JP2001004993A - 電極基板 - Google Patents
電極基板Info
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- JP2001004993A JP2001004993A JP11174515A JP17451599A JP2001004993A JP 2001004993 A JP2001004993 A JP 2001004993A JP 11174515 A JP11174515 A JP 11174515A JP 17451599 A JP17451599 A JP 17451599A JP 2001004993 A JP2001004993 A JP 2001004993A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高い信頼性（耐久性）を有しエッチング性が良
く、かつ、低コストで量産性に優れた、金属薄膜を有す
る電極基板を提供する。 【解決手段】少なくとも基板上に光反射性電極を形成し
た反射電極基板であって、前記光反射性電極を、基板側
から順次、窒化チタンからなる下引き層と、金属薄膜か
らなる光反射層と、酸化物からなる上側層とを積層した
積層膜としたことを特徴とする反射電極基板。
く、かつ、低コストで量産性に優れた、金属薄膜を有す
る電極基板を提供する。 【解決手段】少なくとも基板上に光反射性電極を形成し
た反射電極基板であって、前記光反射性電極を、基板側
から順次、窒化チタンからなる下引き層と、金属薄膜か
らなる光反射層と、酸化物からなる上側層とを積層した
積層膜としたことを特徴とする反射電極基板。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、反射型液晶表示装
置もしくはＥＬ（エレクトロルミネッセンス）等の表示
装置、あるいは、太陽電池等の光電変換素子に組み込ま
れる反射電極または反射板に関する。
置もしくはＥＬ（エレクトロルミネッセンス）等の表示
装置、あるいは、太陽電池等の光電変換素子に組み込ま
れる反射電極または反射板に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的に液晶表示装置は、各々透明電極
を有する２枚の電極板を対向させ、電極板間に液晶を挟
持した構成となっている。画面表示の際、対向した透明
電極間に電圧を印加することで液晶を駆動し、液晶を透
過した光の偏光を制御している。従来より、液晶表示装
置内に光源（ランプ）を内蔵した、バックライト型もし
くはライトガイド型の透過型液晶表示装置が広く用いら
れている。すなわち、透過型液晶表示装置は画面表示に
用いる光を装置内に内蔵した光源（ランプ）にて供給し
ている。
を有する２枚の電極板を対向させ、電極板間に液晶を挟
持した構成となっている。画面表示の際、対向した透明
電極間に電圧を印加することで液晶を駆動し、液晶を透
過した光の偏光を制御している。従来より、液晶表示装
置内に光源（ランプ）を内蔵した、バックライト型もし
くはライトガイド型の透過型液晶表示装置が広く用いら
れている。すなわち、透過型液晶表示装置は画面表示に
用いる光を装置内に内蔵した光源（ランプ）にて供給し
ている。
【０００３】しかるに、透過型液晶表示装置は内蔵した
光源（ランプ）による消費電力が大いため電池駆動の場
合は使用時間が短く、さらに光源、電池等を組み込まね
ばならないため薄型化、小型化が難しく、本来液晶表示
装置が有すべき携帯用としての特徴を活かしきれていな
いという問題があった。
光源（ランプ）による消費電力が大いため電池駆動の場
合は使用時間が短く、さらに光源、電池等を組み込まね
ばならないため薄型化、小型化が難しく、本来液晶表示
装置が有すべき携帯用としての特徴を活かしきれていな
いという問題があった。
【０００４】このため、近年では、光源（ランプ）を内
蔵しない反射型液晶表示装置の開発が活発となってい
る。
蔵しない反射型液晶表示装置の開発が活発となってい
る。
【０００５】反射型液晶表示装置は、画面表示に用いる
光として装置内に入射する外光を用いるものであり、従
来必要とされていた内蔵式の光源（ランプ）、光源用電
池を不要としている。また、透過型液晶表示装置では内
蔵式の光源（ランプ）より発せられた光を電極板に導く
ための導光板等の周辺部材を必要としていたが、反射型
液晶表示装置では電極板に入射する外光を利用するため
導光板を不必要としている。すなわち反射型液晶表示装
置は、光源、光源用電池、導光板等の部品を用いないた
め、軽量、薄型化が可能であり、また低消費電力である
ため携帯用として理想的な表示装置ということができ
る。
光として装置内に入射する外光を用いるものであり、従
来必要とされていた内蔵式の光源（ランプ）、光源用電
池を不要としている。また、透過型液晶表示装置では内
蔵式の光源（ランプ）より発せられた光を電極板に導く
ための導光板等の周辺部材を必要としていたが、反射型
液晶表示装置では電極板に入射する外光を利用するため
導光板を不必要としている。すなわち反射型液晶表示装
置は、光源、光源用電池、導光板等の部品を用いないた
め、軽量、薄型化が可能であり、また低消費電力である
ため携帯用として理想的な表示装置ということができ
る。
【０００６】また、地球規模で環境問題、エネルギー問
題が叫ばれている現在、低エネルギーでの使用が可能な
反射型液晶表示装置は好ましいものであり、携帯用表示
装置としての開発、実用化が望まれる製品といえる。
題が叫ばれている現在、低エネルギーでの使用が可能な
反射型液晶表示装置は好ましいものであり、携帯用表示
装置としての開発、実用化が望まれる製品といえる。
【０００７】ここで、反射型液晶表示装置においては画
面表示に用いる光として観察者側から装置内に入射する
外光を用いる場合が多く、入射した光を観察者の位置に
反射するために観察者の位置と反対側に光反射板が必要
となる。光反射板として、液晶を挟持する２枚の基板の
観察者と反対側の基板の外側に金属膜を形成したプラス
チックフィルムやホログラムを配設したり、または、観
察者と反対側の基板（以下、背面側基板と呼称する）の
液晶と対向する面側に、直接金属膜を形成する（すなわ
ち、液晶を挟持する２枚の基板の内部に金属膜を形成す
る）方法がとられている。光反射板の形成位置として
は、視差の点から、液晶を挟持した２枚の基板（液晶パ
ネル）の内部に金属膜を形成する構成が優れているとい
える。液晶パネル内部に形成する光反射板としては、表
面に微小な凹凸を形成し光散乱性を持たせたり、電極機
能を兼備させる等の提案がなされている。
面表示に用いる光として観察者側から装置内に入射する
外光を用いる場合が多く、入射した光を観察者の位置に
反射するために観察者の位置と反対側に光反射板が必要
となる。光反射板として、液晶を挟持する２枚の基板の
観察者と反対側の基板の外側に金属膜を形成したプラス
チックフィルムやホログラムを配設したり、または、観
察者と反対側の基板（以下、背面側基板と呼称する）の
