CN1862825B - 发光器件及其制造方法、以及发光显示器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种发光器件，其包括：基片，其包括薄膜晶体管；第一电极，其形成在基片上，并电连接到薄膜晶体管；发光部分，其形成在第一电极上；第二电极，其形成在发光部分上；以及辅助公共电极，其形成在第二电极的部分区域上，该部分区域包括一部分的非发射区域，其中，该第二电极的厚度小于辅助公共电极的厚度。

Description

发光器件及其制造方法、以及发光显示器及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种发光器件及其制造方法，以及发光显示器及其制造方法。
背景技术
通常，发光器件是一种能够从形成在基片上两个电极之间的发射部分主动发光的器件。发光器件可以依据驱动方法分类为：通过薄膜晶体管(下文中，称其为“TFT”)驱动发射部分的有源矩阵(activematrix)型，和通过其他手段驱动发射单元的无源矩阵(passive matrix)型。发光器件可以依据发射的方向分类为：其中光向基片发射的底部发射型，和其中光向与基片相反的方向发射的顶部发射型。另一方面，发光器件可以依据所使用的发射材料分类为：包括有机发光层的有机发光型，和包括无机发光层的无机型。
举例来说，顶部发射型有源矩阵有机发光二极管(下文中，称其为“AMOLED”)的像素部分包括用于开关像素的开关薄膜晶体管(下文中，称其为“TFT”)、驱动晶体管、存储电容、阳极、有机材料层以及公共电极(阴极)。
图1是在常规有机发光器件中在薄膜驱动晶体管的轴上像素的截面图。
参考图1，常规有机发光器件包括：有机发光层12，其形成在多个由像素电极8、阴极(金属电极)15以及透明电极16的交叉部分所限定的像素中，所述各种电极都在玻璃基片上形成多个；TFTA，其形成在玻璃基片1上，同时其漏端电连接到像素电极8；空穴注入层(下 文中，称其为“空穴注入层”)10以及空穴转移层(下文中，称其为“空穴传输层”)11，二者以层状形成在像素电极8和有机发光层12之间；以及电子转移层(下文中，称其为“电子传输层”)13及电子注入层(下文中，称其为“电子注入层”)14，二者以层状形成在有机发光层12与金属公共电极15之间。
TFTA包括：半导体层2，其形成在玻璃基片1的一区域上，并由源/漏区2a、2b以及沟道区2c构成；栅绝缘膜3，其形成在包括半导体层2的玻璃基片1的全部区域；以及栅电极4，其形成在沟道区2c上的栅绝缘膜3上。
此处，源/漏区2a、2b与沟道区2c之间的边界与栅电极4的正边(positive edge)对准。
另外，在TFTA上形成露出源区2a和漏区2b的层间绝缘膜5，以允许电极线6通过层间绝缘膜5的开口电连接到源/漏区2a、2b。
而且，在包括电极线6的层间绝缘膜5的正面(front surface)，形成露出电连接到漏区2b的电极线6的平坦化(leveling)绝缘膜7。
在平坦化绝缘膜7上，形成像素电极8，其通过平坦化绝缘膜7的开口电连接到TFTA的漏区2b。
形成绝缘膜9，以掩埋相邻像素电极8之间部分像素电极8。
在像素电极8上相继形成空穴注入层10，空穴传输层11，R、G、B任意一个的有机发光层12、电子传输层13以及电子注入层14。
公共电极15、16由金属公共电极15和透明公共电极16构成，二者形成在电子注入层14上，然后在透明公共电极16上形成保护膜17。
下面参考图2给出对常规发光器件制造工艺的说明。
图2a至图2d示出常规发光器件的制造工艺。
参考图2a，利用多晶硅等在玻璃基片1上形成半导体层2，其用作TFT的有源层，然后以仅保留设计用于TFT的区域的方式使半导体层2形成图案。 
然后，在已相继以层状形成栅绝缘膜3和栅电极的导电膜之后，通过以在形成图案的半导体层2的区域上保留导电膜的方式，使栅电极的导电膜形成图案，形成栅电极4。
通将杂质如B、P等注入到半导体2中，以栅电极4作为掩模，然后对其进行热处理，形成源/漏区2a、2b，从而在沟道区2c中是没有注入杂质的半导体层2。
在此之后，在正面上形成层间绝缘膜5，并通过有选择地去除层间绝缘膜5和栅绝缘膜3形成接触孔，从而使得TFT的源/漏区2a、2b露出。
然后，形成厚度足以掩埋接触孔的第一金属膜，并通过有选择地去除第一金属膜使得仅在接触孔及其临近区域保留金属膜，而形成与源/漏区2a、2b电连接的电极线6。
随后，通过在正面形成平坦化绝缘膜7，使正面平坦化，并通过有选择地去除平坦化绝缘膜7而形成接触孔使得连接到漏区2b的电极线6露出。之后，将由具有高的反射性和功函数的金属如Cr、Al、Mo、Ag、Au等制成的第二金属膜加到该正面。
