KR100603079B1

KR100603079B1 - Ａｇ-Ｂｉ계 합금 스퍼터링 타겟 및 그의 제조방법

Info

Publication number: KR100603079B1
Application number: KR1020040034124A
Authority: KR
Inventors: 다카기가츠토시; 나카이주니치; 다우치유우키; 사토도시키; 마츠자키히토시; 후지이히데오
Original assignee: 가부시키가이샤 고베 세이코쇼; 가부시키가이샤 코베루코 카겐
Priority date: 2003-05-16
Filing date: 2004-05-14
Publication date: 2006-07-20
Also published as: DE102004024114A1; SG137678A1; US20040226818A1; JP2004339585A; US7767041B2; DE102004024114B4; KR20040099146A; US20100038233A1; CN1280446C; TW200506072A; CN1550573A; JP3993530B2; TWI275650B

Abstract

Ag-Bi계 합금 스퍼터링 타겟은 Bi가 Ag에 고용(solid solution)되어 있다. 이 스퍼터링 타겟은, 예컨대, X선 회절 결과에 기초하여 하기 수학식 1에 의해 산출되는 석출 Bi 강도가 0.01 원자%^-1 이하이며, Bi의 특성 X선 강도의 면분포를 X선 미량분석법에 의해 산출했을 때, 소정 강도(8 단계 중, 제 3 내지 제 6 단계의 강도)의 합계 면적비가 89% 이상이다.

이러한 스퍼터링 타겟을 사용하여 박막을 형성하면, 박막중 Bi량의 수율의 현저한 저하를 억제할 수 있다.

Description

Ａｇ-Ｂｉ계 합금 스퍼터링 타겟 및 그의 제조방법{Ag-Bi-BASE ALLOY SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME}

도 1은 용체화 처리의 유무와 석출 Bi 강도와의 관계를 나타낸 그래프이다.

도 2는 스퍼터링 타겟중의 Bi 함유량과 석출 Bi 강도와의 관계를 나타낸 그래프이다.

도 3은 실험예의 시료번호 4의 X선 회절 패턴이다.

도 4는 용체화 처리의 유무와 Bi 원자 분포와의 관계를 나타낸 그래프이다.

도 5는 스퍼터링 타겟중의 Bi 함유량과 Bi 원자 분포와의 관계를 나타낸 그래프이다.

도 6은 실험예의 시료번호 14의 X선 미량분석 결과의 화면을 나타낸 도면이다.

도 7은 실험예의 시료번호 21의 X선 미량분석 결과의 화면을 나타낸 도면이다.

도 8은 결정 입경의 측정 방법을 설명하기 위한 개념도이다.

본 발명은 스퍼터링법에 의해 Ag-Bi계 합금 박막을 형성하는데 유용한 Ag-Bi계 합금 스퍼터링 타겟, 그 제조방법, 및 상기 타겟을 이용한 Ag-Bi계 합금 박막의 제조방법에 관한 것이다.

순Ag나 Ag 합금 등의 Ag계 박막은 반사율이나 투과율이 높고 감쇠계수(attenuation coefficient)가 낮은 등 광학적 특성이 우수하고, 열 전도율이 높아 열적 특성도 우수하여, 전기 저항율이 낮아 전기적 특성도 우수하며, 게다가 우수한 표면 평활성을 갖기 때문에, 광정보 기록 매체의 반사막이나 반투과 반사막이나 열 확산막, 플랫 패널 디스플레이의 반사 전극막이나 배선막, 열선 반사/차폐창 유리의 Low-E막, 전자파 차폐의 차폐막 등에 널리 적용되고 있다.

이러한 우수한 특성을 갖는 Ag계 박막을 형성할 때에 사용하는 스퍼터링 타겟에 대해서도 다양한 개선 검토가 시도되었다(일본 특허 공개 공보 제1997-324264호, 일본 특허 공개 공보 제2000-239835호 등). 즉, 일본 특허 공개 공보 제1997-324264호에서는 0.1 내지 2.5at%의 금과 0.3 내지 3at%의 구리를 함유시킨 은 합금(또는 은 베이스 복합 금속)으로 스퍼터링 타겟을 구성하면, 스퍼터링시의 산소 등 가스 분위기에 의한 악영향(가시역의 단파장측의 광 투과율·광 반사율의 저하)을 방지할 수 있음을 보고하고 있다. 또한, 일본 특허 공개 공보 제2000-239835호에서는 Ag 스퍼터링 타겟에 있어서 ((111)+(200))/(220) 면배향비를 2.20 이상으로 하면 스퍼터링 속도를 올릴 수 있어 박막의 생산 효율을 높일 수 있음을 보고하고 있다.

Ag계 박막은 상기한 바와 같은 다양한 개량이 가해져 있어, 상술한 바와 같이 광학적 특성·열적 특성·전기적 특성이 매우 우수하긴 하지만, 적용 제품이 사용되는 환경하에 장시간 놓여졌을 경우, 산화, 부식, 응집, 박리 등에 기인한 열화가 발생할 수 있어 장기 신뢰성에 대하여 한층 더 나은 개선이 요망되고 있다.

예컨대, 스퍼터링법 등에 의해 성막된 순Ag 박막은 다수의 결정 결함(공극, 전위, 입계 등)을 포함하고 이 결정 결함을 통해 Ag 원자가 용이하게 확산되기 때문에, 순Ag 박막을 고온 고습하에 유지하면 Ag 원자가 각처에서 확산·응집하여, 표면조도나 결정 입경이 증대한다. 또한, 염소 이온 등의 할로겐 이온을 포함하는 환경하에서도 마찬가지로 Ag 원자는 용이하게 확산·응집한다.

본 발명자들은 Ag계 박막의 장기 신뢰성을 개선하기 위해 예의 검토를 거듭하였고, 그 결과를 출원하였다(일본 특허 출원 제2002-361117호). 즉, 순Ag 스퍼터링 타겟 상에 각종 첨가 원소의 칩을 배치한 복합 스퍼터링 타겟을 이용하여 Ag-Bi계 합금 박막(Ag-Bi 합금 박막, Ag-Bi-Nd 합금 박막, Ag-Bi-Y 합금 박막, Ag-Bi-Cu 합금 박막, Ag-Bi-Au 합금 박막, Ag-Bi-Nd-Cu 합금 박막, Ag-Bi-Nd-Au 합금 박막, Ag-Bi-Y-Cu 합금 박막, Ag-Bi-Y-Au 합금 박막 등)을 성막하면, 고온 고습하 및 할로겐 이온의 존재하에서도 Ag의 응집을 방지할 수 있어, Ag계 박막의 장기 신뢰성을 개선할 수 있었다.