液晶と対向する面側に、直接金属膜を形成する（すなわ
ち、液晶を挟持する２枚の基板の内部に金属膜を形成す
る）方法がとられている。光反射板の形成位置として
は、視差の点から、液晶を挟持した２枚の基板（液晶パ
ネル）の内部に金属膜を形成する構成が優れているとい
える。液晶パネル内部に形成する光反射板としては、表
面に微小な凹凸を形成し光散乱性を持たせたり、電極機
能を兼備させる等の提案がなされている。
【０００８】従来より液晶パネル内部に形成する光反射
板の材質として、アルミが用いられていた。しかし、ア
ルミ薄膜で形成した光反射板では、実用上十分な光反射
率を確保することが難しかった。このため現在では、よ
り光反射率の高い銀薄膜を用いることが検討されてい
る。しかるに、銀は基板の材質であるガラスとの密着性
が低く、また、凝集や白濁（マイグレーション）を起こ
しやすいため、信頼性（耐久性）の確保という点で問題
が有るといえる。
板の材質として、アルミが用いられていた。しかし、ア
ルミ薄膜で形成した光反射板では、実用上十分な光反射
率を確保することが難しかった。このため現在では、よ
り光反射率の高い銀薄膜を用いることが検討されてい
る。しかるに、銀は基板の材質であるガラスとの密着性
が低く、また、凝集や白濁（マイグレーション）を起こ
しやすいため、信頼性（耐久性）の確保という点で問題
が有るといえる。
【０００９】銀にて光反射電極を形成した反射型液晶表
示装置用反射電極板の信頼性（耐久性）を確保する手段
として、種々の試みがなされている。例えば本発明者ら
は、Ｎａ（ナトリウム）等のアルカリ金属が電極板を構
成するガラス基板から溶出し、これにより銀のマイグレ
ーションが促進されることを見いだしている。このため
本発明者らは、図２に示すように、ガラス基板30からの
アルカリ金属の溶出を防止するためにガラス基板30上に
ＳｉＯ2 （酸化珪素）層34を形成し、しかる後にＳｉＯ
2 層34上に光反射電極としての銀層を形成することを提
案した。なお、市販されている基板の中には予めＳｉＯ
2 が表面にコートされたソーダガラス基板があるが、そ
のようなガラス基板を用いる場合であっても、ガラス基
板からのアルカリ金属の溶出防止を完全なものとするた
め、ガラス基板上へのＳｉＯ2 層の形成は必要といえ
た。
示装置用反射電極板の信頼性（耐久性）を確保する手段
として、種々の試みがなされている。例えば本発明者ら
は、Ｎａ（ナトリウム）等のアルカリ金属が電極板を構
成するガラス基板から溶出し、これにより銀のマイグレ
ーションが促進されることを見いだしている。このため
本発明者らは、図２に示すように、ガラス基板30からの
アルカリ金属の溶出を防止するためにガラス基板30上に
ＳｉＯ2 （酸化珪素）層34を形成し、しかる後にＳｉＯ
2 層34上に光反射電極としての銀層を形成することを提
案した。なお、市販されている基板の中には予めＳｉＯ
2 が表面にコートされたソーダガラス基板があるが、そ
のようなガラス基板を用いる場合であっても、ガラス基
板からのアルカリ金属の溶出防止を完全なものとするた
め、ガラス基板上へのＳｉＯ2 層の形成は必要といえ
た。
【００１０】次いで本発明者はさらに、銀層を銀合金に
て形成した銀系薄膜とすること、および、図２に示すよ
うに、酸化物薄膜31および33にて銀系薄膜32を挟持した
積層膜25をＳｉＯ2 層34上に形成することも提案してい
る。すなわち、銀系薄膜32とＳｉＯ2 層34との間となる
酸化物薄膜31は、ＳｉＯ2 層34と銀系薄膜32との密着層
としての役割を持たせたものであり、銀系薄膜32上に形
成する酸化物薄膜33は、銀系薄膜32の保護膜としての役
割を持たせたものである。
て形成した銀系薄膜とすること、および、図２に示すよ
うに、酸化物薄膜31および33にて銀系薄膜32を挟持した
積層膜25をＳｉＯ2 層34上に形成することも提案してい
る。すなわち、銀系薄膜32とＳｉＯ2 層34との間となる
酸化物薄膜31は、ＳｉＯ2 層34と銀系薄膜32との密着層
としての役割を持たせたものであり、銀系薄膜32上に形
成する酸化物薄膜33は、銀系薄膜32の保護膜としての役
割を持たせたものである。
【００１１】しかし上述した提案では新たに以下の問題
が生じていたものである。すなわち、基板上にＳｉＯ2
層34を成膜する際には基板に加熱を行う必要がある。な
お、常温にて基板上にＳｉＯ2 層34を成膜することは可
能だが、その場合には、ＳｉＯ2 層34の成膜後に基板に
３００℃以上のベーキングを行なう必要がある。いずれ
にしても、基板上へのＳｉＯ2 層34の成膜には加熱が必
要なため、基板上へのＳｉＯ2 層34の形成と、銀系薄膜
を酸化物薄膜にて挟持した多層構成の積層膜25の形成と
を一つの設備（装置）にて連続して行なうことは困難で
あった。このため、複数の設備装置が必要になり、ま
た、製造プロセスが複雑になるため製造コストが高くな
るという問題が生じたものである。
が生じていたものである。すなわち、基板上にＳｉＯ2
層34を成膜する際には基板に加熱を行う必要がある。な
お、常温にて基板上にＳｉＯ2 層34を成膜することは可
能だが、その場合には、ＳｉＯ2 層34の成膜後に基板に
３００℃以上のベーキングを行なう必要がある。いずれ
にしても、基板上へのＳｉＯ2 層34の成膜には加熱が必
要なため、基板上へのＳｉＯ2 層34の形成と、銀系薄膜
を酸化物薄膜にて挟持した多層構成の積層膜25の形成と
を一つの設備（装置）にて連続して行なうことは困難で
あった。このため、複数の設備装置が必要になり、ま
た、製造プロセスが複雑になるため製造コストが高くな
るという問題が生じたものである。
【００１２】また、ＳｉＯ2 層と銀系薄膜とは密着性が
弱いためＳｉＯ2 層上に直接銀層を形成すると膜剥がれ
を生じてしまう。このため、上述したようにＳｉＯ2 層
34と銀系薄膜32との間に密着層（ＳｉＯ2 層と銀系薄膜
との密着性を向上させるもので、酸化物薄膜31で形成さ
れる）を必要とした。しかし、ＳｉＯ2 層34と銀系薄膜
32との間に密着層を形成することは、形成する層が１層
分増えるため製造コストが高くなり、また、成膜を２回
に分けなければならない。これによっても、設備装置や
製造プロセスが複雑になり製造コストが高くなるという
問題が生じた。
弱いためＳｉＯ2 層上に直接銀層を形成すると膜剥がれ
を生じてしまう。このため、上述したようにＳｉＯ2 層
34と銀系薄膜32との間に密着層（ＳｉＯ2 層と銀系薄膜
との密着性を向上させるもので、酸化物薄膜31で形成さ
れる）を必要とした。しかし、ＳｉＯ2 層34と銀系薄膜
32との間に密着層を形成することは、形成する層が１層
分増えるため製造コストが高くなり、また、成膜を２回
に分けなければならない。これによっても、設備装置や
製造プロセスが複雑になり製造コストが高くなるという
問題が生じた。
【００１３】次いで、光反射膜に液晶駆動用電極の役割
を持たせる等で、基板上に形成した多層構成の積層膜を
フォトリソプロセスを用い所定の電極パターン形状にエ
ッチング加工する場合がある。しかし、所定のパターン
形状へのエッチング加工の際、エッチングする積層膜が
異種金属を積層した多層構成であるため、異種金属同士
が接触していることによる電気化学的接触腐蝕を生じて
しまい、所望する形状にエッチングすることが困難とい
う問題が生じていた。また、エッチングの際に生じる積
層膜のサイドエッチングによりパターンギャップが広が
ると、電極パターンが所望するパターン幅よりも細くな
り、電極パターンを兼ねた反射膜の光の利用効率が低下
するという問題も生じていた。
を持たせる等で、基板上に形成した多層構成の積層膜を
フォトリソプロセスを用い所定の電極パターン形状にエ
ッチング加工する場合がある。しかし、所定のパターン
形状へのエッチング加工の際、エッチングする積層膜が
異種金属を積層した多層構成であるため、異種金属同士
が接触していることによる電気化学的接触腐蝕を生じて
しまい、所望する形状にエッチングすることが困難とい
う問題が生じていた。また、エッチングの際に生じる積
層膜のサイドエッチングによりパターンギャップが広が
ると、電極パターンが所望するパターン幅よりも細くな
り、電極パターンを兼ねた反射膜の光の利用効率が低下
するという問題も生じていた。
【００１４】また、銀系薄膜は軟らかく傷がつきやすい
ため、液晶パネルの製造中に光反射電極が断線してしま
うという問題も有った。
ため、液晶パネルの製造中に光反射電極が断線してしま
うという問題も有った。
【００１５】なお、上述した記述では、反射型液晶表示
装置用の反射電極板（背面側電極基板）につき述べた
が、銀系薄膜が挟持された積層膜は、透明電極への適用
も可能である。すなわち、積層膜は、銀系薄膜および酸
化物薄膜の膜厚、酸化物薄膜の組成、素材等を適宜変更
することで透明電極とすることができ、太陽電池、もし
くはＥＬ（エレクトロルミネッセンス）等に用いられる
透明電極基板、あるいは電磁波シールド膜等にも適用で
きる。積層膜を透明電極として基板上に形成した電極基
板においても、上述したと同様の問題（設備および工程
が複雑になり、生産コストが高くなる、所望する形状に
エッチングすることが困難等の問題）が生じるものであ
る。
装置用の反射電極板（背面側電極基板）につき述べた
が、銀系薄膜が挟持された積層膜は、透明電極への適用
も可能である。すなわち、積層膜は、銀系薄膜および酸
化物薄膜の膜厚、酸化物薄膜の組成、素材等を適宜変更
することで透明電極とすることができ、太陽電池、もし
くはＥＬ（エレクトロルミネッセンス）等に用いられる
透明電極基板、あるいは電磁波シールド膜等にも適用で
きる。積層膜を透明電極として基板上に形成した電極基
板においても、上述したと同様の問題（設備および工程
が複雑になり、生産コストが高くなる、所望する形状に
エッチングすることが困難等の問題）が生じるものであ
る。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は以上の問題点
に鑑みなされたもので、その課題とするところは、高い
信頼性（耐久性）を有しエッチング性が良く、かつ、低
コストで量産性に優れた、金属薄膜を有する電極基板を
提供することにある。
に鑑みなされたもので、その課題とするところは、高い
信頼性（耐久性）を有しエッチング性が良く、かつ、低
コストで量産性に優れた、金属薄膜を有する電極基板を
提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を行い、本発明に至ったものであ
る。
を解決すべく鋭意検討を行い、本発明に至ったものであ
る。
【００１８】すなわち、請求項１に係わる発明は、少な
くとも基板上に光反射性電極を形成した反射電極基板で
あって、前記光反射性電極を、基板側から順次、窒化チ
タンからなる下引き層と、金属薄膜からなる光反射層
と、酸化物からなる上側層とを積層した積層膜としたこ
とを特徴とする反射電極基板としたものである。
くとも基板上に光反射性電極を形成した反射電極基板で
あって、前記光反射性電極を、基板側から順次、窒化チ
タンからなる下引き層と、金属薄膜からなる光反射層
と、酸化物からなる上側層とを積層した積層膜としたこ
とを特徴とする反射電極基板としたものである。
【００１９】次いで、請求項２においては、前記光反射
層上に積層する上側層を、非晶質もしくは非晶質様の酸
化物にて形成したことを特徴とする請求項１に記載の反
射電極基板としたものである。
層上に積層する上側層を、非晶質もしくは非晶質様の酸
化物にて形成したことを特徴とする請求項１に記載の反
射電極基板としたものである。
【００２０】次いで、請求項３においては、前記光反射
層上に積層する上側層を、酸化インジウムを含有する非
晶質もしくは非晶質様の酸化物にて形成したことを特徴
とする請求項１または２に記載の反射電極基板としたも
のである。
層上に積層する上側層を、酸化インジウムを含有する非
晶質もしくは非晶質様の酸化物にて形成したことを特徴
とする請求項１または２に記載の反射電極基板としたも
のである。
【００２１】次いで、請求項４においては、前記光反射
層上に積層する上側層を、酸化インジウムに酸化セリウ
ムを含有させた非晶質もしくは非晶質様の酸化物にて形
成したことを特徴とする請求項１、２または３に記載の
反射電極基板としたものである。
層上に積層する上側層を、酸化インジウムに酸化セリウ
ムを含有させた非晶質もしくは非晶質様の酸化物にて形
成したことを特徴とする請求項１、２または３に記載の
反射電極基板としたものである。
【００２２】次いで、請求項５においては、前記光反射
層上に積層する上側層の膜厚を１０ｎｍ以下としたこと
を特徴とする請求項１、２、３または４に記載の反射電
極基板としたものである。
層上に積層する上側層の膜厚を１０ｎｍ以下としたこと
を特徴とする請求項１、２、３または４に記載の反射電
極基板としたものである。
【００２３】次いで、請求項６においては、前記下引き
層の膜厚を８ｎｍ以上としたことを特徴とする請求項
１、２、３、４または５に記載の電極基板としたもので
ある。
層の膜厚を８ｎｍ以上としたことを特徴とする請求項
１、２、３、４または５に記載の電極基板としたもので
ある。
【００２４】次いで、請求項７においては、前記金属薄
膜からなる光反射層を、銀に金もしくは銅の少なくとも
一方を添加した銀合金であって、銀への金属の添加量を
３ａｔ％以下とした銀合金にて形成したことを特徴とす
る請求項１、２、３、４、５または６に記載の電極基板
としたものである。
膜からなる光反射層を、銀に金もしくは銅の少なくとも
一方を添加した銀合金であって、銀への金属の添加量を
３ａｔ％以下とした銀合金にて形成したことを特徴とす
る請求項１、２、３、４、５または６に記載の電極基板
としたものである。
【００２５】次いで、請求項８においては、前記金属薄
膜からなる光反射層をアルミもしくはアルミ合金にて形
成したことを特徴とする請求項１、２、３、４、５また
は６に記載の電極基板としたものである。
膜からなる光反射層をアルミもしくはアルミ合金にて形
成したことを特徴とする請求項１、２、３、４、５また
は６に記載の電極基板としたものである。
