JP2010225586A - 有機elディスプレイ用の反射アノード電極および配線膜 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板1上に形成された有機ELディスプレイ用の反射アノード電極であって、該反射アノード電極は、Biを0.01〜4原子%含有するAg基合金膜6と、該Ag基合金膜6上に直接接触する酸化物導電膜7とを有する反射アノード電極を形成する。
【選択図】なし
Description
基板上に形成された有機ELディスプレイ用の反射アノード電極であって、該反射アノード電極は、Ndを0.01(好ましくは0.1)〜1.5原子%含有するAg基合金膜と、該Ag基合金膜に直接接触する酸化物導電膜とを含むものである。
基板上に形成された有機ELディスプレイ用の反射アノード電極であって、該反射アノード電極は、Biを0.01〜4原子%含有するAg基合金膜と、該Ag基合金膜に直接接触する酸化物導電膜とを含むものである。
上記反射アノード電極における前記Ag基合金膜が、前記基板上に形成された薄膜トランジスタのソース/ドレイン電極に電気的に接続されているものである。
前記薄膜トランジスタ基板を備えたものである。
上記反射アノード電極を形成するためのスパッタリングターゲットである。
基板上に形成された有機ELディスプレイ用の配線膜であって、Ndを0.01〜1.5原子%含有するAg基合金膜を含むものである。
基板上に形成された有機ELディスプレイ用の配線膜であって、該配線膜がBiを0.01〜4原子%含有するAg基合金膜を含むものである。
上記配線膜を形成するためのスパッタリングターゲットである。
基板1の材料として円盤状のガラス(コーニング社の無アルカリガラス#1737、直径:50mm、厚さ:0.7mm)を用い、基板1の表面にパッシベーション膜3であるSiN膜を基板温度280℃で300nmの厚さに成膜した。更に、DCマグネトロンスパッタリング装置を用いて、パッシベーション膜3の表面上に厚さ1000ÅのAg−(X)Nd−(Y)CuのAg基合金膜6(X:0.2〜0.7原子%、Y:0.3〜0.9原子%)およびAg−(X)BiのAg基合金膜6(X:0.1〜1.0原子%)薄膜を成膜した。このときの成膜条件は、基板温度:室温、Arガス圧:1〜3mTorr、極間距離:55mm、成膜速度:7.0〜8.0nm/secであった。また、Ag基合金膜6の成膜前の到達真空度は、1.0×10−5Torr以下であった。
基板1の材料として円盤状のガラス(コーニング社の無アルカリガラス#1737、直径:50mm、厚さ:0.7mm)を用い、基板1の表面にパッシベーション膜3であるSiN膜を基板温度280℃で300nmの厚さに成膜した。更に、DCマグネトロンスパッタリング装置を用いて、パッシベーション膜3の表面上に厚さ1000ÅのAg−0.1Bi−0.2NdのAg基合金膜6、およびAg−0.1Bi−0.1GeのAg基合金膜6を成膜した。このときの成膜条件は、基板温度:室温、Arガス圧:1〜3mTorr、極間距離:55mm、成膜速度:7.0〜8.0nm/secであった。また、Ag基合金膜6の成膜前の到達真空度は、1.0×10−5Torr以下であった。
実施例1のAグループの試料の中から、Ag基合金膜6の材料がAg−(X)Nd−(Y)Cu合金(X:0.7原子%、Y:0.9原子%)であるものについて環境試験を施した。環境試験は、試料を温度80℃、湿度90%の環境下に48時間曝すことにより行い、AFM測定による表面粗さの変化を観察した。その結果を図4に示す。
次に、本発明の反射アノード電極において、Ag基合金膜6に対して、実施例3と同様の環境試験を行うことにより、環境試験前後におけるAg基合金膜6の反射率の低下度合いを調べた。この試験に用いたAg−(X)Nd合金(X:0.1〜1.0原子%で種々変化)にはスパッタ成膜したものを用いた。その結果を図5に示す。
基板1の材料として円盤状のガラス(コーニング社の無アルカリガラス#1737、直径:50mm、厚さ:0.7mm)を用い、DCマグネトロンスパッタリング装置により、基板1の表面に、厚さ1000Å(100nm)のAg基合金膜6を成膜した。本実施例で用いた組成は、(1)純Ag(Pure−Ag)、(2)純Al、(3)Ag−0.9Pd−1.0Cu、(4)Ag−0.1Bi−0.2Nd、(5)Ag−0.1Bi−0.1Geである(組成の単位は原子%)。Ag基合金膜6の成膜条件は、基板温度:室温、Arガス圧:1〜3mTorr、極間距離:55mm、成膜速度:7.0〜8.0nm/secであった。また、Ag基合金膜6の成膜前の到達真空度は、1.0×10−5Torr以下であった。
2 薄膜トランジスタ(TFT)
3 パッシベーション膜
4 平坦化層
5 コンタクトホール
6 Ag基合金膜
7 酸化物導電膜
8 有機発光層
9 カソード電極
Claims (14)
- 基板上に形成された有機ELディスプレイ用の反射アノード電極であって、該反射アノード電極は、Biを0.01〜4原子%含有するAg基合金膜と、該Ag基合金膜に直接接触する酸化物導電膜とを含むことを特徴とする有機ELディスプレイ用の反射アノード電極。
- 前記Ag基合金膜は、更に、Cu,Au,Pd,Geから選ばれる1種または2種以上の元素を合計で0.01〜1.5原子%含有する請求項1に記載の反射アノード電極。
- 前記Ag基合金膜の表面の組成がBi2O3である請求項1または2に記載の反射アノード電極。
- 前記Ag基合金膜が更に、希土類元素から選ばれる1種または2種以上を合計で、0.01〜2原子%含有する請求項1〜3のいずれかに記載の反射アノード電極。
- 前記Ag基合金膜が更に、Ndおよび/またはYを合計で、0.01〜2原子%含有する請求項1〜3のいずれかに記載の反射アノード電極。