그러나, 이전의 출원(일본 특허 출원 제2002-361117호 명세서)에 이미 기재 되어 있는 바와 같이, Ag-Bi계 합금 박막을 성막하는 경우, 스퍼터링 타겟 중의 Bi량에 비해 박막중 Bi량이 저하되는 경향이 있다. 또한, Bi를 배합한 Ag를 용해 제조하여 주괴(ingot)를 제조하고, 상기 Ag-Bi계 합금 주괴를 열간가공하여 Ag-Bi계 합금 스퍼터링 타겟을 제조할 때에 Ag-Bi계 합금의 가공성이 낮기 때문에 균열 등의 재료 파괴가 발생한다는 것이 판명되었다.

본 발명은 상기와 같은 사정에 착안하여 이루어진 것으로, 그 목적은 박막중 Bi량의 수율(= 박막중 Bi량/스퍼터링 타겟중의 Bi량)의 현저한 저하를 억제할 수 있는 Ag-Bi계 합금 스퍼터링 타겟, 그 제조방법, 및 상기 타겟을 이용한 Ag-Bi계 합금 박막의 제조방법을 제공하는 데에 있다.

본 발명에 따른 Ag-Bi계 합금 스퍼터링 타겟은 Bi가 Ag에 고용되어 있다는 점에 요지를 갖는다.

예컨대, 본 발명의 Ag-Bi계 합금 스퍼터링 타겟은 스퍼터링면의 복수 개소를 선택하여, X선 회절법에 의해 Ag(111)면의 X선 회절 피크 강도, Ag(200)면의 X선 회절 피크 강도, Ag(220)면의 X선 회절 피크 강도, Ag(311)면의 X선 회절 피크 강도, Bi(102)면의 X선 회절 피크 강도를 측정했을 때에, 하기 수학식 1로 표시되는 석출 Bi 강도의 평균치가 0.01 원자%^-1 이하인 것을 특징으로 한다:

수학식 1

상기 식에서,

I_Bi(102)는 Bi(102)면의 X선 회절 피크 강도[단위 cps(counts per second); 이하 동일]를 나타내고, I_Ag(111)은 Ag(111)면의 X선 회절 피크 강도를 나타내고, I_Ag(200)은 Ag(200)면의 X선 회절 피크 강도를 나타내고, I_Ag(220)은 Ag(220)면의 X선 회절 피크 강도를 나타내고, I_Ag(311)은 Ag(311)면의 X선 회절 피크 강도를 나타내고,

[Bi]는 Ag-Bi계 합금 스퍼터링 타겟의 Bi 함유량(단위 원자%)을 나타낸다.

또한, 본 발명의 Ag-Bi계 합금 스퍼터링 타겟은 X선 미량분석법에 의해 스퍼터링면에서의 Bi의 특성 X선 강도의 면분포를 측정했을 때에, 상기 특성 X선을 강도 레벨 0 내지 최대치 사이에서 8등분으로 분류하여, 강도 레벨이 낮은 쪽부터 순서대로 제 1 강도, 제 2 강도, 제 3 강도, 제 4 강도, 제 5 강도, 제 6 강도, 제 7 강도, 제 8 강도로 명명하고, 제 1 내지 제 8의 각각의 강도의 면적비(제 1 내지 제 8 강도의 합계 면적을 100%로 한다)를 산출했을 경우, 제 3 내지 제 6 강도의 면적비의 합계가 89% 이상인 것을 특징으로 할 수 있다.

본 발명의 상기 및 그밖의 목적, 특징 및 잇점은 첨부된 도면과 함께 상세한 설명을 읽어보면 보다 자명해질 것이다.

본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 예의 연구를 거듭한 결과, 상기 과제는 Ag-Bi계 합금으로 한 것에 기초하여 다음과 같은 원인으로 집약됨이 판명되 었다. 즉, Ag-Bi계 합금은 (1) 단순 공정 합금이며, (2) Ag 중의 Bi의 고용 범위가 좁고, (3) Ag의 융점(약 962℃ 정도)에 비해 Bi의 융점이 매우 낮은(약 271℃ 정도) 특징을 갖고, 이 때문에 Bi 단상이 Ag의 결정립계에 편석되기 쉬운 문제를 갖고 있다. 또한, Bi가 편석된 주괴를 350 내지 830℃ 정도의 온도에서 열간가공(단조, 압연 등)하면, 편석된 저융점의 Bi부가 융해되고, 이 융해부를 기점으로 균열 등의 재료 파괴가 발생하고, 또한 가령 재료 파괴에 이르지 않고 최종 제품의 Ag-Bi계 합금 스퍼터링 타겟이 수득되었다 하더라도, 편석 Bi부와 그 이외의 부분과의 Bi의 스퍼터링률의 차이가 크기 때문에, 형성된 박막중 Bi량의 수율이 현저히 저하되었던 것이다.

이에, 본 발명자들은 Bi를 고용시켜, Bi의 편재(편석 등)를 억제하면, 열간가공시의 재료 파괴를 억제할 수 있어, 박막중 Bi량의 수율의 현저한 저하도 억제할 수 있다는 것을 발견하여 본 발명을 완성하였다.

이하, 본 발명에 대하여 구체적으로 설명한다.

본 발명의 Ag-Bi계 합금 스퍼터링 타겟은 순Ag 스퍼터링 타겟 상에 Bi 칩을 배치한 것과는 달리, Bi가 Ag에 고용되어 있는 특징을 갖는다. Bi가 Ag에 고용되어 있으면, Bi의 편재(편석 등)를 억제할 수 있기 때문에, 박막중 Bi량의 수율의 현저한 저하를 억제할 수 있다. 또한, Bi의 편재를 억제할 수 있으면, Ag와 Bi를 포함하는 Ag-Bi계 합금을 열간가공(압연, 단조 등)하여 스퍼터링 타겟을 제조할 때 에 재료 파괴를 억제할 수 있다.

