JPH04351885A - 多色表示elディスプレイの製造方法 - Google Patents
多色表示elディスプレイの製造方法Info
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- JPH04351885A JPH04351885A JP3152235A JP15223591A JPH04351885A JP H04351885 A JPH04351885 A JP H04351885A JP 3152235 A JP3152235 A JP 3152235A JP 15223591 A JP15223591 A JP 15223591A JP H04351885 A JPH04351885 A JP H04351885A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 10
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 9
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 abstract 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract 3
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 abstract 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 17
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 17
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 17
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 17
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000005132 Calcium sulfide based phosphorescent agent Substances 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004446 Ta2 O5 Inorganic materials 0.000 description 1
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N ammonium fluoride Chemical compound [NH4+].[F-] LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010186 staining Methods 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、2種以上の異なる発光
色を有する薄膜エレクトロルミネッセンス(以下ELと
いう)素子が平面的に配列され、多色表示が得られるE
Lディスプレイの製造方法に係り、特に発光層の輝度に
むらがなく、発光素子の信頼性の高い多色表示ELディ
スプレイの製造方法に関する。
色を有する薄膜エレクトロルミネッセンス(以下ELと
いう)素子が平面的に配列され、多色表示が得られるE
Lディスプレイの製造方法に係り、特に発光層の輝度に
むらがなく、発光素子の信頼性の高い多色表示ELディ
スプレイの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、多色表示ELディスプレイと
して発光色の異なる発光素子を平面上に配列したものが
知られており、例えば、図4に示すものがある。これは
、二種類の発光色の異なるEL発光素子を用いたもので
あり、(a)図は概略平面図、(b)図は(a)図中に
示すAーA線での概略断面図である。透明基板61上に
複数の帯状の透明電極62が平行に配列され、その上に
下部絶縁層63(図4(a)においては図示せず)、発
光層64、65が形成されている。発光層は二種類の発
光層が帯状をなし、平面的に交互に配列され、それぞれ
の中心が帯状の透明電極62上となるように設けられて
いる。発光層64、65の上面には上部絶縁層66(図
4(a)においては図示せず)が一様に積層され、上部
絶縁層66の上には複数の帯状の背面電極67が積層さ
