JP5490368B2 - エピタキシャル薄膜の形成方法及び半導体基板の製造方法 - Google Patents
エピタキシャル薄膜の形成方法及び半導体基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5490368B2 JP5490368B2 JP2008053562A JP2008053562A JP5490368B2 JP 5490368 B2 JP5490368 B2 JP 5490368B2 JP 2008053562 A JP2008053562 A JP 2008053562A JP 2008053562 A JP2008053562 A JP 2008053562A JP 5490368 B2 JP5490368 B2 JP 5490368B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- substrate
- metal
- forming
- metal nitride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
Journal of Optoelectronics and Advanced Materials Vol. 7, No. 3, June 2005, p. 1421 - 1427
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、装置コストが低く、形成される薄膜の結晶性が高くなるようなエピタキシャル薄膜の形成方法及び半導体基板の製造方法を提供することにある。
このように、金属又は金属窒化物からなるターゲットを間欠的にスパッタし、対象物上に金属原子を間欠的に供給することにより、安定した格子位置の金属窒化物を対象物上に成長させることができる。これにより、結晶性の極めて良好なエピタキシャル薄膜を形成することができる。加えて、本発明はスパッタリング装置によって行うことが可能であるため、装置コストを低く抑えることができる。
この4族金属の窒化物からなる薄膜は、高い化学的安定性を得るためには、結晶性の高い薄膜である必要がある。本発明によれば、ターゲットが4族金属又は4族金属を含む合金からなることとしたので、4族金属の窒化物からなるエピタキシャル薄膜についても、結晶性の高い薄膜を形成することができる。
本発明によれば、対象物上に金属原子を堆積させて堆積物を形成した後、金属原子を堆積させるときの対象物上の温度より高い温度で堆積物を加熱することとしたので、当該堆積物の結晶性を改善することができる。これにより、エピタキシャル薄膜の結晶性を一層向上させることができる。
本発明によれば、上記の半導体基板の製造方法によって製造された半導体基板を具備することとしたので、特性の高い安価な半導体素子を得ることができる。
本発明によれば、上記の半導体素子を具備することとしたので、発光特性が高く安価な発光素子を得ることができる。
本発明によれば、上記の半導体素子を具備することとしたので、電気的特性が高く安価な電子素子を得ることができる。
本発明者らは、ターゲットをパルススパッタ法によってスパッタする際に、1周期中でのON時間の占める割合(パルス占有率)を小さくするほど結晶性を向上させることができる点を見出した。パルス占有率を小さくすることで、ON時間に発生する13族金属リッチ状態がより瞬間的に実現され、OFF時間に発生する表面拡散の時間をその分長くすることができ、十分な表面拡散を行うことができるためであると考えられる。そこで、本発明によれば、パルス占有率が20%以下となるようにターゲットをスパッタすることとしたので、結晶性の高いエピタキシャル薄膜を得ることができる。
本発明者らは、ターゲットをパルススパッタ法によってスパッタする際に、1周期あたりのパルス数(パルス周波数)を小さくするほど結晶性を向上させることができる点を見出した。パルス周波数を小さくすることで、その分パルスのOFF時間を長くすることができ、当該OFF時間に十分な表面拡散を行うことができるためであると考えられる。そこで、本発明によれば、パルス電圧を印加する時間の周期が5000Hz以下となるようにターゲットをスパッタすることとしたので、結晶性の高いエピタキシャル薄膜を得ることができる。
前記金属窒化物がGaNであることを特徴とする。
本発明によれば、基板がZnOを主成分とし、金属窒化物がGaNであることとしたので、上記エピタキシャル薄膜の製造方法によって半導体薄膜を製造する場合には、室温で製造することができる。
本発明によれば、基板がNiを主成分とし、金属窒化物がZrN又はHfNを主成分とするので、結晶性の高い半導体薄膜を有する半導体基板を得ることができる。
本発明によれば、基板がMoを主成分とし、金属窒化物がZrN又はHfNを主成分とするので、結晶性の高い半導体薄膜を有する半導体基板を得ることができる。
本発明によれば、基板がMo(100)又はMo(110)を主成分とすることとしたので、ZrN又はHfNとの間で面内配向関係を安定化させることができる。これにより、結晶性のより高い半導体薄膜を有する半導体基板を得ることができる。
図1は、本実施形態に係る半導体基板1の構成を示す図である。
同図に示すように、半導体基板1は、基板2上に半導体薄膜3が積層された構成になっている。半導体基板1は、発光素子や電子素子などに搭載される。
