JP2014103312A - 表示装置または入力装置に用いられる電極、および電極形成用スパッタリングターゲット - Google Patents

Abstract

【課題】良好な電気抵抗率を有し、高精度な微細加工が容易であり、且つＡｇ合金膜（単層）と同程度の高反射率を有する電極構造を提供すること。
【解決手段】本発明の表示装置または入力装置に用いられる電極は、Ａｌ合金からなる基板側に形成された第１層と、その上方に形成されたＡｇ合金からなる第２層を含む積層膜を有し、前記電極の膜厚は１００〜８００ｎｍであり、前記第２層の膜厚は６０〜４８０ｎｍであり、且つ前記電極の膜厚に占める前記第２層の膜厚比率は１０〜７０％で、前記電極の膜厚に占める前記第１層の膜厚比率は３０％以上であり、前記Ａｌ合金は、合金元素として、希土類元素、Ｓｉ、Ｃｕ、およびＧｅよりなる群から選択される少なくとも一種、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも一種、よりなる群から選択される少なくとも一種を所定量含有すること。
【選択図】図１

Description

本発明は、表示装置または入力装置の電極、および電極形成用スパッタリングターゲットに関し、詳細には液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイなどの表示装置やタッチパッドなどの入力装置に用いられる電極、および当該電極の形成に用いられるスパッタリングターゲットに関するものである。

Ａｇ合金は主に電極材料として用いられており、電極としては、液晶ディスプレイ（ＬＤＣ）における薄膜トランジスタ用のゲート電極、ソース−ドレイン電極、有機ＥＬ（ＯＥＬＤ）における薄膜トランジスタ用のゲート電極、ソース−ドレイン電極並びに反射電極、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）におけるカソードおよびゲート電極、蛍光真空管（ＶＦＤ）におけるアノード電極、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）におけるアドレス電極、無機ＥＬにおける背面電極などが挙げられる。またＡｇ合金は、上記液晶ディスプレイや有機ＥＬなどの表示装置にタッチパネルなどの入力機能を備えた入力装置や、タッチパッドなどのように表示装置とは独立した入力装置においても同様に電極として用いられている。

以下では、表示装置として自発光型のフラットパネルディスプレイの１つである有機エレクトロルミネッセンス（以下、「有機ＥＬ」と記載する）ディスプレイを代表的に取り上げ、説明するがこれに限定する趣旨ではない。

有機ＥＬディスプレイは、ガラス板などの基板上に有機ＥＬ素子をマトリックス状に配列して形成した全固体型のフラットパネルディスプレイである。有機ＥＬディスプレイでは、陽極（アノード）と陰極（カソード）とがストライプ状に形成されており、それらが交差する部分が画素（有機ＥＬ素子）にあたる。この有機ＥＬ素子に外部から数Ｖの電圧を印加して電流を流すことで、有機分子が励起状態に押し上げられ、この励起状態の有機分子が元の基底状態（安定状態）へ戻るときに生じるエネルギーが光として放出される。この発光色は有機材料に固有のものである。

有機ＥＬ素子は、自発光型かつ電流駆動型の素子であり、その駆動方式にはパッシブ型とアクティブ型がある。パッシブ型は構造が簡単であるが、フルカラー化が困難である。一方アクティブ型は大型化が可能であり、フルカラー化にも適しているが、ＴＦＴ基板が必要である。このＴＦＴ基板には低温多結晶Ｓｉ（ｐ−Ｓｉ）またはアモルファスＳｉ（ａ−Ｓｉ）などのＴＦＴが使われている。

このアクティブ型の有機ＥＬディスプレイの場合、複数のＴＦＴや配線が障害となって、有機ＥＬ画素に使用できる面積が小さくなる。駆動回路が複雑となりＴＦＴが増えてくると、さらにその影響は大きくなる。そこで最近では、ガラス基板から光を取り出すのではなく、上面側から光を取り出す構造（トップエミッション）にすることで、開口率を改善する方法が注目されている。

このようなアクティブ型のトップエミッション有機ＥＬディスプレイでは、有機層の下面（ＴＦＴ基板側）の陽極（アノード電極）に、正孔注入に優れるＩＴＯ（酸化インジウムスズ）やＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）に代表される透明酸化物導電膜が用いられる。また、発光層から放射された光を反射する目的を兼ねて、上記アノード電極は、上記透明酸化物導電膜と反射膜との積層構造とされる。該反射膜としては、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）などの反射性金属膜が用いられることが多い。例えば、既に量産されているトップエミッション方式の有機ＥＬディスプレイにおける反射アノード電極には、ＩＴＯと純Ａｇ膜またはＡｇを主体として含むＡｇ合金膜との積層構造が採用されている。

純Ａｇ膜またはＡｇ合金膜は反射率が高いため有用である。しかしながら純ＡｇまたはＡｇ合金膜は、ウェットエッチング時のエッチングレートが速いため、エッチング特性に問題があることが指摘されている。例えばＡｇ合金膜は、リン硝酢酸などのウェットエッチング液によりエッチングされる速度が早く、特に大面積基板においてエッチング精度よく微細加工することが難しい。特に等方性エッチングによるＡｇ合金膜のサイドエッチが増加し、形成された側面の側面（サイドエッチ）が凹凸になるなどエッチング精度に問題があり、寸法精度よく微細加工することが困難であった。したがって、Ａｇ合金膜は所望の寸法精度や形状で加工することが難しいため、発光不良や漏れ光、電気的接触不良などの原因となり、有機ＥＬディスプレイなどの表示装置自体の信頼性低下を招いていた。

このような問題を解決する技術として、特許文献１には、Ａｇ合金から構成される陽極の寸法及び形状を精度良く制御する技術として、陽極をＡｌで構成される密着層と、前記密着層の上方に設けられ、Ａｇ合金で構成される反射層とを含み、前記反射層の端面及び前記密着層の端面は連続し、前記反射層の膜厚が５０ｎｍ以上８０ｎｍ以下である有機ＥＬ素子が提案されている。

特開２０１１−１１３７５８号公報

本発明は上記の様な事情に着目してなされたものであって、その目的は、良好な電気抵抗率を有し、Ａｇ合金単層膜では困難であった高精度な微細加工が容易であり、且つＡｇ合金膜（単層）と同程度の高反射率を有する表示装置または入力装置に用いられる電極を提供することにある。

上記課題を解決し得た本発明とは、表示装置または入力装置に用いられる電極であって、前記電極は、Ａｌ合金からなる基板側に形成された第１層と、その上方に形成されたＡｇ合金からなる第２層を含む積層膜を有し、前記電極の膜厚は１００〜８００ｎｍであり、前記第２層の膜厚は６０〜４８０ｎｍであり、且つ前記電極の膜厚に占める前記第２層の膜厚比率は１０〜７０％で、前記電極の膜厚に占める前記第１層の膜厚比率は３０％以上であり、前記Ａｌ合金は、合金元素として、（１−Ａ）希土類元素を０．０５〜１．０原子％、（１−Ｂ）Ｓｉ、Ｃｕ、およびＧｅよりなる群から選択される少なくとも一種を０．５〜１．５原子％、（１−Ｃ）Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも一種を０．０５〜０．７原子％、よりなる群から選択される少なくとも一種を含有することに要旨を有する電極である。