れている。この帯状の背面電極67は、透明電極62の
方向と直角となる方向に配列され、マトリックス構造と
なっている。
して発光色の異なる発光素子を平面上に配列したものが
知られており、例えば、図4に示すものがある。これは
、二種類の発光色の異なるEL発光素子を用いたもので
あり、(a)図は概略平面図、(b)図は(a)図中に
示すAーA線での概略断面図である。透明基板61上に
複数の帯状の透明電極62が平行に配列され、その上に
下部絶縁層63(図4(a)においては図示せず)、発
光層64、65が形成されている。発光層は二種類の発
光層が帯状をなし、平面的に交互に配列され、それぞれ
の中心が帯状の透明電極62上となるように設けられて
いる。発光層64、65の上面には上部絶縁層66(図
4(a)においては図示せず)が一様に積層され、上部
絶縁層66の上には複数の帯状の背面電極67が積層さ
れている。この帯状の背面電極67は、透明電極62の
方向と直角となる方向に配列され、マトリックス構造と
なっている。
【0003】このような多色表示ELディスプレイにお
いて透明電極62と背面電極67とから選択的に電圧を
印加すると電圧を印加した電極マトリックスの交点部分
の発光層が発光する。
いて透明電極62と背面電極67とから選択的に電圧を
印加すると電圧を印加した電極マトリックスの交点部分
の発光層が発光する。
【0004】上記例は二種類の発光色の異なるEL発光
素子を用いたものであるが、赤色発光素子(例えば発光
層を、母体材料であるCaS中に発光中心物質としてE
uを添加した材料[CaS:Eu]としたもの)、青色
発光素子(例えば発光層をSrS:Ceとしたもの)、
緑色発光素子、(例えば発光層をZnS:Tb,Fとし
たもの)の三色のEL発光素子を平面的に配列し、フル
カラーディスプレイとしたものも知られている。
素子を用いたものであるが、赤色発光素子(例えば発光
層を、母体材料であるCaS中に発光中心物質としてE
uを添加した材料[CaS:Eu]としたもの)、青色
発光素子(例えば発光層をSrS:Ceとしたもの)、
緑色発光素子、(例えば発光層をZnS:Tb,Fとし
たもの)の三色のEL発光素子を平面的に配列し、フル
カラーディスプレイとしたものも知られている。
【0005】図5は上記のような2種類の発行色の異な
るEL発光素子を有する多色表示ELディスプレイの従
来から知られている製造方法を示す説明図であり、この
製造方法は次のような工程による。 ■図5(a)に示すように透明基板61上に透明電極6
2を形成し、その上から下部絶縁層63を着膜する。 ■下部絶縁層63の上には一の種類の発光層165を一
様に着膜する(図5、(b))。 ■一の種類の発光層上に、当該発光層が形成する素子の
形状および寸法に対応したレジスト68を形成する(図
5、(c))。 ■上記レジストをマスクとして上記一の種類の発光層1
65をエッチングにより除去し、素子部分の発光層65
を形成する(図5、(d))。 ■上記レジスト68上を含む基板上に他の種類の発光層
164を着膜する(図5、(e))。 ■レジスト68およびこの上に着膜された発光層164
を除去し、素子部分の発光層64を形成する(図5、(
f))。 ■二種類の発光層が平面的に配列された層の上に上部絶
縁層66を着膜し、その上に背面電極67を形成して完
成する。
るEL発光素子を有する多色表示ELディスプレイの従
来から知られている製造方法を示す説明図であり、この
製造方法は次のような工程による。 ■図5(a)に示すように透明基板61上に透明電極6
2を形成し、その上から下部絶縁層63を着膜する。 ■下部絶縁層63の上には一の種類の発光層165を一
様に着膜する(図5、(b))。 ■一の種類の発光層上に、当該発光層が形成する素子の
形状および寸法に対応したレジスト68を形成する(図
5、(c))。 ■上記レジストをマスクとして上記一の種類の発光層1
65をエッチングにより除去し、素子部分の発光層65
を形成する(図5、(d))。 ■上記レジスト68上を含む基板上に他の種類の発光層
164を着膜する(図5、(e))。 ■レジスト68およびこの上に着膜された発光層164
を除去し、素子部分の発光層64を形成する(図5、(
f))。 ■二種類の発光層が平面的に配列された層の上に上部絶
縁層66を着膜し、その上に背面電極67を形成して完
成する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような多色表示ELディスプレイの製造方法では、図5