此处，也在接触孔中形成第二金属膜，使得该金属膜在接触孔底部连接到电极线6。
然后，通过有选择地去除第二金属膜使得其仅在像素部分保留，而形成像素阳极或像素电极8，其通过电极线6连接到下面的漏区2b。
参考图2b，形成绝缘膜9以覆盖相邻像素电极8之间部分像素电极8。
参考图2c，淀积空穴注入层10和空穴传输层11以作为公共有机层，利用遮蔽掩模(shadow mask)形成用于R、G、B的有机发光层，并然后相继形成例如电子传输层13和电子注入层14的有机层。
参考图2d，在已形成这些有机层(10至14)之后，在其上形成金属公共电极15，由此通过加入数nm厚的Al并随后加入数nm至数十nm厚的Ag或加入数nm至数十nm厚的其他金属如MgxAg1-x，形成金属公共电极15。
此外，利用透明导电材料如ITO、IZO等，在金属公共电极15上形成透明公共电极16。
最后，形成用于保护这些有机层(10至14)免受氧气、湿度等影响的保护膜17，并利用密封剂和透明基片将其安装，以这一步骤完成顶部发射型有源矩阵有机发光器件。
与其中光从基片的底部发射的底部发射型有机发光器件相比，在如上的顶部发射型有源矩阵有机发光器件中，在有机发光层通过空穴和电子复合而生成的光，发射通过金属电极15。因此，在这种底部发射型有机发光器件中要用作金属公共电极15的金属膜的厚度不能足够厚，并且通常被限制到数nm至数十nm，以保证期望的透射率。
然而，由于在有机发光器件中大量的电流持续流过金属公共电极15，因此如果金属公共电极15不是足够厚，那么可能出现由于热或氧化而引起的短路。
具体来说，在将Ag用于金属公共电极15的情形下，由于Ag原子的迁移，可能出现聚团(lumping)，导致寿命减少并降低产品的可靠性。
另一方面，如果金属公共电极15的厚度增加到10nm～15nm，或者甚至到20nm，以解决上述寿命缩短和可靠性降低的问题，透射率迅速降低，大幅度降低了发射效率。
另一方面，图3和图4示出了有机发光显示器，其包括与有机发光器件形成在一起的焊盘，该焊盘电连接到驱动该有机发光器件的布线。
图3是常规有机发光显示器的平面图，图4是图3中所示的有机发光显示器沿区域X～X’截取的截面图。
参考图3，常规有机发光器件300形成有其上设有多个像素(未示出)的像素电路部分308以及电连接到焊盘部分304以驱动有机发光器件的布线部分306。
另外，在与焊盘部分304电连接的布线部分306上形成阴极电极310，其是用于将电压作用到地电源的公共电极。
更具体的，如图4中所示的常规有机发光器件400形成有栅绝缘膜403，其用于使基片302上栅电极绝缘，以及层间绝缘膜405，其用于使源区(未示出)和漏区(未示出)露出。此外，在层间绝缘膜405 的上面，形成平坦化绝缘膜407，其用于使层间绝缘膜405的上表面平坦化，形成布线部分306，以便将电压作用到地电源，以通过平坦化绝缘膜407的接触孔P1将层间绝缘膜405电连接到焊盘部分304。
此外，形成作为公共电极的阴极电极310，以电连接到通过接触孔P1露出的布线部分306，并覆盖空穴注入层411、空穴传输层413、发光层414、电子传输层415以及电子注入层417。
最后，在阴极电极310的上面形成用于防止湿气和氧气穿透的保护膜419。
在如此架构的常规有机发光显示器300、400中，由于该有机发光器件特性使然，大量的电流持续流过阴极电极310，其是电连接到布线部分306的公共电极。此时，出现这样的问题，即，在大量的电流持续流过形成得较薄的阴极电极310的情况下，由于电流所产生的热，阴极电极310变得短路或被氧化。因此，出现有机发光器件寿命缩减，对有机发光器件的信任下降的问题。
发明内容
因此，本发明的一个方面是至少解决现有技术的这些问题和缺点。
根据本发明的一个方面，提供一种发光器件，其包括：基片，其包括薄膜晶体管；第一电极，其形成在基片上，并电连接到薄膜晶体管；发光部分，其形成在第一电极上；第二电极，其形成在发光部分上；以及辅助公共电极，其形成在第二电极的部分区域上，该部分区域包括一部分非发射区域，其中，该第二电极的厚度小于辅助公共电极的厚度。
根据本发明另一方面，提供一种制造发光器件的方法，其包括：制备包括薄膜晶体管的基片；在基片上形成电连接到薄膜晶体管的第 一电极；在第一电极上形成发光部分；在发光部分上形成第二电极；以及在第二电极的部分区域上形成辅助公共电极，该部分区域包括一部分非发射区域，其中，该第二电极的厚度小于辅助公共电极的厚度。
此时，该发光器件进一步包括形成在第一电极上的绝缘膜，在第一电极和发光部分之间部分的绝缘膜是开口的。另一方面，该辅助公共电极可以形成在第二电极的上面或下面。此外，辅助公共电极的电阻小于第二电极的电阻。同时，该第一电极和第二电极可以分别是阳极电极和阴极公共电极。
