JPH09265109A - 液晶表示装置、およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置、およびその製造方法Info
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- JPH09265109A JPH09265109A JP7338996A JP7338996A JPH09265109A JP H09265109 A JPH09265109 A JP H09265109A JP 7338996 A JP7338996 A JP 7338996A JP 7338996 A JP7338996 A JP 7338996A JP H09265109 A JPH09265109 A JP H09265109A
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- shielding film
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 遮光特性を劣化させることなく開口部におけ
る輝度を向上させる液晶表示装置、及びその製造方法を
提供することを目的とする。 【解決手段】 絶縁体中に、少くとも金属微粒子または
半金属微粒子より選ばれた１種または２種以上の元素の
微粒子が分散してなる遮光膜の、バックライト側の表面
を高反射率にする。
る輝度を向上させる液晶表示装置、及びその製造方法を
提供することを目的とする。 【解決手段】 絶縁体中に、少くとも金属微粒子または
半金属微粒子より選ばれた１種または２種以上の元素の
微粒子が分散してなる遮光膜の、バックライト側の表面
を高反射率にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置、及
びその製造方法に関する。
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、液晶表示装置にはブラックマト
リックスと呼ばれる遮光膜が使用されている。この遮光
膜として、表示画素電極アレイ基板上の表示画素電極を
除いた領域上に絶縁性遮光膜のマトリックスを配置する
方法が提案されている（特開昭６３−６４０２３号公
報）。
リックスと呼ばれる遮光膜が使用されている。この遮光
膜として、表示画素電極アレイ基板上の表示画素電極を
除いた領域上に絶縁性遮光膜のマトリックスを配置する
方法が提案されている（特開昭６３−６４０２３号公
報）。
【０００３】この場合の絶縁性遮光膜は、ポリマーに黒
色染料または補色関係にある２色以上の染料を配合し黒
色化したものを配合し使用するものである。従来、スイ
ッチング素子が配置された表示画素電極アレイ基板とカ
ラーフィルタ上に形成された遮光膜を有する基板との合
わせ精度が通常４〜８μｍあるため、ブラックマトリッ
クスの開口パターンは前後合わせ精度分のマージンを見
込んで設計しなければならなかった。
色染料または補色関係にある２色以上の染料を配合し黒
色化したものを配合し使用するものである。従来、スイ
ッチング素子が配置された表示画素電極アレイ基板とカ
ラーフィルタ上に形成された遮光膜を有する基板との合
わせ精度が通常４〜８μｍあるため、ブラックマトリッ
クスの開口パターンは前後合わせ精度分のマージンを見
込んで設計しなければならなかった。
【０００４】しかし、この方法によれば、これらの合わ
せ精度は３００mm角以上の大基板においても従来に比べ
て１／２程度以下であるため、合わせずれによる開口率
の低下を抑えることができ、バックライト光が回り込ん
でオフ抵抗が低下するのを避けることが可能となる。
せ精度は３００mm角以上の大基板においても従来に比べ
て１／２程度以下であるため、合わせずれによる開口率
の低下を抑えることができ、バックライト光が回り込ん
でオフ抵抗が低下するのを避けることが可能となる。
【０００５】また、他の遮光膜として、遮光膜をレジス
トとして用い、このレジストとしてポリマーに染料，顔
料を分散させたものが実用化されている。また、他の遮
光膜として、スイッチング素子内の金属配線が併用して
いる場合あるいはパッシベーション層内に金属層よりな
る遮光膜を設ける場合などがある。
トとして用い、このレジストとしてポリマーに染料，顔
料を分散させたものが実用化されている。また、他の遮
光膜として、スイッチング素子内の金属配線が併用して
いる場合あるいはパッシベーション層内に金属層よりな
る遮光膜を設ける場合などがある。
【０００６】しかし、この場合、導電性の金属を遮光膜
として使用しているため、画素電極と信号線の間の容量