また前記Ａｇ合金はＡｇを９８原子％以上９９．９８原子％以下含有することも好ましい実施態様である。

更に、本発明においては、前記Ａｇ合金は、合金元素として（２−Ａ）希土類元素を０．０５〜１．０原子％、（２−Ｂ）Ｂｉおよび／またはＣｕを０．０５〜1．０原子％、（２−Ｃ）Ｐｄ、ＰｔおよびＡｕよりなる群から選択される少なくとも一種を０．１〜１．５原子％、（２−Ｄ）Ｚｎおよび／またはＩｎを０．１〜１．５原子％、よりなる群から選択される少なくとも一種を含有することも好ましい実施態様である。

上記希土類元素がＮｄ、Ｌａ、Ｇｄ、およびＣｅよりなる群から選択される少なくとも一種であることも好ましい。

上記電極は、ゲート電極、ソース−ドレイン電極、反射電極として好ましく用いられる。また本発明の電極を備えた有機ＥＬ素子、薄膜トランジスタ、入力装置が含まれる。

また本発明には、電極形成用Ａｌ合金スパッタリングターゲットも含まれており、該スパッタリングターゲットは、（１−Ａ）希土類元素を０．０５〜１．０原子％、（１−Ｂ）Ｓｉ、Ｃｕ、およびＧｅよりなる群から選択される少なくとも一種を０．５〜１．５原子％、（１−Ｃ）Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも一種を０．０５〜０．７原子％、よりなる群から選択される少なくとも一種を含有することに要旨を有する。

同様に本発明には、電極形成用Ａｇ合金スパッタリングターゲットも含まれており、該スパッタリングターゲットは、（２−Ａ）希土類元素を０．０５〜１．０原子％、（２−Ｂ）Ｃｕを０．０５〜1．０原子％、および／またはＢｉを０．２５〜５．０原子％、（２−Ｃ）Ｐｄ、ＰｔおよびＡｕよりなる群から選択される少なくとも一種を０．１〜１．５原子％、（２−Ｄ）Ｚｎおよび／またはＩｎを０．１〜１．５原子％、よりなる群から選択される少なくとも一種を含有することに要旨を有する。

更に上記Ａｌ合金スパッタリングターゲット、およびＡｇ合金スパッタリングターゲットが希土類元素を含む場合、希土類元素はＮｄ、Ｌａ、ＧｄおよびＣｅよりなる群から選択される少なくとも一種であることが推奨される。

本発明の電極は、Ａｌ合金からなる第１層（基板側）と、Ａｇ合金からなる第２層とを含む積層膜を有し、且つ膜厚、成分組成を適切に制御しているため、優れたエッチング特性と高い反射率を示すと共に良好な電気抵抗率を示す。その結果、本発明に係る電極は、従来のＡｇ合金単層膜では困難であった高精度な微細加工が容易となり、また、Ａｇ合金単層と同等の高反射率を奏することが可能となる。

また本発明によれば、上記本発明に係る表示装置または入力装置に用いられる電極の形成に好適なスパッタリングターゲットを提供することが可能となる。

図１は、本発明の反射電極を備えた有機ＥＬディスプレイの一例を示す概略図である。 図２は、液晶ディスプレイの一例を示す概略断面図である。 図３は、有機ＥＬディスプレイの一例を示す概略断面図である。 図４は、フィールドエミッションディスプレイの一例を示す概略断面図である。 図５は、蛍光真空管の一例を示す概略断面図である。 図６は、プラズマディスプレイの一例を示す概略断面図である。 図７は、無機ＥＬディスプレイの一例を示す概略断面図である。

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、表示装置または入力装置に用いられる電極において、電極を、基板側から順に、Ａｌ合金からなる第１層と、その上方に形成されたＡｇ合金からなる第２層（前記第１層と直接接していてもよいし、直接接していなくてもよい）とを含む積層膜とし、該電極、および該電極を構成する第１層（Ａｌ合金膜）と第２層（Ａｇ合金膜）の各膜厚、および第１層（Ａｌ合金）の成分組成を適切に制御すればよいことを見出し、本発明を完成した。

本発明に到達した経緯は以下の通りである。まず、従来のＡｇ合金膜（単層）の問題点、すなわち、レジストをマスクとしたウェットエッチングによるパターニングに際してエッチング精度よく微細加工することが難しいという問題に対しては、Ａｌ膜とＡｇ合金膜の積層構造とすることでエッチングレートを調整でき、解決できることが知られている（上記特許文献１）。これはＡｌ膜のエッチングレートがＡｇ合金膜のエッチングレートよりも遅いため、Ａｌ膜がエッチングレートコントロール機能を奏するからである。この技術によれば電極をＡｇ合金膜とＡｌ膜の積層構造とすることで、エッチングレートの調整が図られ、Ａｇ合金膜の過剰エッチングを抑制することが可能となり、寸法を高精度で加工することができる。

しかしながら、近年、表示装置の電極には配線の微細化と共に電気抵抗率の抑制という相反する特性が求められている。更に有機ＥＬディスプレイなどの反射電極は、配線の微細化や電気抵抗率の抑制に加えて高反射率も求められている。そのため特許文献１に開示されているような従来技術は、配線を高精度でエッチング加工することはできるものの、対象となる陽極の膜厚は１００〜３００ｎｍ程度と薄いため、配線を微細化した際の電気抵抗率の抑制が難しく、またＡｇ合金膜も５０〜８０ｎｍと薄いため安定した高反射率を確保することも困難であった。更にＡｌ膜は上記エッチングレートコントロール機能だけでなく、下層（平坦化膜）との密着性向上に有用であるものの、十分な反射率を有さないため、高反射率を確保することが難しかった。

特許文献１には厚膜化した場合の高精度の微細加工や反射率については何ら開示しておらず、また後記するように特許文献１の構成では、反射率が低いなどの問題があった。

本発明者らが検討した結果、反射率を考慮しつつ厚膜化しても良好な電気抵抗率や微細加工性を確保するには純Ａｌ（或いはＡｌ酸化物やＡｌ金属間化合物）では困難であり、特定の合金元素を所定量含むＡｌ合金膜を用いることが有用であることがわかった。そして本発明者らがＡｌ合金膜（基板側）とＡｇ合金膜の積層膜を有する反射電極を作製し、反射率、膜厚、および微細加工性（パターニングした際の寸法精度）の関係について検討した結果、後記実施例の表１から以下の知見を得た。

すなわち、Ａｇ合金膜の膜厚が薄くなるとＡｇ合金膜の反射率が低下し、Ａｇ合金膜を透過してＡｌ合金膜で反射する光が多くなることがわかった。Ａｇ合金膜の透過率が上昇すると、Ａｌ合金膜で反射する光の割合が上昇するが、Ａｌ合金膜はＡｇ合金膜に比べて反射率が低く、またＡｌ合金膜で反射した光の一部はＡｇ合金膜を透過せずに反射してしまうため、反射電極の反射率が低下することがわかった（Ｎｏ．１）。一方、Ａｇ合金膜の膜厚が厚くなると、反射電極の反射率も良好になるが（９０％以上）、高精度な微細加工が困難になることがわかった（Ｎｏ．１２）。更にＡｌ合金膜とＡｇ合金膜の積層膜では、該積層膜の膜厚に対するＡｌ合金膜、およびＡｇ合金膜の膜厚比率が微細加工性に影響を及ぼすことがわかった。すなわち、Ａｇ合金膜の膜厚比率が７０％を超えるとエッチングされるＡｇ合金膜が多くなるため、微細加工性が悪化した（Ｎｏ．５、９、１２）。同様にＡｌ合金膜の膜厚比率が３０％を下回ると、エッチングレートコントロール機能を十分に発揮し得ず、微細加工性が悪化した（Ｎｏ．５、９、１２）。この傾向はＡｇ合金膜の膜厚にかかわらず、積層膜に対する比率が７０％を超えた場合（或いはＡｌ合金膜が３０％を下回る場合）に生じた。これらの結果から、良好な微細加工性と反射率を確保するには、単にＡｇ合金膜とＡｌ合金膜を積層するだけでなく、所定の膜厚の範囲内において、積層膜の膜厚に対するＡｇ合金膜やＡｌ合金膜の膜厚の比率を適切に制御する必要があることがわかった。このように膜厚を適切に制御することで、良好な電気抵抗率を得るために電極を厚膜化（例えば８００ｎｍ程度まで）しても、良好な反射率と微細加工性を確保できることを見出した。

次に本発明者らは電極を構成する第１層（Ａｌ合金膜）と第２層（Ａｇ合金膜）の成分組成が反射率、微細加工性、電気抵抗率に及ぼす影響について検討した。まず、第１層（Ａｌ合金膜）について、様々な合金元素を添加して上記特性との関係を調べたところ、表２に示すように希土類元素、Ｓｉ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、およびＮｂが微細加工性の向上に有効であることがわかった。またこれら合金元素を添加する場合、反射率や電気抵抗率との関係で好ましい含有量が存在した。すなわち、合金元素を含有しない純Ａｌ膜は（Ｎｏ．１）、電気抵抗率は良好であったが、反射率が低く、反射電極に要求される反射率は満足できなかった。また上記合金元素を添加した場合でも、含有量が多くなり過ぎるとかえって電気抵抗率が悪化すると共に、Ａｌ合金膜の反射率が低下して、反射電極の反射率も低くなることがわかった（Ｎｏ．５、９、１２）。

また第２層（Ａｇ合金膜）についても、第１層（Ａｌ合金膜）と同様に様々な合金元素を添加して上記特性との関係を調べたところ、表３に示すように、希土類元素、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｚｎ、およびＩｎが微細加工性向上に有効であることがわかった。またこれらの合金元素には、反射率や電気抵抗率との関係では好ましい含有量が存在した。すなわち、合金元素を添加しない純Ａｇ膜は（Ｎｏ．１；特許文献１の密着層を模擬した実施例）、反射率が低く、反射電極に要求される反射率を満足できなかった。また上記合金元素を添加した場合であっても、含有量が多くなりすぎると、電気抵抗率が低下すると共に、反射率も低下することがわかった（Ｎｏ．５、１０、１４、２０、２４）。

これら実験結果から、電気抵抗率は厚膜化することで良好になる傾向を示し、また特定の合金元素を添加することで微細加工性は向上することがわかった。一方で、第１層（Ａｌ合金膜）ないし第２層（Ａｇ合金膜）に添加する合金元素、およびその含有量によっては電気抵抗率や反射率が悪化することがあるため、合金元素、およびその含有量は適切に制御する必要があることを実験の結果見出した。そして本発明ではこのような結果に基づいて後記するように合金元素、およびその含有量について規定した。

なお、本発明に係る電極の特性として、電気抵抗率がおおむね、７．０μΩｃｍ以下であることが好ましく、より好ましくは５μΩｃｍ以下である。

以下、本発明に係る表示装置または入力装置に用いられる電極について説明する。
（電極の構成）
表示装置または入力装置に用いられる電極は、基板側に形成されたＡｌ合金からなる第１層と、その上方に形成されたＡｇ合金からなる第２層を含む積層膜で構成されている。

本発明の上記積層膜は、基板側から順に、上記第１層（Ａｌ合金膜）および上記第２層（Ａｇ合金膜）がこの順番で積層された二層構造とすることも好ましい実施態様である。

なお、本発明の積層膜は、上記第１層（Ａｌ合金膜）と第２層（Ａｇ合金膜）からなる積層膜も好ましい実施態様であるが、これに限定されず、任意の層（第３層）を含んでも良い趣旨である。したがって第１層（Ａｌ合金膜）と第２層（Ａｇ合金膜）の間に任意の第３層が形成されていてもよい。第３層としては第１層（Ａｌ合金膜）と第２層（Ａｇ合金膜）との密着性向上に寄与する密着性向上膜が例示される。

（電極の膜厚）
本発明において、電極（積層膜）の膜厚は、１００〜８００ｎｍとする。膜厚が１００ｎｍを下回ると配線抵抗が増大すると共に、安定した反射率が得られなくなるなどの問題が生じる。一方、８００ｎｍを超えると微細加工性の悪化や上層膜（パシベーション膜など）のカバレッジが悪くなり断層などの問題が生じる。電極の好ましい膜厚は１２０ｎｍ以上、より好ましくは１５０ｎｍ以上であって、好ましくは７００ｎｍ以下、より好ましくは５００ｎｍ以下である。本発明によれば上記のように電極を厚膜としても、良好な電気抵抗率、反射率、微細加工性を発揮することができる。

（第１層（Ａｌ合金膜）の膜厚）
第１層（Ａｌ合金膜）は、第２層（Ａｇ合金膜）を透過した光を反射すると共に、ウェットエッチング時のエッチングレートのコントロール層としての役割を担う層である。このような効果を発揮するためには第１層（Ａｌ合金膜）の膜厚は、好ましくは５０ｎｍ以上、より好ましくは１００ｎｍ以上である。一方、第１層（Ａｌ合金膜）の膜厚が厚くなりすぎると、上記電極の膜厚との関係で第２層（Ａｇ合金膜）の膜厚が薄くなりすぎて、反射率が低下する。したがって第１層（Ａｌ合金膜）の膜厚の上限は、６５０ｎｍ以下とすることが好ましく、より好ましくは４５０ｎｍ以下である。

（第２層（Ａｇ合金膜）の膜厚）
第２層（Ａｇ合金膜）は、特に反射電極における反射膜としての役割を担う。高い反射率を確保するためには、６０ｎｍ以上とする必要があり、好ましくは９０ｎｍ以上、より好ましくは１００ｎｍ以上である。一方、第２層（Ａｇ合金膜）の膜厚が厚すぎると、ウェットエッチング時のエッチング量が増加して所望の配線幅が得られず微細加工性が悪化するため、４８０ｎｍ以下とする必要があり、好ましくは４００ｎｍ以下、より好ましくは３００ｎｍ以下である。

なお、第１層（Ａｌ合金膜）と第２層（Ａｇ合金膜）の膜厚の関係は特に限定されず、第１層（Ａｌ合金膜）と第２層（Ａｇ合金膜）の膜厚は、同じであってもよいし、異なっていてもよく、また異なる場合は、第１層（Ａｌ合金膜）が第２層（Ａｇ合金膜）よりも厚膜であっても薄膜であってもよい。より高精度な微細加工を達成するには、第１層（Ａｌ合金膜）の膜厚が第２層（Ａｇ合金膜）の膜厚よりも厚膜（第１層＞第２層）、或いは同じ膜厚（第１層＝第２層）とすることが好ましく、第１層（Ａｌ合金膜）の膜厚は第２層（Ａｇ合金膜）の膜厚以上となるように設定することが好ましい（第１層≧第２層）。

