JPS61203591A - 薄膜ｅｌ素子の製造方法 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS61203591A JPS61203591A JP60043125A JP4312585A JPS61203591A JP S61203591 A JPS61203591 A JP S61203591A JP 60043125 A JP60043125 A JP 60043125A JP 4312585 A JP4312585 A JP 4312585A JP S61203591 A JPS61203591 A JP S61203591A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film layer
- phosphor thin
- phosphor
- layer
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はキャラクタ−やグラフィック表示に用いる多色
の薄膜ＥＬ素子の製造方法に関するものである。
の薄膜ＥＬ素子の製造方法に関するものである。
従来の技術
最近薄膜ＥＬ素子の螢光体薄膜層と、して、ＺｎＳ：Ｍ
ｎ以外の材料でも高輝度のものが開発されるようになっ
た。例えばＺｎＳ ： Ｔｂ Ｆａは緑、ＺｎＳ：Ｓｍ
Ｆ３は赤、ＳｒＳ：Ｃｅは青に明るく発光する。これら
の材料を用いて多色表示の薄膜ＥＬ素子が提案されてい
る。多色表示の薄膜ＥＬ素子を作製する場合、複数の螢
光体薄膜層を所定のパターンに配置する必要がある。パ
ターンが大きければ、メタルマスクを用いて各螢光体薄
膜層を形成する事が可能である。パターンが細かいとメ
タルマスクでは実際上形成不可能なので、別の方法をと
る必要がある。
ｎ以外の材料でも高輝度のものが開発されるようになっ
た。例えばＺｎＳ ： Ｔｂ Ｆａは緑、ＺｎＳ：Ｓｍ
Ｆ３は赤、ＳｒＳ：Ｃｅは青に明るく発光する。これら
の材料を用いて多色表示の薄膜ＥＬ素子が提案されてい
る。多色表示の薄膜ＥＬ素子を作製する場合、複数の螢
光体薄膜層を所定のパターンに配置する必要がある。パ
ターンが大きければ、メタルマスクを用いて各螢光体薄
膜層を形成する事が可能である。パターンが細かいとメ
タルマスクでは実際上形成不可能なので、別の方法をと
る必要がある。
各螢光体層の間に電極層と必要に応じて誘電体薄膜層を
はさむ方法だと各螢光体薄膜層は全面に一様に形成すれ
ば良いが、電極層が複数組必要で素子構造が非常に複雑
になってしまうし特性も不安定である。各螢光体薄膜層
を一対の電極層間に所定のパターンに配置する方法が単
純さや、特性の安定性から見て現実的なものである。
はさむ方法だと各螢光体薄膜層は全面に一様に形成すれ
ば良いが、電極層が複数組必要で素子構造が非常に複雑
になってしまうし特性も不安定である。各螢光体薄膜層
を一対の電極層間に所定のパターンに配置する方法が単
純さや、特性の安定性から見て現実的なものである。
１つの薄膜層を微細なパターンに形成するには全面に一
様に薄膜を形成した後フォトレジストのパターンを形成
し、化学的あるいは物理的に薄膜の不要な部分を除去す
る方法が一般的である。ところが複数の螢光体薄膜層を
同一平面上に形成する場合法の様な困難が生ずる。第１
の螢光体薄膜層と第２の螢光体薄膜層の性質が近いと、
第１の螢光体薄膜層の上に乗った第２の螢光体薄膜層の
みを素子全面にわたり均一に除去する事は事実上不可能
である。通常膜厚の分布や特性の分布があるため部分的
に第１の螢光体薄膜層が削除されたり、第２の螢光体薄
膜層が残ったジする。この問題を回避する方法として、
たとえば特開昭６９−１２３１９３号の方法がある。す
なわち、ＺｎＳ等の発光母体薄膜層を一様に形成した後
、７オトレジストをマスク材料として用い、複数種の希
土類金属イオンをイオン注入により注入し、所定のパタ
ーンを得る方法である。
様に薄膜を形成した後フォトレジストのパターンを形成
し、化学的あるいは物理的に薄膜の不要な部分を除去す
る方法が一般的である。ところが複数の螢光体薄膜層を
同一平面上に形成する場合法の様な困難が生ずる。第１
の螢光体薄膜層と第２の螢光体薄膜層の性質が近いと、
第１の螢光体薄膜層の上に乗った第２の螢光体薄膜層の
みを素子全面にわたり均一に除去する事は事実上不可能
である。通常膜厚の分布や特性の分布があるため部分的
に第１の螢光体薄膜層が削除されたり、第２の螢光体薄
膜層が残ったジする。この問題を回避する方法として、
たとえば特開昭６９−１２３１９３号の方法がある。す
なわち、ＺｎＳ等の発光母体薄膜層を一様に形成した後
、７オトレジストをマスク材料として用い、複数種の希
土類金属イオンをイオン注入により注入し、所定のパタ
ーンを得る方法である。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の方法では、発光母体材料の薄膜形成後
、発光不純物が添加されるため、両者を同時に形成した
本来の螢光体薄膜層に比べて、発光効率が低いという欠
点がある。さらには、イオン注入の装置が大がかりで高
価なものである。
、発光不純物が添加されるため、両者を同時に形成した
本来の螢光体薄膜層に比べて、発光効率が低いという欠
点がある。さらには、イオン注入の装置が大がかりで高
価なものである。
そこで本発明は、高価な装置を必要とせず、発光効率が
本来の値を持った複数の螢光体薄膜層を、一対の電極層
間に所定のパターンに配置する方法を提供することを目
的とする。
本来の値を持った複数の螢光体薄膜層を、一対の電極層
間に所定のパターンに配置する方法を提供することを目
的とする。
問題点を解決するための手段
第１の螢光体薄膜層を所定のバター／に形成した後、誘
電体薄膜層を表示部全面に形成し、その後第２の螢光体
薄膜層を所定のパターンに形成する。
電体薄膜層を表示部全面に形成し、その後第２の螢光体
薄膜層を所定のパターンに形成する。
作 用
誘電体薄膜層で第１の螢光体薄膜層と第２の螢光体薄膜
層を分離独立させているため、第２の螢光体薄膜層を化
学的あるいは物理的に所定のパターンに形成する際第１
の螢光体薄膜層を保護することができ、また発光不純物
を当初から発元母体薄膜中に添加できるので螢光体薄膜
の発光効率が高い。
層を分離独立させているため、第２の螢光体薄膜層を化
学的あるいは物理的に所定のパターンに形成する際第１
の螢光体薄膜層を保護することができ、また発光不純物
を当初から発元母体薄膜中に添加できるので螢光体薄膜
の発光効率が高い。
実施例
第１図は本発明の薄膜ＥＬ素子の製造方法において、中
心となる部分を示したものである。ガラス基板１の上に
透明導電膜層２．誘電体薄膜層３を形成した後、第１の
螢光体薄膜層４を所定のパターンに形成する０次いで誘
電体薄膜層６を少くとも第１の螢光体薄膜層の上に形成
する。これは第２の螢光体薄膜層６を所定のパターンに
形成するプロセスにおいて、第１の螢光体薄膜層４を保
護する層である。この後第１の螢光体薄膜４の形成され
ていない部分に第２の螢光体薄膜層６を形成す゛る〇 第２図は本発明の薄膜ＥＬ素子の製造方法の一実施例を
より詳細に示す０まずａに示すように、ガラス基板１の
上に、ＩＴＯ膜２をＤＣスパッタリングにより形成し、
その上に誘電体薄膜層３としてＳ ｒ Ｔ ｉＯｓ膜を
ＲＦスパッタリングにより形成する。基板温度は４００
１：である０次に第１の螢光体薄膜４を形成するための
ＺｎＳ ： Ｔ、ｂ 、 Ｐ膜４１１をａＦスパッタリ
ングにより全体に一様に形成する０基板温度は２００℃
である。各々の膜厚はＩＴＯ膜２が３００ ｎｍ ％Ｓ
ｒＴｉＯ３膜３が５００ ｎｍ。
心となる部分を示したものである。ガラス基板１の上に
透明導電膜層２．誘電体薄膜層３を形成した後、第１の
螢光体薄膜層４を所定のパターンに形成する０次いで誘
電体薄膜層６を少くとも第１の螢光体薄膜層の上に形成
する。これは第２の螢光体薄膜層６を所定のパターンに
形成するプロセスにおいて、第１の螢光体薄膜層４を保
護する層である。この後第１の螢光体薄膜４の形成され
ていない部分に第２の螢光体薄膜層６を形成す゛る〇 第２図は本発明の薄膜ＥＬ素子の製造方法の一実施例を
より詳細に示す０まずａに示すように、ガラス基板１の
上に、ＩＴＯ膜２をＤＣスパッタリングにより形成し、
その上に誘電体薄膜層３としてＳ ｒ Ｔ ｉＯｓ膜を
ＲＦスパッタリングにより形成する。基板温度は４００