【００２６】
【発明の実施の形態】請求項１に係わる発明では、反射
電極基板とするため基板上に形成する光反射性電極を、
基板側から順次、窒化チタンからなる下引き層と、金属
薄膜からなる光反射層と、酸化物からなる上側層とを積
層した積層膜としている。下引き層となる窒化チタン
は、金属薄膜からなる光反射層との密着性が良く、ま
た、基板からＮａ（ナトリウム）等のアルカリ金属が光
反射層へ拡散することを防止するアルカリバリア効果を
有する。また、液晶パネル化のための製造工程において
光反射層に傷が入ったとしても、窒化チタンは硬度が高
く傷がつきにくいため断線せず、かつ、エッチングによ
るパターニング時にエッチング条件を最適な条件に設定
することで所望する形状にエッチング加工することが可
能となる。
電極基板とするため基板上に形成する光反射性電極を、
基板側から順次、窒化チタンからなる下引き層と、金属
薄膜からなる光反射層と、酸化物からなる上側層とを積
層した積層膜としている。下引き層となる窒化チタン
は、金属薄膜からなる光反射層との密着性が良く、ま
た、基板からＮａ（ナトリウム）等のアルカリ金属が光
反射層へ拡散することを防止するアルカリバリア効果を
有する。また、液晶パネル化のための製造工程において
光反射層に傷が入ったとしても、窒化チタンは硬度が高
く傷がつきにくいため断線せず、かつ、エッチングによ
るパターニング時にエッチング条件を最適な条件に設定
することで所望する形状にエッチング加工することが可
能となる。
【００２７】次いで、請求項２においては、光反射層上
に積層する上側層を、非晶質（アモルファス）もしくは
非晶質様（アモルファス様）の酸化物にて形成してい
る。上側層を構成する酸化物を粒界が無く緻密としたこ
とで、金属薄膜からなる光反射層と上側層との界面での
金属の粒界拡散を抑制できる。
に積層する上側層を、非晶質（アモルファス）もしくは
非晶質様（アモルファス様）の酸化物にて形成してい
る。上側層を構成する酸化物を粒界が無く緻密としたこ
とで、金属薄膜からなる光反射層と上側層との界面での
金属の粒界拡散を抑制できる。
【００２８】次いで、請求項３においては、光反射層上
に積層する上側層を、酸化インジウムを含有する非晶質
もしくは非晶質様の酸化物にて形成し、また請求項４に
おいては、光反射層上に積層する上側層を、酸化インジ
ウムに酸化セリウムを含有させた非晶質もしくは非晶質
様の酸化物にて形成している。すなわち、上側層を、酸
化インジウムを含有する非晶質もしくは非晶質様の酸化
物としたことで、信頼性を向上させること、および上側
層表面の電気的抵抗を下げることが可能となり、さら
に、酸化インジウムに酸化セリウムを添加することで耐
性の有る膜とすることができる。
に積層する上側層を、酸化インジウムを含有する非晶質
もしくは非晶質様の酸化物にて形成し、また請求項４に
おいては、光反射層上に積層する上側層を、酸化インジ
ウムに酸化セリウムを含有させた非晶質もしくは非晶質
様の酸化物にて形成している。すなわち、上側層を、酸
化インジウムを含有する非晶質もしくは非晶質様の酸化
物としたことで、信頼性を向上させること、および上側
層表面の電気的抵抗を下げることが可能となり、さら
に、酸化インジウムに酸化セリウムを添加することで耐
性の有る膜とすることができる。
【００２９】次いで、請求項５においては、光反射層上
に積層する上側層の膜厚を１０ｎｍ以下とした。すなわ
ち、光反射層を保護する役割を有する上側層の膜厚を１
０ｎｍ以下とすることで、光反射層と上側層との積層体
の光反射率を高くすることが可能となる。
に積層する上側層の膜厚を１０ｎｍ以下とした。すなわ
ち、光反射層を保護する役割を有する上側層の膜厚を１
０ｎｍ以下とすることで、光反射層と上側層との積層体
の光反射率を高くすることが可能となる。
【００３０】次いで、請求項６においては、下引き層の
膜厚を８ｎｍ以上としている。これにより基板からのア
ルカリ金属の拡散を強固に防止し、かつ、光反射層に傷
が生じた場合でも下引き層により導電性を確保維持する
ことが可能となる。
膜厚を８ｎｍ以上としている。これにより基板からのア
ルカリ金属の拡散を強固に防止し、かつ、光反射層に傷
が生じた場合でも下引き層により導電性を確保維持する
ことが可能となる。
【００３１】次いで、請求項７においては、金属薄膜か
らなる光反射層を、銀に金もしくは銅の少なくとも一方
を添加した銀合金とし、銀への金属の添加量を３ａｔ％
以下としている。これにより反射率の高い光反射層とす
ることができ、かつ、銀のマイグレーションを防止でき
る。
らなる光反射層を、銀に金もしくは銅の少なくとも一方
を添加した銀合金とし、銀への金属の添加量を３ａｔ％
以下としている。これにより反射率の高い光反射層とす
ることができ、かつ、銀のマイグレーションを防止でき
る。
【００３２】次いで、請求項８においては、金属薄膜か
らなる光反射層をアルミもしくはアルミ合金にて形成し
ている。すなわち、請求項８においては、高価な銀に変
えて安価なアルミもしくはアルミ合金を用いるものであ
り、高い光反射率よりも安価な製造コストを反射電極基
板に要求された場合に有効となる。ここでアルミ合金と
するためアルミに添加する金属としては、Ｃｕ、Ａｕの
他、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉおよび、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｚ
ｎ、またはＰｒ等のランタノイド系金属等があげられ、
添加する金属および、添加量は特に限定するものでな
く、適宜選択して構わない。
らなる光反射層をアルミもしくはアルミ合金にて形成し
ている。すなわち、請求項８においては、高価な銀に変
えて安価なアルミもしくはアルミ合金を用いるものであ
り、高い光反射率よりも安価な製造コストを反射電極基
板に要求された場合に有効となる。ここでアルミ合金と
するためアルミに添加する金属としては、Ｃｕ、Ａｕの
他、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉおよび、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｚ
ｎ、またはＰｒ等のランタノイド系金属等があげられ、
添加する金属および、添加量は特に限定するものでな
く、適宜選択して構わない。
【００３３】
【実施例】以下に、本発明の実施の形態の例につき説明
を行う。 （実施例１）図１に示すように、本実施例１に係わる電
極基板１は、ＳｉＯ2 （酸化珪素）が表面にコートされ
たソーダガラス基板10上に積層膜５を形成している。積
層膜５は、スパッタリング法にて、下引き層（窒化チタ
ン層11）、銀系薄膜12、および上側層（酸化物薄膜層1
3）を順次積層成膜している。ちなみに膜厚は、窒化チ
タン層11を50ｎｍ、銀系薄膜12を 150ｎｍ、酸化物薄膜
層13を 8.5ｎｍとした。
を行う。 （実施例１）図１に示すように、本実施例１に係わる電