本発明に係る電極（積層膜）の膜厚（１００〜８００ｎｍ）に占める第２層（Ａｇ合金膜）の膜厚比率は１０〜７０％である。第２層（Ａｇ合金膜）の膜厚比率が低下すると所望の反射率が得られないため、第２層（Ａｇ合金膜）の膜厚比率は１０％以上とする必要があり、好ましくは１５％以上、より好ましくは２０％以上である。一方、第２層（Ａｇ合金膜）の比率が高くなりすぎると、第１層（Ａｌ合金膜）による上記エッチングレートコントロール効果が十分に得られず、ウェットエッチング時のエッチング量が増えて高精度な微細加工が困難となる。したがって、第２層（Ａｇ合金膜）の膜厚比率は７０％以下とする必要があり、好ましくは５０％以下、より好ましくは４０％以下、更に好ましくは３０％以下である。

なお、上記第１層（Ａｌ合金膜）のエッチングレートコントロール効果を発現するためには、第１層（Ａｌ合金膜）の膜厚比率は３０％以上とする必要があり、好ましくは５０％以上、より好ましくは６０％以上、更に好ましくは７０％以上である。第１層（Ａｌ合金膜）の膜厚比率の上限は特に限定されず、上記第２層（Ａｇ合金膜）の膜厚比率との関係で規定すればよい。

（第１層（Ａｌ合金膜）の成分組成）
本発明において、第１層（Ａｌ合金膜）の成分組成は、電極を厚膜化しつつ、良好な反射率、電気抵抗率、微細加工性を発揮するためには、以下の合金元素を所定の範囲で含有する必要がある。

Ａｌ合金に添加する合金元素は、［（１−Ａ）希土類元素を０．０５〜１．０原子％、（１−Ｂ）Ｓｉ、Ｃｕ、およびＧｅよりなる群から選択される少なくとも一種を０．５〜１．５原子％、（１−Ｃ）Ｔｉ、Ｔａ、ＷおよびＮｂよりなる群から選択される少なくとも一種を０．０５〜０．７原子％］よりなる群から選択される少なくとも一種を含有することである。これら元素は、単独で添加してもよいし、任意の二種以上を併用してもよい。すなわち、（１−Ａ）群、（１−Ｂ）群、および（１−Ｃ）群のうち、いずれか一群を単独で用いてもよいし、任意の二群の組合せ、または全部（三群）を併用してもよい。また各群を構成する元素は、単独、または任意の二種以上を併用することができる。

なお、各群の含有量は、単独で含むときは単独の含有量であり、複数の元素を含むときは合計量である（第２層（Ａｇ合金膜）についても同じ）。

上記効果との関係で、より好ましい実施態様としては、Ａｌ合金の好ましくは９０原子％以上、より好ましくは９５原子％以上がＡｌとなるように調整することが望ましい。

第１層を構成するＡｌ合金は、好ましくは上記元素を含み、残部：Ａｌおよび不可避的不純物である。

（１−Ａ）希土類元素を０．０５〜１．０原子％
希土類元素は、Ａｌ合金の組織の粗大化を抑えて反射率の低下抑制に寄与する元素である。このような効果を発揮させるため希土類元素は０．０５原子％以上、好ましくは０．１原子％以上、より好ましくは０．１５原子％以上である。組織の粗大化抑制の観点からは希土類元素の含有量が高いほどよいが、含有量が多すぎると電気抵抗率が悪化すると共に、反射率もかえって低下することがあるため、１．０原子％以下、好ましくは０．８原子％以下、より好ましくは０．６原子％以下である。

上記希土類元素とは、ランタノイド元素（周期表において、原子番号５７のＬａから原子番号７１のＬｕまでの合計１５元素）に、Ｓｃ（スカンジウム）とＹ（イットリウム）とを加えた元素群を意味する。好ましい希土類元素は、Ｎｄ、Ｌａ、Ｇｄ、およびＣｅよりなる群から選択される少なくとも一種（より好ましい希土類元素は、Ｎｄ、Ｌａ）である。

（１−Ｂ）Ｓｉ、Ｃｕ、およびＧｅよりなる群から選択される少なくとも一種を０．５〜１．５原子％
Ｓｉ、Ｃｕ、およびＧｅは、Ａｌ合金の組織の粗大化を抑えて反射率の低下抑制に寄与する元素である。このような効果を発揮させるためＳｉ、Ｃｕ、およびＧｅよりなる群から選択される少なくとも一種は、０．５原子％以上、好ましくは０．６原子％以上、より好ましくは０．７原子％以上である。上記粗大化抑制の観点からはＳｉ、Ｃｕ、Ｇｅの含有量は高いほどよいが、含有量が多すぎると電気抵抗率が悪化すると共に、反射率も低下することがあるため、１．５原子％以下、好ましくは１．２原子％以下、より好ましくは１．０原子％以下である。これらの中でも好ましい元素は、Ｃｕである。

（１−Ｃ）Ｔｉ、Ｔａ、ＷおよびＮｂよりなる群から選択される少なくとも一種を０．０５〜０．７原子％
Ｔｉ、Ｔａ、ＷおよびＮｂは、上記希土類元素やＳｉ、Ｃｕ、Ｇｅと同じく、組織粗大化を抑えて反射率低下抑制に寄与する元素である。このような効果を発揮させるため、Ｔｉ、Ｔａ、ＷおよびＮｂよりなる群から選択される少なくとも一種は、０．０５原子％以上、好ましくは０．１原子％以上、より好ましくは０．１５原子％以上である。上記粗大化抑制の観点からはＴｉ、Ｔａ、ＷおよびＮｂの含有量は高いほどよいが、含有量が多すぎると電気抵抗率が悪化すると共に、反射率も低下することがあるため、０．７原子％以下、好ましくは０．５原子％以下、より好ましくは０．４原子％以下である。これらの中でも好ましい元素は、Ｔｉ、Ｔａである。

上記（１−Ａ）〜（１−Ｃ）群の合金元素を含有する好ましい第１層（Ａｌ合金膜）の成分組成としてはＡｌ−０．２Ｎｄ、Ａｌ−０．２Ｎｄ−０．３Ｔａが例示される。

（第２層（Ａｇ合金膜）の成分組成）
本発明において、第２層（Ａｇ合金膜）の成分組成は、特に限定されず、従来から用いられているＡｇ合金膜の成分組成を採用することが可能であるが、電極を厚膜化しつつ、良好な反射率、電気抵抗率、微細加工性を発揮するためには、以下の合金元素を所定の範囲で含有することが好ましい。

合金元素として好ましくは、［（２−Ａ）希土類元素を０．０５〜１．０原子％、（２−Ｂ）Ｂｉおよび／またはＣｕを０．０５〜1．０原子％、（２−Ｃ）Ｐｄ、ＰｔおよびＡｕよりなる群から選択される少なくとも一種を０．１〜１．５原子％、（２−Ｄ）Ｚｎおよび／またはＩｎを０．１〜１．５原子％］よりなる群から選択される少なくとも一種を含有することである。これら元素は、上記第１層（Ａｌ合金膜）と同様、単独で添加してもよいし、任意の二種以上を併用してもよい。また各群の含有量は、上記したように単独の含有量、或いは合計量である。

上記効果との関係で、より好ましい実施態様としては、Ａｇ合金の９８原子％以上９９．９８原子％以下がＡｇとなるように調整することである。Ａｇ含有量が少なくなりすぎると、Ａｇ合金膜の反射率が低下することがある。

第２層を構成するＡｇ合金は、好ましくは上記元素を含み、残部：Ａｇおよび不可避的不純物である。

（２−Ａ）希土類元素を０．０５〜１．０原子％
希土類元素は、熱履歴によるＡｇ結晶粒の成長を抑えて反射率低下を抑制すると共に、ハロゲンイオンに起因する凝集抑制（耐ハロゲン性）に寄与する元素である。このような効果を発揮させるため希土類元素は好ましくは０．０５原子％以上、より好ましくは０．１原子％以上、更に好ましくは０．１５原子％以上である。上記効果向上の観点からは希土類元素の含有量が高いほどよいが、含有量が多すぎると反射率がかえって低下することがあるため、好ましくは１．０原子％以下、より好ましくは０．７原子％以下、更に好ましくは０．５原子％以下である。

上記希土類元素とは、上記第１層と同じくランタノイド元素、Ｓｃ、Ｙを意味し、好ましい希土類元素は、Ｎｄ、Ｌａ、Ｇｄ、およびＣｅよりなる群から選択される少なくとも一種（より好ましい希土類元素は、Ｎｄ、Ｌａ）である。

（２−Ｂ）Ｂｉおよび／またはＣｕを０．０５〜1．０原子％
Ｂｉ、Ｃｕは、上記希土類元素と同じく、Ａｇ結晶粒の成長抑制や耐ハロゲン性向上に寄与する元素である。このような効果を発揮させるためＢｉおよび／またはＣｕは好ましくは０．０５原子％以上、より好ましくは０．０７原子％以上、更に好ましくは０．１原子％以上である。上記効果向上の観点からはＢｉ、Ｃｕの含有量が高いほどよいが、含有量が多すぎると反射率がかえって低下することがある。Ｂｉおよび／またはＣｕは好ましくは１．０原子％以下、より好ましくは０．７原子％以下、更に好ましくは０．５原子％以下である。これらの中でも好ましい元素は、Ｂｉである。

（２−Ｃ）Ｐｄ、ＰｔおよびＡｕよりなる群から選択される少なくとも一種を０．１〜１．５原子％
Ｐｄ、Ｐｔ、およびＡｕは、上記希土類元素やＢｉ、Ｃｕと同じく、Ａｇ結晶粒の成長抑制や耐ハロゲン性向上に寄与する元素である。このような効果を発揮させるためＰｄ、ＰｔおよびＡｕよりなる群から選択される少なくとも一種は好ましくは０．１原子％以上、より好ましくは０．１５原子％以上、更に好ましくは０．２原子％以上である。上記効果向上の観点からはＰｄ、Ｐｔ、およびＡｕの含有量が高いほどよいが、含有量が多すぎると反射率がかえって低下することがあるため、好ましくは１．５原子％以下、より好ましくは１．０原子％以下、更に好ましくは０．８原子％以下である。これらの中でも好ましい元素は、Ｐｄ、Ｐｔである。

（２−Ｄ）Ｚｎおよび／またはＩｎを０．１〜１．５原子％
Ｚｎ、Ｉｎは、上記元素と同じくＡｇ結晶粒の成長抑制や耐ハロゲン性向上に寄与すると共に、耐酸化性、耐硫化性向上に寄与する元素である。このような効果を発揮させるためＺｎおよび／またはＩｎは好ましくは０．１原子％以上、より好ましくは０．３原子％以上、更に好ましくは０．５原子％以上である。上記効果向上の観点からはＺｎ、Ｉｎの含有量が高いほどよいが、含有量が多すぎると反射率がかえって低下することがあるため、好ましくは１．５原子％以下、より好ましくは１．３原子％以下、更に好ましくは１．１原子％以下である。これらの中でも好ましい元素は、Ｚｎである。

上記（２−Ａ）〜（２−Ｄ）群の合金元素を含有する好ましい第２層（Ａｇ合金膜）の成分組成としてはＡｇ−０．３Ｂｉ−０．５Ｎｄが例示される。

（第１層（Ａｌ合金膜）の形成方法）
本発明に係る電極を構成する積層膜に含まれる第１層（Ａｌ合金膜）の形成方法として、例えば、スパッタリング法や真空蒸着法などが挙げられる。本発明では、細線化や膜内の合金成分の均一化を図ることができ、かつ添加元素量を容易にコントロールできる等の観点から、第１層（Ａｌ合金膜）をスパッタリング法にてスパッタリングターゲットを用いて形成することが望ましい。

スパッタリング法で上記第１層（Ａｌ合金膜）を形成する場合、上記第１層（Ａｌ合金膜）を構成する（１−Ａ）〜（１−Ｃ）に対応した元素を所定量含むＡｌ合金スパッタリングターゲットの使用が有用である。具体的には［（１−Ａ）希土類元素を０．０５〜１．０原子％、（１−Ｂ）Ｓｉ、Ｃｕ、およびＧｅよりなる群から選択される少なくとも一種を０．５〜１．５原子％、（１−Ｃ）Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも一種を０．０５〜０．７原子％］よりなる群から選択される少なくとも一種を含有するＡｌ合金スパッタリングターゲットが望ましい。

基本的には、これらの元素を含み、所望のＡｌ合金膜と同一組成のＡｇ合金スパッタリングターゲットを用いれば、組成ズレの恐れがなく、所望とする成分組成のＡｌ合金膜を形成することができる。

もっともスパッタリングターゲットは一つのスパッタリングターゲットにＡｌ合金膜の成分組成に対応した元素すべて含有している必要がなく、元素を所定量含むスパッタリングターゲットを同時スパッタ（例えば、チップオンによるコスパッタリング）することも、所望とする成分組成のＡｌ合金膜の形成に有用である。

上記Ａｌ合金スパッタリングターゲットの作製方法として、真空溶解法や粉末焼結法が挙げられるが、特に真空溶解法での作製が、ターゲット面内の組成や組織の均一性を確保できる観点から望ましい。

スパッタリング法での成膜条件は特に限定されないが、例えば以下のような条件を採用することが好ましい。
・基板温度：室温〜１５０℃
・雰囲気ガス：Ａｒ、窒素、などの不活性ガス
・成膜時の（Ａｒ）ガス圧：１．０〜５．０ｍＴｏｒｒ
・スパッタパワー：１００〜２０００Ｗ
・到達真空度：１×１０^−５Ｔｏｒｒ以下

（第２層（Ａｇ合金膜）の形成方法）
反射電極を構成する第２層（Ａｇ合金膜）の形成方法も上記第１層（Ａｌ合金膜）と同様各種成膜方法を採用できるが、第１層（Ａｌ合金膜）と同様の理由により、第２層（Ａｇ合金膜）はスパッタリング法にてスパッタリングターゲットを用いて形成することが望ましい。

スパッタリング法で上記第２層（Ａｇ合金膜）を形成する場合、上記（２−Ａ）〜（２−Ｄ）の任意の元素を所定量含むＡｇ合金スパッタリングターゲットの使用が有用である。

具体的には［（２−Ａ）希土類元素を０．０５〜１．０原子％、（２−Ｂ）Ｃｕを０．０５〜1．０原子％、および／またはＢｉを０．２５〜５．０原子％（２−Ｃ）Ｐｄ、ＰｔおよびＡｕよりなる群から選択される少なくとも一種を０．１〜１．５原子％、（２−Ｄ）Ｚｎおよび／またはＩｎを０．１〜１．５原子％］よりなる群から選択される少なくとも一種を含有するＡｇ合金スパッタリングターゲットを用いればよい。

基本的には、これらの元素を含み、所望の第２層（Ａｇ合金膜）と同一組成のＡｇ合金スパッタリングターゲットを用いれば、組成ズレの恐れがなく、所望とする成分組成のＡｇ合金膜を形成することができる。但し、Ｂｉは成膜過程で飛散し易く、また膜表面近傍に濃化し易い元素であるため、Ａｇ合金膜中のＢｉ量に対しておおむね５倍程度のＢｉをスパッタリングターゲット中に含有させることが好ましく、上記膜中のＢｉ含有量に対応してＢｉは好ましくは０．２５原子％以上、より好ましくは０．３５原子％以上、更に好ましくは０．５原子％以上であって、好ましくは５．０原子％以下、より好ましくは３．５原子％以下、更に好ましくは２．５原子％以下である。

もっともスパッタリングターゲットは一つのスパッタリングターゲットにＡｇ合金膜の成分組成に対応した元素すべて含有している必要がなく、元素を所定量含むスパッタリングターゲットを同時スパッタ（例えば、チップオンによるコスパッタリング）することも、所望とする成分組成のＡｇ合金膜の形成に有用である。

Ａｇ合金スパッタリングターゲットの作製方法としては上記各種方法が挙げられるが、上記Ａｌ合金スパッタリングターゲットと同様、真空溶解法が望ましい。

第２層（Ａｇ合金膜）は、第１層（Ａｌ合金膜）をスパッタリング法で形成後、続けてスパッタリング法で形成してもよい。

スパッタリング法での成膜条件は特に限定されないが、例えば以下のような条件を採用することが好ましい。
・基板温度：室温〜１５０℃
・雰囲気ガス：Ａｒ、窒素などの不活性ガス
・成膜時の（Ａｒ）ガス圧：１〜５ｍＴｏｒｒ
・スパッタパワー：１００〜２０００Ｗ
・到達真空度：１×１０^−５Ｔｏｒｒ以下

なお、上記Ａｌ合金スパッタリングターゲット、および上記Ａｇ合金スパッタリングターゲットの形状は、スパッタリング装置の形状や構造に応じて任意の形状（角型プレート状、円形プレート状、ドーナツプレート状など）に加工したものが含まれる。

以上、本発明の特徴部分である積層膜を構成する第１層（Ａｌ合金膜）および第２層（Ａｇ合金膜）について説明した。以下では、上記第１層（Ａｌ合金膜）および第２層（Ａｇ合金膜）を含む積層膜を用いた表示装置や入力装置に用いられる電極を、有機ＥＬの反射電極として用いた有機ＥＬ素子の構造について説明する。

但し、本発明は上記構造に限定する趣旨ではなく、反射電極以外にも例えばゲート電極、ソース−ドレイン電極（ソース電極、ドレイン電極）などの電極にも適用される。

図１に示す有機ＥＬディスプレイを例に用いて、本発明の第１層（Ａｌ合金膜）と第２層（Ａｇ合金膜）を含む積層膜で構成された電極を反射電極として含む有機ＥＬ素子を説明する。下記では、本発明の有機ＥＬ素子を、有機ＥＬディスプレイに適用する場合について説明するが、本発明の有機ＥＬ素子は、その適用が有機ＥＬディスプレイに限定されるものではなく、有機ＥＬ照明等にも適用することができる。また図１は、有機ＥＬディスプレイの一例を示すものである。本発明は、反射電極が前記第１層（Ａｌ合金膜）と第２層（Ａｇ合金膜）を含む積層膜で構成され、かつ該反射電極、第１層、第２層の各膜厚、および第１層の構成を適切に制御する点に特徴があり、それ以外の構成は図１に限定されず、有機ＥＬディスプレイの分野で通常用いられる公知の構成を採用することができる。更に、本発明にかかる反射電極は、上記反射アノード電極に限定されず、その他の反射電極にも使用しうる。

まず図１に示す通り、基板１上にＴＦＴ２およびパシベーション膜３が形成され、さらにその上に平坦化層４が形成される。ＴＦＴ２上にはコンタクトホール５が形成され、コンタクトホール５を介してＴＦＴ２のソース−ドレイン電極（図示せず）と、本発明に係る反射電極を構成する第１層（Ａｌ合金膜）６とは電気的に接続されている。

更に第１層（Ａｌ合金膜）６の直上に第２層（Ａｇ合金膜）７が形成される。上記第１層（Ａｌ合金膜）６と第２層（Ａｇ合金膜）７の形成は、上述した方法で行うことができる。

次いで、第２層（Ａｇ合金膜）７の上に、有機層８が形成される。上記有機層８には、有機発光層の他に例えば正孔輸送層や電子輸送層などが含まれ得る。さらに有機層８の上にカソード電極９が形成される。この図１の場合、カソード電極９を構成する材料については特に問わず、従来より用いられているものを使用することができる。

上記有機ＥＬディスプレイでは、有機層８中の有機発光層から放射された光が本発明の反射アノード電極（特には第２層（Ａｇ合金膜）７）で効率よく反射されるので、優れた発光輝度を実現できる。なお反射電極（第１層（Ａｌ合金膜）６＋第２層（Ａｇ合金膜）７）の反射率は高いほどよく、一般的には９０％以上、好ましくは９２％以上の反射率が求められる。

また、反射アノード電極は有機層８への正孔注入特性が高いほど好ましい。

以上、本発明の電極を備えた反射電極、および該電極を備えた有機ＥＬ素子について説明した。

上記説明した本発明の表示装置の電極は、各種表示装置（入力装置を含む）の電極として用いることができる。例えば図２に例示される液晶ディスプレイ（ＬＤＣ）における薄膜トランジスタ用のゲート電極、ソース−ドレイン電極（ソース電極、ドレイン電極）、例えば図３に例示される有機ＥＬディスプレイ（ＯＥＬＤ）における薄膜トランジスタ用のゲート電極、ソース−ドレイン電極、例えば図４に例示されるフィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）におけるカソード電極、およびゲート電極、例えば図５に例示される蛍光真空管（ＶＦＤ）におけるアノード電極、例えば図６に例示されるプラズマディスプレイ（ＰＤＰ）におけるアドレス電極、例えば図７に例示される無機ＥＬディスプレイにおける背面電極などが挙げられる。

また本発明の電極は入力装置にも適用できる。入力装置としてはタッチパネルなどのように上記表示装置に入力手段を備えた入力装置やタッチパッドのような表示装置を有さない入力装置も含まれる。具体的には上記各種表示装置と位置入力手段を組み合わせ、画面上の表示を押すことで機器を操作する入力装置や、位置入力手段上の入力位置に対応して別途設置されている表示装置を操作する入力装置の電極（例えば上記した各種電極）にも本発明の電極を用いることができる。なお位置入力手段としてはマトリックス・スイッチ、抵抗膜方式、表面弾性波方式、赤外線方式、電磁誘導方式、静電容量方式など各種公知の動作原理を採用できる。

これら表示装置または入力装置の電極に本発明に係る電極を用いた場合に、上記所定の効果が得られることは実験により確認済である。

以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はもとより下記実施例によって制限を受けるものではなく、前・後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも勿論可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。

（成膜）
ガラス基板（無アルカリガラス、板厚０．７ｍｍ、直径４インチ）上に、表１〜３に示す成分組成の第１層（Ａｌ合金膜：残部はＡｌおよび不可避的不純物）と同一成分組成を有するスパッタリングターゲット（直径４インチの円盤型）を用いてＤＣマグネトロンスパッタリング装置を用い、下記スパッタリング条件で成膜した。続いて第１層の直上に、表１〜３に示す成分組成の第２層（Ａｇ合金膜：残部はＡｇおよび不可避的不純物）と同一成分を有するスパッタリングターゲット（直径４インチの円盤形）を用いて下記スパッタリング条件で成膜して試料を作製した。なお、表２のＮｏ．１の第１層は純Ａｌスパッタリングターゲット、表３のＮｏ．１の第２層は純Ａｇスパッタリングターゲットを用いた。またターゲット中のＢｉ含有量は、第２層（Ａｇ合金膜）中のＢｉ含有量に対して５倍となるように添加した（例えば表２のＮｏ．１ではＡｇ−０．５原子％Ｂｉ−１．０原子％Ｚｎのスパッタリングターゲットを用いて、Ａｇ−０．１原子％Ｂｉ−１．０原子％Ｚｎの第２層（Ａｇ合金膜）を形成した）。

成膜後の第１層（Ａｌ合金膜）、および第２層（Ａｇ合金膜）の組成は、誘導結合プラズマ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ：ＩＣＰ）質量分析法で確認した（表中、「第１層」と「第２層」中の含有率はいずれも原子％である）。

（Ａｌ合金スパッタリング条件）
・基板温度：室温
・Ａｒガス流量：３０ｓｃｃｍ
・Ａｒガス圧：２ｍＴｏｒｒ
・スパッタパワー：２６０Ｗ
・到達真空度：３×１０^-6Ｔｏｒｒ
（Ａｇ合金スパッタリング条件）
・基板温度：室温
・Ａｒガス流量：３０ｓｃｃｍ
・Ａｒガス圧：２ｍＴｏｒｒ
・スパッタパワー：１３０Ｗ
・到達真空度：３×１０^-6Ｔｏｒｒ

（膜厚の測定方法）
上記第１層（Ａｌ合金膜）と第２層（Ａｇ合金膜）の各膜厚を触針式段差計（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ製、Ａｌｐｈａ−ｓｔｅｐ）で測定した。膜厚の測定は、薄膜の中心部から半径方向に向って５ｍｍ間隔ごとに合計３点の膜厚を測定し、その平均値を「薄膜の膜厚」（ｎｍ）とした。また第１層（Ａｌ合金膜）の膜厚と第２層（Ａｇ合金膜）の膜厚を合計して積層膜の膜厚とした（表中、「合計」）。

（加工性評価）
上記作製した試料（積層膜）に１０μｍ幅のラインアンドスペースのレジストパターンを形成して、エッチング加工性を評価した。詳細には、４０℃に加温して混酸エッチング液（リン酸：硝酸：酢酸：水＝５０：０．２：３０：１９．８）に積層膜を浸漬し、エッチング完了時間＋２０秒（オーバーエッチング時間）エッチングを行なった。エッチング後の配線パターン寸法を光学顕微鏡（倍率１０００倍）で観察し、配線寸法を測定してサイドエッチングについて評価した。本実施例では、以下の基準で評価して、◎または○を合格（エッチング性良好）と判定した（表中、「微細加工性」）。
◎：９μｍ以上
○：８μｍ以上、９μｍ未満
×：８μｍ未満

（反射率の測定）
ＪＩＳ Ｒ ３１０６に基づき、Ｄ６５光源での波長３８０〜７８０ｎｍの光によって可視光反射率を分光光度計（日本分光株式会社製：可視・紫外分光光度計「Ｖ−５７０」）を用いて測定した。具体的には、基準ミラーの反射光強度に対して、上記作製した試料の反射光強度（測定値）を「反射率」（＝［試料の反射光強度／基準ミラーの反射光強度］×１００％）とした。そして本実施例では、λ＝４５０ｎｍにおける上記試料の反射率を以下の基準で評価し、○を合格と判定した。
○：９０％以上
×：９０％未満

（電気抵抗率)
積層膜に１０μｍ幅のラインアンドスペースパターンに形成した試料を用いて電気抵抗率を測定した。詳細には、一般に用いられる四端子法で電気抵抗率を測定した。そして本実施例では、以下の基準で評価して、○を合格と判定した。
○：７μΩｃｍ以下
×：７μΩｃｍ超

上記試験結果を表１〜３に示す。

表１は第１層（Ａｌ合金膜）、及び第２層（Ａｇ合金膜）の各成分組成を同一にして膜厚のみを変化させて反射率と微細加工性に及ぼす影響を調べた結果である。表１より次のことがわかる。

Ｎｏ．１とＮｏ．２は合計膜厚がいずれも１００ｎｍで同じであるが、第２層（Ａｇ合金膜）の膜厚が薄いＮｏ．１（５０ｎｍ）は反射率が低下した。このことから第２層（Ａｇ合金膜）が少なくとも６０ｎｍ以上であれば、所望の反射率が得られることがわかる。

なお、反射率のみに着目すると、第２層（Ａｇ合金膜）の膜厚が６０ｎｍ以上であれば（Ｎｏ．２〜１２）反射率は良好であった。

Ｎｏ．１２は本発明で規定する合計膜厚の範囲内であるが（８００ｎｍ以下）、第２層（Ａｇ合金膜）の膜厚の上限（４８０ｎｍ以下）を超えると共に、第２層（Ａｇ合金膜）の膜厚比率が高い例である。この例では第１層（Ａｌ合金膜）の膜厚比率が３０％を下回ったため（第２層（Ａｇ合金膜）の比率が高い）、Ａｌ合金膜でエッチングレートを適切にコントロールできなかったため、微細加工性が悪化した。

またＮｏ．５、およびＮｏ．９は、本発明で規定する合計膜厚、および第２層（Ａｇ合金膜）の膜厚は満足するが、第２層（Ａｇ合金膜）の膜厚比率が高い例である。これら例もＮｏ．１２と同じく第１層（Ａｌ合金膜）の膜厚比率が３０％を下回ったため（第２層（Ａｇ合金膜）の比率が高い）、エッチングレートを適切にコントロールできず、微細加工性が悪化した。

なお、微細加工性については、第１層（Ａｌ合金）の膜厚が第２層（Ａｇ合金膜）の膜厚よりも厚く形成されている場合（第１層膜厚＞第２層膜厚）、より一層高精度なエッチング加工（「微細加工性」が◎）ができた（Ｎｏ．３、４、７、８）。

上記結果から、反射率と微細加工性を満足するには、第２層（Ａｇ合金膜）の膜厚を制御するだけでなく（Ｎｏ．１、Ｎｏ．１２）、積層膜の合計膜厚や、Ａｇ合金膜厚比率を所定の範囲に制御する必要があることがわかる（Ｎｏ．５、９、１２）。

表２は第２層（Ａｇ合金膜）の組成、膜厚、Ａｇ合金膜厚比率を一定にし、第１層（Ａｌ合金）の成分組成を適宜変更して反射率、微細加工性、電気抵抗率に及ぼす影響を調べた結果である。表２より次のことがわかる。

Ｎｏ．１は合元素分を含まない純Ａｌを第１層とした例である。この例は電気抵抗率、微細加工性共に良好であったが反射率が低かった。一方、合金元素を少なくとも本発明で規定する下限値程度含有していれば（Ｎｏ．２、７、１０、１３）、所定の反射率が得られた。したがって第１層（Ａｌ合金膜）には合金元素を含有させることが有効であることがわかる。

Ｎｏ．２〜５は第１層（Ａｌ合金膜）の合金元素の含有量を変化させた例である。これらのうち、合金元素の含有量が所定の範囲内であれば、反射率、微細加工性、電気抵抗率ともに良好な結果が得られるが（Ｎｏ．２〜４）、合金元素の含有量が多くなりすぎると反射率と電気抵抗率が悪化した（Ｎｏ．５）。同様の結果は、Ｎｏ．７〜９、１０〜１２においても示されており、第１層（Ａｌ合金膜）に含まれる合金元素の含有量は多くなり過ぎると、反射率と電気抵抗率に悪影響を及ぼすことがわかる。

なお、第１層（Ａｌ合金膜）の合金元素は所定の範囲内であれば複数の合金元素を組み合わせても（Ｎｏ．１８）、上記所望の効果を奏することができることがわかる。

表３は第１層（Ａｌ合金膜）の組成、膜厚、Ａｇ合金膜厚比率を一定にし、Ａｇ合金の成分組成を適宜変更して反射率、微細加工性、電気抵抗率に及ぼす影響を調べた結果である。表３より次のことがわかる。

Ｎｏ．１は合金元素分を含まない純Ａｇを第２層とした例である。この例は電気抵抗率、微細加工性共に良好であったが反射率が低かった。一方、合金元素を少なくとも本発明で規定する下限値程度含有していれば（Ｎｏ．２、７、１１、１７など）、所定の反射率が得られた。したがって第２層（Ａｇ合金膜）には合金元素を含有させることが有効であることがわかる。

Ｎｏ．２〜５は第２層（Ａｇ合金膜）の合金元素（Ｎｄ）の含有量を変化させた例である。これらのうち、合金元素の含有量が所定の範囲内であれば、反射率、微細加工性、電気抵抗率ともに良好な結果が得られるが（Ｎｏ．２〜４）、合金元素の含有量が多くなりすぎると反射率と電気抵抗率が悪化した（Ｎｏ．５）。同様の結果は、Ｎｏ．７〜１０、１１〜１４、１７〜２０、２１〜２４においても示されており、第２層（Ａｇ合金膜）に含まれる合金元素の含有量は多くなり過ぎると、反射率と電気抵抗率に悪影響を及ぼすことがわかる。

なお、第２層（Ａｇ合金膜）の合金元素は所定の範囲内であれば複数の合金元素を組み合わせても（Ｎｏ．２５〜３２）、上記所望の効果を奏することができる。

１ 基板
２ ＴＦＴ
３ パッシベーション膜
４ 平坦化層
５ コンタクトホール
６ 第１層（Ａｌ合金膜）
７ 第２層（Ａｇ合金膜）
８ 有機層
９ カソード電極

Claims (14)

1. 表示装置または入力装置に用いられる電極であって、
   前記電極は、Ａｌ合金からなる基板側に形成された第１層と、その上方に形成されたＡｇ合金からなる第２層を含む積層膜を有し、
   前記電極の膜厚は１００〜８００ｎｍであり、前記第２層の膜厚は６０〜４８０ｎｍであり、且つ前記電極の膜厚に占める前記第２層の膜厚比率は１０〜７０％で、前記電極の膜厚に占める前記第１層の膜厚比率は３０％以上であり、
   前記Ａｌ合金は、合金元素として、
   （１−Ａ）希土類元素を０．０５〜１．０原子％、
   （１−Ｂ）Ｓｉ、Ｃｕ、およびＧｅよりなる群から選択される少なくとも一種を０．５〜１．５原子％、
   （１−Ｃ）Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも一種を０．０５〜０．７原子％、
   よりなる群から選択される少なくとも一種を含有することを特徴とする電極。
2. 前記Ａｇ合金はＡｇを９８原子％以上９９．９８原子％以下含有するものである請求項１に記載の電極。
3. 前記Ａｇ合金は、合金元素として、
   （２−Ａ）希土類元素を０．０５〜１．０原子％、
   （２−Ｂ）Ｂｉおよび／またはＣｕを０．０５〜1．０原子％、
   （２−Ｃ）Ｐｄ、ＰｔおよびＡｕよりなる群から選択される少なくとも一種を０．１〜１．５原子％、
   （２−Ｄ）Ｚｎおよび／またはＩｎを０．１〜１．５原子％、
   よりなる群から選択される少なくとも一種を含有するものである請求項１または２に記載の電極。
4. 前記（１−Ａ）または（２−Ａ）の希土類元素がＮｄ、Ｌａ、Ｇｄ、およびＣｅよりなる群から選択される少なくとも一種である請求項１〜３のいずれかに記載の電極。
5. 前記電極はゲート電極である請求項１〜４のいずれかに記載の電極。
6. 前記電極はソース−ドレイン電極である請求項１〜４のいずれかに記載の電極。
7. 前記電極は反射電極である請求項１〜４のいずれかに記載の電極。
8. 請求項１〜４のいずれかに記載の電極を備えた有機ＥＬ素子。
9. 請求項１〜４のいずれかに記載の電極を備えた薄膜トランジスタ。
10. 請求項１〜４のいずれかに記載の電極を備えた入力装置。
11. 請求項１〜７のいずれかに記載の電極の形成に用いるＡｌ合金スパッタリングターゲットであって、
    （１−Ａ）希土類元素を０．０５〜１．０原子％、
    （１−Ｂ）Ｓｉ、Ｃｕ、およびＧｅよりなる群から選択される少なくとも一種を０．５〜１．５原子％、
    （１−Ｃ）Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも一種を０．０５〜０．７原子％、
    よりなる群から選択される少なくとも一種を含有することを特徴とする電極形成用Ａｌ合金スパッタリングターゲット。
12. 前記希土類元素は、Ｎｄ、Ｌａ、ＧｄおよびＣｅよりなる群から選択される少なくとも一種である請求項１１に記載のスパッタリングターゲット。
13. 請求項１〜７のいずれかに記載の電極の形成に用いるＡｇ合金スパッタリングターゲットであって、
    （２−Ａ）希土類元素を０．０５〜１．０原子％、
    （２−Ｂ）Ｃｕを０．０５〜1．０原子％、および／またはＢｉを０．２５〜５．０原子％、
    （２−Ｃ）Ｐｄ、ＰｔおよびＡｕよりなる群から選択される少なくとも一種を０．１〜１．５原子％、
    （２−Ｄ）Ｚｎおよび／またはＩｎを０．１〜１．５原子％、
    よりなる群から選択される少なくとも一種を含有することを特徴とする電極形成用Ａｇ合金スパッタリングターゲット。
14. 前記希土類元素は、Ｎｄ、Ｌａ、ＧｄおよびＣｅよりなる群から選択される少なくとも一種である請求項１３に記載のスパッタリングターゲット。