JP5159962B1 - 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】アーク放電およびスプラッシュをより一層抑制することができる導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｉｎを０．１〜１．５質量％含み、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、結晶粒の平均粒径が３０μｍ以上１５０μｍ未満であり、結晶粒の粒径のばらつきが平均粒径の２０％以下である銀合金スパッタリングターゲットであり、溶解鋳造インゴットに、熱間圧延工程、冷却工程、機械加工工程をこの順に施すことにより製造され、その熱間圧延工程では、１パス当りの圧下率が２０〜５０％でひずみ速度が３〜１５／ｓｅｃの仕上げ熱間圧延をパス後の温度が４００〜６５０℃で１パス以上含んでおり、冷却工程では、２００〜１０００℃／ｍｉｎの冷却速度にて急冷する。
【選択図】 なし
【解決手段】Ｉｎを０．１〜１．５質量％含み、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、結晶粒の平均粒径が３０μｍ以上１５０μｍ未満であり、結晶粒の粒径のばらつきが平均粒径の２０％以下である銀合金スパッタリングターゲットであり、溶解鋳造インゴットに、熱間圧延工程、冷却工程、機械加工工程をこの順に施すことにより製造され、その熱間圧延工程では、１パス当りの圧下率が２０〜５０％でひずみ速度が３〜１５／ｓｅｃの仕上げ熱間圧延をパス後の温度が４００〜６５０℃で１パス以上含んでおり、冷却工程では、２００〜１０００℃／ｍｉｎの冷却速度にて急冷する。
【選択図】 なし
Description
本発明は、有機ＥＬ素子の反射電極やタッチパネルの配線膜などの導電性膜を形成するための銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法に関する。
有機ＥＬ素子は、有機ＥＬ発光層の両側に形成した陽極と陰極の間に電圧を印加し、陽極より正孔を、陰極より電子をそれぞれ有機ＥＬ膜に注入し、有機ＥＬ発光層で正孔と電子が結合する際に発光する原理を使用する発光素子であり、ディスプレイデバイス用として近年非常に注目されている。この有機ＥＬ素子の駆動方式には、パッシブマトリックス方式と、アクティブマトリックス方式とがある。このアクティブマトリックス方式は、画素一つに、一つ以上の薄膜トランジスタを設けることにより高速でスイッチングすることができるため、高コントラスト比、高精細化に有利となり、有機ＥＬ素子の特徴を発揮できる駆動方式である。
また、光の取り出し方式には、透明基板側から光を取り出すボトムエミッション方式と、基板とは反対側に光を取り出すトップエミッション方式とがあり、開口率の高いトップエミッション方式が、高輝度化に有利である。
また、光の取り出し方式には、透明基板側から光を取り出すボトムエミッション方式と、基板とは反対側に光を取り出すトップエミッション方式とがあり、開口率の高いトップエミッション方式が、高輝度化に有利である。
このトップエミッション構造における反射電極膜は有機ＥＬ層で発光した光を効率よく反射するために、高反射率で耐食性の高いことが望ましい。また、電極として低抵抗であることも望ましい。そのような材料として、Ａｇ合金およびＡｌ合金が知られているが、より高輝度の有機ＥＬ素子を得るためには、可視光反射率が高いことからＡｇ合金が優れている。ここで、有機ＥＬ素子への反射電極膜の形成には、スパッタリング法が採用されており、銀合金ターゲットが用いられている（特許文献１）。
ところで、有機ＥＬ素子製造時のガラス基板の大型化に伴い、反射電極膜形成に使用される銀合金ターゲットも大型のものが使われるようになってきている。ここで、大型のターゲットに高い電力を投入してスパッタを行う際には、ターゲットの異常放電によって発生する「スプラッシュ」と呼ばれる現象が発生し、溶融した微粒子が基板に付着して配線や電極間をショートさせたりすることにより、有機ＥＬ素子の歩留りを低下させる、という問題がある。トップエミッション方式の有機ＥＬ素子の反射電極層では、有機発光層の下地層となるため、より高い平坦性が求められており、よりスプラッシュを抑制する必要がある。
このような課題を解決するため、特許文献２および特許文献３では、ターゲットの大型化に伴い、ターゲットに大電力が投入されてもスプラッシュを抑制することができる有機ＥＬ素子の反射電極膜形成用銀合金ターゲットおよびその製造方法が提案されている。
このような課題を解決するため、特許文献２および特許文献３では、ターゲットの大型化に伴い、ターゲットに大電力が投入されてもスプラッシュを抑制することができる有機ＥＬ素子の反射電極膜形成用銀合金ターゲットおよびその製造方法が提案されている。
これら特許文献２および特許文献３記載の反射電極膜形成用銀合金ターゲットにより、大電力が投入されてもスプラッシュを抑制することができるようになったが、大型銀合金ターゲットはターゲットの消耗に伴って、アーク放電回数が増加し、アーク放電によるスプラッシュが増加する傾向にあり、さらなる改善が求められている。
また、有機ＥＬ素子用反射電極膜の他に、タッチパネルの引き出し配線などの導電性膜にも、銀合金膜が検討されている。このような配線膜として、例えば純Ａｇを用いるとマイグレーションが生じて短絡不良が発生しやすくなるため、銀合金膜の採用が検討されている。
また、有機ＥＬ素子用反射電極膜の他に、タッチパネルの引き出し配線などの導電性膜にも、銀合金膜が検討されている。このような配線膜として、例えば純Ａｇを用いるとマイグレーションが生じて短絡不良が発生しやすくなるため、銀合金膜の採用が検討されている。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、アーク放電およびスプラッシュをより一層抑制することができる導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供することを目的とする。