根据本发明再一方面，提供一种发光显示器，其包括：基片；像素电路部分，其包括在位于基片上的第一电极和第二电极之间形成的发光部分；布线部分，其形成来与第二电极电连接；绝缘膜，其形成在该布线部分上，并形成有通过露出一部分布线部分而形成的接触孔，该接触孔使第二电极和布线部分电连接；以及辅助公共电极，其形成在第二电极上，该辅助公共电极位于与接触孔相同的线上，其中，该第二电极的厚度小于辅助公共电极的厚度。
根据本发明另一方面，提供一种制造发光显示器的方法，其包括：制备基片；形成像素电路部分，该像素电路部分包括在位于基片上的第一电极和第二电极之间形成的发光部分；形成电连接到第二电极的布线部分；形成绝缘膜，该绝缘膜形成在布线部分上并且形成有接触孔，该接触孔是通过露出一部分的布线部分而形成的，该接触孔使第二电极与布线部分电连接；以及在第二电极上形成辅助公共电极，以使之位于与接触孔相同的线上，其中，该第二电极的厚度小于辅助公共电极的厚度。
根据本发明又一方面，提供一种发光显示器，其包括：基片；像素电路部分，其包括在位于基片上的第一电极和第二电极之间形成的发光部分；布线部分，其形成来电连接到第二电极；绝缘膜，其形成在布线部分上，并且形成有一个或多个接触孔，该接触孔是通过露出一部分的布线部分而形成的，该接触孔使第二电极和布线部分电连接；以及辅助公共电极，其形成在第二电极上，以在布线部分的纵向与一个或多个接触孔对应，其中，该第二电极的厚度小于辅助公共电极的 厚度。
根据本发明又一方面，提供一种制造发光显示器的方法，其包括：制备基片；形成像素电路部分，该像素电路部分包括在位于基片上的第一电极和第二电极之间形成的发光部分；形成电连接到第二电极的布线部分；形成绝缘膜，该绝缘膜形成在布线部分上并且形成有一个或多个接触孔，该接触孔是通过露出一部分的布线部分而形成的，该接触孔使第二电极与布线部分电连接；以及在第二电极上形成辅助公共电极，以在布线部分的纵向上与一个或多个接触孔对应，其中，该第二电极的厚度小于辅助公共电极的厚度。
附图说明
将参考附图说明本发明，在附图中相同的附图标记表示相同的部分。在附图中：
图1是常规有机发光器件的截面图；
图2a至图2d示出常规有机发光器件的制造工艺；
图3是常规有机发光器件的平面图；
图4是沿区域X～X’截取的图3中所示的有机发光器件的截面图；
图5是根据本发明实施例的发光器件的截面图；
图6是根据本发明实施例的发光器件的平面图；
图7a至图7f示出根据本发明实施例的发光器件的制造工艺；
图8a至图8b是根据本发明其他实施例的发光器件的平面图；
图9是根据本发明实施例的有机发光显示器的平面图；
图10是沿区域Y～Y’截取的图9中所示的有机发光显示器的截面图；
图11是根据本发明其他实施例的有机发光显示器的平面图；
图12是沿区域Z～Z’截取的图11中所示的有机发光显示器的截面图；以及
图13是根据本发明另一实施例的有机发光显示的平面图。
具体实施方式
下面将参考附图以更详细的方式说明本发明的优选实施例。
<1.发光器件>
图5是根据分明实施例的发光器件的截面图。
如图所示，根据本发明实施例的发光器件包括：发光层32，其在由多个由阳极28和阴极35的交叉区域所限定的像素中形成，所述阳极和阴极都在玻璃基片21上形成多个；TFT B，其形成在玻璃基片21上，同时其漏端电连接到阳极28；以及辅助公共电极37，其具有规定的厚度，形成在除像素部分之外的区域上，即，包括TFT B的非发射区域，并且电连接到阴极35。辅助电极37作用来防止由于大量的电流持续流过阴极公共电极35而引起的可能的热致短路(heat short)以及阴极公共电极35可能的氧化。
TFT B包括：半导体层32，其形成在玻璃基片21的一区域上，并由源/漏区22a、22b和沟道区22c构成；栅绝缘膜23，其形成在包括半导体层22的玻璃基片的整个区域上；以及栅电极24，其形成在沟道区域22c上的栅绝缘膜23上。
此处，源/漏区22a、22b与沟道区22c之间的边界与栅电极24的正边对准。
此外，在TFT B上形成露出源区22a和漏区22b的层间绝缘膜25，以允许电极线26通过层间绝缘膜25的开口电连接到源/漏区22a、22b。
并且，在包括电极线26的层间绝缘膜25的正面上形成露出电连接到漏区22b的电极线26的平坦化绝缘膜27。
在平坦化绝缘膜27上，形成阳极28，其通过平坦化绝缘膜27的 开口电连接到TFTB的漏区22b。
在阳极28以及平坦化绝缘膜27的一些部分上形成绝缘膜29。并且在阳极28和绝缘膜27上以层状相继形成空穴注入层30和空穴传输层31，同时在空穴传输层31的像素部分上形成R、G、B的发光层32。
在R、G、B发光层32和空穴传输层31上形成电子传输层32和电子注入层34，由此绝缘膜29作用为R、G、B发光层32与临近其他R、G、B发光层的之间的绝缘势垒。