カップリングに基づく画素電極の変動等の問題や、例え
ばこれを回避するためにパッシベーション層を２層設け
る必要があり、その製造工程が煩雑になってしまう。
として使用しているため、画素電極と信号線の間の容量
カップリングに基づく画素電極の変動等の問題や、例え
ばこれを回避するためにパッシベーション層を２層設け
る必要があり、その製造工程が煩雑になってしまう。
【０００７】そこで本出願人は、特願平７−７７４５１
号で、絶縁体中に、少なくとも金属微粒子または半金族
微粒子より選ばれた１種または２種以上の元素の微粒子
を分散してなる遮光膜、を提案した。
号で、絶縁体中に、少なくとも金属微粒子または半金族
微粒子より選ばれた１種または２種以上の元素の微粒子
を分散してなる遮光膜、を提案した。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記した遮
光膜を形成した液晶表示装置の開口部の輝度を向上さ
せ、明るい表示を行うことができる液晶表示装置の製造
方法を提供することを目的とする。
光膜を形成した液晶表示装置の開口部の輝度を向上さ
せ、明るい表示を行うことができる液晶表示装置の製造
方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、第１の基板
と、前記第１の基板上に略平行に形成された複数の走査
線と、前記走査線に直交して形成された複数の信号線
と、前記走査線と前記信号線との交点近傍に形成された
スイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続して
形成された表示画素電極と、を有する表示画素電極アレ
イ基板と、前記表示画素電極アレイ基板に対向して配置
された第２の基板と、前記第２の基板の一主面上に形成
された対向電極と、を有する対向基板と、前記表示画素
電極アレイ基板と対向基板との間隙に挟持された液晶
と、前記表示画素電極アレイ基板側、または前記対向基
板側から照明を行うバックライトと、を有する液晶表示
装置において、前記表示画素電極アレイ基板上に、絶縁
体中に少なくとも金属微粒子または半金属微粒子より選
ばれた１種または２種以上の元素の微粒子が分散してな
る遮光膜を有し、前記遮光膜は前記バックライト側の面
と反対側の面とで反射率が異なり、前記バックライト側
の面の反射率が反対側の面の反射率より高いことを特徴
とする液晶表示装置である。
と、前記第１の基板上に略平行に形成された複数の走査
線と、前記走査線に直交して形成された複数の信号線
と、前記走査線と前記信号線との交点近傍に形成された
スイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続して
形成された表示画素電極と、を有する表示画素電極アレ
イ基板と、前記表示画素電極アレイ基板に対向して配置
された第２の基板と、前記第２の基板の一主面上に形成
された対向電極と、を有する対向基板と、前記表示画素
電極アレイ基板と対向基板との間隙に挟持された液晶
と、前記表示画素電極アレイ基板側、または前記対向基
板側から照明を行うバックライトと、を有する液晶表示
装置において、前記表示画素電極アレイ基板上に、絶縁
体中に少なくとも金属微粒子または半金属微粒子より選
ばれた１種または２種以上の元素の微粒子が分散してな
る遮光膜を有し、前記遮光膜は前記バックライト側の面
と反対側の面とで反射率が異なり、前記バックライト側
の面の反射率が反対側の面の反射率より高いことを特徴
とする液晶表示装置である。
【００１０】また本発明は、第１の基板上に絶縁体中に
少なくとも金属微粒子または半金属微粒子より選ばれた
１種または２種以上の元素の微粒子が分散してなる遮光
膜を形成する工程と、前記遮光膜の一部に対応した領域
にスイッチング素子を形成する工程と、を含む表示画素
電極アレイ基板を形成する工程と、第２の基板上に対向
電極を形成する工程を含む対向基板を形成する工程と、
前記表示画素電極アレイ基板と前記対向基板とを貼り合
わせる工程と、前記表示画素電極アレイ基板と前記対向
基板との間隙に液晶を注入し封止する工程と、を有する
液晶表示装置の製造方法において、前記遮光膜を形成す
る工程は、成膜圧力が変化することを特徴とする液晶表
示装置の製造方法である。
少なくとも金属微粒子または半金属微粒子より選ばれた
１種または２種以上の元素の微粒子が分散してなる遮光
膜を形成する工程と、前記遮光膜の一部に対応した領域
にスイッチング素子を形成する工程と、を含む表示画素
電極アレイ基板を形成する工程と、第２の基板上に対向
電極を形成する工程を含む対向基板を形成する工程と、