本発明者らは鋭意研究の結果、ターゲットの消耗に伴うアーク放電回数の増加を抑制するためには、結晶粒を平均粒径で１５０μｍ未満にさらに微細化し、そのばらつきを平均粒径の２０％以下に抑えることが有効であるとの知見を得た。
かかる知見の下、本発明の導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットは、Ａｇに固溶する元素であるＩｎを０．１〜１．５質量％含み、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金スパッタリングターゲットであって、該合金の結晶粒の平均粒径が３０μｍ以上１５０μｍ未満であり、前記結晶粒の粒径のばらつきが平均粒径の２０％以下であることを特徴とする。
かかる知見の下、本発明の導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットは、Ａｇに固溶する元素であるＩｎを０．１〜１．５質量％含み、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金スパッタリングターゲットであって、該合金の結晶粒の平均粒径が３０μｍ以上１５０μｍ未満であり、前記結晶粒の粒径のばらつきが平均粒径の２０％以下であることを特徴とする。
Ｉｎは、Ａｇに固溶してターゲットの結晶粒成長を抑制し、結晶粒の微細化に効果がある。ターゲットの硬さを向上させるので、機械加工時の反りを抑制する。スパッタにより形成された膜の耐食性および耐熱性を向上させる。０．１質量％未満では、上記効果が得られず、１．５質量％を超えると、膜の反射率や電気抵抗が低下する。
平均粒径を３０μｍ以上１５０μｍ未満としたのは、３０μｍ未満は現実的でなく製造コスト増を招くからであり、１５０μｍ以上であると、スパッタ時にターゲットの消耗に伴って異常放電が増加する傾向が顕著になるからである。
平均粒径のばらつきが２０％を超えると、スパッタ時にターゲットの消耗に伴って異常放電が増加する傾向が顕著になる。
平均粒径を３０μｍ以上１５０μｍ未満としたのは、３０μｍ未満は現実的でなく製造コスト増を招くからであり、１５０μｍ以上であると、スパッタ時にターゲットの消耗に伴って異常放電が増加する傾向が顕著になるからである。
平均粒径のばらつきが２０％を超えると、スパッタ時にターゲットの消耗に伴って異常放電が増加する傾向が顕著になる。
また、本発明の導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットは、Ａｇに固溶する元素であるＩｎおよびＳｎを合計で０．１〜１．５質量％含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金スパッタリングターゲットであって、該合金の結晶粒の平均粒径が３０μｍ以上１５０μｍ未満であり、前記結晶粒の粒径のばらつきが平均粒径の２０％以下であることを特徴とする。
Ｓｎは、Ｉｎと同様、Ａｇに固溶してターゲットの結晶粒成長を抑制し、結晶粒の微細化に効果がある。ターゲットの硬さを向上させるので、機械加工時の反りを抑制する。スパッタにより形成された膜の耐食性および耐熱性を向上させる。ＩｎとＳｎとの合計の含有量が０．１質量％未満では、上記効果が得られず、１．５質量％を超えると、膜の反射率や電気抵抗が低下する。
本発明の導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットは、Ａｇに固溶する元素であるＩｎを０．１〜１．５質量％含み、さらに、Ａｇに固溶する元素であるＳｂ、Ｇａのうち１種以上を合計で０．１〜２．５質量％含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金スパッタリングターゲットであって、該合金の結晶粒の平均粒径が３０μｍ以上１５０μｍ未満であり、前記結晶粒の粒径のばらつきが平均粒径の２０％以下であることを特徴とする。
あるいは、Ａｇに固溶する元素であるＩｎおよびＳｎを合計で０．１〜１．５質量％含有し、さらに、Ａｇに固溶する元素であるＳｂ、Ｇａのうち１種以上を合計で０．１〜２．５質量％含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金スパッタリングターゲットであって、該合金の結晶粒の平均粒径が３０μｍ以上１５０μｍ未満であり、前記結晶粒の粒径のばらつきが平均粒径の２０％以下であることを特徴とする。
あるいは、Ａｇに固溶する元素であるＩｎおよびＳｎを合計で０．１〜１．５質量％含有し、さらに、Ａｇに固溶する元素であるＳｂ、Ｇａのうち１種以上を合計で０．１〜２．５質量％含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金スパッタリングターゲットであって、該合金の結晶粒の平均粒径が３０μｍ以上１５０μｍ未満であり、前記結晶粒の粒径のばらつきが平均粒径の２０％以下であることを特徴とする。
ＳｂおよびＧａはＡｇに固溶して更に結晶粒成長を抑制する効果を有する。スパッタにより形成された膜の耐食性および耐熱性をよりいっそう向上させる。特にＧａは膜の耐塩化性を向上させる。その含有量が０．１質量％未満では、上記効果が得られず、２．５質量％を超えると、膜の反射率や電気抵抗が低下するだけでなく、熱間圧延の際に割れが発生する傾向が現れる。
本発明の導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットにおいて、前記結晶粒の平均粒径は１２０μｍ未満であるとなおよい。