并且，在电子注入层34上形成阴极公共电极35，在除形成发光层32的像素区域外的阴极公共电极35的非发射区域上，以带状形成辅助公共电极37。
此处，阴极公共电极35优选以1nm～5nm厚度的Ag或MgxAg1-x 制成，同时辅助公共电极37优选由电阻低于阴极公共电极35的材料如Al，以大于阴极公共电极35的厚度而构成，优选的8nm～20nm。通过如上使阴极公共电极35的厚度最小化，从发光层32发射的光线可以向与玻璃基片21相反的方向发送，因此，这一类型的发光器件称为顶部发射型发光器件。
由于辅助公共电极37形成在包括TFTB的阴极公共电极35的非发射区域，因而不影响发射区域的开口比(opening ratio)，从而可以增强透射率。
而且，由于辅助公共电极37具有比阴极公共电极35更大的厚度和更低的电阻，因此大多数阴极公共电极35的电流由辅助公共电极37所接收，使得能够防止由于Ag原子的迁移所引起的热致短路以及聚团。结果，在阴极公共电极35上形成辅助公共电极37使得能够降低表面电阻。
如图5和图6中所示，并且如图6中更具体示出的，在根据本发明实施例的发光器件中，在包括R、G、B发射部分(30至34)的基片21上形成阴极公共电极35，并且在除形成发光层32的像素部分以外的阴极公共电极35的非发射部分上，以带状形式形成辅助公共电极37。因此，辅助公共电极37不影响发光层32的开口比，并且由于大多数的阴极公共电极35的电流为辅助公共电极37所接收，因而能够防止由Ag原子的迁移而引起的热致短路以及聚团。
在此，R、G、B发射部分(30至34)包括如上所述从有机材料发光的有机发光层。然而，本发明并不限于此，而是也可以包括从无机材料发光的无机发光层。如果R、G、B发射部分(30至34)包括有机发光层，则该发光器件称为有机发光器件，而如果这些部分包括无机发光材料，则该发光器件称为无机发光器件，或简单的，发光器件。
下面参考图7a至图7f给出根据本发明的发光器件的制造方法。
图7a至图7f示出根据本发明实施例的发光器件的制造工艺。
参考图7a，采用多晶硅等在玻璃基片21上形成半导体层22，其用来作为TFT的有源层，然后，以仅设计用于TFT的区域得以保留的方式使半导体层22形成图案。 
然后，在已相继以层状形成栅绝缘膜23和栅电极的材料之后，通过以使在形成图案的半导体层22上材料保留的方式，使栅电极形成图案，形成栅电极24。
通过将杂质如P、B等注入进半导体层22，并随后以栅电极24作为掩模，然后对其进行热处理，形成TFT的源/漏区22a、22b。
之后，在正面上形成层间绝缘膜25，并通过有选择地去除层间绝缘膜25和栅绝缘膜23，形成接触孔，使得露出TFTB的源/漏区22a、22b。
然后，形成厚度足以掩埋接触孔的第一金属膜，并通过有选择地去除第一金属膜使得仅在接触孔及其相邻区域保留金属膜，来形成要电连接到源/漏区22a、22b的电极线26。
随后，通过在正面形成平坦化绝缘膜27，使正面平坦化，并且通过有选择地去除平坦化绝缘膜27而形成接触孔使得连接到漏区22b的电极线26露出。在此之后，将由高的反射性和功函数的金属如Cr、Al、Mo、Ag、Au等制成的第二金属膜加到正面。
在此，也在接触孔中形成第二金属膜，使得在接触孔的底部金属膜连接到电极线26。
然后，通过有选择地去除第二金属膜使得其仅在像素部分保留，来形成像素阳极或阳极28。
参考图7b，形成绝缘膜29，以覆盖阳极28和绝缘膜27的一些部分。 
参考图7c，通过相继增加空穴注入层30和空穴传输层31形成公共有机层。利用遮蔽掩模形成R、G、B的发光层，然后，通过在其上形成电子传输层33和电子注入层34而生成发光部分(30至34)。
参考图7d，在电子注入层34上形成阴极公共电极35，由此通过加入1～5nm厚的Ag或MgxAg1-x产生阴极公共电极35。
参考图7e，通过真空贴附工艺(vacuum affixation process)利用具有条子图案的遮蔽掩模36，在除包括TFT B的像素部分之外的区域上形成辅助公共电极37，这里辅助公共电极37由这样的材料制成，其具有比阴极公共电极35低的电阻，比如Al，并且具有比阴极公共电极35大的厚度，比如10～15nm。
参考图7f，形成保护膜38，其用于保护R、G、B发光层(30至34)免受氧气、湿度等的影响，并利用密封剂39和透明基片40将其安装，以该步骤完成根据本发明实施例的有源矩阵有机发光器件。
在此，R、G、B发光部分(30至34)包括如上所述从有机材料发光的有机发光层。然而，本发明并不限于此，而是也可以包括从无机材料发光的无机发光层。
可以利用上述的发光器件通过将其与电路板和控制部件组合，生产用于移动电话、计算机、HDTV的发光面板。
