JPS6388789A - 薄膜エレクトロルミネツセンス素子の製造法 - Google Patents
薄膜エレクトロルミネツセンス素子の製造法Info
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- JPS6388789A JPS6388789A JP61235313A JP23531386A JPS6388789A JP S6388789 A JPS6388789 A JP S6388789A JP 61235313 A JP61235313 A JP 61235313A JP 23531386 A JP23531386 A JP 23531386A JP S6388789 A JPS6388789 A JP S6388789A
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- thin film
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- electroluminescence device
- film electroluminescence
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明に平面ディスプレイ等として使用される薄膜エレ
クトロルミネッセンスＣ以下ＥＬという）素子の製造法
に関する。
クトロルミネッセンスＣ以下ＥＬという）素子の製造法
に関する。
（従来の技術）
薄膜ＥＬ素子に、発ｊｔＮ’ｋＹｚＯｓ、 ＡｌｚＯｓ
−５ｉｓＮａ等の絶繰物でサンドイッチ状にはさんだ構
造のものが実用化している。第１図に一般的な薄膜ＥＬ
素子の断面構造を示す。第１図に於て、１はガラス基板
、２は透明電極、３は第一絶縁層、４は発光層、５に第
二絶縁層、６は背面［極である。発光層としては蛍光体
母体としてＺｎＳに発光中心材料としてＭｎ ’！ｉｉ
−ドープした焼結ペレットをＥＢ無蒸着たものが実用化
されている。絶縁層にスパッタ法、電子ビーム蒸着法な
どで形成されろ。
−５ｉｓＮａ等の絶繰物でサンドイッチ状にはさんだ構
造のものが実用化している。第１図に一般的な薄膜ＥＬ
素子の断面構造を示す。第１図に於て、１はガラス基板
、２は透明電極、３は第一絶縁層、４は発光層、５に第
二絶縁層、６は背面［極である。発光層としては蛍光体
母体としてＺｎＳに発光中心材料としてＭｎ ’！ｉｉ
−ドープした焼結ペレットをＥＢ無蒸着たものが実用化
されている。絶縁層にスパッタ法、電子ビーム蒸着法な
どで形成されろ。
（発明が解決しようとする問題点）
基板ガラスや透明電極には微小な凹凸や欠陥が存在する
。従来の絶縁層形成法は真空プロセス（電子ビーム蒸着
法、スパッタ法、ＣＶＤ伝などン応用なので下地に欠陥
がある場合完全にカバーするのには限界があった。薄膜
ＥＬ素子を用いたディスプレイの場合数十へ百数十万も
の画素があり一画素でも欠陥があるとパネル全体が不良
となり製造歩留り全土げるためにはガラス基板の管理、
透明電極の形成、第１絶縁層の形成時の工程管理等を惚
めて厳しくする必要がありた。
。従来の絶縁層形成法は真空プロセス（電子ビーム蒸着
法、スパッタ法、ＣＶＤ伝などン応用なので下地に欠陥
がある場合完全にカバーするのには限界があった。薄膜
ＥＬ素子を用いたディスプレイの場合数十へ百数十万も
の画素があり一画素でも欠陥があるとパネル全体が不良
となり製造歩留り全土げるためにはガラス基板の管理、
透明電極の形成、第１絶縁層の形成時の工程管理等を惚
めて厳しくする必要がありた。
本発明に基板や透ＴｌＡ電極の欠陥全遮へいする薄膜Ｅ
Ｌ素子の製造法を提供するものである。
Ｌ素子の製造法を提供するものである。
（問題点全解決する定めの手段）
本発明は比較的簡易に雇欠陥の絶縁層を得るため第１絶
縁層を液体原料を塗布する工程と焼灰工程を含む工程に
工り形成するようにしたものである。特にゾル−ゲル法
を用いれは極めて欠陥の少い膜が得られる。ゾル−ゲル
法は公知の４ので、例えは山根正之：「新しいガラスと
その物性」泉谷徹部監修、経営システム研究所、１９８
４．１８章に記載されている。
縁層を液体原料を塗布する工程と焼灰工程を含む工程に
工り形成するようにしたものである。特にゾル−ゲル法
を用いれは極めて欠陥の少い膜が得られる。ゾル−ゲル
法は公知の４ので、例えは山根正之：「新しいガラスと
その物性」泉谷徹部監修、経営システム研究所、１９８
４．１８章に記載されている。
本発明によれば液状原料がガラス基板や透明′ｆ！Ｌ極
の欠陥にしみ込み欠陥をカバーすることができるための
たやすく極めて欠陥の少い絶縁Ｉｔｉを形成できる。ま
たＥｌ、用絶縁層として多層膜も多用されるが多層膜の
一部に本発明を適用することも当然可能である。
の欠陥にしみ込み欠陥をカバーすることができるための
たやすく極めて欠陥の少い絶縁Ｉｔｉを形成できる。ま
たＥｌ、用絶縁層として多層膜も多用されるが多層膜の
一部に本発明を適用することも当然可能である。