前記表示画素電極アレイ基板と前記対向基板とを貼り合
わせる工程と、前記表示画素電極アレイ基板と前記対向
基板との間隙に液晶を注入し封止する工程と、を有する
液晶表示装置の製造方法において、前記遮光膜を形成す
る工程は、成膜圧力が変化することを特徴とする液晶表
示装置の製造方法である。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１は本実施例における表示画素
電極アレイ基板を詳細に説明した断面図である。ガラス
からなる絶縁基板１９の一主面上に、主にＳｉＯx とＢ
ｉ微粒子よりなる遮光膜（Ｂｉ−ＳｉＯx 遮光膜）８を
形成する。この遮光膜８はスパッタによって５０００オ
ングストロームの厚さに堆積される。この遮光膜８を形
成する際のスパッタ条件を変化させることで、遮光膜８
のバックライト側を反射率の高い膜にすることによって
輝度の向上を図る。本実施例では、バックライトは表示
画素電極アレイ基板側に配設されている。
電極アレイ基板を詳細に説明した断面図である。ガラス
からなる絶縁基板１９の一主面上に、主にＳｉＯx とＢ
ｉ微粒子よりなる遮光膜（Ｂｉ−ＳｉＯx 遮光膜）８を
形成する。この遮光膜８はスパッタによって５０００オ
ングストロームの厚さに堆積される。この遮光膜８を形
成する際のスパッタ条件を変化させることで、遮光膜８
のバックライト側を反射率の高い膜にすることによって
輝度の向上を図る。本実施例では、バックライトは表示
画素電極アレイ基板側に配設されている。
【００１２】まず、Ｂｉ片とＳｉ片を一体として見た場
合に所定の組成となるようモザイク状に並べたスパッタ
リングターゲットを使用し、ベース圧力を８×１０-7ｔ
ｏｒｒとし、Ｎ2 の成膜圧力を０．５Ｐａ、ＤＣ電力を
５００Ｗ、成膜速度を２５０オングストローム／ｍｉｎ
で成膜する。このときの厚さは遮光膜８全体の厚さの５
０００オングストローム未満であればよいが、本実施例
では半分の２５００オングストロームとする。
合に所定の組成となるようモザイク状に並べたスパッタ
リングターゲットを使用し、ベース圧力を８×１０-7ｔ
ｏｒｒとし、Ｎ2 の成膜圧力を０．５Ｐａ、ＤＣ電力を
５００Ｗ、成膜速度を２５０オングストローム／ｍｉｎ
で成膜する。このときの厚さは遮光膜８全体の厚さの５
０００オングストローム未満であればよいが、本実施例
では半分の２５００オングストロームとする。
【００１３】次に、Ｎ2 の成膜圧力を０．７５Ｐａと
し、他の条件はそのままで残りの２５００オングストロ
ームを堆積する。そして、フォトリソグラフィー法によ
ってエッチング加工して遮光膜８が得られる。
し、他の条件はそのままで残りの２５００オングストロ
ームを堆積する。そして、フォトリソグラフィー法によ
ってエッチング加工して遮光膜８が得られる。
【００１４】そして、この遮光膜８の上を覆うように透
明絶縁膜２５を形成する。透明絶縁膜２５には、例えば
ＴＥＯＳとＯ2 との混合ガスを使用したプラズマＣＶＤ
で形成するＳｉＯx 膜を使用することができる。また、
成膜温度を変化させた複数層から成る膜を形成しても良
い。
明絶縁膜２５を形成する。透明絶縁膜２５には、例えば
ＴＥＯＳとＯ2 との混合ガスを使用したプラズマＣＶＤ
で形成するＳｉＯx 膜を使用することができる。また、
成膜温度を変化させた複数層から成る膜を形成しても良
い。
【００１５】次に、ＩＴＯとＭｏ−Ｗ合金を積層成膜
し、フォトリソグラフィー法によってエッチング加工し
て、表示画素電極４と一体化したソース電極１２及びド
レイン電極１０を形成する。
し、フォトリソグラフィー法によってエッチング加工し
て、表示画素電極４と一体化したソース電極１２及びド
レイン電極１０を形成する。
【００１６】次に、これらを覆うように、能動層１４と
しての膜厚０．１μｍのａ−Ｓｉを、低抵抗層としての
ｎ+ ｐｏｌｙ−Ｓｉを、ゲート絶縁膜２６としての膜厚
０．４μｍのＳｉＮx 膜を順次形成する。
しての膜厚０．１μｍのａ−Ｓｉを、低抵抗層としての
ｎ+ ｐｏｌｙ−Ｓｉを、ゲート絶縁膜２６としての膜厚
０．４μｍのＳｉＮx 膜を順次形成する。
【００１７】続いて、ＡｌとＭｏを積層し、フォトリソ
グラフィーによってエッチング加工してゲート電極１５
を形成する。次に同一パターンで、ＳｉＮx 膜をエッチ
ングし、ゲート電極１５のない部分にａ−Ｓｉを露出さ
せる。そして、レジスト剥離後、ゲート電極１５をマス
クとしてａ−Ｓｉ層にＰをドーピングし、さらにＸｅＣ
ｌエキシマレーザーを照射して結晶化させる。
グラフィーによってエッチング加工してゲート電極１５
を形成する。次に同一パターンで、ＳｉＮx 膜をエッチ