同図に示すように、スパッタ装置10は、チャンバ11と、基板電極12と、ターゲット電極13と、直流電源14と、電源制御部15と、窒素供給源16と、加熱装置17を主体として構成されている。
基板電極12は、チャンバ11内に配置されており、上記の基板2を保持可能になっている。
制御部15は、直流電源14に接続されており、直流電源14の動作のタイミングに関する制御を行う。制御部15により、基板電極12とターゲット電極13との間にパルス電圧を印加することが可能になっている。
加熱装置17は、例えば基板電極12に固定されており、基板電極12上の基板2の周囲温度を調節できるようになっている。
次に、本発明の第2実施形態を説明する。
図6は、本実施形態に係る半導体基板101の構成を示す図である。
例えば、上記各実施形態に記載の手法によって半導体薄膜を形成した後、半導体薄膜の成長温度よりも高い温度で当該半導体薄膜を加熱する工程を行っても良い。当該工程を行うことにより、半導体薄膜の結晶性を改善することができる。これにより、半導体薄膜の結晶性を一層向上させることができる。
本発明者らは、ターゲットをパルススパッタ法によってスパッタする際に、1周期中でのON時間の占める割合(パルス占有率)を小さくするほど結晶性を向上させることができる点を見出した。パルス占有率を小さくすることで、ON時間に発生する13族金属リッチ状態がより瞬間的に実現され、OFF時間に発生する表面拡散の時間をその分長くすることができ、十分な表面拡散を行うことができるためであると考えられる。
上記実施形態においては、図2に示すスパッタ装置10を用いてパルススパッタを行う手法を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、例えば図53に示すスパッタ装置20を用いてパルススパッタを行うようにしても構わない。
本実施例では、上記実施形態の手法によってサファイア基板上にAlN薄膜を形成した。AlN成長時の基板温度を750℃、AlN成長時のチャンバ内の圧力を8×10−3Torr、アルゴンガス流量を5sccm、窒素ガス流量を2sccm、投入電力を150W、直流パルス電源の繰り返し周波数を1kHzとした。
本実施例では、上記実施形態の手法(以下、「パルススパッタ法」という)及びDCスパッタ法によってAlN薄膜を形成し、それぞれの手法によって形成したAlN薄膜の結晶性を比較した。スパッタ装置は、パルススパッタ法及びDCスパッタ法共に、上記実施形態の構成を有する同一のスパッタ装置によって行った。
本実施例では、パルススパッタ法及びDCスパッタ法によってAlN薄膜を形成し、それぞれの手法によって形成したAlN薄膜の結晶性を比較した。スパッタ装置は、パルススパッタ法及びDCスパッタ法共に、上記実施形態の構成を有する同一のスパッタ装置によって行った。
本実施例では、上記実施形態の手法によってサファイア基板上にAlN薄膜を形成した。ただし、AlN成長時の基板温度を545℃、AlN成長時のチャンバ内の圧力を7.4×10−3Torr、アルゴンガス流量を4sccm、窒素ガス流量を3sccm、投入電力を97W、直流パルス電源の繰り返し周波数を10kHzとした。また、デューティー比を5%とした。
同図に示すように、AlN薄膜の表面には目立った凹凸などは見られない。このことから、表面平坦性の高いAlN薄膜が成長可能であるといえる。
同図に示すように、回折スポットが明瞭に現れていることがわかる。このことから、良質な単結晶が形成されているといえる。
同図に示すように、明瞭な6回回転対象性が確認できる。このことから、結晶方位の揃った良質なAlNが成長しているといえる。
本実施例では、上記実施形態の手法によってサファイア基板上にAlN薄膜を形成した。ただし、AlN成長時の基板温度を336℃、AlN成長時のチャンバ内の圧力を7.3×10−3Torr、アルゴンガス流量を4sccm、窒素ガス流量を3sccm、投入電力を130W、直流パルス電源の繰り返し周波数を10kHzとした。また、デューティー比を5%とした。
同図に示すように、AlN薄膜の表面には目立った凹凸などは見られない。このことから、表面平坦性の高いAlN薄膜が成長可能であるといえる。
同図に示すように、(0001)の単相のAlN結晶が成長していることがわかる。
同図に示すように、明瞭な6回回転対象性が確認できる。このことから、結晶方位の揃った良質なAlNが成長しているといえる。
本実施例では、上記実施形態の手法によってZnO(000−1)基板上にAlN薄膜を形成した。ただし、AlN成長時の基板温度を室温とし、AlN成長時のチャンバ内の圧力を8.8×10−3Torr、アルゴンガス流量を4sccm、窒素ガス流量を3sccm、投入電力を34W、直流パルス電源の繰り返し周波数を10kHzとした。また、デューティー比を5%とした。
同図に示すように、回折スポットが明瞭に現れていることがわかる。このことから、良質なAlNの単結晶が形成されているといえる。
同図に示すように、(0001)の単相のAlN結晶が成長していることがわかる。
同図に示すように、明瞭な6回回転対象性が確認できる。このことから、結晶方位の揃った良質なAlNが成長しているといえる。
このように、ZnO基板上に室温においても比較的良質なAlN薄膜が形成されることがわかる。