１：である０次に第１の螢光体薄膜４を形成するための
ＺｎＳ ： Ｔ、ｂ 、 Ｐ膜４１１をａＦスパッタリ
ングにより全体に一様に形成する０基板温度は２００℃
である。各々の膜厚はＩＴＯ膜２が３００ ｎｍ ％Ｓ
ｒＴｉＯ３膜３が５００ ｎｍ。
ＺｎＳ：Ｔｂ、Ｐが４００ ｎｍである。次いでｂに示
すように７オトレジスト膜７を塗布、露光、現像し、所
定のパターンに形成する。パターンのピッチは４００μ
ｍである。
すように７オトレジスト膜７を塗布、露光、現像し、所
定のパターンに形成する。パターンのピッチは４００μ
ｍである。
次いでリン酸、酢酸、硝酸の混液でＺｎＳ ：Ｔｂ 、
Ｐ膜４ａｉエツチングする。フォトレジスト膜７を取
り除いた状態がＣであり、第１の螢光体膜４が完成され
ている。この上にｄに示すように、３１３Ｎ４からなる
誘電体薄膜層６を表示部全面にＲＦスパッタリングによ
り形成する。基板温度は３５０℃、膜厚は１１００ｎで
ある。次いでｅに示すように第２の螢光体薄膜層６を形
成するためのＺｎＳ：Ｓｍ。
Ｐ膜４ａｉエツチングする。フォトレジスト膜７を取
り除いた状態がＣであり、第１の螢光体膜４が完成され
ている。この上にｄに示すように、３１３Ｎ４からなる
誘電体薄膜層６を表示部全面にＲＦスパッタリングによ
り形成する。基板温度は３５０℃、膜厚は１１００ｎで
ある。次いでｅに示すように第２の螢光体薄膜層６を形
成するためのＺｎＳ：Ｓｍ。
Ｐ 膜６ ａ ｆ ＲＦスパッタリングにより形成する
。
。
基板温度は２３０℃、膜厚は４００ ｎｍである。
次いで７オトレジスト膜８を塗布、露光、現像し所定の
パターンに形成する。次いでリン酸、酢酸。
パターンに形成する。次いでリン酸、酢酸。
硝酸の混液でＺｎＳ：Ｓｍ、Ｐ膜６ａｉエツチングする
。
。
このエツチングプロセスにおいて、Ｓｉ３Ｎ４からなる
誘電体薄膜層６がＺｎＳ：Ｔｂ、Ｐ膜からなる第１の螢
光体薄膜層４を保護している。フォトレジスト膜８を取
り除いた状態がｆであり、第２の螢光体薄膜層が完成さ
れている。次にｑに示すように、真空中アニール後、Ｙ
２Ｑ３膜９及びＢ ａ Ｔ ａ ２０Ｊ１０をそれぞれ
ＥＢ蒸着とＲＦスパッタリングにより形成した。膜厚は
それぞれ２６ ｎｍ及び６０ｎｍである。最後にへ２電
極１１を形成し、薄膜ＥＬ素子を完成した。
誘電体薄膜層６がＺｎＳ：Ｔｂ、Ｐ膜からなる第１の螢
光体薄膜層４を保護している。フォトレジスト膜８を取
り除いた状態がｆであり、第２の螢光体薄膜層が完成さ
れている。次にｑに示すように、真空中アニール後、Ｙ
２Ｑ３膜９及びＢ ａ Ｔ ａ ２０Ｊ１０をそれぞれ
ＥＢ蒸着とＲＦスパッタリングにより形成した。膜厚は
それぞれ２６ ｎｍ及び６０ｎｍである。最後にへ２電
極１１を形成し、薄膜ＥＬ素子を完成した。
この素子を駆動したところ各螢光体薄膜単独でＥＬ素子
全形成したものと同じ発光効率が得られた。第１と第２
の螢光体薄膜層の間に形成する誘電体薄膜層は、第２の
螢光体薄膜層のパターン形成時に第１の螢光体薄膜層を
保護する事が目的である。従って化学的ないし物理的性
質が第２の螢光体薄膜層より強くなければ、十分にこの
役割を果たす事ができない。これに適した材料としては
、Ｓｉ３Ｎ４やサイアロンや酸化タンタル等がある。
全形成したものと同じ発光効率が得られた。第１と第２
の螢光体薄膜層の間に形成する誘電体薄膜層は、第２の
螢光体薄膜層のパターン形成時に第１の螢光体薄膜層を
保護する事が目的である。従って化学的ないし物理的性
質が第２の螢光体薄膜層より強くなければ、十分にこの
役割を果たす事ができない。これに適した材料としては
、Ｓｉ３Ｎ４やサイアロンや酸化タンタル等がある。
本発明によれば、異種の発光母体材料を用いた複数種の
螢光体薄膜層を一対の電極層間に形成する事も可能であ
る。さらには３種類以上の螢光体薄膜層を形成する場合
にも本発明が有効であることはいうまでもない。
螢光体薄膜層を一対の電極層間に形成する事も可能であ
る。さらには３種類以上の螢光体薄膜層を形成する場合
にも本発明が有効であることはいうまでもない。
発明の効果
本発明によれば、本来の発光効率を持った複数の螢光体
薄膜層を一対の電極層間に形成でき、明るい多色の薄膜
ＥＬ素子を提供できる。
薄膜層を一対の電極層間に形成でき、明るい多色の薄膜