Bi의 고용 정도(즉 Bi의 편재의 정도)는 석출 Bi의 X선 회절 피크 강도(정확하게는 Bi 함유량 1 원자%당 석출 Bi의 상대적 X선 회절 피크 강도; 이하, "석출 Bi 강도"라 칭함)를 측정함으로써, 또는 Bi의 특성 X선 강도의 면분포(정확하게는 타겟의 스퍼터링면에서의 Bi의 특성 X선 강도의 면분포를 조사했을 때에, 소정 강도 레벨 범위에 들어가는 특성 X선을 나타내는 부분의 면적(비); 이하, "Bi 원자 분포"라 칭함)를 조사함으로써 평가할 수 있다.

석출 Bi 강도는 X선 회절법에 의해 Ag-Bi계 합금 스퍼터링 타겟의 X선 회절 피크 강도[Ag(111)면의 X선 회절 피크 강도, Ag(200)면의 X선 회절 피크 강도, Ag(220)면의 X선 회절 피크 강도, Ag(311)면의 X선 회절 피크 강도, Bi(102)면의 X선 회절 피크 강도]를 측정하여, Bi(102)면의 X선 회절 피크 강도의 상대적 강도(Bi 함유량 1 원자% 당)를 하기 수학식 1에 따라 산출함으로써 구할 수 있다:

수학식 1

상기 식에서,

I_Bi(102)는 Bi(102)면의 X선 회절 피크 강도(cps; 이하 동일)를 나타내고, I_Ag(111)는 Ag(111)면의 X선 회절 피크 강도를 나타내고, I_Ag(200)은 Ag(200)면의 X선 회절 피크 강도를 나타내고, I_Ag(220)은 Ag(220)면의 X선 회절 피크 강도를 나타내고, I_Ag(311)은 Ag(311)면의 X선 회절 피크 강도를 나타내고,

또한, 타겟의 특성을 정확히 평가하기 위해, 스퍼터링면의 복수 개소[예컨대스퍼터링면이 400㎝² 정도인 경우에는, 임의의 5개소 정도 이상(바람직하게는 모두 5개소 정도 이상)]를 선택하여, 상기 개소의 석출 Bi 강도를 구하고, 그 평균치를 스퍼터링 타겟의 석출 Bi 강도로 한다.

석출 Bi 강도가 작을수록 Bi 단상으로 석출되는 편석부가 억제되기 때문에, 상기 단상 Bi 편석부를 기점으로 하는 재료 파괴를 억제할 수 있다. 석출 Bi 강도(평균치)는 0.01 원자%^-1 이하 정도(예컨대 0.014 원자^-1이하 정도), 바람직하게는 0.013 원자%^-1이하 정도, 더욱 바람직하게는 0.011 원자%^-1이하 정도이다. 또한, 0.005 원자%^-1이하, 예컨대 0.002 원자%^-1이하로 하는 것이 특히 권고된다.

한편, Bi 원자 분포는 X선 미량분석법에 의해 스퍼터링면에서의 Bi의 특성 X선 강도의 면분포를 측정함으로써 산출할 수 있다. 즉, 상기 특성 X선을 강도 레벨 0 내지 최대치 사이에서 8등분으로 분류하고, 강도 레벨이 낮은 쪽부터 순서대로 제 1 강도, 제 2 강도, 제 3 강도, 제 4 강도, 제 5 강도, 제 6 강도, 제 7 강도, 제 8 강도로 명명하고, 제 1 내지 제 8의 각각의 강도의 면적비(제 1 내지 제 8 강도의 합계 면적을 100%로 함)를 산출하여, 제 3 내지 제 6 강도의 면적비의 합계를 구함으로써 Bi 원자 분포를 예측할 수 있다.

제 3 내지 제 6 강도의 합계 면적비가 클수록, Bi가 균일하게 고용되어 Bi 편재가 억제되기 때문에, 형성된 박막중 Bi량의 수율의 현저한 저하를 억제할 수 있다. 제 3 내지 제 6 강도의 합계 면적비는 89% 이상 정도, 바람직하게는 95% 이상, 더욱 바람직하게는 98% 이상이다.

또한, 스퍼터링 타겟은 일반적으로 결정 입경이 작은 것이 바람직하다. 스퍼터링 타겟의 결정 입경이 크면 형성되는 박막의 막 두께나 성분 조성의 막 면내 균일성이 떨어진다고 여겨지기 때문이다. 따라서, 본 발명의 Ag-Bi계 합금 스퍼터링 타겟도 평균 결정 입경이 작은 것, 예컨대 200㎛ 이하 정도, 바람직하게는 100㎛ 이하 정도, 더욱 바람직하게는 50㎛ 이하 정도인 것이 바람직하다.

또한, 상기 결정 입경은 다음과 같이 하여 구한다.

순서 1) Ag-Bi계 합금 스퍼터링 타겟의 스퍼터링면의 광학 현미경 사진을 촬영한다. 또한, 현미경 배율이 클수록 결정 입경을 정확히 구할 수 있으며, 통상 100 내지 500배 정도로 설정한다.

순서 2) 수득된 사진에 우물 정자형(도 8 참조)으로 4개 이상의 직선을 그린다. 또한, 직선의 수가 많을수록 결정 입경을 정확히 구할 수 있다.

순서 3) 상기 직선상에 있는 결정립계의 수(n)를 조사하여, 각 직선마다 하기 수학식 2에 따라 결정 입경(d)(단위 ㎛)을 산출한다:

상기 식에서,

L은 직선의 길이(L)를 나타내고, n은 직선상의 결정립계의 수(n)를 나타내고, m은 광학 현미경 사진의 배율을 나타낸다.

순서 4) 여러개의 직선 각각으로부터 구한 결정 입경(d)의 평균치를 스퍼터링 타겟의 평균 결정 입경으로 한다.

상기 Ag-Bi계 합금 스퍼터링 타겟은, Bi가 고용되어 있는 한(또는 소정의 석출 Bi 강도를 달성할 수 있는 한, 또는 소정의 Bi 원자 분포를 달성할 수 있는 한), Bi 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 예컨대 3 원자% 이하(0 원자%를 포함하지 않음), 바람직하게는 2 원자% 이하, 더욱 바람직하게는 1 원자% 이하로 한다. Bi 함유량을 적게 하면, 후술하는 용체화 처리에 의해 Bi를 실질적으로 완전히 고용시킬 수 있어, 석출 Bi 강도를 매우 작게 할 수 있고, Bi 원자 분포(즉, 제 3 내지 제 6 강도의 합계 면적비)를 매우 크게 할 수 있다. 또한, Ag-Bi계 합금 스퍼터링 타겟을 이용하여 고열전도성·고반사율·고내구성의 Ag-Bi계 합금 박막을 얻기 위해서는, 스퍼터링 타겟중에 Bi를 많이 함유한 것이 바람직하고, 예컨대 0.1 원자% 이상, 바람직하게는 0.5 원자% 이상이다. 또한, 1.0 원자% 이상(예컨대 1.5 원자% 이상)으로 할 수 잇다.

Ag-Bi계 합금 스퍼터링 타겟은 실질적으로 Ag와 Bi만으로 이루어진 Ag-Bi 합금 스퍼터링 타겟일 수 있지만, 본 발명에 악영향을 미치지 않는 범위에서 다양한 박막 특성 보조 합금 원소를 함유할 수 있다. 예컨대, Ag-Bi계 합금에 있어서 Ag 중에 고용(固溶)된 원소(Mg, Pd, Pt, Au, Zn, Al, Ga, In, Sn, Sb, Li, Cd, Hg, As 등. 이하, 제 1 특성 보조 합금 원소라 칭한다. 또한, 이들 제 1 특성 보조 합금 원소는 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다. 바람직하게는 Mg, Pd, Pt, Au, Zn, Al, Ga, In, Sn, Sb, 더욱 바람직하게는 Pd, Pt, Au), Ag-Bi계 합금에 있어서 단상(單相)으로서 석출되는 원소(Be, Ru, Rh, Os, Ir, Cu, Ge, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Re, Fe, Co, Ni, Si, Tl, Pb 등. 이하, 제 2 특성 보조 합금 원소라 칭한다. 또한, 이들 제 2 특성 보조 합금 원소는 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다. 바람직하게는 Be, Ru, Rh, Os, Ir, Cu, Ge, 더욱 바람직하게는 Rh, Cu), Ag-Bi계 합금에 있어서 Ag와 금속간의 화합물로서 석출되는 원소(Y, La, Ce, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ti, Zr, Hf, Na, Ca, Sr, Ba, Sc, Pr, Eu, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, S, Se, Te 등. 이하, 제 3 특성 보조 합금 원소라 칭한다. 또한, 이들 제 3 특성 보조 합금 원소는 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다. 바람직하게는 Y, La, Ce, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ti, Zr, Hf, 더욱 바람직하게는 Y, Nd) 등을 함유할 수 있다. 또한, 상기 제 1, 제 2, 제 3의 특성 보조 합금 원소는 각각을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 적절히 조합하여 사용할 수도 있다.

박막 특성 보조 원소는 Ag-Bi계 합금 박막의 기본 특성(고반사율, 고투과율, 저감쇠계수, 고열전도율, 저전기저항율 등)을 저해하지 않는 범위에서 첨가하는 것이 바람직하다. 박막 특성 보조 원소의 총 함유량은, 예컨대 5 원자% 이하, 바람직하게는 3 원자% 이하, 더욱 바람직하게는 2 원자% 이하 정도로 하는 것이 권고된다.

Bi가 고용되어 있는(또는 소정의 석출 Bi 강도를 갖는, 또는 소정의 Bi 원자 분포를 갖는) 본 발명의 Ag-Bi계 합금 스퍼터링 타겟은 Ag-Bi계 합금(Ag을 Bi와 함께 용해시킴으로써 수득되는 Ag-Bi계 합금 주괴, 그 가공체 등)을 용체화 처리함으로써 제조할 수 있다. 용체화 처리에 의해 Bi를 고용시켜 Bi의 편석(偏析; segregation)을 억제할 수 있다.

용체화 처리 조건은 Bi를 충분히 고용할 수 있는 범위에서 선택할 수 있다. 예컨대 용체화 처리 온도는 350℃ 이상 정도, 바람직하게는 400℃ 이상 정도, 더욱 바람직하게는 500℃ 이상 정도, 특히 600℃ 이상 정도의 범위에서 선택할 수 있다. 용체화 처리 시간은 0.3 시간 이상 정도, 바람직하게는 0.5 시간 이상 정도, 더욱 바람직하게는 2 시간 이상, 특히 4 시간 이상 정도의 범위에서 선택할 수 있다. 또한, 용체화 처리후에는 균일하게 고용(固溶)한 Bi가 재편석(再偏析; resegregation)되는 것을 방지하기 위해, 신속히 냉각시키는 것이 권고된다. 용체화 처리후의 냉각 속도는, 예컨대 3℃/분 이상, 바람직하게는 5℃/분 이상, 더욱 바람직하게는 10℃/분 이상, 더더욱 바람직하게는 20℃/분 이상 정도이다.

또한, 용체화 처리는 Bi를 고용시키는 점에서는 유효하지만, 결정립의 조대화를 조장하기 때문에, 이러한 관점에서는 용체화 처리를 과도하게 실시하지 않는 것이 권고된다. 용체화 처리 온도는, 예컨대 830℃ 이하, 바람직하게는 800℃ 이하, 더욱 바람직하게는 750℃ 이하로 하는 것이 권고된다. 용체화 처리 시간은, 예컨대 13 시간 이하, 바람직하게는 10 시간 이하, 더욱 바람직하게는 8 시간 이하, 특히 6 시간 이하로 하는 것이 권고된다.

그러나, 용체화 처리의 타이밍은 특별히 한정되지 않는다. 즉, Ag-Bi계 합금 스퍼터링 타겟은, 예컨대 Ag-Bi계 합금 주괴를 열간가공(열간압연, 열간단조 등)에 의해 소정 형상으로 가공하고, 이어서 필요에 따라 냉간 또는 온간에서의 가 공, 열처리 등을 실시한 후, 절단이나 절삭 등의 기계 가공에 의해 제조할 수 있어, 용체화 처리는 임의의 타이밍에서도 실시할 수 있다. 최종적으로 수득되는 스퍼터링 타겟에 있어서 Bi가 고용되어 있으면, 이 스퍼터링 타겟을 이용한 스퍼터링에 의해 형성되는 박막중 Bi량의 수율의 현저한 저하를 억제할 수 있다.

또한, 열간가공 공정에서의 재료 파괴를 억제하는 것을 목적으로 하는 경우에는, 용체화 처리는 열간가공전에 실시하는 것이 바람직하다. 이러한 경우, 열간가공 공정과는 별도로 용체화 처리를 실시할 수 있고, 열간가공과 일련의 조작으로 실시되는 열간가공 직전의 가열 처리를 용체화 처리를 겸하여 실시할 수도 있다.