結晶粒の平均粒径は１２０μｍ未満であると、アーク放電およびスプラッシュをさらに抑制することができる。
結晶粒の平均粒径は１２０μｍ未満であると、アーク放電およびスプラッシュをさらに抑制することができる。
本発明の導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットの製造方法は、Ｉｎを０．１〜１．５質量％含み、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した溶解鋳造インゴットに、熱間圧延工程、冷却工程、機械加工工程をこの順に施すことにより、銀合金スパッタリングターゲットを製造する方法であって、前記熱間圧延工程は、１パス当りの圧下率が２０〜５０％でひずみ速度が３〜１５／ｓｅｃの仕上げ熱間圧延をパス後の温度が４００〜６５０℃で１パス以上含んでおり、前記冷却工程は、２００〜１０００℃／ｍｉｎの冷却速度にて急冷することを特徴とする。
また、本発明の導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットの製造方法は、ＩｎおよびＳｎを合計で０．１〜１．５質量％含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した溶解鋳造インゴットに、熱間圧延工程、冷却工程、機械加工工程をこの順に施すことにより、銀合金スパッタリングターゲットを製造する方法であって、前記熱間圧延工程は、１パス当りの圧下率が２０〜５０％でひずみ速度が３〜１５／ｓｅｃの仕上げ熱間圧延をパス後の温度が４００〜６５０℃で１パス以上含んでおり、前記冷却工程は、２００〜１０００℃／ｍｉｎの冷却速度にて急冷することを特徴とする。
また、Ｉｎを０．１〜１．５質量％含み、さらに、Ｓｂ、Ｇａのうち１種以上を合計で０．１〜２．５質量％含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した溶解鋳造インゴットに、熱間圧延工程、冷却工程、機械加工工程をこの順に施すことにより、銀合金スパッタリングターゲットを製造する方法であって、前記熱間圧延工程は、１パス当りの圧下率が２０〜５０％でひずみ速度が３〜１５／ｓｅｃの仕上げ熱間圧延をパス後の温度が４００〜６５０℃で１パス以上含んでおり、前記冷却工程は、２００〜１０００℃／ｍｉｎの冷却速度にて急冷することを特徴とする。
あるいは、ＩｎおよびＳｎを合計で０．１〜１．５質量％含有し、さらに、Ｓｂ、Ｇａのうち１種以上を合計で０．１〜２．５質量％含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した溶解鋳造インゴットに、熱間圧延工程、冷却工程、機械加工工程をこの順に施すことにより、銀合金スパッタリングターゲットを製造する方法であって、前記熱間圧延工程は、１パス当りの圧下率が２０〜５０％でひずみ速度が３〜１５／ｓｅｃの仕上げ熱間圧延をパス後の温度が４００〜６５０℃で１パス以上含んでおり、前記冷却工程は、２００〜１０００℃／ｍｉｎの冷却速度にて急冷することを特徴とする
あるいは、ＩｎおよびＳｎを合計で０．１〜１．５質量％含有し、さらに、Ｓｂ、Ｇａのうち１種以上を合計で０．１〜２．５質量％含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した溶解鋳造インゴットに、熱間圧延工程、冷却工程、機械加工工程をこの順に施すことにより、銀合金スパッタリングターゲットを製造する方法であって、前記熱間圧延工程は、１パス当りの圧下率が２０〜５０％でひずみ速度が３〜１５／ｓｅｃの仕上げ熱間圧延をパス後の温度が４００〜６５０℃で１パス以上含んでおり、前記冷却工程は、２００〜１０００℃／ｍｉｎの冷却速度にて急冷することを特徴とする
仕上げ熱間圧延の１パス当りの圧下率を２０〜５０％としたのは、圧下率が２０％未満では結晶粒の微細化が不十分となり、５０％以上の圧下率を得ようとすると圧延機の負荷荷重が過大となり現実的ではないからである。
また、ひずみ速度を３〜１５／ｓｅｃとしたのは、ひずみ速度が３／ｓｅｃ未満では、結晶粒の微細化が不十分となり、微細粒と粗大粒の混粒が発生する傾向が現れるからであり、１５／ｓｅｃを超えるひずみ速度は圧延機の負荷荷重が過大となり現実的ではないからである。
各パス後の温度は、４００℃未満では、動的再結晶が不十分となり、結晶粒径のばらつきが増大する傾向が顕著になる。６５０℃を超えると、結晶粒成長が進行し平均結晶粒径が１５０μｍ以上となる。
そして、この熱間圧延後に急冷することにより結晶粒の成長を抑制し、微細な結晶粒のターゲットを得ることができる。冷却速度が２００℃／ｍｉｎ未満では結晶粒の成長を抑制する効果に乏しい。１０００℃／ｍｉｎを超えても、それ以上の微細化には寄与しない。
また、ひずみ速度を３〜１５／ｓｅｃとしたのは、ひずみ速度が３／ｓｅｃ未満では、結晶粒の微細化が不十分となり、微細粒と粗大粒の混粒が発生する傾向が現れるからであり、１５／ｓｅｃを超えるひずみ速度は圧延機の負荷荷重が過大となり現実的ではないからである。
各パス後の温度は、４００℃未満では、動的再結晶が不十分となり、結晶粒径のばらつきが増大する傾向が顕著になる。６５０℃を超えると、結晶粒成長が進行し平均結晶粒径が１５０μｍ以上となる。
そして、この熱間圧延後に急冷することにより結晶粒の成長を抑制し、微細な結晶粒のターゲットを得ることができる。冷却速度が２００℃／ｍｉｎ未満では結晶粒の成長を抑制する効果に乏しい。１０００℃／ｍｉｎを超えても、それ以上の微細化には寄与しない。
本発明によれば、スパッタ中に大電力を投入しても、アーク放電およびスプラッシュをより一層抑制することができるターゲットが得られ、このターゲットをスパッタすることにより、反射率が高く、優れた耐久性を有する導電性膜を得ることができる。
