JPH02230691A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
- Publication number
- JPH02230691A JPH02230691A JP1050137A JP5013789A JPH02230691A JP H02230691 A JPH02230691 A JP H02230691A JP 1050137 A JP1050137 A JP 1050137A JP 5013789 A JP5013789 A JP 5013789A JP H02230691 A JPH02230691 A JP H02230691A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrodes
- black
- thin film
- contrast
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 19
- 239000003973 paint Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 16
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 11
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 229910003070 TaOx Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
- H05B33/28—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode of translucent electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、表示品質に優れた平面型ディスプレイ、特に
コントラストと耐圧が向上Ｉ，た薄膜ＥＬ素子に関する
。
コントラストと耐圧が向上Ｉ，た薄膜ＥＬ素子に関する
。
薄膜ＥＬ素子は、平板で薄く、大而積形状の表示パネル
ができるので、数字表示から図形表示、画像表示と幅広
い用途が考えられ、近年脚光を浴びている。
ができるので、数字表示から図形表示、画像表示と幅広
い用途が考えられ、近年脚光を浴びている。
このような薄膜Ｅ Ｌ素子の基本構造は、第５図に示す
ように、ガラス基板１上に酸化錫層等からなる透明な第
一電極２と、誘電体からなる第一絶縁層３と、ＺｎＳ．
．ＣａＳ，ＳｒＳ等の母祠にＭｎ，Ｃｅ，Ｅｕ等の発光
中心不純物をドーブした発光層４と、第二絶縁層５と、
アルミニウム層等からなる第二電極（背面電極）６とを
順次積層せしめた二重絶縁構造をなしている。そして、
第一電極２′と第二電極６との間に電圧を印加すると、
発光層４内に誘起された電界によって界面準位にトラッ
プされていた電子が引き出されて加速され、充分なエネ
ルギーを得、この電子が発光中心の軌道電子に衝突して
励起し、この励起された発．光中心が基底状態に戻る際
に発光を行なう。
ように、ガラス基板１上に酸化錫層等からなる透明な第
一電極２と、誘電体からなる第一絶縁層３と、ＺｎＳ．
．ＣａＳ，ＳｒＳ等の母祠にＭｎ，Ｃｅ，Ｅｕ等の発光
中心不純物をドーブした発光層４と、第二絶縁層５と、
アルミニウム層等からなる第二電極（背面電極）６とを
順次積層せしめた二重絶縁構造をなしている。そして、
第一電極２′と第二電極６との間に電圧を印加すると、
発光層４内に誘起された電界によって界面準位にトラッ
プされていた電子が引き出されて加速され、充分なエネ
ルギーを得、この電子が発光中心の軌道電子に衝突して
励起し、この励起された発．光中心が基底状態に戻る際
に発光を行なう。
前記したような構造の薄膜ＥＬ素子においては、これま
で、コントラスト向上のために第二絶縁層５に黒色のも
のが用いられてきた。しかし、このように使用できる黒
色絶縁膜は少なく、また耐圧も低い。従って、第５図に
示すように膜厚方向では絶縁破壊の距離Ｘは０，数μｍ
であり、黒色絶縁膜の耐圧が足りなくなる。
で、コントラスト向上のために第二絶縁層５に黒色のも
のが用いられてきた。しかし、このように使用できる黒
色絶縁膜は少なく、また耐圧も低い。従って、第５図に
示すように膜厚方向では絶縁破壊の距離Ｘは０，数μｍ
であり、黒色絶縁膜の耐圧が足りなくなる。
さらに、ＩＴＯ（第一電極）の段差部分の絶縁膜Ａが薄
く、耐圧が実質的に低くなると共に、この部分に電界の
集中などが起こり、段差付近での絶縁破壊が起こり易い
という問題があった。
く、耐圧が実質的に低くなると共に、この部分に電界の
集中などが起こり、段差付近での絶縁破壊が起こり易い
という問題があった。
従って、本発明の目的は、」二記のような従来の薄膜Ｅ
Ｌ素子の欠点を解消し、従来のものに比べてコントラス
ト及び耐圧に優れ、絶縁破壊が起こり難い薄膜ＥＬ素子
を提供することにある。
Ｌ素子の欠点を解消し、従来のものに比べてコントラス
ト及び耐圧に優れ、絶縁破壊が起こり難い薄膜ＥＬ素子
を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明の薄膜ＥＬ素子にお
いては、第１図及び第２図に示すように、基板１上に透
明電極をバターニング［７て複数の第一電極２を配設し
た後、電極間に黒色絶縁膜７を同じ厚さに形成する。そ
の上に第一絶縁層３、発光層４、第二絶縁層５を積層し
、電極を蒸着してバターニングし、複数の第二電極６を
形成する。その後、さらに黒色塗料８を塗布する。
いては、第１図及び第２図に示すように、基板１上に透
明電極をバターニング［７て複数の第一電極２を配設し
た後、電極間に黒色絶縁膜７を同じ厚さに形成する。そ
の上に第一絶縁層３、発光層４、第二絶縁層５を積層し
、電極を蒸着してバターニングし、複数の第二電極６を
形成する。その後、さらに黒色塗料８を塗布する。
第５図に示すような従来の薄膜ＥＬ素子の構造では、絶
縁破壊の距ｉ１ｉ１ＸはＯ、数μｍ〜数μｍであり、膜
厚方向において黒色絶縁膜５の耐圧が不足することにな
るが、本発明に従って第１図及び第２図に示すように第
一電極の電極間に使用すると、電極間は数１０〜数１
０ ０μｍあるため、黒色絶縁膜でも使用できるように
なる。
縁破壊の距ｉ１ｉ１ＸはＯ、数μｍ〜数μｍであり、膜
厚方向において黒色絶縁膜５の耐圧が不足することにな
るが、本発明に従って第１図及び第２図に示すように第
一電極の電極間に使用すると、電極間は数１０〜数１
０ ０μｍあるため、黒色絶縁膜でも使用できるように
なる。
また、第一電極２の電極間数μｍ〜数百μｍの幅に黒色
絶縁膜７が配置されるため、透明電極ＩＴＯのパターニ
ングによる段差もなくなるので、ＩＴＯのエッジ部での
絶縁破壊も起こらなくなる。
絶縁膜７が配置されるため、透明電極ＩＴＯのパターニ
ングによる段差もなくなるので、ＩＴＯのエッジ部での
絶縁破壊も起こらなくなる。
さらに、第二電極の上に黒色塗料８を塗布することによ
り、第３図に示すようなコントラスト状態になり、画素
のまわりが黒く見えるため、コントラストが良くなる。
り、第３図に示すようなコントラスト状態になり、画素
のまわりが黒く見えるため、コントラストが良くなる。
以下、実施例を示して本発明について具体的に説明する
。
。
ガラス基板（１）（無アルカリ而１熱ガラス、例えばＨ
ＯＹＡ社製ＮＡ４ ０、コーニング社製７０５９など）
上に、電子ビーム蒸着によりＩＴＯ （２）を２０００
人蒸着する。
ＯＹＡ社製ＮＡ４ ０、コーニング社製７０５９など）
上に、電子ビーム蒸着によりＩＴＯ （２）を２０００
人蒸着する。
次いで、蒸着したＩＴＯをフォトリソによりパターニン
グする（第４図（Ａ）から（Ｂ）の状態）。この時、レ
ジスト（９）を剥離せずに残すか、または新たに形成し
、第４図（Ｂ）のような状態にしておく。
グする（第４図（Ａ）から（Ｂ）の状態）。この時、レ
ジスト（９）を剥離せずに残すか、または新たに形成し
、第４図（Ｂ）のような状態にしておく。
その後、Ｔ’ａＯｘ（Ｔａ０５から酸素を抜くと黒色化
される）をスパッタリングで２０００人形成する（第４
図（Ｃ）の状態）。これにリフトオフ法を適用して、第
４図（Ｄ）に示すように、ガラス基板（１）上に形成さ
れたＩＴＯ（２）の電極間に黒色絶縁膜ＴａＯｘ（１．
０）が配置された状態とする。
される）をスパッタリングで２０００人形成する（第４
図（Ｃ）の状態）。これにリフトオフ法を適用して、第
４図（Ｄ）に示すように、ガラス基板（１）上に形成さ
れたＩＴＯ（２）の電極間に黒色絶縁膜ＴａＯｘ（１．
０）が配置された状態とする。
他の方法としては、ＩＴＯバターニング後、レジスト（
９）を剥離してＴａＯｘ （１０）をスパッタリング法
により形成１， （第４図（Ｅ）の状態）、次いでレジ
スト膜９を形成し（第４図（Ｆ）の状態）、その後ドラ
イエッチして■ＴＯ部分のＴａＯｘを除き（第４図（Ｇ
）の状態）、次いでレジスト除去して第４図（Ｄ）の状
態にする方法も採用できる。
９）を剥離してＴａＯｘ （１０）をスパッタリング法
により形成１， （第４図（Ｅ）の状態）、次いでレジ
スト膜９を形成し（第４図（Ｆ）の状態）、その後ドラ
イエッチして■ＴＯ部分のＴａＯｘを除き（第４図（Ｇ
）の状態）、次いでレジスト除去して第４図（Ｄ）の状
態にする方法も採用できる。
以上のような方法により、ＩＴＯ間に同じ厚さの黒色絶
縁膜ＴａＯｘを配置した第４図（Ｄ）に示すような状態
にした後、第一絶縁膜と【７てＴ ａ ２ ０ ５をス
パッタリングで５０００人形成する。
縁膜ＴａＯｘを配置した第４図（Ｄ）に示すような状態
にした後、第一絶縁膜と【７てＴ ａ ２ ０ ５をス
パッタリングで５０００人形成する。
その後、発光層としてＺｎＳ ：Ｍｎ （０．５％）を
ＭＳＤ法（多元蒸着法：真空槽内に発光層の母材（Ｚ
ｎ Ｓ）の各構成元素と発光中心不純物（ Ｍ ｎ ）
を別々のルツボに入れ、各々を独立に温度コントロール
しつつ加熱し、蒸着を行なう方法、詳細については本出
願人の出願に係る特開昭６２｛６０Ｇ９４号参照）によ
り６０００人形成する。さらに、第二絶縁膜としてＴａ
２０，をスパッタリングで５０００人形成し、さらに第
二電極としてＡｇを電子ビーム蒸着で３０００人形成す
る。ＡＮをフオトリソによりバターニングした後、ＩＣ
などに常用されている黒色のモールド材を塗布する。
ＭＳＤ法（多元蒸着法：真空槽内に発光層の母材（Ｚ
ｎ Ｓ）の各構成元素と発光中心不純物（ Ｍ ｎ ）
を別々のルツボに入れ、各々を独立に温度コントロール
しつつ加熱し、蒸着を行なう方法、詳細については本出
願人の出願に係る特開昭６２｛６０Ｇ９４号参照）によ
り６０００人形成する。さらに、第二絶縁膜としてＴａ
２０，をスパッタリングで５０００人形成し、さらに第
二電極としてＡｇを電子ビーム蒸着で３０００人形成す
る。ＡＮをフオトリソによりバターニングした後、ＩＣ
などに常用されている黒色のモールド材を塗布する。
このようにして、第１図及び第２図に示すような構造で
コントラスト、耐圧の良い薄膜Ｅ Ｌ素子が得られた。
コントラスト、耐圧の良い薄膜Ｅ Ｌ素子が得られた。
以上のように、本発明の薄膜ＥＬ素子によれば、従来の
薄膜ＥＬ素子に比べてコントラスト及び耐圧に優れ、絶
縁破壊が起こり難いという利点が得られる。
薄膜ＥＬ素子に比べてコントラスト及び耐圧に優れ、絶
縁破壊が起こり難いという利点が得られる。
第１図は本発明の薄膜ＥＬ素子の基本構造を示す縦断面
図、第２図は第１図に示す薄膜ＥＬ素子の部分断面斜視
図、第３図は本発明の薄膜ＥＬ素子のコントラスト態様
を示す説明図、第４図は本発明の実施例の一部工程説明
図、第５図は従来の薄膜ＥＬ素子の基本構造を示す縦断
面図である。 １はガラス基板、２は第一電極、３は第一絶縁層、４は
発光層、５は第二絶縁層、６は第二電極、７は黒色絶縁
膜、８は黒色塗料。
図、第２図は第１図に示す薄膜ＥＬ素子の部分断面斜視
図、第３図は本発明の薄膜ＥＬ素子のコントラスト態様
を示す説明図、第４図は本発明の実施例の一部工程説明
図、第５図は従来の薄膜ＥＬ素子の基本構造を示す縦断
面図である。 １はガラス基板、２は第一電極、３は第一絶縁層、４は
発光層、５は第二絶縁層、６は第二電極、７は黒色絶縁
膜、８は黒色塗料。
Claims (2)
- （１） 基板上に配設された複数の第一電極上に第一の
絶縁層、発光層、第二の絶縁層及び複数の第二電極がこ
の順に形成されており、前記第一電極及び第二電極間に
電圧を印加することによってＥＬ発光を行なう薄膜ＥＬ
素子において、前記複数の第一電極の電極間に同じ厚さ
の黒色絶縁膜を配置したことを特徴とする薄膜ＥＬ素子
。 - （２） 前記複数の第二電極の上にさらに黒色塗料を塗
布したこと特徴とする請求項１記載の薄膜ＥＬ素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1050137A JPH02230691A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 薄膜ｅｌ素子 |
| PCT/JP1990/000279 WO1990010365A1 (en) | 1989-03-03 | 1990-03-02 | Thin-film el element |
| KR1019900702371A KR920700523A (ko) | 1989-03-03 | 1990-03-02 | 박막 el 소자 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1050137A JPH02230691A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02230691A true JPH02230691A (ja) | 1990-09-13 |
Family
ID=12850760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1050137A Pending JPH02230691A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02230691A (ja) |
| KR (1) | KR920700523A (ja) |
| WO (1) | WO1990010365A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030044565A (ko) * | 2001-11-30 | 2003-06-09 | 오리온전기 주식회사 | 블랙 매트릭스를 가진 유기 발광 표시장치 및 그것의제조방법 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60186486U (ja) * | 1984-05-21 | 1985-12-10 | シャープ株式会社 | Ｅｌ表示パネル |
| JPS6328296U (ja) * | 1986-08-07 | 1988-02-24 |
-
1989
- 1989-03-03 JP JP1050137A patent/JPH02230691A/ja active Pending
-
1990
- 1990-03-02 WO PCT/JP1990/000279 patent/WO1990010365A1/ja unknown
- 1990-03-02 KR KR1019900702371A patent/KR920700523A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030044565A (ko) * | 2001-11-30 | 2003-06-09 | 오리온전기 주식회사 | 블랙 매트릭스를 가진 유기 발광 표시장치 및 그것의제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR920700523A (ko) | 1992-02-19 |
| WO1990010365A1 (en) | 1990-09-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3272620B2 (ja) | 有機エレクトロ・ルミネッセンス表示装置及びその製造方法 | |
| JPH05108014A (ja) | Ｅｌ表示パネルのカラー表示用発光膜の成膜方法 | |
| JPH02230691A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH0155757B2 (ja) | ||
| JP2001110573A (ja) | エレクトロルミネッセンス表示素子用基板およびエレクトロルミネッセンス表示素子 | |
| JPH04141983A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH0119759B2 (ja) | ||
| JPS6359519B2 (ja) | ||
| JP2502560B2 (ja) | 誘電体膜の形成方法 | |
| KR960005332B1 (ko) | 전계발광 표시소자의 제조방법 | |
| JP2000306682A (ja) | 有機ｅｌ素子とその製造方法 | |
| KR890004912B1 (ko) | 박막el표시단자 및 제조방법 | |
| JPS6124192A (ja) | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 | |
| JP2773773B2 (ja) | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 | |
| KR930015968A (ko) | 풀 칼라 박막 el 소자의 구조 및 제조방법 | |
| KR950013666B1 (ko) | 박막 el 표시소자 및 그 제조방법 | |
| JPH02306580A (ja) | 薄膜エレクトロルミネセンス素子の製造方法 | |
| KR100190174B1 (ko) | 전계 발광 표시 장치 | |
| JPS6388789A (ja) | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子の製造法 | |
| JP2836646B2 (ja) | 薄膜ｅｌ素子とその製造方法 | |
| JPS6364293A (ja) | 薄膜エレクトロルミネセンス素子 | |
| JPS6344684A (ja) | エレクトロルミネセンス発光素子の製造方法 | |
| JPS61195587A (ja) | エレクトロルミネセンス表示素子 | |
| JPH0690954B2 (ja) | エレクトロルミネツセントデイスプレイ用透明電極の形成方法 | |
| JPS5821795B2 (ja) | 薄膜ｅｌ素子の構造 |