용체화 처리에 사용하는 노의 분위기는 대기, 불활성 가스, 진공 등 어느 것이어도 좋다. 또한, Ag-Bi계 합금을 반입할 때의 노 내의 온도는 Bi의 융점(약 271℃ 정도)보다 낮을 것이 요구된다. Ag-Bi계 합금의 반입시에 편석되어 있던 저융점의 Bi부가 융해될 우려가 있기 때문이다.

본 발명의 Ag-Bi계 합금 스퍼터링 타겟은 Bi를 함유하고 있기 때문에, 장기신뢰성이 우수한 Ag-Bi계 합금 박막을 제조하는데 유용하다. 또한, Bi를 함유함에도 불구하고, 상기 Bi를 고용하고 있기 때문에, 타겟 제조시의 재료 파괴를 억제할 수 있어 수율을 높일 수 있다. 또한, 형성되는 박막중 Bi량의 수율의 현저한 저하를 억제할 수 있어 고열전도율·고반사율·고내구성 Ag-Bi계 합금 박막을 얻을 수 있다.

또한, 스퍼터링은 공지된 방법에 의해 실시할 수 있고, 예컨대 DC 마그네트론 스퍼터링법에 의해 실시할 수 있다.

(실시예)

이하, 실험예를 들어 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 하기 실험예에 의해 제한을 받는 것은 아니고, 전·후기의 취지에 적합할 수 있는 범위에서 적당히 변경을 가하여 실시하는 것도 물론 가능하며, 이들은 모두 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.

또한, 이하의 실험예에서 용체화 처리는 하기에 나타낸 순서로 실시하며, 실험예의 평가는 하기에 나타낸 방법에 따랐다.

[용체화 처리]

즉, 용체화 처리용 재료(하기 실험예에서는 Ag-Bi계 합금 주괴)를 실온의 대기로에 넣고, 이어서 50℃/시간의 승온 속도로 지정 온도(α)(℃)까지 승온시킨 후, 상기 온도를 지정 시간(β)(시간)으로 유지함으로써 용체화를 수행하고, 그 후 즉시 주괴를 대기로에서 꺼내어 그대로 공냉하는 방법(냉각 속도: 약 5℃/분)에 의해 용체화 처리를 수행하였다.

이 용체화 처리를 하기 실험예에서는 "온도(α)(℃)-시간(β)(시간)-냉각 속도5℃/분"으로 표기한다.

[Bi 함유량]

각 실험예에서 채취된 20㎜×20㎜×두께 5㎜의 1장의 시험편에서 깎아낸 약 1g의 시료를 질산 수용액[70 질량% 질산: 순수=1:1(부피비)]에 거의 용해시켰다. 이 용액을 200℃ 온도의 핫 플레이트 상에서 가열하여 시료가 완전히 용해된 것을 확인한 후, 냉각하고, 세이코 인스트루먼트(주)에서 제조된 SPQ-8000을 사용하여 ICP[Inductively Coupled Plasma(유도 결합 플라즈마)] 질량 분석법에 의해 시료중의 Bi 함유량을 측정하였다.

[석출 Bi 강도]

각 실험예의 주괴로부터 채취된 20㎜×20㎜×두께 5㎜의 5장의 시험편을 하기에 나타낸 조건으로 X선 회절법에 의해 분석하여, Ag의 (111)면, Ag의 (200)면, Ag의 (220)면, Ag의 (311)면, 및 Bi의 (102)면의 X선 회절 피크 강도[I_Ag(111), I_Ag(200), I_Ag(220), I_Ag(311), I_Bi(102); 단위 cps]를 측정하였다. 수득된 측정치와, 상기 Bi 함유량(단위: 원자%)의 측정 결과로부터, 각 시험편의 석출 Bi 강도를 하기 수학식 1에 따라 산출하고, 이 석출 Bi 강도의 평균치를 구하였다.

수학식 1

X선 회절 조건

<시험편의 전처리>

본 실험예에서는 시험편의 표면이 평활하기 때문에 전처리는 실시하지 않았다(단, 시험편 표면의 절삭 변형의 영향을 제거하고 싶은 경우에는 표면을 습식 연마 후에, 희석된 질산으로 에칭하는 것이 바람직하다).

<분석 장치>

리가쿠덴키(주)(Rigaku Corporation) 제조 "RINT 1500"

<측정 조건>

타겟: Cu

단색화: 모노크로미터(Monochrometer) 사용에 의한 CuKα선

타겟 출력: 50 kV-200mA

슬릿: 발산 1°, 산란 1°, 수광 0.15㎜

주사 속도: 4°/분

샘플링 폭: 0.02°

측정 범위(2θ): 10 내지 130°

[Bi 원자 분포]

각 실험예에서 채취된 20㎜×20㎜×두께 5㎜의 1장의 시험편을, 하기에 나타낸 조건으로 X선 미량분석법에 의해 분석하여, Bi의 특성 X선 강도의 면분포를 조사하였다. Bi의 특성 X선의 강도를 강도 레벨 0부터 강도 레벨 최대치 사이에서 8 등분으로 분류하고, 강도 레벨이 낮은 쪽부터 순차적으로 제 1 강도, 제 2 강도, 제 3 강도, 제 4 강도, 제 5 강도, 제 6 강도, 제 7 강도, 제 8 강도로 명명하고, 제 1 내지 제 8의 각각의 강도의 면적비(제 1 내지 제 8 강도의 합계를 100%로 함)를 산출하여, 제 3 내지 제 6 강도의 면적비의 합계(Bi 원자 분포)를 산출하였다.

X선 미량분석 조건

<시험편의 전처리>

시험편을 수지에 매립하고, 분석면을 습식 연마하였다.

<분석 장치>

니혼덴시(주)(JEOL Ltd.) 제조 "EPMA(WD/ED 컴바인 미량분석기) JXA-8900 RL"

<측정 조건>

형식: 스테이지 스캔

가속 전압: 15kV

조사 전류: 0.2μA

빔 직경: 1㎛

시간: 100ms

점수: 400×400

간격: X:1.5㎛, Y:1.5㎛

[가공 특성]

각 실험예에서 수득되는 열간 압연판을 육안으로 관찰하여 균열의 유무를 조사하고, 하기 기준에 따라 평가하였다.