(c)に示すように一の種類の発光層165を着膜後、
この上にレジスト68を形成し、このレジスト68は図
5(f)に示すように、他の種類の発光層164を形成
した後に剥離して除去している。このような工程では発
光層65上に直接レジストを塗布し、剥離するために発
光層65の上面が汚染され、これによって発光時の輝度
にむらが生じたり、発光素子の信頼性が低下するという
問題点がある。
ような多色表示ELディスプレイの製造方法では、図5
(c)に示すように一の種類の発光層165を着膜後、
この上にレジスト68を形成し、このレジスト68は図
5(f)に示すように、他の種類の発光層164を形成
した後に剥離して除去している。このような工程では発
光層65上に直接レジストを塗布し、剥離するために発
光層65の上面が汚染され、これによって発光時の輝度
にむらが生じたり、発光素子の信頼性が低下するという
問題点がある。
【0007】また、図5(e)に示すように一の種類の
発光層をエッチングした後、レジストの上から他の発光
層を着膜するため、後から着膜する他の発光層が着膜時
にレジストの耐熱温度よりも高温を必要とする材料では
高温によってレジストが損なわれ、レジストの機能が失
われてしまう。このため、着膜温度が高温となる発光層
を二種以上使用できないという問題もある。
発光層をエッチングした後、レジストの上から他の発光
層を着膜するため、後から着膜する他の発光層が着膜時
にレジストの耐熱温度よりも高温を必要とする材料では
高温によってレジストが損なわれ、レジストの機能が失
われてしまう。このため、着膜温度が高温となる発光層
を二種以上使用できないという問題もある。
【0008】本発明は上記の問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的は高画質が得られ、信頼性の高い多
色表示ELディスプレイが得られるとともに、着膜温度
が高温となる発光層を二種以上使用することもできる多
色表示ELディスプレイの製造方法を提供することであ
る。
のであり、その目的は高画質が得られ、信頼性の高い多
色表示ELディスプレイが得られるとともに、着膜温度
が高温となる発光層を二種以上使用することもできる多
色表示ELディスプレイの製造方法を提供することであ
る。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
、本発明は、絶縁基板上に、2種以上の発光色の異なる
二重絶縁構造薄膜EL素子を、平面的に配列した多色表
示ELディスプレイの製造方法において、一の種類の発
光層とその上に形成する絶縁層とを着膜し、当該発光層
の素子以外の部分の前記発光層と絶縁層とをともにエッ
チングによって除去して発光層と絶縁層との素子部分積
層体を形成し、この工程を発光層の種類数回繰り返した
後、素子部分積層体間を絶縁物質で埋める工程を含むも
のとする。
、本発明は、絶縁基板上に、2種以上の発光色の異なる
二重絶縁構造薄膜EL素子を、平面的に配列した多色表
示ELディスプレイの製造方法において、一の種類の発
光層とその上に形成する絶縁層とを着膜し、当該発光層
の素子以外の部分の前記発光層と絶縁層とをともにエッ
チングによって除去して発光層と絶縁層との素子部分積
層体を形成し、この工程を発光層の種類数回繰り返した
後、素子部分積層体間を絶縁物質で埋める工程を含むも
のとする。
【0010】
【作用】このような構成の多色表示ELディスプレイの
製造方法では、発光層とその上に形成する絶縁層とを着
膜した後、絶縁層の上にレジストを設けて、上記絶縁層
と前記発光層とを続けてエッチング除去することとして
いるので、レジストは直接発光層と接触することがない
。このため発光層には、レジストの塗布・剥離による汚
れが生じることがなく、発光時に汚れに起因する輝度の
むらが生じたり、汚れによってその後に着膜した絶縁層
が剥離したりすることがなくなる。したがって輝度むら
等のない高画質が得られ、信頼性の高い多色表示ELデ
ィスプレイを製造することが可能となる。
製造方法では、発光層とその上に形成する絶縁層とを着
膜した後、絶縁層の上にレジストを設けて、上記絶縁層
と前記発光層とを続けてエッチング除去することとして
いるので、レジストは直接発光層と接触することがない
。このため発光層には、レジストの塗布・剥離による汚
れが生じることがなく、発光時に汚れに起因する輝度の
むらが生じたり、汚れによってその後に着膜した絶縁層