本実施例では、上記実施形態の手法によってサファイア(0001)基板上にAlN薄膜を形成し、その後、AlN薄膜をアニールした。AlN薄膜の成長条件として、AlN薄膜の成長温度を1102℃とし、成長圧力を8.1×10−3Torrとし、Arガス流量を2sccmとし、N2ガス流量を5sccmとし、投入電力を185Wとし、周波数(直流パルス電源の繰り返し周波数)を1500Hzとし、Duty比を50%とした。アニールの条件として、加熱温度を1400℃とし、加熱時間を60分とし、加熱雰囲気を窒素中とし、圧力を1気圧とした。アニール処理前及びアニール処理後のそれぞれのAlN薄膜について、電子線回折を行った。
本実施例では、上記実施形態の手法によってサファイア基板上にGaN薄膜を形成した。
同図に示すように、回折スポットが明瞭に現れていることがわかる。このことから、良質なGaNの単結晶が形成されているといえる。
図22及び図23に示すように、c軸配向の6回回転対称性を有する0001方位の単相のGaN結晶が成長していることがわかる。
本実施例では、上記実施形態の手法によってサファイア基板上にAlN薄膜を形成し、その後AlN薄膜上にGaN薄膜を形成した。また、GaN薄膜の表面をKOHによってエッチングした。
同図に示すように、回折スポットが明瞭に現れていることがわかる。このことから、良質なGaNの単結晶が形成されているといえる。
同図に示すように、GaN薄膜はGa極性であることが確認できる。このことから、品質の良好なGaN薄膜が形成されているといえる。
本実施例では、上記実施形態の手法によってZnO基板上にGaN薄膜を室温で形成した。
同図に示すように、回折スポットが明瞭に現れていることがわかる。このことから、良質なGaNの単結晶が形成されているといえる。
図27(a)及び図27(b)に示すように、ステップテラス構造であり原子レベルで平坦なGaN薄膜が形成されていることがわかる。
同図に示すように、室温においてGaNバンド端近傍で発光しており、良好な発光特性であることがわかる。
本実施例では、上記実施形態の手法によってサファイア基板上にZrN薄膜を形成した。
同図に示すように、明瞭な6回回転対象性が確認できる。また、EBSDによるチルト方向の半値幅は0.15°、ツイスト方向の半値幅は0.30°であった。これらのことから、結晶方位の揃った良質なZrNが成長しているといえる。
本実施例では、上記実施形態の手法によってMgO(111)基板上にZrN(111)薄膜を形成し、当該ZrN(111)薄膜上にGaN薄膜を形成した。
同図に示すように、明瞭な6回回転対象性が確認できる。これらのことから、結晶方位の揃った良質なZrNが成長しているといえる。
同図に示すように、回折スポットが明瞭に現れていることがわかる。このことから、ZrN(111)薄膜上に良質のGaNの単結晶が成長しているといえる。
これらの図に示すように、c軸配向の6回回転対称性を有する0001方位の単相のGaN結晶が成長していることがわかる。また、EBSDによるチルト方向の半値幅は0.16°、ツイスト方向の半値幅は0.33°であった。このことからも、結晶方位の揃った良質なGaNが成長しているといえる。
本実施例では、上記実施形態の手法によってMgO(100)基板上にZrN(100)薄膜を形成した。
同図に示すように、明瞭な6回回転対象性が確認できる。これらのことから、結晶方位の揃った良質なZrN(100)が成長しているといえる。
同図に示すように、回折スポットが明瞭に現れていることがわかる。このことから、良質のZrNの単結晶が成長しているといえる。
本実施例では、上記実施形態の手法によってMgO(100)基板上にHfN(100)薄膜を形成した。
図39に示すように、DCスパッタリングの場合のX線ロッキングカーブから求められる半値幅は0.58°であり、上記実施形態の手法の場合のX線ロッキングカーブから求められる半値幅は0.46°であった。また、図40に示すように、DCスパッタリングの場合のX線ロッキングカーブから求められる半値幅は0.69°であり、上記実施形態の手法の場合のX線ロッキングカーブから求められる半値幅は0.36°であった。これらの結果から、DCスパッタリングによって得られたHfN薄膜よりも、上記実施形態の手法によって得られたHfN薄膜の方が、結晶性が高いことが認められる。
本実施例では、上記実施形態の手法によってNi(111)基板上にHfN薄膜を1000℃の温度下において形成した。
同図に示すように、回折スポットが明瞭に現れていることがわかる。このことから、良質のHfNの単結晶が成長しているといえる。
同図に示すように、明瞭な3回回転対象性が確認できる。このことから、結晶方位の揃った良質なHfNが成長しているといえる。
これらの図に示すように、図中丸印を付した極点が同一の方位であることが認められる。この結果、Ni基板とHfN薄膜との間の配向関係が安定していることがわかる。
本実施例では、上記実施形態の手法によってMo基板上にHfN薄膜を1050℃の温度下において形成した。また、Mo基板として、Mo(100)基板及びMo(110)基板のそれぞれについてHfN薄膜を形成した。
同図に示すように、回折スポットが明瞭に現れていることがわかる。このことから、良質のHfNの単結晶が成長しているといえる。
同図に示すように、図中丸印を付した極点が同一の方位であることが認められる。この結果、Mo(100)基板とHfN薄膜との間の配向関係が安定していることがわかる。
同図に示すように、回折スポットが明瞭に現れていることがわかる。このことから、良質のHfNの単結晶が成長しているといえる。
同図に示すように、図中丸印を付した極点が同一の方位であることが認められる。この結果、Mo(110)基板とHfN薄膜との間の配向関係が安定していることがわかる。
これらの図に示すように、Moに由来するピークが認められない。このため、1050℃という成長温度であっても、界面反応や基板原子の拡散が生じることなくHfN薄膜が成長していることがわかる。
本実施例では、実施例16において形成したHfN/Mo上に、上記実施形態の手法によってGaNを成長させた。
同図に示すように、回折スポットが明瞭に現れていることがわかる。このことから、良質のGaNの単結晶が成長しているといえる。
同図に示すように、回折スポットが明瞭に現れていることがわかる。このことから、良質のGaNの単結晶が成長しているといえる。
Claims (15)
- 金属窒化物からなる薄膜の形成方法であって、
金属又は当該金属の窒化物からなるターゲットを、パルススパッタ法によって、パルス電圧を印加する時間が前記パルス電圧を印加しない時間のほぼ5分の1以下となることを含むように、プラズマによる衝突を励起源とするスパッタを間欠的に行うスパッタ工程と、
窒素雰囲気中に設けられた対象物上に前記スパッタされた金属原子を堆積させる堆積工程と、
前記対象物上に堆積され所定のエネルギーを有する前記金属原子をマイグレーションさせるマイグレーション工程と、
マイグレーションした前記金属原子と雰囲気中の窒素から生成された窒素ラジカルとを反応させ金属窒化物の結晶を成長させることで前記金属窒化物の薄膜を形成する薄膜形成工程と
を含むことを特徴とするエピタキシャル薄膜の形成方法。 - 前記金属は、13族金属である
ことを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャル薄膜の形成方法。 - 前記金属は、4族金属であり、
前記薄膜形成工程の後、前記金属窒化物の前記薄膜上に13族金属窒化物からなる第二薄膜を形成する第二薄膜形成工程を含む
ことを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャル薄膜の形成方法。 - 前記第二薄膜形成工程は、MOCVD法、MBE法、HVPE法又はスパッタリング法によって前記13族金属窒化物を成長させることを含む
請求項3に記載のエピタキシャル薄膜の形成方法。 - 前記金属原子を堆積させるときの前記対象物上の温度が800℃以下である
ことを特徴とする請求項1乃至請求項4のうちいずれか一項に記載のエピタキシャル薄膜の形成方法。 - 前記金属窒化物の薄膜を形成した後、前記金属原子を堆積させるときの前記対象物上の温度よりも高い温度で前記金属窒化物を加熱する
ことを特徴とする請求項1乃至請求項5のうちいずれか一項に記載のエピタキシャル薄膜の形成方法。 - パルス占有率が20%以下となるように前記ターゲットをスパッタする
ことを特徴とする請求項1から請求項6のうちいずれか一項に記載のエピタキシャル薄膜の形成方法。 - パルス電圧を印加する時間の周期が5000Hz以下となるように前記ターゲットをスパッタする
ことを特徴とする請求項1から請求項7のうちいずれか一項に記載のエピタキシャル薄膜の形成方法。 - 請求項2に記載のエピタキシャル薄膜の形成方法によって、基板上に13族金属窒化物からなる半導体薄膜を形成する
ことを特徴とする半導体基板の製造方法。 - 前記基板がZnOを主成分とし、
前記金属窒化物がGaNである
ことを特徴とする請求項9に記載の半導体基板の製造方法。 - 請求項3又は請求項4に記載のエピタキシャル薄膜の形成方法によって、基板上に13族金属窒化物からなる半導体薄膜を形成する
ことを特徴とする半導体基板の製造方法。 - 前記基板がサファイア、MgO、6H−SiC、ZnO、Siのうちいずれかを主成分とする
ことを特徴とする請求項9又は請求項11に記載の半導体基板の製造方法。 - 前記基板がNiを主成分とし、
前記金属窒化物がZrN又はHfNを主成分とする
ことを特徴とする請求項11に記載の半導体基板の製造方法。 - 前記基板がMoを主成分とし、
前記金属窒化物がZrN又はHfNを主成分とする
ことを特徴とする請求項11に記載の半導体基板の製造方法。 - 前記基板がMo(100)又はMo(110)を主成分とする
ことを特徴とする請求項14に記載の半導体基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008053562A JP5490368B2 (ja) | 2007-03-26 | 2008-03-04 | エピタキシャル薄膜の形成方法及び半導体基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007078186 | 2007-03-26 | ||
JP2007078186 | 2007-03-26 | ||
JP2008053562A JP5490368B2 (ja) | 2007-03-26 | 2008-03-04 | エピタキシャル薄膜の形成方法及び半導体基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008270749A JP2008270749A (ja) | 2008-11-06 |
JP5490368B2 true JP5490368B2 (ja) | 2014-05-14 |
Family
ID=40049796
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008053562A Active JP5490368B2 (ja) | 2007-03-26 | 2008-03-04 | エピタキシャル薄膜の形成方法及び半導体基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5490368B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019099907A (ja) * | 2017-12-05 | 2019-06-24 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | スパッタリング方法 |
US11021788B2 (en) | 2017-12-05 | 2021-06-01 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Sputtering method |
US11094515B2 (en) | 2016-12-19 | 2021-08-17 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Sputtering apparatus and sputtering method |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115064621A (zh) * | 2015-09-11 | 2022-09-16 | 国立大学法人三重大学 | 氮化物半导体衬底的制造方法、氮化物半导体衬底以及其加热装置 |
JP7296381B2 (ja) * | 2018-07-06 | 2023-06-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 金属酸窒化物膜の作製方法 |
TWI825187B (zh) * | 2018-10-09 | 2023-12-11 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 氮化物半導體膜之形成方法 |
JPWO2022176422A1 (ja) * | 2021-02-19 | 2022-08-25 | ||
WO2023218840A1 (ja) * | 2022-05-10 | 2023-11-16 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 成膜装置および窒化ガリウム膜の成膜方法 |
WO2024048766A1 (ja) * | 2022-08-31 | 2024-03-07 | 株式会社Gaianixx | 結晶、積層構造体、素子、電子デバイス、電子機器及びシステム |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06340970A (ja) * | 1993-06-02 | 1994-12-13 | Kawasaki Steel Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP3813740B2 (ja) * | 1997-07-11 | 2006-08-23 | Tdk株式会社 | 電子デバイス用基板 |
JPH11172424A (ja) * | 1997-12-12 | 1999-06-29 | Minolta Co Ltd | ガリウム化合物の製造方法 |
JP2003105537A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Kobe Steel Ltd | スパッタリング装置及び方法 |
GB2392169A (en) * | 2002-08-23 | 2004-02-25 | Sharp Kk | MBE growth of an AlgaN layer or AlGaN multilayer structure |
JP4428105B2 (ja) * | 2004-03-23 | 2010-03-10 | 日立金属株式会社 | 化合物膜の製造方法および化合物半導体素子の製造方法 |
WO2006088261A1 (ja) * | 2005-02-21 | 2006-08-24 | Kanagawa Academy Of Science And Technology | InGaN層生成方法及び半導体素子 |
-
2008
- 2008-03-04 JP JP2008053562A patent/JP5490368B2/ja active Active
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11094515B2 (en) | 2016-12-19 | 2021-08-17 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Sputtering apparatus and sputtering method |
JP2019099907A (ja) * | 2017-12-05 | 2019-06-24 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | スパッタリング方法 |