○: 길이 10㎜ 이상의 균열 없음

×: 길이 10㎜ 이상의 균열 있음

[박막중 Bi량의 수율 저하]

또한, 각 실험예에서 스퍼터링에 의해 수득된 Ag-Bi계 합금 박막중의 Bi 함유량을, 상기 시험편의 경우와 동일(박막 시료의 질량 100㎎ 이상)하게 하여 ICP 질량 분석법에 의해 측정하였다. 시험편 중의 Bi 함유량과 박막중의 Bi 함유량을 비교하여 하기 기준에 따라 평가하였다.

○: 박막중 Bi량의 수율 저하 없음

×: 박막중 Bi량의 수율 저하 있음

[결정립의 조대화]

시험편을 수지에 매립하고, 광학 현미경의 관찰면이 되는 부분을 습식 연마하였다. 이 전처리(습식 연마)를 실시한 면의 광학 현미경 사진(배율: 400배)을 촬영하고, 수득된 사진에 도 8에 도시한 바와 같은 우물 정자형의 4개의 직선을 그었다. 이 직선상에 있는 결정립계의 수(n)를 조사하여, 각 직선마다 하기 수학식 2에 따라 결정 입경(d)(단위: ㎛)을 산출하였다:

수학식 2

상기 식에서,

L은 직선의 길이(L)를 나타내고, n은 직선상의 결정립계의 수(n)를 나타내며, m은 광학 현미경 사진의 배율을 나타낸다.

4개의 직선의 각각으로부터 구한 결정 입경(d)의 평균치를 상기 시험편의 평균 결정 입경으로 하였다. 수득된 평균 결정 입경으로부터 결정립의 조대화를 하기 기준에 따라 평가하였다.

○: 결정립의 조대화 없음(평균 결정 입경 200㎛ 이하)

×: 결정립의 조대화 있음(평균 결정 입경 200㎛ 초과)

실험예 1

배합량을 조정한 Ag와 Bi를 Ar 분위기 하에서 유도 용해하고, 주형을 이용하여 판형으로 주조함으로써 Bi 함유량이 다른 4종류의 Ag-Bi 합금 주괴(Ag-0.5 원자% Bi, Ag-1.5 원자% Bi, Ag-3.0 원자% Bi, Ag-4.0 원자% Bi)를 제조하였다. Bi 함유량이 다른 각각의 Ag-Bi 합금 주괴를, 용체화 처리하지 않거나, 온도 700℃-시간 10 시간-냉각 속도 5℃/분의 조건 또는 온도 800℃-시간 10 시간-냉각 속도 5℃/분의 조건에서 용체화 처리하였다.

이들 주괴에 개시 온도 700℃, 압하율[(압연전의 판 두께-압연 후의 판 두께)/압연 전의 판 두께] 50%의 열간가공을 실시함으로써 열간 압연판을 수득하였다. 이 열간압연판에, 냉간압연(압하율 50%)과 열 처리(온도 600℃, 시간 1.5 시간)를 실시하였다. 이 열처리판으로부터 절단 및 절삭에 의해 스퍼터링 타겟(직경 101.6㎜, 두께 5㎜)과 필요한 매수의 시험편(20㎜×20㎜×두께 5㎜)을 수득하였다.

이 실험예 1의 평가 결과를 하기 표 1, 및 도 1 내지 도 2에 나타내었다. 또한, 시료번호 4의 X선 회절 결과를 도 3에 나타내었다.

표 1 중, 시료번호 1 내지 3은 Ag-0.5 원자% Bi 합금, 시료번호 4 내지 6은 Ag-1.5 원자% Bi 합금, 시료번호 7 내지 9는 Ag-3.0 원자% Bi 합금, 시료번호 10 내지 12는 Ag-4.0 원자% Bi 합금에 각각 대응한다. 또한, 도 1로부터 분명한 바와 같이, 용체화 처리를 실시하면 석출 Bi 강도를 작게 할 수 있다. 또한, 도 2로부터 분명한 바와 같이, Bi 함유량을 저감시키면 석출 Bi 강도를 작게 할 수 있다. 또한, 표 1로부터 분명한 바와 같이, 석출 Bi 강도를 작게 하면 가공 특성이 양호해져서 열간가공시의 재료 파괴를 억제할 수 있다.

실험예 2

배합량을 조정한 Ag와 Bi를 Ar 분위기 하에서 유도 용해하고, 주형을 이용하여 판형으로 주조함으로써 Bi 함유량이 다른 5 종류의 Ag-Bi 합금 주괴(Ag-0.5 원자% Bi, Ag-1.0 원자% Bi, Ag-1.5 원자% Bi, Ag-3.0 원자% Bi, Ag-4.0 원자% Bi)를 제조하였다. Bi 함유량이 다른 각각의 Ag-Bi 합금 주괴에, 용체화 처리를 실시하지 않거나, 또는 온도 700℃-시간 4 시간-냉각 속도 5℃/분의 조건에서 용체화 처리를 실시한 후, 열간압연(개시 온도 700℃, 압하율 50%)하고, 이어서 냉간압연(압하율 50%)한 후, 추가로 열 처리(온도 600℃, 시간 1.5 시간)하였다.

수득된 열 처리판으로부터 원판을 베어내고, 마무리 기계 가공에 의해 Ag-Bi 합금 스퍼터링 타겟을 얻었다(직경 101.6㎜, 두께 5㎜). 또한, 열간 압연시에 균열 등의 재료 파괴가 확인된 것에 대해서는, 재료 파괴 부분을 제거한 후에 냉간가공을 하였다. 또한, 스퍼터링 타겟을 도려낸 열 처리판으로부터 추가로 필요한 매수의 20㎜×20㎜×두께 5㎜의 시험편을 채취하였다.

수득된 Ag-Bi 합금 스퍼터링 타겟을 이용하여, DC 마그네트론 스퍼터링법[도착 진공도: 2.0×10^-6 Torr 이하(2.7×10^-4 Pa 이하), Ar 가스압: 2.0mTorr(0.27 Pa), 스퍼터 분말: 200W, 극간 거리: 55㎜, 기판 온도: 실온]에 의해, 유리 기판(직경 50.8㎜, 두께 0.55㎜) 상에 막 두께 200㎚의 Ag-Bi 합금 박막을 형성하였다.

이 실험예 2의 평가 결과를 하기 표 2, 및 도 4 내지 도 5에 나타내었다. 또한 표 2의 시료번호 14의 X선 미량분석의 결과 화상을 도 6에 나타내고, 시료번호 21의 X선 미량분석의 결과 화상을 도 7에 나타내었다.