が剥離したりすることがなくなる。したがって輝度むら
等のない高画質が得られ、信頼性の高い多色表示ELデ
ィスプレイを製造することが可能となる。
【0011】また、一の種類の発光層とその上部に積層
する絶縁層からなる当該発光層の素子部分積層体を形成
した後、他の種類の発光層を高温で着膜する必要があっ
ても、着膜温度以下で形状等が損なわれるレジスト等を
既に除去しており、先に形成した素子部分積層体に影響
を与えることなく順次着膜することが可能となる。さら
に、発光色の異なる発光層のうえに積層する絶縁層をそ
れぞれ別個に形成しているので、これらの材料を発光層
の材料によって異なるものとすることができる。
する絶縁層からなる当該発光層の素子部分積層体を形成
した後、他の種類の発光層を高温で着膜する必要があっ
ても、着膜温度以下で形状等が損なわれるレジスト等を
既に除去しており、先に形成した素子部分積層体に影響
を与えることなく順次着膜することが可能となる。さら
に、発光色の異なる発光層のうえに積層する絶縁層をそ
れぞれ別個に形成しているので、これらの材料を発光層
の材料によって異なるものとすることができる。
【0012】なお、一の種類の素子部分積層体を形成後
、他の種類の発光層とその上に着膜した絶縁層とをエッ
チングするときには、先に形成した素子部分積層体がレ
ジストで保護されていないが、絶縁層と発光層とで異な
るエッチャントを用いることになるので、絶縁層のエッ
チャントに対して後から着膜した発光層が先に形成した
素子部分積層体を覆って保護することになる。その後の
発光層をエッチングするときのエッチャントに対しては
、既に形成されている素子部分積層体の上層にある絶縁
層が耐性を有しており、これらの素子部分積層体を損な
うことなくエッチングが可能となる。
、他の種類の発光層とその上に着膜した絶縁層とをエッ
チングするときには、先に形成した素子部分積層体がレ
ジストで保護されていないが、絶縁層と発光層とで異な
るエッチャントを用いることになるので、絶縁層のエッ
チャントに対して後から着膜した発光層が先に形成した
素子部分積層体を覆って保護することになる。その後の
発光層をエッチングするときのエッチャントに対しては
、既に形成されている素子部分積層体の上層にある絶縁
層が耐性を有しており、これらの素子部分積層体を損な
うことなくエッチングが可能となる。
【0013】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例について
説明する。図1は、本発明の一実施例であり、黄橙色発
光のEL発光素子と緑色発光のEL発光素子とを平面的
に配列した多色表示ELディスプレイの製造方法を示す
説明図である。
説明する。図1は、本発明の一実施例であり、黄橙色発
光のEL発光素子と緑色発光のEL発光素子とを平面的
に配列した多色表示ELディスプレイの製造方法を示す
説明図である。
【0014】図1(a)に示すように、透明基板1の上
に、2000Å程度の厚さのITO(インジウム・ティ
ン・オキサイド)の層をEB蒸着法またはスパッタリン
グ法等によって着膜し、フォトリソグラフィ法によって
複数の帯状の透明電極2を形成する。この上にSiO2
からなる下部絶縁層3をスパッタリング法またはプラ
ズマCVD法等により着膜する。下部絶縁層3の上には
、図1(b)に示すようにZnS中に発光中心物質であ
るMnを添加した材料(ZnS:Mn)の層104をE
B蒸着法またはスパッタリング法等で5000Åの厚さ
に着膜し、続いて上部絶縁層となる第1のSiO2 の
層105を着膜する。次に上部絶縁層となる第1のSi
O2 層105の上に、黄橙色発光素子の平面形状及び
寸法に対応したレジスト6を形成する(図1(c))。 このレジスト6をマスクとして第2の絶縁層となるSi
O2 層105を、例えばバッフアードフッ酸(体積比
HF:NH4 F=1:10)によってエッチング除去
し、続いて例えば希塩酸(体積比conc. HCl:
H2 O=1:1)によって発光層であるZnS:Mn
層104をエッチングし、図1(d)に示すような黄橙
色発光の素子部分積層体7を形成する。さらにこれらの
上から、緑色の発光層となるZnS:Tb,Fの層10
8を5000Åの厚さで着膜し、続いて第2のSiO2
層109を着膜する(図1(e))。以下黄橙色発光
の素子部分積層体を形成した方法と同様に緑色発光素子
を形成する部分に相当する位置にレジスト10を設け(
図1(f))、このレジスト10をマスクとしてSiO