以下、本発明の導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法の実施形態を説明する。なお、％は特に示さない限り、また数値固有の場合を除いて質量％である。
このターゲットは、ターゲット表面（ターゲットのスパッタリングに供される側の面）が、０．２５ｍ２以上の面積を有し、矩形ターゲットの場合には、少なくとも一辺が５００ｍｍ以上であり、長さの上限は、ターゲットのハンドリングの観点から、３０００ｍｍが好ましい。一方、幅の上限は、熱間圧延工程で使用する圧延機で一般的に圧延可能なサイズの上限の観点から、１７００ｍｍが好ましい。また、ターゲットの交換頻度の観点から、ターゲットの厚さは、６ｍｍ以上が好ましく、マグネトロンスパッタの放電安定性の観点から、２５ｍｍ以下が好ましい。
第１実施形態の導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットは、Ｉｎを０．１〜１．５質量％含み、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金で構成され、その合金の結晶粒の平均粒径が３０μｍ以上１５０μｍ未満であり、結晶粒の粒径のばらつきが平均粒径の２０％以下である。
Ａｇは、スパッタにより形成された有機ＥＬ素子の反射電極膜やタッチパネルの配線膜に、高反射率と低抵抗を与える効果を有する。
Ｉｎは、ターゲットの硬さを向上させるので、機械加工時の反りを抑制する。特に、ターゲット表面が０．２５ｍ２以上の面積を有した大型ターゲットの機械加工時の反りを抑制することができる。加えて、Ｉｎは、スパッタにより形成された有機ＥＬ素子の反射電極膜の耐食性、および耐熱性を向上させる効果がある。これは、Ｉｎが、膜中の結晶粒を微細化すると共に膜の表面粗さを小さくし、また、Ａｇに固溶して結晶粒の強度を高め、熱による結晶粒の粗大化を抑制し、膜の表面粗さの増大を抑制したり、膜の腐食による反射率の低下を抑制したりする効果を有するためである。したがって、この導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットを用いて成膜した反射電極膜または配線膜では、膜の耐食性および耐熱性が向上することから、有機ＥＬ素子の高輝度化やタッチパネル等の配線における信頼性の改善に寄与する。
Ｉｎの含有量を上記範囲に限定した理由は、０．１質量％未満では、上記に記載したＩｎを添加することによる効果が得られず、１．５質量％を超えて含有すると、膜の電気抵抗が増大したり、スパッタにより形成された膜の反射率や耐食性がかえって低下したりするので好ましくないためである。したがって、膜の組成は、ターゲット組成に依存するので、銀合金スパッタリングターゲットに含まれるＩｎの含有量は、０．１〜１．５質量％に設定される。より好ましくは０．２〜１．０質量％である。
Ｉｎの含有量を上記範囲に限定した理由は、０．１質量％未満では、上記に記載したＩｎを添加することによる効果が得られず、１．５質量％を超えて含有すると、膜の電気抵抗が増大したり、スパッタにより形成された膜の反射率や耐食性がかえって低下したりするので好ましくないためである。したがって、膜の組成は、ターゲット組成に依存するので、銀合金スパッタリングターゲットに含まれるＩｎの含有量は、０．１〜１．５質量％に設定される。より好ましくは０．２〜１．０質量％である。
第２実施形態の導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットは、ＩｎおよびＳｎを合計で０．１〜１．５質量％含み、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金で構成され、その合金の結晶粒の平均粒径が３０μｍ以上１５０μｍ未満であり、結晶粒の粒径のばらつきが平均粒径の２０％以下である。
この実施形態において、Ｓｎは、Ｉｎと同様、Ａｇに固溶してターゲットの結晶粒成長を抑制し、結晶粒の微細化に効果がある。ターゲットの硬さを向上させるので、機械加工時の反りを抑制する。スパッタにより形成された膜の耐食性および耐熱性を向上させる。ＩｎとＳｎとの合計の含有量が０．１質量％未満では、上記効果が得られず、１．５質量％を超えると、膜の反射率や電気抵抗が低下する。
この実施形態において、Ｓｎは、Ｉｎと同様、Ａｇに固溶してターゲットの結晶粒成長を抑制し、結晶粒の微細化に効果がある。ターゲットの硬さを向上させるので、機械加工時の反りを抑制する。スパッタにより形成された膜の耐食性および耐熱性を向上させる。ＩｎとＳｎとの合計の含有量が０．１質量％未満では、上記効果が得られず、１．５質量％を超えると、膜の反射率や電気抵抗が低下する。
第３実施形態の導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットは、Ｉｎを０．１〜１．５質量％含み、さらに、Ｓｂ、Ｇａのうち１種以上を合計で０．１〜２．５質量％含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金で構成され、その合金の結晶粒の平均粒径が３０μｍ以上１５０μｍ未満であり、結晶粒の粒径のばらつきが平均粒径の２０％以下である。
また、第４実施形態の導電性膜形成用合金スパッタリングターゲットは、ＩｎおよびＳｎを合計で０．１〜１．５質量％含有し、さらに、Ｓｂ、Ｇａのうち１種以上を合計で０．１〜２．５質量％含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、その合金の結晶粒の平均粒径が３０μｍ以上１５０μｍ未満であり、結晶粒の粒径のばらつきが平均粒径の２０％以下である。
