JP2002090724A - 液晶装置、カラーフィルタ基板、液晶装置の製造方法、及び、カラーフィルタ基板の製造方法 - Google Patents

液晶装置、カラーフィルタ基板、液晶装置の製造方法、及び、カラーフィルタ基板の製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 カラーフィルタ上に透明導電層が形成されて
なるカラーフィルタ基板或いは液晶装置において、カラ
ーフィルタと透明導電層との間の絶縁膜に起因する不具
合を低減できる構造を提供する。 【解決手段】 着色層１１２及び表面保護層１１３から
なるカラーフィルタの表面上には透明な金属酸化物から
なる絶縁膜１１４が形成される。絶縁膜１１４は、スパ
ッタリング法等によってＴａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＴｉＯ
２のいずれか少なくとも一つを主成分とする金属酸化物
をカラーフィルタ上に堆積させたものである。絶縁膜１
１４の表面上には所定パターン形状を備えた透明電極１
１５が形成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶装置、カラー
フィルタ基板、液晶装置の製造方法、及び、カラーフィ
ルタ基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、液晶を一対のガラス等からなる
基板によって挟持した液晶パネルを有する液晶装置にお
いて、カラー表示を可能にするためのカラーフィルタ基
板を用いる場合がある。このカラーフィルタ基板におい
ては、ガラス等の透明な基板の表面上にカラーフィルタ
のフィルタ部分を構成する着色層（例えばＲ（赤）、Ｇ
（緑）、Ｂ（青）、ＢＭ（黒：ブラックマトリクス或い
はブラックマスク））が形成される。これらの着色層は
顔料や染料等の着色材を含む樹脂からなる。
【０００３】通常、カラーフィルタにおいては、着色層
の上に透明な樹脂等からなる表面保護層が形成される。
この表面保護層は、カラーフィルタ上にさらに別の層
（例えば透明電極パターンなど）を形成する際に薬液の
侵入を防止し、着色層を保護するとともに、カラーフィ
ルタ表面の平坦性を確保するために形成される。
【０００４】カラーフィルタの表面上にはＩＴＯ（Indi
um Tin Oxide）等の透明導電体からなる透明電極が形成
される場合がある。ところが一般に、上記表面保護層と
透明電極とは密着性が悪いために、カラーフィルタ上に
直接透明電極を形成しようとすると、電極パターンのパ
ターン精度を確保することができないという問題があ
る。そこで、従来、カラーフィルタの表面保護層の表面
上にＳｉＯ２からなる絶縁膜（中間層）をスパッタリン
グ法などによって形成し、この絶縁膜の上に透明電極を
形成していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の絶縁
膜上に透明電極を形成する場合、スパッタリング法等に
よって形成された透明な導電膜から透明電極をパターニ
ングするために、水酸化カリウム水溶液等のアルカリ溶
液を用いて透明導電層上のレジストパターンを現像し、
また、透明電極をパターニングした後にも電極パターン
上に残存するレジストパターンをアルカリ溶液により除
去する必要がある。
【０００６】しかしながら、ＳｉＯ２からなる絶縁膜は
上記のアルカリ溶液に弱いため、透明電極のパターニン
グ時においてアルカリ溶液によって絶縁膜が部分的に溶
解するなどの化学的影響を受け、その結果、絶縁膜がカ
ラーフィルタ上から剥離する場合がある。
【０００７】また、ＳｉＯ２からなる絶縁膜をスパッタ
リング装置などによって形成したときには、装置内部に
付着したＳｉＯ２が粉体となって飛散し、周囲を汚染す
るという問題点がある。これは、ＳｉＯ２は装置内部の
金属製の構成部材に対して熱膨張率の差が大きいととも
に大気中の水分を吸収しやすい性質を有するため、装置
内部に付着したＳｉＯ２がスパッタリングの終了後に装
置内面から剥離しやすいからである。その上、ＳｉＯ２
をスパッタリングによって成膜する場合、その誘電率が
低いことからターゲットに異常放電が発生しやすく、安
定した成膜状態が得られにくいという問題点もある。
【０００８】さらに、上記の透明電極が通常１．８〜
１．９程度の高い屈折率を有するのに対し、ＳｉＯ２か
らなる絶縁膜は屈折率が低い（ｎ＝１．４５５）ため、
絶縁膜と透明電極との界面において光反射や干渉が生じ
て光透過率が低下し、表示が暗くなるという問題点もあ
る。
【０００９】そこで本発明は上記問題点を解決するもの
であり、その課題は、カラーフィルタ上に導電膜が形成
されてなるカラーフィルタ基板或いは液晶装置におい
て、カラーフィルタと導電膜との間の絶縁膜に起因する
不具合を低減できる構造を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶装置は、第
１基板と、前記第１基板に対向して配置された第２基板
と、前記第１基板上に設けられた着色層と、前記着色層
上に設けられたＴａ２Ｏ５、ＺｒＯ２及びＴｉＯ２のう
ち少なくとも１つを主成分として含む絶縁膜と、前記絶
縁膜上に設けられた光透過性を有する導電膜と、を備え
たものである。
【００１１】Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２及びＴｉＯ２はいず
れもＳｉＯ２よりも高い屈折率を有するので、透明導電
層との屈折率の差を小さくすることも可能であり、透明
導電層と絶縁膜の積層部分における光学的損失を低減す
ることが可能になる。特に、気相法によって形成された
上記の金属酸化物は成膜条件によって屈折率を制御、調
整することも可能である。また、本発明に用いる絶縁膜
はＳｉＯ２よりも粉体化しにくいので製造工程における
周囲の汚染度合を低減することができる。
【００１２】また、気相法によって形成されたＴａ２Ｏ
５、ＺｒＯ２はいずれもアルカリ溶液に対する充分な耐
食性を有するため、透明導電層のパターニング時にアル
カリ溶液を用いても剥離などが生じにくくなる。すなわ
ち、絶縁膜がＴａ２Ｏ５、ＺｒＯ２の少なくともいずれ
か一方を主成分として有することが耐アルカリ性を発揮
するために望ましい。
【００１３】本発明の前記絶縁膜の光学膜厚と前記導電
膜の光学膜厚との和は、可視波長領域内の任意の波長を
λとしたとき、実質的にλ／２の自然数倍であることが
好ましい。このようにすれば、絶縁膜のカラーフィルタ
側の表面及び導電膜のカラーフィルタとは反対側の表面
における可視光の反射率を低減し、光透過率を高めるこ
とができる。
【００１４】ここで、光学膜厚とは、絶縁膜と導電膜と
が実質的に等しい屈折率を有する場合にはｎ・ｄ（ｎは
積層部分の屈折率、ｄは絶縁膜と導電膜の合計の厚さ）
であり、絶縁膜の屈折率と導電膜の屈折率とに実質的な
差がある場合には、ｎ１・ｄ １＋ｎ２・ｄ２（ｎ１は絶
縁膜の屈折率、ｄ１は絶縁膜の厚さ、ｎ２は導電膜の屈
折率、ｄ２は導電膜の厚さ）である。また、上記の可視
波長領域とは、波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲を言
う。可視波長領域の代表波長として、上記λは５５０ｎ
ｍであることが望ましい。
【００１５】本発明においては、前記着色層と前記絶縁
膜との間に透明な樹脂膜をさらに有することが好まし
い。この透明な樹脂膜（後述する表面保護層）は、通
常、着色層を保護するとともに、カラーフィルタの表面
を平坦化するために形成される。この樹脂膜を形成する
ことによって絶縁膜はより平坦化される。
【００１６】本発明においては、前記着色層と前記第１
基板との間に反射膜をさらに有する場合がある。反射型
の液晶装置、或いは、反射半透過型の液晶装置において
は、反射膜を設けることにより外光を利用した反射型表
示を実現できる。反射膜の素材としては、通常、アルミ
ニウム、アルミニウム合金、クロム、クロム合金、銀、
銀合金などを用いることができる。ここで、上記反射膜
に開口部を設けることによって、この開口部を通して光
を透過させることができるので、反射半透過型の液晶装
置を構成することができる。
【００１７】本発明においては、前記第２基板上に、前
記絶縁膜と実質的に同一な材料で設けられた下地層と、
前記下地層上に設けられた能動素子と、をさらに有する
場合がある。絶縁膜と実質的に同一な材料で設けられた
下地層は、第２基板と、能動素子及びこれに導電接続さ
れる配線や電極を構成する導電膜などとの間の密着性を
向上させる。能動素子としては、例えば、ＴＦＤ（Thin
Film Diode）が挙げられる。
【００１８】また、本発明の別の液晶装置は、第１基板
と、前記第１基板に対向して配置された第２基板と、前
記第１基板上に設けられた着色層と、前記着色層上に設
けられたＴａ２Ｏ５を主成分として含む絶縁膜と、前記
絶縁膜上に設けられた光透過性を有する導電膜と、を備
えたものである。Ｔａ２Ｏ５を主成分とする絶縁膜はア
ルカリ溶液に対する高い耐食性を有するため、透明導電
層のパターニング時にアルカリ溶液を用いても剥離など
が生じにくくなる。また、ＳｉＯ２よりも高い屈折率を
有するので、透明導電層との屈折率の差を小さくするこ
とができるから、透明導電層と絶縁膜の積層部分におけ
る光学的損失を低減することができる。さらにまた、Ｓ
ｉＯ２よりも粉体化しにくいので製造工程における周囲
の汚染度合を低減することができる。