極基板１は、ＳｉＯ2 （酸化珪素）が表面にコートされ
たソーダガラス基板10上に積層膜５を形成している。積
層膜５は、スパッタリング法にて、下引き層（窒化チタ
ン層11）、銀系薄膜12、および上側層（酸化物薄膜層1
3）を順次積層成膜している。ちなみに膜厚は、窒化チ
タン層11を50ｎｍ、銀系薄膜12を 150ｎｍ、酸化物薄膜
層13を 8.5ｎｍとした。
【００３４】窒化チタン層11（下引き層）は窒化チタン
にて形成し、また、酸化物薄膜層13は酸化インジウムと
酸化セリウムからなる混合酸化物にて形成した。混合酸
化物の組成は、酸素原子を数に含めない金属原子のみの
ａｔ％（原子パーセント）にて、酸化インジウムを66.7
ａｔ％、酸化セリウムを33.3ａｔ％とした。次いで、銀
系薄膜12は、銀に金および銅を添加した銀合金にて形成
したもので、銀合金の組成は、銀98.5ａｔ％、金 1.0ａ
ｔ％、銅 0.5ａｔ％とした。
にて形成し、また、酸化物薄膜層13は酸化インジウムと
酸化セリウムからなる混合酸化物にて形成した。混合酸
化物の組成は、酸素原子を数に含めない金属原子のみの
ａｔ％（原子パーセント）にて、酸化インジウムを66.7
ａｔ％、酸化セリウムを33.3ａｔ％とした。次いで、銀
系薄膜12は、銀に金および銅を添加した銀合金にて形成
したもので、銀合金の組成は、銀98.5ａｔ％、金 1.0ａ
ｔ％、銅 0.5ａｔ％とした。
【００３５】次いで、本実施例１に係わる電極基板１
は、以下の製造プロセスにて製造した。すなわち、ガラ
ス基板10に脱脂、洗浄、乾燥処理を行った後、ガラス基
板10をスパッタリング装置内に投入し、装置内を真空排
気した。
は、以下の製造プロセスにて製造した。すなわち、ガラ
ス基板10に脱脂、洗浄、乾燥処理を行った後、ガラス基
板10をスパッタリング装置内に投入し、装置内を真空排
気した。
【００３６】スパッタリング装置内の真空度が５×１０
-4Ｐａとなった段階でＡｒ（アルゴン）ガスおよびＮ2
（窒素）ガスを導入し、スパッタリング装置内のガス圧
を0.35Ｐａに調整した。このとき、導入ガス中のＮ
2 （窒素）は、導入ガス中のＮ2％で25％（例えば、導
入Ａｒガス 100SCCMに対し、導入Ｎ2 ガスを25SCCMの割
合）とするよう調整した。次いで、上記ガスを導入後、
窒化チタンターゲットに電圧を印加し、ＲＦ（高周波）
スパッタリングにて基板10上に窒化チタン層11を形成し
た。
-4Ｐａとなった段階でＡｒ（アルゴン）ガスおよびＮ2
（窒素）ガスを導入し、スパッタリング装置内のガス圧
を0.35Ｐａに調整した。このとき、導入ガス中のＮ
2 （窒素）は、導入ガス中のＮ2％で25％（例えば、導
入Ａｒガス 100SCCMに対し、導入Ｎ2 ガスを25SCCMの割
合）とするよう調整した。次いで、上記ガスを導入後、
窒化チタンターゲットに電圧を印加し、ＲＦ（高周波）
スパッタリングにて基板10上に窒化チタン層11を形成し
た。
【００３７】窒化チタン層11の形成が終了した段階で放
電およびガスの導入を停止し、スパッタリング装置内を
真空度５×１０-4Ｐａまで排気した。次いで、スパッタ
リング装置内にＡｒガスを導入し、ガス圧を 0.4Ｐａと
なるよう調整し、上記組成とした銀合金（銀、金、銅）
ターゲットに電圧を印加し、ＤＣ（直流）スパッタリン
グにて銀系薄膜12を形成した。
電およびガスの導入を停止し、スパッタリング装置内を
真空度５×１０-4Ｐａまで排気した。次いで、スパッタ
リング装置内にＡｒガスを導入し、ガス圧を 0.4Ｐａと
なるよう調整し、上記組成とした銀合金（銀、金、銅）
ターゲットに電圧を印加し、ＤＣ（直流）スパッタリン
グにて銀系薄膜12を形成した。
【００３８】銀系薄膜12の形成が終了した段階で放電お
よびガスの導入を停止し、スパッタリング装置内を真空
度５×１０-4Ｐａまで排気した。次いで、Ａｒ（アルゴ
ン）ガスおよびＯ2 （酸素）ガスを導入し、スパッタリ
ング装置内のガス圧を0.35Ｐａに調整した。このとき、
導入ガス中のＯ2 （酸素）ガス量を0.75％（例えば、導
入Ａｒガス 100SCCMに対し、導入Ｏ2 ガスを0.75SCCMの
割合）とするよう調整した。次いで、上記ガスを導入
後、上記組成とした混合酸化物（酸化インジウムおよび
酸化セリウム）ターゲットに電圧を印加し、ＤＣ（直
流）スパッタリングにて酸化物薄膜層13を形成し、３層
構成の積層膜５とした。
よびガスの導入を停止し、スパッタリング装置内を真空
度５×１０-4Ｐａまで排気した。次いで、Ａｒ（アルゴ
ン）ガスおよびＯ2 （酸素）ガスを導入し、スパッタリ
ング装置内のガス圧を0.35Ｐａに調整した。このとき、
導入ガス中のＯ2 （酸素）ガス量を0.75％（例えば、導
入Ａｒガス 100SCCMに対し、導入Ｏ2 ガスを0.75SCCMの
割合）とするよう調整した。次いで、上記ガスを導入
後、上記組成とした混合酸化物（酸化インジウムおよび
酸化セリウム）ターゲットに電圧を印加し、ＤＣ（直
流）スパッタリングにて酸化物薄膜層13を形成し、３層
構成の積層膜５とした。
【００３９】なお、上述した成膜処理中、基板10への加
熱は行わず、成膜は真空を保ったまま連続して行った。
熱は行わず、成膜は真空を保ったまま連続して行った。
【００４０】上述した積層膜５は反射膜として形成した
ものであり、その光反射率は、可視域の波長（ 400〜 7
00nm）で８８％以上と高反射率であり、また、面積抵抗
値は０．２８Ω／□と低抵抗であった。
ものであり、その光反射率は、可視域の波長（ 400〜 7
00nm）で８８％以上と高反射率であり、また、面積抵抗
値は０．２８Ω／□と低抵抗であった。
【００４１】次いで、上述した製造プロセスで得た積層
膜に以下のフォトリソプロセスを行い、所定のパターン
形状を有する積層膜とした。まず、上述した製造プロセ
スで得た積層膜５上に光感光性樹脂（ポジ型レジスト）
をスピンナーにて膜厚１μｍにて塗布した後、オーブン
にて90℃、20分間の乾燥を行った。
膜に以下のフォトリソプロセスを行い、所定のパターン
形状を有する積層膜とした。まず、上述した製造プロセ
スで得た積層膜５上に光感光性樹脂（ポジ型レジスト）
をスピンナーにて膜厚１μｍにて塗布した後、オーブン
にて90℃、20分間の乾燥を行った。
【００４２】次いで、所定のパターンを有する露光用フ
ォトマスクを用い、露光装置にて光感光性樹脂にパター
ン露光を行った後、アルカリ現像液（水酸化カリウム
０．７５重量％）にて現像を行った。これにより、パタ
ーン露光された光感光性樹脂部位を溶解除去し、所定の
積層膜５部位上に光感光性樹脂パターンを形成した。現
像後、再びオーブンにて90℃、30分間の乾燥を行った。
ォトマスクを用い、露光装置にて光感光性樹脂にパター
ン露光を行った後、アルカリ現像液（水酸化カリウム
０．７５重量％）にて現像を行った。これにより、パタ
ーン露光された光感光性樹脂部位を溶解除去し、所定の
積層膜５部位上に光感光性樹脂パターンを形成した。現
像後、再びオーブンにて90℃、30分間の乾燥を行った。
【００４３】次いで、積層膜５のエッチングには、硫