2 の層109と緑色発光層となるZnS:Tb,Fの
層108をエッチング除去する(図1(g))。
に、2000Å程度の厚さのITO(インジウム・ティ
ン・オキサイド)の層をEB蒸着法またはスパッタリン
グ法等によって着膜し、フォトリソグラフィ法によって
複数の帯状の透明電極2を形成する。この上にSiO2
からなる下部絶縁層3をスパッタリング法またはプラ
ズマCVD法等により着膜する。下部絶縁層3の上には
、図1(b)に示すようにZnS中に発光中心物質であ
るMnを添加した材料(ZnS:Mn)の層104をE
B蒸着法またはスパッタリング法等で5000Åの厚さ
に着膜し、続いて上部絶縁層となる第1のSiO2 の
層105を着膜する。次に上部絶縁層となる第1のSi
O2 層105の上に、黄橙色発光素子の平面形状及び
寸法に対応したレジスト6を形成する(図1(c))。 このレジスト6をマスクとして第2の絶縁層となるSi
O2 層105を、例えばバッフアードフッ酸(体積比
HF:NH4 F=1:10)によってエッチング除去
し、続いて例えば希塩酸(体積比conc. HCl:
H2 O=1:1)によって発光層であるZnS:Mn
層104をエッチングし、図1(d)に示すような黄橙
色発光の素子部分積層体7を形成する。さらにこれらの
上から、緑色の発光層となるZnS:Tb,Fの層10
8を5000Åの厚さで着膜し、続いて第2のSiO2
層109を着膜する(図1(e))。以下黄橙色発光
の素子部分積層体を形成した方法と同様に緑色発光素子
を形成する部分に相当する位置にレジスト10を設け(
図1(f))、このレジスト10をマスクとしてSiO
2 の層109と緑色発光層となるZnS:Tb,Fの
層108をエッチング除去する(図1(g))。
【0015】第2のSiO2 層を除去するエッチャン
トには第1のSiO2 層と同様バッファードフッ酸等
が用いられるが、発光層材料であるZnSは、このエッ
チャントに対しては耐性を有し、先に形成した黄橙色発
光の素子部分積層体7が緑色発光層となるZnS:Tb
,F層108で覆われているので、これらをエッチング
することはない。さらに、第2のSiO2層109のエ
ッチング後、ZnS:Tb,Fの層108をエッチング
するエッチャントには希塩酸(体積比conc. HC
l:H2 O=1:1)等が用いられるが、すでに形成
されている黄橙色発光の素子部分積層体7の上面にはS
iO2 の層5が着膜されており、これが上記エッチャ
ントに耐性があるので、オーバーエッチングによって先
に形成した発光層4をエッチングすることはない。
トには第1のSiO2 層と同様バッファードフッ酸等
が用いられるが、発光層材料であるZnSは、このエッ
チャントに対しては耐性を有し、先に形成した黄橙色発
光の素子部分積層体7が緑色発光層となるZnS:Tb
,F層108で覆われているので、これらをエッチング
することはない。さらに、第2のSiO2層109のエ
ッチング後、ZnS:Tb,Fの層108をエッチング
するエッチャントには希塩酸(体積比conc. HC
l:H2 O=1:1)等が用いられるが、すでに形成
されている黄橙色発光の素子部分積層体7の上面にはS
iO2 の層5が着膜されており、これが上記エッチャ
ントに耐性があるので、オーバーエッチングによって先
に形成した発光層4をエッチングすることはない。
【0016】エッチングが終了するとレジスト10を除
去し、さらに厚さ2000ÅのSiO2 を全面に着膜
し、各素子部分積層体間に生じている凹部12を埋める
とともに各素子部分積層体を覆って上部絶縁層14を完
成する。上部絶縁層14の上に、4000Åの厚さのA
l の層をEB蒸着法またはスパッタリング法等によっ
て着膜し、パターニングして背面電極13を形成する(
図1(h))。
去し、さらに厚さ2000ÅのSiO2 を全面に着膜
し、各素子部分積層体間に生じている凹部12を埋める
とともに各素子部分積層体を覆って上部絶縁層14を完
成する。上部絶縁層14の上に、4000Åの厚さのA
l の層をEB蒸着法またはスパッタリング法等によっ
て着膜し、パターニングして背面電極13を形成する(
図1(h))。
【0017】このような多色表示ELディスプレイの製
造方法では、発光層の上に直接レジストを形成すること
を必要とせず、レジストは直接発光層と接触することが
ない。このため発光層には、レジストの塗布・剥離によ
る汚れが生じることがなく、発光時に汚れに起因する輝