由于在包括TFT B的阴极公共电极35的非发射区域上形成辅助公共电极37，从而没有影响发光区域的开口比，因此能够增强透射率。
尽管上述说明涉及本发明的一个实施例和一些附图，但本发明不限于此。
尽管上面将辅助公共电极37描述为形成在包括TFTB的非发射区域上，或在除像素区域外的区域上，但是其也可以形成在包括有机发光层32的发光区域上或像素区域上。在这些情况下，有机发光区域32可以扩展到TFT，并且出于使开口比最大化的目的，可以在扩展的边缘形成辅助公共电极37。
在上述描述中，辅助公共电极37具有大于阴极公共电极35的厚 度。但是，辅助公共电极37的厚度也可以与阴极公共电极35的厚度相同或者甚至比它小，即，辅助公共电极37的厚度可以取允许阴极公共电极35具有最小厚度，并且同时抵抗由于电流流过阴极公共电极35而产生的热量的任意值。
在上面的描述中，辅助公共电极37由Al制成，其具有比阴极公共电极35低的电阻。然而，辅助公共电极37也可以由与阴极公共电极35相同的材料制成。在这样的情况下，由于对于辅助公共电极37和阴极公共电极35使用了相同的材料，在真空贴附工艺中可以不使用遮蔽掩模来形成阴极公共电极35，并且可以在相同的腔室中形成辅助公共电极37。因此可以简化制造工艺。结果是，在阴极公共电极35上形成具有与阴极公共电极35相同材料的辅助公共电极37，允许降低表面电阻。如此，本发明覆盖目前和将来要实现的所有实施例和修改。
在上面的描述中，如图6和图8a所示，形成辅助公共电极37平行于R、G、B有机发光部分。然而，辅助公共电极37也可以如图8b所示形成得垂直于R、G、B发光层。在后者的情况下，R、G、B发光层应当优选形成在纵向。
阴极公共电极35和辅助公共电极37由Ag、Al、Au、Cu、Mg、Cr、Mo、LiF、ITO以及IZO，或这些材料的合金的任意一种构成。特别的，通过形成具有透明电极例如ITO、IZO等的阴极公共电极35，可以使透射率最大化。并且，利用LiF等，可以将阴极公共电极35的厚度至少最小化到1nm。
尽管上面参考有源矩阵有机发光器件解释了本发明，然而通过在阴极的上部或下部形成低电阻的辅助公共电极，本发明还可以为顶部发射型无源有机发光器件提供防止热量。进一步的，本发明还提供其中利用透明电极如ITO、IZO和ITZO作为阳极28的顶部发射型有机发光器件。
在上面的说明中，保护膜38、密封剂39和透明基片40形成在阴极公共电极35和辅助公共电极37上。然而，在阴极公共电极35和辅助公共电极37上不形成保护膜，以及透明基片通过密封剂附到玻璃基片21也是可能的，在此情况下，应当优选在内部包含用于去除湿度和氧气的湿气吸收剂。
在上面的说明中，阳极28形成在平坦化绝缘膜27上，空穴注入层30形成在阳极28上，而阴极公共电极35形成在电子注入层34上。然而，阴极公共电极35形成在平坦化绝缘膜27上，电子注入层34形成在阴极公共电极35上，而阳极28形成在空穴注入层30上，这也是可能的。以这样的方式，可以通过改变驱动方式或通过改变电极材料，以对开口比影响最小来增强发射效率，同时发光器件将光发射向一个或两个方向。
上面将辅助公共电极37描述为形成在非发射区域中阴极公共电极35的上部，以简化说明。但是，本发明并不限于此，而是也包括形成在阴极公共电极35下部的辅助公共电极37，尽管在附图中未示出这样的情况。
<2.发光显示器>
另一方面，图9和图10示出了根据本发明的有机发光显示器，其包括焊盘部分，其上有机发光器件形成为电连接到驱动有机发光器件的布线。
图9是根据本发明实施例的有机发光显示器的平面图，图10是沿区域Y～Y’截取的图9中所示的有机发光显示器的截面图。
首先，如图9中所示，本发明一个示例的有机发光显示器900定义有位于基片902上并具有多个像素903的像素电路部分908(未示 出)，以及形成来电连接到焊盘部分904以驱动有机发光器件的布线部分906。
另外，在电连接到焊盘部分904的布线部分906上，形成有阴极公共电极910，其是将电压作用到地电压源的第二电极。
此时，在根据本发明的有机发光显示器900中，在阴极公共电极910的上面形成辅助公共电极912，以便使其位于与通过接触孔P1而露出的布线部分906相同的线上。 
更具体地，如图10中所示，在根据本发明的有机发光显示器1000中，在基片902上形成用于使栅电极绝缘的栅绝缘膜903以及用于使源区(未示出)和漏区(未示出)露出的层间绝缘膜1005。
此外，在层间绝缘膜1005上面，形成有用于使表面平坦化的平坦化绝缘膜1007。并且，布线部分906通过平坦化绝缘膜1007的接触孔P1，将层间绝缘膜1005电连接到焊盘部分904，并且布线部分906被形成来将电压作用到地电压源。
此时，布线部分906由栅电极材料或数据线电极材料形成，其中其由数据线电极材料形成来施加数据信号。
另外，形成阴极公共电极910，其是第二电极，以电连接到布线部分906和覆盖空穴注入层1011、空穴传输层1013、发光层1014、电子传输层1015、电子注入层1017。并且，在阴极公共电极910的上面形成辅助公共电极912，以使其位于与通过用于平坦化的平坦化绝缘膜1007的接触孔P1而露出的布线部分906相同的线上。
优选的，辅助公共电极912连接到通过接触孔P1露出的布线部分906，并且其形成在阴极公共电极910的上面，因而其形成来延伸到达 像素电路部分908的非发射区域P2。
此时，阴极公共电极910和辅助公共电极912由Ag、Al、Au、Cu、Mg、Cr、Mo、LiF、ITO以及IZO，或这些材料的合金的任意一种形成，其中辅助公共电极912的材料优选由具有低于阴极电极910的电阻的成分形成。
最后，在辅助公共电极912的上面形成保护膜1019，以防止湿气和氧气穿透。
这样，在根据本发明的有机发光显示器900、1000中，尽管由于该有机发光器件的特性使然，大量的电流持续流过电连接到布线部分906的阴极公共电极910，但是辅助公共电极912连接到通过接触孔P1露出的布线部分906，并且形成在阴极电极910的上面，从而延伸到达像素电路部分908的非发射P2，这允许降低阴极公共电极910的表面电阻。
因此，其能够防止器件在大量的电流持续流过时由于所产生的热量而短路或被氧化，并且从而能够延长器件的寿命，提高可靠性。
另一方面，通过改变根据本发明有机发光显示器的辅助公共电极的结构，能够降低与布线部分电连接的阴极公共电极的表面电阻。
图11是根据本发明另一实施例的有机发光显示器的平面图，图12是沿区域Z～Z’截取的图11中所示的有机发光显示器的截面图。
如图11中所示，类似于参考图3所示出的有机发光显示器(图3的300)，根据本发明的有机发光显示器1100包括：基片1102；像素电路部分1108(未示出)，其具有多个像素(未示出)；布线部分1106，其形成来电连接到焊盘部分1104；以及阴极公共电极1110，其是第二 电极。
根据本发明的有机发光显示器1110的各部分间的系统关系及其每一操作，类似于上面参考图3所示示出的有机发光显示器300，因此省略了对其详细说明。
此处，在根据本发明的有机发光显示器1100中，辅助公共电极1112相应于在布线部分1106的纵向上一个或多个接触孔P1，形成在阴极公共电极110的上面。
更具体的，在如图12中所示的有机发光显示器1200中，在基片1102上形成有用于使栅电极绝缘的栅绝缘膜1203，以及用于使源区(未示出)和漏区(未示出)露出的层间绝缘膜1205。并且，在层间绝缘膜1205的上面，形成平坦化绝缘膜1207，以使表面平坦，并形成布线部分1106，以将电压施加到地电压源，以通过平坦化绝缘膜1207的接触孔P1将层间绝缘膜1205电连接到焊盘部分1104。此时，布线部分1106由栅电极材料或数据线电极材料形成，其中其由数据线电极材料形成以施加数据信号。
此外，形成阴极公共电极1110，其是第二电极以给出与布线部分1106的电连接，以覆盖空穴注入层1211、空穴传输层1213、发光层1214、电子传输层1215、电子注入层1217，并且在阴极电极1110的上面形成辅助公共电极1112，以对应于在布线部分1206纵向上一个或多个接触孔P1。优选的，在阴极公共电极1110的上面形成辅助公共电极1112，以对应于布线部分1206的整个区域P3。
此时，阴极公共电极1110和辅助公共电极1112由Ag、Al、Au、Cu、Mg、Cr、Mo、LiF、ITO以及IZO，或这些材料的合金的任意一种形成，其中辅助公共电极1112的材料优选由具有低于阴极电极1110的电阻的成分形成。
以与上面参考图10说明的有机发光显示器的保护膜1019相同顺序的工艺，来制备之后要形成的保护膜1219，并省略了详细说明。
这样，在根据本发明的有机发光显示器1100、1200中，类似于上面参考图9和图10说明的有机发光显示器900、1000，尽管由于该有机发光器件的特性使然，大量的电流持续流过电连接到布线部分1206的阴极电极1110，其是公共电极，但是在阴极公共电极1110的上面形成辅助公共电极1112，以对应于在布线部分1206的纵向上布线部分1206的整个区域P3，这允许降低阴极公共电极1110的表面电阻。因此，其能够防止器件在大量的电流持续流过时由于所产生的热量而短路或被氧化，并且从而能够延长器件的寿命，提高可靠性。
另一方面，通过改变根据本发明有机发光显示器的辅助公共电极的结构，能够进一步降低与布线部分电连接的阴极公共电极的表面电阻，这将在下面参考图13来进行说明，图13示出了本发明的另一实施例。
图13是根据本发明另一实施例的有机发光显示器的平面图。首先，根据本发明的有机发光显示器配置得类似于上面参考图9和图11所说明的有机发光显示器。
如图13中所示，类似于参考图9和图11所示出的有机发光显示器(图9的900、图10的1000)，根据本发明的有机发光显示器1300包括：基片1302；像素电路部分1308(未示出)，其具有多个像素1303；布线部分1306，其形成来电连接到焊盘部分1304；以及阴极公共电极1310，其是第二电极。
根据本发明的有机发光显示器1300中各部分间的系统关系及其每一操作，类似于上面参考图9和图11所示示出的有机发光显示器900、 1100，因此省略了对其详细说明。
此处，在根据本发明的有机发光显示器1300中，辅助公共电极1312形成在阴极公共电极1310的上面，以相应于在布线部分1306的纵向上布线部分1306的整个区域P3，并且在阴极公共电极1310的上面，进一步形成另一辅助公共电极1321，以使之位于与接触孔P1相同的线上，同时连接到辅助公共电极1312。此时，甚至在像素电路部分1308的非发射区域P2上形成辅助公共电极1321。
这样，在根据本发明的有机发光显示器1300中，类似于上面参考图9至图12说明的有机发光显示器900、1000、1100、1200，尽管由于该有机发光器件的特性使然，大量的电流持续流过电连接到布线部分1306的阴极公共电极1310，但是在阴极电极1310的上面形成辅助公共电极1312，以对应于在布线部分1306的纵向上布线部分1306的整个区域P3，并且在阴极公共电极1310的上面进一步形成另一辅助公共电极1321，以使之位于与接触孔P1相同的线上，同时连接到辅助公共电极1312，并且这允许进一步降低阴极公共电极1310的表面电阻。因此，其能够防止器件在大量的电流持续流过时由于所产生的热量而短路或被氧化，并且从而能够延长器件的寿命，提高可靠性。
如上描述了本发明，显然其可以以许多中方法变化。这种变化不认为是脱离了本发明的精神和范围，并且对所有本领域技术人员来说显而易见的这些修改都被包括在下面的权利要求的范围内。

Claims (12)

1.一种发光显示器，包括：
基片；
像素电路部分，其包括在位于基片上的第一电极和第二电极之间形成的发光部分；
布线部分，其形成来电连接到第二电极；
绝缘膜，其形成在该布线部分上，并形成有通过露出一部分布线部分而形成的接触孔，该接触孔使第二电极与布线部分电连接；以及
辅助公共电极，其形成在第二电极上，该辅助公共电极位于与接触孔相同的线上，以跨接布线部分和像素电路部分，
其中，该第二电极的厚度小于辅助公共电极的厚度，
其中，辅助公共电极形成在该第二电极的上面，以及
其中，一部分辅助公共电极和一部分第二电极完全覆盖接触孔，使得所述一部分第二电极直接接触布线部分。
2.如权利要求1所述的发光显示器，其中
形成该辅助公共电极以使之连接到接触孔。
3.如权利要求1所述的发光显示器，其中
该辅助公共电极形成在像素电路部分的非发射区域上。
4.如权利要求1所述的发光显示器，其中
该布线部分由栅电极材料或数据线电极材料形成。
5.如权利要求1所述的发光显示器，其中
该第二电极是公共阴极电极。
6.一种发光显示器，包括：
基片；
像素电路部分，其包括在位于基片上的第一电极和第二电极之间形成的发光部分；
布线部分，其形成来电连接到第二电极；
绝缘膜，其形成在该布线部分上，并形成有通过露出一部分布线部分而形成的一个或多个接触孔，该接触孔使第二电极与布线部分电连接；以及
辅助公共电极，其形成在第二电极上，以对应于在布线部分的纵向上一个或多个接触孔，
其中，该第二电极的厚度小于辅助公共电极的厚度，
其中，辅助公共电极形成在该第二电极的上面，以及
其中，一部分辅助公共电极和一部分第二电极完全覆盖接触孔，使得所述一部分第二电极直接接触布线部分。
7.如权利要求6所述的发光显示器，其中
该布线部分由栅电极材料或数据线电极材料形成。
8.如权利要求6所述的发光显示器，其中
该第二电极是公共阴极电极。
9.一种制造发光显示器的方法，包括：
制备基片；
形成像素电路部分，该像素电路部分包括在位于基片上的第一电极和第二电极之间形成的发光部分；
形成电连接到第二电极的布线部分；
形成绝缘膜，该绝缘膜形成在布线部分上并且形成有接触孔，该接触孔是通过露出一部分的布线部分而形成的，该接触孔使第二电极与布线部分电连接；以及
在第二电极上形成辅助公共电极，以使之位于与接触孔相同的线上并跨接布线部分和像素电路部分，
其中，该第二电极的厚度小于辅助公共电极的厚度，
其中，辅助公共电极形成在该第二电极的上面，以及
其中，一部分辅助公共电极和一部分第二电极完全覆盖接触孔，使得所述一部分第二电极直接接触布线部分。
10.如权利要求9所述的制造发光显示器的方法，其中