酸、硝酸、および酢酸を混合したエッチング液を用いた
ものであり、液温40℃のエッチング液中に約30秒間浸漬
してエッチングを行った（すなわち、エッチングによ
り、光感光性樹脂パターンより露出した積層膜５部位を
溶解除去した）。なおエッチングの際、酸化物薄膜層13
および銀系薄膜12がエッチングされたもので、窒化チタ
ン層11はエッチングされず、成膜時の状態で膜状に残留
していた。
酸、硝酸、および酢酸を混合したエッチング液を用いた
ものであり、液温40℃のエッチング液中に約30秒間浸漬
してエッチングを行った（すなわち、エッチングによ
り、光感光性樹脂パターンより露出した積層膜５部位を
溶解除去した）。なおエッチングの際、酸化物薄膜層13
および銀系薄膜12がエッチングされたもので、窒化チタ
ン層11はエッチングされず、成膜時の状態で膜状に残留
していた。
【００４４】エッチング後に基板10を水洗洗浄し乾燥さ
せた後、過酸化水素とアンモニア水を混合させたエッチ
ング液にて窒化チタン層11をエッチングした。このとき
のエッチング液の液温は室温程度とし、エッチング時間
は約３分とした。
せた後、過酸化水素とアンモニア水を混合させたエッチ
ング液にて窒化チタン層11をエッチングした。このとき
のエッチング液の液温は室温程度とし、エッチング時間
は約３分とした。
【００４５】次いで、水洗洗浄し乾燥を行った基板10全
体に光照射した後、アルカリ剥膜液（水酸化カリウム１
重量％）を用い、光感光性樹脂パターンを剥膜した。次
いで、基板に 180℃、１時間の乾燥を行い、所定の形状
パターンとした積層膜（反射電極）を得た。
体に光照射した後、アルカリ剥膜液（水酸化カリウム１
重量％）を用い、光感光性樹脂パターンを剥膜した。次
いで、基板に 180℃、１時間の乾燥を行い、所定の形状
パターンとした積層膜（反射電極）を得た。
【００４６】上記エッチング処理で得られた所定の形状
パターンとした積層膜は、エッチングの際のサイドエッ
チングが小さく抑えられており、エッチングで形成され
た電極パターンのギャップ（隣接する電極間の距離）は
約６μｍと狭くできた。すなわち、サイドエッチングの
小さくできた分、電極パターンの幅を広くすることがで
き、光を有効に反射することが可能となった。また、本
実施例１で得られた基板上の所定の形状パターンとした
積層膜（反射電極）に故意に傷を付けた。傷は、ゼムク
リップの丸い部分で積層膜（反射電極）を軽くこすって
付けた。傷を付けた基板10を配線検査機にかけ、積層膜
（反射電極）の電気的断線を検査したところ、窒化チタ
ン層11には傷による断線が生じておらず、傷による積層
膜（反射電極）の断線は発生していなかった。
パターンとした積層膜は、エッチングの際のサイドエッ
チングが小さく抑えられており、エッチングで形成され
た電極パターンのギャップ（隣接する電極間の距離）は
約６μｍと狭くできた。すなわち、サイドエッチングの
小さくできた分、電極パターンの幅を広くすることがで
き、光を有効に反射することが可能となった。また、本
実施例１で得られた基板上の所定の形状パターンとした
積層膜（反射電極）に故意に傷を付けた。傷は、ゼムク
リップの丸い部分で積層膜（反射電極）を軽くこすって
付けた。傷を付けた基板10を配線検査機にかけ、積層膜
（反射電極）の電気的断線を検査したところ、窒化チタ
ン層11には傷による断線が生じておらず、傷による積層
膜（反射電極）の断線は発生していなかった。
【００４７】（実施例２）上記実施例１と同様に、本実
施例２に係わる電極基板１は、ＳｉＯ2 （酸化珪素）が
表面にコートされたソーダガラス基板10上に積層膜５を
形成している。積層膜５は、スパッタリング法にて、下
引き層（窒化チタン層11）、銀系薄膜12、および上側層
（酸化物薄膜13）を順次積層成膜した後、所定のパター
ン形状に形成している。なお、本実施例２においては、
窒化チタン層11の膜厚を50nm、銀系薄膜12の膜厚を 150
nm、酸化物薄膜13の膜厚を 3.5nmとした。
施例２に係わる電極基板１は、ＳｉＯ2 （酸化珪素）が
表面にコートされたソーダガラス基板10上に積層膜５を
形成している。積層膜５は、スパッタリング法にて、下
引き層（窒化チタン層11）、銀系薄膜12、および上側層
（酸化物薄膜13）を順次積層成膜した後、所定のパター
ン形状に形成している。なお、本実施例２においては、
窒化チタン層11の膜厚を50nm、銀系薄膜12の膜厚を 150
nm、酸化物薄膜13の膜厚を 3.5nmとした。
【００４８】窒化チタン層11は、窒化チタンにて形成
し、酸化物薄膜13は酸化インジウムおよび酸化セリウム
からなる混合酸化物で形成し、その組成は、酸素原子を
数に含めない金属原子のみのａｔ％（原子パーセント）
にて、酸化インジウムを66.7ａｔ％（原子パーセン
ト）、酸化セリウムを33.3ａｔ％（原子パーセント）と
した。次いで、銀系薄膜12は、銀に金および銅を添加し
た銀合金にて形成したもので、銀合金の組成は、銀98.5
ａｔ％（原子パーセント）、金 1.0ａｔ％（原子パーセ
ント）、銅 0.5ａｔ％（原子パーセント）とした。
し、酸化物薄膜13は酸化インジウムおよび酸化セリウム
からなる混合酸化物で形成し、その組成は、酸素原子を
数に含めない金属原子のみのａｔ％（原子パーセント）
にて、酸化インジウムを66.7ａｔ％（原子パーセン
ト）、酸化セリウムを33.3ａｔ％（原子パーセント）と
した。次いで、銀系薄膜12は、銀に金および銅を添加し
た銀合金にて形成したもので、銀合金の組成は、銀98.5
ａｔ％（原子パーセント）、金 1.0ａｔ％（原子パーセ
ント）、銅 0.5ａｔ％（原子パーセント）とした。
【００４９】次いで、本実施例２に係わる電極基板１
は、以下の製造プロセスにて製造した。すなわち、ま
ず、ガラス基板10に脱脂、洗浄、乾燥処理を行った後、
ガラス基板10をスパッタリング装置内に投入した。本実
施例２で用いたスパッタリング装置はロードロックタイ
プと呼称されるものである。すなわち、装置内は例えば
水平方向に連続した３部屋に分割されており、搬送用ト
レーにセットされた基板が順次各部屋に搬送されてい
く。後述する成膜中の汚染が隣接した部屋での処理に影
響を及ぼさないよう、各部屋は所定の間隔をもって配置
され、また、シールドおよび排気の工夫も行っている。
また、ガラス基板10を投入後、スパッタリング装置内は
真空排気し、真空度が５×１０ -4Ｐａに達した段階でＡ
ｒガスを導入し、スパッタリング装置内が 0.4Ｐａとな
るよう調整している。
は、以下の製造プロセスにて製造した。すなわち、ま
ず、ガラス基板10に脱脂、洗浄、乾燥処理を行った後、
ガラス基板10をスパッタリング装置内に投入した。本実
施例２で用いたスパッタリング装置はロードロックタイ
プと呼称されるものである。すなわち、装置内は例えば
水平方向に連続した３部屋に分割されており、搬送用ト
レーにセットされた基板が順次各部屋に搬送されてい
く。後述する成膜中の汚染が隣接した部屋での処理に影
響を及ぼさないよう、各部屋は所定の間隔をもって配置
され、また、シールドおよび排気の工夫も行っている。
また、ガラス基板10を投入後、スパッタリング装置内は
真空排気し、真空度が５×１０ -4Ｐａに達した段階でＡ
ｒガスを導入し、スパッタリング装置内が 0.4Ｐａとな
るよう調整している。
【００５０】スパッタリング装置内に投入されたガラス
基板10は、搬送用トレーにて水平搬送され、スパッタリ
ング装置内の各部屋を所定の速度で移動する。その際、
各部屋で順次、窒化チタン層11、銀系薄膜12、酸化物薄
膜13が成膜形成される。
基板10は、搬送用トレーにて水平搬送され、スパッタリ
ング装置内の各部屋を所定の速度で移動する。その際、
各部屋で順次、窒化チタン層11、銀系薄膜12、酸化物薄
膜13が成膜形成される。
【００５１】スパッタリング装置内の第一部屋内を基板
10が通過する際、第一部屋内に設置した窒化チタンター
ゲットに電圧を印加し、ＤＣ（直流）スパッタリングに
て窒化チタン層11を形成した。同様に第二部屋内を基板
10が通過する際、上記組成とした銀合金（銀、金、およ
び銅）ターゲットに電圧を印加し、ＤＣ（直流）スパッ
タリングにて銀系薄膜12を形成した。次いで、第三部屋
内を基板10が通過する際、上記組成とした混合酸化物
（酸化インジウムおよび酸化セリウム）ターゲットに電
圧を印加し、ＤＣ（直流）スパッタリングにて酸化物薄
膜13を形成した。なおスパッタリングの際、第一部屋内
ではＡｒガスに加えてＮ2 ガスを導入したものであり、
第一部屋内のＮ2 ガスの割合は25％（導入Ａｒガス 100
SCCMに対し、導入Ｎ2 ガスを25SCCMの割合）とし、同様
に第三部屋内ではＡｒガスに加えてＯ2 ガスを導入した
ものであり、第三部屋内のＯ2 ガスの割合は0.75％（導
入Ａｒガス 100SCCMに対し、導入Ｏ2 ガスを0.75SCCMの
割合）とした。基板10への成膜中、基板10は無加熱とし
たものであり、上述した積層成膜を行った後、基板10に
180℃、１時間のベークを行った。
10が通過する際、第一部屋内に設置した窒化チタンター
ゲットに電圧を印加し、ＤＣ（直流）スパッタリングに
て窒化チタン層11を形成した。同様に第二部屋内を基板
10が通過する際、上記組成とした銀合金（銀、金、およ
び銅）ターゲットに電圧を印加し、ＤＣ（直流）スパッ
タリングにて銀系薄膜12を形成した。次いで、第三部屋
内を基板10が通過する際、上記組成とした混合酸化物
（酸化インジウムおよび酸化セリウム）ターゲットに電
圧を印加し、ＤＣ（直流）スパッタリングにて酸化物薄
膜13を形成した。なおスパッタリングの際、第一部屋内
ではＡｒガスに加えてＮ2 ガスを導入したものであり、
第一部屋内のＮ2 ガスの割合は25％（導入Ａｒガス 100
SCCMに対し、導入Ｎ2 ガスを25SCCMの割合）とし、同様
に第三部屋内ではＡｒガスに加えてＯ2 ガスを導入した
ものであり、第三部屋内のＯ2 ガスの割合は0.75％（導
入Ａｒガス 100SCCMに対し、導入Ｏ2 ガスを0.75SCCMの
割合）とした。基板10への成膜中、基板10は無加熱とし
たものであり、上述した積層成膜を行った後、基板10に
180℃、１時間のベークを行った。
【００５２】本実施例２で得られた積層膜は反射膜とし
て形成したものであり、その光反射率は、可視域の波長
（ 400〜 700nm）で９０％以上と高反射率であり、ま
た、面積抵抗値は０．２７Ω／□と低抵抗であった。
て形成したものであり、その光反射率は、可視域の波長
（ 400〜 700nm）で９０％以上と高反射率であり、ま
た、面積抵抗値は０．２７Ω／□と低抵抗であった。
【００５３】次いで、上述した製造プロセスで得られた
積層膜５に上記（実施例１）で記したのと同様のフォト
リソプロセスを行い、所定のパターン形状を有する積層
膜とした。
積層膜５に上記（実施例１）で記したのと同様のフォト
リソプロセスを行い、所定のパターン形状を有する積層
膜とした。
【００５４】エッチング処理で所定の形状パターンとな
った積層膜は、エッチングの際のサイドエッチングが小
さく抑えられており、エッチングで形成された電極パタ
ーンのギャップ（隣接する電極間の距離）は約６μｍと
狭くできた。すなわち、サイドエッチングの小さくでき
た分、電極パターンの幅を広くすることができ、光を有
効に反射することが可能となった。また、本実施例２で
得られた基板上の所定の形状パターンとした積層膜（反
射電極）に故意に傷を付けた。傷は、ゼムクリップの丸
い部分で積層膜（反射電極）を軽くこすって付けた。傷
を付けた基板10を配線検査機にかけ、積層膜（反射電
極）の電気的断線を検査したところ、窒化チタン層11に
は傷による断線が生じておらず、傷による積層膜（反射
電極）の断線は発生していなかった。
った積層膜は、エッチングの際のサイドエッチングが小
さく抑えられており、エッチングで形成された電極パタ
ーンのギャップ（隣接する電極間の距離）は約６μｍと
狭くできた。すなわち、サイドエッチングの小さくでき
た分、電極パターンの幅を広くすることができ、光を有
効に反射することが可能となった。また、本実施例２で
得られた基板上の所定の形状パターンとした積層膜（反
射電極）に故意に傷を付けた。傷は、ゼムクリップの丸
い部分で積層膜（反射電極）を軽くこすって付けた。傷
を付けた基板10を配線検査機にかけ、積層膜（反射電
極）の電気的断線を検査したところ、窒化チタン層11に
は傷による断線が生じておらず、傷による積層膜（反射
電極）の断線は発生していなかった。
【００５５】以上、本発明の実施形態の例につき説明し
たが、本発明の実施形態は上述した説明および図面に限
定されるものではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変
形を行っても構わないことはいうまでもない。
たが、本発明の実施形態は上述した説明および図面に限
定されるものではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変
形を行っても構わないことはいうまでもない。
【００５６】
【発明の効果】前述した（従来の技術）の項に記したよ
うに、従来、銀系薄膜をガラス板等の基板上に形成し電
極基板とするには、基板からのアルカリ金属の拡散によ
る銀のマイグレーションを防止するため、予め基板上に
ＳｉＯ2 層を形成した後に銀系薄膜を形成していた。し
かしその場合、ＳｉＯ2 層と銀系薄膜との密着性が悪い
ため、ＳｉＯ2 層と銀系薄膜との間に酸化物薄膜からな
る密着層の形成を必要としていた。そのため、従来の電
極基板においては、製造プロセスが複雑となり、製造コ
ストが高くなっていた。また、基板上に酸化物薄膜にて
銀系薄膜を挟持した積層膜を形成後、積層膜を所定のパ
ターンとすべくフォトリソプロセスによりパターンニン
グを行うと、異種金属同士の接触による接触腐蝕を生じ
てしまい、所望する形状にエッチングすることが困難と
いう問題が生じていた。
うに、従来、銀系薄膜をガラス板等の基板上に形成し電
極基板とするには、基板からのアルカリ金属の拡散によ
る銀のマイグレーションを防止するため、予め基板上に
ＳｉＯ2 層を形成した後に銀系薄膜を形成していた。し
かしその場合、ＳｉＯ2 層と銀系薄膜との密着性が悪い
ため、ＳｉＯ2 層と銀系薄膜との間に酸化物薄膜からな
る密着層の形成を必要としていた。そのため、従来の電
極基板においては、製造プロセスが複雑となり、製造コ
ストが高くなっていた。また、基板上に酸化物薄膜にて
銀系薄膜を挟持した積層膜を形成後、積層膜を所定のパ
ターンとすべくフォトリソプロセスによりパターンニン
グを行うと、異種金属同士の接触による接触腐蝕を生じ
てしまい、所望する形状にエッチングすることが困難と
いう問題が生じていた。
【００５７】さらに、従来の電極基板では、電極が柔ら
かく傷がつきやすく断線を生じやすいものであった。
かく傷がつきやすく断線を生じやすいものであった。
【００５８】しかるに本発明の電極基板は、積層膜を形
成する下引き層を、硬く傷がつきにくく、銀系薄膜との
密着性の良い導電性を有する窒化チタンとしている。窒
化チタンからなる下引き層は、基板からのＮａ等のアル
カリ金属の銀系薄膜への拡散を防止するアルカリバリア
効果を有することとなり、基板上へのＳｉＯ2 層の形成
を不要としている。すなわち本発明によれば、基板上へ
のＳｉＯ2 層の形成を不要とした分、層構成の単純な電
極基板を提供できる。すなわち、本発明によれば、製造
コストの低い電極基板の提供が可能となる。
成する下引き層を、硬く傷がつきにくく、銀系薄膜との
密着性の良い導電性を有する窒化チタンとしている。窒
化チタンからなる下引き層は、基板からのＮａ等のアル
カリ金属の銀系薄膜への拡散を防止するアルカリバリア
効果を有することとなり、基板上へのＳｉＯ2 層の形成
を不要としている。すなわち本発明によれば、基板上へ
のＳｉＯ2 層の形成を不要とした分、層構成の単純な電
極基板を提供できる。すなわち、本発明によれば、製造
コストの低い電極基板の提供が可能となる。
【００５９】また、基板上に形成した積層膜をフォトリ
ソプロセスで所定のパターン形状とするとき、下引き層
は銀系薄膜との密着性が良好であることから、エッチン
グの際に生じるサイドエッチングが防止された精度の良
い電極パターンを得ることができる。すなわち本発明に
よれば、品質の面においても良好な電極基板を提供する
ことが可能となる。さらに、下引き層は硬く傷がつきに
くいことから、傷による断線の心配も解消される。
ソプロセスで所定のパターン形状とするとき、下引き層
は銀系薄膜との密着性が良好であることから、エッチン
グの際に生じるサイドエッチングが防止された精度の良
い電極パターンを得ることができる。すなわち本発明に
よれば、品質の面においても良好な電極基板を提供する
ことが可能となる。さらに、下引き層は硬く傷がつきに
くいことから、傷による断線の心配も解消される。
【００６０】すなわち本発明によれば、信頼性が高く製
造コストを低く押さえた品質の良い電極基板を得ること
ができる。
造コストを低く押さえた品質の良い電極基板を得ること
ができる。
【００６１】
【図１】本発明の電極基板の一実施例の要部を示す断面
説明図。
説明図。
【図２】従来の電極基板の一例の要部を示す断面説明
図。
図。
１ 電極基板 ５ 積層膜 10 基板 11 窒化チタン層 12 銀系薄膜 13 酸化物薄膜 21 電極基板 25 積層膜 30 基板 31 酸化物薄膜 32 銀系薄膜 33 酸化物薄膜 34 ＳｉＯ2 層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 福吉 健蔵 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】少なくとも基板上に光反射性電極を形成し
た反射電極基板であって、前記光反射性電極を、基板側
から順次、窒化チタンからなる下引き層と、金属薄膜か
らなる光反射層と、酸化物からなる上側層とを積層した
積層膜としたことを特徴とする反射電極基板。 - 【請求項２】前記光反射層上に積層する上側層を、非晶
質もしくは非晶質様の酸化物にて形成したことを特徴と
する請求項１に記載の反射電極基板。 - 【請求項３】前記光反射層上に積層する上側層を、酸化
インジウムを含有する非晶質もしくは非晶質様の酸化物
にて形成したことを特徴とする請求項１または２に記載
の反射電極基板。 - 【請求項４】前記光反射層上に積層する上側層を、酸化
インジウムに酸化セリウムを含有させた非晶質もしくは
非晶質様の酸化物にて形成したことを特徴とする請求項
１、２または３に記載の反射電極基板。 - 【請求項５】前記光反射層上に積層する上側層の膜厚を
１０ｎｍ以下としたことを特徴とする請求項１、２、３
または４に記載の反射電極基板。 - 【請求項６】前記下引き層の膜厚を８ｎｍ以上としたこ
とを特徴とする請求項１、２、３、４または５に記載の
電極基板。 - 【請求項７】前記金属薄膜からなる光反射層を、銀に金
もしくは銅の少なくとも一方を添加した銀合金であっ
て、銀への金属の添加量を３ａｔ％以下とした銀合金に
て形成したことを特徴とする請求項１、２、３、４、５
または６に記載の電極基板。 - 【請求項８】前記金属薄膜からなる光反射層をアルミも
しくはアルミ合金にて形成したことを特徴とする請求項
１、２、３、４、５または６に記載の電極基板。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP17451599A JP4465740B2 (ja) | 1999-06-21 | 1999-06-21 | 電極基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17451599A JP4465740B2 (ja) | 1999-06-21 | 1999-06-21 | 電極基板の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001004993A true JP2001004993A (ja) | 2001-01-12 |
| JP4465740B2 JP4465740B2 (ja) | 2010-05-19 |
Family
ID=15979872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17451599A Expired - Lifetime JP4465740B2 (ja) | 1999-06-21 | 1999-06-21 | 電極基板の製造方法 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP4465740B2 (ja) |
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-
1999
- 1999-06-21 JP JP17451599A patent/JP4465740B2/ja not_active Expired - Lifetime
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