＬ層、陰極層を順次積層して形成した有
機ＥＬディスプレイパネルであって、 前記導電性高分子層は、その積層を行った後に、前記間
隙に対応するギャップ領域の導電性を低下させる低導電
性化工程が施されることを特徴とする有機ＥＬディスプ
レイパネル。 - 【請求項４】 前記導電性高分子層の前記ギャップ領域
は、前記低導電性化工程により絶縁性化されることを特
徴とする請求項３に記載の有機ＥＬディスプレイパネ
ル。 - 【請求項５】 前記導電性高分子層は、ショウノウ−ス
ルホン酸を混入したポリアニリンからなるとともに、前
記低導電性化工程は前記導電性高分子層の前記ギャップ
領域をアルカリ溶液に浸漬させることで行われることを
特徴とする請求項３又は請求項４に記載の有機ＥＬディ
スプレイパネル。 - 【請求項６】 基板上に間隙をおいて配されるように複
数の陽極層を形成し、さらに、その上に導電性の付与が
可能な非導電性高分子層を形成し、さらに、その上に有
機ＥＬ層、陰極層を順次積層して形成した有機ＥＬディ
スプレイパネルであって、 前記非導電性高分子層は、その積層を行った後に、前記
陽極層に対応する通電領域に導電性を付与する導電性付
与工程が施されることを特徴とする有機ＥＬディスプレ
イパネル。 - 【請求項７】 前記非導電性高分子層はポリアニリンか
らなるとともに、前記導電性付与工程は前記通電領域を
酸性溶液に浸漬させることで行われることを特徴とする
請求項６に記載の有機ＥＬディスプレイパネル。 - 【請求項８】 基板上に所定の間隙をおいて配されるよ
うに複数の陽極層を形成し、前記基板上に前記複数の陽
極層を被覆するように導電性高分子層を積層し、その
後、前記導電性高分子層のうちの前記間隙に対応するギ
ャップ領域の導電性を低下させる低導電性化工程が施さ
れ、さらに、前記導電性高分子層の上に有機ＥＬ層及び
陰極層を順次積層することを特徴とする有機ＥＬディス
プレイパネルの製造方法。 - 【請求項９】 前記低導電性化工程は前記ギャップ領域
を絶縁性化するものであることを特徴とする請求項８に
記載の有機ＥＬディスプレイパネル。 - 【請求項１０】 前記導電性高分子層は、ショウノウ−
スルホン酸を混入したポリアニリンからなるとともに、
前記低導電性化工程は前記導電性高分子層の前記ギャッ
プ領域をアルカリ溶液に浸漬させることで行われること
を特徴とする請求項８又は請求項９に記載の有機ＥＬデ
ィスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項１１】 基板上に所定の間隙をおいて配される
ように複数の陽極層を形成し、前記基板上に前記複数の
陽極層を被覆するように導電性の付与が可能な非導電性
高分子層を積層し、その後、前記非導電性高分子層のう
ちの前記陽極層に対応する通電領域に導電性を付与する
導電性付与工程が施され、さらに、前記導電性高分子層
の上に有機ＥＬ層及び陰極層を順次積層することを特徴
とする有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項１２】 前記非導電性高分子層はポリアニリン
からなるとともに、前記導電性付与工程は前記通電領域
を酸性溶液に浸漬させることで行われることを特徴とす
る請求項１１に記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製
造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01211098A JP3942715B2 (ja) | 1998-01-06 | 1998-01-06 | 有機ｅｌディスプレイパネル及びその製造方法 |
| GB9828870A GB2332985B (en) | 1998-01-06 | 1998-12-31 | Organic el display panel and its manufacturing method |
| US09/225,488 US6285124B1 (en) | 1998-01-06 | 1999-01-06 | Organic EL display panel having a conductive high polymer layer between an anode layer and an organic EL layer |
| US09/821,158 US20010011867A1 (en) | 1998-01-06 | 2001-03-30 | Organic EL display panel and its manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01211098A JP3942715B2 (ja) | 1998-01-06 | 1998-01-06 | 有機ｅｌディスプレイパネル及びその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11195491A true JPH11195491A (ja) | 1999-07-21 |
| JP3942715B2 JP3942715B2 (ja) | 2007-07-11 |
Family
ID=11796435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01211098A Expired - Lifetime JP3942715B2 (ja) | 1998-01-06 | 1998-01-06 | 有機ｅｌディスプレイパネル及びその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6285124B1 (ja) |
| JP (1) | JP3942715B2 (ja) |
| GB (1) | GB2332985B (ja) |
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| JP2003503749A (ja) * | 1999-06-25 | 2003-01-28 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 有機エレクトロルミネセンス表示装置 |
| WO2003071559A1 (fr) * | 2002-02-20 | 2003-08-28 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Materiau organique conducteur et vernis conducteur |
| WO2005004550A1 (ja) * | 2003-07-07 | 2005-01-13 | Pioneer Corporation | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及びその製造方法 |
| JPWO2005039247A1 (ja) * | 2003-10-16 | 2007-02-08 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル |
| KR101264328B1 (ko) | 2006-02-17 | 2013-05-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 다이오드 |
| WO2013073670A1 (ja) | 2011-11-18 | 2013-05-23 | 昭和電工株式会社 | 有機発光素子および有機発光素子の製造方法 |
| JP2013545293A (ja) * | 2010-10-20 | 2013-12-19 | ▲海▼洋王照明科技股▲ふん▼有限公司 | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
| KR101485995B1 (ko) * | 2008-04-18 | 2015-01-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 장치 및 그 제조 방법 |
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| JP2001092413A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-04-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｅｌ表示装置および電子装置 |
| WO2001039272A1 (en) * | 1999-11-29 | 2001-05-31 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Organic electroluminescent device and a method of manufacturing thereof |
| TWI282697B (en) | 2000-02-25 | 2007-06-11 | Seiko Epson Corp | Organic electroluminescence device |
| US7027015B2 (en) * | 2001-08-31 | 2006-04-11 | Intel Corporation | Compensating organic light emitting device displays for color variations |
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| JP4580799B2 (ja) * | 2005-03-29 | 2010-11-17 | 大日本印刷株式会社 | 導電性可変組成物、導電性可変積層体、導電性パターン形成体および有機エレクトロルミネッセント素子 |
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| US20070090758A1 (en) * | 2005-10-21 | 2007-04-26 | Kwasny David M | Electroluminescent panel |
| TWI310656B (en) | 2006-03-07 | 2009-06-01 | Princeton Technology Corp | An image processing device and related method for improving image quality with a csa accumulator |
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| WO1996036959A2 (en) * | 1995-05-19 | 1996-11-21 | Philips Electronics N.V. | Display device |
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-
1998
- 1998-01-06 JP JP01211098A patent/JP3942715B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-31 GB GB9828870A patent/GB2332985B/en not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-01-06 US US09/225,488 patent/US6285124B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-03-30 US US09/821,158 patent/US20010011867A1/en not_active Abandoned
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