また、第４実施形態の導電性膜形成用合金スパッタリングターゲットは、ＩｎおよびＳｎを合計で０．１〜１．５質量％含有し、さらに、Ｓｂ、Ｇａのうち１種以上を合計で０．１〜２．５質量％含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、その合金の結晶粒の平均粒径が３０μｍ以上１５０μｍ未満であり、結晶粒の粒径のばらつきが平均粒径の２０％以下である。
これら第３および第４実施形態において、ＳｂおよびＧａはＡｇに固溶して更に結晶粒成長を抑制する効果を有する。スパッタにより形成された膜の耐食性および耐熱性をよりいっそう向上させる。特にＧａは膜の耐塩化性を向上させる。スパッタにより形成された膜をタッチパネルの引き出し配線膜に用いる場合、タッチパネルは指で触れて操作されるため、人体からの汗に含まれる塩素成分への耐性が配線膜には必要であるが、Ｇａを添加することにより、耐塩化性に優れるものとなる。
これらＳｂ、Ｇａの含有量は、０．１質量％未満では、上記効果が得られず、２．５質量％を超えると、膜の反射率や電気抵抗が低下するだけでなく、熱間圧延の際に割れが発生する傾向が現れる。
これらＳｂ、Ｇａの含有量は、０．１質量％未満では、上記効果が得られず、２．５質量％を超えると、膜の反射率や電気抵抗が低下するだけでなく、熱間圧延の際に割れが発生する傾向が現れる。
以上の各組成の実施形態において、銀合金スパッタリングターゲット中の銀合金結晶粒の平均粒径は、３０μｍ以上１５０μｍ未満であり、好ましくは１２０μｍ未満である。銀合金結晶粒の平均粒径が、３０μｍ未満は、現実的でなく製造コスト増を招く。また、均一な結晶粒を製造することが難しく、粒径のばらつきが大きくなり、大電力のスパッタ中に、異常放電が発生しやすくなり、スプラッシュが発生するようになる。一方、１５０μｍ以上であると、ターゲットがスパッタにより消耗するのに伴い、各々の結晶粒の結晶方位の違いによるスパッタレートの差に起因して、スパッタ表面の凹凸が大きくなるため、大電力でのスパッタ中に、異常放電が発生し易くなり、スプラッシュが発生し易くなる。この平均結晶粒径を１２０μｍ未満とすることにより、さらにアーク放電およびスプラッシュを抑制することができる。
ここで、銀合金結晶粒の平均粒径は、以下のようにして測定する。
ターゲットのスパッタ面内で均等に１６カ所の地点から、一辺が１０ｍｍ程度の直方体の試料を採取する。具体的には、ターゲットを縦４×横４の１６カ所に区分し、各部の中央部から採取する。なお、本実施形態では、５００×５００（ｍｍ）以上のスパッタ面、すなわちターゲット表面が０．２５ｍ２以上の面積を有する大型ターゲットを念頭に置いているので、大型ターゲットとして一般に用いられる矩形ターゲットからの試料の採取法を記載したが、本発明は、当然に、丸形ターゲットのスプラッシュ発生の抑制にも効果を発揮する。このときには、大型の矩形ターゲットでの試料の採取法に準じて、ターゲットのスパッタ面内で均等に１６カ所に区分し、採取することとする。
次に、各試料片のスパッタ面側を研磨する。この際、＃１８０〜＃４０００の耐水紙で研磨をした後、３μｍ〜１μｍの砥粒でバフ研磨をする。
さらに、光学顕微鏡で粒界が見える程度にエッチングする。ここで、エッチング液には、過酸化水素水とアンモニア水との混合液を用い、室温で１〜２秒間浸漬し、粒界を現出させる。次に、各試料について、光学顕微鏡で倍率６０倍もしくは１２０倍の写真を撮影する。写真の倍率は結晶粒を計数し易い倍率を選択する。
各写真において、６０ｍｍの線分を、井げた状に２０ｍｍ間隔で縦横に合計４本引き、それぞれの直線で切断された結晶粒の数を数える。なお、線分の端の結晶粒は、０．５個とカウントする。平均切片長さ：Ｌ（μｍ）を、Ｌ＝６００００／（Ｍ・Ｎ）（ここで、Ｍは実倍率、Ｎは切断された結晶粒数の平均値である）で求める。
次に、求めた平均切片長さ：Ｌ（μｍ）から、試料の平均粒径：ｄ（μｍ）を、ｄ＝（３／２）・Ｌで算出する。
このように１６カ所からサンプリングした試料の平均粒径の平均値をターゲットの銀合金結晶粒の平均粒径とする。
ターゲットのスパッタ面内で均等に１６カ所の地点から、一辺が１０ｍｍ程度の直方体の試料を採取する。具体的には、ターゲットを縦４×横４の１６カ所に区分し、各部の中央部から採取する。なお、本実施形態では、５００×５００（ｍｍ）以上のスパッタ面、すなわちターゲット表面が０．２５ｍ２以上の面積を有する大型ターゲットを念頭に置いているので、大型ターゲットとして一般に用いられる矩形ターゲットからの試料の採取法を記載したが、本発明は、当然に、丸形ターゲットのスプラッシュ発生の抑制にも効果を発揮する。このときには、大型の矩形ターゲットでの試料の採取法に準じて、ターゲットのスパッタ面内で均等に１６カ所に区分し、採取することとする。
次に、各試料片のスパッタ面側を研磨する。この際、＃１８０〜＃４０００の耐水紙で研磨をした後、３μｍ〜１μｍの砥粒でバフ研磨をする。
さらに、光学顕微鏡で粒界が見える程度にエッチングする。ここで、エッチング液には、過酸化水素水とアンモニア水との混合液を用い、室温で１〜２秒間浸漬し、粒界を現出させる。次に、各試料について、光学顕微鏡で倍率６０倍もしくは１２０倍の写真を撮影する。写真の倍率は結晶粒を計数し易い倍率を選択する。
各写真において、６０ｍｍの線分を、井げた状に２０ｍｍ間隔で縦横に合計４本引き、それぞれの直線で切断された結晶粒の数を数える。なお、線分の端の結晶粒は、０．５個とカウントする。平均切片長さ：Ｌ（μｍ）を、Ｌ＝６００００／（Ｍ・Ｎ）（ここで、Ｍは実倍率、Ｎは切断された結晶粒数の平均値である）で求める。
次に、求めた平均切片長さ：Ｌ（μｍ）から、試料の平均粒径：ｄ（μｍ）を、ｄ＝（３／２）・Ｌで算出する。
このように１６カ所からサンプリングした試料の平均粒径の平均値をターゲットの銀合金結晶粒の平均粒径とする。