度のむらが生じたり、汚れによってその後に着膜した絶
縁層が剥離したりすることがなくなる。
造方法では、発光層の上に直接レジストを形成すること
を必要とせず、レジストは直接発光層と接触することが
ない。このため発光層には、レジストの塗布・剥離によ
る汚れが生じることがなく、発光時に汚れに起因する輝
度のむらが生じたり、汚れによってその後に着膜した絶
縁層が剥離したりすることがなくなる。
【0018】上記実施例において、発光層の上に着膜す
る第2の絶縁層はZnS:Mnからなる発光層の上にも
、ZnS:Tb,Fからなる発光層の上にも同じSiO
2 の層を用いているが、異なる材料を用いることもで
き、図1(e)に示すZnS:Tb,F層の上に着膜す
る絶縁層109としてTa2 O5 を用いることがで
きる。このように発光層となるZnS:Tb,F層上に
はSiO2 に代えてTa2 O5 を用いると図2に
示すような多色表示ELディスプレイが得られる。
る第2の絶縁層はZnS:Mnからなる発光層の上にも
、ZnS:Tb,Fからなる発光層の上にも同じSiO
2 の層を用いているが、異なる材料を用いることもで
き、図1(e)に示すZnS:Tb,F層の上に着膜す
る絶縁層109としてTa2 O5 を用いることがで
きる。このように発光層となるZnS:Tb,F層上に
はSiO2 に代えてTa2 O5 を用いると図2に
示すような多色表示ELディスプレイが得られる。
【0019】これは、ZnS:Mnからなる発光層24
の上部絶縁層25はSiO2 からなっており、ZnS
:Tb,Fからなる発光層28の上部絶縁層29がTa
2 O5となっている。なお、素子間部分31は適宜絶
縁材料で埋められている。このような、多色表示ELデ
ィスプレイでは、透明電極22と背面電極30に印加す
る電圧がすべての素子について同じとしても、Ta2
O5 の誘電率がSiO2 の誘電率よりも高いため、
発光層両面に印加される電圧を比較するとZnS:Tb
,Fからなる層28に印加される電圧の方が大きくなる
。これによって同電圧を印加した場合にはZnS:Mn
よりも輝度が低いZnS:Tb,Fの発光輝度が上昇し
、双方の輝度がほぼ同じとなって、適切な中間色の表示
ができる多色表示ELディスプレイが得られる。
の上部絶縁層25はSiO2 からなっており、ZnS
:Tb,Fからなる発光層28の上部絶縁層29がTa
2 O5となっている。なお、素子間部分31は適宜絶
縁材料で埋められている。このような、多色表示ELデ
ィスプレイでは、透明電極22と背面電極30に印加す
る電圧がすべての素子について同じとしても、Ta2
O5 の誘電率がSiO2 の誘電率よりも高いため、
発光層両面に印加される電圧を比較するとZnS:Tb
,Fからなる層28に印加される電圧の方が大きくなる
。これによって同電圧を印加した場合にはZnS:Mn
よりも輝度が低いZnS:Tb,Fの発光輝度が上昇し
、双方の輝度がほぼ同じとなって、適切な中間色の表示
ができる多色表示ELディスプレイが得られる。
【0020】図3は、本発明の他の実施例であり、発光
色がそれぞれ赤、青、緑の3種の発光素子を平面的に配
列したフルカラー表示ELディスプレイの製造方法を示
す説明図である。図3(a)に示すように、ガラス基板
41上にITOからなる透明電極42と下部絶縁層43
を形成する。続いて緑色発光を生じるZnS:Tb,F
層144とその上にSiO2 層145を着膜し、レジ
スト50を用いて緑色発光素子部分以外のSiO2 層
及びZnS:Tb,F層をエッチング除去する。さらに
レジスト50を除去して緑色素子部分積層体53を形成
する(図3(b)、(c))。
色がそれぞれ赤、青、緑の3種の発光素子を平面的に配
列したフルカラー表示ELディスプレイの製造方法を示
す説明図である。図3(a)に示すように、ガラス基板
41上にITOからなる透明電極42と下部絶縁層43
を形成する。続いて緑色発光を生じるZnS:Tb,F
層144とその上にSiO2 層145を着膜し、レジ
スト50を用いて緑色発光素子部分以外のSiO2 層
及びZnS:Tb,F層をエッチング除去する。さらに
レジスト50を除去して緑色素子部分積層体53を形成
する(図3(b)、(c))。
【0021】次に、素子形成範囲全面に、赤色発光を生
じる発光層となる、CaS中に発光中心物質Eu,Fを
添加した材料からなる層146とSiO2層147とを
続けて着膜し、SiO2 層147の上にレジスト51
を形成する(図3(d))。赤色発光素子部分以外のS
