JP3475051B2 - 薄膜ｅｌパネル - Google Patents
薄膜ｅｌパネルInfo
- Publication number
- JP3475051B2 JP3475051B2 JP22785297A JP22785297A JP3475051B2 JP 3475051 B2 JP3475051 B2 JP 3475051B2 JP 22785297 A JP22785297 A JP 22785297A JP 22785297 A JP22785297 A JP 22785297A JP 3475051 B2 JP3475051 B2 JP 3475051B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- upper electrode
- film
- panel
- thin film
- nitric acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、上部電極を透明導
電膜とし、該上部電極側から光を取出す薄膜ＥＬパネル
に関するものである。
電膜とし、該上部電極側から光を取出す薄膜ＥＬパネル
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】薄膜ＥＬパネルは、ガラスやセラミック
ス板等からなる基板上に下部電極、ＥＬ素子及び上部電
極を順次積層した構造を持ち、前記両電極に交流電圧を
印加することによって発光を得るものである。従来から
実用化されている薄膜ＥＬパネルは、前記ＥＬ素子とし
てＺｎＳ：Ｍｎ薄膜からなる発光層を上下の絶縁層で挟
持したものを用いた黄色モノクロームディスプレイであ
り、前記下部電極に透明導電膜、前記上部電極に金属電
極を用いて下部電極側から光を取出すものであった。
ス板等からなる基板上に下部電極、ＥＬ素子及び上部電
極を順次積層した構造を持ち、前記両電極に交流電圧を
印加することによって発光を得るものである。従来から
実用化されている薄膜ＥＬパネルは、前記ＥＬ素子とし
てＺｎＳ：Ｍｎ薄膜からなる発光層を上下の絶縁層で挟
持したものを用いた黄色モノクロームディスプレイであ
り、前記下部電極に透明導電膜、前記上部電極に金属電
極を用いて下部電極側から光を取出すものであった。
【０００３】ところで、近年情報産業の発達からカラー
ディスプレイの需要が高まっており、薄膜ＥＬパネルの
カラー化への応用が盛んに進められている。
ディスプレイの需要が高まっており、薄膜ＥＬパネルの
カラー化への応用が盛んに進められている。
【０００４】前記薄膜ＥＬパネルのカラー化の方法とし
ては、上述した薄膜ＥＬパネルの構造に加えてカラーフ
ィルタを組み合わせる方法が多く用いられている。
ては、上述した薄膜ＥＬパネルの構造に加えてカラーフ
ィルタを組み合わせる方法が多く用いられている。
【０００５】図５に、カラーフィルタを組み合わせた薄
膜ＥＬパネルの断面構成図を示す。同図において、１０
１はＥＬ素子基板、１０２はカラーフィルタ基板であ
る。前記ＥＬ素子基板１０１には、ストライプ状の下部
電極１０３と、ＥＬ素子１２０と、前記下部電極１０３
に直交するストライプ状の上部電極１０７とが形成され
ている。なお、前記下部電極１０３と上部電極１０７と
の交差部が画素となっている。また、前記上部電極１０
７はＩＴＯ等の透明導電膜からなっており、前記ＥＬ素
子１２０は、ＺｎＳ：Ｍｎ薄膜等からなる発光層１０５
を下部絶縁層１０４、上部絶縁層１０６で挟持した構成
となっている。
膜ＥＬパネルの断面構成図を示す。同図において、１０
１はＥＬ素子基板、１０２はカラーフィルタ基板であ
る。前記ＥＬ素子基板１０１には、ストライプ状の下部
電極１０３と、ＥＬ素子１２０と、前記下部電極１０３
に直交するストライプ状の上部電極１０７とが形成され
ている。なお、前記下部電極１０３と上部電極１０７と
の交差部が画素となっている。また、前記上部電極１０
７はＩＴＯ等の透明導電膜からなっており、前記ＥＬ素
子１２０は、ＺｎＳ：Ｍｎ薄膜等からなる発光層１０５
を下部絶縁層１０４、上部絶縁層１０６で挟持した構成
となっている。
【０００６】前記カラーフィルタ基板１０２には、各画
素に対応するカラーフィルタ１０９が形成されている。
前記ＥＬ素子基板１０１とカラーフィルタ基板１０２と
は、表示領域の周辺に設けられるシール材１１２によっ
て貼合され、両基板間には、前記カラーフィルタ基板１
０２に設けられた注入口１１１から注入された絶縁性液