【００１９】ここで、前記絶縁膜はＺｒＯ２、ＴｉＯ２
及びＳｉＯ２のうち少なくとも１つを成分として含むこ
とが好ましい。Ｔａ２Ｏ５の他に、ＺｒＯ２、Ｔｉ
Ｏ２、ＳｉＯ２のいずれか少なくとも一つを主成分とし
て含むことによって、屈折率、誘電率などを調整するこ
とが可能になり、光学的、電気的な装置設計の自由度を
確保することが可能になる。
【００２０】特に、透明導電層に関しては、基本的に所
望の電気特性（抵抗の絶対値や抵抗率など）を得るため
に厚さや組成に関する制約を受けるので、光学特性上好
ましい厚さや屈折率（組成や成膜条件によって変動す
る。）を得ることが難しく、光学設計上の自由度が少な
いが、絶縁膜を従来よりも透明導電層に近い屈折率にす
ることによって、絶縁膜と透明導電層とを光学的に近い
特性を有するもの（例えば一体のもの）とみなすことが
可能になるので、絶縁膜の厚さ、屈折率等を適宜に設計
することによって、絶縁膜と透明導電層との積層部分を
一体的な光学要素として考慮できるなど、光学設計上の
自由度を高めることが可能になる。特に、絶縁膜の屈折
率を透明導電層の屈折率と実質的に等しくすることが好
ましい。
【００２１】さらに、本発明のさらに別の液晶装置は、
Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２及びＴｉＯ２のうち少なくとも１
つを主成分として含む絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けら
れた光透過性を有する導電膜と、を備えたものである。
【００２２】また、本発明の異なる液晶装置は、第１基
板と、前記第１基板に対向して配置された第２基板と、
前記第１基板上に設けられた着色層と、前記着色層上
に、可視波長領域内において屈折率が１．６以上２．０
以下で厚さが１０ｎｍ〜１００ｎｍである光透過性を有
する絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた可視波長領域
内において屈折率が１．８以上１．９以下で厚さが１０
０ｎｍ〜３００ｎｍである光透過性を有する導電膜と、
を備えたものである。
【００２３】このようにすると、絶縁膜と導電膜との間
の屈折率差を従来よりも低減することができるととも
に、絶縁膜と導電膜の光学膜厚の和が可視波長λの１倍
程度から２倍程度となるので、界面反射を低減すること
ができ、絶縁膜と透明導電層との積層部分に起因する光
学的損失を低減できる。
【００２４】さらに、本発明のさらに異なる液晶装置
は、可視波長領域内において屈折率が１．６以上２．０
以下で厚さが１０ｎｍ〜１００ｎｍである絶縁膜と、前
記絶縁膜上に設けられた可視波長領域内において屈折率
が１．８以上１．９以下で厚さが１００ｎｍ〜３００ｎ
ｍである光透過性を有する導電膜と、を備えたものであ
る。
【００２５】次に、本発明のカラーフィルタ基板は、基
板と、前記基板上に設けられた着色層と、前記着色層上
に設けられたＴａ２Ｏ５、ＺｒＯ２及びＴｉＯ２のうち
少なくとも１つを主成分として含む絶縁膜と、前記絶縁
膜上に設けられた光透過性を有する導電膜と、を備えた
ものである。
【００２６】また、本発明の別のカラーフィルタ基板
は、基板と、前記基板上に設けられた着色層と、前記着
色層上に設けられたＴａ２Ｏ５を主成分として含む絶縁
膜と、前記絶縁膜上に設けられた光透過性を有する導電
膜と、を備えたものである。
【００２７】さらに、本発明のさらに別のカラーフィル
タ基板は、基板と、前記基板上に設けられた着色層と、
前記着色層上に設けられた可視波長領域内において屈折
率が１．６以上２．０以下で厚さが１０ｎｍ〜１００ｎ
ｍの光透過性を有する絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けら
れた可視波長領域内において屈折率が１．８以上１．９
以下で厚さが１００ｎｍ〜３００ｎｍである光透過性を
有する導電膜と、を備えたものである。
【００２８】次に、本発明の液晶装置の製造方法は、第
１基板上に着色層を形成する工程と、前記着色層上にＴ
ａ２Ｏ５、ＺｒＯ２及びＴｉＯ２のうち少なくとも１つ
を主成分として含む絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁
膜上に光透過性を有する導電膜を形成する工程と、前記
導電膜をアルカリ溶液を用いてパターニングする工程
と、を有するものである。上記絶縁膜は高い耐アルカリ
性を有するため、導電膜のパターニング時においてアル
カリ溶液を用いても、膜質の劣化や剥離が生じ難く、下
層に形成された着色層への損傷も防止できる。
【００２９】ここで、前記絶縁膜及び前記導電膜は、前
記絶縁膜の光学膜厚と前記導電膜の光学膜厚との和が、
可視波長領域内の任意の波長をλとしたとき、実質的に
λ／２の自然数倍になるように形成されることが好まし
い。
【００３０】また、前記着色層上に透明な樹脂膜を形成
する工程をさらに有することが好ましい。
【００３１】さらに、前記第１基板上に反射膜を形成す
る工程をさらに有することが好ましい。ここで、反射膜
に開口部を設けることにより、反射半透過型の液晶装置
を構成することができる。
【００３２】また、第２基板上に、前記絶縁膜と実質的
に同一な材料で下地層を形成する工程と、前記下地層上
に能動素子を形成する工程と、をさらに有することが好
ましい。絶縁膜と実質的に同一の下地層を形成すること
により、能動素子やこれに導電接続される配線や電極と
基板との密着性を向上させることができるとともに、第
１基板に形成される絶縁膜と、第２基板に形成される下
地層とが実質的に同一の材料で形成されるので、工程管
理が容易になるとともに、製造コストを低減できる。ま
た、第１基板上の絶縁膜と、第２基板上の下地層とを同
時に形成することも可能である。
【００３３】より具体的には、第２基板上にＴａ２Ｏ５
を主成分とする絶縁層を介してＴａを主成分とする金属
導電層を形成することによって、金属導電層と基板との
密着性を向上させることができるとともに、基板からの
不純物拡散を防止することができる。上記のように、液
晶パネルを構成する一対の基板の双方にＴａ２Ｏ５を主
成分とする層が形成されることにより、成膜装置を共用
化したり、絶縁膜と絶縁層とを同時に形成したりするこ
とが可能になることから、製造工程の融通性を高めるこ
とができるとともに工程数を削減することも可能にな
る。
【００３４】本発明においては、前記絶縁膜は気相成膜
手段を用いて形成されることが好ましい。ＰＶＤ（物理
的気相成長法）、ＣＶＤ（化学的気相成長法）等の気相
成膜手段により形成された上記の金属酸化物は、透明導
電層を形成する場合の加熱温度（２００〜３００℃程
度）に対しても安定した、また緻密な膜質を得ることが
でき、耐アルカリ性も良好である。特に、蒸着法、スパ
ッタリング法、イオンプレーティング法などのＰＶＤ
（物理的気相成長法、或いは物理的蒸着法）によって形
成されることが望ましい。
【００３５】また、本発明の別の液晶装置の製造方法
は、基板上に着色層を形成する工程と、前記着色層上
に、Ｔａ２Ｏ５を主成分とし、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２及び
ＳｉＯ２のうち少なくとも１つを成分として含む絶縁膜
を形成する工程と、前記絶縁膜上に光透過性を有する導
電膜を形成する工程と、前記導電膜をアルカリ溶液を用
いてパターニングする工程と、を有するものである。
【００３６】さらに、本発明のさらに別の液晶装置の製
造方法は、基板上に着色層を形成する工程と、前記着色
層上に、可視波長領域内において屈折率が１．６以上
２．０以下となる光透過性を有する絶縁膜を１０ｎｍ〜
１００ｎｍの厚さで形成する工程と、前記絶縁膜上に、
可視波長領域内において屈折率が１．８以上１．９以下
となる光透過性を有する導電膜を１００ｎｍ〜３００ｎ
ｍの厚さで形成する工程と、を備えたものである。
【００３７】次に、本発明のカラーフィルタ基板の製造
方法は、基板上に着色層を形成する工程と、前記着色層
上にＴａ２Ｏ５、ＺｒＯ２又はＴｉＯ２のいずれか１つ
を主成分として含む絶縁膜を形成する工程と、前記導電
膜をアルカリ溶液を用いてパターニングする工程と、を
有するものである。
【００３８】また、本発明の別のカラーフィルタ基板の
製造方法は、基板上に着色層を形成する工程と、前記着
色層上に、可視波長領域内において屈折率が１．６以上
２．０以下となる光透過性を有する絶縁膜を１０ｎｍ〜
１００ｎｍの厚さで形成する工程と、前記絶縁膜上に、
可視波長領域内において屈折率が１．８以上１．９以下
となる光透過性を有する導電膜を１００ｎｍ〜３００ｎ
ｍの厚さで形成する工程と、を備えたものである。
【００３９】上記各発明において、前記絶縁膜及び前記
導電膜を同一装置内において連続して成膜することが好
ましい。気相成膜手段にて絶縁膜を形成する場合、透明
導電膜を形成する装置と同一の装置内にて絶縁膜を形成
し、そのまま連続して導電膜を成膜することによって、
絶縁膜と透明導電層との界面の清浄性を確保することが
できるので、両層間の密着性を向上することができると
ともに、界面の汚染低減による光学的及び電気的特性の
向上を図ることができる。この場合、絶縁膜と導電膜と
はスパッタリング法によって同一のスパッタリング装置
内にて連続形成されることが特に好ましい。
【００４０】また、上記の導電膜のパターニングする工
程においては、前記導電膜に対してアルカリ溶液による