iO2 層及びCaS:Eu,F層をエッチング除去し
、さらにレジスト51を除去して赤色素子部分積層体5
4を形成する(図3(e))。
じる発光層となる、CaS中に発光中心物質Eu,Fを
添加した材料からなる層146とSiO2層147とを
続けて着膜し、SiO2 層147の上にレジスト51
を形成する(図3(d))。赤色発光素子部分以外のS
iO2 層及びCaS:Eu,F層をエッチング除去し
、さらにレジスト51を除去して赤色素子部分積層体5
4を形成する(図3(e))。
【0022】同様に、青色発光を生じる発光層となる、
SrS中に発光中心物質Ce,Fを添加した材料からな
る層148とSiO2 層149とを続けて着膜し、S
iO2層149の上にレジスト52を形成する(図3(
f))。青色発光素子部分以外のSiO2 層及びSr
S:Ce,F層をエッチング除去し、さらにレジスト5
2を除去して青色素子部分積層体55を形成する(図3
(g))。さらに素子形成範囲全面にSiO2 を着膜
して素子間に生じている凹部57を埋め上部絶縁層を形
成する。その上にAlを着膜し、パターンニングを行っ
て背面電極56を形成する。
SrS中に発光中心物質Ce,Fを添加した材料からな
る層148とSiO2 層149とを続けて着膜し、S
iO2層149の上にレジスト52を形成する(図3(
f))。青色発光素子部分以外のSiO2 層及びSr
S:Ce,F層をエッチング除去し、さらにレジスト5
2を除去して青色素子部分積層体55を形成する(図3
(g))。さらに素子形成範囲全面にSiO2 を着膜
して素子間に生じている凹部57を埋め上部絶縁層を形
成する。その上にAlを着膜し、パターンニングを行っ
て背面電極56を形成する。
【0023】上記の工程によって発光層の汚れを生じる
ことなく高画質で信頼性の高いフルカラーELディスプ
レイが得られる。またこのようなフルカラーELディス
プレイの製造方法では、CaS:Eu,F層の着膜時お
よびSrS:Ce層の着膜時に350℃〜450℃程度
の高温にすることが必要となり、一般的なレジストは約
250℃で形状が損なわれるが、上記発光層着膜時には
レジストを用いていないので先に形成した素子部分積層
体に影響を与えることなく順次着膜することが可能とな
る。
ことなく高画質で信頼性の高いフルカラーELディスプ
レイが得られる。またこのようなフルカラーELディス
プレイの製造方法では、CaS:Eu,F層の着膜時お
よびSrS:Ce層の着膜時に350℃〜450℃程度
の高温にすることが必要となり、一般的なレジストは約
250℃で形状が損なわれるが、上記発光層着膜時には
レジストを用いていないので先に形成した素子部分積層
体に影響を与えることなく順次着膜することが可能とな
る。
【0024】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の多色表示
ELディスプレイの製造方法では、発光層とその上に形
成する絶縁層とを着膜した後、絶縁層の上にレジストを
設けて、上記絶縁層と前記発光層とを続けてエッチング
除去することとしているので、レジストは直接発光層と
接触することがなく、発光層を汚染して発光時に輝度の
むらが生じたり、着膜した絶縁層が剥離したりすること
がなくなり、高画質が得られ、信頼性の高い多色表示E
Lディスプレイを製造することが可能となる。また、一
の種類の発光層とその上部に積層する絶縁層からなる当
該発光層の素子部分積層体を形成した後、他の種類の発
光層を着膜するとき、発光層の着膜温度以下で形状等が
損なわれるレジスト等を既に除去しており、先に形成し
た素子部分積層体に影響を与えることなく順次着膜する
ことが可能となる。さらに、発光色の異なる発光層のう
えに積層する絶縁層をそれぞれ別個に形成しているので
、これらの材料を発光層の材料によって異なるものとす
ることができる。
ELディスプレイの製造方法では、発光層とその上に形
成する絶縁層とを着膜した後、絶縁層の上にレジストを
設けて、上記絶縁層と前記発光層とを続けてエッチング
除去することとしているので、レジストは直接発光層と
接触することがなく、発光層を汚染して発光時に輝度の
むらが生じたり、着膜した絶縁層が剥離したりすること
がなくなり、高画質が得られ、信頼性の高い多色表示E
Lディスプレイを製造することが可能となる。また、一
の種類の発光層とその上部に積層する絶縁層からなる当
該発光層の素子部分積層体を形成した後、他の種類の発
光層を着膜するとき、発光層の着膜温度以下で形状等が