この銀合金結晶粒の粒径のばらつきが、銀合金結晶粒の平均粒径の２０％以下であると、スパッタ時のスプラッシュを、より確実に抑制することができる。ここで、粒径のばらつきは、１６カ所で求めた１６個の平均粒径のうち、平均粒径との偏差の絶対値（｜〔（ある１個の箇所の平均粒径）−（１６カ所の平均粒径）〕｜）が最大となるものを特定し、その特定した平均粒径（特定平均粒径）を用いて下記の様に算出する。
｜〔（特定平均粒径）−（１６カ所の平均粒径）〕｜／（１６カ所の平均粒径）×１００（％）
｜〔（特定平均粒径）−（１６カ所の平均粒径）〕｜／（１６カ所の平均粒径）×１００（％）
次に、本実施形態の導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットの製造方法について説明する。
第１実施形態の導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットは、原料として純度：９９．９９質量％以上のＡｇ、純度：９９．９質量％以上のＩｎを用いる。
まず、Ａｇを高真空または不活性ガス雰囲気中で溶解し、得られた溶湯に所定の含有量のＩｎを添加し、その後、真空または不活性ガス雰囲気中で溶解して、Ｉｎ：０．１〜１．５質量％含み、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる銀合金の溶解鋳造インゴットを作製する。
ここで、Ａｇの溶解は、雰囲気を一度真空にした後、アルゴンで置換した雰囲気で行い、溶解後アルゴン雰囲気の中でＡｇの溶湯にＩｎを添加することは、ＡｇとＩｎの組成比率を安定する観点から、好ましい。
第１実施形態の導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットは、原料として純度：９９．９９質量％以上のＡｇ、純度：９９．９質量％以上のＩｎを用いる。
まず、Ａｇを高真空または不活性ガス雰囲気中で溶解し、得られた溶湯に所定の含有量のＩｎを添加し、その後、真空または不活性ガス雰囲気中で溶解して、Ｉｎ：０．１〜１．５質量％含み、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる銀合金の溶解鋳造インゴットを作製する。
ここで、Ａｇの溶解は、雰囲気を一度真空にした後、アルゴンで置換した雰囲気で行い、溶解後アルゴン雰囲気の中でＡｇの溶湯にＩｎを添加することは、ＡｇとＩｎの組成比率を安定する観点から、好ましい。
第２実施形態の導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットでは、原料として純度：９９．９９質量％以上のＡｇ、純度：９９．９質量％以上のＩｎ、Ｓｎを用い、Ａｇの溶湯に、Ｉｎを溶解するとともに、ＳｎをＩｎと合計で０．１〜１．５質量％となるように添加する。その場合も、Ａｇを高真空または不活性ガス雰囲気中で溶解し、得られた溶湯に所定の含有量のＩｎおよびＳｎを添加し、その後、真空または不活性ガス雰囲気中で溶解する。
また、第３実施形態の導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットでは、原料として純度：９９．９９質量％以上のＡｇ、純度：９９．９質量％以上のＩｎ、Ｓｂ、Ｇａを用い、Ａｇの溶湯に、Ｉｎ：０．１〜１．５質量％、Ｓｂ、Ｇａのうち１種以上を合計で０．１〜３．０質量％添加する。その場合も、Ａｇを高真空または不活性ガス雰囲気中で溶解し、得られた溶湯に所定の含有量のＩｎ、Ｓｂ、Ｇａを添加し、その後、真空または不活性ガス雰囲気中で溶解する。
第４実施形態の導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットでは、原料として純度：９９．９９質量％以上のＡｇ、純度：９９．９質量％以上のＩｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｇａを用い、Ａｇの溶湯に、ＩｎとＳｎを合計で０．１〜１．５質量％となるように添加するとともに、Ｓｂ、Ｇａのうち１種以上を合計で０．１〜３．０質量％添加する。その場合も、Ａｇを高真空または不活性ガス雰囲気中で溶解し、得られた溶湯に所定の含有量のＩｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｇａを添加し、その後、真空または不活性ガス雰囲気中で溶解する。
また、以上の溶解・鋳造は、真空中または不活性ガス置換の雰囲気中で行うのが望ましいが、大気中溶解炉を用いることも可能であり、大気中溶解炉を用いる場合は、溶湯表面に不活性ガスを吹き付けるか、木炭等の炭素系固体シール材により溶湯表面を覆いながら溶解、鋳造する。これにより、インゴット中の酸素や非金属介在物の含有量を低減することができる。
溶解炉は成分を均一化するため誘導加熱炉が好ましい。
また、角型の鋳型で鋳造し直方体のインゴットを得るのが効率的で望ましいが、丸型の鋳型に鋳造した円柱状のインゴットを加工して概略直方体のインゴットを得ることもできる。
溶解炉は成分を均一化するため誘導加熱炉が好ましい。
また、角型の鋳型で鋳造し直方体のインゴットを得るのが効率的で望ましいが、丸型の鋳型に鋳造した円柱状のインゴットを加工して概略直方体のインゴットを得ることもできる。
得られた直方体状のインゴットを加熱して所定の厚さまで熱間圧延した後、急冷する。
この場合、熱間圧延の最終段階の仕上げ熱間圧延の条件が重要であり、この仕上げ熱間圧延条件を適切に設定することにより、結晶粒が微細で均一な銀合金板を製造することができる。
具体的には、仕上げ熱間圧延においては、１パス当りの圧下率が２０〜５０％でひずみ速度が３〜１５／ｓｅｃ、各圧延パス後の圧延温度が４００〜６５０℃とする。この仕上げ熱間圧延を１パス以上含みものとする。熱間圧延全体としての総圧延率は例えば７０％以上とする。