体１１０が充填されており、前記注入口１１１は封止板
１１３によって封止されている。
素に対応するカラーフィルタ１０９が形成されている。
前記ＥＬ素子基板１０１とカラーフィルタ基板１０２と
は、表示領域の周辺に設けられるシール材１１２によっ
て貼合され、両基板間には、前記カラーフィルタ基板１
０２に設けられた注入口１１１から注入された絶縁性液
体１１０が充填されており、前記注入口１１１は封止板
１１３によって封止されている。
【０００７】このような構成とすることにより、ＥＬ素
子１２０からの光は透明導電膜で形成された上部電極１
０７及びカラーフィルタ１０９を通過して、カラーフィ
ルタ基板１０２側から取出される。
子１２０からの光は透明導電膜で形成された上部電極１
０７及びカラーフィルタ１０９を通過して、カラーフィ
ルタ基板１０２側から取出される。
【０００８】前記上部電極１０７をパターニングする際
には、上部電極のエッチング残りによって隣接する電極
どうしが短絡することを防ぐために、理想的なエッチン
グ時間に加えて少し長くエッチング時間を取る必要があ
る。この少し長く取るエッチング時間をオーバーエッチ
ング時間と呼ぶ。
には、上部電極のエッチング残りによって隣接する電極
どうしが短絡することを防ぐために、理想的なエッチン
グ時間に加えて少し長くエッチング時間を取る必要があ
る。この少し長く取るエッチング時間をオーバーエッチ
ング時間と呼ぶ。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記上
部電極１０７をＩＴＯ等の透明導電膜を用いて形成した
場合、Ａｌ等の金属を用いて形成した場合に比べてＥＬ
素子１２０に微小破壊が多く発生してしまうという問題
点があった。また、前記微小破壊の発生は、図２の
（ｂ）に示されるように、前記オーバーエッチング時間
が長くなるほど増加する傾向にある。前記微小破壊の数
が一定量より多く発生すると、上部電極１０７の断線が
生じやすくなる等、信頼性が低下してしまうという問題
点があった。
部電極１０７をＩＴＯ等の透明導電膜を用いて形成した
場合、Ａｌ等の金属を用いて形成した場合に比べてＥＬ
素子１２０に微小破壊が多く発生してしまうという問題
点があった。また、前記微小破壊の発生は、図２の
（ｂ）に示されるように、前記オーバーエッチング時間
が長くなるほど増加する傾向にある。前記微小破壊の数
が一定量より多く発生すると、上部電極１０７の断線が
生じやすくなる等、信頼性が低下してしまうという問題
点があった。
【００１０】逆に、前記オーバーエッチング時間を短く
して微小破壊の発生を抑えようとした場合、隣接する上
部電極１０７どうしの短絡を完全に抑えることが困難に
なるという問題点があった。
して微小破壊の発生を抑えようとした場合、隣接する上
部電極１０７どうしの短絡を完全に抑えることが困難に
なるという問題点があった。
【００１１】本発明は、上述した問題点に鑑みてなされ
たものであり、上部電極を透明導電膜により形成した薄
膜ＥＬパネルの製造方法及び薄膜ＥＬパネルにおいて、
オーバーエッチング時間を長くしても微小破壊の発生を
抑えることができる薄膜ＥＬパネルを提供するものであ
る。
たものであり、上部電極を透明導電膜により形成した薄
膜ＥＬパネルの製造方法及び薄膜ＥＬパネルにおいて、
オーバーエッチング時間を長くしても微小破壊の発生を
抑えることができる薄膜ＥＬパネルを提供するものであ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜ＥＬパネル
は、基板上に下部電極、ＥＬ素子及び透明導電膜からな
る上部電極が順次積層された構造を有する薄膜ＥＬパネ
ルにおいて、前記透明導電膜からなる上部電極は、パタ
ーニング終了後に燐酸と水と硝酸とからなる混合液に浸
されたものであることを特徴とするものである。
は、基板上に下部電極、ＥＬ素子及び透明導電膜からな
る上部電極が順次積層された構造を有する薄膜ＥＬパネ
ルにおいて、前記透明導電膜からなる上部電極は、パタ
ーニング終了後に燐酸と水と硝酸とからなる混合液に浸
されたものであることを特徴とするものである。
【００１３】本発明の薄膜ＥＬパネルによれば、透明導
電膜からなる上部電極が、パターニング終了後に燐酸と
水と硝酸とからなる混合液に浸されたものであるので、
微小破壊の発生率が少なく、信頼性を向上することが可
能となる。
電膜からなる上部電極が、パターニング終了後に燐酸と
水と硝酸とからなる混合液に浸されたものであるので、
