JPH1115019A - 液晶表示装置とその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置とその製造方法Info
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- JPH1115019A JPH1115019A JP16780097A JP16780097A JPH1115019A JP H1115019 A JPH1115019 A JP H1115019A JP 16780097 A JP16780097 A JP 16780097A JP 16780097 A JP16780097 A JP 16780097A JP H1115019 A JPH1115019 A JP H1115019A
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- gate insulating
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- insulating film
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 画面における表示画像の明るさを向上するこ
とができる液晶表示装置とその製造方法を提供する。 【解決手段】 ＴＦＴアレイ基板Ｔ１上に形成された第
１および第２のゲート絶縁膜３，４による光の吸収およ
び第１および第２のゲート絶縁膜３，４間または他の透
明膜との界面における光の反射を低減する。
とができる液晶表示装置とその製造方法を提供する。 【解決手段】 ＴＦＴアレイ基板Ｔ１上に形成された第
１および第２のゲート絶縁膜３，４による光の吸収およ
び第１および第２のゲート絶縁膜３，４間または他の透
明膜との界面における光の反射を低減する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の薄膜トラン
ジスタが形成されたＴＦＴアレイ基板を用いて液晶を駆
動する透過型の液晶表示装置とその製造方法に関するも
のである。
ジスタが形成されたＴＦＴアレイ基板を用いて液晶を駆
動する透過型の液晶表示装置とその製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、画像表示装置として、一主面
上に複数の薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略称す
る）が形成されたＴＦＴアレイ基板を用いて、カラーフ
ィルタ基板との間に挟持された液晶を駆動し、その液晶
により画像を表示する透過型の液晶表示装置が広く利用
されている。
上に複数の薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略称す
る）が形成されたＴＦＴアレイ基板を用いて、カラーフ
ィルタ基板との間に挟持された液晶を駆動し、その液晶
により画像を表示する透過型の液晶表示装置が広く利用
されている。
【０００３】以下、従来の透過型の液晶表示装置につい
て、図５を用いて説明する。図５は従来の液晶表示装置
の構成を示す平面図および断面図である。まず、１つの
透明ガラス基板１ａ上に、タンタルやクロム等からなる
ゲート電極およびゲート配線２を形成する。次に、第１
のゲート絶縁膜（酸化タンタル膜）３と第２のゲート絶
縁膜（シリコン窒化膜）４の２層の絶縁膜からなるゲー
ト絶縁膜ＧＺ１を、それぞれの絶縁膜３，４をスパッタ
法および気相成長法を用いて堆積させることにより形成
する。次に、印加される電圧によってその抵抗値が変化
しＴＦＴをスイッチとして機能させる半導体膜（アモル
ファスシリコン膜）５を形成する。次に、透明導電体か
らなる画素電極７を形成する。そして、チタン，アルミ
ニウム，タンタル，モリブデン等からなるソース電極お
よびソース配線８ａとドレイン電極８ｂとを同時に形成
する。以上の製造工程により、ＴＦＴアレイ基板Ｔ１が
完成する。
て、図５を用いて説明する。図５は従来の液晶表示装置
の構成を示す平面図および断面図である。まず、１つの
透明ガラス基板１ａ上に、タンタルやクロム等からなる
ゲート電極およびゲート配線２を形成する。次に、第１
のゲート絶縁膜（酸化タンタル膜）３と第２のゲート絶
縁膜（シリコン窒化膜）４の２層の絶縁膜からなるゲー
ト絶縁膜ＧＺ１を、それぞれの絶縁膜３，４をスパッタ
法および気相成長法を用いて堆積させることにより形成
する。次に、印加される電圧によってその抵抗値が変化
しＴＦＴをスイッチとして機能させる半導体膜（アモル
ファスシリコン膜）５を形成する。次に、透明導電体か
らなる画素電極７を形成する。そして、チタン，アルミ
ニウム，タンタル，モリブデン等からなるソース電極お
よびソース配線８ａとドレイン電極８ｂとを同時に形成
する。以上の製造工程により、ＴＦＴアレイ基板Ｔ１が
完成する。
【０００４】ここで、ゲート絶縁膜ＧＺ１を２層より構
成する理由は、行方向に延在するゲート配線２群と列方
向に延在するソース配線８ａ群の多数のクロス部におい
て、その間に介在する膜はゲート絶縁膜ＧＺ１である
が、このゲート絶縁膜ＧＺ１を２層にすることによっ
て、ゲート絶縁膜ＧＺ１上のピンホール数が大幅に低減
されることにより、前記のクロス部での短絡不良が大幅
に低減されるという利点が得られるためである。
成する理由は、行方向に延在するゲート配線２群と列方
向に延在するソース配線８ａ群の多数のクロス部におい
て、その間に介在する膜はゲート絶縁膜ＧＺ１である
が、このゲート絶縁膜ＧＺ１を２層にすることによっ
て、ゲート絶縁膜ＧＺ１上のピンホール数が大幅に低減
されることにより、前記のクロス部での短絡不良が大幅
に低減されるという利点が得られるためである。
【０００５】さらにここで、第１のゲート絶縁膜３とし
て用いた酸化タンタル膜は、半導体膜５のパターンを作
製するためのウエットエッチング工程で用いられる弗酸
系の薬品に対して強い耐性を有し、ピンホールが形成さ
れにくく優れた層間絶縁膜である。
て用いた酸化タンタル膜は、半導体膜５のパターンを作
製するためのウエットエッチング工程で用いられる弗酸
系の薬品に対して強い耐性を有し、ピンホールが形成さ
れにくく優れた層間絶縁膜である。
【０００６】また、上記の酸化タンタル膜は、比誘電率
が約２３で他の絶縁膜に比較して非常に高いため、ＴＦ
Ｔにおいて、ゲート−ソース間の電界が高くなり大きな
オン時の電流が得られ、ＴＦＴサイズをより小さくする
ことができるという利点も有している。
が約２３で他の絶縁膜に比較して非常に高いため、ＴＦ
Ｔにおいて、ゲート−ソース間の電界が高くなり大きな
オン時の電流が得られ、ＴＦＴサイズをより小さくする
ことができるという利点も有している。
【０００７】一方、もう一つの透明ガラス基板１ｂに
は、クロム等からなるブラックマトリクス９を形成した
後、各画素に対応して、赤または緑または青色のカラー
フィルタ１０を形成する。そして、透明導電体からなる
共通電極１１を透明ガラス基板１ｂ全体に形成すること
により、カラーフィルタ基板Ｆ１が完成する。
は、クロム等からなるブラックマトリクス９を形成した
後、各画素に対応して、赤または緑または青色のカラー
フィルタ１０を形成する。そして、透明導電体からなる
共通電極１１を透明ガラス基板１ｂ全体に形成すること
により、カラーフィルタ基板Ｆ１が完成する。
【０００８】そして、ＴＦＴアレイ基板Ｔ１およびカラ
ーフィルタ基板Ｆ１をそれぞれ構成する２枚の透明ガラ
ス基板１ａ，１ｂを、その間に一定の直径を有するビー
ズ１３を介在させることによって、一定のギャップを持
たせて張り合せる。その後、そのギャップに液晶１２を
注入し、透明ガラス基板の前後に偏光板を配置すること
により、液晶表示装置が完成する。
ーフィルタ基板Ｆ１をそれぞれ構成する２枚の透明ガラ
ス基板１ａ，１ｂを、その間に一定の直径を有するビー
ズ１３を介在させることによって、一定のギャップを持
たせて張り合せる。その後、そのギャップに液晶１２を
注入し、透明ガラス基板の前後に偏光板を配置すること
により、液晶表示装置が完成する。
【０００９】以上のようにして製造され構成される液晶
表示装置において、ゲート電極およびゲート配線２，半
導体膜５，ソース電極およびソース配線８ａ，ドレイン
電極８ｂなどからなるＴＦＴ２０はスイッチとして機能
し、ＴＦＴ２０のゲート配線２にパルス信号が印加され
てＴＦＴ２０がオン状態になると、ソース電極８ａより
半導体膜５，ドレイン電極８ｂを経由し、画素電極７に
信号が供給される。その結果、画素電極７と上部の透明
ガラス基板１ｂの共通電極１１の間に電圧が印加され、
その間の液晶１２の分子の配列状態が変化する。その間
を通過する光の偏光状態が変化することによって、偏光
板を通過する光の強度が変化する。
表示装置において、ゲート電極およびゲート配線２，半
導体膜５，ソース電極およびソース配線８ａ，ドレイン
電極８ｂなどからなるＴＦＴ２０はスイッチとして機能
し、ＴＦＴ２０のゲート配線２にパルス信号が印加され
てＴＦＴ２０がオン状態になると、ソース電極８ａより
半導体膜５，ドレイン電極８ｂを経由し、画素電極７に
信号が供給される。その結果、画素電極７と上部の透明
ガラス基板１ｂの共通電極１１の間に電圧が印加され、
その間の液晶１２の分子の配列状態が変化する。その間
を通過する光の偏光状態が変化することによって、偏光
板を通過する光の強度が変化する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな従来の液晶表示装置では、ＴＦＴアレイ基板Ｔ１の
画素電極７を通過する光の量が多いほど表示画像の明る
さが向上するが、画素電極７の下には、第１のゲート絶