実施例
第１図により！５２明する。
基板１には１００閤角の石英夏ラスを用いた。
この上に透明電極２としてＩＴＯ全０．２μ形成しピッ
チ［Ｌ３３加ライン巾ＣＬ２０１１１１１のストライプ
パターンを形成した。
チ［Ｌ３３加ライン巾ＣＬ２０１１１１１のストライプ
パターンを形成した。
次いで基板中央の８５市角の慎域にシリコンメトキシド
（５ｔ（ＯＣＨｓ）４） のアルコール清液をスピン
コードし空気中放置に工りゲル化させたのち１０００℃
でｍ灰し譲厚α１５μの５ｉＯｚ＃８ｔ−形成した。こ
の土にスパッタ伝に工りＴａ２０５９をα３μ形成して
５ｉＯ１膜と併せて第１絶縁層３とした。さらにこの上
に電子ビーム蒸着法によりＺｎＳ：Ｍｎ発光層ｊｌａ５
μ形成した。この上に第２絶縁層５としてスパッタ法に
よりＴａ２０ｓ９ｆα３μ、５ｉｆｔ １０ｔ ｌ １
５ ａ形成した。最後に背面電極６としてＡｌｋＣｌ、
２μ電子ビ一ム蒸着法に工り蒸着し、ＩＴＯ電物と直交
するようにピッチ［１３３ａｍ、電極巾Ｃｌ２Ｏ關のＩ
ＴＯパターンと同様のストライプパターンを形成して２
４０Ｘ２４０画素のＥＬディスプレイとした。これを１
０枚作成して発光させたところ１０枚とも一画素の欠陥
もなく全画素発光した。
（５ｔ（ＯＣＨｓ）４） のアルコール清液をスピン
コードし空気中放置に工りゲル化させたのち１０００℃
でｍ灰し譲厚α１５μの５ｉＯｚ＃８ｔ−形成した。こ
の土にスパッタ伝に工りＴａ２０５９をα３μ形成して
５ｉＯ１膜と併せて第１絶縁層３とした。さらにこの上
に電子ビーム蒸着法によりＺｎＳ：Ｍｎ発光層ｊｌａ５
μ形成した。この上に第２絶縁層５としてスパッタ法に
よりＴａ２０ｓ９ｆα３μ、５ｉｆｔ １０ｔ ｌ １
５ ａ形成した。最後に背面電極６としてＡｌｋＣｌ、
２μ電子ビ一ム蒸着法に工り蒸着し、ＩＴＯ電物と直交
するようにピッチ［１３３ａｍ、電極巾Ｃｌ２Ｏ關のＩ
ＴＯパターンと同様のストライプパターンを形成して２
４０Ｘ２４０画素のＥＬディスプレイとした。これを１
０枚作成して発光させたところ１０枚とも一画素の欠陥
もなく全画素発光した。
（発明の効果）
本発明に工９比較的容易に大面積のＥＬディスプレイに
基板や透明電極の欠陥を遮へいできる無欠陥の絶縁ｍを
形成でき歩留り同上が達成できた。
基板や透明電極の欠陥を遮へいできる無欠陥の絶縁ｍを
形成でき歩留り同上が達成できた。
第１図は本発明の一実施例デポす断面図、第２図は一般
的な薄膜ＥＬ累素子断面図である。 符号の説明 １ ガラス基板 ２ 込明電極 ３ 第一絶縁層 ４ 発光／ＩＮ５ 第二絶縁層
６ 背面電極 Ｔａ２ｅ５Ｓｉｆｔ
的な薄膜ＥＬ累素子断面図である。 符号の説明 １ ガラス基板 ２ 込明電極 ３ 第一絶縁層 ４ 発光／ＩＮ５ 第二絶縁層
６ 背面電極 Ｔａ２ｅ５Ｓｉｆｔ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）透明基板上に透明電極、第１絶縁層、第２絶縁層背
面電極を積層すると共に第１絶縁層を液体原料を塗布す
る工程と焼成工程を含む工程により形成することを特徴
とする薄膜エレクトロルミネツセンス素子の製造法。 ２）第１絶縁層をゾル−ゲル法により形成することを特
徴とする特許請求範囲第１項記載の薄膜エレクトロルミ
ネツセンス素子の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61235313A JPS6388789A (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61235313A JPS6388789A (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6388789A true JPS6388789A (ja) | 1988-04-19 |
Family
ID=16984258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61235313A Pending JPS6388789A (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6388789A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0475295A (ja) * | 1990-07-16 | 1992-03-10 | Sharp Corp | 薄膜ｅｌ素子 |
-
1986
- 1986-10-02 JP JP61235313A patent/JPS6388789A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0475295A (ja) * | 1990-07-16 | 1992-03-10 | Sharp Corp | 薄膜ｅｌ素子 |
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