微小破壊の発生率が少なく、信頼性を向上することが可
能となる。
【００１４】前記上部電極は、２０秒〜８０秒のオーバ
ーエッチング処理を施してパターニングすることによ
り、微小破壊の発生を抑えるとともに、隣接する上部電
極の短絡も防ぐことが可能となる。
ーエッチング処理を施してパターニングすることによ
り、微小破壊の発生を抑えるとともに、隣接する上部電
極の短絡も防ぐことが可能となる。
【００１５】前記混合液に混合される硝酸の割合は９％
を越えると微小破壊の発生を抑える効果が小さくなるの
で、９％以下とすることが望ましい。
を越えると微小破壊の発生を抑える効果が小さくなるの
で、９％以下とすることが望ましい。
【００１６】また、前記上部電極の膜厚は、２００ｎｍ
を越えると微小破壊の発生率が大きくなり、１００ｎｍ
より薄くなると電極の断線の発生率が大きくなるので、
１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下とすることが望ましい。
を越えると微小破壊の発生率が大きくなり、１００ｎｍ
より薄くなると電極の断線の発生率が大きくなるので、
１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下とすることが望ましい。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態について説明する。
施形態について説明する。
【００１８】図１は本発明における薄膜ＥＬパネルの断
面を示す概略図である。図１において、１はガラスから
なる絶縁性基板、２はＩＴＯからなるストライプ状の下
部電極である。なお、前記下部電極２は金属により形成
しても良い。
面を示す概略図である。図１において、１はガラスから
なる絶縁性基板、２はＩＴＯからなるストライプ状の下
部電極である。なお、前記下部電極２は金属により形成
しても良い。
【００１９】また、９はＳｉＯ2膜、Ｓｉ3Ｎ4膜の積層
膜からなる下部絶縁層であり、５はＺｎＳ：Ｍｎ薄膜か
らなる発光層であり、１０はＳｉ3Ｎ4膜、ＳｉＯ2膜の
積層膜からなる上部絶縁層である。前記発光層５、下部
絶縁層９及び上部絶縁層１０によってＥＬ素子１１とな
っている。
膜からなる下部絶縁層であり、５はＺｎＳ：Ｍｎ薄膜か
らなる発光層であり、１０はＳｉ3Ｎ4膜、ＳｉＯ2膜の
積層膜からなる上部絶縁層である。前記発光層５、下部
絶縁層９及び上部絶縁層１０によってＥＬ素子１１とな
っている。
【００２０】また、８は前記下部電極２に直交するよう
に設けられたストライプ状の上部電極であり、ＩＴＯに
よって形成されている。これら絶縁性基板１、下部電極
２、ＥＬ素子１１及び上部電極８によってＥＬ素子基板
１２となっている。
に設けられたストライプ状の上部電極であり、ＩＴＯに
よって形成されている。これら絶縁性基板１、下部電極
２、ＥＬ素子１１及び上部電極８によってＥＬ素子基板
１２となっている。
【００２１】また、１３は彫り込み加工が施されたシー
ル板であり、その内面には前記ＥＬ素子基板１２におけ
る下部電極２及び上部電極８との交点によって定められ
る各画素に対応したモザイク状のカラーフィルタ１４が
形成されている。
ル板であり、その内面には前記ＥＬ素子基板１２におけ
る下部電極２及び上部電極８との交点によって定められ
る各画素に対応したモザイク状のカラーフィルタ１４が
形成されている。
【００２２】前記上部電極８は、ＥＬ素子１１上に形成
しパターニングされた後、燐酸と水と硝酸とからなる混
合液に浸されたものであり、これによって微小破壊の発
生を抑えることができるものである。
しパターニングされた後、燐酸と水と硝酸とからなる混
合液に浸されたものであり、これによって微小破壊の発
生を抑えることができるものである。
【００２３】以下、本発明の薄膜ＥＬ素子の製造方法に
ついて詳細に説明する。まず、絶縁性基板１上にＥＢ蒸
着法によってＩＴＯを２００ｎｍ程度の厚みに形成し、
これをストライプ状にパターニングして下部電極２を形
成した。なお、前記ＩＴＯの形成方法は、高周波スパッ
タ法を用いても良い。
ついて詳細に説明する。まず、絶縁性基板１上にＥＢ蒸
着法によってＩＴＯを２００ｎｍ程度の厚みに形成し、
これをストライプ状にパターニングして下部電極２を形
成した。なお、前記ＩＴＯの形成方法は、高周波スパッ
タ法を用いても良い。
【００２４】次に、少なくとも表示領域に高周波スパッ
タ法によりＳｉＯ2膜及びＳｉ3Ｎ4膜を、それぞれ４０