エッチングを用いたパターニング処理を行うことが好ま
しい。パターニング処理においては、例えば、レジスト
をアルカリ溶液によって現像してレジストパターンを形
成し、このレジストパターンによって透明導電層をパタ
ーニングする場合がある。また、透明導電層をパターニ
ングした後に残存するレジストパターンを除去する際に
もアルカリ溶液を用いる。この場合には、絶縁膜が耐ア
ルカリ性の高い材質で形成されているため、アルカリ溶
液によって絶縁膜が腐食されることが防止されることか
ら、絶縁膜がカラーフィルタ上から剥離してしまうなど
の不具合の発生を防止することができる。
【００４１】上記のカラーフィルタ基板は、ＴＮ型、Ｓ
ＴＮ型その他の種々の表示原理、アクティブマトリクス
型，パッシブマトリクス型，セグメント型その他の種々
のパネル構造、透過型，反射型，半透過型等の照明構造
などを備えた種々の液晶装置に採用することができる。
また、カラーフィルタ基板としては、上記のような液晶
装置に限らず、カラーフィルタと透明導電層を備えたも
のでさえあれば、ＣＲＴ（陰極管）の表示面部分や撮像
管等の受光面部分など、他の種々の装置のカラーフィル
タ部として用いることも可能である。
【００４２】
【発明の実施の形態】次に、添付図面を参照して本発明
に係る液晶装置、カラーフィルタ基板、液晶装置の製造
方法、及び、カラーフィルタ基板の製造方法の実施形態
について詳細に説明する。
【００４３】［第１実施形態］図１は本発明に係る第１
実施形態の液晶装置におけるカラーフィルタ基板１１０
を備えた液晶パネル１００の外観を示す斜視図、図２
（ａ）は液晶パネル１００の概略構造を模式的に示す概
略断面図、図２（ｂ）はカラーフィルタ基板１１０の表
面構造を示す平面図である。
【００４４】この液晶装置は、いわゆる透過方式のパッ
シブマトリクス型構造を有する液晶パネル１００に対し
て、必要に応じて図示しないバックライトやフロントラ
イト等の照明装置やケース体などを適宜に取り付けてな
る。図１に示すように、液晶パネル１００は、ガラス板
や合成樹脂板等からなる透明な第１基板１１１を基体と
するカラーフィルタ基板１１０と、第２基板１２１を基
体とする対向基板１２０とがシール材１３０を介して対
向して貼り合わせられ、シール材１３０の内側に開口部
１３０ａから液晶１３２が注入された後、封止材１３１
にて封止されてなるセル構造を備えている。
【００４５】第１基板１１１の内面（第２基板１２１に
対向する表面）上には複数並列したストライプ状の透明
電極１１５が形成され、第２基板１２１の内面上には複
数並列したストライプ状の透明電極１２２が形成されて
いる。また、上記透明電極１１５は配線１１８Ａに導電
接続され、上記透明電極１２２は配線１２８に導電接続
されている。透明電極１１５と透明電極１２２とは相互
に直交し、その交差領域はマトリクス状に配列された多
数の画素を構成し、これらの画素配列が液晶表示領域Ａ
を構成している。
【００４６】第１基板１１１は第２基板１２１の外形よ
りも外側に張り出してなる基板張出部１１０Ｔを有し、
この基板張出部１１０Ｔ上には、上記配線１１８Ａ、上
記配線１２８に対してシール材１３０の一部で構成され
る上下導通部を介して導電接続された配線１１８Ｂ、及
び、独立して形成された複数の配線パターンからなる入
力端子部１１９が形成されている。また、基板張出部１
１０Ｔ上には、これら配線１１８Ａ，１１８Ｂ及び入力
端子部１１９に対して導電接続されるように、液晶駆動
回路等を内蔵した半導体ＩＣ１６１が実装されている。
また、基板張出部１１０Ｔの端部には、上記入力端子部
１１９に導電接続されるように、フレキシブル配線基板
１６３が実装されている。
【００４７】この液晶パネル１００において、図２
（ａ）に示すように、第１基板１１１の外面には偏光板
１４０が配置され、第２基板１２１の外面には偏光板１
５０が配置されている。偏光板１４０と偏光板１５０
は、例えば偏向透過軸が相互に直交するクロスニコル配
置となる姿勢にて基板外面上に貼着される。
【００４８】＜カラーフィルタ基板１１０の構造＞次
に、図２（ａ）及び（ｂ）を参照して、カラーフィルタ
基板１１０の構造を詳細に説明する。第１基板１１１の
表面には着色層１１２が形成され、その上を透明樹脂等
からなる表面保護層（オーバーコート層）１１３が被覆
している。この着色層１１２と表面保護層１１３とによ
ってカラーフィルタが形成される。
【００４９】着色層１１２は、通常、透明樹脂中に顔料
や染料等の着色材を分散させて所定の色調を呈するもの
とされている。着色層の色調の一例としては原色系フィ
ルタとしてＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の組合
せからなるものがあるが、これに限定されるものではな
く、補色系その他の種々の色調で形成できる。通常、基
板表面上に顔料や染料等の着色材を含む感光性樹脂から
なる着色レジストを塗布し、フォトリソグラフィ法によ
って不要部分を除去することによって、所定のカラーパ
ターンを有する着色層を形成する。複数の色調の着色層
を形成する場合には上記工程を繰り返す。なお、着色層
の配列パターンとして、図２（ｂ）に示す図示例ではス
トライプ配列を採用しているが、このストライプ配列の
他に、デルタ配列や斜めモザイク配列等の種々のパター
ン形状を採用することができる。ここで、上記ＲＧＢの
各着色層の周囲には、着色層の一部として、画素間領域
の遮光を行うための遮光膜（ブラックマトリクス或いは
ブラックマスク）を形成することができる。
【００５０】表面保護層１１３は、着色層の保護、着色
材の漏洩防止及びカラーフィルタ表面を平坦化するため
のものである。表面保護層１１３の素材としては、例え
ばアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂材料を用い
ることができる。
【００５１】上記カラーフィルタの表面上には透明な金
属酸化物からなる絶縁膜１１４が形成される。絶縁膜１
１４としては、例えばスパッタリング法等によってＴａ
２Ｏ ５、ＺｒＯ２及びＴｉＯ２のうちいずれか少なくと
も一つを主成分とする金属酸化物をカラーフィルタ上に
堆積させたものが挙げられる。このうち、Ｔａ２Ｏ５の
みからなるもの、或いは、Ｔａ２Ｏ５にＺｒＯ２、Ｔｉ
Ｏ２又はＳｉＯ２のうちいずれか少なくとも１つを混合
したものであることが特に好ましい。
【００５２】絶縁膜１１４の表面上には所定パターン形
状を備えた上記の透明電極１１５が形成される。この透
明電極１１５はＩＴＯ等の透明導電体からなる。透明電
極１１５の上にはＳｉＯ２、ＴｉＯ２等からなる硬質保
護膜（塵埃等の異物混入による上下の電極間に短絡が発
生することを防止するための透明膜）１１６が形成さ
れ、この硬質保護膜１１６の表面上にポリイミド樹脂等
からなる配向膜１１７が塗布形成される。この配向膜１
１７には公知のラビング処理が施される。
【００５３】＜対向基板及びパネル構造＞第２基板１２
１の表面上には上記と同様のＩＴＯ等からなる透明電極
１２２が形成され、この上には上記と同様の硬質保護膜
１２３及び配向膜１２４が順に積層される。配向膜１２
４にも公知のラビング処理が施される。
【００５４】上記のカラーフィルタ基板１１０と対向基
板１２０とは、いずれか一方に塗布形成されたシール材
１３０を介して相互に貼り合わされ、基板間に散布され
たスペーサ、或いは、シール材１３０の内部に混入され
たスペーサ（いずれも図示せず）によって規制される状
態で所定の基板間隔（セルギャップ）になるように圧着
され、シール材１３０を加熱、光照射等によって硬化さ
せることにより、図示のセル構造が構成される。図１に
示すように、このセルにはシール材１３０の一部に設け
られた開口部１３０ａを通して液晶１３２が注入され、
その後、その開口部１３０ａを樹脂等によって封鎖する
ことによって、液晶パネル１００が完成する。
【００５５】＜カラーフィルタ基板の製造方法の詳細＞
次に、カラーフィルタ基板１１０の製造方法の詳細につ
いて図３（ａ）〜（ｄ）を参照して説明する。最初に、
図３（ａ）に示すように着色層１１２及び表面保護膜１
１３からなるカラーフィルタが上述の方法で形成された
後、表面保護膜１１３の表面上に図３（ｂ）に示すよう
に絶縁膜１１４が形成される。絶縁膜１１４の形成方法
としては、種々のＰＶＤ法又はＣＶＤ法を用いることが
できるが、特にスパッタリング法、蒸着法、イオンプレ
ーティング法等のＰＶＤ法を用いることが好ましい。ス
パッタリング法を採用する場合、上記のＴａ２Ｏ５、Ｚ
ｒＯ２、ＴｉＯ２の多結晶等を粉砕してなる粉体を焼結
して形成したターゲットを用いる。ここで、絶縁膜１１
４として望まれる膜組成に応じて粉末組成を調整してタ
ーゲットを形成することができる。
【００５６】次に、図３（ｃ）に示すように、ＩＴＯか
らなる透明導電層１１５Ｘをスパッタリング法によって
形成する。ＩＴＯは膜組成及び成膜条件によって導電率
や屈折率等が大きく変わるが、通常は主として成膜後の
導電膜の電気的特性を考慮して膜組成及び成膜条件を設
定する。透明導電層１１５Ｘは当初第１基板１１１の表
面上に全面的に形成される。その後、この透明導電層１
１５Ｘの上に感光性レジストを塗布し、この感光性レジ
ストに対して所定の露光パターンにて露光処理を施し、
しかる後に水酸化カリウム水溶液（例えば０．９％濃
度）などのアルカリ溶液にて現像処理を行うことによ
り、図３（ｄ）に示すように、所定のレジストパターン