US11021788B2 (en) | 2017-12-05 | 2021-06-01 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Sputtering method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008270749A (ja) | 2008-11-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5490368B2 (ja) | エピタキシャル薄膜の形成方法及び半導体基板の製造方法 | |
US10439028B2 (en) | Crystalline semiconductor film, plate-like body and semiconductor device | |
JP3994623B2 (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 | |
JP4613373B2 (ja) | Iii族ナイトライド化合物半導体薄膜の形成方法および半導体素子の製造方法 | |
JP4371202B2 (ja) | 窒化物半導体の製造方法及び半導体ウエハ並びに半導体デバイス | |
JP4994235B2 (ja) | ZnO結晶とその成長方法、及び発光素子の製造方法 | |
JP3361285B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及び窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 | |
TW200928016A (en) | Group iii nitride semiconductor epitaxial substrate | |
WO2007129773A1 (ja) | Iii族窒化物化合物半導体積層構造体 | |
JP2009200207A (ja) | 半導体基板、半導体素子、発光素子及び電子素子 | |
JP4891462B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
JP6450675B2 (ja) | 多層基板構造を形成する方法 | |
JP2008124060A (ja) | Iii族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びiii族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプ | |
JP4953879B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法、及びテンプレート基板 | |
CN104246987B (zh) | Iii族氮化物基板的处理方法及外延基板的制造方法 | |
KR20130113452A (ko) | Iii족 질화물 반도체 소자 제조용 기판의 제조 방법, iii족 질화물 반도체 자립 기판 또는 iii족 질화물 반도체 소자의 제조 방법, 및 iii족 질화물 성장용 기판 | |
JP2004111848A (ja) | サファイア基板とそれを用いたエピタキシャル基板およびその製造方法 | |
KR101458629B1 (ko) | ZnO계 화합물 반도체 층의 제조방법 | |
JP2008266113A (ja) | Iii−v族窒化物層およびその製造方法 | |
JP2003133246A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及び窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 | |
JP5296995B2 (ja) | 半導体素子、半導体素子の製造方法、発光素子及び電子素子 | |
JP5506221B2 (ja) | ZnO系半導体素子の製造方法 | |
JP5058642B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
JP2007129271A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP2005210091A (ja) | Iii族窒化物半導体素子およびそれを用いた発光素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110217 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120411 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130326 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130527 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140204 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140226 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5490368 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313114 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |