JP2015018841A - 窒化物半導体層にn電極を形成する方法及び半導体レーザ素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の実施例1として、GaN基板の(000−1)面上にn電極が形成されたサンプルに対し、高温保持試験(400℃で1時間)の前後において電流―電圧特性の評価を行った。
比較例1として、n電極形成前のICP処理(プラズマ処理)、Ar及び酸素の供給、並びにn電極形成後の熱処理は行なわれず、単にスパッタ処理のみでn電極が形成されたサンプルに対し、高温保持試験(400℃で1時間)の前後において電流―電圧特性の評価を行った。なお、n電極の材料及び膜厚は、実施例1と同様である。
本発明の実施例2として、GaN基板の(000−1)面上にn電極が形成されたサンプルを作製し、高温保持試験(400℃で1時間)の前後において電流―電圧特性の評価を行った。
比較例2として、逆スパッタ処理時にH2Oの供給を行っていないサンプルを評価した。比較例2のサンプルは、GaN基板の(000−1)面に本発明の実施例1と同じ条件の逆スパッタ処理のみ行い、その後、スパッタ処理によってTi(6nm)、Pt(200nm)、Au(300nm)をこの順に成膜し、n電極を形成し、形成された電極に対して300℃、10分の熱処理を行なって作製した。
本発明の実施例3として、n電極が形成される半導体レーザ素子を複数作製し、駆動電圧の経時劣化を測定した。
比較例3として、n電極形成時において、電極形成前の逆スパッタ処理及びH2Oの供給、電極形成後の熱処理を行っていないサンプルを評価した。比較例3では、比較例2に記載した条件と同じ条件でn電極を形成した後、半導体レーザ素子を作製した。
Claims (8)
- 酸素を含む雰囲気中において、指向性を有するプラズマ処理を窒化物半導体層の窒素面に対して行う工程と、
前記プラズマ処理された窒化物半導体層の窒素面にn電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする窒化物半導体層にn電極を形成する方法。 - 前記窒化物半導体層の窒素面は、−C面であることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体層にn電極を形成する方法。
- 前記窒化物半導体層は、GaNであることを特徴とする請求項1または2に記載の窒化物半導体層にn電極を形成する方法。
- 前記n電極の形成は、スパッタ処理により行われることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の窒化物半導体層にn電極を形成する方法。
- 前記プラズマ処理は、逆スパッタ処理により行われることを特徴とする請求項4に記載の窒化物半導体層にn電極を形成する方法。
- 前記酸素を含む雰囲気は、酸素とともに希ガスを含むことを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の窒化物半導体層にn電極を形成する方法。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載の方法により窒化物半導体層にn電極を形成することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
- n電極の電流密度が1.0kA/cm2以上である半導体レーザ素子を製造することを特徴とする請求項7に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
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