縁膜３と第２のゲート絶縁膜４からなるゲート絶縁膜Ｇ
Ｚ１が存在し、このゲート絶縁膜ＧＺ１は、必ずしも１
００％の光透過率を有しているとは限らず、この部分で
一部の光は吸収されてしまう。
うな従来の液晶表示装置では、ＴＦＴアレイ基板Ｔ１の
画素電極７を通過する光の量が多いほど表示画像の明る
さが向上するが、画素電極７の下には、第１のゲート絶
縁膜３と第２のゲート絶縁膜４からなるゲート絶縁膜Ｇ
Ｚ１が存在し、このゲート絶縁膜ＧＺ１は、必ずしも１
００％の光透過率を有しているとは限らず、この部分で
一部の光は吸収されてしまう。
【００１１】また、ゲート絶縁膜ＧＺ１，透明ガラス基
板１ａおよび画素電極７などの屈折率がそれぞれ異なる
ことから、それらの界面で光の反射が生じる。先に述べ
たように、ゲート絶縁膜ＧＺ１は複数の層の膜で構成さ
れる場合が多く、その結果、界面の数が増加し、それら
の部分で光の反射が生じる。
板１ａおよび画素電極７などの屈折率がそれぞれ異なる
ことから、それらの界面で光の反射が生じる。先に述べ
たように、ゲート絶縁膜ＧＺ１は複数の層の膜で構成さ
れる場合が多く、その結果、界面の数が増加し、それら
の部分で光の反射が生じる。
【００１２】以上の理由により、画素電極７部分におけ
る光の透過量が低減し、画面上での表示画像の明るさが
低減するという問題点を有していた。本発明は、上記従
来の問題点を解決するもので、ＴＦＴアレイ基板におけ
る画素電極部分での光の透過度を増大することができ、
画面における表示画像の明るさを向上することができる
液晶表示装置とその製造方法を提供する。
る光の透過量が低減し、画面上での表示画像の明るさが
低減するという問題点を有していた。本発明は、上記従
来の問題点を解決するもので、ＴＦＴアレイ基板におけ
る画素電極部分での光の透過度を増大することができ、
画面における表示画像の明るさを向上することができる
液晶表示装置とその製造方法を提供する。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明の液晶表示装置とその製造方法は、第１の
基板上に形成されたゲート絶縁膜による光の吸収および
ゲート絶縁膜間または他の透明膜との界面における光の
反射を低減することを特徴とする。
めに、本発明の液晶表示装置とその製造方法は、第１の
基板上に形成されたゲート絶縁膜による光の吸収および
ゲート絶縁膜間または他の透明膜との界面における光の
反射を低減することを特徴とする。
【００１４】以上により、第１の基板における画素電極
部分での光の透過度を増大することができ、画面におけ
る表示画像の明るさを向上することができる。また、画
素電極下に配置された透明樹脂膜により、先に画素電極
下のゲート絶縁膜を開口除去したときにその画素電極周
囲に生じる凹型の段差を平坦化し、段差がある場合にそ
の段差部で生じる可能性のある液晶分子の配向不良を低
減することを特徴とする。
部分での光の透過度を増大することができ、画面におけ
る表示画像の明るさを向上することができる。また、画
素電極下に配置された透明樹脂膜により、先に画素電極
下のゲート絶縁膜を開口除去したときにその画素電極周
囲に生じる凹型の段差を平坦化し、段差がある場合にそ
の段差部で生じる可能性のある液晶分子の配向不良を低
減することを特徴とする。
【００１５】以上により、液晶分子の配向不良によって
生じる表示画像のざらつき不良を解消することができ、
画面における画像の表示品位を向上することができる。
生じる表示画像のざらつき不良を解消することができ、
画面における画像の表示品位を向上することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の液晶表
示装置は、対向するように配置された２枚の透明基板の
一方の一主面上に、ゲート電極，ゲート絶縁膜，半導体
膜，ソース電極およびドレイン電極からなる複数の薄膜
トランジスタと、透明導電体からなり各薄膜トランジス
タのドレイン電極に接続された画素電極とが、前記画素
電極がゲート絶縁膜より上層に位置するように形成され
た第１の基板と、前記２枚の透明基板の他方の一主面上
に、透明導電体からなる共通電極が前記画素電極に対向
するように形成された第２の基板とを備え、前記２枚の
基板間に挟持された液晶を前記薄膜トランジスタのスイ
ッチングにより駆動して前記第１の基板からの透過光を
制御することにより、画像を表示する透過型の液晶表示
装置において、前記ゲート絶縁膜を、その画素電極下の
部分を除去した状態に形成した構成とする。
示装置は、対向するように配置された２枚の透明基板の
一方の一主面上に、ゲート電極，ゲート絶縁膜，半導体
膜，ソース電極およびドレイン電極からなる複数の薄膜
トランジスタと、透明導電体からなり各薄膜トランジス
タのドレイン電極に接続された画素電極とが、前記画素
電極がゲート絶縁膜より上層に位置するように形成され
た第１の基板と、前記２枚の透明基板の他方の一主面上
に、透明導電体からなる共通電極が前記画素電極に対向
するように形成された第２の基板とを備え、前記２枚の
基板間に挟持された液晶を前記薄膜トランジスタのスイ
ッチングにより駆動して前記第１の基板からの透過光を
制御することにより、画像を表示する透過型の液晶表示
装置において、前記ゲート絶縁膜を、その画素電極下の
部分を除去した状態に形成した構成とする。
【００１７】この構成によると、第１の基板上に形成さ
れたゲート絶縁膜による光の吸収およびゲート絶縁膜間
または他の透明膜との界面における光の反射を低減す
る。請求項２に記載の液晶表示装置は、請求項１に記載
のゲート絶縁膜を、２層以上の絶縁膜で構成する。
れたゲート絶縁膜による光の吸収およびゲート絶縁膜間
または他の透明膜との界面における光の反射を低減す
る。請求項２に記載の液晶表示装置は、請求項１に記載
のゲート絶縁膜を、２層以上の絶縁膜で構成する。
【００１８】この構成によると、第１の基板上に形成さ
れたゲート絶縁膜間または他の透明膜との界面における
光の反射を低減する。請求項３に記載の液晶表示装置
は、請求項２に記載のゲート絶縁膜を、その一層または
全層を酸化タンタルにより形成した構成とする。
れたゲート絶縁膜間または他の透明膜との界面における
光の反射を低減する。請求項３に記載の液晶表示装置
は、請求項２に記載のゲート絶縁膜を、その一層または
全層を酸化タンタルにより形成した構成とする。
【００１９】この構成によると、第１の基板上に形成さ
れたゲート絶縁膜による光の吸収およびゲート絶縁膜間
または他の透明膜との界面における光の反射を低減す
る。請求項４に記載の液晶表示装置の製造方法は、請求
項１または請求項２または請求項３に記載の液晶表示装
置の製造方法であって、画素電極下の部分のゲート絶縁
膜を除去する工程を、ゲート電極とソース電極との間に
介在するゲート絶縁膜に開口を設けるためにその部分を
除去する工程と同時に行う方法とする。
れたゲート絶縁膜による光の吸収およびゲート絶縁膜間
または他の透明膜との界面における光の反射を低減す
る。請求項４に記載の液晶表示装置の製造方法は、請求
項１または請求項２または請求項３に記載の液晶表示装
置の製造方法であって、画素電極下の部分のゲート絶縁
膜を除去する工程を、ゲート電極とソース電極との間に
介在するゲート絶縁膜に開口を設けるためにその部分を
除去する工程と同時に行う方法とする。
【００２０】この方法によると、画素電極下のゲート絶
縁膜を除去するために新たな工程を追加する必要がな
く、従来と同一工程での作製を可能とする。請求項５に
記載の液晶表示装置は、請求項１または請求項２または
請求項３に記載の画素電極を、第１の基板を構成する側
の透明基板の一主面上に塗布された透明樹脂膜を介し
て、ゲート絶縁膜より上層に位置するように形成した構
成とする。
縁膜を除去するために新たな工程を追加する必要がな
く、従来と同一工程での作製を可能とする。請求項５に
記載の液晶表示装置は、請求項１または請求項２または
請求項３に記載の画素電極を、第１の基板を構成する側
の透明基板の一主面上に塗布された透明樹脂膜を介し
て、ゲート絶縁膜より上層に位置するように形成した構
成とする。
【００２１】この構成によると、画素電極下に配置され
た透明樹脂膜により、先に画素電極下のゲート絶縁膜を
開口除去したときにその画素電極周囲に生じる凹型の段
差を平坦化し、段差がある場合にその段差部で生じる可
能性のある液晶分子の配向不良を低減する。
た透明樹脂膜により、先に画素電極下のゲート絶縁膜を
開口除去したときにその画素電極周囲に生じる凹型の段
差を平坦化し、段差がある場合にその段差部で生じる可
能性のある液晶分子の配向不良を低減する。
【００２２】以下、本発明の実施の形態を示す液晶表示
装置とその製造方法について、図面を参照しながら具体
的に説明する。 （実施の形態１）本発明の実施の形態１の液晶表示装置
とその製造方法について説明する。
装置とその製造方法について、図面を参照しながら具体
的に説明する。 （実施の形態１）本発明の実施の形態１の液晶表示装置
とその製造方法について説明する。
【００２３】図１は本実施の形態１の液晶表示装置にお
ける画面部の一構成例を示す平面図およびその断面図で
ある。また、図２は同実施の形態１の液晶表示装置に信
号を供給するＩＣを接続するための実装電極部２２の構
成を示すものである。
ける画面部の一構成例を示す平面図およびその断面図で
ある。また、図２は同実施の形態１の液晶表示装置に信
号を供給するＩＣを接続するための実装電極部２２の構
成を示すものである。
【００２４】まず、一方の透明基板である透明ガラス基
板１ａ上に、クロム等の材料を用いて、約２００ｎｍの
膜厚でゲート配線およびゲート電極２を形成する。その
後、ゲート絶縁膜として、第１のゲート絶縁膜３となる
約１５０ｎｍの膜厚の酸化タンタル膜と、第２のゲート
絶縁膜４となる約２００ｎｍのシリコン窒化膜とを堆積
させる。
板１ａ上に、クロム等の材料を用いて、約２００ｎｍの
膜厚でゲート配線およびゲート電極２を形成する。その
後、ゲート絶縁膜として、第１のゲート絶縁膜３となる
約１５０ｎｍの膜厚の酸化タンタル膜と、第２のゲート
絶縁膜４となる約２００ｎｍのシリコン窒化膜とを堆積
させる。
【００２５】次に、ＴＦＴ２０のスイッチとして機能す
る半導体膜５として、アモルファスシリコン膜を約５０
ｎｍの膜厚で堆積させた後、ＴＦＴ２０部分に島状のパ
ターンを形成する。そして、図２に示すように、ゲート
配線２の端部のゲート絶縁膜３，４上に、ＣＦ４等の弗
素系のガスを用いたドライエッチング工程で、開口穴６
を形成する。この時、図１に示すように、画素電極７が
配置される部分のゲート絶縁膜３，４も同時に開口除去
して開口穴６を形成する。
る半導体膜５として、アモルファスシリコン膜を約５０
ｎｍの膜厚で堆積させた後、ＴＦＴ２０部分に島状のパ
ターンを形成する。そして、図２に示すように、ゲート
配線２の端部のゲート絶縁膜３，４上に、ＣＦ４等の弗
素系のガスを用いたドライエッチング工程で、開口穴６
を形成する。この時、図１に示すように、画素電極７が
配置される部分のゲート絶縁膜３，４も同時に開口除去
して開口穴６を形成する。
【００２６】次に、ＩＴＯ等の透明導電体を用いて、約
１００ｎｍの膜厚で画素電極７を形成し、最後に、アル
ミニウム等の金属を用いて、約３００ｎｍの膜厚で、ソ
ース配線およびソース電極８ａ，ドレイン電極８ｂおよ
び実装電極８ｃを形成する。この時、図２に示すよう
に、開口穴６を介してゲート配線２と実装電極８ｃを接
続する。以上の製造工程により、第１の基板であるＴＦ
Ｔアレイ基板Ｔ１が完成する。
１００ｎｍの膜厚で画素電極７を形成し、最後に、アル
ミニウム等の金属を用いて、約３００ｎｍの膜厚で、ソ
ース配線およびソース電極８ａ，ドレイン電極８ｂおよ
び実装電極８ｃを形成する。この時、図２に示すよう
に、開口穴６を介してゲート配線２と実装電極８ｃを接
続する。以上の製造工程により、第１の基板であるＴＦ
Ｔアレイ基板Ｔ１が完成する。
【００２７】ここで、図２に示すように、ゲート配線２
を実装電極８ｃに変換する理由として、アルミニウムを
実装電極８ｃに用いることによって、駆動ＩＣとの接続
抵抗を低減し、歪みのない信号をゲート配線２に供給で
きるためである。
を実装電極８ｃに変換する理由として、アルミニウムを
実装電極８ｃに用いることによって、駆動ＩＣとの接続
抵抗を低減し、歪みのない信号をゲート配線２に供給で
きるためである。
【００２８】一方、図１に示すように、他方の透明基板
であるもう一つの透明ガラス基板１ｂには、クロム等か
らなるブラックマトリクス９を形成した後、各画素に対
応して、赤または緑または青色のカラーフィルタ１０を
形成する。そして、透明導電体からなる共通電極１１を
基板全体に形成する。以上の製造工程により、第２の基
板であるカラーフィルタ基板Ｆ１が完成する。
であるもう一つの透明ガラス基板１ｂには、クロム等か
らなるブラックマトリクス９を形成した後、各画素に対
応して、赤または緑または青色のカラーフィルタ１０を
形成する。そして、透明導電体からなる共通電極１１を
基板全体に形成する。以上の製造工程により、第２の基
板であるカラーフィルタ基板Ｆ１が完成する。
【００２９】そして、この２枚の透明ガラス基板1a，１
ｂを、それらの間に図５に示すような一定の直径のビー
ズ１３を介在させることによって、一定のギャップを形
成して張り合せる。そして、そのギャップ間に液晶１２
を注入し、透明ガラス基板前後に偏光板を配置すること
によって、液晶表示装置が完成する。
ｂを、それらの間に図５に示すような一定の直径のビー
ズ１３を介在させることによって、一定のギャップを形
成して張り合せる。そして、そのギャップ間に液晶１２
を注入し、透明ガラス基板前後に偏光板を配置すること
によって、液晶表示装置が完成する。
【００３０】ここで第２のゲート絶縁膜４として用いた
シリコン窒化膜は、約２００ｎｍの膜厚で、λ＝５５０
ｎｍの波長の光に対して９５％の透過率であり、また、
第１のゲート絶縁膜３として用いた酸化タンタル膜は、
約１５０ｎｍの膜厚で、同波長の光に対して、８５％の
透過率である。一方、酸化タンタル膜と透明ガラス基板
１ａとの界面での反射は１．２％、シリコン窒化膜と酸
化タンタル膜との界面での反射はほぼ０％である。
シリコン窒化膜は、約２００ｎｍの膜厚で、λ＝５５０
ｎｍの波長の光に対して９５％の透過率であり、また、
第１のゲート絶縁膜３として用いた酸化タンタル膜は、
約１５０ｎｍの膜厚で、同波長の光に対して、８５％の
透過率である。一方、酸化タンタル膜と透明ガラス基板
１ａとの界面での反射は１．２％、シリコン窒化膜と酸
化タンタル膜との界面での反射はほぼ０％である。
【００３１】以上により、ＴＦＴアレイ基板上に形成さ
れたゲート絶縁膜による光の吸収およびゲート絶縁膜間
または他の透明膜との界面における光の反射を低減する
ことができる。
れたゲート絶縁膜による光の吸収およびゲート絶縁膜間
または他の透明膜との界面における光の反射を低減する
ことができる。
【００３２】その結果、ゲート絶縁膜において従来生じ
ていた光の吸収および反射による約２０％の光の透過ロ
スを解消することができ、従来より２５％明るい表示画
像を得ることができる。 （実施の形態２）本発明の実施の形態２の液晶表示装置
とその製造方法について説明する。
ていた光の吸収および反射による約２０％の光の透過ロ
スを解消することができ、従来より２５％明るい表示画
像を得ることができる。 （実施の形態２）本発明の実施の形態２の液晶表示装置
とその製造方法について説明する。
【００３３】図３は本実施の形態２の液晶表示装置にお
ける画面部の一構成例を示す平面図およびその断面図で
ある。また、図４は同実施の形態２の液晶表示装置に信
号を供給するＩＣを接続するための実装電極部２２の構
成を示すものである。
ける画面部の一構成例を示す平面図およびその断面図で
ある。また、図４は同実施の形態２の液晶表示装置に信
号を供給するＩＣを接続するための実装電極部２２の構
成を示すものである。
【００３４】まず、実施の形態１の場合と同様に、透明
ガラス基板１ａ上にゲート電極２から半導体膜５まで形
成し、図４に示すように、ゲート配線２の端部のゲート
絶縁膜3，４上に、ＣＦ４等の弗素系のガスを用いたド
ライエッチング工程で、開口穴６を形成する。この時
も、図３に示すように、画素電極７が配置される部分も
同時に開口して開口穴６を形成する。その後、タンタル
等の金属を用いて、ソース配線およびソース電極８ａ，
ドレイン電極８ｂおよび実装電極８ｃを形成する。この
時、図４に示すように、開口穴６を介してゲート配線２
と実装電極８ｃを接続する。
ガラス基板１ａ上にゲート電極２から半導体膜５まで形
成し、図４に示すように、ゲート配線２の端部のゲート
絶縁膜3，４上に、ＣＦ４等の弗素系のガスを用いたド
ライエッチング工程で、開口穴６を形成する。この時
も、図３に示すように、画素電極７が配置される部分も
同時に開口して開口穴６を形成する。その後、タンタル
等の金属を用いて、ソース配線およびソース電極８ａ，
ドレイン電極８ｂおよび実装電極８ｃを形成する。この
時、図４に示すように、開口穴６を介してゲート配線２
と実装電極８ｃを接続する。
【００３５】次に、透明樹脂膜である感光性の透明平坦
化樹脂膜２３を、約３ミクロンの膜厚で透明ガラス基板
１ａ上の一面に塗布する。その後、ドレイン電極８ｂ上
および実装電極８ｃ上の一部の透明平坦化樹脂膜２３に
紫外線を照射し分解させた後、現像液に浸せてこの透明
平坦化樹脂膜２３を除去する。この結果、実装電極８ｃ
およびドレイン電極８ｂの一部が、透明平坦化樹脂膜２
３から露出される。
化樹脂膜２３を、約３ミクロンの膜厚で透明ガラス基板
１ａ上の一面に塗布する。その後、ドレイン電極８ｂ上
および実装電極８ｃ上の一部の透明平坦化樹脂膜２３に
紫外線を照射し分解させた後、現像液に浸せてこの透明
平坦化樹脂膜２３を除去する。この結果、実装電極８ｃ
およびドレイン電極８ｂの一部が、透明平坦化樹脂膜２
３から露出される。
【００３６】次に、透明導電体膜を約１５０ｎｍの膜厚
で堆積させた後、画素電極７をパターン形成する。この
時、先に透明平坦化樹脂膜２３に開口した開口穴２３ａ
を介して、画素電極７とドレイン電極８ｂとを接続す
る。
で堆積させた後、画素電極７をパターン形成する。この
時、先に透明平坦化樹脂膜２３に開口した開口穴２３ａ
を介して、画素電極７とドレイン電極８ｂとを接続す
る。
【００３７】そして、実施の形態１と同様な工程を経
て、液晶表示装置が作成される。以上により、実施の形
態１の液晶表示装置の場合と同様に、ＴＦＴアレイ基板
上に形成されたゲート絶縁膜による光の吸収およびゲー
ト絶縁膜間または他の透明膜との界面における光の反射
を低減することができる。
て、液晶表示装置が作成される。以上により、実施の形
態１の液晶表示装置の場合と同様に、ＴＦＴアレイ基板
上に形成されたゲート絶縁膜による光の吸収およびゲー
ト絶縁膜間または他の透明膜との界面における光の反射
を低減することができる。
【００３８】その結果、ゲート絶縁膜において従来生じ
ていた約２０％の光の透過ロスを解消することができ、
明るい表示画像を得ることができる。また、画素電極下
に配置された透明平坦化樹脂膜により、先に画素電極下
のゲート絶縁膜を開口除去したときにその画素電極周囲
に生じる凹型の段差を平坦化し、段差がある場合にその
段差部で生じる可能性のある液晶分子の配向不良を低減
することができる。
ていた約２０％の光の透過ロスを解消することができ、
明るい表示画像を得ることができる。また、画素電極下
に配置された透明平坦化樹脂膜により、先に画素電極下
のゲート絶縁膜を開口除去したときにその画素電極周囲
に生じる凹型の段差を平坦化し、段差がある場合にその
段差部で生じる可能性のある液晶分子の配向不良を低減
することができる。
【００３９】その結果、液晶分子の配向不良によって生
じる表示画像のざらつき不良を解消することができ、画
面における画像の表示品位を向上することができる。な
お、上記の各実施の形態の液晶表示装置においては、Ｔ
ＦＴアレイ基板を、逆スタガー構成とした場合について
説明したが、ゲート電極が上層に位置しソース電極が下
層に位置する順スタガー構成とした場合についても、同
様に適応して実施することができる。
じる表示画像のざらつき不良を解消することができ、画
面における画像の表示品位を向上することができる。な
お、上記の各実施の形態の液晶表示装置においては、Ｔ
ＦＴアレイ基板を、逆スタガー構成とした場合について
説明したが、ゲート電極が上層に位置しソース電極が下
層に位置する順スタガー構成とした場合についても、同
様に適応して実施することができる。
【００４０】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、第１の基
板上に形成されたゲート絶縁膜による光の吸収およびゲ
ート絶縁膜間または他の透明膜との界面における光の反
射を低減することができる。
板上に形成されたゲート絶縁膜による光の吸収およびゲ
ート絶縁膜間または他の透明膜との界面における光の反
射を低減することができる。
【００４１】そのため、第１の基板における画素電極部
分での光の透過度を増大することができ、画面における
表示画像の明るさを向上することができる。また、画素
電極下に配置された透明樹脂膜により、先に画素電極下
のゲート絶縁膜を開口除去したときにその画素電極周囲
に生じる凹型の段差を平坦化し、段差がある場合にその
段差部で生じる可能性のある液晶分子の配向不良を低減
することができる。
分での光の透過度を増大することができ、画面における
表示画像の明るさを向上することができる。また、画素
電極下に配置された透明樹脂膜により、先に画素電極下
のゲート絶縁膜を開口除去したときにその画素電極周囲
に生じる凹型の段差を平坦化し、段差がある場合にその
段差部で生じる可能性のある液晶分子の配向不良を低減
することができる。
【００４２】そのため、液晶分子の配向不良によって生
じる表示画像のざらつき不良を解消することができ、画
面における画像の表示品位を向上することができる。
じる表示画像のざらつき不良を解消することができ、画
面における画像の表示品位を向上することができる。
【図１】本発明の実施の形態１の液晶表示装置における
画素部分の構成図
画素部分の構成図
【図２】同実施の形態１における駆動ＩＣを実装する電
極部分の構成図
極部分の構成図
【図３】本発明の実施の形態２の液晶表示装置における
画素部分の構成図
画素部分の構成図
【図４】同実施の形態２における駆動ＩＣを実装する電
極部分の構成図
極部分の構成図
【図５】従来の液晶表示装置における画素部分の構成図
１ａ，１ｂ 透明ガラス基板 ２ ゲート配線（ゲート電極） ３ 第１のゲート絶縁膜（酸化タンタル膜） ４ 第２のゲート絶縁膜（シリコン窒化膜） ５ 半導体膜（アモルファスシリコン膜） ６ 開口穴 ７ 画素電極（透明電極） ８ａ ソース配線（ソース電極） ８ｂ ドレイン電極 ８ｃ 実装電極 ９ ブラックマトリクス １０ カラーフィルタ １１ 共通電極（透明電極） １２ 液晶 １３ ビーズ ２０ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ） ２３ 透明平坦化樹脂膜
Claims (5)
- 【請求項１】 対向するように配置された２枚の透明基
板の一方の一主面上に、ゲート電極，ゲート絶縁膜，半
導体膜，ソース電極およびドレイン電極からなる複数の
薄膜トランジスタと、透明導電体からなり各薄膜トラン
ジスタのドレイン電極に接続された画素電極とが、前記
画素電極がゲート絶縁膜より上層に位置するように形成
された第１の基板と、前記２枚の透明基板の他方の一主
面上に、透明導電体からなる共通電極が前記画素電極に
対向するように形成された第２の基板とを備え、前記２
枚の基板間に挟持された液晶を前記薄膜トランジスタの
スイッチングにより駆動して前記第１の基板からの透過
光を制御することにより、画像を表示する透過型の液晶
表示装置において、前記ゲート絶縁膜を、その画素電極
下の部分を除去した状態に形成したことを特徴とする液
晶表示装置。 - 【請求項２】 ゲート絶縁膜を、２層以上の絶縁膜で構
成したことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装
置。 - 【請求項３】 ゲート絶縁膜を、その一層または全層を
酸化タンタルにより形成したことを特徴とする請求項２
に記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 請求項１または請求項２または請求項３
に記載の液晶表示装置の製造方法であって、画素電極下
の部分のゲート絶縁膜を除去する工程を、ゲート電極と
ソース電極との間に介在するゲート絶縁膜に開口を設け
るためにその部分を除去する工程と同時に行うことを特
徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項５】 画素電極を、第１の基板を構成する側の
透明基板の一主面上に塗布された透明樹脂膜を介して、
ゲート絶縁膜より上層に位置するように形成したことを
特徴とする請求項１または請求項２または請求項３に記
載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16780097A JPH1115019A (ja) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | 液晶表示装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16780097A JPH1115019A (ja) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | 液晶表示装置とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1115019A true JPH1115019A (ja) | 1999-01-22 |
Family
ID=15856350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16780097A Pending JPH1115019A (ja) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | 液晶表示装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1115019A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100461485B1 (ko) * | 2001-04-16 | 2004-12-14 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 액정 표시 장치 |
| KR100486007B1 (ko) * | 2001-02-06 | 2005-05-03 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 액정 장치, 액정 장치의 제조 방법 및 전자기기 |
| WO2011148424A1 (ja) * | 2010-05-27 | 2011-12-01 | パナソニック株式会社 | 表示装置用薄膜半導体装置、表示装置及び表示装置用薄膜半導体装置の製造方法 |
-
1997
- 1997-06-25 JP JP16780097A patent/JPH1115019A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100486007B1 (ko) * | 2001-02-06 | 2005-05-03 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 액정 장치, 액정 장치의 제조 방법 및 전자기기 |
| KR100461485B1 (ko) * | 2001-04-16 | 2004-12-14 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 액정 표시 장치 |
| WO2011148424A1 (ja) * | 2010-05-27 | 2011-12-01 | パナソニック株式会社 | 表示装置用薄膜半導体装置、表示装置及び表示装置用薄膜半導体装置の製造方法 |
| JP5502996B2 (ja) * | 2010-05-27 | 2014-05-28 | パナソニック株式会社 | 薄膜半導体装置、表示装置及び薄膜半導体装置の製造方法 |
| US8785941B2 (en) | 2010-05-27 | 2014-07-22 | Panasonic Corporation | Thin-film semiconductor device, display apparatus, and method for manufacturing thin-film semiconductor device |
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