ングし、ゲート電極１５のない部分にａ−Ｓｉを露出さ
せる。そして、レジスト剥離後、ゲート電極１５をマス
クとしてａ−Ｓｉ層にＰをドーピングし、さらにＸｅＣ
ｌエキシマレーザーを照射して結晶化させる。
【００１８】そして、Ｎ型多結晶シリコンを、フォトリ
ソグラフィーによってエッチング加工して、ソース領域
とドレイン領域を形成する。最後に、全体を例えばＳｉ
Ｎx などの保護膜２７で覆い、画素部と周辺電極部上の
保護膜２７を除去する。
ソグラフィーによってエッチング加工して、ソース領域
とドレイン領域を形成する。最後に、全体を例えばＳｉ
Ｎx などの保護膜２７で覆い、画素部と周辺電極部上の
保護膜２７を除去する。
【００１９】この時点では、ソース、ドレイン電極と同
様に、表示画素電極４はＩＴＯ上に不透明なＭｏ−Ｗが
乗っているので、これもエッチングする。以上の工程に
より、本発明の遮光膜８をガラス基板１９上に乗せた表
示画素電極アレイ基板５を形成し、この表示画素電極ア
レイ基板５と対向基板６とを各電極面を向き合わせてシ
ール材（図示せず）、スペーサ等（図示せず）を介して
貼り付け、液晶７を封入し、バックライトを表示画素電
極アレイ基板５側に配設して液晶表示装置を得ることが
できる。
様に、表示画素電極４はＩＴＯ上に不透明なＭｏ−Ｗが
乗っているので、これもエッチングする。以上の工程に
より、本発明の遮光膜８をガラス基板１９上に乗せた表
示画素電極アレイ基板５を形成し、この表示画素電極ア
レイ基板５と対向基板６とを各電極面を向き合わせてシ
ール材（図示せず）、スペーサ等（図示せず）を介して
貼り付け、液晶７を封入し、バックライトを表示画素電
極アレイ基板５側に配設して液晶表示装置を得ることが
できる。
【００２０】また、バックライトが対向基板６側に配設
される場合、遮光膜８を形成する工程は、初期の２５０
０オングストロームを成膜圧力０．７５Ｐａで成膜し、
終期の２５００オングストロームを０．５Ｐａで成膜す
る。図２にこの遮光膜８部分の拡大図を示す。
される場合、遮光膜８を形成する工程は、初期の２５０
０オングストロームを成膜圧力０．７５Ｐａで成膜し、
終期の２５００オングストロームを０．５Ｐａで成膜す
る。図２にこの遮光膜８部分の拡大図を示す。
【００２１】また、図３に示すような形状のＴＦＴ、つ
まり、ゲート電極１５が下層にあり、その上にゲート絶
縁層１７、能動層１４、低抵抗ｎ+ ａ−Ｓｉ膜１３、そ
してソース電極１２、ドレイン電極１０、さらにパッシ
ベーション膜９が形成されている形状のＴＦＴの場合、
遮光膜８は、パッシベーション膜９の上に形成される
か、またはパッシベーション膜９は形成せず、遮光膜８
がその役割を兼ねて形成される場合もある。
まり、ゲート電極１５が下層にあり、その上にゲート絶
縁層１７、能動層１４、低抵抗ｎ+ ａ−Ｓｉ膜１３、そ
してソース電極１２、ドレイン電極１０、さらにパッシ
ベーション膜９が形成されている形状のＴＦＴの場合、
遮光膜８は、パッシベーション膜９の上に形成される
か、またはパッシベーション膜９は形成せず、遮光膜８
がその役割を兼ねて形成される場合もある。
【００２２】このような形状のＴＦＴにも本発明は適用
することができ、例えばバックライトが表示画素電極ア
レイ基板５側であれば、遮光膜８を形成する工程の成膜
圧力を初期は０．５Ｐａとし、終期は０．７５Ｐａとし
て成膜する。また、バックライトが対向基板６側であれ
ば、初期を０．７５Ｐａ、終期を０．５Ｐａとして成膜
する。このようにすることによって、バックライトに面
する側の遮光膜面が高反射率となり、輝度の向上が望め
る。
することができ、例えばバックライトが表示画素電極ア
レイ基板５側であれば、遮光膜８を形成する工程の成膜
圧力を初期は０．５Ｐａとし、終期は０．７５Ｐａとし
て成膜する。また、バックライトが対向基板６側であれ
ば、初期を０．７５Ｐａ、終期を０．５Ｐａとして成膜
する。このようにすることによって、バックライトに面
する側の遮光膜面が高反射率となり、輝度の向上が望め
る。
【００２３】さらにまた、上記した２つのタイプのＴＦ
Ｔを用いた液晶表示装置で、それぞれバックライトが対
向基板６側に配設される場合もある。このときも、バッ
クライトに面する側の遮光膜８の成膜圧力を低くして反
射率を高くすることは言うまでもない。
Ｔを用いた液晶表示装置で、それぞれバックライトが対
向基板６側に配設される場合もある。このときも、バッ
クライトに面する側の遮光膜８の成膜圧力を低くして反
射率を高くすることは言うまでもない。
【００２４】さらに、図１および図３ではカラーフィル
タが対向基板６に形成されているが表示画素電極アレイ
基板５に形成されている液晶表示装置にも本発明は適用
することできる。
タが対向基板６に形成されているが表示画素電極アレイ
基板５に形成されている液晶表示装置にも本発明は適用
することできる。
【００２５】また、本実施例中のすべての場合で、遮光
膜８の反射率に関与するのは遮光膜８の初期に形成され
る面と、終期に形成される面であり、その下面と上面に
関与しない中間はどのような成膜方法でもかまわない。
また初期と終期の成膜圧力や、その他の成膜条件も本実
施例に限ったものではない。さらに、成膜圧力は２段階
でなくそれ以上の複数段階に変化させても良いし、ま
た、成膜圧力を段階的に変化させずに徐々に変化させて
もかまわない。
膜８の反射率に関与するのは遮光膜８の初期に形成され
る面と、終期に形成される面であり、その下面と上面に
関与しない中間はどのような成膜方法でもかまわない。
また初期と終期の成膜圧力や、その他の成膜条件も本実
施例に限ったものではない。さらに、成膜圧力は２段階
でなくそれ以上の複数段階に変化させても良いし、ま
た、成膜圧力を段階的に変化させずに徐々に変化させて
もかまわない。
【００２６】ここで、成膜圧力と反射率、透過率との関
係について詳細に説明する。ベース圧力をおよそ１．０
×１０-4Ｐａ、ＤＣ電力を５００Ｗ、成膜速度を２５０
オングストローム／ｍｉｎとし、Ｎ2 の成膜圧力を０．
５Ｐａ、０．６Ｐａ、０．７５Ｐａに変化させたときに
成膜される遮光膜について、波長ごとの反射率と透過率
の変化を図４に示す。同図において、人間の視角に最も
関係する波長とされる５５０ｎｍの波長についてみてみ
ると、遮光膜の最も重要な役割である「透過率」につい
てはどの成膜圧力で成膜しても０．２％とほぼ変化がな
いことが分かる。
係について詳細に説明する。ベース圧力をおよそ１．０
×１０-4Ｐａ、ＤＣ電力を５００Ｗ、成膜速度を２５０
オングストローム／ｍｉｎとし、Ｎ2 の成膜圧力を０．
５Ｐａ、０．６Ｐａ、０．７５Ｐａに変化させたときに
成膜される遮光膜について、波長ごとの反射率と透過率
の変化を図４に示す。同図において、人間の視角に最も
関係する波長とされる５５０ｎｍの波長についてみてみ
ると、遮光膜の最も重要な役割である「透過率」につい
てはどの成膜圧力で成膜しても０．２％とほぼ変化がな
いことが分かる。
【００２７】反射率を見ると、成膜圧力が小さくなるに
つれて反射率が大きくなっているのが分かる。０．７５
Ｐａのときは約０．４％、０．６Ｐａのときは０．６
％、さらに０．５Ｐａのときには約１４％にもなる。
つれて反射率が大きくなっているのが分かる。０．７５
Ｐａのときは約０．４％、０．６Ｐａのときは０．６
％、さらに０．５Ｐａのときには約１４％にもなる。
【００２８】したがって、本実施例のように下層側にバ
ックライトを配置した液晶表示装置では０．５Ｐａで成
膜した遮光膜の下層側の反射率が大きくなり、遮光膜で
遮光された光の約１４％が再び光源として利用される。
例えば、遮光膜の領域が５０％で、それ以外の開口部の
領域が５０％とすると（開口部５０％＋遮光部５０％×
遮光部の反射率１４％＝５７％）となり、遮光膜の下層
側が全く反射しない場合に比べて約７％の輝度の向上が
望める。
ックライトを配置した液晶表示装置では０．５Ｐａで成
膜した遮光膜の下層側の反射率が大きくなり、遮光膜で
遮光された光の約１４％が再び光源として利用される。
例えば、遮光膜の領域が５０％で、それ以外の開口部の
領域が５０％とすると（開口部５０％＋遮光部５０％×
遮光部の反射率１４％＝５７％）となり、遮光膜の下層
側が全く反射しない場合に比べて約７％の輝度の向上が
望める。
【００２９】また、表示を視認する側となる遮光膜の上
層側は、コントラストの低下を防ぐためにできるだけ低
い反射率であることが望ましい。本実施例ではＮ2 の成
膜圧力を０．７５Ｐａとし、遮光膜の反射率を約０．４
％に抑えることができた。しかも、下層、上層ともに透
過率は約０．２％という低い値で、遮光の役割を充分に
果たすものである。
層側は、コントラストの低下を防ぐためにできるだけ低
い反射率であることが望ましい。本実施例ではＮ2 の成
膜圧力を０．７５Ｐａとし、遮光膜の反射率を約０．４
％に抑えることができた。しかも、下層、上層ともに透
過率は約０．２％という低い値で、遮光の役割を充分に
果たすものである。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、遮光部の遮光特性は良
好なままで、開口部においては輝度を向上することがで
きる。
好なままで、開口部においては輝度を向上することがで
きる。
