JP2001281435A - カラーフィルター基板の製造方法、カラーフィルター基板、液晶装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 透明電極の保護膜への密着性を向上し、保護
膜上と基板本体上に形成された透明導電膜のエッチング
差を低減することを可能にし、配向膜の配向不良を防止
することができ、透明電極の耐引っ掻き性を向上するこ
とができるカラーフィルター基板の製造方法を提供す
る。 【解決手段】 基板本体１１Ａ上にカラーフィルター層
１５、保護膜１６を形成した後、プラズマアッシングを
行うことにより、基板本体１１Ａ上のレジストの残査の
除去行う。次に、低パワーのスパッタリング法により、
基板本体１１Ａ上に、第一透明導電膜１８Ａを形成す
る。次に、イオンプレーティング法により第一透明導電
膜１８Ａ上に、第二透明導電膜１８Ｂを形成する。最後
に、第一透明導電膜１８Ａ、第二透明導電膜１８Ｂを所
定のパターンに加工することにより透明電極１８を形成
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、カラーフィルター
基板の製造方法、カラーフィルター基板、液晶装置及び
電子機器に係り、特に、膜質の異なる第一透明導電膜と
第二透明導電膜の２層構造からなる透明電極を形成する
技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１６に、スイッチング素子としてＴＦ
Ｄ（Thin Film Diode）素子を用いた従来の液晶（表
示）装置１００の概略断面構造を示し、この液晶装置の
構造を説明する。また、図１７に、この液晶装置１００
の部分構造を示す。図１６は図１７に示す液晶装置をＡ
１０−Ａ１０’方向に切断したときの断面図を示してい
る。図１６、図１７において、各層や各部材を図面上で
認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材の縮
尺は実際のものとは異なるように表している。

【０００３】図１６に示すように、液晶装置１００おい
て、カラーフィルター層１０５などを備えた、カラーフ
ィルター基板（下側基板）１０１と、後述するＴＦＤ素
子１１０などを備えた素子基板（上側基板）１０２とが
それぞれの基板の周縁部においてシール材１０４を介し
て所定間隔で貼着され、カラーフィルター基板１０１、
素子基板１０２間に液晶層１０３が挟持されている。

【０００４】カラーフィルター基板１０１は、ガラス等
からなる基板本体１０１Ａと、その上に順次積層形成さ
れたカラーフィルター層１０５、保護膜１０６、絶縁膜
１０７、透明電極１０８、配向膜１１２を主体として構
成されている。また、素子基板１０２は、ガラス等から
なる基板本体１０２と、その下面側（液晶層１０３側）
に積層形成された画素電極１０９、ＴＦＤ素子１１０、
配向膜１１３を主体として構成されている。

【０００５】図１６、図１７に示すように、基板本体１
０１Ａ上には、カラー画素１０５ａ及び遮光層（ブラッ
クマトリックス）１０５ｂからなるカラーフィルター層
１０５が形成されている。カラーフィルター層１０５上
にはカラーフィルター層１０５を保護するとともに、カ
ラーフィルター層１０５を平坦化するための有機膜から
なる保護膜１０６が形成され、保護膜１０６上には、酸
化珪素(SiOx)又は窒化珪素(SiNx)からなる絶縁膜１０７
が形成され、絶縁膜１０７上にはインジウム錫酸化物な
どの透明導電材料からなり、走査線となる複数の透明電
極１０８が各々短冊状に形成されている。図１７におい
ては、簡略化のため、保護膜１０６、絶縁膜１０７を省
略している。

【０００６】また、基板本体１０２Ａのカラーフィルタ
ー基板１０１と対向する表面上には、各画素に対応する
位置にインジウム錫酸化物などの透明導電材料からなる
画素電極１０９がマトリクス状に配置され、これらの画
素電極１０９を駆動するためのＴＦＤ素子１１０が各画
素電極１０９毎に配置されている。また、素子基板１０
２のカラーフィルター基板１０１と対向する表面上に
は、基板本体１０１Ａ上に配置される透明電極１０８と
交差する方向に複数の信号線１１１が設けられ、各ＴＦ
Ｄ素子１１０が信号線１１１に接続されている。

【０００７】図１６に示すように、透明電極１０８の液
晶層１０３側、画素電極１０９の液晶層１０３側には液
晶を配向するためのポリイミドなどからなる配向膜１１
２、１１３が形成されている。配向膜１１２、１１３間
には液晶セルのセルギャップを均一にするための二酸化
珪素、ポリスチレンなどから形成される多数の球状のス
ペーサー１１４が配置されている。図１７においては簡
略化のため、配向膜１１２、１１３、スペーサー１１４
は省略している。また、実際の液晶装置において、カラ
ーフィルター基板１０１、素子基板１０２の外側には位
相差板、偏光板などの光学素子が設置されているが、図
面上では省略している。

【０００８】この構造の液晶装置１００においては、表
示領域に対応してカラーフィルター層１０５が形成され
ている。カラーフィルター層１０５の端縁部を２０５と
すると、保護膜１０６の端縁部２０６はカラーフィルタ
ー層１０５の端縁部２０５とシール材１０４の内周部２
０４との間に位置されている。絶縁膜１０７は基板本体
１０１Ａ上の全面に形成されている。さらに、透明電極
１０８の一方の端部はシール材１０４の外側まで延出形
成され、図面では省略している外部接続用端子部に接続
されている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】図１８に、上記のカラ
ーフィルター基板１０１の周縁部を拡大した概略平面構
造を示す。図１８に示すように、透明電極１０８が保護
膜１０６の端縁部２０６の外側の領域の一部分から細く
形成され、引回し配線とされ、図面では省略している外
部接続用端子部に接続されている。

【００１０】また、配向膜１１２の端縁部２１２の外側
の領域において、透明電極１０８が形成されていない領
域では、絶縁膜１０７が一番上の層とされているので、
この領域を図１８に符号２０２で示した。

【００１１】配向膜１１２は、ポリイミドなどの配向性
高分子膜を成膜後、レーヨンなどのラビング布を巻き付
けたラビングローラーで擦る（ラビングする）ことによ
り形成されるが、この配向膜１１２の形成工程におい
て、絶縁膜１０７が一番上の層となっている領域２０２
もラビングローラーにより擦られることになるので、絶
縁膜１０７上に、ラビング布の繊維くずや配向性高分子
膜の削りかすが付着する恐れがある。このようなことが
生じると、配向膜１１２を形成した後の洗浄工程におい
て、領域２０２、すなわち配向膜１１２の外側の領域に
付着した付着物が、洗浄液の流れに沿って表示領域内の
配向膜１１２上に移動し、洗浄を行っても配向膜１１２
上に移動した付着物が完全には取りきれず、配向膜１１
２上に残された付着物の残査が配向不良を引き起こす恐
れがある。

【００１２】この配向不良の問題は、従来、配向膜１１
２を基板本体１０１Ａ上の全面に形成することにより回
避することができると考えられるが、配向膜１１２をシ
ール材１０４の形成領域にも形成した場合、シール材１
０４のカラーフィルター基板１０１に対する密着性が低
下し、液晶セルの外部から水分などの異物が液晶セル内
に混入する恐れが生じやすく、品質が悪化するという恐
れがある。そのため、本発明者は、図１６に示すよう
に、配向膜１１２をシール材１０４の内周部２０４より
も内側に形成することが望ましいと考えている。

【００１３】配向膜１１２をシール材１０４の内周部２
０４より内側にのみ形成した場合において、本発明者が
検討を行ったところ、配向不良の問題は保護膜１０６と
透明電極１０８との間に絶縁膜１０７を形成していない
場合には生じにくいことが判明した。

【００１４】しかしながら、従来、透明電極１０８は高
周波（ＲＦ(Radio Frequency)）電源とＤＣ（Direct Cu
rrent）電源の両方を用い、高パワーのスパッタリング
法により形成されているが、絶縁膜１０７を形成せず
に、保護膜１０６上に直接、透明電極１０８を形成した
場合には、保護膜１０６と透明電極１０８との密着性が
悪いことが判明した。

【００１５】また、絶縁膜１０７を形成せずに、保護膜
１０６上に直接、透明電極１０８を形成した場合、保護
膜１０６の端縁部２０６の外側において、カラーフィル
ター層１０５、保護膜１０６、絶縁膜１０７が形成され
ないため、ガラス等からなる基板本体１０１Ａ上に直
接、透明電極１０８が形成されることになる。

【００１６】保護膜１０６上に直接透明電極１０８を形
成する場合、インジウム錫酸化物などからなる透明導電
膜を形成した後、所定のパターンにエッチングする工程
において、保護膜１０６と透明導電膜との密着性が悪い
ため、有機膜である保護膜１０６上に形成された透明導
電膜の方が、無機材料のガラス等からなる基板本体１０
１Ａ上に形成された透明導電膜よりもエッチングされや
すくなり、保護膜１０６上の透明導電膜がオーバーエッ
チングされてパターンの形成精度が低下する恐れがある
ことが判明した。

【００１７】また、上記の液晶装置１００において、カ
ラーフィルター層１０５、保護膜１０６を形成する工程
において、感光性ポリマーのレジストを用い、レジスト
の露光、現像を行うことにより、カラーフィルター層１
０５、保護膜１０６を所定のパターンに加工している
が、現像工程において除去しきれなかったレジストの残
査が、保護膜１０６の端縁部２０６より外側の領域に残
留する恐れがあった。

【００１８】図１９に、カラーフィルター基板１０１
の、保護膜１０６の端縁部２０６の近傍部分を拡大した
概略断面を示す。保護膜１０６の端縁部２０６の外側の
領域において、基板本体１０１Ａと絶縁膜１０７との間
には、０．５〜３ｎｍ程度の膜厚のレジストの残査２０
１が形成されている。本発明者の研究により、このレジ
ストの残査２０１が存在すると、このレジストの残査２
０１上に形成される絶縁膜１０７、透明電極１０８の耐
引っ掻き性が低下し、ガラスや金属などにより機械的な
衝撃を加えると透明電極１０８が容易に剥離し、透明電
極１０８のパターン欠損が発生する場合があることが判
明した。また、この問題は絶縁膜１０７を形成していな
い場合においても同様に発生することが判明した。