표 2 중, 시료번호 13 및 14는 Ag-0.5 원자% Bi 합금, 시료번호 15 및 16은 Ag-1.0 원자% Bi 합금, 시료번호 17 및 18은 Ag-1.5 원자% Bi 합금, 시료번호 19 및 20은 Ag-3.0 원자% Bi 합금, 시료번호 21 및 22는 Ag-4.0 원자% Bi 합금에 각각 대응한다. 또한, 도 4로부터 분명한 바와 같이, 용체화 처리를 하면 제 3 내지 제 6 강도의 합계 면적비를 크게 할 수 있다(즉, Bi 원자 분포를 균일하게 할 수 있다). 또한, 도 5로부터 분명한 바와 같이, Bi 함유량을 억제하면 제 3 내지 제 6 강도의 합계 면적비를 크게 할 수 있다(즉, Bi 원자 분포를 균일하게 할 수 있다). 또한, 표 2로부터 분명한 바와 같이, Bi 원자 분포를 균일하게 하면, 스퍼터링에 의해 수득되는 박막중 Bi량의 수율의 현저한 저하를 억제할 수 있다.

또한, 도 6 및 도 7은 Bi의 특성 X선 강도의 면분포를 나타낸 화상(도면 중 왼쪽란 하부의 화상. Bi-100㎛로 표시되어 있음)을 그 면적비(도면 중 오른쪽란 상부의 "Bi Level Area%"로 표시된 컬럼)와 함께 나타내고, Ag의 특성 X선 강도의 면분포를 나타낸 화상(도면 중 중앙란 상부의 화상. Ag-100㎛로 표시되어 있음)을 그 면적비(도면 중의 오른쪽 상란의 "Ag Level Area%"로 표시된 컬럼)와 함께 나타낸 X선 미량분석의 결과 화면이다. 그리고, 도면 중의 왼쪽란 하부의 화상(Bi의 특성 X선 강도의 면분포를 나타낸 화상)으로부터 분명한 바와 같이, 용체화 처리를 수행하여 Bi를 고용시킨 시료번호 14(도 6)에서는 Bi가 균일하게 분포되어 있는 반면, 용체화 처리를 하지 않은 시료번호 21(도 7)에서는 Bi가 편재되어 있다.

실험예 3

용체화 처리 조건을 다양하게 변경한 점 이외에는 실험예 1의 Ag-1.5 원자% Bi와 동일하게 하여 주괴를 제조하고, 이 주괴를 개시 온도 650℃, 압하율 70%의 열간가공을 수행함으로써 열간압연판을 얻었다. 이 열간압연판에 냉간압연(압하율 50%)과 열처리(온도 600℃, 시간 1.5시간)를 실시한 후, 절단 및 절삭에 의해 스퍼터링 타겟(직경 101.6㎜, 두께 5㎜)과 필요한 매수의 시험편(20㎜×20㎜×두께 5)을 얻었다.

이 실험예 3의 평가 결과를 하기 표 3에 나타내었다.

표 3에서 분명한 바와 같이, 용체화 처리 온도가 너무 낮은 경우(시료번호 31), 용체화 처리 시간이 너무 짧은 경우(시료번호 32), 및 냉각 속도가 너무 느린 경우(시료번호 33)에는 석출 Bi 강도가 커지고, 제 3 내지 제 6 강도의 합계 면적비(Bi 원자 분포)가 작아져서 가공 특성이 열화된다.

이에 반해 용체화 처리 조건이 적절한 경우에는 가공 특성이 좋아 재료 파괴를 억제할 수 있다(시료번호 23 내지 30). 또한, 용체화 처리 온도가 높게 설정되어 있는 예(시료번호 29) 및 용체화 처리 시간이 길게 설정되어 있는 예(실험예 30)에 비해, 시료번호 23 내지 28은 용체화 처리 조건이 더욱 적절히 설정되어 있고, 결정립의 조대화도 억제할 수 있기 때문에 더욱 적합하다.

실험예 4

배합량을 조정한 Ag와 Bi와 각종 박막 특성 보조 합금 원소(Pd, Pt, Au, Rh, Cu, Y, Nd)를 Ar 분위기 하에서 유도 용해하고, 주형을 이용하여 판형으로 주조함으로써 14 종류의 Ag-Bi계 합금 주괴를 제조하였다. 이들 주괴에 온도 700℃-시간 5 시간-냉각 속도 5℃/분의 용체화 처리를 실시하고, 그 후, 열간압연(개시 온도 700℃, 압하율 50%), 냉간압연(압하율 50%), 열 처리(온도 600℃, 시간 1.5시간)의 순으로 처리하였다. 이 열처리판으로부터 절단 및 절삭에 의해 스퍼터링 타겟(직경 101.6㎜, 두께 5㎜)과 필요한 매수의 시험편(20㎜×20㎜×두께 5㎜)을 얻었다.

이 실험예 4의 평가 결과를 하기 표 4에 나타낸다.

표 4 중, 시료번호 34의 "Ag-1.0 Bi-0.5 Pd"는 Bi를 1.0 원자%, Pd를 0.5 원 자% 함유하고, 나머지는 순Ag인 것을 의미하고, 다른 시료번호에 대해서도 동일하다. 이 표 4로부터 분명한 바와 같이, 어느 Ag-Bi계 합금도 용체화 처리를 수행하면 석출 Bi 강도를 작게 할 수 있고, 또한 제 3 내지 제 6 강도의 합계 면적비를 크게 할 수 있다. 이로써, 가공 특성이 양호해져 열간가공시의 재료 파괴를 억제할 수 있고, 또한 스퍼터링에 의해 얻어지는 박막중 Bi량의 수율의 현저한 저하를 억제할 수 있다.

상술한 발명을 요약하면, 본 발명에 따른 Ag-Bi계 합금 스퍼터링 타겟은 Bi가 Ag에 고용되어 있다는 점에 요지를 갖는다. Bi가 Ag에 고용되어 있는(즉, Bi가 편재되어 있지 않음) 스퍼터링 타겟은, 예컨대 하기와 같은 특성을 갖는다.

즉, Ag-Bi계 합금 스퍼터링 타겟의 스퍼터링면의 복수 개소를 선택하여, X선회절법에 의해 Ag(111)면의 X선 회절 피크 강도, Ag(200)면의 X선 회절 피크 강도, Ag(220)면의 X선 회절 피크 강도, Ag(311)면의 X선 회절 피크 강도, Bi(102)면의 X선 회절 피크 강도를 측정했을 때, 하기 수학식 1로 표시되는 석출 Bi 강도의 평균치가 0.01 원자%^-1 이하이다:

수학식 1

상기 식에서,

또한, X선 미량분석법에 의해 스퍼터링면에서의 Bi의 특성 X선 강도의 면분포를 측정했을 때에, 이 특성 X선을 강도 레벨 0부터 최대치 사이에서 8 등분으로 분류하여, 강도 레벨이 낮은 쪽부터 순서대로 제 1 강도, 제 2 강도, 제 3 강도, 제 4 강도, 제 5 강도, 제 6 강도, 제 7 강도, 제 8 강도라 명명하고, 제 1 내지 제 8의 각각의 강도의 면적비(제 1 내지 제 8 강도의 합계 면적을 100%로 함)를 산출했을 경우, 제 3 내지 제 6 강도의 면적비의 합계가 89% 이상이다.

본 발명의 Ag-Bi계 합금 스퍼터링 타겟은 평균 결정 입경이 200㎛ 이하인 것이 바람직하다. 또한, Ag-Bi계 합금 스퍼터링 타겟은, 예컨대 Bi 함유량이 3 원자% 이하(0 원자%를 포함하지 않음)의 Ag기 합금이다. 본 발명의 스퍼터링 타겟은 하기 제 1, 제 2 및/또는 제 3의 특성 보조 합금 원소를 함유할 수 있다:

제 1 특성 보조 합금 원소: Mg, Pd, Pt, Au, Zn, A1, Ga, In, Sn 및 Sb에서 선택된 1종 이상,

제 2 특성 보조 합금 원소: Be, Ru, Rh, Os, Ir, Cu 및 Ge에서 선택된 1종 이상,

제 3 특성 보조 합금 원소: Y, La, Ce, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ti, Zr 및 Hf에서 선택된 1종 이상.

본 발명의 스퍼터링 타겟은 Ag-Bi계 합금을 온도 350℃ 이상, 시간 0.3 시간 이상, 냉각 속도 3℃/분 이상의 조건에서 용체화 처리함으로써 제조할 수 있다. 결정 입경을 소정 범위로 제어하는 경우에는 상기 용체화 처리 온도를 830℃ 이하, 용체화 처리 시간을 13 시간 이하로 하는 것이 권고된다.

본 발명에는, 상기 Ag-Bi계 합금 스퍼터링 타겟을 스퍼터링하는 Ag-Bi계 합금 박막의 제조방법도 포함된다.

본 발명에 따르면, Bi가 Ag에 고용되어 있기 때문에 Bi의 편재(편석 등)가 억제되고, 그 결과, Bi의 편석에 기인한 재료 파괴, Bi의 편재에 기인한 박막중의 Bi 함유량의 저하 등을 억제할 수 있다.

또한, 본 발명에 따르면, 결정립의 조대화를 억제할 수도 있다.

Claims

Ag-Bi계 합금 스퍼터링 타겟으로서,

스퍼터링면의 복수 개소를 선택하여, X선 회절법에 의해 Ag(111)면의 X선 회절 피크 강도, Ag(200)면의 X선 회절 피크 강도, Ag(220)면의 X선 회절 피크 강도, Ag(311)면의 X선 회절 피크 강도, Bi(102)면의 X선 회절 피크 강도를 측정했을 때, 하기 수학식 1로 표시되는 석출 Bi 강도의 평균치가 0.01 원자%^-1이하인 것을 특징으로 하는 Ag-Bi계 합금 스퍼터링 타겟:

수학식 1

상기 식에서,

I_Bi(102)는 Bi(102)면의 X선 회절 피크 강도(단위 cps(counts per second); 이하 동일)를 나타내고, I_Ag(111)는 Ag(111)면의 X선 회절 피크 강도를 나타내고, I_Ag(200)은 Ag(200)면의 X선 회절 피크 강도를 나타내고, I_Ag(220)은 Ag(220)면의 X선 회절 피크 강도를 나타내고, I_Ag(311)은 Ag(311)면의 X선 회절 피크 강도를 나타내고,

[Bi]는 Ag-Bi계 합금 스퍼터링 타겟의 Bi 함유량(단위 원자%)을 나타낸다.
Ag-Bi계 합금 스퍼터링 타겟으로서,

X선 미량분석법에 의해 스퍼터링면에서의 Bi의 특성 X선 강도의 면분포를 측정했을 때에, 이 특성 X선을 강도 레벨 0부터 최대치 사이에서 8 등분으로 분류하여, 강도 레벨이 낮은 쪽부터 순서대로 제 1 강도, 제 2 강도, 제 3 강도, 제 4 강도, 제 5 강도, 제 6 강도, 제 7 강도, 제 8 강도라 명명하고, 제 1 내지 제 8의 각각의 강도의 면적비(제 1 내지 제 8 강도의 합계 면적을 100%로 함)를 산출했을 경우, 제 3 내지 제 6 강도의 면적비의 합계가 89% 이상인 것을 특징으로 하는 Ag-Bi계 합금 스퍼터링 타겟.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

평균 결정 입경이 200㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 Ag-Bi계 합금 스퍼터링 타겟.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

Bi 함유량이 3 원자% 이하(0 원자%를 포함하지 않음)의 Ag기 합금인 Ag-Bi계 합금 스퍼터링 타겟.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 Ag-Bi계 합금 스퍼터링 타겟이 하기 제 1, 제 2 및 제 3의 특성 보조 합금 원소에서 선택된 1종 이상을 함유한 것인 Ag-Bi계 합금 스퍼터링 타겟:

제 1 특성 보조 합금 원소: Mg, Pd, Pt, Au, Zn, Al, Ga, In, Sn 및 Sb에서 선택된 1종 이상,

제 2 특성 보조 합금 원소: Be, Ru, Rh, Os, Ir, Cu 및 Ge에서 선택된 1종 이상,

제 3 특성 보조 합금 원소: Y, La, Ce, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ti, Zr 및 Hf에서 선택된 1종 이상.
제 5 항에 있어서,

상기 특성 보조 합금 원소의 합계 함유량이 5 원자% 이하(0 원자%를 포함하지 않음)인 Ag-Bi계 합금 스퍼터링 타겟.
Ag-Bi계 합금을, 350℃ 내지 830℃의 온도에서, 0.3 내지 13시간 동안 용체화 처리하고, 3℃/분 이상의 냉각 속도로 냉각하는 것을 특징으로 하는 Ag-Bi계 합금 스퍼터링 타겟의 제조방법.
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