ここで、仕上げ熱間圧延とは、圧延後の板材の結晶粒径に強く影響を及ぼす圧延パスであり、最終圧延パスを含み、必要に応じて、最終圧延パスから３回目までのパスであると考えてよい。この最終圧延より後に、板厚の調整のために前記圧延温度範囲で、圧下率７％以下の圧延を加えてもかまわない。
また、ひずみ速度ε（ｓｅｃ−１）は次式で与えられる。
この場合、熱間圧延の最終段階の仕上げ熱間圧延の条件が重要であり、この仕上げ熱間圧延条件を適切に設定することにより、結晶粒が微細で均一な銀合金板を製造することができる。
具体的には、仕上げ熱間圧延においては、１パス当りの圧下率が２０〜５０％でひずみ速度が３〜１５／ｓｅｃ、各圧延パス後の圧延温度が４００〜６５０℃とする。この仕上げ熱間圧延を１パス以上含みものとする。熱間圧延全体としての総圧延率は例えば７０％以上とする。
ここで、仕上げ熱間圧延とは、圧延後の板材の結晶粒径に強く影響を及ぼす圧延パスであり、最終圧延パスを含み、必要に応じて、最終圧延パスから３回目までのパスであると考えてよい。この最終圧延より後に、板厚の調整のために前記圧延温度範囲で、圧下率７％以下の圧延を加えてもかまわない。
また、ひずみ速度ε（ｓｅｃ−１）は次式で与えられる。
上式において、Ｈ０：圧延ロールに対する入側での板厚（ｍｍ）、ｎ：圧延ロール回転速度（ｒｐｍ）、Ｒ：圧延ロール半径（ｍｍ）、ｒ：圧下率（％）であり、ｒ‘＝ｒ／１００である。
１パス当りの圧下率を２０〜５０％、ひずみ速度を３〜１５／ｓｅｃとすることにより、比較的低温で大きなエネルギーによって強加工することになり、これにより粗大結晶粒の混在を防止し、動的再結晶により全体として微細で均一な結晶粒を生成することができる。１パス当りの圧下率が２０％未満では結晶粒の微細化が不十分となり、５０％を超える圧下率を得ようとすると圧延機の負荷荷重が過大となり現実的ではない。また、ひずみ速度が３／ｓｅｃ未満では、結晶粒の微細化が不十分となり、微細粒と粗大粒の混粒が発生する傾向が現れる。１５／ｓｅｃを超えるひずみ速度は圧延機の負荷荷重が過大となり現実的ではない。
１パス当りの圧下率を２０〜５０％、ひずみ速度を３〜１５／ｓｅｃとすることにより、比較的低温で大きなエネルギーによって強加工することになり、これにより粗大結晶粒の混在を防止し、動的再結晶により全体として微細で均一な結晶粒を生成することができる。１パス当りの圧下率が２０％未満では結晶粒の微細化が不十分となり、５０％を超える圧下率を得ようとすると圧延機の負荷荷重が過大となり現実的ではない。また、ひずみ速度が３／ｓｅｃ未満では、結晶粒の微細化が不十分となり、微細粒と粗大粒の混粒が発生する傾向が現れる。１５／ｓｅｃを超えるひずみ速度は圧延機の負荷荷重が過大となり現実的ではない。
各パス後の圧延温度は熱間圧延としては低温の４００〜６５０℃とすることにより、結晶粒の粗大化を抑制する。圧延温度が４００℃未満では、動的再結晶が不十分となり、結晶粒径のばらつきが増大する傾向が顕著になる。６５０℃を超えると、結晶粒成長が進行し平均結晶粒径が１５０μｍを超えるようになる。
この最終の仕上げ熱間圧延を１パスから必要に応じて複数パス行う。
仕上げ熱間圧延のより好ましい範囲は、１パス当りの圧下率が２５〜５０％、ひずみ速度５〜１５／ｓｅｃ、パス後の圧延温度５００〜６００℃であり、この仕上げ熱間圧延を３パス以上実施するのが好ましい。
なお、圧延開始温度は４００〜６５０℃でなくともよく、最終段階の仕上げ熱間圧延での各パス終了時の温度が４００〜６５０℃となるように、圧延開始温度、パススケジュールを設定する。
この最終の仕上げ熱間圧延を１パスから必要に応じて複数パス行う。
仕上げ熱間圧延のより好ましい範囲は、１パス当りの圧下率が２５〜５０％、ひずみ速度５〜１５／ｓｅｃ、パス後の圧延温度５００〜６００℃であり、この仕上げ熱間圧延を３パス以上実施するのが好ましい。
なお、圧延開始温度は４００〜６５０℃でなくともよく、最終段階の仕上げ熱間圧延での各パス終了時の温度が４００〜６５０℃となるように、圧延開始温度、パススケジュールを設定する。
そして、このような熱間圧延加工後に、４００〜６５０℃の温度から例えば２００℃以下の温度になるまで、２００〜１０００℃／ｍｉｎの冷却速度で急冷する。この急冷により結晶粒の成長を抑制し、微細な結晶粒の圧延板を得ることができる。冷却速度が２００℃／ｍｉｎ未満では結晶粒の成長を抑制する効果に乏しい。１０００℃／ｍｉｎを超えても、それ以上の微細化には寄与しない。急冷の方法としては、１分間程度、水シャワーするとよい。
このようにして得た圧延板を矯正プレス、ローラレベラー等により矯正した後、フライス加工、放電加工等の機械加工で所望の寸法に仕上げる。最終的に得られるスパッタリングターゲットのスパッタ表面の算術平均面粗さ（Ｒａ）は０．２〜２μｍであることが好ましい。
このようにして得られた本実施形態の導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットは、スパッタ中に大電力を投入しても、異常放電を抑制し、スプラッシュの発生を抑制することができる。このターゲットをスパッタすることにより、反射率が高く、優れた耐久性を有する導電性膜が得られる。また、この導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットを用いてスパッタすることで、良好な耐食性および耐熱性を有し、さらに低い電気抵抗の導電性膜を得ることができる。特に、ターゲットサイズが、幅：５００ｍｍ、長さ：５００ｍｍ、厚さ６ｍｍ以上の大型ターゲットである場合に有効である。
（実施例１）
純度９９．９９質量％以上のＡｇと添加原料として純度９９．９質量％以上のＩｎを用意し、黒鉛るつぼで築炉した高周波誘導溶解炉に装填した。溶解時の総質量は約１１００ｋｇとした。
溶解に際しては、まずＡｇを溶解し、Ａｇが溶け落ちた後、表１に示すターゲット組成となるように添加原料を投入し、合金溶湯を誘導加熱による攪拌効果により十分に攪拌した後、鋳鉄製の鋳型に鋳造した。