損なわれるレジスト等を既に除去しており、先に形成し
た素子部分積層体に影響を与えることなく順次着膜する
ことが可能となる。さらに、発光色の異なる発光層のう
えに積層する絶縁層をそれぞれ別個に形成しているので
、これらの材料を発光層の材料によって異なるものとす
ることができる。
【図1】本発明の第1の実施例である多色表示ELディ
スプレイの製造方法の概略を示す説明図である。
スプレイの製造方法の概略を示す説明図である。
【図2】上記第1の実施例を一部変更した第2の実施例
によって製造される多色表示ELディスプレイの構成を
示す説明図である。
によって製造される多色表示ELディスプレイの構成を
示す説明図である。
【図3】本発明の第3の実施例である多色表示ELディ
スプレイの製造方法の概略を示す説明図である。
スプレイの製造方法の概略を示す説明図である。
【図4】従来の多色表示ELディスプレイの構成を示す
説明図である。
説明図である。
【図5】従来の多色表示ELディスプレイの製造方法の
概略を示す説明図である。
概略を示す説明図である。
【符合の説明】1 透明基板
2 透明電極
3 下部絶縁層
4 黄橙色発光層
5 上部絶縁層
6 レジスト
7 素子部分積層体
8 緑色発光層
9 上部積層体
11 素子部分積層体
41 透明基板
42 透明電極
50、51、52 レジスト
53 緑色発光素子積層体
54 赤色発光素子積層体
55 青色発光素子積層体
56 背面電極
Claims (1)
- 【請求項1】 絶縁基板上に、2種以上の発光色
の異なる二重絶縁構造薄膜EL素子を、平面的に配列し
た多色表示ELディスプレイの製造方法において、一の
種類の発光層とその上に形成する絶縁層とを着膜し、当
該発光層の素子以外の部分の前記発光層と絶縁層とをと
もにエッチングによって除去して発光層と絶縁層との素
子部分積層体を形成し、この工程を発光層の種類数回繰
り返した後、素子部分積層体間を絶縁物質で埋める工程
を含むことを特徴とする多色表示ELディスプレイの製
造方法
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3152235A JPH04351885A (ja) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | 多色表示elディスプレイの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3152235A JPH04351885A (ja) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | 多色表示elディスプレイの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04351885A true JPH04351885A (ja) | 1992-12-07 |
Family
ID=15536043
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3152235A Withdrawn JPH04351885A (ja) | 1991-05-29 | 1991-05-29 | 多色表示elディスプレイの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04351885A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5989785A (en) * | 1994-12-22 | 1999-11-23 | Nippondenso Co., Ltd. | Process for fabricating an electroluminescent device |
-
1991
- 1991-05-29 JP JP3152235A patent/JPH04351885A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5989785A (en) * | 1994-12-22 | 1999-11-23 | Nippondenso Co., Ltd. | Process for fabricating an electroluminescent device |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980806 |