【００１９】以上の問題は、ＴＦＤ素子を用いた液晶装
置に限った問題ではなく、カラーフィルター層と透明導
電材料からなる透明電極を具備するカラーフィルター基
板を備えた液晶装置であればいかなる液晶装置において
も生じる問題であり、単純マトリックス型の液晶装置や
ＴＦＴ（Thin-Film Transistor）素子に代表される３端
子型素子を用いるアクティブマトリックス型の液晶装置
などにおいても生じる問題である。

【００２０】そこで、本発明は、保護膜上に直接、イン
ジウム錫酸化物などの透明導電材料からなる透明電極を
形成する場合においても、透明電極の保護膜への密着性
を向上し、保護膜上と基板本体上に形成された透明導電
膜のエッチング差を低減することを可能にし、配向膜の
配向不良を防止することができ、透明電極の耐引っ掻き
性を向上することができるカラーフィルター基板の製造
方法を提供することを目的とする。また、このカラーフ
ィルター基板の製造方法により、インジウム錫酸化物な
どの透明導電材料からなる透明電極の保護膜への密着性
が良好で、配向膜の配向不良を防止でき、透明電極の耐
引っ掻き性を向上させた、信頼性の高いカラーフィルタ
ー基板を提供することを目的とする。

【００２１】また、このカラーフィルター基板を備える
ことにより、配向膜の配向不良を防止することができ、
透明電極の耐引っ掻き性を向上でき、信頼性が高く、表
示品質を向上させた液晶装置を提供することを目的とす
る。

【００２２】さらに、この液晶装置を備えることによ
り、信頼性が高く、表示品質の優れた電子機器を提供す
ることを目的とする。

【００２３】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明者が検討を行った結果、保護膜上に形成する透
明電極を第一透明導電膜と、第一透明導電膜上に形成し
た第二透明導電膜の二層構造とし、第一透明導電膜を低
パワーのスパッタリング法により形成し、第二透明導電
膜をイオンプレーティング法により形成することによ
り、透明電極の保護膜への密着性を低下させることな
く、保護膜上と基板本体上に形成された透明導電膜のエ
ッチング差を低減すことができることを見出した。

【００２４】この製造方法によれば、保護膜と透明電極
との間に、酸化珪素、窒化珪素あるいはこれらの積層か
らなる絶縁膜を形成する必要がないので、絶縁膜が配向
膜から露出して一番上の層になることに起因する配向膜
の配向不良を防止することができる。

【００２５】また、本発明者は、イオンプレーティング
法により得られた第二透明導電膜が、通常のスパッタリ
ング法により形成される透明導電膜とは異なる結晶構造
を有し、表面が平滑化され、比抵抗値の小さいものとな
ることを見出した。

【００２６】通常のスパッタリング法により形成される
透明導電膜の比抵抗値は通常１．５×１０^-6Ω・ｍ程度
であるのに対し、イオンプレーティング法により形成さ
れた第二透明導電膜の比抵抗値は１．０×１０^-6Ω・ｍ
より小さい値となった。第二透明導電膜の比抵抗値が低
減された結果、配線抵抗に影響を与えることなく第二透
明導電膜の膜厚を薄くすることができるため、透明電極
の光透過率を向上できることを見出した。

【００２７】また、本発明者が研究を行った結果、第一
透明導電膜の膜厚が所定の範囲を超えると、第一、第二
透明導電膜を所定のパターンにエッチングする際に、保
護膜の端縁部において、第一、第二透明導電膜には段差
が形成されるが、この段差部分にエッチング液が浸透
し、段差部分の透明電極が浸食されてしまう恐れがある
ことが判明した。本発明者は第一透明導電膜の膜厚が５
０ｎｍより厚くなった場合にこの問題を生じることを見
出し、また、第一透明導電膜の膜厚が１０ｎｍより薄い
と均一な膜を形成することができないため、第一透明導
電膜の膜厚は１０〜５０ｎｍが最適であることを見出し
た。

【００２８】また、本発明者は、第一透明導電膜の膜厚
を１０〜５０ｎｍとすることにより、保護膜上と基板本
体上に形成された透明導電膜のエッチング差も低減され
ることを見出した。さらに、本発明者は第一透明導電膜
の膜厚を３０ｎｍ以下とすることにより、第一透明導電
膜の膜厚が３０ｎｍより厚い場合よりも、保護膜上と基
板本体上に形成された透明導電膜のエッチング差をより
低減できることを見出した。したがって、第一透明導電
膜の膜厚を１０〜３０ｎｍとすることがより望ましい。

【００２９】また、本発明者は、基板本体上にカラーフ
ィルター層と保護膜を形成した後、プラズマアッシング
を行い、基板本体上において保護膜の外側の領域に付着
したレジストの残査を除去してから、第一、第二透明導
電膜を形成することにより、基板本体上に形成された透
明電極の耐引っ掻き性を向上することができることを見
出した。

【００３０】また、上記課題を解決するために本発明の
カラーフィルター基板の製造方法は、少なくともカラー
フィルター層、カラーフィルター層を保護する保護膜、
透明導電材料からなる透明電極を具備するカラーフィル
ター基板の製造方法であって、基板本体上に前記カラー
フィルター層と前記保護膜と第一透明導電膜を形成した
後、該第一透明導電膜上にイオンプレーティング法によ
り、前記第一透明導電膜とは膜質の異なる第二透明導電
膜を形成し、前記第一透明導電膜、前記第二透明導電膜
を所定のパターンに加工することにより、前記第一透明
導電膜、前記第二透明導電膜の二層構造からなる前記透
明電極を形成することを特徴とする。

【００３１】先に説明したように、この手段において、
前記第一透明導電膜の膜厚を１０〜５０ｎｍとすること
が望ましい。第一透明導電膜の膜厚を１０〜５０ｎｍと
することにより、第一透明導電膜を均一に成膜できると
ともに、第一、第二透明導電膜を所定のパターンにエッ
チングする際に、第一、第二透明導電膜の段差部分が浸
食されることを防止することができる。また、第一透明
導電膜の膜厚を１０〜５０ｎｍとすることにより、保護
膜上と基板本体上に形成された透明導電膜のエッチング
差を低減することができる。

【００３２】また、先に説明したように、前記第一透明
導電膜の膜厚を１０〜３０ｎｍとすることがより望まし
い。第一透明導電膜の膜厚を１０〜３０ｎｍとすること
により、保護膜上と基板本体上に形成された透明導電膜
のエッチング差をより低減することができる。

【００３３】また、先に説明したように、第二透明導電
膜をイオンプレーティング法により成膜することによ
り、第二透明導電膜の比抵抗値を低減することができる
ので、第二透明導電膜を薄く形成することができる。配
線抵抗に影響を与えず、かつ良好な光透過率を有する透
明電極を得るためには、前記第二透明導電膜の膜厚を５
０〜３５０ｎｍとすることが望ましい。

【００３４】また、電力を５〜２０Ｗ、ガス圧を０．１
〜１０Ｐａ、ガス中の酸素分率を５〜２０％、成膜速度
を５〜３００ｎｍ／ｍｉｎ、成膜温度を１７０〜２５０
℃に設定し、前記第二透明導電膜を形成することが望ま
しく、このように設定することにより、表面が平滑化さ
れ、低抵抗な第二透明導電膜を形成できることを見出し
た。

【００３５】また、先に説明したように、前記基板本体
上に前記カラーフィルター層と前記保護膜を形成した
後、プラズマアッシングにより前記基板本体表面の表面
浄化を行ってから、前記第一透明導電膜を形成すること
が望ましい。

【００３６】プラズマアッシング処理は、電力を３００
〜１ｋＷ、ガス圧を０．１〜１Ｐａ、ガス中の酸素分率
を０．５〜５％、処理時間を７〜２０分間に設定するこ
とにより、保護膜を損傷することなく、基板本体上にお
いて保護膜の外側の領域に付着したレジストの残査を完
全に除去することができる。基板本体上において保護膜
の外側の領域に付着したレジストの残査の除去を行って
から、第一、第二透明導電膜を形成することにより、基
板本体上に形成された透明電極の耐引っ掻き性を向上す
ることができる。

【００３７】また、スパッタリング法により前記第一透
明導電膜を形成することを特徴とし、電力を２００〜１
ｋＷ、ガス圧を０．１〜１Ｐａ、ガス中の酸素分率を
０．５〜５％、成膜速度を０．５〜２０ｎｍ／ｍｉｎ、
成膜温度を１５０〜２５０℃に設定し、前記第一透明導
電膜を形成することを特徴とする。第一透明導電膜を低
パワーのスパッタリング法により形成することにより、
保護膜を損傷することなく、第一透明導電膜を形成でき
るとともに、第一透明導電膜の保護膜への密着性、すな
わち透明電極の保護膜への密着性を向上し、保護膜上と
基板本体上に形成された透明導電膜のエッチング差を低
減することができる。

【００３８】以上の手段によれば、透明電極の保護膜へ
の密着性を向上し、保護膜上と基板本体上に形成された
透明導電膜のエッチング差を低減することができ、透明
電極の耐引っ掻き性を向上することができるカラーフィ
ルター基板の製造方法を提供することができる。

【００３９】また、この製造方法によれば、保護膜と透
明電極との間に、酸化珪素、窒化珪素あるいはこれらの
積層からなる絶縁膜を形成する必要がないので、絶縁膜
が一番上の層になることに起因する配向膜の配向不良を
防止することができる。

【００４０】また、以上のカラーフィルター基板の製造
方法により、少なくともカラーフィルター層、カラーフ
ィルター層を保護する保護膜、透明導電材料からなる透
明電極を具備するカラーフィルター基板において、前記
透明電極が結晶構造の異なる第一透明導電膜と第二透明
導電膜の二層構造からなることを特徴とするカラーフィ
ルター基板を提供することができる。このカラーフィル
ター基板は、配向不良が防止され、透明電極の耐引っ掻
き性が向上された、信頼性が高いものとなる。

【００４１】また、このカラーフィルター基板と他方の
基板とがシール材を介して対向配置されるとともに、こ
れら基板間に液晶層が挟持されたことを特徴とする液晶
装置を提供することができる。この液晶装置は、配向膜
の配向不良が防止され、透明電極の耐引っ掻き性が向上
され、信頼性が高く、表示品質が向上されたものとな
る。