ｎｍ程度及び２００ｎｍ程度の厚みに成膜し、下部絶縁
層９を形成した。続いて、前記下部絶縁層９の上にＥＢ
蒸着法によりＺｎＳ：Ｍｎ薄膜を７００ｎｍ程度の厚み
に成膜し、発光層５を形成した。続いて、前記発光層５
の上に高周波スパッタ法によりＳｉ3Ｎ4膜及びＳｉＯ2
膜を、それぞれ１００ｎｍ程度及び３５ｎｍ程度の厚み
に成膜し、上部絶縁層１０を形成した。
タ法によりＳｉＯ2膜及びＳｉ3Ｎ4膜を、それぞれ４０
ｎｍ程度及び２００ｎｍ程度の厚みに成膜し、下部絶縁
層９を形成した。続いて、前記下部絶縁層９の上にＥＢ
蒸着法によりＺｎＳ：Ｍｎ薄膜を７００ｎｍ程度の厚み
に成膜し、発光層５を形成した。続いて、前記発光層５
の上に高周波スパッタ法によりＳｉ3Ｎ4膜及びＳｉＯ2
膜を、それぞれ１００ｎｍ程度及び３５ｎｍ程度の厚み
に成膜し、上部絶縁層１０を形成した。
【００２５】次に、前記上部絶縁層１０の上にＩＴＯを
ＥＢ蒸着法により２００ｎｍ程度の厚みに成膜し、塩鉄
液（塩酸と塩化第二鉄との混合液）を用いて液温６０℃
でエッチングを行った。本実施形態ではオーバーエッチ
ング時間を４０秒とした。更にこの後、燐酸（１００
％）と水と硝酸（３５％）との混合比が１０：１０：１
である液温６０℃の混合液に、前記ＥＬ素子基板１２全
体を３０秒間浸した。
ＥＢ蒸着法により２００ｎｍ程度の厚みに成膜し、塩鉄
液（塩酸と塩化第二鉄との混合液）を用いて液温６０℃
でエッチングを行った。本実施形態ではオーバーエッチ
ング時間を４０秒とした。更にこの後、燐酸（１００
％）と水と硝酸（３５％）との混合比が１０：１０：１
である液温６０℃の混合液に、前記ＥＬ素子基板１２全
体を３０秒間浸した。
【００２６】続いて、彫り込み加工が施されたシール板
１３にモザイク状のカラーフィルタ１４を形成し、前記
ＥＬ素子基板１２とカラーフィルタ１４を形成したシー
ル板１３とを２０μｍ〜２００μｍ程度の間隙を保って
貼り合わせ、シール板１３に形成された図示しない注入
口から前記基板間に絶縁性液体１５を注入し、前記注入
口を封止して薄膜ＥＬパネルを作製した。
１３にモザイク状のカラーフィルタ１４を形成し、前記
ＥＬ素子基板１２とカラーフィルタ１４を形成したシー
ル板１３とを２０μｍ〜２００μｍ程度の間隙を保って
貼り合わせ、シール板１３に形成された図示しない注入
口から前記基板間に絶縁性液体１５を注入し、前記注入
口を封止して薄膜ＥＬパネルを作製した。
【００２７】なお、前記カラーフィルタ１４が形成され
る基板は必ずしも彫り込み加工が施されたものでなくて
も良く、図５に示した従来の構造のように平板形状のも
のを用いても良い。また、前記ＥＬ素子基板１２とカラ
ーフィルタ１４が形成されたシール板１３との間隙を保
つために、該基板間に粒形状のスペーサを散布しても良
い。
る基板は必ずしも彫り込み加工が施されたものでなくて
も良く、図５に示した従来の構造のように平板形状のも
のを用いても良い。また、前記ＥＬ素子基板１２とカラ
ーフィルタ１４が形成されたシール板１３との間隙を保
つために、該基板間に粒形状のスペーサを散布しても良
い。
【００２８】このようにして作製された薄膜ＥＬパネル
は、オーバーエッチング時間を長くしても微小破壊の発
生を抑えることができるので、隣接する上部電極の短絡
が発生することが無く、かつ微小破壊の大量発生による
上部電極の断線も発生しないので、信頼性を大きく向上
させることができた。
は、オーバーエッチング時間を長くしても微小破壊の発
生を抑えることができるので、隣接する上部電極の短絡
が発生することが無く、かつ微小破壊の大量発生による
上部電極の断線も発生しないので、信頼性を大きく向上
させることができた。
【００２９】なお、本実施形態においては、上部電極を
パターニングする際のオーバーエッチング時間を４０秒
としたが、これに限るものではない。図２は、オーバー
エッチング時間と微小破壊の発生数との関係を、混合液
による処理を行った場合（ａ）と行わなかった場合
（ｂ）について示したものである。図２から明らかなよ
うに、混合液処理を行った場合は微小破壊の発生を抑え
ることができ、オーバーエッチング時間を長く取ること
が可能になることが分かる。
パターニングする際のオーバーエッチング時間を４０秒
としたが、これに限るものではない。図２は、オーバー
エッチング時間と微小破壊の発生数との関係を、混合液
による処理を行った場合（ａ）と行わなかった場合
（ｂ）について示したものである。図２から明らかなよ
うに、混合液処理を行った場合は微小破壊の発生を抑え
ることができ、オーバーエッチング時間を長く取ること
が可能になることが分かる。
【００３０】混合液処理を行えばオーバーエッチング時
間は８０秒まで取ることが可能となり、エッチング残り
による短絡を防止するためにはオーバーエッチング時間
は２０秒以上取ることが必要であることから、オーバー
エッチング時間は２０秒〜８０秒とすることが望まし
い。
間は８０秒まで取ることが可能となり、エッチング残り
による短絡を防止するためにはオーバーエッチング時間
は２０秒以上取ることが必要であることから、オーバー
エッチング時間は２０秒〜８０秒とすることが望まし
い。
【００３１】また、本実施形態においては、燐酸（１０
０％）と水と硝酸（３５％）との混合液における燐酸
（１００％）と水と硝酸（３５％）との混合比を１０：
１０：１としたが、これに限るものではない。図３は、
前記混合液における硝酸の混合割合と微小破壊の発生数
との関係を示したものである。なお、該混合液は、燐酸
と水との混合比を１：１とし、一般に市販されている３
５％に薄められた硝酸を所定の割合でこれに混合したも
のを用いた。
０％）と水と硝酸（３５％）との混合液における燐酸
（１００％）と水と硝酸（３５％）との混合比を１０：
１０：１としたが、これに限るものではない。図３は、
前記混合液における硝酸の混合割合と微小破壊の発生数
との関係を示したものである。なお、該混合液は、燐酸
と水との混合比を１：１とし、一般に市販されている３
５％に薄められた硝酸を所定の割合でこれに混合したも
のを用いた。
【００３２】図３から明らかなように、前記混合液にお
ける３５％に薄められた硝酸の混合割合は５０％を越え
ると微小破壊の発生を抑える効果が小さくなることが分
かるので、前記混合液における３５％に薄められた硝酸
の混合割合は２５％以下とすることが望ましい。つま
り、前記混合液における硝酸の混合割合は９％以下とす
ることが望ましい。
ける３５％に薄められた硝酸の混合割合は５０％を越え
ると微小破壊の発生を抑える効果が小さくなることが分
かるので、前記混合液における３５％に薄められた硝酸
の混合割合は２５％以下とすることが望ましい。つま
り、前記混合液における硝酸の混合割合は９％以下とす
ることが望ましい。
【００３３】また、本実施形態においては、前記上部電
極の膜厚を２００ｎｍとしたが、これに限るものではな
い。図４は、前記上部電極の膜厚と微小破壊の発生数及
び電極の断線数との関係を示したものである。図４から
明らかなように、前記上部電極の膜厚は２００ｎｍを越
えると微小破壊の発生を抑える効果が小さくなり、１０
０ｎｍより小さくなると電極の断線が生じやすくなるこ
とが分かるので、前記上部電極の膜厚は１００ｎｍ以上
２００ｎｍ以下とすることが望ましい。
極の膜厚を２００ｎｍとしたが、これに限るものではな
い。図４は、前記上部電極の膜厚と微小破壊の発生数及
び電極の断線数との関係を示したものである。図４から
明らかなように、前記上部電極の膜厚は２００ｎｍを越
えると微小破壊の発生を抑える効果が小さくなり、１０
０ｎｍより小さくなると電極の断線が生じやすくなるこ
とが分かるので、前記上部電極の膜厚は１００ｎｍ以上
２００ｎｍ以下とすることが望ましい。
【００３４】なお、一般にＩＴＯ等の透明導電膜を表示
装置の電極として用いた場合、その膜厚が２００ｎｍよ
り薄くなると電気抵抗値が高くなってしまうが、この場
合前記ＩＴＯに、表示の妨げとならないような細幅の金
属配線を積層すれば電気抵抗値を低く抑えることが可能
となり、表示装置の電極として使用することが可能とな
る。
装置の電極として用いた場合、その膜厚が２００ｎｍよ
り薄くなると電気抵抗値が高くなってしまうが、この場
合前記ＩＴＯに、表示の妨げとならないような細幅の金
属配線を積層すれば電気抵抗値を低く抑えることが可能
となり、表示装置の電極として使用することが可能とな
る。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の薄膜ＥＬ
パネルによれば、透明導電膜からなる上部電極が、パタ
ーニング終了後に燐酸と水と硝酸とからなる混合液に浸
されたものであるので、微小破壊の発生率が少なく、信
頼性を向上することができるという効果を奏する。
パネルによれば、透明導電膜からなる上部電極が、パタ
ーニング終了後に燐酸と水と硝酸とからなる混合液に浸
されたものであるので、微小破壊の発生率が少なく、信
頼性を向上することができるという効果を奏する。