１１５Ｙを形成する。そして、このレジストパターン１
１５Ｙの上から、塩酸等のエッチング液により透明導電
層１１５Ｘをエッチングし、図２（ａ）に示す透明電極
１１５を形成する。その後、透明電極１１５の上のレジ
ストパターン１１５Ｙを現像時よりも濃度（アルカリ
性）の高いアルカリ溶液（例えば１．５％濃度の水酸化
カリウム水溶液）によって除去する。
【００５７】上記工程においては、透明導電層１１５Ｘ
をパターニングして透明電極１１５を形成するときにア
ルカリ溶液を使用するため、透明電極１１５の下層に形
成されている絶縁膜１１４の耐アルカリ性が低ければ、
絶縁膜１１４の表面がアルカリ溶液によってエッチング
され、透明電極１１５にサイドエッチングが発生してパ
ターニング精度が悪化したり、透明電極１１５が絶縁膜
１１４から剥離したり、或いはまた、絶縁膜１１４自体
がカラーフィルタの表面保護層１１３の表面から剥離し
たりする恐れがある。
【００５８】本実施形態では、上記のように絶縁膜１１
４がＴａ２Ｏ５、ＺｒＯ２などの耐アルカリ性の高い材
料で構成されている場合、パターニング時に使用される
アルカリ溶液、特にレジストパターン１１５Ｙを除去
（剥離）するためのアルカリ溶液によっても絶縁膜１１
４は影響をほとんど受けないので、上記のような不具合
を生じることがない。
【００５９】本実施形態の絶縁膜１１４の耐アルカリ性
を調べるために、その耐久試験を行った。この耐久試験
は、ガラス基板上に上記と同様のカラーフィルタを形成
したものを用い、そのカラーフィルタの表面上にＴａ２
Ｏ５を主成分とする絶縁膜１１４をスパッタリング法に
より約４００Åの厚さになるように形成した基板と、同
様にカラーフィルタの表面上にスパッタリング法によっ
てＳｉＯ２からなる絶縁膜を同様の厚さになるように形
成した基板とを、１．５％濃度の水酸化カリウム水溶液
（レジストパターン１１５Ｙを除去するために用いられ
るアルカリ溶液）中に同じ時間浸漬するものである。
【００６０】この試験の結果、ＳｉＯ２からなる絶縁膜
を形成した基板においては、絶縁膜がカラーフィルタの
表面保護層から剥離したが、Ｔａ２Ｏ５を主成分とする
絶縁膜１１４を形成した本実施形態のカラーフィルタ基
板においては、絶縁膜１１４と表面保護層１１３との間
の剥離は全く発生しないことが判明した。
【００６１】＜カラーフィルタ基板の光学的構造＞次
に、本実施形態のカラーフィルタ基板１１０の光学的構
造について説明する。カラーフィルタ基板１１０におい
ては、図２（ａ）に示すようにカラーフィルタの上に絶
縁膜１１４が形成され、その上に透明電極１１５が形成
されている。この透明電極１１５と、これに液晶１３２
を介して対向する透明電極１２２との平面的に重なる領
域が画素領域であり、各画素領域は相互に独立して液晶
の配向状態を制御可能に構成され、画素領域の光学的状
態によって所望の表示が実現されるように構成されてい
る。したがって、液晶パネル１００全体の光学的特性
は、上記の画素領域の光学的特性によって決定される。
【００６２】各画素領域の光学的特性は、第１基板１１
１、カラーフィルタの着色層１１２、カラーフィルタの
表面保護層１１３、絶縁膜１１４、及び、透明電極１１
５の積層構造、並びに対向基板１２０の光学特性によっ
て決定される。ここで、可視波長領域内においてＳｉＯ
２で構成した従来の絶縁膜の屈折率はほぼ１．４５５で
あり、透明電極１１５の屈折率は１．８〜１．９程度で
ある。この透明電極１１５の屈折率は組成や成膜条件に
よって大きく変化するが、当該組成や成膜条件は電気抵
抗率などの電気的特性に大きく影響するので、屈折率を
自由に設計することは通常困難である。
【００６３】ところで、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２及びＴｉ
Ｏ２は、いずれも２．０を越える高い屈折率を有するよ
うに形成することが可能であり、しかも、周知のよう
に、これらを気相成膜法によって形成する場合には、成
膜時の酸素分圧その他の成膜条件を変えることなどによ
ってそれらの屈折率を広い範囲で変えることができる。
本実施形態では、絶縁膜１１４がＴａ２Ｏ５、ＺｒＯ２
及びＴｉＯ２のうちいずれか少なくとも一つを主成分と
しているため、従来の絶縁膜（ＳｉＯ２：光屈折率１．
４５５）よりも屈折率を高くすることができ、その組成
によって絶縁膜の屈折率を透明電極１１５の屈折率に近
づけることが可能になる。例えば、成膜条件を変えるこ
とにより、或いは、上記のＴａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｔｉ
Ｏ２のうちいずれか少なくとも一つと他の物質、例えば
ＳｉＯ２、とを混合した材料で絶縁膜１１４を形成する
ことにより、絶縁膜１１４の屈折率を１．６〜２．０の
範囲内に設定することができ、これによって、絶縁膜１
１４と透明電極１１５との界面における光反射を低減
し、画素領域の実効的な光透過率を高めることができ
る。特に上記範囲の中でも１．７〜１．９５の範囲内に
屈折率を設定することが望ましい。
【００６４】上記の具体例としては、スパッタリング装
置のターゲットにＳｉＯ２とＺｒＯ ２の粉体をそれぞれ
５０ｗｔ％ずつ配合して焼結したものを用いてスパッタ
リングすることによって絶縁膜１１４を形成した。この
ようにして形成した絶縁膜１１４の屈折率は約１．８で
あり、透明電極１１５の屈折率とほぼ等しくなり、絶縁
膜１１４と透明電極１１５との間の界面反射はほとんど
発生せず、光学的に単層としてみなすことができるよう
になったため、光学設計も容易になった。なお、この組
成を有する絶縁膜においても、製造工程上では充分な耐
アルカリ性が認められた。
【００６５】なお、上記のＳｉＯ２とＺｒＯ２の混合材
料で絶縁膜を形成したときには、成膜材料としてＳｉＯ
２のみを含むターゲットを用いたときに異常放電が発生
する印加電圧の約２倍の電圧を印加しても異常放電は全
く発生しなかった。さらに、上記のターゲットに限ら
ず、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２及びＴｉＯ２のうちいずれか
少なくとも一つを主成分とするターゲットは、成膜材料
としてＳｉＯ２のみを含むターゲットよりも異常放電が
発生しにくく、安定した成膜状態を得ることができた。
【００６６】また、このようなターゲット材料は、従来
のターゲット材料に較べて粉塵が発生しにくく、スパッ
タリング装置を大気に開放した際に周囲に撒き散らされ
る粉塵量をほとんどなくすことができた。特に、成膜材
料としてＴａ２Ｏ５を主成分とするターゲットにおいて
は、スパッタリング装置内の防着板に対する成膜材料の
密着性が良好であるため、成膜材料が装置内壁から剥離
せず、防着板を１週間ごとに交換した場合でもパーティ
クルがほとんど発生しなかった。一方、従来のＳｉＯ２
のターゲットでは３日毎に防着板を交換した場合でも、
その交換時に必ずパーティクルが発生していた。
【００６７】本実施形態では、絶縁膜１１４と透明電極
１１５とからなる積層部分の光学膜厚が１／２λの自然
数倍になるようにすることによって、当該積層部分に起
因する光学的損失を低減することができ、画素領域の光
透過率を高めることができる。
【００６８】例えば、λを可視光の標準波長５５０ｎｍ
とし、絶縁膜１１４をＺｒＯ２−ＳｉＯ２系の材料で構
成して、その屈折率ｎ１を１．８とし、透明電極１１５
の屈折率ｎ２を１．９とした場合には、絶縁膜１１４の
厚さｄ１を５００Å（５０ｎｍ）、透明電極１１５の厚
さｄ２を約１０００Å（１００ｎｍ）とすることによっ
て、光学膜厚がＯＴ＝ｎ１・ｄ１＋ｎ２・ｄ２＝２７０
ｎｍとなり、１／２λ＝２７５ｎｍとほぼ等しくするこ
とができる。
【００６９】ここで、光学膜厚ＯＴ＝１／２λとする場
合に、波長λを、上記標準波長に限らず可視波長領域の
いずれの波長としても視覚的に効果が得られる。可視波
長領域とは光の波長が３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲で
ある。
【００７０】また、上述の方法によって絶縁膜１１４の
屈折率ｎ１を透明電極１１５の屈折率ｎ２とほぼ等しく
すれば、光学的に絶縁膜１１４と透明電極１１５とを一
体のものとみなすことができるので、絶縁膜１１４と透
明電極１１５とを合わせた合計の厚さｄを、ｎ・ｄ＝１
／２λをほぼ満たすように設定すればよいため、膜厚設
計の自由度がさらに向上する。
【００７１】カラーフィルタ基板１１０の厚さとして
は、例えば、着色層１１２を約０．５〜２μｍ、表面保
護層１１３を約１〜２μｍ、絶縁膜１１４を１００〜１
０００Å（１０〜１００ｎｍ）、透明電極１１５を１０
００〜３０００Å（１００〜３００ｎｍ）の範囲で形成
することが好ましい。絶縁膜が上記厚さの範囲内にある
場合には、その耐食性によって下層のカラーフィルタ
（着色層）を十分に保護することができるとともに透明
電極の密着性を改善することができ、しかもこれらの積
層構造内の各層をそれぞれ安定した状態で成膜できる。
また、透明電極１１５が上記厚さの範囲内にある場合に
は、十分な電気的特性（配線抵抗及び電極抵抗）を得る
ことができるとともに、成膜時にも安定した状態が得ら
れる。
【００７２】ここで、絶縁膜１１４の屈折率が高いほど
その膜厚を薄くすることができる。特に、上記のように
絶縁膜と透明電極とからなる積層部分の光学膜厚を１／
２λの自然数倍に設定しようとする場合、本実施形態で
は絶縁膜の屈折率を従来のＳｉＯ２の場合よりも高くし
たことによって絶縁膜の厚さを低減できるので、カラー
フィルタ基板１１０における積層構造部分の厚さを低減
することができるという利点もある。
【００７３】［第２実施形態］次に、上記実施形態とは
異なる第２実施形態について図４（ａ）及び（ｂ）を参
照して説明する。この第２実施形態の液晶装置は図４
（ａ）に示す液晶パネル２００を備えた液晶装置であ
り、この液晶パネル２００は、カラーフィルタを備えた
カラーフィルタ基板２１０と、対向基板２２０とをシー
ル材２３０を介して貼り合わせ、基板間に液晶２３１を
封入したものである。第１基板２１１及び第２基板２２
１の外面にそれぞれ貼着された偏光板２４０、２５０は
上記第１実施形態と同様のものである。
【００７４】本実施形態では、ガラスや合成樹脂等から
なる透明な第１基板２１１の表面上に上記と同様に着色
層２１２及び表面保護層２１３からなるカラーフィルタ
を形成し、このカラーフィルタの上にＴａ２Ｏ５を主成
分とする絶縁膜２１４をスパッタリング法などにより形
成する。この絶縁膜２１４は、成膜材料が実質的にＴａ
２Ｏ５単体からなるものであってもよく、或いは、Ｔａ
２Ｏ５にＺｒＯ２、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２などの他の材料
（特に金属酸化物）を混合したものであってもよい。
【００７５】この絶縁膜２１４の上には図４（ｂ）に一
点鎖線で示すように上記と同様の帯状の透明電極２１５
を形成し、さらに、その上に硬質保護膜２１６及び配向
膜２１７を順次形成する。
【００７６】一方、対向基板２２０においては、ガラス
や合成樹脂等からなる透明な第２基板２２１の表面上
に、Ｔａ２Ｏ５を主成分とする下地層２２５をスパッタ
リング法などにより形成する。この下地層２２５の上に
はＴａもしくはＴａ合金からなる配線層２２６を形成す
る。そして、図４（ｂ）に示すように、配線層２２６の
表面を陽極酸化等によって酸化して薄い酸化絶縁膜を形
成し、画素毎に設けられた画素接続部２２６ａの酸化絶
縁膜上にＣｒやＡｌ等の他の金属からなる電極層２２２
ａを形成することにより、金属／絶縁体／金属（ＭＩ
Ｍ）構造を有するＴＦＤ（Thin Film Diode）である２
端子アクティブ素子（ダイオード素子）を構成する。
【００７７】また、第２基板２２１の下地層２２５上に
は、画素毎に透明電極２２２が形成され、上記電極層２
２２ａはこの透明電極２２２上にも形成されている。こ
のような構造によって、上記アクティブ素子は、画素毎
に、上記配線層２２６と透明電極２２２との間に導電接
続されている。なお、これらの配線層２２６及び透明電
極２２２の上には、上記と同様の硬質保護膜２２３及び
配向膜２２４が順次形成される。
【００７８】上記の下地層２２５は、上記配線層２２６
の密着性を向上させるとともに、第２基板２２１中の不
純物が上記アクティブ素子等に拡散することを防止する
ために形成されるものである。
【００７９】この液晶パネル２００を製造する場合に
は、第１基板２１１上の絶縁膜２１４と、第２基板２２
１上の下地層２２５とを同材料で同時に形成することに
よって、液晶パネルの製造工程の工程数を削減すること
ができる。また、このように絶縁膜２１４と下地層２２
５とを実質的に同一の材料で形成する場合には、たとえ
絶縁膜２１４と下地層２２５とが同組成であっても別々
に形成するとき、或いは、絶縁膜２１４と下地層２２５
とを別組成のものとして別々に形成するときにおいて
も、製造ラインに用いるそれぞれの成膜装置を相互に使
いまわしすることが可能になり、設備コストを低減する
ことができる。また、完全に同一の材料を用いる場合に
は、材料も共用できるなど、工程管理が容易になった
り、材料コストを低減したりすることができる。
【００８０】［第３実施形態］次に、図５（ａ）及び
（ｂ）を参照して本発明に係る第３実施形態について説
明する。この実施形態の液晶装置における液晶パネル３
００は、基本的に第１実施形態の液晶パネル１００とほ
ぼ同様の構造を有し、同様の第１基板３１１、着色層３
１２、表面保護層３１３、絶縁膜３１４、透明電極３１
５、硬質保護層３１６及び配向膜３１７を備えたカラー
フィルタ基板３１０と、同様の第２基板３２１、透明電
極３２２、硬質保護層３２３及び配向膜３２４を備えた
対向基板３２０とを有し、これらのカラーフィルタ基板
３１０と対向基板３２０とをシール材３３０を介して貼
り合わせ、これら基板間に液晶３３１を封入したもので
ある。第２基板３２１の外面には偏光板３５０が貼着さ
れている。
【００８１】本実施形態の液晶パネル３００は、反射型
パネル構造を有し、カラーフィルタ基板３１０の第１基
板３１１の表面上に金属薄膜等からなる反射層３１８が
形成されている。反射層３１８の材質としては、Ａｌ、
Ａｌ合金、Ｃｒ、Ｃｒ合金、Ａｇ、Ａｇ合金などが挙げ
られる。そして、着色層３１２及び表面保護層３１３か
らなるカラーフィルタは、反射層３１８の上方に直接、
若しくは適宜の透明層を介して形成されている。
【００８２】この液晶パネル３００においては、偏光板
３５０から入射した外光は対向基板３２０、液晶３３１
を通過してカラーフィルタに入射し、さらに反射層３１
８で反射された後、再びカラーフィルタ及び液晶３３１
を通過して対向基板３２０を経て偏光板３５０から外部
へ出射する。なお、対向基板３２０の前面側（図示上
側）にフロントライトを配置することにより、外光だけ
でなく、装置内部から放出される照明光によっても表示
を視認可能に構成することができる。
【００８３】この反射型の液晶パネル３００において
は、外光を反射層３１８で反射させることによって表示
を視認可能にするものであるので、表示が暗くなりやす
く、特に、カラーフィルタを介することによって表示の
明るさが不足し易い。本実施形態では、上記のように絶
縁膜３１４を従来よりも透明電極３１５に近い屈折率を
有するものとすることによって、液晶層以外の光透過率
を高めることができ、表示の明るさを確保することがで
きる。特に、絶縁膜３１４と透明電極３１５の積層部分
の光学膜厚を１／２λ（λは可視波長領域３８０ｎｍ〜
７８０ｎｍ内の任意の波長でよいが、特に標準波長５５
０ｎｍであることが好ましい。）とほぼ等しくすること
により、光透過率を向上させることができる。
【００８４】［第４実施形態］次に、本発明に係る第４
実施形態の液晶装置をより具体的に説明する。この実施
形態は、図６に示す液晶パネル４００を備えたものであ
る。液晶パネル４００は、反射半透過方式のパッシブマ
トリクス型の液晶パネルであり、反射基板４１０と対向
基板４２０とがシール材４３０により貼り合わせられ、
シール材４３０の液晶注入口４３０ａから例えばＴＮ
（Twisted Nematic）型の液晶４４０を注入し、封止材
４３１にて封止してなるものである。
【００８５】反射基板４１０には、ガラスやプラスチッ
ク等からなる基板４１１上に複数並列したストライプ状
の透明電極４１５が形成され、対向基板４２０には、同
様の基板４２１上に複数並列したストライプ状の透明電
極４２２が形成されている。透明電極４１５と透明電極
４２２とは相互に直交し、両者の交差領域からなる画素
領域が縦横にマトリクス状に配列されて液晶表示領域Ａ
が構成される。透明電極４１５には配線４１８Ａが接続
され、透明電極４２２には配線４２８が接続されてい
る。
【００８６】反射基板４１０には、対向基板４２０の外
形２辺から外側に張り出してなる平面視Ｌ字状の基板張
出部４１０Ｔが設けられ、この基板張出部４１０Ｔ上に
は半導体チップ４６１，４６２が実装されている。ま
た、基板張出部４１０Ｔ上には透明電極４１５に接続さ
れた上記配線４１８Ａがそのまま引き出され、半導体チ
ップ４６１に導電接続されている。さらに、透明電極４
２２の配線４２８に対してシール材４３０中に分散され
た導電性粒子４３２（図７及び図８参照）を介して導電
接続された配線４１８Ｂが形成され、この配線４１８Ｂ
は上記半導体チップ４６２に導電接続されている。ま
た、半導体チップ４６１は基板張出部４１０Ｔ上の配線
４１９Ａにも導電接続され、半導体チップ４６２は基板
張出部４１０Ｔ上の配線４１９Ｂにも導電接続されてい
る。そして、これらの配線４１９Ａ，４１９Ｂは、基板
張出部４１０Ｔの端部に実装されたフレキシブル配線基
板４６３に導電接続されている。
【００８７】上記構成例において、透明電極４１５がセ
グメント電極、透明電極４２２がコモン電極として設計
されている場合には、半導体チップ４６１が走査線駆動
回路、半導体チップ４６２が信号線駆動回路として機能
するように構成される。透明電極４１５と透明電極４２
２には上記半導体チップ４６１，４６２によって所定の
電位が供給され、両電極が交差する画素領域毎に液晶４
４０に所定の電圧が付与される。
【００８８】図７に示すように、基板１１１の表面上に
はＴａ２Ｏ５，ＺｒＯ２，ＴｉＯ２等を含む下地層４１
３が形成されている。この下地層４１３は、図９（ａ）
に示すように基板１１１上にスパッタリング法等を用い
てほぼ全面的に形成される。下地層４１３は、基板４１
１と透明電極４１５との密着性を改善するためのもので
あって、本実施形態の場合には、後述する対向基板４２
０に設けられる絶縁膜４２７と同材質で形成されること
が第３実施形態と同様の理由により好ましい。すなわ
ち、下地層４１３は、Ｔａ２Ｏ５，ＺｒＯ２及びＴｉＯ
２のうちいずれか１つを主成分とする材料、或いは、そ
れらの２種以上を主成分とする材料、さらには、Ｔａ２
Ｏ５を主成分とし、これにＺｒＯ２、ＴｉＯ２及びＳｉ
Ｏ２のうち少なくとも一つを混入した材料などで形成で
きる。
【００８９】この下地層４１３の表面上には銀単体若し
くは銀合金等からなる反射層４１４が形成される。この
反射層４１４には画素毎に開口部４１４ａが形成され
る。
【００９０】反射層４１４は、銀単体の他に、銀と、パ
ラジウム、銅、金などとの合金（例えば、Ａｇ−Ｐｄ
（銀９０ｗｔ％）、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ（銀９５ｗｔ
％））を用いることができる。銀若しくは銀合金は、ア
ルミニウムよりも可視光領域における反射率が高いの
で、液晶パネルの反射型表示を明るくすることができ
る。なお、反射層を構成する素材としては、上記銀若し
くは銀合金のほかに、アルミニウム、クロム、或いは、
これらの合金（例えば、Ａｌ−Ｎｄ）等の他の金属を用
いることが可能である。
【００９１】反射層４１４は、図９（ｂ）に示すよう
に、下地層４１３上に上記金属若しくは合金からなる金
属膜４１４Ｘをスパッタリング法や蒸着法等により全面
的に形成した後、フォトリソグラフィ法及びエッチング
法を用いてパターニングすることにより、図９（ｃ）に
示すように、後に形成される透明電極４１５と重なるよ
うに伸びる帯状に形成される。ここで、反射層４１４に
は画素毎に図８にも示す１又は複数の開口部４１４ａが
設けられる。
【００９２】反射層４１４上には、図９（ｄ）に示すよ
うにＩＴＯ等の透明導電膜４１５Ｘが全面的に形成さ
れ、その後、フォトリソグラフィ法及びエッチング法に
よるパターニングが施され、図９（ｅ）に示すように透
明電極４１５が形成される。透明電極４１５は、反射層
４１４全体を被覆するように、反射層４１４の幅よりも
やや幅広に形成されている。そして、透明電極４１５の
幅方向両側端部は、反射層４１４の外縁を越えて下地層
４１３の表面に接触するように形成され、その結果、下
地層４１３と透明電極４１５によって反射層４１４が密
封されるように構成されている。
【００９３】上記のように反射層４１４が下地層４１３
と透明電極４１５とによって密封されていることによ
り、金属膜からなる反射層４１４の腐食等の変質を防止
することができる。特に、反射層４１４が銀若しくは銀
合金で形成されている場合には、反射層４１４の変質を
防止する上できわめて有効である。
【００９４】対向基板４２０においては、基板４２１上
に遮光膜４２３が形成され、画素間の光漏れを防止して
いる。遮光膜４２３は黒色樹脂層（黒色の着色層）やク
ロム等の金属膜によって構成できる。黒色樹脂層として
は、例えば、赤、緑、青の顔料や染料等の着色材ととも
にカーボン粉などの黒色の着色材を透明樹脂中に混入し
たものが挙げられる。また、各画素領域には、図８に示
すようにＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の着色層４２４
がそれぞれ所定の配列パターンとなるように形成されて
いる。
【００９５】これらの遮光膜４２３及び着色層４２４の
上には透明な表面保護層４２５が形成され、この表面保
護層４２５の上に絶縁膜４２７が形成される。この絶縁
膜４２７は上記第１実施形態乃至第３実施形態において
記述した絶縁膜と同様の材質で同様の方法により形成さ
れる。絶縁膜４２７上にはＩＴＯからなる上記透明電極
４２２が形成され、その上にさらに配向膜４２６が形成
されている。
【００９６】なお、液晶パネル４００においては、図７
に示すように、基板４１１の外面上に位相差板（１／４
波長板）４５１と偏光板４５２が順次配置され、基板４
２１の外面上にも位相差板（１／４波長板）４５３と偏
光板４５４が順次配置されている。
【００９７】本実施形態では、基板４２１側から入射し
た外光が液晶４４０を通過した後に反射層４１４にて反
射され、再び液晶４４０を通過して基板４２１から出射
されることにより反射型表示が実現され、また、基板４
１１の背後に図示しないバックライト等を配置し、液晶
パネル４４０を照明した場合には、その照明光の一部が
反射層４１４の開口部４１４ａを通過して液晶４４０を
透過し、基板４２１から出射することにより透過型表示
も実現される。
【００９８】［第５実施形態］最後に、図１０乃至図１
４を参照して、本発明に係る第５実施形態について説明
する。この第５実施形態の液晶装置は、上記第４実施形
態とほぼ同様の外観を有する液晶パネルを備えている
が、この液晶パネルを構成する一方の反射基板５１０に
アクティブ素子が設けられ、この反射基板５１０がカラ
ーフィルタ基板５２０と対向している点で第４実施形態
とは異なる。
【００９９】まず、本実施形態のカラーフィルタ基板５
２０について図１０を参照して説明する。図１０（ａ）
は対向基板５２０の拡大部分平面図であり、図１０
（ｂ）は拡大部分断面図である。
【０１００】このカラーフィルタ基板５２０において
は、ガラスやプラスチック等からなる基板５２１上の画
素間領域に第４実施形態と同様の遮光膜５２３が形成さ
れ、また、画素毎に例えばＲ，Ｇ，Ｂの各色の着色層５
２４が形成されている。遮光膜５２３及び着色層５２４
の上には透明な表面保護膜５２５が形成されている。表
面保護膜５２５上には、上記各実施形態と同様にＴａ２
Ｏ５，ＺｒＯ２及びＴｉＯ２のうちいずれかを含む絶縁
膜５２７が形成されている。この絶縁膜については上述
のようにＴａ２Ｏ５，ＺｒＯ２及びＴｉＯ２のうちいず
れか１つを主成分としてもよく、これらのうちの複数の
金属酸化物を混合したものであってもかまわない。ま
た、Ｔａ２Ｏ５を主成分として、これにＺｒＯ２，Ｔｉ
Ｏ２及びＳｉＯ２のうち少なくとも一つを成分として追
加したものであってもよい。
【０１０１】絶縁膜５２７上には、ＩＴＯ等の透明導電
体からなる透明電極５２２が形成されている。透明電極
５２２は図１０（ａ）の左右方向に伸びる帯状に形成さ
れ、複数並列に配列されて全体としてストライプ状に構
成されている。透明電極５２２上には、全面的に配向膜
５２６が形成されている。
【０１０２】次に、本実施形態の反射基板５１０につい
て図１１を参照して説明する。図１１（ａ）は反射基板
５１０の拡大部分平面図、図１１（ｂ）は拡大部分断面
図である。
【０１０３】反射基板５１０においては、図１１（ａ）
に示すように、上記対向基板５２０の着色層５２４と平
面的に重なるように、画素毎に反射層５１４及び透明電
極５１５が形成されている。また、透明電極５１４には
スリット状の開口部５１４ａが形成されている。反射層
５１４及び透明電極５１５には図示上下方向に伸びる配
線５１０Ａが導電接続されている。
【０１０４】図１１（ｂ）に示すように、基板５１１上
には下地層５１３が形成されている。この下地層５１３
は、第４実施形態と同様に、対向基板５２０に設けられ
た絶縁膜５２７と同じ材料によって形成されている。ま
た、下地層５１３上には第１金属層５１６が形成され、
この第１金属層５１６には、上記配線５１０Ａ内に設け
られる配線部分５１６Ａと、当該部分５１６Ａと離反し
た素子部分５１６Ｂとが設けられている。この第１金属
層５１６の表面には陽極酸化法によって絶縁薄膜５１６
ａが形成されている。
【０１０５】上記下地層５１３及び絶縁薄膜５１６ａの
上には第２金属層が形成され、その一部は上記反射層５
１４となり、残りの接続部分５１７は上記第１金属層５
１６の配線部分５１６Ａと素子部分５１６Ｂとを連結し
ている。さらに、これらの上にはＩＴＯ等の透明導電体
が被着され、その一部は上記透明電極５１５となって上
記反射層５１４上を覆い、残りは上記配線部分５１６Ａ
や接続部分５１７を覆うように設けられている。
【０１０６】本実施形態においては、配線５１０Ａと素
子部分５１６Ｂとが絶縁薄膜５１６ａを介して接合して
いる部分にダイオード素子５１０Ｂが構成され、素子部
分５１６Ｂと反射層５１４とが絶縁薄膜５１６ａを介し
て接合している部分にダイオード素子５１０Ｃが構成さ
れている。ダイオード素子５１０Ｂと５１０Ｃとはそれ
ぞれが非対称な電気的特性を有する非線形素子を構成し
ているが、絶縁薄膜の両側に配置された導電体の素材の
関係が相互に逆方向に向く状態で直列に接続されている
ので、これら２つのダイオード素子の直列接続構造が一
体の対称な電気的特性を有する非線形素子を構成するよ
うになっている。
【０１０７】次に、図１２乃至図１４を参照して、上記
反射基板５１０の製造プロセスについてより詳細に説明
する。図１２（ａ）に示すように、基板５１１上には、
Ｔａ ２Ｏ５，ＺｒＯ２及びＴｉＯ２のうち少なくとも一
つを主成分とする下地層５１３を形成する。下地層５１
３は、スパッタリング法や熱酸化法（Ｔａ等の金属を蒸
着法やスパッタリング法で形成した後に熱酸化処理を施
して酸化物にする。）などを用いて形成することができ
る。
【０１０８】続いて、図１２（ｂ）に示すように下地層
５１３上に第１金属層５１６Ｘを成膜する。通常、この
第１金属層５１６Ｘの膜厚は１００〜５００ｎｍ程度で
ある。第１金属層５１６Ｘとしては、Ｔａ単体やＴａ−
Ｗ合金などの各種Ｔａ合金（Ｔａに添加される金属とし
ては、タングステンの他にクロム、モリブデン、レニウ
ム、イットリウム、ランタン、ディスプロリウムなどの
周期律表において第６〜第８族に属する元素が挙げられ
る。）が用いられる。この第１金属層５１６Ｘは、スパ
ッタリング法や電子ビーム蒸着法などで形成することが
できる。
【０１０９】次に、図１２（ｃ）に示すように、第１金
属層５１６Ｘをフォトリソグラフィ法及びエッチング法
を用いてパターニングし、配線部分５１６Ａと、この配
線部分５１６Ａから枝分かれした形状の素子部分５１６
Ｂとを備えた図１２（ｅ）に示す平面パターンに形成す
る。続いて、このようにパターニングされた配線部分５
１６Ａ及び素子部分５１６Ｂと、クエン酸水溶液などの
化成液との間に電圧を印加して、図１２（ｄ）に示すよ
うに、陽極酸化法によって配線部分５１６Ａ及び素子部
分５１６Ｂの表面に薄い（例えば１０〜３５ｎｍ程度の
厚さを有する）絶縁薄膜５１６ａを形成する。
【０１１０】続いて、上記のように配線部分５１６Ａか
ら枝分かれした素子部分５１６Ｂの根元部分をエッチン
グなどにより除去して、図１２（ｆ）に示すように、配
線部分５１６Ａと素子部分５１６Ｂとを相互に分離す
る。
【０１１１】次に、図１３（ａ）に示すように、Ａｌ，
Ａｌ合金、Ｃｒ、Ｃｒ合金、Ａｇ、Ａｇ合金などからな
る反射性の金属を蒸着法やスパッタリング法によって被
着して、第２金属層５１７Ｘを形成する。そして、この
第２金属層５１７Ｘをフォトリソグラフィ法及びエッチ
ング法によってパターニングして、図１３（ｂ）及び
（ｃ）に示すように、接続部分５１７と反射層５１４と
を形成する。このとき、反射層５１４の開口部５１４ａ
もまた同時に形成される。
【０１１２】その後、図１４（ａ）に示すように、ＩＴ
Ｏ等の透明導電体をスパッタリング法により被着して透
明導電層５１５Ｘを形成する。そして、この透明導電層
５１５Ｘをフォトリソグラフィ法及びエッチング法によ
ってパターニングし、図１４（ｂ）及び（ｃ）に示すよ
うに、上記反射層５１４を全面的に覆う透明電極５１５
を形成するとともに、上記配線部分５１６Ａ及び接続部
分５１７も透明導電体によって覆われるように形成す
る。
【０１１３】尚、本発明の液晶装置、カラーフィルタ基
板、或いはこれらの製造方法は、上述の図示例にのみ限
定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲
内において種々変更を加え得ることは勿論である。
【０１１４】例えば、液晶装置としては、上記各実施形
態を、透過型，反射型、半透過型のいずれに変えたもの
であってもよく、また、液晶の種類、駆動方式、画素の
配列構成なども公知の種々の技術を用いることが可能で
ある。
【０１１５】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２はいずれもアルカリ溶液に対する
耐食性を有するため、導電膜のパターニング時にアルカ
リ溶液を用いても剥離などが生じにくくなる。また、Ｔ
ａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２はいずれもＳｉＯ２より
も高い屈折率を有するので、絶縁膜と導電膜との屈折率
の差を低減することなども可能になり、絶縁膜と導電膜
との積層部分における光学的損失を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る液晶装置及びカラーフィルタ基板
の第１実施形態における液晶パネルの外観を示す概略斜
視図である。
【図２】本発明に係る液晶装置及びカラーフィルタ基板
の第１実施形態における液晶パネルの構造を模式的に示
す概略断面図（ａ）及びカラーフィルタ基板の構造を模
式的に示す概略拡大平面図（ｂ）である。
【図３】第１実施形態の液晶パネルを構成するカラーフ
ィルタ基板の製造工程を示す工程断面図（ａ）〜（ｄ）
である。
【図４】本発明に係る液晶装置及びカラーフィルタ基板
の第２実施形態における液晶パネルの構造を模式的に示
す概略断面図（ａ）及びカラーフィルタ基板の構造を模
式的に示す概略拡大平面図（ｂ）である。
【図５】本発明に係る液晶装置及びカラーフィルタ基板
の第３実施形態における液晶パネルの構造を模式的に示
す概略断面図（ａ）及びカラーフィルタ基板の構造を模
式的に示す概略拡大平面図（ｂ）である。
【図６】本発明に係る液晶装置及びカラーフィルタ基板
の第４実施形態における液晶パネルの外観を示す概略斜
視図である。
【図７】第４実施形態の液晶パネルの（図６のII−II線
に沿って切断した状態を示す）拡大断面図である。
【図８】第４実施形態の液晶パネルの主要構成要素の平
面構造を示す拡大部分平面図である。
【図９】第４実施形態の反射基板の製造工程を示す工程
断面図（ａ）〜（ｅ）である。
【図１０】本発明に係る液晶装置及びカラーフィルタ基
板の第５実施形態におけるカラーフィルタ基板の平面構
造を示す概略拡大平面図である。
【図１１】第５実施形態の反射基板の平面構造を示す概
略拡大平面図である。
【図１２】第５実施形態の反射基板の製造工程を示す工
程断面図（ａ）〜（ｄ）並びに平面パターンの一部を示
す拡大部分平面図（ｅ）及び（ｆ）である。
【図１３】第５実施形態の反射基板の製造工程を示す工
程断面図（ａ）及び（ｂ）並びに平面パターンの一部を
示す拡大部分平面図（ｃ）である。
【図１４】第５実施形態の反射基板の製造工程を示す工
程断面図（ａ）及び（ｂ）並びに平面パターンの一部を
示す拡大部分平面図（ｃ）である。
【符号の説明】
１００ 液晶パネル １１０ カラーフィルタ基板 １１１ 第１基板 １１２ 着色層 １１３ 表面保護層 １１４ 絶縁膜 １１５，１２２ 透明電極 １２１ 第２基板 １３０ シール材 １３２ 液晶 ３１８ 反射層 ４１３ 下地層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｂ 5/20 １０１ Ｇ０２Ｂ 5/20 １０１ Ｇ０２Ｆ 1/1365 Ｇ０２Ｆ 1/1365 Ｆターム(参考） 2H048 BB02 BB08 BB44 2H091 FA02Y FA08X FA08Z FA11X FA11Z FA14Z FA35Y FA41X FA41Z FC02 FC03 GA01 GA08 HA07 HA10 LA30 2H092 GA05 JA01 MA04 MA05 MA06 MA07 MA12 MA13 NA29 PA01 PA03 PA08 PA09 PA10 PA11 PA12 PA13 QA07 QA10 4K029 AA09 BA43 BA48 BA50 BB02 BC05 CA05

Claims (55)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１基板と、 前記第１基板に対向して配置された第２基板と、 前記第１基板上に設けられた着色層と、 前記着色層上に設けられたＴａ２Ｏ５、ＺｒＯ２及びＴ
    ｉＯ２のうち少なくとも１つを主成分として含む絶縁膜
    と、 前記絶縁膜上に設けられた光透過性を有する導電膜と、
    を備えた液晶装置。
  2. 【請求項２】 前記絶縁膜の光学膜厚と前記導電膜の光
    学膜厚との和は、可視波長領域内の任意の波長をλとし
    たとき、実質的にλ／２の自然数倍である請求項１に記
    載の液晶装置。
  3. 【請求項３】 前記λは５５０ｎｍである請求項２に記
    載の液晶装置。
  4. 【請求項４】 前記着色層と前記絶縁膜との間に透明な
    樹脂膜をさらに有する請求項１に記載の液晶装置。
  5. 【請求項５】 前記着色層と前記第１基板との間に反射
    膜をさらに有する請求項１に記載の液晶装置。
  6. 【請求項６】 前記第２基板上に、前記絶縁膜と実質的
    に同一な材料で設けられた下地層と、前記下地層上に設
    けられた能動素子と、をさらに有する請求項１に記載の
    液晶装置。
  7. 【請求項７】 前記反射膜は開口部を有する請求項５に
    記載の液晶装置。
  8. 【請求項８】 前記能動素子はＴＦＤである請求項６に
    記載の液晶装置。
  9. 【請求項９】 第１基板と、 前記第１基板に対向して配置された第２基板と、 前記第１基板上に設けられた着色層と、 前記着色層上に設けられたＴａ２Ｏ５を主成分として含
    む絶縁膜と、 前記絶縁膜上に設けられた光透過性を有する導電膜と、 を備えた液晶装置。
  10. 【請求項１０】 前記絶縁膜はＺｒＯ２、ＴｉＯ２及び
    ＳｉＯ２のうち少なくとも１つを成分として含む請求項
    ９に記載の液晶装置。
  11. 【請求項１１】 前記絶縁膜の光学膜厚と前記導電膜の
    光学膜厚との和は、可視波長領域内の任意の波長をλと
    したとき、実質的にλ／２の自然数倍である請求項１０
    に記載の液晶装置。
  12. 【請求項１２】 前記λは５５０ｎｍである請求項１１
    に記載の液晶装置。
  13. 【請求項１３】 前記着色層と前記絶縁膜との間に透明
    な樹脂膜をさらに有する請求項９に記載の液晶装置。
  14. 【請求項１４】 前記着色層と前記第１基板との間に反
    射膜をさらに有する請求項９に記載の液晶装置。
  15. 【請求項１５】 前記第２基板上に、前記絶縁膜と実質
    的に同一な材料で設けられた下地層と、前記下地層上に
    設けられた能動素子と、をさらに有する請求項９に記載
    の液晶装置。
  16. 【請求項１６】 前記反射膜は開口部を有する請求項１
    ４に記載の液晶装置。
  17. 【請求項１７】 前記能動素子はＴＦＤである請求項１
    ５に記載の液晶装置。
  18. 【請求項１８】 Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２及びＴｉＯ２の
    うち少なくとも１つを主成分として含む絶縁膜と、 前記絶縁膜上に設けられた光透過性を有する導電膜と、
    を備えた液晶装置。
  19. 【請求項１９】 前記絶縁膜の光学膜厚と前記導電膜の
    光学膜厚との和は、可視波長領域内の任意の波長をλと
    したとき、実質的にλ／２の自然数倍である請求項１８
    に記載の液晶装置。
  20. 【請求項２０】 前記λは５５０ｎｍである請求項１９
    に記載の液晶装置。
  21. 【請求項２１】 第１基板と、 前記第１基板に対向して配置された第２基板と、 前記第１基板上に設けられた着色層と、 前記着色層上に、可視波長領域内において屈折率が１．
    ６以上２．０以下で厚さが１０ｎｍ〜１００ｎｍである
    光透過性を有する絶縁膜と、 前記絶縁膜上に設けられた可視波長領域内において屈折
    率が１．８以上１．９以下で厚さが１００ｎｍ〜３００
    ｎｍである光透過性を有する導電膜と、を備えた液晶装
    置。
  22. 【請求項２２】 前記絶縁膜の光学膜厚と前記導電膜の
    光学膜厚との和は、可視波長領域内の任意の波長をλと
    したとき、実質的にλ／２の自然数倍である請求項２１
    に記載の液晶装置。
  23. 【請求項２３】 可視波長領域内において屈折率が１．
    ６以上２．０以下で厚さが１０ｎｍ〜１００ｎｍである
    絶縁膜と、 前記絶縁膜上に設けられた可視波長領域内において屈折
    率が１．８以上１．９以下で厚さが１００ｎｍ〜３００
    ｎｍである光透過性を有する導電膜と、を備えた液晶装
    置。
  24. 【請求項２４】 前記絶縁膜の光学膜厚と前記導電膜の
    光学膜厚との和は、可視波長領域内の任意の波長をλと
    したとき、実質的にλ／２の自然数倍である請求項２３
    に記載の液晶装置。
  25. 【請求項２５】 基板と、 前記基板上に設けられた着色層と、 前記着色層上に設けられたＴａ２Ｏ５、ＺｒＯ２及びＴ
    ｉＯ２のうち１つを主成分として含む絶縁膜と、 前記絶縁膜上に設けられた光透過性を有する導電膜と、
    を備えたカラーフィルタ基板。
  26. 【請求項２６】 前記絶縁膜の光学膜厚と前記導電膜の
    光学膜厚との和は、可視波長領域内の任意の波長をλと
    したとき、実質的にλ／２の自然数倍である請求項２５
    に記載のカラーフィルタ基板。
  27. 【請求項２７】 前記λは５５０ｎｍである請求項２６
    に記載のカラーフィルタ基板。
  28. 【請求項２８】 前記着色層と前記絶縁膜との間に透明
    な樹脂膜をさらに有する請求項２５に記載のカラーフィ
    ルタ基板。
  29. 【請求項２９】 前記着色層と前記第１基板との間に反
    射膜をさらに有する請求項２５に記載のカラーフィルタ
    基板。
  30. 【請求項３０】 前記反射膜は開口部を有する請求項２
    ９に記載のカラーフィルタ基板。
  31. 【請求項３１】 基板と、 前記基板上に設けられた着色層と、 前記着色層上に設けられたＴａ２Ｏ５を主成分として含
    む絶縁膜と、 前記絶縁膜上に設けられた光透過性を有する導電膜と、
    を備えたカラーフィルタ基板。
  32. 【請求項３２】 前記絶縁膜はＺｒＯ２、ＴｉＯ２及び
    ＳｉＯ２のうち少なくとも１つを成分として含む請求項
    ３１に記載のカラーフィルタ基板。
  33. 【請求項３３】 前記絶縁膜の光学膜厚と前記導電膜の
    光学膜厚との和は、可視波長領域内の任意の波長をλと
    したとき、実質的にλ／２の自然数倍である請求項３２
    に記載のカラーフィルタ基板。
  34. 【請求項３４】 前記λは５５０ｎｍである請求項３３
    に記載のカラーフィルタ基板。
  35. 【請求項３５】 前記着色層と前記絶縁膜との間に透明
    な樹脂膜をさらに有する請求項３１に記載のカラーフィ
    ルタ基板。
  36. 【請求項３６】 前記着色層と前記第１基板との間に反
    射膜をさらに有する請求項３１に記載のカラーフィルタ
    基板。
  37. 【請求項３７】 前記反射膜は開口部を有する請求項３
    ６に記載のカラーフィルタ基板。
  38. 【請求項３８】 基板と、 前記基板上に設けられた着色層と、 前記着色層上に設けられた可視波長領域内において屈折
    率が１．６以上２．０以下で厚さが１０ｎｍ〜１００ｎ
    ｍの光透過性を有する絶縁膜と、 前記絶縁膜上に設けられた可視波長領域内において屈折
    率が１．８以上１．９以下で厚さが１００ｎｍ〜３００
    ｎｍである光透過性を有する導電膜と、を備えたカラー
    フィルタ基板。
  39. 【請求項３９】 前記絶縁膜の光学膜厚と前記導電膜の
    光学膜厚との和は、可視波長領域内の任意の波長をλと
    したとき、実質的にλ／２の自然数倍である請求項３８
    に記載のカラーフィルタ基板。
  40. 【請求項４０】 第１基板上に着色層を形成する工程
    と、 前記着色層上にＴａ２Ｏ５、ＺｒＯ２及びＴｉＯ２のう
    ち少なくとも１つを主成分として含む絶縁膜を形成する
    工程と、 前記絶縁膜上に光透過性を有する導電膜を形成する工程
    と、 前記導電膜をアルカリ溶液を用いてパターニングする工
    程と、を有する液晶装置の製造方法。
  41. 【請求項４１】 前記絶縁膜及び前記導電膜は、前記絶
    縁膜の光学膜厚と前記導電膜の光学膜厚との和が、可視
    波長領域内の任意の波長をλとしたとき、実質的にλ／
    ２の自然数倍になるように形成される請求項４０に記載
    の液晶装置の製造方法。
  42. 【請求項４２】 前記着色層上に透明な樹脂膜を形成す
    る工程をさらに有する請求項４０に記載の液晶装置の製
    造方法。
  43. 【請求項４３】 前記第１基板上に反射膜を形成する工
    程をさらに有する請求項４０に記載の液晶装置の製造方
    法。
  44. 【請求項４４】 第２基板上に、前記絶縁膜と実質的に
    同一な材料で下地層を形成する工程と、前記下地層上に
    能動素子を形成する工程と、をさらに有する請求項４０
    に記載の液晶装置の製造方法。
  45. 【請求項４５】 前記反射膜に開口部を形成する工程を
    さらに有する請求項４３に記載の液晶装置の製造方法。
  46. 【請求項４６】 前記絶縁膜は気相成膜手段を用いて形
    成される請求項４０に記載の液晶装置の製造方法。
  47. 【請求項４７】 基板上に着色層を形成する工程と、 前記着色層上に、Ｔａ２Ｏ５を主成分とし、ＺｒＯ２、
    ＴｉＯ２及びＳｉＯ２のうち少なくとも１つを成分とし
    て含む絶縁膜を形成する工程と、 前記絶縁膜上に光透過性を有する導電膜を形成する工程
    と、 前記導電膜をアルカリ溶液を用いてパターニングする工
    程と、を有する液晶装置の製造方法。
  48. 【請求項４８】 基板上に着色層を形成する工程と、 前記着色層上に、可視波長領域内において屈折率が１．
    ６以上２．０以下となる光透過性を有する絶縁膜を１０
    ｎｍ〜１００ｎｍの厚さで形成する工程と、 前記絶縁膜上に、可視波長領域内において屈折率が１．
    ８以上１．９以下となる光透過性を有する導電膜を１０
    ０ｎｍ〜３００ｎｍの厚さで形成する工程と、を備えた
    液晶装置の製造方法。
  49. 【請求項４９】 基板上に着色層を形成する工程と、 前記着色層上にＴａ２Ｏ５、ＺｒＯ２及びＴｉＯ２のう
    ち少なくとも１つを主成分として含む絶縁膜を形成する
    工程と、 前記絶縁膜上に光透過性を有する導電膜を形成する工程
    と、 前記導電膜をアルカリ溶液を用いてパターニングする工
    程と、を有するカラーフィルタ基板の製造方法。
  50. 【請求項５０】 前記絶縁膜及び前記導電膜は、前記絶
    縁膜の光学膜厚と前記導電膜の光学膜厚との和が、可視
    波長領域内の任意の波長をλとしたとき、実質的にλ／
    ２の自然数倍になるように形成される請求項４９に記載
    のカラーフィルタ基板の製造方法。
  51. 【請求項５１】 前記着色層上に透明な樹脂膜を形成す
    る工程をさらに有する請求項４９に記載のカラーフィル
    タ基板の製造方法。
  52. 【請求項５２】 前記基板上に反射膜を形成する工程を
    さらに有する請求項４９に記載のカラーフィルタ基板の
    製造方法。
  53. 【請求項５３】 前記反射膜に開口部を形成する工程を
    さらに有する請求項５２に記載のカラーフィルタ基板の
    製造方法。
  54. 【請求項５４】 前記絶縁膜は気相成膜手段を用いて形
    成される請求項４９に記載のカラーフィルタ基板の製造
    方法。
  55. 【請求項５５】 基板上に着色層を形成する工程と、 前記着色層上に、可視波長領域内において屈折率が１．
    ６以上２．０以下となる光透過性を有する絶縁膜を１０
    ｎｍ〜１００ｎｍの厚さで形成する工程と、 前記絶縁膜上に、可視波長領域内において屈折率が１．
    ８以上１．９以下となる光透過性を有する導電膜を１０
    ０ｎｍ〜３００ｎｍの厚さで形成する工程と、を備えた
    カラーフィルタ基板の製造方法。
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