【００４２】また、この液晶装置を備えることにより、
信頼性が高く、表示品質の優れた電子機器を提供するこ
とができる。

【００４３】

【発明の実施の形態】次に、本発明に係る実施形態につ
いて詳細に説明する。

【００４４】第１実施形態 図１に、本発明に係る第１実施形態のカラーフィルター
基板の製造方法により製造されたカラーフィルター基板
を備え、スイッチング素子としてＴＦＤ（ThinFilm Dio
de）素子を用いた液晶（表示）装置１０の概略断面構造
を示し、この液晶装置の構造を説明する。また、図２
に、この液晶装置１０の部分構造を示す。図１は図２に
示す液晶装置をＡ１−Ａ１’方向に切断したときの断面
図を示している。図１、図２において、各層や各部材を
図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各
部材の縮尺は実際のものとは異ならせている。

【００４５】図１に示すように、液晶装置１０おいて、
カラーフィルター層１５などを備えた、カラーフィルタ
ー基板（下側基板）１１と、後述するＴＦＤ素子２０な
どを備えた素子基板（上側基板）１２とがそれぞれの基
板の周縁部においてシール材１４を介して所定間隔で貼
着され、カラーフィルター基板１１、素子基板１２間に
液晶層１３が挟持されている。

【００４６】本実施形態では、カラーフィルター基板１
１は、ガラス等からなる透明の基板本体１１Ａと、その
上に順次積層形成された、カラーフィルター層１５と保
護膜１６と透明電極１８と配向膜２２とを主体に構成さ
れている。また、素子基板１２は、ガラス等の透明の基
板本体１２Ａと、その下面側（液晶層１３側）に積層形
成された画素電極１９とＴＦＤ素子２０と配向膜２３と
を主体として構成されている。図１、図２に示すよう
に、基板本体１１Ａ上には、少なくとも表示領域に対応
するように、カラー画素１５ａ及び遮光層（ブラックマ
トリックス）１５ｂからなるカラーフィルター層１５が
形成されている。カラー画素１５ａは、着色感材法、染
色法、転写法、印刷法などにより形成され、例えばＲ
（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色が所定のパターンで
配列している。また、遮光層１５ｂはカラー画素１５ａ
が形成されない箇所に形成され、クロムなどの金属や、
黒色顔料を分散させたカラーレジストなどから構成され
ている。あるいは、３色分のカラー画素を重ねて、３層
の遮光層としてもよい。

【００４７】カラーフィルター層１５上にはカラーフィ
ルター層１５を保護するとともに、カラーフィルター層
１５を平坦化するための有機膜などからなる保護膜１６
が形成されている。そして、保護膜１６上と保護膜１６
の一方の端部から外側の基板本体１１Ａの端部側の上に
は、走査線となる複数の透明電極１８が個々にカラー画
素１５ａ、遮光層１５ｂの上を通過するように、短冊状
に形成されている。図２においては簡略化のため、保護
膜１６を省略している。

【００４８】図１に示すように、透明電極１８はインジ
ウム錫酸化物などの透明導電材料からなる第一透明導電
膜１８Ａと、第一透明導電膜１８Ａ上に形成され、イン
ジウム錫酸化物などの透明導電材料からなる第二透明導
電膜１８Ｂの２層構造からなっている。第一透明導電膜
１８Ａは低パワーのスパッタリング法により形成され、
第二透明導電膜１８Ｂはイオンプレーティング法により
形成され、異なる膜質からなっている。透明電極１８の
詳しい形成方法については後述する。また、透明電極１
８の一方の端部はシール材１４の外側の基板本体１１Ａ
の端部まで延出形成され、図面上は省略している外部接
続用端子部に接続されている。

【００４９】また、基板本体１２Ａのカラーフィルター
基板１１と対向する表面上には、カラーフィルター基板
１１の各カラー画素１５ａに対応する位置にインジウム
錫酸化物などの透明導電材料からなる画素電極１９がマ
トリクス状に配置され、これらの画素電極１９を駆動す
るためのＴＦＤ素子２０が各画素電極１９毎に配置され
ている。また、基板本体１２Ａのカラーフィルター基板
１１と対向する表面上において、画素電極１９、ＴＦＤ
素子２０の間には、カラーフィルター基板１１に配置さ
れる透明電極１８と交差するように複数の信号線２１が
設けられ、各ＴＦＤ素子２０は信号線２１に接続されて
いる。なお、図面では省略しているが、信号線２１の一
方の端部はシール材１４の外側の基板本体１２Ａの端部
まで延出形成され、外部接続用端子部に接続されてい
る。

【００５０】透明電極１８の液晶層１３側、画素電極１
９の液晶層１３側には液晶を配向するためのポリイミド
などからなる配向膜２２、２３が形成されている。配向
膜２２、２３間には液晶セルのセルギャップを均一にす
るための二酸化珪素、ポリスチレンなどから形成される
多数の球状のスペーサー２４が配置されている。また、
カラーフィルター基板１１、素子基板１２の外側には位
相差板、偏光板などの光学素子が設置されているが、図
面上は省略している。

【００５１】この液晶装置１０において、表示領域に対
応させてカラーフィルター層１５が形成されているが、
このカラーフィルター層１５の端縁部を２５とする。ま
た、保護膜１６の端縁部２６はカラーフィルター層１５
の端縁部２５とシール材１４の内周部２９との間に位置
されている。さらに、配向膜２２の端縁部２７は保護膜
１６の端縁部２６とシール材１４の内周部２９との間に
位置されている。

【００５２】図３に、カラーフィルター基板１１の周縁
部を拡大した概略平面構造を示す。保護膜１６の端縁部
２６の外側の領域では、透明電極１８は基板本体１１Ａ
上に直接形成されている。また、透明電極１８は保護膜
１６の端縁部２６の外側の領域の一部分から細く形成さ
れ、引回し配線とされ、図面では省略している外部接続
用端子部に接続されている。

【００５３】また、配向膜２２の端縁部２７の外側の領
域において、透明電極１８が形成されていない領域で
は、基板本体１１Ａ上には他の特別な膜は形成されてい
ない。

【００５４】次に、透明電極１８の形成方法について説
明する。図４は、透明電極１８を形成する場合に用いて
好適な成膜装置の一例を示すもので、この成膜装置３０
は、前処理室３１と第１成膜室３２と第２成膜室３３を
具備して構成されている。

【００５５】図４において、符号３５は高周波（ＲＦ(R
adio Frequency)）逆スパッタリング装置、符号３６は
ＤＣ（Direct Current）スパッタリング装置、符号３７
はイオンプレーティング（ＩＰ）装置を簡略記載したも
のである。また、符号３４Ａ、３４Ｂ、３４Ｃはヒータ
ーを示している。

【００５６】カラーフィルター層１５、保護膜１６をフ
ォトリソ工程を用いて形成した基板本体１１Ａは図４に
示すように、図面上は省略している基板ホルダーに固定
された状態で、図示左方向から図示右方向へと搬送さ
れ、前処理室３１、第１成膜室３２、第２成膜室３３を
所定の速度で通過する。

【００５７】前処理室３１において、基板本体１１Ａの
前処理を行った後、第１成膜室３２において、基板本体
１１Ａ上に第一透明導電膜１８Ａを形成し、次いで、第
２成膜室３３において、第一透明導電膜１８Ａ上に第二
透明導電膜１８Ｂを形成する。図５(a)〜(d)に、透明電
極１８の形成工程を示し、透明電極１８の形成方法を詳
細に説明する。

【００５８】基板本体１１Ａ上にカラーフィルター層１
５、保護膜１６をフォトリソ工程を用いて形成した後
に、基板本体１１Ａ上において保護膜１６の外側の領域
には０．５〜３ｎｍ程度の膜厚の感光性ポリマーのレジ
ストの残査が残ってしまうため、前処理室３１におい
て、このレジストの残査の除去を行う。レジストの残査
の除去は、プラズマアッシング（イオンクリーニング）
により行われる。このとき、ターゲットを二酸化珪素又
は石英ガラスとし、酸素を含んだアルゴン雰囲気中にお
いて逆スパッタリングを行う。例えば、高周波（ＲＦ）
電源を用いた高周波（ＲＦ）逆スパッタリング法により
行う。

【００５９】このとき、逆スパッタ電力を３００〜１０
００Ｗ、ガス圧を０．１〜１Ｐａ、ガス中の酸素分率を
０．５〜５％、処理時間を７〜２０分間に設定し、プラ
ズマアッシングを行うことにより、保護膜１６に損傷を
与えることなく、レジストの残査を完全に除去すること
が可能になる。プラズマアッシングにより前処理を終え
た基板本体１１Ａを図５(a)に示す。

【００６０】次に、基板本体１１Ａを図４に示す第１成
膜室３２に搬送し、図５(b)に示すように、基板本体１
１Ａ上に均一に、インジウム錫酸化物などの透明導電材
料からなる第一透明導電膜１８Ａを形成する。図５(b)
に示すように、第一透明導電膜１８Ａは、保護膜１６の
端縁部２６より内側（図示右側）では、保護膜１６上に
形成され、保護膜１６の端縁部２６より外側（図示左
側）では基板本体１１Ａ上に直接形成される。

【００６１】第一透明導電膜１８Ａを形成するには、低
パワーのスパッタリング法を採用し、インジウム錫酸化
物などの透明導電材料をターゲットとし、酸素を含んだ
アルゴン雰囲気中においてスパッタリングを行う。例え
ば、ＤＣ電源を用いたＤＣスパッタリング法により行
う。

【００６２】このとき、スパッタ電力を２００〜１００
０Ｗ、ガス圧を０．１〜１Ｐａ、ガス中の酸素分率を
０．５〜５％、成膜速度を０．５〜２０ｎｍ／ｍｉｎ、
成膜温度を１５０〜２５０℃に設定することにより、保
護膜１６を損傷することなく、保護膜１６への密着性の
良い第一透明導電膜１８Ａを形成することができる。

【００６３】第一透明導電１８Ａを形成した後、所定の
パターンにエッチングする際に、保護膜１６の端縁部２
６において、第一透明導電膜１８Ａには段差が形成され
ているが、この段差部分にエッチング液が浸透し、段差
部分が浸食されることを防止するために、第一透明導電
膜１８Ａの膜厚は５０ｎｍ以下にすることが望ましい。
また、第一透明導電膜１８Ａの膜厚が１０ｎｍより薄い
と均一な膜を形成することができないため、第一透明導
電膜の膜厚は１０〜５０ｎｍとすることが望ましい。

【００６４】次に、基板本体１１Ａを図４に示す第２成
膜室３３に搬送し、図５(c)に示すように、第一透明導
電膜１８Ａ上に均一に、インジウム錫酸化物などの透明
導電材料からなる第二透明導電膜１８Ｂを形成する。

【００６５】このとき、電力を５〜２０Ｗ、ガス圧を
０．１〜１０Ｐａ、ガス中の酸素分率を５〜２０％、成
膜速度を５０〜３００ｎｍ／ｍｉｎ、成膜温度を１７０
〜２５０℃に設定し、イオンプレーティング（ＩＰ）法
により、第二透明導電膜１８Ｂの成膜を行う。

【００６６】イオンプレーティング法により得られた第
二透明導電膜１８Ｂは、通常のスパッタリング法により
形成される透明導電膜とは異なる結晶構造を有し、表面
が平滑化され、比抵抗値の小さいものとなる。通常のス
パッタリング法により形成される透明導電膜の比抵抗値
は通常１．５×１０^-6Ω・ｍであるのに対し、本発明の
イオンプレーティング法により形成された第二透明導電
膜の比抵抗値は１．０×１０^-6Ω・ｍより小さい値を示
す。

【００６７】第二透明導電膜１８Ｂの比抵抗値が低減さ
れた結果、配線抵抗に影響を与えることなく第二透明導
電膜１８Ｂの膜厚を薄くすることができる。配線抵抗に
影響を与えず、かつ良好な光透過率を有する透明電極１
８を得るためには、第二透明導電膜１８Ｂの膜厚を５０
〜３５０ｎｍにすることが望ましい。イオンプレーティ
ング法の詳細な説明は後述する。

【００６８】所定のパターンにエッチングされる前の、
第一透明導電膜１８Ａと第二透明導電膜１８Ｂとからな
る透明導電膜を図５(c)に符号２８で示す。

【００６９】最後に、図５(d)に示すように、フォトリ
ソグラフィー法における選択的なエッチングにより、第
一透明導電膜１８Ａと第二透明導電膜１８Ｂとからなる
透明導電膜２８を所定のパターンに加工することにより
透明電極１８を形成する。

【００７０】本実施形態により形成された透明導電膜２
８は保護膜１６への密着性が良いため、保護膜１６上と
基板本体１１Ａ上に形成された透明導電膜のエッチング
差を従来よりも低減することができ、その結果、保護膜
１６上に形成された透明導電膜２８をオーバーエッチン
グすることなく、良好にエッチングすることができる。

【００７１】また、第一透明導電膜１８Ａの膜厚を１０
〜３０ｎｍとすることがより望ましく、第一透明導電膜
１８Ａの膜厚を１０〜３０ｎｍとすることにより、保護
膜１６上と基板本体１１Ａ上に形成された透明導電膜２
８のエッチング差をさらに低減することができ、保護膜
１６上に形成された透明導電膜２８を良好にエッチング
することができる。

【００７２】ここで、本発明に適用するイオンプレーテ
ィング法の一例について説明する。以下に、イオンプレ
ーティング法の一例であるＨＤＡＰ−ＩＰ（Highly Den
se Arc Plasma Ion Plating）法について説明する。Ｈ
ＤＡＰ−ＩＰ法は圧力勾配型アークプラズマガンからの
大電流放電による高密度プラズマを用い活性化蒸着を行
う方法の一例である。

【００７３】図６に、ＨＤＡＰ−ＩＰ法による成膜装置
の一例の概略構成を示し、ＨＤＡＰ−ＩＰ法による成膜
方法を説明する。図６に示す、ＨＤＡＰ−ＩＰ法による
成膜装置４０は、プラズマの発生を行うプラズマ発生室
４０Ａと、基板本体１１Ａ上に透明導電材料の蒸着を行
う蒸着室４０Ｂとから構成されている。

【００７４】第一透明導電膜１８Ａが形成された基板本
体１１を図示右方向に搬送し、蒸着室４０Ｂにおいて、
第二透明導電膜１８Ｂの蒸着（成膜）を行う。

【００７５】プラズマ発生室４０Ａにおいて、アルゴン
（Ａｒ）ガス雰囲気下、高熱電子放出材料からなる陰極
４５Ａにより放電を行うアークプラズマガン４５により
高密度プラズマを発生させる。アークプラズマガン４５
によって発生した高密度プラズマは水平磁場コイル４１
により発生した水平磁場Ｈ１により図示右方向に導か
れ、蒸着室４０Ｂ内に導かれる。蒸着室４０Ｂ内では所
定の濃度の酸素（Ｏ₂）ガスが供給されている。図６に
おいて、符号４２は中間電極を示している。

【００７６】蒸着室４０Ｂ内では図示下方向に垂直磁場
Ｈ２がかけられ、この垂直磁場Ｈ２に従って図示下方向
に導かれた高密度プラズマにより、蒸着材料４３は加熱
され、蒸発する。蒸発した蒸着材料４３は図示上方向に
向かい、高密度プラズマの中を通過する際に励起、活性
化され、イオン化される。イオン化された蒸着材料４３
が基板本体１１Ａ上に蒸着される。図６において、符号
４４は放電陽極を示し、プラズマ修正ハースを行うとと
もに連続して蒸着材料を供給する機構が備えられたもの
である。

【００７７】本実施形態によれば、基板本体１１Ａ上
に、カラーフィルター層１５と保護膜１６を形成した
後、プラズマアッシングを行い、基板本体１１Ａ上にお
いて保護膜１６の外側の領域に付着したレジストの残査
を除去することにより、基板本体１１Ａ上に形成された
透明電極１８の耐引っ掻き性を向上することができるカ
ラーフィルター基板の製造方法を提供することができ
る。

【００７８】また、本実施形態によれば、透明電極１８
を第一透明導電膜１８Ａと、第一透明導電膜１８Ａ上に
形成した第二透明導電膜１８Ｂの二層構造とし、第一透
明導電膜１８Ａを低パワーのスパッタリング法により形
成し、第二透明導電膜１８Ｂを先に説明の装置を用いた
イオンプレーティング法により形成することにより、保
護膜１６を損傷することなく、保護膜１６への密着性の
良い第一透明導電膜１８Ａを形成することができる。す
なわち、透明電極１８の保護膜１６への密着性を向上す
ることができるカラーフィルター基板の製造方法を提供
することができる。

【００７９】また、本実施形態によれば、保護膜１６上
と基板本体１１Ａ上に形成された第一透明導電膜１８Ａ
と第二透明導電膜１８Ｂとからなる透明導電膜２８のエ
ッチング差を低減することができるカラーフィルター基
板の製造方法を提供することができる。

【００８０】また、本実施形態によれば、保護膜１６を
損傷することなく、第一透明導電膜１８を形成すること
ができ、保護膜１６上と基板本体１１Ａ上に形成された
透明導電膜２８のエッチング差を低減することができる
ので、保護膜１６と透明電極１８との間に、酸化珪素、
窒化珪素あるいはこれらの積層からなる絶縁膜を形成す
る必要がなく、絶縁膜が一番上の層になることに起因す
る配向膜２２の配向不良を防止することができるカラー
フィルター基板の製造方法を提供することができる。

【００８１】また、本実施形態によれば、イオンプレー
ティング法により第二透明導電膜１８Ｂを形成すること
により、通常のスパッタリング法により形成される透明
導電膜よりも比抵抗値の小さい第二透明導電膜１８Ｂを
形成することができるため、配線抵抗に影響を与えるこ
となく、第二透明導電膜１８Ｂを薄くできるので、透明
電極１８の膜厚を薄くすることができ、透明電極１８の
光透過率を向上することができるカラーフィルター基板
の製造方法を提供することができる。

【００８２】また、イオンプレーティング法により第二
透明導電膜１８Ｂを形成することにより、第二透明導電
膜１８Ｂの表面すなわち透明電極１８の表面を平滑化す
ることができる。本実施形態によれば、透明電極１８の
表面を平滑化することができるとともに、膜厚を薄くで
きることにより、透明電極１８の耐引っ掻き性を向上す
ることができるカラーフィルター基板の製造方法を提供
することができる。

【００８３】従って、本実施形態のカラーフィルター基
板の製造方法により製造されたカラーフィルター基板１
１を備えた液晶装置１０は、配向膜２２の配向不良が防
止され、透明電極１８の耐引っ掻き性が向上され、透明
電極１８の光透過性が向上され、信頼性が高く、表示品
質が向上されたものとなる。

【００８４】第２実施形態 図７に、本発明に係る第２実施形態のカラーフィルター
基板の製造方法により製造されたカラーフィルター基板
を備えた、単純マトリックス型の液晶（表示）装置５０
の概略断面構造を示し、この液晶装置の構造を説明す
る。図７において、液晶装置１０と同じ構成要素には同
じ参照番号を付している。また、図７において、各層や
各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、
各層や各部材の縮尺は実際のものとは異なるように表し
ている。

【００８５】図７に示すように、液晶装置５０おいて、
カラーフィルター層１５などを備えた、カラーフィルタ
ー基板（下側基板）５１と、透明電極５９などを備えた
対向基板（上側基板）５２とがそれぞれの基板の周縁部
においてシール材１４を介して所定間隔で貼着され、カ
ラーフィルター基板５１、対向基板５２間に液晶層１３
が挟持されている。

【００８６】カラーフィルター基板５１は、ガラス等か
らなる透明の基板本体５１Ａと、その上に順次形成され
るカラーフィルター層１５と保護膜１６と透明電極５８
と配向膜２２とを主体に構成されている。また、対向基
板５２は、ガラス等からなる透明の基板本体５２Ａと、
その下面側（液晶層１３側）に順次形成された画素電極
５９と配向膜２３を主体に構成されている。

【００８７】基板本体５１Ａ上には、第１実施形態と同
様、カラーフィルター層１５と保護膜１６が形成されて
いる。保護膜１６上と保護膜１６の一方の端部から外側
の基板本体５１Ａの端部側の上には、複数の透明電極５
８がストライプ状に形成されている。透明電極５８の液
晶層１３側には配向膜２２が形成されている。

【００８８】基板本体５２Ａの液晶層１３側の表面上に
は、インジウム錫酸化物などの透明導電材料からなる複
数の透明電極５９がストライプ状に形成され、透明電極
５９の液晶層１３側には配向膜２３が形成されている。
透明電極５８と透明電極５９とは互いに交差するように
形成されている。また、配向膜２２、２３間にはスペー
サー２４が配置されている。また、カラーフィルター基
板５１、対向基板５２の外側には位相差板、偏光板など
の光学素子が設置されているが、図面上は省略してい
る。

【００８９】この液晶装置５０において、第１実施形態
と同様、少なくとも表示領域に対応するようにカラーフ
ィルター層１５が形成されているが、このカラーフィル
ター層１５の端縁部を２５とする。また、保護膜１６の
端縁部２６はカラーフィルター層１５の端縁部２５とシ
ール材１４の内周部２９との間に位置されている。さら
に、配向膜２２の端縁部２７は保護膜１６の端縁部２６
とシール材１４の内周部２９との間に位置されている。

【００９０】透明電極５８は、第１実施形態における透
明電極１８と同様、インジウム錫酸化物などの透明導電
材料からなる第一透明導電膜５８Ａと、第一透明導電膜
５８Ａ上に形成され、インジウム錫酸化物などの透明導
電材料からなる第二透明導電膜５８Ｂの２層構造からな
っている。第一透明導電膜５８Ａは低パワーのスパッタ
リング法により形成され、第二透明導電膜５８Ｂはイオ
ンプレーティング法により形成され、異なる膜質からな
っている。また、透明電極５８、５９の一方の端部はシ
ール材１４の外側まで延出形成され、図面上は省略して
いる外部接続用端子部に接続されている。

【００９１】次に、透明電極５８の形成方法について説
明する。透明電極５８の形成方法は第１実施形態におけ
る透明電極１８の形成方法と同様である。図８(a)〜(d)
に、透明電極５８の形成工程を示し、透明電極５８の形
成方法を説明する。

【００９２】基板本体５１Ａ上にカラーフィルター層１
５と保護膜１６を形成した後、第１実施形態と同様、プ
ラズマアッシングを行い、基板本体５１Ａ上において保
護膜１６の外側の領域に付着したレジストの残査の除去
を行った基板本体５１Ａを図８(a)に示す。

【００９３】次に、図８(b)に示すように、第１実施形
態と同様、低パワーのスパッタリング法により、基板本
体５１Ａ上に均一に、インジウム錫酸化物などの透明導
電材料からなる第一透明導電膜５８Ａを成膜する。

【００９４】次に、図８(c)に示すように、第１実施形
態と同様、イオンプレーティング法により、第一透明導
電膜５８Ａ上に均一に、インジウム錫酸化物などの透明
導電材料からなる第二透明導電膜５８Ｂを形成する。所
定のパターンにエッチングされる前の、第一透明導電膜
５８Ａと第二透明導電膜５８Ｂとからなる透明導電膜を
符号６８で示す。

【００９５】最後に、図８(d)に示すように、フォトリ
ソグラフィー法における選択的なエッチングにより、第
一透明導電膜５８Ａと第二透明導電膜５８Ｂとからなる
透明導電膜６８を所定のパターンに加工することにより
透明電極５８を形成する。

【００９６】このように、本発明のカラーフィルター基
板の製造方法は、上記単純マトリックス型の液晶装置５
０にも適用することができ、本実施形態によれば、基板
本体５１Ａ上にカラーフィルター基板１５と保護膜１６
とを形成した後、プラズマアッシングを行い、基板本体
５１Ａ上において保護膜１６の外側の領域に付着したレ
ジストの残査の除去を行うことにより、基板本体５１Ａ
上に形成された透明電極５８の耐引っ掻き性を向上する
ことができるカラーフィルター基板の製造方法を提供す
ることができる。

【００９７】また、本実施形態によれば、透明電極５８
を第一透明導電膜５８Ａと、第一透明導電膜５８Ａ上に
形成した第二透明導電膜５８Ｂの二層構造とし、第一透
明導電膜５８Ａを低パワーのスパッタリング法により形
成し、第二透明導電膜５８Ｂをイオンプレーティング法
により形成することにより、保護膜１６を損傷すること
なく、保護膜１６への密着性の良い第一透明導電５８Ａ
を形成することができる。すなわち、透明電極５８の保
護膜１６への密着性を向上することができるカラーフィ
ルター基板の製造方法を提供することができる。

【００９８】また、本実施形態によれば、保護膜１６上
と基板本体５１Ａ上に形成された第一透明導電膜５８Ａ
と第二透明導電膜５８Ｂとからなる透明導電膜６８のエ
ッチング差を低減することができるカラーフィルター基
板の製造方法を提供することができる。

【００９９】また、本実施形態によれば、保護膜１６を
損傷することなく、第一透明導電膜５８Ａを形成するこ
とができ、保護膜１６上と基板本体５１Ａ上に形成され
た透明導電膜６８のエッチング差を低減することができ
るので、保護膜１６と透明電極５８との間に、酸化珪
素、窒化珪素あるいはこれらの積層からなる絶縁膜を形
成する必要がなく、絶縁膜が一番上の層になることに起
因する配向膜２２の配向不良を防止することができるカ
ラーフィルター基板の製造方法を提供することができ
る。

【０１００】また、本実施形態によれば、イオンプレー
ティング法により第二透明導電膜５８Ｂを形成すること
により、通常のスパッタリング法により形成される透明
導電膜よりも比抵抗値の小さい第二透明導電膜５８Ｂを
形成することができるため、配線抵抗に影響を与えるこ
となく、第二透明導電膜５８Ｂを薄くできるので、透明
電極５８の膜厚を薄くすることができ、透明電極５８の
光透過率を向上することができるカラーフィルター基板
の製造方法を提供することができる。

【０１０１】また、イオンプレーティング法により第二
透明導電膜５８Ｂを形成することにより、第二透明導電
膜５８Ｂの表面すなわち透明電極５８の表面を平滑化す
ることができる。本実施形態によれば、透明電極５８の
表面を平滑化することができるとともに、膜厚を薄くで
きることにより、透明電極５８の耐引っ掻き性を向上す
ることができるカラーフィルター基板の製造方法を提供
することができる。

【０１０２】従って、本実施形態のカラーフィルター基
板の製造方法により製造されたカラーフィルター基板５
１を備えた液晶装置５０は、配向膜２２の配向不良が防
止され、透明電極５８の耐引っ掻き性が向上され、透明
電極５８の光透過性が向上され、信頼性が高く、表示品
質が向上されたものとなる。

【０１０３】なお、第１、第２実施形態では、ＴＦＤ素
子を用いた液晶装置と単純マトリックス型の液晶装置に
ついて説明したが、本発明はこれに限定されるものでは
なく、ＴＦＴ（Thin-Film Transistor）素子に代表され
る３端子型素子を用いるアクティブマトリックス型の液
晶装置など、カラーフィルター層と透明導電材料からな
る透明電極を具備するカラーフィルター基板を備えた、
いかなる液晶装置にも適用することができる。

【０１０４】次に、前記の第１、第２実施形態により製
造されたカラーフィルター基板１１、５１を備えた液晶
装置１０又は５０のいずれかを備えた電子機器の具体例
について説明する。

【０１０５】図９(a)は携帯電話の一例を示した斜視図
である。図９(a)において、３００は携帯電話本体を示
し、３０１は前記の液晶装置１０又は５０のいずれかを
備えた液晶表示部を示している。

【０１０６】図９(b)はワープロ、パソコンなどの携帯
型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図９(b)
において、４００は情報処理装置、４０１はキーボード
などの入力部、４０３は情報処理本体、４０２は前記の
液晶装置１０又は５０のいずれかを備えた液晶表示部を
示している。

【０１０７】図９(c)は腕時計型電子機器の一例を示し
た斜視図である。図９(c)において、５００は時計本体
を示し、５０１は前記の液晶装置１０又は５０のいずれ
かを備えた液晶表示部を示している。

【０１０８】図１０は、前記の液晶装置１０又は５０の
いずれかを光変調装置として用いた投射型表示装置の要
部を示す概略構成図である。図１０において、６１０は
光源、６１３、６１４はダイクロイックミラー、６１
５、６１６、６１７は反射ミラー、６１８は入射レン
ズ、６１９はリレーレンズ、６２０は出射レンズ、６２
２、６２３、６２４は液晶光変調装置、６２５はクロス
ダイクロイックプリズム、６２６は投写レンズを示す。
光源６１０はメタルハライド等のランプ６１１とランプ
の光を反射するリフレクタ６１２とからなる。青色光、
緑色光反射のダイクロイックミラー６１３は、光源６１
０からの光束のうちの赤色光を透過させるとともに、青
色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラ
ー６１７で反射されて、赤色光用液晶光変調装置６２２
に入射される。一方、ダイクロイックミラー６１３で反
射された色光のうち緑色光は緑色光反射のダイクロイッ
クミラー６１４によって反射され、緑色光用液晶光変調
装置６２３に入射される。一方、青色光は第２のダイク
ロイックミラー６１４も透過する。青色光に対しては、
長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ６１８、
リレーレンズ６１９、出射レンズ６２０を含むリレーレ
ンズ系からなる導光手段６２１が設けられ、これを介し
て青色光が青色光用液晶光変調装置６２４に入射され
る。各光変調装置により変調された３つの色光はクロス
ダイクロイックプリズム６２５に入射する。このプリズ
ムは４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤
光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層
膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜
によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光
が形成される。合成された光は、投写光学系である投写
レンズ６２６によってスクリーン６２７上に投写され、
画像が拡大されて表示される。

【０１０９】図９(a)〜(c)、図１０に示すそれぞれの電
子機器は、前記の液晶装置１０又は５０のいずれかを備
えたものであるので、信頼性が高く、表示品質の優れた
ものとなる。

【０１１０】

【実施例】（実施例１）酸素を含んだアルゴンガス雰囲
気中において、逆スパッタ電力を５００Ｗ、ガス圧を
６．６５×１０^-1Ｐａ、ガス中の酸素分率を１％に設定
し、処理時間を０〜１０分の範囲の種々の処理時間で、
カラーフィルター層と保護膜とを形成したガラスからな
る基板本体のプラズマアッシングを行った。プラズマア
ッシングはＲＦ逆スパッタリング法により行った。

【０１１１】次に、酸素を含んだアルゴンガス雰囲気中
において、スパッタ電力を３００Ｗ、ガス流量を３×１
０^-4ｍ³／ｍｉｎ、ガス中の酸素分率を１％に設定し、
ＤＣスパッタリング法により、インジウム錫酸化物から
なる第一透明導電膜を形成した。第一透明導電膜の膜厚
は１０ｎｍとした。

【０１１２】その後、酸素を含んだアルゴンガス雰囲気
中において、電流を１５０Ａ、電圧を７０Ｖ、ガス流量
を６．８０×１０^-4ｍ³／ｍｉｎ、ガス中の酸素分率を
１１．８％に設定し、ＨＤＡＰ−ＩＰ法により、インジ
ウム錫酸化物からなる第二透明導電膜を形成した。第二
透明導電膜の膜厚は１４０ｎｍとした。

【０１１３】いずれの工程においても基板本体の搬送速
度は６×１０^-1ｍ／ｍｉｎとした。

【０１１４】第一透明導電膜、第二透明導電膜を形成し
た後、第一、第二透明導電膜を所定のパターンにエッチ
ングし、透明電極を形成した。

【０１１５】形成された透明電極をナイフカッターで引
っ掻き、透明電極のパターン欠損の有無を検査した結果
を表１に示す。表１において、パターン欠損が発生した
場合を×、やや発生した場合を△、発生しなかった場合
を○で示している。

【０１１６】

【表１】

【０１１７】表１に示すように、プラズマアッシングを
７分間以上行うことにより、レジストの残査を完全除去
することができたため、透明電極の耐引っ掻き性が向上
され、パターン欠損が発生しなかった。

【０１１８】また、２０分以上処理することにより、保
護膜の損傷が見受けられたため、プラズマアッシングの
処理時間は７〜２０分で行うことが望ましい。

【０１１９】（実施例２）図１１に、１３０〜３５０℃
の範囲の種々の成膜温度で、ＨＤＡＰ−ＩＰ法により、
インジウム錫酸化物からなる第二透明導電膜の成膜を行
った時に、得られた第二透明導電膜の比抵抗値を示す。
図１１は、放電電流が１５０Ａのときに得られたデータ
である。

【０１２０】図１１に示すように、成膜温度の上昇とと
もに、得られる第二透明導電膜の比抵抗値は減少してい
るが、成膜温度が１７０℃のところで、急激に比抵抗値
が下がっている。したがって、成膜温度を１７０℃以上
（１７０〜３５０℃）にすることにより比抵抗値の低い
第二透明導電膜を形成することができることが示唆され
た。

【０１２１】（実施例３）図１２(a)に、ＨＤＡＰ−Ｉ
Ｐ法により形成されたインジウム錫酸化物膜（透明導電
膜）のＸ線回折測定のデータを示す。比較のために、図
１２(b)に、スパッタリング法により形成されたインジ
ウム錫酸化物膜（透明導電膜）のＸ線回折測定のデータ
を示す。

【０１２２】スパッタリング法により形成されたインジ
ウム錫酸化物膜は、図１２(b)に示すように、（２１
１）、（２２２）、（４００）、（４４０）、（６２
２）の大きなピークが現れているのに対し、ＨＤＡＰ−
ＩＰ法により形成されたインジウム錫酸化物膜は、図１
２(a)に示すように、（２２２）、（４４０）の大きな
ピークが現れている。このことから、ＨＤＡＰ−ＩＰ法
により形成されたインジウム錫酸化物膜は、スパッタリ
ング法により形成されたインジウム錫酸化物膜より結晶
面が少ないことが示唆される。

【０１２３】また、ＨＤＡＰ−ＩＰ法により形成された
インジウム錫酸化物膜（透明導電膜）の表面粗さのデー
タを表２に示す。比較のために、スパッタリング法によ
り形成されたインジウム錫酸化物膜（透明導電膜）の表
面粗さのデータも表２に示す。表面粗さの指標であるＲ
ｚ値はＪＩＳ Ｂ ０６０１による表面粗さの測定方法
により測定されたデータ１０点の平均値を示している。

【０１２４】

【表２】

【０１２５】表２に示すように、ＨＤＡＰ−ＩＰ法によ
り形成されたインジウム錫酸化物膜は、スパッタリング
法により形成されたインジウム錫酸化物膜より表面粗さ
の指標であるＲｚ値が小さい値を示し、表面が平滑なも
のとなっている。

【０１２６】このことは、ＨＤＡＰ−ＩＰ法により形成
されたインジウム錫酸化物膜が、スパッタリング法によ
り形成されたインジウム錫酸化物膜より結晶面が少ない
ため、隣接する異なる結晶表面間に形成される段差が少
ないためと考えられる。

【０１２７】（実施例４）酸素を含んだアルゴンガス雰
囲気中において、逆スパッタ電力を３００Ｗ、ガス圧を
６．６５×１０^-1Ｐａ、ガス中の酸素分率を１％、処理
時間を１０分に設定し、カラーフィルター層と保護膜を
形成したガラスからなる基板本体のプラズマアッシング
を行った。プラズマアッシングはＲＦ逆スパッタリング
法により行った。

【０１２８】次に、酸素を含んだアルゴンガス雰囲気中
において、スパッタ電力を３００Ｗ、ガス流量を３×１
０^-4ｍ³／ｍｉｎ、ガス中の酸素分率１％、成膜温度を
１６０℃に設定し、ＤＣスパッタリング法により、イン
ジウム錫酸化物からなる第一透明導電膜を形成した。

【０１２９】その後、酸素を含んだアルゴンガス雰囲気
中において、電流を１５０Ａ、電圧を７０Ｖ、ガス流量
を６．８０×１０^-4ｍ³／ｍｉｎ、ガス中の酸素分率を
１１．８％に設定し、ＨＤＡＰ−ＩＰ法により、インジ
ウム錫酸化物からなる第二透明導電膜を形成した。

【０１３０】いずれの工程においても、基板本体の搬送
速度は６×１０^-1ｍ／ｍｉｎとした。

【０１３１】第一透明導電膜、第二透明導電膜を形成し
た後、第一、第二透明導電膜を所定のパターンにエッチ
ングし、透明電極を形成した。

【０１３２】第一透明導電膜の膜厚と第二透明導電膜の
膜厚とを合わせた膜厚、すなわち透明電極の膜厚は１５
０（実測値１５７〜１５９）ｎｍとした。

【０１３３】第一透明導電膜の膜厚を１０、３０、５０
ｎｍと変化させたときに、得られた透明電極の比抵抗値
を図１３に示す。図１３には、第一透明導電膜の成膜速
度を０．５ｎｍ／ｍｉｎとしたときのデータと、成膜速
度を１．５ｎｍ／ｍｉｎとしたときのデータを示してい
る。

【０１３４】０．５ｎｍ／ｍｉｎ、１．５ｎｍ／ｍｉｎ
のいずれの成膜速度で第一透明導電膜を形成した場合に
おいても、保護膜を損傷することなく、良好に成膜する
ことができた。また、図１３に示す範囲のいずれの条件
で成膜した透明電極も比抵抗値の小さいものが得られ
た。

【０１３５】ただし、０．５ｎｍ／ｍｉｎ、１．５ｎｍ
／ｍｉｎのいずれの成膜速度で第一透明導電膜を形成し
た場合においても、図１３に示すように、第一透明導電
膜の膜厚が薄くなるほど、すなわち透明電極に占める第
二透明導電膜の膜厚が厚くなるほど、比抵抗値は低下し
た。

【０１３６】また、第一透明導電膜の成膜速度が早い方
が比抵抗値は低くなった。すなわち、保護膜を損傷しな
い成膜速度であれば、第一透明導電膜の成膜速度の速い
方が、得られる透明電極の比抵抗値が低減されることが
示唆された。

【０１３７】（実施例５）酸素を含んだアルゴンガス雰
囲気中において、逆スパッタ電力を３００Ｗ、ガス圧を
６．６５×１０^-1Ｐａ、ガス中の酸素分率を１％、処理
時間を１０分に設定し、カラーフィルター層と保護膜を
形成したガラスからなる基板本体のプラズマアッシング
を行った。プラズマアッシングはＲＦ逆スパッタリング
法により行った。

【０１３８】次に、酸素を含んだアルゴンガス雰囲気中
において、スパッタ電力を３００Ｗ、ガス流量を３×１
０^-4ｍ³／ｍｉｎ、ガス中の酸素分率１％、成膜速度を
０．５ｎｍ／ｍｉｎに設定し、ＤＣスパッタリング法に
より、インジウム錫酸化物からなる第一透明導電膜を形
成した。

【０１３９】その後、酸素を含んだアルゴンガス雰囲気
中において、電流を１５０Ａ、電圧を７０Ｖ、ガス流量
を６．８０×１０^-4ｍ³／ｍｉｎ、ガス中の酸素分率を
１１．８％に設定し、ＨＤＡＰ−ＩＰ法により、インジ
ウム錫酸化物からなる第二透明導電膜を形成した。

【０１４０】いずれの工程においても、基板本体の搬送
速度は６×１０^-1ｍ／ｍｉｎとした。

【０１４１】第一透明導電膜、第二透明導電膜を形成し
た後、第一、第二透明導電膜を所定のパターンにエッチ
ングし、透明電極を形成した。

【０１４２】第一透明導電膜の膜厚と第二透明導電膜の
膜厚とを合わせた膜厚、すなわち透明電極の膜厚は１５
０（実測値１４９〜１５４）ｎｍとした。

【０１４３】第一透明導電膜の膜厚を１０、３０、５０
ｎｍと変化させたときに、得られた透明電極の比抵抗値
を図１４に示す。図１４には、第一透明導電膜の成膜温
度を１６０℃としたときのデータと、成膜温度を２００
℃としたときのデータを示している。

【０１４４】１６０℃、２００℃のいずれの成膜温度で
第一透明導電膜を形成した場合においても、保護膜を損
傷することなく、良好に成膜することができた。また、
図１４に示す範囲のいずれの条件で成膜した透明電極も
比抵抗値の小さいものが得られた。

【０１４５】ただし、図１４に示すように、実施例４と
同様、第一透明導電膜の膜厚が薄くなるほど、すなわち
透明電極に占める第二透明導電膜の膜厚が厚くなるほ
ど、比抵抗値は低下した。

【０１４６】また、第一透明導電膜の膜厚が１０ｎｍの
ときには成膜温度の違いによる比抵抗値の差はなかった
が、第一透明導電膜の膜厚が３０ｎｍ以上の場合には成
膜温度の高い方が比抵抗値は低減されることが示唆され
た。

【０１４７】（実施例６）酸素を含んだアルゴンガス雰
囲気中において、逆スパッタ電力を３００Ｗ、ガス圧を
６．６５×１０^-1Ｐａ、ガス中の酸素分率を１％、処理
時間を１０分に設定し、カラーフィルター層と保護膜を
形成したガラスからなる基板本体のプラズマアッシング
を行った。プラズマアッシングはＲＦ逆スパッタリング
法により行った。

【０１４８】次に、酸素を含んだアルゴンガス雰囲気中
において、スパッタ電力を３００Ｗ、ガス流量を３×１
０^-4ｍ³／ｍｉｎ、ガス中の酸素分率１％、成膜速度を
０．５ｎｍ／ｍｉｎに設定し、ＤＣスパッタリング法に
より、インジウム錫酸化物からなる第一透明導電膜を形
成した。

【０１４９】その後、酸素を含んだアルゴンガス雰囲気
中において、電流を１５０Ａ、電圧を７０Ｖ、ガス流量
を６．８０×１０^-4ｍ³／ｍｉｎ、ガス中の酸素分率を
１１．８％に設定し、ＨＤＡＰ−ＩＰ法により、インジ
ウム錫酸化物からなる第二透明導電膜を形成した。

【０１５０】いずれの工程においても、基板本体の搬送
速度は６×１０^-1ｍ／ｍｉｎとした。

【０１５１】第一透明導電膜の膜厚と第二透明導電膜の
膜厚とを合わせた膜厚、すなわち透明電極の膜厚は１５
０ｎｍとした。

【０１５２】基板本体上と保護膜上に形成した、第一透
明導電膜と第二透明導電膜とからなる透明導電膜のエッ
チング差を図１５に示す。図１５には、第一透明導電膜
の成膜温度を１６０、２００℃としたときのデータを示
している。

【０１５３】図１５に示す範囲のいずれの条件で形成し
た透明導電膜も良好にエッチングすることができた。た
だし、第一透明導電膜の膜厚の薄い方が、すなわち、第
二透明導電膜の膜厚の厚い方が、エッチング差が小さく
なった。特に、第一透明導電膜の膜厚が１０〜３０ｎｍ
のときに、エッチング差をより小さくすることができ
た。

【０１５４】また、第一透明導電膜の膜厚が１０ｎｍの
ときには第一透明導電膜の成膜温度によるエッチング差
の差は見られなかったが、第一透明導電膜の膜厚が３０
ｎｍ以上の場合には、第一透明導電膜の成膜温度の低い
方がエッチング差は小さくなった。

【０１５５】（実施例７）酸素を含んだアルゴンガス雰
囲気中において、逆スパッタ電力を３００Ｗ、ガス圧を
６．６５×１０^-1Ｐａ、ガス中の酸素分率を１％、処理
時間を１０分に設定し、カラーフィルター層と保護膜を
形成したガラスからなる基板本体のプラズマアッシング
を行った。プラズマアッシングはＲＦ逆スパッタリング
法により行った。

【０１５６】次に、酸素を含んだアルゴンガス雰囲気中
において、スパッタ電力を３００Ｗ、ガス流量を３×１
０^-4ｍ³／ｍｉｎ、ガス中の酸素分率１％、成膜温度を
１６０℃、成膜速度を０．５ｎｍ／ｍｉｎに設定し、Ｄ
Ｃスパッタリング法により、インジウム錫酸化物からな
る第一透明導電膜を形成した。

【０１５７】その後、酸素を含んだアルゴンガス雰囲気
中において、電流を１５０Ａ、電圧を７０Ｖ、ガス流量
を６．８０×１０^-4ｍ³／ｍｉｎ、ガス中の酸素分率を
１１．８％に設定し、ＨＤＡＰ−ＩＰ法により、インジ
ウム錫酸化物からなる第二透明導電膜を形成した。

【０１５８】いずれの工程においても、基板本体の搬送
速度は６×１０^-1ｍ／ｍｉｎとした。また、第一透明導
電膜の膜厚を１０ｎｍ、第二透明導電膜の膜厚を１４０
ｎｍとした。基板本体上と保護膜上に形成された第一透
明導電膜と第二透明導電膜とからなる透明導電膜のエッ
チング差は２．７μmであった。

【０１５９】一方、比較のため、同様の条件でＤＣスパ
ッタリング法により第一透明導電膜を形成した後、ＲＦ
電源とＤＣ電源を併用したＲＦ−ＤＣスパッタリング法
により、インジウム錫酸化物からなる第二透明導電膜を
形成した。このときの基板本体上と保護膜上に形成され
た透明導電膜のエッチング差は３．２μmであった。

【０１６０】スパッタリング法により第一、第二透明導
電膜を形成した場合より、第二透明導電膜をＨＤＡＰ−
ＩＰ法で形成した本発明の方が、基板本体上と保護膜上
に形成された透明導電膜のエッチング差を低減すること
ができ、良好にエッチングすることができた。

【０１６１】（実施例８）実施例４から実施例６におい
て形成した、カラーフィルター層、保護膜、透明電極を
具備する基板本体上に配向膜を形成し、本発明のカラー
フィルター基板を製造した。配向膜は基板本体上の全面
に形成せず、シール材を形成する領域より内側の領域に
のみ形成した。配向膜を形成した後、洗浄を行い、配向
膜の配向不良率を算出した。配向不良率は、液晶パネル
を点灯させて実施される点灯検査のときの配向不良の発
生率（（不良パネル数／全パネル数）×１００％）から
算出した。

【０１６２】比較のために、ガラスからなる基板本体上
に、カラーフィルター層と保護膜を形成し、該保護膜上
に二酸化珪素からなる絶縁膜を形成し、該絶縁膜上に、
ＤＣ−ＲＦスパッタリング法により、インジウム錫酸化
物からなる透明電極を形成し、透明電極上に配向膜を形
成し、従来のカラーフィルター基板を製造した。配向膜
は、シール材を形成する領域より内側の領域にのみ形成
した。配向膜を形成した後、洗浄を行い、同様に配向膜
の配向不良率を算出した。

【０１６３】従来のカラーフィルター基板の配向膜の配
向不良率は５０〜７０％であった。それに対し、本発明
のカラーフィルター基板の配向膜の配向不良率は０％と
なり、本発明のカラーフィルター基板を備えた液晶装置
は表示品質の優れたものとなった。

【０１６４】以上説明したように本実施形態にによれ
ば、基板本体上にカラーフィルター層と保護膜を形成し
た後、プラズマアッシングを行い、基板本体上において
保護膜の外側の領域に付着したレジストの残査の除去を
行うことにより、基板本体上に形成された透明電極の耐
引っ掻き性を向上することができるカラーフィルター基
板の製造方法を提供することができる。

【０１６５】また、透明電極を第一透明導電膜と、第一
透明導電膜上に形成した第二透明導電膜の二層構造と
し、第一透明導電膜を低パワーのスパッタリング法によ
り形成し、第二透明導電膜をイオンプレーティング法に
より形成することにより、保護膜を損傷することなく、
保護膜への密着性の良い第一透明導電を形成することが
できる。すなわち、透明電極の保護膜への密着性を向上
することができるカラーフィルター基板の製造方法を提
供することができる。

【０１６６】また、保護膜上と基板本体上に形成され
た、第一透明導電膜と第二透明導電膜とからなる透明導
電膜のエッチング差を低減することができるカラーフィ
ルター基板の製造方法を提供することができる。

【０１６７】また、保護膜を損傷することなく、第一透
明導電膜を形成することができ、保護膜上と基板本体上
に形成された透明導電膜のエッチング差を低減すること
ができるので、保護膜と透明電極との間に、酸化珪素、
窒化珪素あるいはこれらの積層からなる絶縁膜を形成す
る必要がなく、絶縁膜が一番上の層になることに起因す
る配向膜の配向不良を防止することができるカラーフィ
ルター基板の製造方法を提供することができる。

【０１６８】また、イオンプレーティング法により第二
透明導電膜を形成することにより、通常のスパッタリン
グ法により形成される透明導電膜よりも比抵抗値の小さ
い第二透明導電膜を形成することができるため、配線抵
抗に影響を与えることなく、第二透明導電膜を薄くで
き、透明電極の膜厚を薄くすることができるので、透明
電極の光透過率を向上することができるカラーフィルタ
ー基板の製造方法を提供することができる。

【０１６９】また、イオンプレーティング法により第二
透明導電膜を形成することにより、第二透明導電膜の表
面すなわち透明電極の表面を平滑化することができる。
本発明によれば、透明電極の表面を平滑化することがで
きるとともに、膜厚を薄くできることにより、透明電極
の耐引っ掻き性を向上することができるカラーフィルタ
ー基板の製造方法を提供することができる。

【０１７０】また、以上のカラーフィルター基板の製造
方法により、透明電極の保護膜への密着性が良好で、配
向膜の配向不良を防止でき、透明電極の耐引っ掻き性を
向上させた、信頼性の高いカラーフィルター基板を提供
することができる。

【０１７１】また、このカラーフィルター基板を備える
ことにより、配向膜の配向不良を防止でき、透明電極の
耐引っ掻き性を向上させ、信頼性が高く、表示品質の優
れた液晶装置を提供することができる。

【０１７２】また、この液晶装置を備えることにより、
信頼性が高く、表示品質の優れた電子機器を提供するこ
とができる。

【０１７３】

【発明の効果】以上、本発明によれば、カラーフィルタ
の保護膜上に絶縁膜を形成することなく、透明電極の保
護膜への密着性を良好とし、配向膜の配向不良を防止で
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 図１は、本発明に係る第１実施形態のカラー
フィルター基板の製造方法により製造されたカラーフィ
ルター基板を備えた、ＴＦＤ素子を用いた液晶装置の構
造を示す概略断面図である。

【図２】 図２は、本発明に係る第１実施形態のカラー
フィルター基板の製造方法により製造されたカラーフィ
ルター基板を備えた、ＴＦＤ素子を用いた液晶装置の一
部分の構造を示す斜視図である。

【図３】 図３は、本発明に係る第１実施形態のカラー
フィルター基板の製造方法により製造されたカラーフィ
ルター基板の周縁部を拡大した概略平面図である。

【図４】 図４は、本発明に係る第１実施形態におい
て、透明電極を形成するための成膜室を示す図である。

【図５】 図５(a)〜(d)は、本発明に係る第１実施形態
において、透明電極の形成方法を示す工程図である。

【図６】 図６は、イオンプレーティング法の例である
ＨＤＡＰ−ＩＰ法の成膜装置の概略構成図である。

【図７】 図７は、本発明に係る第２実施形態のカラー
フィルター基板の製造方法により製造されたカラーフィ
ルター基板を備えた、ＴＦＤ素子を用いた液晶装置の構
造を示す概略断面図である。

【図８】 図８(a)〜(d)は、本発明に係る第２実施形態
において、透明電極の形成方法を示す工程図である。

【図９】 図９(a)は、上記実施形態により製造された
カラーフィルター基板を備えた液晶装置を備えた携帯電
話の一例を示す図、図９(b)は、上記実施形態により製
造されたカラーフィルター基板を備えた液晶装置を備え
た携帯型情報処理装置の一例を示す図、図９(c)は、上
記実施形態により製造されたカラーフィルター基板を備
えた液晶装置を備えた腕時計型電子機器の一例を示す図
である。

【図１０】 図１０は、上記実施形態により製造された
カラーフィルター基板を備えた液晶装置を光変調装置と
して用いた投射型表示装置の要部を示す概略構成図であ
る。

【図１１】 図１１は、１３０〜３５０℃の範囲の種々
の成膜温度で、ＨＤＡＰ−ＩＰ法による第二透明導電膜
の成膜を行った時に、得られた第二透明導電膜の比抵抗
値を示すグラフである。

【図１２】 図１２(a)、(b)は、それぞれＨＤＡＰ−Ｉ
Ｐ法、スパッタリング法により形成されたインジウム錫
酸化物膜のＸ線回折測定のデータを示す図である。

【図１３】 図１３は、実施例４における第一インジウ
ム錫酸化物膜の膜厚と透明電極の比抵抗値との関係を示
すグラフである。

【図１４】 図１４は、実施例５における第一インジウ
ム錫酸化物膜の膜厚と透明電極の比抵抗値との関係を示
すグラフである。

【図１５】 図１５は、実施例６における第一インジウ
ム錫酸化物膜の膜厚と、ガラス基板上、保護膜上に形成
されたインジウム錫酸化物膜のエッチング差の関係を示
すグラフである。

【図１６】 図１６は、ＴＦＤ素子を用いた従来の液晶
装置の概略断面図である。

【図１７】 図１７は、ＴＦＤ素子を用いた従来の液晶
装置の一部分の構造を示す斜視図を示す。

【図１８】 図１８は、ＴＦＤ素子を用いた従来の液晶
装置のカラーフィルター基板の周縁部を拡大した概略平
面図である。

【図１９】 図１９は、ＴＦＤ素子を用いた従来の液晶
装置のカラーフィルター基板の、保護膜の端縁部の近傍
部分を拡大した概略断面図である。

【符号の説明】

１０、５０ 液晶（表示）装置 １１、５１ カラーフィルター基板（下側基
板） １２ 素子基板（上側基板） ５２ 対向基板（上側基板） １１Ａ、１２Ａ 基板本体 ５１Ａ、５２Ａ 基板本体 １３ 液晶層 １４ シール材 １５ カラーフィルター層 １５ａ カラー画素 １５ｂ 遮光層（ブラックマトリックス） １６ 保護膜 １８、５８、５９ 透明電極 １８Ａ、５８Ａ 第一透明導電膜 １８Ｂ、５８Ｂ 第二透明導電膜 ２８、６８ 透明導電膜 １９ 画素電極 ２０ ＴＦＤ素子 ２１ 信号線 ２２、２３ 配向膜 ２４ スペーサー ２５ カラーフィルター層の端縁部 ２６ 保護膜の端縁部 ２７ 配向膜の端縁部 ２９ シール材の内周部 ３０ 成膜装置 ３１ 前処理室 ３２ 第１成膜室 ３３ 第２成膜室 ３４ ヒーター ３５ 高周波（ＲＦ）逆スパッタリング
装置 ３６ ＤＣスパッタリング装置 ３７ イオンプレーティング装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３６ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３６ ５Ｇ３２３ ３４９ ３４９Ｂ ５Ｇ４３５ Ｈ０１Ｂ 13/00 ５０３ Ｈ０１Ｂ 13/00 ５０３Ｂ Ｆターム(参考） 2H048 BA43 BA45 BB02 BB44 2H091 FA04Y FA35Y FC02 FC03 FC05 FC12 GA03 GA07 LA18 LA30 2H092 GA16 GA17 GA25 GA27 GA34 GA42 HA04 JA01 JB16 JB24 JB27 JB33 JB36 KA18 KB04 KB24 MA05 MA06 NA18 PA02 PA08 4K029 BA48 BA50 BB02 BC07 BC09 BD00 CA03 CA05 EA01 EA02 EA03 EA05 EA09 FA04 FA07 5C094 AA03 AA36 AA42 AA43 BA03 BA43 CA19 CA24 DA13 EA05 EA07 EB02 ED03 FB02 FB12 GB10 JA02 JA08 JA20 5G323 BA02 BB05 BB06 5G435 AA01 AA03 AA07 AA17 BB12 CC09 CC12 EE25 GG12 HH02 HH12 KK05 KK10 LL07 LL08 LL15

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくともカラーフィルター層、カラー
   フィルター層を保護する保護膜、透明導電材料からなる
   透明電極を具備するカラーフィルター基板の製造方法に
   おいて、 基板本体上に前記カラーフィルター層と前記保護膜と第
   一透明導電膜とを形成した後、 該第一透明導電膜上にイオンプレーティング法により、
   前記第一透明導電膜とは膜質の異なる第二透明導電膜を
   形成し、 前記第一透明導電膜、前記第二透明導電膜を所定のパタ
   ーンに加工することにより、前記第一透明導電膜、前記
   第二透明導電膜の二層構造からなる前記透明電極を形成
   することを特徴とするカラーフィルター基板の製造方
   法。
2. 【請求項２】 前記第一透明導電膜の膜厚を１０〜５０
   ｎｍとすることを特徴とする請求項１記載のカラーフィ
   ルター基板の製造方法。
3. 【請求項３】 前記第一透明導電膜の膜厚を１０〜３０
   ｎｍとすることを特徴とする請求項１記載のカラーフィ
   ルター基板の製造方法。
4. 【請求項４】 前記第二透明導電膜の膜厚を５０〜３５
   ０ｎｍとすることを特徴とする請求項１から請求項３ま
   でのいずれか１項記載のカラーフィルター基板の製造方
   法。
5. 【請求項５】 電力を５〜２０ｋＷ、ガス圧を０．１〜
   １０Ｐａ、ガス中の酸素分率を５〜２０％、成膜速度を
   ５０〜３００ｎｍ／ｍｉｎ、成膜温度を１７０〜２５０
   ℃に設定し、前記第二透明導電膜を形成することを特徴
   とする請求項１から請求項４までのいずれか１項記載の
   カラーフィルター基板の製造方法。
6. 【請求項６】 前記基板本体上に前記カラーフィルター
   層と前記保護膜を形成した後、プラズマアッシングによ
   り前記基板本体表面の表面浄化を行ってから、前記第一
   透明導電膜を形成することを特徴とする請求項１から請
   求項５までのいずれか１項記載のカラーフィルター基板
   の製造方法。
7. 【請求項７】 前記プラズマアッシング処理は、電力を
   ３００〜１ｋＷ、ガス圧を０．１〜１Ｐａ、ガス中の酸
   素分率を０．５〜５％、処理時間を７〜２０分間に設定
   し、前記プラズマアッシングを行うことを特徴とする請
   求項６記載のカラーフィルター基板の製造方法。
8. 【請求項８】 スパッタリング法により前記第一透明導
   電膜を形成することを特徴とする請求項１から請求項７
   までのいずれか１項記載のカラーフィルター基板の製造
   方法。
9. 【請求項９】 電力を２００〜１ｋＷ、ガス圧を０．１
   〜１Ｐａ、ガス中の酸素分率を０．５〜５％、成膜速度
   を０．５〜２０ｎｍ／ｍｉｎ、成膜温度を１５０〜２５
   ０℃に設定し、前記第一透明導電膜を形成することを特
   徴とする請求項８記載のカラーフィルター基板の製造方
   法。
10. 【請求項１０】 少なくともカラーフィルター層、カラ
    ーフィルター層を保護する保護膜、透明導電材料からな
    る透明電極を具備するカラーフィルター基板において、 前記透明電極が結晶構造の異なる第一透明導電膜と第二
    透明導電膜の二層構造からなることを特徴とするカラー
    フィルター基板。
11. 【請求項１１】 前記第二透明導電膜がイオンプレーテ
    ィング法により形成されたものであることを特徴とする
    請求項１０記載のカラーフィルター基板。
12. 【請求項１２】 前記第一透明導電膜の膜厚が１０〜５
    ０ｎｍとされたことを特徴とする請求項１０又は請求項
    １１記載のカラーフィルター基板。
13. 【請求項１３】 前記第一透明導電膜の膜厚が１０〜３
    ０ｎｍとされたことを特徴とする請求項１０又は請求項
    １１記載のカラーフィルター基板。
14. 【請求項１４】 前記第二透明導電膜の膜厚が５０〜３
    ５０ｎｍとされたことを特徴とする請求項１０から請求
    項１３までのいずれか１項記載のカラーフィルター基
    板。
15. 【請求項１５】 前記第一透明導電膜がスパッタリング
    法により形成されたものであることを特徴とする請求項
    １０から請求項１４までのいずれか１項記載のカラーフ
    ィルター基板。
16. 【請求項１６】 請求項１０から請求項１５までのいず
    れか１項記載のカラーフィルター基板と他方の基板とが
    シール材を介して対向配置されるとともに、これら基板
    間に液晶層が挟持されたことを特徴とする液晶装置。
17. 【請求項１７】 請求項１６記載の液晶装置を備えたこ
    とを特徴とする電子機器。