【図１】本発明の一実施例における液晶表示装置の断面
図である。
図である。
【図２】図１における遮光膜部分の拡大断面図である。
【図３】本発明の他の実施例における液晶表示装置の断
面図である。
面図である。
【図４】本発明の一実施例における成膜圧力の違いによ
る波長ごとの透過率、反射率との関係を示すグラフであ
る。
る波長ごとの透過率、反射率との関係を示すグラフであ
る。
３…ＴＦＴ ４…表示画素電極 ５…表示画素電極アレイ基板 ６…対向基板 ７…液晶 ８…遮光膜 ９…パッシベーション膜 １０…ドレイン電極 １１…エッチングストッパ膜 １２…ソース電極 １３…低抵抗 １４…能動層 １５…ゲート電極 １６、１７、２６…ゲート絶縁膜 １８…コンタクト電極 １９、２２…絶縁基板 ２０、２１…偏向板 ２３…カラーフィルタ ２４…対向電極 ２５…透明絶縁膜 ２７…保護膜
Claims (8)
- 【請求項１】 第１の基板と、前記第１の基板上に略平
行に形成された複数の走査線と、前記走査線に直交して
形成された複数の信号線と、前記走査線と前記信号線と
の交点近傍に形成されたスイッチング素子と、前記スイ
ッチング素子に接続して形成された表示画素電極と、を
有する表示画素電極アレイ基板と、 前記表示画素電極アレイ基板に対向して配置された第２
の基板と、前記第２の基板の一主面上に形成された対向
電極と、を有する対向基板と、 前記表示画素電極アレイ基板と対向基板との間隙に挟持
された液晶と、 前記表示画素電極アレイ基板側、または前記対向基板側
から照明を行うバックライトと、を有する液晶表示装置
において、 前記表示画素電極アレイ基板上に、絶縁体中に少なくと
も金属微粒子または半金属微粒子より選ばれた１種また
は２種以上の元素の微粒子が分散してなる遮光膜を有
し、前記遮光膜は前記バックライト側の面と反対側の面
とで反射率が異なり、前記バックライト側の面の反射率
が反対側の面の反射率より高いことを特徴とする液晶表
示装置。 - 【請求項２】 前記第１の基板と、前記第１の基板上に
形成された絶縁体中に少なくとも金属微粒子または半金
属微粒子より選ばれた１種または２種以上の元素の微粒
子が分散してなる遮光膜と、前記遮光膜の一部に対応し
て形成されたスイッチング素子と、を有する表示画素電
極アレイ基板と、 前記表示画素電極アレイ基板に対向して配置された第２
の基板と、前記第２の基板の一主面上に形成された対向
電極と、を有する対向基板と、前記表示画素電極アレイ
基板と対向基板との間隙に挟持された液晶と、前記表示
画素電極アレイ基板側から照明を行うバックライトと、
を有することを特徴とする請求項１記載の液晶表示装
置。 - 【請求項３】 前記第１の基板と、前記第１の基板上に
形成された絶縁体中に少なくとも金属微粒子または半金
属微粒子より選ばれた１種または２種以上の元素の微粒
子が分散してなる遮光膜と、前記遮光膜の一部に対応し
て形成されたスイッチング素子と、を有する表示画素電
極アレイ基板と、 前記表示画素電極アレイ基板に対向して配置された第２
の基板と、前記第２の基板の一主面上に形成された対向
電極と、を有する対向基板と、前記表示画素電極アレイ
基板と対向基板との間隙に挟持された液晶と、前記対向
基板側から照明を行うバックライトと、を有することを
特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記第１の基板と、前記第１の基板上に
形成されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子
上を覆って形成された絶縁体中に少なくとも金属微粒子
または半金属微粒子より選ばれた１種または２種以上の
元素の微粒子が分散してなる遮光膜と、を有する表示画
素電極アレイ基板と、 前記表示画素電極アレイ基板に対向して配置された第２
の基板と、前記第２の基板の一主面上に形成された対向
電極と、を有する対向基板と、 前記表示画素電極アレイ基板と対向基板との間隙に挟持
された液晶と、 前記表示画素電極アレイ基板側から照明を行うバックラ
イトと、を有することを特徴とする請求項１記載の液晶
表示装置。 - 【請求項５】 前記第１の基板と、前記第１の基板上に
形成された絶縁体中に少なくとも金属微粒子または半金
属微粒子より選ばれた１種または２種以上の元素の微粒
子が分散してなる遮光膜と、前記遮光膜の一部に対応し
て形成されたスイッチング素子と、を有する表示画素電
極アレイ基板と、 前記表示画素電極アレイ基板に対向して配置された第２
の基板と、前記第２の基板の一主面上に形成された対向
電極と、を有する対向基板と、 前記表示画素電極アレイ基板と対向基板との間隙に挟持
された液晶と、 前記対向基板側から照明を行うバックライトと、を有す
ることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項６】 第１の基板上に絶縁体中に少なくとも金
属微粒子または半金属微粒子より選ばれた１種または２
種以上の元素の微粒子が分散してなる遮光膜を形成する
工程と、前記遮光膜の一部に対応した領域にスイッチン
グ素子を形成する工程と、を含む表示画素電極アレイ基
板を形成する工程と、 第２の基板上に対向電極を形成する工程を含む対向基板
を形成する工程と、 前記表示画素電極アレイ基板と前記対向基板とを貼り合
わせる工程と、 前記表示画素電極アレイ基板と前記対向基板との間隙に
液晶を注入し封止する工程と、を有する液晶表示装置の
製造方法において、 前記遮光膜を形成する工程は、成膜圧力が変化すること
を特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記表示画素電極アレイ基板側から照明
を行う請求項６記載の液晶表示装置の製造方法であっ
て、前記遮光膜を形成する工程は、初期の成膜圧力が終
期より低いことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記対向基板側から照明を行う請求項６
記載の液晶表示装置の製造方法であって、前記遮光膜を
形成する工程は、初期の成膜圧力が終期より高いことを
特徴とする液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7338996A JPH09265109A (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | 液晶表示装置、およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7338996A JPH09265109A (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | 液晶表示装置、およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09265109A true JPH09265109A (ja) | 1997-10-07 |
Family
ID=13516800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7338996A Pending JPH09265109A (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | 液晶表示装置、およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09265109A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100439925B1 (ko) * | 2000-11-22 | 2004-07-12 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 액정 표시 장치 |
| US6765230B2 (en) * | 1998-11-26 | 2004-07-20 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic equipment |
-
1996
- 1996-03-28 JP JP7338996A patent/JPH09265109A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6765230B2 (en) * | 1998-11-26 | 2004-07-20 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic equipment |
| US6872975B2 (en) | 1998-11-26 | 2005-03-29 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic equipment |
| KR100439925B1 (ko) * | 2000-11-22 | 2004-07-12 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 액정 표시 장치 |
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