【００３６】また、オーバーエッチング時間を２０秒以
上８０秒以下とすることによって、微小破壊の発生を抑
えるとともに、隣接する上部電極の短絡も防ぐことがで
きるという効果を奏する。
上８０秒以下とすることによって、微小破壊の発生を抑
えるとともに、隣接する上部電極の短絡も防ぐことがで
きるという効果を奏する。
【００３７】また、前記混合液に混合される硝酸の割合
を９％以下とすることによって、微小破壊の発生を抑え
る効果が大きくなる。
を９％以下とすることによって、微小破壊の発生を抑え
る効果が大きくなる。
【００３８】さらに、前記上部電極の膜厚を１００ｎｍ
以上２００ｎｍ以下とすることによって、微小破壊の発
生数を抑えるとともに電極の断線数も抑えることができ
るという効果を奏する。
以上２００ｎｍ以下とすることによって、微小破壊の発
生数を抑えるとともに電極の断線数も抑えることができ
るという効果を奏する。
【図１】本発明における薄膜ＥＬパネルの断面構造を示
す図である。
す図である。
【図２】オーバーエッチング時間と微小破壊の発生数と
の関係を示す図である。
の関係を示す図である。
【図３】燐酸と水と硝酸との混合液における硝酸（３５
％）の混合割合と微小破壊の発生数との関係を示す図で
ある。
％）の混合割合と微小破壊の発生数との関係を示す図で
ある。
【図４】上部電極の膜厚と微小破壊の発生数及び電極断
線の発生数との関係を示す図である。
線の発生数との関係を示す図である。
【図５】従来の薄膜ＥＬパネルの断面構造を示す図であ
る。
る。
１ 絶縁性基板
２ 下部電極
５ 発光層
８ 上部電極
９ 下部絶縁層
１０ 上部絶縁層
１１ ＥＬ素子
１２ ＥＬ素子基板
１３ シール板
１４ カラーフィルタ
１５ 絶縁性液体
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H05B 33/00 - 33/28
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に下部電極、ＥＬ素子及び透明導
電膜からなる上部電極が順次積層された構造を有する薄
膜ＥＬパネルにおいて、 前記透明導電膜からなる上部電極は、パターニング終了
後に燐酸と水と硝酸とからなる混合液に浸されたもので
あることを特徴とする薄膜ＥＬパネル。 - 【請求項２】 前記上部電極は、２０秒〜８０秒のオー
バーエッチング処理を施してパターニングしたものであ
ることを特徴とする請求項１記載の薄膜ＥＬパネル。 - 【請求項３】 前記燐酸と水と硝酸とからなる混合液に
おける硝酸の混合割合が９％以下であることを特徴とす
る請求項１、２記載の薄膜ＥＬパネル。 - 【請求項４】 前記上部電極の膜厚が１００ｎｍ〜２０
０ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至３記載の薄
膜ＥＬパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22785297A JP3475051B2 (ja) | 1997-08-25 | 1997-08-25 | 薄膜ｅｌパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22785297A JP3475051B2 (ja) | 1997-08-25 | 1997-08-25 | 薄膜ｅｌパネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1167462A JPH1167462A (ja) | 1999-03-09 |
| JP3475051B2 true JP3475051B2 (ja) | 2003-12-08 |
Family
ID=16867389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22785297A Expired - Fee Related JP3475051B2 (ja) | 1997-08-25 | 1997-08-25 | 薄膜ｅｌパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3475051B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4827294B2 (ja) * | 1999-11-29 | 2011-11-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜装置及び発光装置の作製方法 |
-
1997
- 1997-08-25 JP JP22785297A patent/JP3475051B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1167462A (ja) | 1999-03-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3428397B2 (ja) | 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 | |
| CN100451793C (zh) | 显示装置及其制造方法 | |
| KR970004829B1 (ko) | 컬러 전계 발광 표시소자 및 그 제작방법 | |
| US5161043A (en) | Method of forming liquid crystal display device with molybdenum shading layer over ITO electrodes | |
| KR100778836B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| TW200404185A (en) | Liquid crystal display apparatus and manufacture method of same | |
| JP3475051B2 (ja) | 薄膜ｅｌパネル | |
| JPH07152049A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JPS6146931A (ja) | カラ−液晶パネルの製造方法 | |
| JPH10241857A (ja) | 薄膜電場発光素子の製造方法 | |
| JPS61145533A (ja) | カラ−液晶パネル | |
| JPH0764112A (ja) | 液晶表示装置とその製造方法 | |
| KR101259066B1 (ko) | 횡전계형 액정표시장치용 컬러필터 기판 및 이의 제조방법 | |
| JPH03261005A (ja) | 透明導電膜の形成方法 | |
| JPS61143725A (ja) | カラ−液晶パネル | |
| JP2721076B2 (ja) | 薄膜ｅｌパネル | |
| JP2006126255A (ja) | 電気光学装置、液晶表示装置及びそれらの製造方法 | |
| JPH0155757B2 (ja) | ||
| JP3903639B2 (ja) | カラーフィルタを使用したｅｌディスプレイ及びその製造方法 | |
| JPH11259016A (ja) | 表示装置用アレイ基板の製造方法 | |
| JPS6143726A (ja) | カラ−液晶パネルの製造方法 | |
| JP3375731B2 (ja) | 液晶表示装置およびその製法 | |
| JPH06308319A (ja) | カラーフィルタの製造方法 | |
| JP3761146B2 (ja) | カラーｅｌパネルおよびその製造方法 | |
| JPS6151127A (ja) | カラ−液晶パネル |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080919 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080919 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090919 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090919 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100919 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110919 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120919 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130919 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |