CN1190686C - 液晶装置、滤色片基板、液晶装置的制造方法以及滤色片基板制造方法 - Google Patents

液晶装置、滤色片基板、液晶装置的制造方法以及滤色片基板制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明的课题是，在滤色片上形成透明导电层的滤色片基板或液晶装置中，能提供减少起因于滤色片和透明导电层之间的绝缘膜的不当情形的结构。根据本发明一种液晶装置，其特征在于，包括：包含以Ta2O5、ZrO2和TiO2中至少1种为主成分的绝缘膜；以及在上述绝缘膜上敷设的、具有光透过性的导电膜，上述绝缘膜的光学膜厚和上述导电膜的光学膜厚之和在可见光波段内的任意波长取作λ时实质上是λ/2的自然数的倍数。

Description

液晶装置、滤色片基板、液晶装置的制造方法以及 滤色片基板的制造方法
技术领域
本发明涉及液晶装置、滤色片基板、液晶装置的制造方法以及滤色片基板的制造方法。
背景技术
一般而言，在具有用一对玻璃等构成的基板夹持液晶的液晶面板的液晶装置中，为使彩色显示成为可能，往往要使用滤色片基板。在该滤色片基板中，系在玻璃等透明基板的表面上形成着色层(例如R(红)、G(绿)、B(蓝)、BM(黑：黑矩阵或黑掩模))，以构成滤色片的滤光部分。这些着色层由包含颜料或染料等着色材料的树脂构成。
通常，在滤色片中，在着色层上形成由透明树脂等构成的表面保护层。该表面保护层还可在滤色片上形成其它层(例如透明电极图形等)时防止药液的侵入，保护着色层，同时也为了确保滤色片表面的平坦性。
滤色片表面上往往形成由ITO(氧化铟锡)等透明导体构成的透明电极。可是，一般而言，上述表面保护层和透明电极的附着性很差，如在滤色片上直接形成透明电极，则不能确保电极图形的图形精确度，这就是问题所在。因此，以往采用溅射等方法在滤色片的表面保护层的表面上形成SiO2绝缘膜(中间层)，在该绝缘膜上形成透明电极。
可是，在上述绝缘膜上形成透明电极的场合，为了从采用溅射等方法所形成的透明导电膜构建透明电极的图形，要采用氢氧化钾水溶液等碱溶液使透明导电层上的抗蚀剂图形显影，并且有必要在对透明电极构建图形后用碱溶液使残留在电极图形上的抗蚀剂图形去除掉。
然而，上述碱溶液虽弱，但在构建透明电极图形时，SiO2绝缘膜却要受到局部被碱溶液溶解等的化学影响，其结果是绝缘膜往往从滤色片上剥离。
还有，有这样的问题：在采用溅射装置等形成SiO2绝缘膜时，附着于装置内部的SiO2成为粉末飞散，造成环境污染。这是因为SiO2与装置内部的金属构件之间的热膨胀系数的差值很大，同时SiO2有容易吸收大气中水分的性质，从而附着于装置内部的SiO2在溅射完毕后容易从装置内表面剥离的缘故。而且，在用溅射法使SiO2成膜的场合，因为SiO2的介电常数小，容易在靶子上产生异常放电，从而也有难以得到稳定的成膜状态这样的问题。
此外，上述透明电极的折射率通常高达1.8～1.9左右，与之相对照，SiO2绝缘膜的折射率很低(n＝1.455)，从而在绝缘膜与透明电极的界面处会产生光反射或光干涉，造成光透过率降低、显示变暗这样的问题。
发明内容
因此，本发明就是为解决上述问题而提出来的，其课题是，赖以形成在滤色片上的导电膜的滤色片基板或液晶装置中，提供了能减少起因于滤色片和导电膜之间的绝缘膜的不恰当性的一种结构。
根据本发明的一种液晶装置，其特征在于，包括：包含以Ta2O5、ZrO2和TiO2中至少1种为主成分的绝缘膜；以及在上述绝缘膜上敷设的、具有光透过性的导电膜，上述绝缘膜的光学膜厚和上述导电膜的光学膜厚之和在可见光波段内的任意波长取作λ时实质上是λ/2的自然数的倍数。
由于Ta2O5、ZrO2和TiO2都有比SiO2高的折射率，也能减少与透明导电层的折射率之差，从而能减少透明导电层与绝缘膜的叠层部分的光学损耗。特别是，用气相法形成的上述金属氧化物还可能依据成膜条件控制和调整折射率。还有，与SiO2相比，用于本发明的绝缘膜由于难以形成粉末，可降低在制造工序中对环境的污染程度。
另外，用气相法形成的Ta2O5、ZrO2都有对碱溶液的充分耐蚀性，从而在构建透明导电层图形时，即使采用碱溶液也难以发生剥离等。亦即，绝缘膜最好有Ta2O5、ZrO2中至少某一种为主成分，以便发挥其耐碱性。
本发明的上述绝缘膜的光学膜厚和上述导电膜的光学膜厚之和在可见光波段内的任意波长取作λ时实质上是λ/2的自然数的倍数。如果这样做，在绝缘膜靠滤色片一侧的表面和导电膜靠与滤色片相反一侧的表面，可以降低可见光的反射率，从而增高了光透过率。
在此处，在绝缘膜和导电膜实质上有相等折射率的场合，所谓光学膜厚为n·d(n是叠层部分的折射率，d是绝缘膜与导电膜的总计厚度)，在绝缘膜的折射率和导电膜的折射率有实质性的差异的场合，所谓光学膜厚为n1·d1+n2·d2(n1为绝缘膜的折射率，d1为绝缘膜的厚度，n2为导电膜的折射率，d2为导电膜的厚度)。另外，所谓上述可见光波段，是指波长为380nm～780nm的范围。作为可见光波段的有代表性的波长，最好上述λ为550nm。
在本发明中，最好在上述着色层和上述绝缘膜之间还有透明树脂膜。该透明树脂膜(即下述的表面保护层)通常保护着色层，同时也为了使滤色片的表面平坦。借助于形成该树脂膜，可使绝缘膜较为平坦。
在本发明中，在上述着色层和上述第1基板之间往往还有反射膜。反射型的液晶装置或反射半透过型的液晶装置中，通过敷设反射膜，可实现利用外部光的反射型显示。反射膜的材料通常可用铝、铝合金、铬、铬合金、银、银合金等。在此处，通过在上述反射膜上设置开口部，由于可使光通过该开口部而透过，所以可构成反射半透过型的液晶装置。
在本发明中，在上述第2基板上，往往还有用与上述绝缘膜实质上为同一种材料敷设的基底层，以及在上述基底层上设置的有源元件。用与绝缘膜实质上为同一种材料敷设的基底层，可使第2基板和构成有源元件及与之进行导电连接的布线或电极的导电膜之间的附着性增强。作为有源元件，例如可举出TFD(薄膜二极管)。
还有，本发明的另一种液晶装置包括：第1基板；与上述第1基板相向配置的第2基板；在上述第1基板上敷设的着色层；在上述着色层上敷设的包含以Ta2O5为主成分的绝缘膜；以及在上述绝缘膜上敷设的具有光透过性的导电膜。由于以Ta2O5为主成分的绝缘膜对碱溶液有很高的耐蚀性，在对透明导电层构建图形时，即使用碱溶液也很难发生剥离等。另外，由于绝缘膜有比SiO2高的折射率，可减少与透明导电层的折射率之差，从而可减少透明导电层与绝缘膜的叠层部分的光学损耗。此外，由于与SiO2相比难以形成粉末，在制造工序中可以降低对环境的污染程度。
在此处，上述绝缘膜最好包含以ZrO2、TiO2和SiO2中至少1种为其成分。除Ta2O5外，由于包含以ZrO2、TiO2、SiO2中至少某一种为主成分，就有可能调整折射率和介电常数等，从而可确保在光学上和电学上装置设计的自由度。
特别是，关于透明导电层，由于为得到基本上所期望的电学特性(电阻的绝对值和电阻率等)受关于厚度和组成的限制，很难得到在光学特性方面理想的厚度和折射率(因组成和成膜条件而变动)，光学设计上的自由度减少，但与以往相比，由于绝缘膜有与透明导电层相近的折射率，可将绝缘膜和透明导电层看成在光学上有相近特性的物质(例如将二者视为一体物)，通过适当设计绝缘膜的厚度和折射率等，可将绝缘膜和透明导电层的叠层部分视作一体的光学要件，就有可能提高光学设计上的自由度。尤其是，最好使绝缘膜的折射率与透明导电层的折射率实质上相等。
此外，本发明还有另一种液晶装置，它包括：包含以Ta2O5、ZrO2和TiO2中至少1种为主成分的绝缘膜；以及在上述绝缘膜上敷设的、具有光透过性的导电膜。
还有，本发明不同的液晶装置包括：第1基板；与上述第1基板相向配置的第2基板；在上述第1基板上敷设的着色层；在上述着色层上、在可见光波段内折射率在1.6以上2.0以下、厚度为10nm～100nm、具有光透过性的绝缘膜；以及在上述绝缘膜上敷设的、在可见光波段内折射率在1.8以上1.9以下、厚度为100nm～300nm、具有光透过性的导电膜。
这样一来，由于与以往相比，可减少绝缘膜与导电膜之间的折射率差，同时绝缘膜与导电膜的光学膜厚之和为可见光波长λ的1倍左右到2倍左右，所以可减少界面反射，降低起因于绝缘膜与透明导电层的叠层部分的光学损耗。
此外，本发明还有一种不同的液晶装置，它包括：在可见光波段内折射率在1.6以上2.0以下、厚度为10nm～100nm的绝缘膜；以及在上述绝缘膜上敷设的、在可见光波段内折射率在1.8以上1.9以下、厚度为100nm～300nm、具有光透过性的导电膜。
其次，本发明的滤色片基板包括：基板；在上述基板上敷设的着色层；在上述着色层上敷设的、包含以Ta2O5、ZrO2和TiO2中至少1种为主成分的绝缘膜；以及在上述绝缘膜上敷设的具有光透过性的导电膜。
还有，本发明的另一种滤色片基板包括：基板；在上述基板上敷设的着色层；在上述着色层上敷设的、包含以Ta2O5为主成分的绝缘膜；以及在上述绝缘膜上敷设的、具有光透过性的导电膜。
此外，本发明还有另一种滤色片基板，它包括：基板；在上述基板上敷设的着色层；在上述着色层上敷设的、在可见光波段内折射率在1.6以上2.0以下、厚度为10nm～100nm、具有光透过性的绝缘膜；以及在上述绝缘膜上敷设的、在可见光波段内折射率在1.8以上1.9以下、厚度为100nm～300nm、具有光透过性的导电膜。
下面，本发明的液晶装置的制造方法具有：在第1基板上形成着色层的工序；在上述着色层上形成包含以Ta2O5、ZrO2和TiO2中至少1种为主成分的绝缘膜的工序；以及在上述绝缘膜上形成具有光透过性的导电膜的工序；以及用碱溶液对上述导电膜构建图形的工序。由于上述绝缘膜有很强的耐碱性，在对导电膜构建图形时即使使用碱溶液，也难以造成膜品质的变坏和膜的剥离，并可防止对在下层形成的着色层的损伤。
在此处，上述绝缘膜和上述导电膜最好这样形成，使得上述绝缘
膜的光学膜厚和上述导电膜的光学膜厚之和在可见光波段内的任意波长取作λ时实质上是λ/2的自然数的倍数。
另外，最好还有在上述着色层上形成透明树脂膜的工序。
此外，最好还有在上述第1基板上形成反射膜的工序。在此处，通过在反射膜上设置开口部，可以构成反射半透过性的液晶装置。
另外，最好还有在第2基板上、采用与上述绝缘膜实质上为同一种材料形成基底层的工序，以及在上述基底层上形成有源元件的工序。由于形成与绝缘膜实质上相同的基底层，可以使有源元件或与之导电连接的布线或电极与基板之间的附着性得到提高，同时由于在第1基板上形成的绝缘膜和在第2基板上形成的基底层实质上用同一种材料形成，工序管理变得很容易，同时可降低制造成本。并且，第1基板上的绝缘膜和第2基板上的基底层也可同时形成。
较为具体地说，由于在第2基板上经过以Ta2O5为主成分的绝缘层，形成以Ta为主成分的金属导电层，可使金属导电层与基板的附着性得到提高，同时可防止来自基板的杂质扩散。如上所述，由于在构成液晶面板的一对基板中的每一片基板上均形成以Ta2O5为主成分的层，故成膜装置可以共用，并且绝缘膜与绝缘层可同时形成，从而可提高制造工序的兼容性，同时可减少工序数。
在本发明中，上述绝缘膜最好用气相成膜工艺形成。采取PVD(物理气相生长法)、CVD(化学气相生长法)等气相成膜工艺所形成的上述金属氧化物对于形成透明导电层时的加热温度(200～300℃左右)也是稳定的，可得到致密的膜，并且其耐碱性良好。尤其是，最好采用蒸发法、溅射法、离子镀法等PVD(物理气相生长法，或物理蒸发法)形成。
另外，本发明中另一种液晶装置的制造方法具有：在基板上形成着色层的工序；在上述着色层上形成包含以Ta2O5为主成分，以ZrO2、TiO2和SiO2中至少1种为成分的绝缘膜的工序；在上述绝缘膜上形成具有光透过性的导电膜的工序；以及用碱溶液对上述导电膜构建图形的工序。
此外，本发明还有另一种液晶装置的制造方法，它包括：在基板上形成着色层的工序；在上述着色层上形成在可见光波段内折射率在1.6以上2.0以下、厚度为10nm～100nm、具有光透过性的绝缘膜的工序；以及在上述绝缘膜上形成在可见光波段内折射率在1.8以上1.9以下、厚度为100nm～300nm、具有光透过性的导电膜的工序。
接着，本发明的滤色片基板的制造方法具有：在基板上形成着色层的工序；在上述着色层上形成包含以Ta2O5、ZrO2或TiO2中某1种为主成分的绝缘膜的工序；以及采用碱溶液对上述导电膜构建图形的工序。
另外，本发明另一种滤色片基板的制造方法包括：在基板上形成着色层的工序；在上述着色层上形成在可见光波段内折射率在1.6以上2.0以下、厚度为10nm～100nm、具有光透过性的绝缘膜的工序；以及在上述绝缘膜上形成在可见光波段内折射率在1.8以上1.9以下、厚度为100nm～300nm、具有光透过性的导电膜的工序。
在上述各发明中，最好使上述绝缘膜和上述导电膜在同一装置内连续成膜。在用气相成膜工艺形成绝缘膜的场合，系在与形成透明导电膜的装置为同一装置内形成绝缘膜，借助于原地连续使导电膜成膜，可以确保绝缘膜与透明导电层之间界面的洁净，从而可提高两层之间的附着性，同时可期求因界面污染减少而导致的光学和电学特性的提高。此时，尤为理想的是，采用溅射法使绝缘膜和导电膜在同一溅射装置内连续形成。
还有，在对上述导电膜构建图形的工序中，最好采用碱溶液对上述导电膜进行刻蚀，以进行构建图形的处理。在构建图形的处理中，例如往往用碱溶液使抗蚀剂显影以形成抗蚀剂图形，借助于该抗蚀剂图形对透明导电层构建图形。另外，对透明导电层构建图形后在去除残存的抗蚀剂图形时也使用碱溶液。此时，由于采用耐碱性强的材料形成绝缘膜，可以防止绝缘膜受碱溶液腐蚀，从而可以防止绝缘膜从滤色片上剥离等不当的情形发生。
上述滤色片基板可以采用具有TN型、STN型及其它各种显示原理、具有有源矩阵型、无源矩阵型、段型及其它各种面板结构，以及透过型、反射型、半透过型等照明结构的各种液晶装置。还有，作为滤色片基板，不限于用在上述液晶装置，只要是备有滤色片和透明导电层的面板，也就有可能用作CRT(阴极射线管)的显示面部分和摄像管的受光面部分等，以及其它各种装置的滤色片部分。
附图说明
图1是本发明的液晶装置和滤色片基板的第1实施例中示出液晶面板外观的概略斜视图。
图2是本发明的液晶装置和滤色片基板的第1实施例中原理上示出液晶面板结构的概略截面图(a)和原理上示出滤色片基板结构的概略放大平面图(b)。
图3是示出构成第1实施例中液晶面板的滤色片基板的制造工序的工序截面图(a)～(d)。
图4是本发明的液晶装置和滤色片基板的第2实施例中原理上示出液晶面板结构的概略截面图(a)和原理上示出滤色片基板结构的概略放大平面图(b)。
图5是本发明的液晶装置和滤色片基板的第3实施例中原理上示出液晶面板结构的概略截面图(a)和原理上示出滤色片基板结构的概略放大平面图(b)。
图6是本发明的液晶装置和滤色片基板的第4实施例中示出液晶面板外观的概略斜视图。
图7是第4实施例中液晶面板的(示出了沿图6的II-II线截断的状态)放大平面图。
图8是第4实施例中示出液晶面板的主要构件的平面结构的放大局部平面图。
图9是第4实施例中示出反射基板的制造工序的工序截面图(a)～(b)。
图10是本发明的液晶装置和滤色片基板的第5实施例中示出滤色片基板的平面结构的概略放大平面图。
图11是第5实施例中示出反射基板的平面结构的概略放大平面图。
图12是第5实施例中示出反射基板的制造工序的工序截面图(a)～(d)和示出平面图形的一部分的放大局部平面图(e)～(f)。
图13是第5实施例中示出反射基板的制造工序的工序截面图(a)及(b)和示出平面图形的一部分的放大局部平面图(c)。
图14是第5实施例中示出反射基板的制造工序的工序截面图(a)及(b)和示出平面图形的一部分的放大局部平面图(c)。
具体实施方式
发明的实施例
下面，参照附图详细说明本发明的液晶装置、滤色片基板、液晶装置的制造方法以及滤色片基板的制造方法的实施例。
[第1实施例]
图1是本发明第1实施例的液晶装置中备有滤色片基板110的液晶面板100的外观斜视图，图2(a)是原理性示出液晶面板100结构概观的概略截面图，图2(b)是示出滤色片基板110的表面结构的平面图。
对于具有所谓透过方式的无源矩阵型结构的液晶面板100，该液晶装置可根据需要适当地装配图中没有表示的背光或前光等照明装置或机壳等。如图1所示，液晶面板100具有下述液晶盒结构：以由玻璃片或合成树脂片等组成的透明第1基板111为基体的滤色片基板110和以第2基板121为基体的对置基板120经密封剂130被相向贴合起来，在密封剂130的内侧从其开口部130a注入液晶132后，用封口剂131封死，构成液晶盒。
在第1基板111的内表面(与第2基板121相向的表面)上形成多个并列的条形透明电极115，在第2基板121的内表面上形成多个并列的条形透明电极122。还有，上述透明电极115被导电连接到布线118A上，上述透明电极122被导电连接到布线128上。透明电极115和透明电极122相互正交，其交叉区域构成排列成矩阵形的多个像素，这些像素排列构成了液晶显示区域A。
第1基板111有伸出到比第2基板121外缘更外侧的基板伸出部110T，在该基板伸出部110T上，形成上述布线118A，经过由密封剂130的一部分构成的上下导通部对上述布线128进行导电连接的布线118B，以及由独立形成的多个布线图形构成的输入端部119。还有，在基板伸出部110T上，安装内置液晶驱动电路等的半导体IC161，使得对这些布线118A、118B和输入端部119进行导电连接。还有，在基板伸出部110T的端部，安装柔性布线基板163，使得对上述输入端部119进行导电连接。
在该液晶面板100中，如图2(a)所示，在第1基板111的外表面配置偏振片140，在第2基板121的外表面配置偏振片150。例如，偏振片140和偏振片150以其偏振透过轴呈相互正交的交叉尼科耳配置的状态贴附在基板外表面上。
<滤色片基板110的结构>
下面，参照图2(a)和(b)详细说明滤色片基板110的结构。在第1基板111的表面上形成着色层112，在着色层112上覆盖着由透明树脂等构成的表面保护层(外涂层)113。借助于该着色层112和表面保护层113形成滤色片。
着色层112通常使颜料或染料等着色层材料散布到透明树脂中呈现指定的色调而形成。作为着色层色调的一个例子是使作为原色系列滤色片的R(红)、G(绿)、B(蓝)三色组合而成的色调，但不限于此，还可形成补色系列和其它各种色调。通常，在基板表面上涂布由包含颜料或染料等着色材料的感光树脂构成的着色抗蚀剂，采用光刻法去除掉不需要的部分，以此形成有指定彩色图形的着色层。在形成多种色调的着色层的场合，要重复上述工序。再有，作为着色层的排列图形，在图2(b)所示的图例中，采用了条形排列，但除了这种条形排列，还可采用三角形排列或斜镶嵌排列等各种图形形状。此处，在上述RGB各着色层的周围，可形成遮挡像素之间区域光线的遮光膜(黑矩阵或黑掩模)，作为着色层的一部分。
表面保护层113供保护着色层、防止着色层材料泄漏，以及使滤色片表面平坦之用。作为表面保护层113的材料，可采用诸如丙烯酸树脂、环氧树脂之类的透明树脂材料。
在上述滤色片表面上，可形成由透明金属氧化物构成的绝缘膜114。作为绝缘膜114，可举出采用例如溅射等方法使以Ta2O5、ZrO2和TiO2中至少某一种为主成分的金属氧化物淀积在滤色片上的膜。其中，有仅由Ta2O5构成的膜，或者，最好是将ZrO2、TiO2或SiO2中至少某一种混合到Ta2O5中构成的膜。
在绝缘膜114的表面上形成包括指定图形形状的上述透明电极115。该透明电极115由ITO等透明导体构成。在透明电极115上面形成由SiO2、TiO2等构成的硬质保护膜(为防止尘埃等异物混入致使上下电极之间发生短路的透明膜)116，在该硬质保护膜116的表面上可涂布形成由聚酰亚胺树脂等构成的取向膜117。对该取向膜要进行熟知的摩擦处理。
<对置基板和面板结构>
在第2基板121的表面上，形成与上述相同的由ITO等构成的透明电极122，在其上依次层叠与上述相同的硬质保护膜123和取向膜124。对取向膜124也要进行熟知的摩擦处理。
上述滤色片基板110和对置基板120，通过在其中某一基板上涂布形成的密封剂130被相互贴合起来，借助于散布在两片基板之间的衬垫，或掺入密封剂130内部的衬垫(图中均未示出)，使得在受制约的状态下形成设定的基板间距(液晶盒厚)，然后通过加压并对密封剂130加热、进行光照等使之固化，以此构成图示的液晶盒结构。如图1所示，通过在密封剂130的一部分设置的开口部130a向该液晶盒注入液晶132，其后，用树脂等将此开口部130a封死，完成液晶面板100的制作。
<滤色片基板制造方法的细节>
下面，参照图3(a)～(d)说明滤色片基板110的制造方法的细节。在开始，如图3(a)所示，由着色层112和表面保护膜113构成的滤色片用上述方法形成后，在表面保护膜113的表面上形成了如图3(b)所示的绝缘膜114。作为绝缘膜114的形成方法，可采用各种PVD法或CVD法，但最好是采用溅射法、蒸发法、离子镀法等PVD法。在采用溅射法的场合，要将上述Ta2O5、ZrO2、TiO2的多晶体等粉碎，形成粉末，然后使用该粉末经烧结后所形成的靶子。此处，可根据对绝缘膜114所希望的膜组成，调整粉末组成，形成靶子。
下面，如图3(c)所示，采用溅射法形成由ITO构成的透明导电层115X。因ITO的膜组成和成膜条件的不同，电导率和折射率等有很大的变化，但通常主要考虑成膜后导电膜的电学特性来设定膜组成和成膜条件。透明导电层115X在初始的第1基板111的表面上全面形成。其后，在该透明导电层115X上涂布光致抗蚀剂，对该光致抗蚀剂按设定的曝光图形进行曝光处理，然后在氢氧化钾水溶液(例如0.9％的浓度)之类的碱溶液中进行显影处理，如图3(d)所示，形成设定的抗蚀剂图形115Y。然后，从该抗蚀剂图形115Y上部采用盐酸之类的刻蚀液对透明导电层115X进行刻蚀，形成如图2(a)所示的透明电极115。然后采用比显影时浓度(碱性)为高的碱溶液(例如1.5％浓度的氢氧化钾水溶液)去除掉透明电极115上的抗蚀剂图形115Y。
在上述工序中，由于在对透明导电层115X构建图形形成透明电极115时使用了碱溶液，如果在透明电极115的下层形成的绝缘膜114耐碱性很低，则担心绝缘膜114的表面被碱溶液腐蚀，在透明电极115内要发生侧刻蚀，使构图精度变差，透明电极115从绝缘膜114剥离，或绝缘膜114本身从滤色片的表面保护层113的表面剥离。
在本实施例中，如上所述，在绝缘膜114用Ta2O5、ZrO2等耐碱性高的材料构成时，由于绝缘膜几乎不受构建图形时使用的碱溶液，尤其是为去除掉(剥离)抗蚀剂图形115Y之用的碱溶液的影响，上述不当的情形不会发生。
为了调研本实施例的绝缘膜114的耐碱性，要进行该绝缘膜的耐久性试验。在该耐久性试验中，采用在玻璃基板上形成与上述相同的滤色片的方法，在该滤色片的表面上采用溅射法形成厚度约为400的、以Ta2O5为主成分的绝缘膜114，同样，在滤色片的表面上采用溅射法形成同样厚度的SiO2绝缘膜，然后将形成这两种绝缘膜的基板浸渍在1.5％浓度的氢氧化钾水溶液(为去除掉抗蚀剂图形115Y所用的碱溶液)中相同的时间。
该试验结果表明，在形成SiO2绝缘膜的基板上，绝缘膜从滤色片的表面保护层剥离，但在形成以Ta2O5为主成分的绝缘膜114的本实施例的滤色片基板上，绝缘膜114与表面保护层113之间的剥离完全不会发生。
<滤色片基板的光学结构>
下面，对本实施例的滤色片基板110的光学结构加以说明。在滤色片基板110上，如图2(a)所示，在滤色片上形成绝缘膜114，再在其上形成透明电极115。该透明电极115和经液晶132与之相向的透明电极122在平面上重叠的区域是像素区域，所构成的各像素区域相互独立并且可控制液晶的取向状态，根据像素区域的光学状态实现所要求的显示。因此，整个液晶面板100的光学特性就取决于上述像素区域的光学特性。
各像素区域的光学特性由第1基板、滤色片的着色层112、滤色片的表面保护层113、绝缘膜114和透明电极115的叠层结构，以及对置基板120的光学特性决定。此处，在可见光波段内，用SiO2构成的现有绝缘膜的折射率约为1.455，透明电极115的折射率约为1.8～1.9。该透明电极115的折射率随膜的组成和成膜条件而有很大的变化，但由于该组成和成膜条件对电阻率等的电学特性有很大的影响，要自由设计折射率通常是有困难的。
可是，Ta2O5、ZrO2和TiO2均有超过2.0的高折射率，可形成高折射率的绝缘膜，并且，如所周知，在采用气相成膜法形成这些绝缘膜的场合，随着改变成膜时氧分压和其它成膜条件，这些绝缘膜的折射率可在广阔的范围内发生变化。在本实施例中，由于绝缘膜114以Ta2O5、ZrO2和TiO2中至少某一种为主成分，可比现有的绝缘膜(SiO2：光折射率1.455)的折射率高，通过调整其组成，绝缘膜的折射率能够接近于透明电极115的折射率。例如，通过改变成膜条件，或者通过采用将上述Ta2O5、ZrO2、TiO2中至少某一种与其它物质，例如SiO2混合后的材料形成绝缘膜114，绝缘膜114的折射率可设定在1.6～2.0的范围内，借此，可减少在绝缘膜114和透明电极115界面处的光反射，提高像素区域的有效光透过率。特别是，在上述范围内，最好还将折射率设定在1.7～1.95的范围内。
作为上述的具体例子，溅射装置的靶子系将SiO2和ZrO2的粉末各按50％的重量比配制，经烧结而成，采用这样的靶子进行溅射，以形成绝缘膜114。如此形成的绝缘膜114的折射率约为1.8，大致等于透明电极115的折射率，绝缘膜114和透明电极115之间的界面反射几乎不会发生，在光学上可视作单层，从而光学设计也变得很容易。再有，在具有该组成的绝缘膜中，在制造工艺方面可认为有充分的耐碱性。
再有，在用上述SiO2和ZrO2的混合材料形成绝缘膜时，即使施加当采用只合作为成膜材料的SiO2的靶子时发生异常放电的电压约2倍的电压也完全不会发生异常放电。此外，不限于上述靶子，以Ta2O5、ZrO2和TiO2中至少某一种为主成分的靶子，比起只合作为成膜材料的SiO2的靶子时，很难发生异常放电，从而可得到稳定的成膜状态。
另外，这样的靶材料，与以往的靶材料相比，很难产生粉尘，当溅射装置向大气开启时几乎没有多少粉尘量向周围撒落。尤其是，在以Ta2O5作为成膜材料主成分的靶子中，由于在溅射装置内成膜材料与防尘板的附着性良好，成膜材料不会从装置内壁剥离，在每周更换防尘板时也几乎不产生粉尘粒子。另一方面，在现有的SiO2靶子中，即便每三天更换防尘板，在更换时也必然产生粉尘粒子。
在本实施例中，由绝缘膜114和透明电极115构成的叠层部分的光学膜厚为1/2λ的自然数的倍数，从而可减少来自该叠层部分的光学损耗，提高像素区域的光透过率。
例如，取λ为可见光的标准波长550nm，绝缘膜114由ZrO2-SiO2系的材料构成，当其折射率n1取1.8，透明电极115的折射率n2取1.9时，绝缘膜114的厚度d1取500(50nm)，透明电极115的厚度d2约取1000(100nm)，如此可得光学膜厚OT＝n1·d1+n2·d2＝270nm，与1/2λ＝275nm约略相等。
此处，当取光学膜厚OT＝1/2λ时，波长λ也可不限于上述标准波长，即使取可见光波段内的任何波长均能达到视觉上的效果。所谓可见光波段系光波长为380nm～780nm的范围。
再有，用上述方法得到的绝缘膜114，如果其折射率n1大致等于透明电极115的折射率n2，则在光学上即可将绝缘膜114和透明电极115视为一体，因而如假设使绝缘膜114与透明电极115合并后的合计厚度d使之大致满足n·d＝1/2λ的条件，即可进一步提高膜厚设计的自由度。
作为滤色片基板110的厚度，最好在例如着色层112约为0.5～2μm，表面保护层113约为1～2μm，绝缘膜114为100～1000(10～100nm)，透明电极115为1000～3000(100～300nm)的范围内形成。当绝缘膜在上述厚度范围内时，凭借其抗蚀性，下层的滤色片(着色层)能得到充分的保护，同时透明电极的附着性也可得到改善，并且在这些叠层结构内的各层可在各自稳定的状态下成膜。另外，当透明电极115在上述厚度范围内时，可得到充分的电学特性(布线电阻和电极电阻)，同时在成膜时也可达到稳定的状态。
此处，绝缘膜114的折射率越高，其膜厚就可做得越薄。特别是，如上所述，由绝缘膜和透明电极构成的叠层部分的光学膜厚被设定为1/2λ的自然数的倍数时，在本实施例中，因为绝缘膜的折射率比现有SiO2的情形要高，绝缘膜的厚度即可减少，从而滤色片基板110上叠层结构部分的厚度也可减少，这些均是其优点。
[第2实施例]
以下，参照图4(a)和(b)说明不同于上述实施例的第2实施例。该第2实施例的液晶装置是包括图4(a)所示的液晶面板200在内的液晶装置，该液晶面板200是使备有滤色片的滤色片基板210与对置基板220经密封剂230贴合起来，再在两片基板之间封入液晶231而成。分别粘贴在第1基板211和第2基板221的外表面的偏振片240、250与上述第1实施例是相同的。
在本实施例中，由玻璃或合成树脂构成的透明第1基板211的表面上形成与上述相同的由着色层212和表面保护层213构成的滤色片，在该滤色片上用溅射法等形成以Ta2O5为主成分的绝缘膜214。该绝缘膜214的成膜材料实质上可以是由Ta2O5单体构成，或者，也可以将ZrO2、TiO2、SiO2等其它材料(特别是金属氧化物)混合到Ta2O5内构成。
在该绝缘膜214的上面形成与上述相同的带状透明电极215，如图4(b)的单点点划线所示，此外，还在其上依次形成硬质保护膜216和取向膜217。
另一方面，在对置基板220上，在由玻璃或合成树脂等构成的透明第2基板221的表面上，采用溅射法等形成以Ta2O5为主成分的基底层225。在该基底层225上形成由Ta或Ta合金构成的布线层226。然后，如图4(b)所示，布线层226的表面经过阳极氧化等的氧化，形成薄的氧化绝缘膜，对每个像素设置的像素连接部226a的氧化绝缘膜上形成由Cr或Al等其它金属构成的电极层222a，借以构成有金属/绝缘体/金属(MIM)结构的TFD(薄膜二极管)的2端有源元件(二极管元件)。
另外，在第2基板221的基底层225上，对每个像素均形成透明电极222，上述电极层222a也在该透明电极222上形成。根据这样的结构，对每个像素，上述有源元件导电连接到上述布线层226和透明电极222之间。再有，在这些布线层226和透明电极222上，依次形成与上述相同的硬质保护膜223和取向膜224。
上述基底层225可使上述布线层226的附着性提高，同时是为了防止第2基板221中的杂质向上述有源元件中扩散而形成的。
在制造该液晶面板200的场合，由于第1基板211上的绝缘膜214和第2基板221上的基底层225用同一种材料同时形成，可以减少液晶面板的制造工序数目。另外，在绝缘膜214和基底层225实质上用同一种材料如此形成的场合，比方说，不论绝缘膜214和基底层225为相同组成分别形成时，还是绝缘膜214和基底层225作为不同组成的膜分别形成时，制造线上用的各种成膜装置可以相互使用，从而可降低设备成本。还有，在完全用同一种材料的场合，材料也可共用，工序管理变得很容易，同时材料成本也可降低。
[第3实施例]
下面，参照图5(a)和(b)说明本发明的第3实施例。该实施例的液晶装置中的液晶面板300，基本上与第1实施例的液晶面板100有大致相同的结构，有包括相同的第1基板311、着色层312、表面保护层313、绝缘膜314、透明电极315、硬质保护层316及取向膜317的滤色片基板310，以及包括相同的第2基板321、透明电极322、硬质保护层323及取向膜324的对置基板320，使这两片滤色片基板310和对置基板320经过密封剂330贴合起来，向两片基板间封入液晶331。在第2基板321的外表面粘贴偏振片350。
本实施例的液晶面板300有反射型面板结构，在滤色片基板310的第1基板311的表面上形成由金属薄膜等构成的反射层318。作为反射层318的材料，可举出Al、Al合金、Cr、Cr合金、Ag、Ag合金等。然后，由着色层312和表面保护层313组成的滤色片在反射层318的上方直接形成，或经过适当的透明层形成。
在该液晶面板300上，从偏振片350入射的外部光通过对置基板320、液晶331，入射到滤色片上，又经反射层318反射后，再通过滤色片和液晶331，经对置基板320从偏振片350向外部出射。再有，在对置基板320的前面一侧(图中为上侧)通过配置前光，就不仅有外部光，还有从装置内部发射的照明光，借以使显示能被看出来。
在该反射型液晶面板300上，由于使外部光被反射层318反射，借以使显示能被看出来，显示容易发暗，特别是经过滤色片后，显示的亮度容易不足。在本实施例中，如上所述，绝缘膜314与以往相比，有接近于透明电极315的折射率，借此能增高液晶层以外的光透过率，可确保显示的亮度。尤其是，绝缘膜314与透明电极315的叠层部分的光学膜厚大致等于1/2λ(λ可以是可见光波段380nm～780nm内的任意波长，但最好是标准波长550nm)，可使光透过率得以提高。
[第4实施例]
下面，比较具体地说明本发明的第4实施例的液晶装置。该实施例包括图6所示的液晶面板400。液晶面板400为反射半透过方式的无源矩阵型液晶面板，使反射基板410和对置基板420通过密封剂430贴合起来，从密封剂430的液晶注入口430a注入诸如TN(扭曲向列)型的液晶440，用封口剂431封口。
在反射基板410上，在由玻璃或塑料等构成的基板411上形成多条并列的条形透明电极415，在对置基板420上，在同样的基板421上也形成多条并列的条形透明电极422。透明电极415与透明电极422相互正交，两者的交叉区域构成的像素区域呈纵横矩阵状排列，构成液晶显示区域A。布线418A连接到透明电极415，布线428连接到透明电极422。
在反射基板410上，设置从对置基板420的外露2边的外侧伸出的、从平面上看呈字母“L”状的基板伸出部410T，在该基板伸出部410T上安装半导体芯片461、462。另外，在基板伸出部410T上，连接到透明电极415上的上述布线418A原样引出，导电连接到半导体芯片461。此外，所形成的布线418B经过散布于密封剂430中的导电粒子432(参照图7和图8)对透明电极422的布线428实现导电连接，该布线418B又导电连接到上述半导体芯片462上。还有，半导体芯片461也导电连接到基板伸出部410T上的布线419A上，半导体芯片462也导电连接到基板伸出部410T上的布线419B上。然后，这些布线419A、419B被导电连接到在基板伸出部410T的端部安装的柔性布线基板463上。
在上述结构的例子中，在透明电极415作为段电极，透明电极422作为公用电极设计的场合，半导体芯片461起扫描线驱动电路、半导体芯片462起信号线驱动电路的作用。通过上述半导体芯片461、462对透明电极415和透明电极422供给给定的电位，两电极交叉处的每个像素区域对液晶440施加给定的电压。
如图7所示，在基板111的表面上，形成含Ta2O5、ZrO2、TiO2等的基底层413。如图9(a)所示，该基底层413系采用溅射法等大致上全面地在基板111上形成。基底层413供改善基板411与透明电极415的附着性之用，在本实施例的场合，基底层与后述对置基板420上敷设的绝缘膜427以相同的材料形成，此点与第3实施例出于同样的理由。亦即，基底层413可用以Ta2O5、ZrO2和TiO2中某一种为主成分材料形成，或用以这些材料中2种以上为主成分的材料形成，甚至用以Ta2O5为主成分，使ZrO2、TiO2和SiO2中至少一种混合到Ta2O5后的材料形成。
在该基底层413的表面上形成由银单质或银合金等构成的反射层414。在该反射层414上每个像素均形成开口部414a。
反射层414除银单质外，还可使用银与钯、铜、金等的合金(例如，Ag-Pa(按重量比，银90％)、Ag-Pa-Cu(按重量比，银95％))。银或银合金与铝相比在可见光波段反射率高，因而使得液晶面板的反射型显示变得明亮。再有，作为构成反射层的材料，除上述银或银合金外，还可使用铝、铬或它们的合金(例如Al-Nd)等其它金属。
对反射层414而言，如图9(b)所示，采用溅射法或蒸发法等在基底层413上全面形成由上述金属或合金构成的金属膜414X后，再采用光刻法和刻蚀法构建图形，如图9(c)所示，与其后形成的透明电极相重叠并延伸出来形成带状。此处，在反射层414上对每个像素均设置如图8所示的1个或多个开口部414a。
在反射层414上，如图9(d)所示，全面形成了ITO等透明导电膜415X，其后，采用光刻法和刻蚀法构建图形，如图9(e)所示，形成了透明电极415。透明电极415覆盖住反射层414全体，以其宽度比反射层414的宽度稍宽的方式形成。然后，在透明电极415宽度方向所形成的两侧端部，超越反射层414的外缘而与基底层413的表面接触，其结果使得反射层414被基底层413和透明电极415密封起来。
如上所述，因为反射层414被基底层413和透明电极415密封，就可以防止由金属膜构成的反射层414受到腐蚀而变质。特别是，在反射层414用银或银合金形成的场合，可极为有效地防止反射层414的变质。
在对置基板420内，在基板421上形成遮光膜423，可防止像素之间的光泄漏。遮光膜423可由黑色树脂层(黑色的着色层)或铬等金属膜构成。作为黑色树脂层，可举出将诸如红、绿、蓝颜料或染料之类的着色材料，同时将碳粉等黑色的着色材料掺入透明树脂中而形成。另外，在各像素区域，如图8所示，R(红)、G(绿)、B(蓝)的着色层424分别形成指定的排列图形。
在这些遮光膜423和着色层424的上部，形成透明的表面保护层425，在该表面保护层425上形成绝缘膜427。该绝缘膜427采取与上述第1实施例至第3实施例中所述的绝缘膜相同的材料并用相同的方法形成。在绝缘膜427上形成由ITO构成的上述透明电极422，其上再形成取向膜426。
再有，在液晶面板400上，如图7所示，在基板411的外表面上依次配置延迟片(1/4波长片)451和偏振片452，在基板421的外表面上依次配置延迟片(1/4波长片)453和偏振片454。
在本实施例中，从基板421一侧入射的外部光通过液晶440后在反射层414上受到反射，再通过液晶440从基板421出射，借以实现反射型显示，另外，在基板411的背部配置图中没有示出的背光等，在对液晶面板440照明时，其照明光的一部分通过反射层414的开口部414a，透过液晶440，从基板421出射，借以实现透过型显示。
[第5实施例]
最后，参照图10至图14，对本发明的第5实施例进行说明。该第5实施例的液晶装置备有与上述第4实施例具有大致相同外观的液晶面板，但在构成该液晶面板的一方的反射基板510上设置有源元件，该反射基板510与滤色片基板520相向配置，在这一点上与第4实施例不同。
首先，参照图10对本实施例的滤色片基板520进行说明。图10(a)是对置基板520的放大局部平面图，图10(b)是放大局部截面图。
在该滤色片基板520上，在由玻璃或塑料等构成的基板521上像素之间的区域，形成与第4实施例相同的遮光膜523，另外，每一像素要形成例如R、G、B各色的着色层524。在遮光膜523和着色层524上形成透明的表面保护膜525。在表面保护膜525上，与上述各实施例一样，形成包含Ta2O5、ZrO2和TiO2中某一种的绝缘膜527。关于该绝缘膜527，如上所述，可以以Ta2O5、ZrO2和TiO2中的某一种为主成分，也可以是将它们之中的多种金属氧化物混合起来构成。另外，也可以以Ta2O5为主成分，再将ZrO2、TiO2和SiO2中至少一种为成分加到Ta2O5中去。
在绝缘膜527上，形成由ITO等透明导体构成的透明电极522。透明电极522形成如图10(a)所示的在左右方向延伸的带状，该带状是将多条带并列排列作为一个整体而构成的。透明电极522上全面形成取向膜526。
接着，参照图11对本实施例的反射基板510进行说明。图11(a)是反射基板510的放大局部平面图，图11(b)是放大局部截面图。
在反射基板510上，如图11(a)所示，使之与上述对置基板520的着色层524在平面上重叠，对每一像素形成反射层514和透明电极515。另外，在透明电极514上形成狭缝状的开口部514a。在图中上下方向延伸的布线510A导电连接到反射层514和透明电极515上。
如图11(b)所示，在基板511上形成基底层513。该基底层513与第4实施例一样，用与对置基板520上敷设的绝缘膜527相同的材料形成。另外，在基底层513上形成第1金属层516，在该第1金属层516上设置有在上述布线510A内所设的布线部分516A和与该部分516A分离的元件部分516B。在该第1金属层516的表面上采用阳极氧化法形成绝缘薄膜516a。
在上述基底层513和绝缘薄膜516a上形成第2金属层，在一部分第2金属层上形成上述反射层514，剩下的连接部分517连接上述第1金属层516的布线部分516A和元件部分516B。此外，在它们上面覆盖ITO等透明导体，在一部分透明导体上形成上述透明电极515，覆盖在上述反射层514上，剩余部分设置成覆盖上述布线部分516A和连接部分517。
在本实施例中，在布线510A和元件部分516B经绝缘膜516a的结合的部分上构成二极管元件510B，在元件部分516B和反射层514经绝缘薄膜516a结合的部分上构成二极管元件510C。二极管元件510B和510C构成各自有非对称电学特性的非线性元件，但由于它们与在绝缘薄膜两侧配置的导体材料的关系为在互为反方向的相向状态下串联连接，这两个二极管元件的串联连接结构构成具有整体对称的电学特性的非线性元件
下面，参照图12至图14，对上述反射基板510的制造工艺进行详细说明。如图12(a)所示，在基板511上，形成以Ta2O5、ZrO2和TiO2中至少一种为主成分的基底层513。基底层513可采用溅射法或热氧化法(将Ta等金属用蒸发法或溅射法形成后进行热氧化处理形成氧化物)等形成。
接着，如图12(b)所示，在基底层513上使第1金属层516X成膜。通常，该第1金属层516X的膜厚为100～500nm左右。作为第1金属层516X，可采用Ta单质或Ta-W合金等的各种Ta合金(作为添加到Ta中的金属除钨外可举出铬、钼、铼、钇、镧、镝等属于周期表中第6～第8族的元素。)该第1金属层516X可用溅射法或电子束蒸发法等形成。
下面，如图12(c)所示，采用光刻法和刻蚀法对第1金属层516X构建图形，形成图12(e)所示的平面图形，该平面图形备有布线部分516A和从该布线部分516A分支出来的某种形状的元件部分516B。接着，经如此构建图形的布线部分516A和元件部分516B与柠檬酸水溶液等的化学处理液之间施加电压，如图12(d)所示，采用阳极氧化法在布线部分516A和元件部分516B的表面上形成薄的(例如具有10～35nm左右的厚度)绝缘薄膜516a。
接着，如上所述，采用刻蚀法等去除掉从布线部分516A分支出来的元件部分516B的基部，则相互分离为布线部分516A和元件部分516B，如图12(f)所示。
下面，如图13(a)所示，采用蒸发法或溅射法覆盖Al、Al合金、Cr、Cr合金、Ag、Ag合金等构成的反射性金属，形成第2金属层517X。然后，采用光刻法和刻蚀法对该第2金属层517X构建图形，形成连接部分517和反射层514，如图13(b)和(c)所示。此时，反射层514的开口部514a也同时形成。
其后，如图14(a)所示，采用溅射法覆盖ITO等透明导体，形成透明导电层515X。然后，采用光刻法和刻蚀法对该透明导电层515X构建图形，如图14(b)和(c)所示，形成全面覆盖住上述反射层514的透明电极515，与此同时，上述布线部分516A和连接部分517也被透明导体覆盖而形成。
再有，本发明的液晶装置、滤色片基板或它们的制造方法并非仅仅限于上述图示的例子，不言而喻，在不脱离本发明要旨的范围内可加以种种变更。
例如，作为液晶体装置，也可将上述各实施例改变为透过型、反射型、半透过型中的任何一种，另外，对液晶的种类、驱动方式、像素的排列结构等也可采用熟知的各种技术。
[发明的效果]
如上所述，根据本发明，因为Ta2O5、ZrO2都有对碱溶液的耐蚀性，故在对导电膜构建图形时即使用碱溶液也难以发生剥离。另外，因为Ta2O5、ZrO2、TiO2都有比SiO2高的折射率，也可以减少绝缘膜与导电膜的折射率之差，从而减少绝缘膜与导电膜的叠层部分的光学损耗。

Claims (31)

1.一种液晶装置，包括：
第1基板；
与上述第1基板相向配置的第2基板；
在上述第1基板上敷设的着色层；
包含以Ta2O5、ZrO2和TiO2中至少1种为主成分的绝缘膜；以及
在上述绝缘膜上敷设的、具有光透过性的导电膜，
其特征在于，
上述绝缘膜的光学膜厚和上述导电膜的光学膜厚之和在可见光波段内的任意波长取作λ时实质上是λ/2的自然数的倍数。
2.如权利要求1所述的液晶装置，其特征在于；包括
上述绝缘膜设在上述着色层上。
3.如权利要求1所述的液晶装置，其特征在于：
上述λ为550nm。
4.如权利要求2所述的液晶装置，其特征在于：
上述着色层和上述绝缘膜之间还有透明树脂膜。
5.如权利要求2所述的液晶装置，其特征在于：
上述着色层和上述第1基板之间还有反射膜。
6.如权利要求2所述的液晶装置，其特征在于：
还有在上述第2基板上敷设的、与上述绝缘膜实质上为同一种材料的基底层以及在上述基底层上设置的有源元件。
7.如权利要求5所述的液晶装置，其特征在于：
上述反射膜有开口部。
8.如权利要求6所述的液晶装置，其特征在于：
上述有源元件为TFD。
9.如权利要求1所述的液晶装置，其特征在于：
上述绝缘膜以Ta2O5为主成分，并包含ZrO2、TiO2和SiO2中至少1种为成分。
10.如权利要求1所述的液晶装置，其特征在于：
上述绝缘膜在可见光波段内的折射率为1.6以上2.0以下、厚度为10nm～100nm、具有光透过性；以及
上述导电膜是在上述绝缘膜上敷设的、在可见光波段内的折射率为1.8以上1.9以下、厚度为100nm～300nm。
11.一种滤色片基板，其特征在于，包括：
基板；
在上述基板上敷设的着色层；
包含在上述着色层上敷设的、以Ta2O5、ZrO2和TiO2中之一为主成分的绝缘膜；以及
在上述绝缘膜上敷设的、具有光透过性的导电膜；
上述绝缘膜的光学膜厚和上述导电膜的光学膜厚之和在可见光波段内的任意波长取作λ时实质上是λ/2的自然数的倍数。
12.如权利要求11所述的滤色片基板，其特征在于：
上述λ为550nm。
13.如权利要求11所述的滤色片基板，其特征在于：
上述着色层和上述绝缘膜之间还有透明树脂膜。
14.如权利要求11所述的滤色片基板，其特征在于：
上述着色层和上述第1基板之间还有反射膜。
15.如权利要求14所述的滤色片基板，其特征在于：
上述反射膜有开口部。
16.如权利要求11所述的滤色片基板，其特征在于：
上述绝缘膜以Ta2O5为主成分，并包含ZrO2、TiO2和SiO2中至少1种为成分。
17.如权利要求11所述的滤色片基板，其特征在于，包括：
上述绝缘膜在可见光波段内的折射率为1.6以上2.0以下、厚度为10nm～100nm、具有光透过性；以及
上述导电膜是在上述绝缘膜上敷设的、在可见光波段内的折射率为1.8以上1.9以下、厚度为100nm～300nm。
18.一种液晶装置的制造方法，其特征在于，包括：
在第1基板上形成着色层的工序；
形成包含在上述着色层上的、以Ta2O5、ZrO2和TiO2中至少1种为主成分的绝缘膜的工序；
在上述绝缘膜上形成具有光透过性的导电膜的工序；以及
采用碱溶液对上述导电膜构建图形的工序；
形成上述绝缘膜和上述导电膜，使得上述绝缘膜的光学膜厚和上述导电膜的光学膜厚之和在可见光波段内的任意波长取作λ时实质上是λ/2的自然数的倍数。
19.如权利要求18所述的液晶装置的制造方法，其特征在于：
还具有在上述着色层上形成透明树脂膜的工序。
20.如权利要求18所述的液晶装置的制造方法，其特征在于：
还具有在上述第1基板上形成反射膜的工序。
21.如权利要求18所述的液晶装置的制造方法，其特征在于：
还有在上述第2基板上形成与上述绝缘膜实质上为同一种材料的基底层的工序以及在上述基底层上形成有源元件的工序。
22.如权利要求20所述的液晶装置的制造方法，其特征在于：
还有在上述反射膜上形成开口部的工序。
23.如权利要求18所述的液晶装置的制造方法，其特征在于：
采用气相成膜工艺形成上述绝缘膜。
24.如权利要求18所述的液晶装置的制造方法，其特征在于，包括：
上述绝缘膜以Ta2O5为主成分、并包含ZrO2、TiO2和SiO2中至少1种作为成分而形成。
25.如权利要求18所述的液晶装置的制造方法，其特征在于，包括：
形成上述绝缘膜在可见光波段内的折射率为1.6以上2.0以下、厚度为10nm～100nm、具有光透过性；以及
形成上述导电膜在可见光波段内的折射率为1.8以上1.9以下、厚度为100nm～300nm。
26.一种滤色片基板的制造方法，其特征在于，包括：
在基板上形成着色层的工序；
形成包含在上述着色层上的、以Ta2O5、ZrO2和TiO2中至少1种为主成分的绝缘膜的工序；
在上述绝缘膜上形成具有光透过性的导电膜的工序；以及
采用碱溶液对上述导电膜构建图形的工序；
形成上述绝缘膜和上述导电膜，使得上述绝缘膜的光学膜厚和上述导电膜的光学膜厚之和在可见光波段内的任意波长取作λ时实质上是λ/2的自然数的倍数。
27.如权利要求26所述的滤色片基板的制造方法，其特征在于：
还有在上述着色层上形成透明树脂膜的工序。
28.如权利要求26所述的滤色片基板的制造方法，其特征在于：
还有在上述基板上形成反射膜的工序。
29.如权利要求28所述的滤色片基板的制造方法，其特征在于：
还有在上述反射膜上形成开口部的工序。
30.如权利要求26所述的滤色片基板的制造方法，其特征在于：
采用气相成膜工艺形成上述绝缘膜。
31.如权利要求49所述的滤色片基板的制造方法，其特征在于，包括：
形成上述绝缘膜在可见光波段内的折射率为1.6以上2.0以下、厚度为10nm～100nm、具有光透过性；以及
形成上述导电膜在可见光波段内的折射率为1.8以上1.9以下、厚度为100nm～300nm。
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