- 前記Ag基合金膜が、Au,Cu,Pt,PdおよびRhよりなる群から選ばれる1種または2種以上の元素を合計で3原子%以下(0原子%を含まない)含有する請求項1〜5のいずれかに記載の反射アノード電極。
- 前記Ag基合金膜表面の十点平均粗さRzが20nm以下である請求項1〜6のいずれかに記載の反射アノード電極。
- 前記Ag基合金膜がスパッタリング法または真空蒸着法で形成される請求項1〜7のいずれかに記載の反射アノード電極。
- 前記Ag基合金膜が、前記基板上に形成された薄膜トランジスタのソース/ドレイン電極に電気的に接続されている請求項1〜8のいずれかに記載の反射アノード電極を備えた薄膜トランジスタ基板。
- 請求項9に記載の薄膜トランジスタ基板を備えた有機ELディスプレイ。
- 請求項1〜8のいずれかに記載の反射アノード電極を形成するためのスパッタリングターゲット。
- 基板上に形成された有機ELディスプレイ用の配線膜であって、該配線膜は、Biを0.01〜4原子%含有するAg基合金膜を少なくとも含むことを特徴とする有機ELディスプレイ用の配線膜。
- 前記Ag基合金膜は、更に、Cu,Au,Pd,Geから選ばれる1種または2種以上の元素を合計で0.01〜1.5原子%含有する請求項12に記載の配線膜。
- 請求項12または13に記載の配線膜を形成するためのスパッタリングターゲット。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013099736A1 (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-04 | 株式会社神戸製鋼所 | 反射電極用Ag合金膜および反射電極 |
JP2014504432A (ja) * | 2010-12-17 | 2014-02-20 | サン−ゴバン グラス フランス | Oledデバイスの製造方法 |
WO2014208341A1 (ja) * | 2013-06-26 | 2014-12-31 | 株式会社神戸製鋼所 | 反射電極用または配線電極用Ag合金膜、反射電極または配線電極、およびAg合金スパッタリングターゲット |
WO2016093067A1 (ja) * | 2014-12-11 | 2016-06-16 | 株式会社神戸製鋼所 | 電極構造 |
WO2017119335A1 (ja) * | 2016-01-06 | 2017-07-13 | コニカミノルタ株式会社 | 反射膜の製造方法 |
WO2021111974A1 (ja) * | 2019-12-02 | 2021-06-10 | 三菱マテリアル株式会社 | Ag合金膜、Ag合金スパッタリングターゲット |
JP2021091951A (ja) * | 2019-12-02 | 2021-06-17 | 三菱マテリアル株式会社 | Ag合金膜 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09274990A (ja) * | 1996-04-08 | 1997-10-21 | Mitsubishi Chem Corp | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
JP2004126497A (ja) * | 2002-08-08 | 2004-04-22 | Kobe Steel Ltd | 光反射膜およびこれを用いた液晶表示素子、ならびに光反射膜用スパッタリングターゲット |
JP2004333882A (ja) * | 2003-05-08 | 2004-11-25 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 反射型電極基板及びその製造方法 |
JP2005054268A (ja) * | 2003-07-23 | 2005-03-03 | Sharp Corp | 銀合金材料、回路基板、電子装置、及び回路基板の製造方法 |
JP2005187937A (ja) * | 2003-12-04 | 2005-07-14 | Kobe Steel Ltd | フラットパネルディスプレイ用Ag基合金配線電極膜及びAg基合金スパッタリングターゲット並びにフラットパネルディスプレイ |
JP2006028641A (ja) * | 2004-06-16 | 2006-02-02 | Ulvac Seimaku Kk | スパッタリングターゲット並びにAg合金膜及びその製造方法 |
JP2006037169A (ja) * | 2004-07-27 | 2006-02-09 | Furuya Kinzoku:Kk | 銀合金、そのスパッタリングターゲット材及びその薄膜 |
JP2006310317A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
JP2008108533A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Canon Inc | 有機el表示装置 |
-
2010
- 2010-03-05 JP JP2010049466A patent/JP2010225586A/ja active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09274990A (ja) * | 1996-04-08 | 1997-10-21 | Mitsubishi Chem Corp | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
JP2004126497A (ja) * | 2002-08-08 | 2004-04-22 | Kobe Steel Ltd | 光反射膜およびこれを用いた液晶表示素子、ならびに光反射膜用スパッタリングターゲット |
JP2004333882A (ja) * | 2003-05-08 | 2004-11-25 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 反射型電極基板及びその製造方法 |
JP2005054268A (ja) * | 2003-07-23 | 2005-03-03 | Sharp Corp | 銀合金材料、回路基板、電子装置、及び回路基板の製造方法 |
JP2005187937A (ja) * | 2003-12-04 | 2005-07-14 | Kobe Steel Ltd | フラットパネルディスプレイ用Ag基合金配線電極膜及びAg基合金スパッタリングターゲット並びにフラットパネルディスプレイ |
JP2006028641A (ja) * | 2004-06-16 | 2006-02-02 | Ulvac Seimaku Kk | スパッタリングターゲット並びにAg合金膜及びその製造方法 |
JP2006037169A (ja) * | 2004-07-27 | 2006-02-09 | Furuya Kinzoku:Kk | 銀合金、そのスパッタリングターゲット材及びその薄膜 |
JP2006310317A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
JP2008108533A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Canon Inc | 有機el表示装置 |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014504432A (ja) * | 2010-12-17 | 2014-02-20 | サン−ゴバン グラス フランス | Oledデバイスの製造方法 |
KR20160066054A (ko) | 2011-12-27 | 2016-06-09 | 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 | 반사 전극용 Ag 합금막 및 반사 전극 |
JP2013151735A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-08-08 | Kobe Steel Ltd | 反射電極用Ag合金膜、反射電極、およびAg合金スパッタリングターゲット |
WO2013099736A1 (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-04 | 株式会社神戸製鋼所 | 反射電極用Ag合金膜および反射電極 |
KR101745290B1 (ko) * | 2011-12-27 | 2017-06-08 | 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 | 반사 전극용 Ag 합금막 및 반사 전극 |
US9947429B2 (en) | 2013-06-26 | 2018-04-17 | Kobe Steel, Ltd. | Ag alloy film for reflecting electrode or wiring electrode, reflecting electrode or wiring electrode, and Ag alloy sputtering target |
KR20160013102A (ko) | 2013-06-26 | 2016-02-03 | 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 | 반사 전극용 또는 배선 전극용 Ag 합금막, 반사 전극 또는 배선 전극, 및 Ag 합금 스퍼터링 타겟 |
JP2015028211A (ja) * | 2013-06-26 | 2015-02-12 | 株式会社神戸製鋼所 | 反射膜用または配線電極用Ag合金膜、反射膜または配線電極、および反射膜用または配線電極用Ag合金スパッタリングターゲット |
KR101764053B1 (ko) | 2013-06-26 | 2017-08-01 | 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 | 반사 전극용 또는 배선 전극용 Ag 합금막, 반사 전극 또는 배선 전극, 및 Ag 합금 스퍼터링 타겟 |
WO2014208341A1 (ja) * | 2013-06-26 | 2014-12-31 | 株式会社神戸製鋼所 | 反射電極用または配線電極用Ag合金膜、反射電極または配線電極、およびAg合金スパッタリングターゲット |
WO2016093067A1 (ja) * | 2014-12-11 | 2016-06-16 | 株式会社神戸製鋼所 | 電極構造 |
JP2016115700A (ja) * | 2014-12-11 | 2016-06-23 | 株式会社神戸製鋼所 | 電極構造 |
WO2017119335A1 (ja) * | 2016-01-06 | 2017-07-13 | コニカミノルタ株式会社 | 反射膜の製造方法 |
WO2021111974A1 (ja) * | 2019-12-02 | 2021-06-10 | 三菱マテリアル株式会社 | Ag合金膜、Ag合金スパッタリングターゲット |
JP2021091951A (ja) * | 2019-12-02 | 2021-06-17 | 三菱マテリアル株式会社 | Ag合金膜 |
CN114761608A (zh) * | 2019-12-02 | 2022-07-15 | 三菱综合材料株式会社 | Ag合金膜及Ag合金溅射靶 |
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