JP2003323131A - 表示用電極基板および表示装置 - Google Patents

表示用電極基板および表示装置

Info

Publication number
JP2003323131A
JP2003323131A JP2002133083A JP2002133083A JP2003323131A JP 2003323131 A JP2003323131 A JP 2003323131A JP 2002133083 A JP2002133083 A JP 2002133083A JP 2002133083 A JP2002133083 A JP 2002133083A JP 2003323131 A JP2003323131 A JP 2003323131A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
display
display electrode
substrate
display device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002133083A
Other languages
English (en)
Inventor
Mitsuhiro Tanaka
充浩 田中
Yoshihide Koyama
佳英 小山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2002133083A priority Critical patent/JP2003323131A/ja
Publication of JP2003323131A publication Critical patent/JP2003323131A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低抵抗化、プラスチック基板の曲げによる断
線の防止、抵抗膜の保護に加え、色調調整を不要とする
表示装置の提供。 【解決手段】 表示用電極12は、下側のITO層12
1、銀合金層122および上側のITO層123が順次
積層された3層構造を有する。下側のITO層123
は、銀合金層122とプラスチック基板11との密着性
を高めるバインダー的役割を果たす。銀合金層122
は、低抵抗化、曲げや応力に対する断線防止の役割を果
たす。上側のITO層123は、銀合金層122の保護
と表示用電極の役割を果たす。銀合金層122を上側の
ITO層123で覆うことにより、銀合金層122の損
傷や腐食を防ぐことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示用電極基板お
よび表示装置に関する。本発明の表示装置は、有機エレ
クトロルミネッセンス(EL)表示装置、無機EL表示
装置、液晶表示装置、プラズマディスプレイパネル(P
DP)、真空蛍光表示(VFD)装置などに適用でき
る。
【0002】
【従来の技術】近年、ワードプロセッサ、ラップトップ
パソコン、ポケットテレビ等への液晶表示装置への応用
が急速に進展している。特に、携帯電話、PDA(Pers
onal Digital Assistance )等のモバイルツールへの応
用が発展している。液晶表示装置の中でも、プラスチッ
ク液晶表示装置は、プラスチック基板がガラス基板より
薄くて軽く、液晶表示装置の薄型、軽量化が可能である
ため注目されている。また、プラスチック基板はガラス
基板より割れにくいため、プラスチック液晶表示装置の
モバイルツールへの適用が注目されている。さらに、プ
ラスチック基板は曲げることができるため、曲面をもっ
た液晶表示装置や曲げることのできる液晶表示装置など
の新規の商品を提供する可能性をもっている。
【0003】従来、表示用電極の低抵抗化を目的とした
プラスチック液晶表示装置が提案されている。また、表
示面を曲げると、ITO(インジウム錫酸化物)などか
らなる表示用電極にクラックが生じて断線が発生するの
で、断線対策を目的としたプラスチック液晶表示装置も
提案されている。例えば、以下の公報が挙げられる。
【0004】特開平4−337208号公報には、プラ
スチックフィルムの少なくとも片面に、ITO、酸化イ
ンジウムまたは酸化チタンからなる薄膜で、銀などの金
属の薄膜層をはさみ合わせた積層膜を設けることによ
り、酸素透過率・水蒸気透過率の低い透明導電性フィル
ムが提供できると記載されている。
【0005】特開平9−304787号公報には、金と
銅を添加した銀系導電薄膜層の表裏面を透明導電薄膜層
にて狭持することにより、光学特性に優れ、耐湿性も向
上し、面積抵抗の低抵抗化を実現できることが記載され
ている。
【0006】特開昭63−65063号公報には、IT
O膜上もしくはITO膜内に、補助金属電極としてのA
g膜を250〜300Å(25〜30nm)の膜厚で形
成することにより、補助金属電極の剥離を防ぐことが記
載されている。
【0007】特開平3−288133号公報には、膜厚
50〜300Å(5〜30nm)のAg薄膜層からなる
主透明電極と、主透明電極上に設けられた膜厚200〜
2000Å(20〜200nm)のITO薄膜層からな
る補助透明電極との二層構造の表示用透明電極を有する
液晶表示素子が記載されている。この液晶表示素子によ
れば、表示用透明電極の低抵抗化および断線防止が図ら
れる。
【0008】特開2001-242475 には、ITO等からなる
透明電極の表面に部分的に銀等の金属製の補助電極が形
成された液晶装置が記載されている。この液晶装置によ
れば、基板の反りを防止して、セル厚を一定の値に保持
することができる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】上記の特開平4−33
7208号公報、特開平9−304787号公報、特開
昭63−65063号公報、特開平3−288133号
公報および特開2001-242475 にそれぞれ開示された金属
膜を画素電極に使用して、透過型ないし半透過反射型
(以下、透過反射両用型ともいう。)の液晶表示装置を
作製した場合、短波長側の光が金属膜に吸収され易いた
めに、透過光に色付きが生じる可能性がある。この色付
きを防止するために、他の金属膜をさらに追加して色調
を補正するか、あるいは位相差板を用いて位相差を調整
することが可能であるが、工数が増加し、色調調整も難
しい。
【0010】特に、今日に見られるような、反射機能と
透過機能とを有する反射透過両用型液晶表示装置におい
て、光学設計が複雑化し、色調調整が困難となる。具体
的に述べると、反射機能と透過機能とを有する反射透過
両用型液晶表示装置においては、環境光を可及的に有効
利用しても、反射表示時の絶対的な光量は少ない。ま
た、透過表示時においては、低消費電力を達成するため
に、限られた光量(少ない光量)を利用している。例え
ばLEDの発光等により得られる光量を利用している。
したがって、反射表示時および透過表示時のいずれにお
いても、光量が充分とは言えず、輝度が低いので、金属
膜による光吸収が表示に大きく影響する。さらに、反射
表示時においては、光が金属膜を2度通過するので、表
示への色付きが顕著となる。
【0011】本発明は、低抵抗化、断線防止、抵抗膜の
保護に加え、色調調整を不要とする表示装置、特にプラ
スチック基板を有する表示装置の提供を目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明の表示用電極基板
は、遮光性金属層が透明導電層で覆われた構造を有する
表示用電極が基板上に形成されている。前記基板は、プ
ラスチック基板であっても良い。プラスチック基板を用
いた場合、基板は曲がり易いので、基板を曲げることに
より、ITOなどからなる表示用電極にクラックが入っ
て、表示用電極の断線を引き起こすおそれがある。ま
た、プラスチック基板を用いたプラスチック液晶表示装
置においても、パネルのたわみや応力によって、表示用
電極(ITO電極など)にクラックが発生し、断線を引
き起こすおそれがある。
【0013】本発明の表示用電極基板では、延性に優れ
る金属薄膜(金、銀、銅、アルミ等、またはそれらの合
金)を配置し、さらに金属薄膜を覆い囲むように、IT
O膜等の透明酸化金属膜からなる透明導電層を形成した
構造を有する。この構造を有する表示用電極は、透明導
電層にクラックが発生しても、延性に優れる金属薄膜
(導電性材料膜)にはクラックが発生しないので、断線
しない。また、この金属薄膜は、透明導電層に覆い囲ま
れているので、金属腐食や劣化といった不具合を防止で
き、表示装置の信頼性をも向上させることができる。さ
らに、導電性材料膜は、従来の30nm程度の半透過膜
でなく、遮光性(例えば100nm程度)を有している
ので、導電性材料の特性に依存した、特定波長の吸収を
避けることができる。したがって、色調補正のために、
他の金属膜を追加するか、あるいは液晶パネルの位相差
を調整するなどの複雑な作業が不要となる。
【0014】前記表示用電極は、前記遮光性金属層と前
記基板との間に介在する透明導電層をさらに有していて
も良い。プラスチック基板上に遮光性金属層を直接形成
する場合、遮光性金属層とプラスチック基板との密着性
が低いので、遮光性金属層の膜剥がれのおそれがある。
透明導電層を遮光性金属層とプラスチック基板との間に
介在させることにより、透明導電層がバインダー的役割
を持つので、遮光性金属層とプラスチック基板との密着
性が高められ、遮光性金属層の膜剥がれを防ぐことがで
きる。
【0015】前記遮光性金属層は、可視光における透過
率が1%以下であることが好ましい。スパッタで金属膜
を形成する場合、膜厚を厚くし、金属膜の領域を遮光す
る。これにより、金属膜を通過することによる色付いた
透過光を抑え、良好な表示を得ることができる。例え
ば、金属膜の膜厚が80nm以上ならば、可視光におけ
る透過率が1%以下となり、金属膜の領域が遮光され
る。可視光での透過率が1%以下であれば、金属膜の透
過光が視認されずに、良好な表示を得ることができる。
【0016】前記表示用電極の膜厚は、300nm以下
であることが好ましい。プラスチック基板上に形成され
た金属薄膜が所定方向に延びる(連続する)場合、表示
用電極の総厚が300nmを超えると、露光によるパタ
ーン形成工程や配向膜の成膜工程などのパネル製造工程
において、基板自体の反りが大きくなることがある。基
板の反りが大きくなると、製造ライン内で吸着エラーが
発生し、または搬送トラブルの原因となるので、生産性
が極めて低下するおそれがある。表示用電極の膜厚(総
厚)を300nm以下にすることによって、基板の反り
を抑えて、吸着エラーや搬送トラブルを防ぐことができ
るので、生産性が向上する。
【0017】本発明の第1の局面による表示装置は、そ
れぞれが表示用電極を有する一対の基板と、前記一対の
基板間に介在する表示媒体層とを有する表示装置であっ
て、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板が本発
明の表示用電極基板である。「表示媒体層」とは、互い
に対向する一対の電極に電圧を印加することによって、
両電極の電位差により光透過率が変調される層、または
両電極間を流れる電流により自発光する層である。表示
媒体層は、例えば液晶層、無機または有機EL層、発光
ガス層、電気泳動層、エレクトロクロミック層などであ
る。
【0018】本発明の第2の局面による表示装置は、透
明導電層と反射性金属層との積層構造を有する第1表示
用電極が形成された第1表示用電極基板と、第2表示用
電極が形成された第2表示用電極基板と、前記両基板間
に介在する表示媒体層とを有する表示装置であって、前
記第1表示用電極および前記第2表示用電極により規定
される画素は、反射領域と透過領域とを有する。例え
ば、反射性金属層に、透過光用の穴、すなわち金属層開
口部を形成することにより、反射性金属層があるところ
は反射領域となり、金属層開口部は光が透過する透過領
域となる。すなわち、反射表示および透過表示が可能と
なる。
【0019】ここで「画素」とは、表示を行うために光
学的な状態が制御される最小単位を指す。「画素」は、
単純マトリクス型表示装置においては、複数の列電極
と、列電極に交差するように設けられる複数の行電極と
によって規定され、両電極が互いに交差するそれぞれの
領域が画素を構成する。なお、カラー表示においては、
例えば、R(赤)、G(緑)、B(青)のそれぞれの最
小表示単位が、R画素、G画素、B画素となる。さらに
ブラックマトリクスが設けられる構成においては、厳密
には、表示すべき状態に応じて電圧が印加される領域の
うち、ブラックマトリクスの開口部に対応する領域が
「画素」に対応する。
【0020】複数の画素は、マトリクス状に配列され、
典型的には、行方向およびそれに直交する列方向に配列
される。但し、画素の配列はこれに限られず、互いに異
なる方向であればよい。例えば、デルタ配列の表示装置
においては、行方向に対して傾斜した方向に列方向が設
定され得る。なお、列方向および行方向は、表示画面の
一方向と、これに交差する他の方向とを表すにすぎず、
表示画面の長手方向や短手方向を規定するものではな
い。
【0021】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施形態を説明する。以下の実施形態では、液晶表示
装置について説明するが、本発明の表示装置は、有機エ
レクトロルミネッセンス(EL)表示装置、無機EL表
示装置、プラズマディスプレイパネル(PDP)、真空
蛍光表示(VFD)装置などに適用することができる。
【0022】〔実施形態1:透過型の液晶表示装置〕図
1は、実施形態1の液晶表示装置を模式的に示す断面図
である。本実施形態の液晶表示装置は、第1表示用電極
基板1と、第2表示用電極基板2と、両基板1,2間に
介在するSTN液晶層3とを有する。液晶表示装置の第
1表示用電極基板1側には、バックライト4が配置され
ている。
【0023】第1表示用電極基板1は、プラスチック基
板11と、基板11の一方面側に形成された複数の表示
用電極12と、配向膜(不図示)とを有する。プラスチ
ック基板11の他方面側には、位相差板13および偏光
板14が形成されている。複数の表示用電極12は、互
いに平行に延びている。
【0024】第2表示用電極基板2は、プラスチック基
板21の一方面側に、オーバーコート層25、カラーフ
ィルタ層26、複数の表示用電極22および配向膜(不
図示)が順次積層された構造を有する。プラスチック基
板21の他方面側には、位相差板23および偏光板24
が形成されている。複数の表示用電極12は、それぞれ
が互いに平行で、第1表示用電極基板1の表示用電極1
2とほぼ直交する方向に延びている。
【0025】プラスチック基板11,21としては、エ
ポキシ、ポリエチレンスルフォン(PES)、ポリカー
ボネイト(PC)などからなる基板が挙げられる。な
お、本実施形態では、プラスチック基板を用いている
が、プラスチック基板に代えてガラス基板を用いてもよ
い。
【0026】本実施形態の表示用電極12は、下側のI
TO層121、銀合金層122および上側のITO層1
23が順次積層された3層構造を有する。下側のITO
層123は、銀合金層122とプラスチック基板11と
の密着性を高めるバインダー的役割を主に果たす。銀合
金層122は、低抵抗化、曲げや応力に対する断線防止
の役割を主に果たす。上側のITO層123は、銀合金
層122の保護と表示用電極の役割を主に果たす。
【0027】銀合金層122は、柔らかく傷つき易い特
性を有しており、また腐食し易いので、上側のITO層
123で覆うことにより、銀合金層122の損傷や腐食
を防ぐことができる。とりわけ、ラビング処理などの製
造工程において、銀合金層122の剥がれを防ぐことが
できる。詳しく述べると、ラビング処理は、高速回転す
る布を基板へ擦りつけて行われるので、銀などの柔らか
い金属膜は、削れや剥がれが生じて粉状に飛散するおそ
れがある。飛散した金属粉が表示用電極12間に詰まる
と、表示用電極12間にリークが発生する。銀合金層1
22を上側のITO層123で覆うことにより、銀合金
層122が削れたり剥がれたりして粉状に飛散するのを
防ぐことができる。これにより、表示用電極12間に銀
合金が詰まり、リークが発生するという不具合を防ぐこ
とができる。
【0028】銀合金層122の幅は、上側のITO層1
23で覆われる程度、言い換えれば上側のITO層12
3よりも短ければ、特に限定されない。但し、銀合金層
122は、後述するように、遮光性を有しているので、
銀合金層122の幅が大きいほど、開口率が低下する。
開口率を考慮すれば、銀合金層122の幅は、上側のI
TO層123の幅の約10%以下が好ましい。また、露
光などの製造上の観点から10μm程度が銀合金層12
2の最小幅になる。なお、銀合金層122の幅とは、表
示用電極12が延びる方向に対して略直交する方向にお
ける銀合金層122の長さをいう。
【0029】下側のITO層121/銀合金層122/
上側のITO層123の各膜厚は、50nm〜100n
m/100nm〜120nm/50nm〜100nmが
好ましい。また、下側ITO層121と上側ITO層1
23との総厚は、製造面や表示の観点から、100nm
〜200nmの範囲が適当である。
【0030】銀合金層122は、スパッタで成膜される
一般的な銀合金膜であり、膜厚が80nmのとき可視光
透過率が0.8%、60nmのときで4%となる。した
がって、可視光における透過率を1%以下にする場合に
は、銀合金層122の膜厚を80nm以上にする。但
し、遮光や成膜の点からは、銀合金層122の膜厚は、
100nm〜120nmの範囲が好ましい。なお、透過
率は、反射率を測定する機械を用いて反射率を測定し、
逆算して求めることができる。具体的には、銀合金膜を
成膜した平面基板を反射率測定機で測定し、単純な引き
算を行う。例えば、反射率が95%ならば、透過率5%
が算出される。測定のスポット径は、10mm程度とす
る。
【0031】本実施形態では、下側のITO層121を
75nm、銀合金層122を100nm、上側のITO
層123を70nmとする。すなわち、表示用電極の総
膜厚を245nmとする。表示用電極の総膜厚が300
nmを超えると、プラスチック基板11の反りが大きく
なり、単体搬送ができず、さらに吸着ステージ上でも吸
着エラーが発生するなど作業の流動性が悪くなる。本実
施形態では表示用電極の総膜厚を300nm以下、すな
わち245nmとしているので、プラスチック基板をラ
インで単体搬送しても作業の流動性に問題が生じない。
【0032】本実施形態の第1表示用電極基板1は、例
えば以下のパターン形成プロセスにより製造することが
できる。プラスチック基板11上にITO膜、銀合金膜
を順に成膜する。ポジ型フォトレジストを塗布し、配線
パターンを有するフォトマスクを介して、露光、現像
し、エッチングを行なう。このとき、銀合金膜のみをエ
ッチングし、ITO膜をエッチングしない薬液、例えば
硝酸系の薬液を使用するのが良い。この最初のパターン
形成後に、ITO膜をさらにスパッタ成膜する。
【0033】最初のパターン形成と同様に、フォトレジ
ストを塗布し、配線パターンを有するフォトマスクを介
して、露光、現像し、エッチングを行なう。このとき用
いるフォトマスクは、銀合金の配線パターンよりも5n
m〜10nm程度大きい幅の配線パターンを有する。エ
ッチングは、ITOエッチング用の薬液、例えばHBr
系の薬液を使用することで、上側ITO膜と下側ITO
膜とが同時にエッチングされパターン化される。こうし
て、下側のITO層121、銀合金層122および上側
のITO層123が順次積層された三層構造を有する表
示用電極12のパターンが完成する。表示用電極12上
に配向膜を形成し、ラビング処理を行う。
【0034】第2表示用電極基板2は、第1表示用電極
基板1と同様に製造することができる。具体的には、プ
ラスチック基板21上に、オーバーコート層25、カラ
ーフィルタ層26、複数の表示用電極22および配向膜
を順次形成する。第1表示用電極基板1と第2表示用電
極基板2とを、シール材を介して貼り合わせ、STN液
晶材料を注入、封止して、STN液晶層3を形成する。
このようにして得られたパネルの両面に、位相差板1
3,23および偏光板14,24をそれぞれ貼り付ける
ことにより、液晶パネルが完成する。
【0035】次に、本実施形態の表示用電極12につい
て曲げ実験を行った。厚さ0.2mmのPES基板上
に、表示用電極12がストライプ状に形成された第1表
示用電極基板1を実験に用いた。表示用電極12の線幅
が235μm、長さが25mm、上側のITO層123
の膜厚が70nm、下側のITO層121の膜厚が75
nmであり、銀合金層122の膜厚が100nm、線幅
が20μmである。
【0036】(曲げ実験の説明)図2を参照しながら、
曲げ実験の方法について説明する。第1表示用電極基板
1の表示用電極12に対して反対側面を円柱部材500
で押さえる。円柱部材500は、表示用電極12が延び
る方向(配線方向)と直交するように配置する。第1表
示用電極基板1の一方端部を略鉛直に起立させて、10
秒間保持する。起立を解除して元の状態に戻し、表示用
電極12の抵抗値を2端子法にて抵抗値測定する。円柱
部材500の半径(R)を18mmから1.5mmへと
順々に小さくして、実験を繰り返す。
【0037】(実験結果)図3に曲げ実験の結果を示
す。円柱部材500の半径を順々に小さくしても、表示
用電極12の抵抗値は増大せず、基板破壊までほぼ一定
の抵抗値を保持することができた。円柱部材500の半
径が2mmの場合には、上側のITO層123にクラッ
クが確認された。しかし、銀合金層122が延性に優れ
ているので、銀合金層122は断線せず、これにより表
示用電極12自体は断線しなかった。
【0038】本実施形態の液晶表示装置の透過表示を観
察したところ、透過光に色付きがなく、良好な表示が得
られた。これは、銀合金層122の膜厚が大きいので、
銀合金層122が光源(バックライト4)からの光を遮
光し、銀合金層を透過することによる色付きがないから
である。すなわち、光源(バックライト4)からの光
は、ITO層121,123のみを透過するからであ
る。
【0039】本実施形態では、バックライト4側の表示
用電極12のみをITO層121/銀合金層122/I
TO層123の三層構造としたが、観察者側の表示用電
極22のみまたは両表示用電極12,22のいずれもI
TO層/銀合金層/ITO層の三層構造としても良い。
また、遮光性金属層として銀合金層122を用いたが、
導電性があり、延性に優れた材料であれば、いずれも好
適に用いることができる。例えば、金、銅、アルミ等ま
たはそれらの合金を用いても良い。さらに、銀合金層1
22の下側に密着層としてITO層121を用いている
が、基板11との密着力および透光性が確保できる材料
であれば、好適に用いることができる。本実施形態で
は、観測者側の第2表示用電極基板2にカラーフィルタ
層26を配置しているが、バックライト4側の第2表示
用電極基板2にカラーフィルタ層26を配置しても良
い。
【0040】〔比較例1:ITOのみ〕本発明の液晶表
示装置と比較するために、図4を参照しながら、従来の
第1の液晶表示装置について説明する。なお、以降の図
面においては、実施形態1の液晶表示装置と実質的に同
じ機能を有する構成要素を共通の参照符号で示し、その
説明を省略する。
【0041】本比較例では、ITO層のみで表示用電極
120が形成されている。本比較例の第1表示用電極基
板100を用いて曲げ実験を行い、基板応力への耐屈曲
性を調べた。曲げ実験は、実施形態1と同様にして行っ
た。厚さ0.2mmのPES基板上に、表示用電極12
0がストライプ状に形成された第1表示用電極基板10
0を実験に用いた。表示用電極(ITO層)120の線
幅が235μm、長さが25mm、膜厚が130nmで
ある。
【0042】図5に実験結果を示す。円柱部材500の
半径が2mmのときでは、初期値の約7倍の抵抗値を示
した。これは、基板の曲げにより、表示用電極であるI
TO層にクラックが入ったためである。抵抗値の増加
は、表示用電極の断線を招くので、液晶表示装置の場
合、表示しなくなる。実験をさらに続け、円柱部材50
0の半径が1.5mmのときでは、基板の破壊が発生し
た。実施形態1と比較例1の結果から、実施形態1の表
示用電極12は、ITO単層の表示用電極よりも曲げや
応力に強いことが分かる。
【0043】〔比較例2:ITO+銀系薄膜〕本発明の
液晶表示装置と比較するために、図6を参照しながら、
従来の第2の液晶表示装置について説明する。本比較例
では、銀系の半透過膜124をITO等の透明電極膜1
21,123で挟んだ表示用電極125を用いる。半透
過膜124の膜厚は20nmであり、線幅は透明電極膜
121,123と同じ235μm、長さが25mmであ
る。表示用電極125の透過率は20%程度である。な
お、プラスチック基板21と偏光板24との間には、光
拡散機能を有する前方拡散板27と2枚の位相差板23
a,23bとが形成されている。
【0044】この第2表示用電極基板20について、実
施形態1と同様にして、耐屈曲性と表示品位について調
べた。曲げ実験を行ったところ、ITO層のみからなる
表示用電極(比較例1)の場合とは異なり、抵抗値の増
大はなかった。すなわち、曲げについては、比較例1に
比べて効果が見られた。
【0045】しかしながら、半透過膜の透過光は、色付
きを生じてしまう。本比較例では透過表示において、透
明電極のみからなる表示用電極(比較例1)の場合に比
べて、白表示での透過表示が、やや青よりの色調となっ
た。
【0046】本比較例で用いた銀半透過膜124の分光
特性を図7に示す。図7に示すスペクトルから、短波長
側の透過率が高いので、透過光は紫色になることが分か
る。したがって、液晶表示も紫色になり、良好な表示が
得られない。特にカラー液晶表示装置の場合は大きな問
題になる。なお、スペクトルの測定は、オリンパス製の
OSP−SP−200を用いて行った。まず、リファレ
ンスとなる基板(透過光のときはプラスチック基板、反
射光のときは全反射基板)を測定し、次にブラックを測
定後、サンプル測定を行った。
【0047】本比較例の液晶表示装置では、表示用電極
125のリークが原因と考えられる表示不良が認められ
た。これは、ラビング処理などの製造工程において、透
明電極膜121,123で覆われていない半透過膜12
4の部分が剥がれて飛散し、表示用電極125間に詰ま
ったためと考えられる。
【0048】〔実施形態2:反射型の液晶表示装置〕図
8は、実施形態2の液晶表示装置を模式的に示す断面図
である。本実施形態の液晶表示装置は、表示用電極が実
施形態1の表示用電極と異なる。なお、プラスチック基
板21と偏光板24との間には、光拡散機能を有する前
方拡散板27と2枚の位相差板23a,23bとが形成
されている。
【0049】本実施形態の表示用電極12は、厚さ0.
2mmのPES基板上にストライプ状に形成され、線幅
が235μm、長さが25mmである。表示用電極12
は、下側ITO層121/銀合金層122/上側ITO
層123の三層構造を有しており、上側ITO層123
の膜厚が70nm、銀合金層122の膜厚が100n
m、下側ITO層121の膜厚が75nmである。上側
のITO層123は銀合金層122の保護膜の役割を果
たし、下側のITO層121は密着層の役割を果たす。
【0050】本実施形態の液晶表示装置は、反射型であ
るので、輝度を高めるために、銀合金層122の線幅
は、できる限り大きいのが望ましい。しかしながら、銀
合金層122が上側ITO層123で確実に覆われるよ
うにするためには、パターニングなどの製造上のマージ
ンを考慮すると、銀合金層122の線幅は、上側ITO
層123の線幅よりも、10μm程度小さく設定する。
本実施形態では、銀合金層122の線幅を225μmと
する。
【0051】本実施形態の表示用電極12について、実
施形態1と同様にして、曲げ実験を行った。その結果を
図9に示す。実施形態1の場合と同様に、抵抗値の増大
はなく、基板破壊までほぼ一定の抵抗値を保持すること
ができた。また、実施形態1の場合と同様に、円柱部材
500の半径が2mmの場合には、上側のITO層12
3にクラックが確認された。しかし、銀合金層122が
延性に優れているので、銀合金層122は断線せず、こ
れにより表示用電極12自体は断線しなかった。さら
に、実施形態1の場合と同様に、銀合金層122が上側
のITO層123に囲まれているので、比較例2で示し
たような、剥がれは発生せず、リーク等の不良は発生し
ない。
【0052】本実施形態では、反射率が高く延伸性のあ
る導電性材料として、銀合金を用いているが、アルミニ
ウムまたはアルミニウム合金などでもよい。本実施形態
の液晶表示装置は反射型であるので、反射光が白色とな
る、銀、アルミニウムまたはそれらの合金が好ましい。
【0053】本実施形態では、光拡散機能層として前方
拡散板27を用いているが、拡散オーバーコート層や凹
凸樹脂層を液晶セル内に配置してもよい。
【0054】〔実施形態3:反射透過両用型の液晶表示
装置〕図10は、実施形態3の液晶表示装置を模式的に
示す断面図である。本実施形態の液晶表示装置は、表示
用電極が実施形態1の表示用電極と異なる。なお、プラ
スチック基板21と偏光板24との間には、光拡散機能
を有する前方拡散板27と2枚の位相差板23a,23
bとが形成されている。
【0055】本実施形態の表示用電極12は、厚さ0.
2mmのPES基板上にストライプ状に形成され、線幅
が235μm、長さが25mmである。表示用電極12
は、下側ITO層121/銀合金層122/上側ITO
層123の三層構造を有しており、上側ITO層123
の膜厚が70nm、銀合金層122の膜厚が100n
m、下側ITO層121の膜厚が75nmである。本実
施形態では、銀合金層122の線幅を165μm、すな
わち上側ITO層123の線幅の70%とする。
【0056】銀合金層122のある領域は反射領域とな
り、ない領域は透過領域となる。本実施形態では、反射
領域と透過領域とが区別されているので、半透過膜を使
用する場合とは違い、反射・透過色度の調整が容易であ
る。銀合金層の線幅は、液晶表示装置の透過率と反射率
の比率により決定されるので、銀合金層の線幅は165
μmに限定されない。銀合金層の線幅は、好ましくは、
上側のITO層123の幅の約10%〜約95%程度で
ある。
【0057】本実施形態の表示用電極12について、実
施形態1と同様にして、曲げ実験を行った。その結果を
図11に示す。実施形態1の場合と同様に、抵抗値の増
大はなく、基板破壊までほぼ一定の抵抗値を保持するこ
とができた。また、実施形態1の場合と同様に、円柱部
材500の半径が2mmの場合には、上側のITO層1
23にクラックが確認された。しかし、銀合金層122
が延性に優れているので、銀合金層122は断線せず、
これにより表示用電極12自体は断線しなかった。さら
に、実施形態1の場合と同様に、銀合金層122が上側
のITO層123に囲まれているので、比較例2で示し
たような、剥がれは発生せず、リーク等の不良は発生し
ない。
【0058】実施形態1の場合と同様に、銀合金層12
2が透過光を遮光するので、透過表示は、比較例2のよ
うな表示の色付きがない。すなわち、比較例1と同様に
透過光はITO膜しか通過しないので、透過光に色付き
がなく、良好な表示が得られる。
【0059】〔実施形態4:反射透過両用型の液晶表示
装置〕実施形態3では、銀合金層122の線幅を調整す
ることにより、反射・透過率を調整しているが、銀合金
層122の開口を形成することによっても、反射・透過
率を調整することが可能である。
【0060】図12は、1画素を拡大して示す平面図で
ある。図12に示すように、基板11上に、銀合金層1
22を覆い囲む上側ITO層(透明電極)123を有す
る表示用電極12が形成されている。銀合金層122に
は、透過光用の穴、すなわち金属膜開口部122aが形
成されている。これにより、金属膜があるところは、反
射板として利用することが可能となり、金属膜開口部1
22aにおいては、透過表示が可能となる。したがっ
て、金属膜開口部122aの数や大きさを調整すること
により、反射・透過率を調整することが可能となる。
【0061】また、金属膜開口部122aの形成箇所を
1画素内で分散させることによって、透過表示および反
射表示において、画素内での輝度が均一となる。
【0062】
【発明の効果】本発明によれば、低抵抗化、断線防止、
抵抗膜の保護に加え、色調調整を不要とする表示装置が
提供される。特にプラスチック基板を有する表示装置で
は、プラスチック基板の特長である、基板の曲げに対し
ても、表示用電極の断線を防ぐことができる。また、透
過光に色付きがなく、良好な透過表示が得られる。さら
に、表示用電極は抵抗値の小さい金属層を有するので、
表示用電極の抵抗値を下げることができ、グラデーショ
ンのない表示装置を提供することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施形態1の液晶表示装置を模式的に示す断面
図である。
【図2】曲げ実験を説明するための斜視図である。
【図3】実施形態1の曲げ実験結果を示すグラフであ
る。
【図4】従来の第1の液晶表示装置を模式的に示す断面
図である。
【図5】比較例1の曲げ実験結果を示すグラフである。
【図6】従来の第2の液晶表示装置を模式的に示す断面
図である。
【図7】銀半透過膜の反射・透過分光特性を示すスペク
トル図である。
【図8】実施形態2の液晶表示装置を模式的に示す断面
図である。
【図9】実施形態2の曲げ実験結果を示すグラフであ
る。
【図10】実施形態3の液晶表示装置を模式的に示す断
面図である。
【図11】実施形態3の曲げ実験結果を示すグラフであ
る。
【図12】実施形態4の1画素を拡大して示す平面図で
ある。
【符号の説明】
1 第1表示用電極基板 2 第2表示用電極基板 3 STN液晶層 11 プラスチック基板 12 表示用電極 121 下側ITO層 122 銀合金層 123 上側ITO層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G02F 1/1335 520 G02F 1/1335 520 1/1343 1/1343 // H01J 11/02 H01J 11/02 B Fターム(参考) 2H090 JB03 LA01 LA20 2H091 FA15Y FA34Y FD04 GA01 GA02 LA02 LA13 2H092 GA17 GA19 HA03 HA05 JB07 PA01 PA09 PA12 5C040 FA10 GC05 GC06 MA10 MA30 5C094 AA08 AA21 AA32 BA27 BA31 BA43 CA19 CA24 DA06 DA13 EA04 EA05 EA06 EB02 ED15 FA02 FB12 HA08 JA08 JA11

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 遮光性金属層が透明導電層で覆われた構
    造を有する表示用電極が基板上に形成された、表示用電
    極基板。
  2. 【請求項2】 前記表示用電極は、前記遮光性金属層と
    前記基板との間に介在する透明導電層をさらに有する、
    請求項1に記載の表示用電極基板。
  3. 【請求項3】 前記遮光性金属層は、可視光における透
    過率が1%以下である、請求項1に記載の表示用電極基
    板。
  4. 【請求項4】 前記表示用電極の膜厚は、300nm以
    下である、請求項1に記載の表示用電極基板。
  5. 【請求項5】 前記基板は、プラスチック基板である、
    請求項1に記載の表示用電極基板。
  6. 【請求項6】 それぞれが表示用電極を有する一対の基
    板と、前記一対の基板間に介在する表示媒体層とを有す
    る表示装置であって、 前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板が請求項1
    に記載の表示用電極基板である、表示装置。
  7. 【請求項7】 透明導電層と反射性金属層との積層構造
    を有する第1表示用電極が形成された第1表示用電極基
    板と、第2表示用電極が形成された第2表示用電極基板
    と、前記両基板間に介在する表示媒体層とを有する表示
    装置であって、 前記第1表示用電極および前記第2表示用電極により規
    定される画素は、反射領域と透過領域とを有する、表示
    装置。
JP2002133083A 2002-05-08 2002-05-08 表示用電極基板および表示装置 Pending JP2003323131A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002133083A JP2003323131A (ja) 2002-05-08 2002-05-08 表示用電極基板および表示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002133083A JP2003323131A (ja) 2002-05-08 2002-05-08 表示用電極基板および表示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003323131A true JP2003323131A (ja) 2003-11-14

Family

ID=29544720

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002133083A Pending JP2003323131A (ja) 2002-05-08 2002-05-08 表示用電極基板および表示装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003323131A (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006039509A (ja) * 2004-06-23 2006-02-09 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法、並びに電子装置
JP2007317606A (ja) * 2006-05-29 2007-12-06 Mitsubishi Electric Corp 有機el表示装置およびその製造方法
JP2008046565A (ja) * 2006-08-21 2008-02-28 Fujifilm Corp 表示装置
JP2008300260A (ja) * 2007-06-01 2008-12-11 Hitachi Displays Ltd 表示装置
FR2917897A1 (fr) * 2007-06-25 2008-12-26 Univ Rennes 1 Etablissement Pu Multicouche transparent et conducteur
US7821009B2 (en) 2004-12-07 2010-10-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Signal line, a thin film transistor array panel comprising the signal line, and method for manufacturing the same
CN104362224A (zh) * 2014-09-22 2015-02-18 南昌大学 一种led薄膜芯片基板的制备方法及其结构
JP2017058509A (ja) * 2015-09-16 2017-03-23 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法、および、表示装置
JP2017107181A (ja) * 2015-10-30 2017-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、電子機器およびその作製方法

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006039509A (ja) * 2004-06-23 2006-02-09 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法、並びに電子装置
US7547918B2 (en) 2004-06-23 2009-06-16 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate and electronic device
US7821009B2 (en) 2004-12-07 2010-10-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Signal line, a thin film transistor array panel comprising the signal line, and method for manufacturing the same
US8507303B2 (en) 2004-12-07 2013-08-13 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor array panel and method for manufacturing the same
JP2007317606A (ja) * 2006-05-29 2007-12-06 Mitsubishi Electric Corp 有機el表示装置およびその製造方法
JP2008046565A (ja) * 2006-08-21 2008-02-28 Fujifilm Corp 表示装置
JP2008300260A (ja) * 2007-06-01 2008-12-11 Hitachi Displays Ltd 表示装置
US8729794B2 (en) * 2007-06-01 2014-05-20 Japan Display Inc. Display device having three layer electroconductive film
FR2917897A1 (fr) * 2007-06-25 2008-12-26 Univ Rennes 1 Etablissement Pu Multicouche transparent et conducteur
WO2009000747A3 (fr) * 2007-06-25 2009-04-09 Univ Rennes Multicouche transparent et conducteur
WO2009000747A2 (fr) * 2007-06-25 2008-12-31 Universite De Rennes 1 Multicouche transparent et conducteur
CN104362224A (zh) * 2014-09-22 2015-02-18 南昌大学 一种led薄膜芯片基板的制备方法及其结构
CN104362224B (zh) * 2014-09-22 2017-01-18 南昌大学 一种led薄膜芯片基板的制备方法及其结构
JP2017058509A (ja) * 2015-09-16 2017-03-23 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法、および、表示装置
JP2017107181A (ja) * 2015-10-30 2017-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、電子機器およびその作製方法
JP2021144226A (ja) * 2015-10-30 2021-09-24 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP7055920B2 (ja) 2015-10-30 2022-04-18 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7486353B2 (en) Color filter substrate, method for manufacturing the same, liquid crystal display panel, and electronic equipment
US8520173B2 (en) Display device
US20020163611A1 (en) Electrooptic device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
JP2002090724A (ja) 液晶装置、カラーフィルタ基板、液晶装置の製造方法、及び、カラーフィルタ基板の製造方法
US20090141219A1 (en) Liquid crystal device, method of manufacturing liquid crystal device, and electronic apparatus
JP2009042292A (ja) 液晶表示装置
JP2003323131A (ja) 表示用電極基板および表示装置
US20040090568A1 (en) Liquid crystal display device, manufacturing method thereof, and electronic equipment
WO2022151638A1 (zh) 液晶显示面板和液晶显示装置
JP4301927B2 (ja) 液晶表示装置
KR100771825B1 (ko) 액정표시장치 제조방법
JP2002055333A (ja) 液晶装置用基板、その製造方法、液晶装置および電子機器
JP4511248B2 (ja) 液晶表示装置
JP2004109797A (ja) 半透過型液晶表示装置
JP2003255335A (ja) 電気光学装置用基板及びその製造方法、電気光学パネル並びに電子機器
KR20080070356A (ko) 액정 표시 패널과 이를 포함한 액정 표시 장치
JP4053335B2 (ja) 表示装置
KR20000056654A (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
JP2002229010A (ja) 液晶表示装置および電子機器
TWI304498B (ja)
US20040263727A1 (en) Liquid crystal display device
JP2003315785A (ja) 半透過型液晶表示装置
JP2005215180A (ja) 液晶表示装置
JP2004354950A (ja) 電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器、及び、電気光学装置用基板の製造方法、並びに、電気光学装置の製造方法
JP2003256138A (ja) タッチパネル搭載型表示装置