ＥＬ素子を提供できる。
第１図は本発明の一実施例における薄膜ＥＬ素子の装造
方法を示す断面図、第２図は同方法をより詳細に示す断
面図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・透明電極、
３．６゜９．１Ｑ・・・・・・誘電体薄膜層、４・・・
第１の螢光体薄膜層、７．８・・・・・フォトレジスト
膜、６・・１．・、第２の螢光体薄膜層、１１・・・・
・Ａ２電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
Ｉ！Ｉ （ａ−ン
方法を示す断面図、第２図は同方法をより詳細に示す断
面図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・透明電極、
３．６゜９．１Ｑ・・・・・・誘電体薄膜層、４・・・
第１の螢光体薄膜層、７．８・・・・・フォトレジスト
膜、６・・１．・、第２の螢光体薄膜層、１１・・・・
・Ａ２電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
Ｉ！Ｉ （ａ−ン
Claims (1)
- 基板上に形成した発光層及び、それをはさむ電極層よ
りなる薄膜ＥＬ素子の製造方法において、第１の螢光体
薄膜層を所定のパターンに形成する程と、その後誘電体
薄膜層を少くとも第１の螢光体薄膜層の上に形成する工
程と、その後第１の螢光体薄膜層の形成されていない部
分に第２の螢光体薄膜層を形成する工程とを含むことを
特徴とする薄膜ＥＬ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60043125A JPS61203591A (ja) | 1985-03-05 | 1985-03-05 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60043125A JPS61203591A (ja) | 1985-03-05 | 1985-03-05 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61203591A true JPS61203591A (ja) | 1986-09-09 |
Family
ID=12655121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60043125A Pending JPS61203591A (ja) | 1985-03-05 | 1985-03-05 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61203591A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0212793A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-01-17 | Pioneer Electron Corp | 多色化固体表示装置の製造法 |
| US8866163B2 (en) | 2011-04-21 | 2014-10-21 | Panasonic Corporation | White organic electroluminescence device |
-
1985
- 1985-03-05 JP JP60043125A patent/JPS61203591A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0212793A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-01-17 | Pioneer Electron Corp | 多色化固体表示装置の製造法 |
| US8866163B2 (en) | 2011-04-21 | 2014-10-21 | Panasonic Corporation | White organic electroluminescence device |
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