所述形成辅助公共电极包括，形成辅助公共电极使得该辅助公共电极形成为连接到接触孔。
11.如权利要求9所述的制造发光显示器的方法，其中
所述形成辅助公共电极包括，在像素电路部分的非发射区域上形成辅助公共电极。
12.一种制造发光显示器的方法，包括：
制备基片；
形成像素电路部分，该像素电路部分包括在位于基片上的第一电极和第二电极之间形成的发光部分；
形成电连接到第二电极的布线部分；
形成绝缘膜，该绝缘膜形成在布线部分上并且形成有一个或多个接触孔，该接触孔是通过露出一部分的布线部分而形成的，该接触孔使第二电极与布线部分电连接；以及
在第二电极上形成辅助公共电极，以对应于在布线部分的纵向上一个或多个接触孔，
其中，该第二电极的厚度小于辅助公共电极的厚度，
其中，辅助公共电极形成在该第二电极的上面，以及
其中，一部分辅助公共电极和一部分第二电极完全覆盖接触孔，使得所述一部分第二电极直接接触布线部分。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100845856B1 (ko) * 2006-12-21 2008-07-14 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
KR101374088B1 (ko) * 2007-03-08 2014-03-14 삼성디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이를 갖는 표시패널
KR101476444B1 (ko) * 2008-06-03 2014-12-26 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
KR20110111747A (ko) 2010-04-05 2011-10-12 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101407587B1 (ko) * 2011-06-02 2014-06-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법
KR101407590B1 (ko) * 2012-11-19 2014-06-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR102023896B1 (ko) * 2013-02-15 2019-09-24 삼성디스플레이 주식회사 표시기판 및 그 제조방법
CN103247762A (zh) * 2013-04-19 2013-08-14 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种主动式oled显示器件及其制备方法
CN104576705B (zh) * 2015-01-27 2018-03-30 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及制作方法、显示装置
CN106847867B (zh) * 2017-02-20 2021-09-21 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光显示器件及其制备方法和显示装置
CN106876413A (zh) * 2017-03-17 2017-06-20 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置
CN108630143B (zh) * 2017-03-21 2020-07-07 群创光电股份有限公司 显示面板
WO2020107337A1 (zh) * 2018-11-29 2020-06-04 深圳市柔宇科技有限公司 显示面板及显示装置
KR102646719B1 (ko) * 2019-02-22 2024-03-14 삼성디스플레이 주식회사 투명 표시 장치 및 이의 제조 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1582078A (zh) * 2003-08-05 2005-02-16 Lg电子株式会社 顶部发光型有源矩阵场致发光设备及其制造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1582078A (zh) * 2003-08-05 2005-02-16 Lg电子株式会社 顶部发光型有源矩阵场致发光设备及其制造方法

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