この鋳造により得られたインゴットの引け巣部分を切除し、鋳型に接していた表面を面削除去し、健全部として概略寸法６４０×６４０×１８０（ｍｍ）の直方体状のインゴットを得た。
純度９９．９９質量％以上のＡｇと添加原料として純度９９．９質量％以上のＩｎを用意し、黒鉛るつぼで築炉した高周波誘導溶解炉に装填した。溶解時の総質量は約１１００ｋｇとした。
溶解に際しては、まずＡｇを溶解し、Ａｇが溶け落ちた後、表１に示すターゲット組成となるように添加原料を投入し、合金溶湯を誘導加熱による攪拌効果により十分に攪拌した後、鋳鉄製の鋳型に鋳造した。
この鋳造により得られたインゴットの引け巣部分を切除し、鋳型に接していた表面を面削除去し、健全部として概略寸法６４０×６４０×１８０（ｍｍ）の直方体状のインゴットを得た。
このインゴットを７７０℃まで加熱して、一方向に圧延を繰り返して６４０ｍｍから１７００ｍｍまで伸ばし、これを９０度回転させた後、更にもう一方の６４０ｍｍの方向の圧延を繰り返し行い、概略１７００×２１００×２０（ｍｍ）の寸法の板材とした。
この熱間圧延は全部で１２回のパスを繰り返した。そのうち、最終パスから３回目までのパスの条件（１パス当りのひずみ速度、圧下率、パス後の板材温度）を表１の通りとした。熱間圧延全体の総圧延率は８９％であった。
熱間圧延終了後、圧延後の板材を表１に示す条件で冷却した。
冷却後、板材をローラレベラーに通して、急冷によって生じたひずみを矯正し、１６００×２０００×１５（ｍｍ）の寸法に機械加工してターゲットとした。
この熱間圧延は全部で１２回のパスを繰り返した。そのうち、最終パスから３回目までのパスの条件（１パス当りのひずみ速度、圧下率、パス後の板材温度）を表１の通りとした。熱間圧延全体の総圧延率は８９％であった。
熱間圧延終了後、圧延後の板材を表１に示す条件で冷却した。
冷却後、板材をローラレベラーに通して、急冷によって生じたひずみを矯正し、１６００×２０００×１５（ｍｍ）の寸法に機械加工してターゲットとした。
（実施例２〜１０、比較例１〜１０）
実施例１と同様にして、熱間圧延前のインゴットの加熱温度を５１０〜８８０℃、最終圧延後の板厚を９．０〜２４．２ｍｍ、総パス回数を１０〜１４回、総圧延率を８７〜９５％の範囲で変量し、表１に示すターゲット組成、最終パスから３回目までのパスの条件、および熱間圧延後の冷却速度の条件でターゲットを作製した。表１中、冷却速度を表記したものは水シャワーにより冷却したものであり、水冷無しは単に放冷したものである。但し、機械加工後のターゲットの厚さは６〜２１ｍｍの範囲とした。
実施例１と同様にして、熱間圧延前のインゴットの加熱温度を５１０〜８８０℃、最終圧延後の板厚を９．０〜２４．２ｍｍ、総パス回数を１０〜１４回、総圧延率を８７〜９５％の範囲で変量し、表１に示すターゲット組成、最終パスから３回目までのパスの条件、および熱間圧延後の冷却速度の条件でターゲットを作製した。表１中、冷却速度を表記したものは水シャワーにより冷却したものであり、水冷無しは単に放冷したものである。但し、機械加工後のターゲットの厚さは６〜２１ｍｍの範囲とした。
（実施例１１〜１３、比較例１１）
実施例１と同様にして溶解鋳造して、概略寸法６４０×６４０×６０（ｍｍ）のインゴットを作製し、このインゴットを７００℃に加熱した後、熱間圧延して、概略１２００×１３００×１６（ｍｍ）の寸法の板材とした。
この熱間圧延は全部で６回のパスを繰り返した。そのうち、最終パスから３回目までのパスの条件（１パス当りのひずみ速度、圧下率、パス後の板材温度）を表１の通りとした。熱間圧延全体の総圧延率は７３％であった。
熱間圧延終了後、圧延後の板材を表１に示す条件で冷却した。
冷却後、板材をローラレベラーに通して、急冷によって生じたひずみを矯正し、１０００×１２００×１２（ｍｍ）の寸法に機械加工してターゲットとした。
実施例１と同様にして溶解鋳造して、概略寸法６４０×６４０×６０（ｍｍ）のインゴットを作製し、このインゴットを７００℃に加熱した後、熱間圧延して、概略１２００×１３００×１６（ｍｍ）の寸法の板材とした。
この熱間圧延は全部で６回のパスを繰り返した。そのうち、最終パスから３回目までのパスの条件（１パス当りのひずみ速度、圧下率、パス後の板材温度）を表１の通りとした。熱間圧延全体の総圧延率は７３％であった。
熱間圧延終了後、圧延後の板材を表１に示す条件で冷却した。
冷却後、板材をローラレベラーに通して、急冷によって生じたひずみを矯正し、１０００×１２００×１２（ｍｍ）の寸法に機械加工してターゲットとした。
（実施例１４、比較例１２）
純度９９．９９質量％以上のＡｇと添加原料として純度９９．９質量％以上のＩｎ、Ｓｎを用意し、黒鉛るつぼで築炉した高周波誘導溶解炉にて、まずＡｇを溶解し、Ａｇが溶け落ちた後、表１に示すターゲット組成となるように添加原料を投入し、合金溶湯を誘導加熱による攪拌効果により十分に攪拌した後、鋳鉄製の鋳型に鋳造した。
純度９９．９９質量％以上のＡｇと添加原料として純度９９．９質量％以上のＩｎ、Ｓｎを用意し、黒鉛るつぼで築炉した高周波誘導溶解炉にて、まずＡｇを溶解し、Ａｇが溶け落ちた後、表１に示すターゲット組成となるように添加原料を投入し、合金溶湯を誘導加熱による攪拌効果により十分に攪拌した後、鋳鉄製の鋳型に鋳造した。
（実施例１５〜２２、比較例１３〜１５）
純度９９．９９質量％以上のＡｇと添加原料として純度９９．９質量％以上のＩｎ、Ｓｂ、Ｇａを用意し、黒鉛るつぼで築炉した高周波誘導溶解炉にて、まずＡｇを溶解し、Ａｇが溶け落ちた後、表１に示すターゲット組成となるように添加原料を投入し、合金溶湯を誘導加熱による攪拌効果により十分に攪拌した後、鋳鉄製の鋳型に鋳造した。
純度９９．９９質量％以上のＡｇと添加原料として純度９９．９質量％以上のＩｎ、Ｓｂ、Ｇａを用意し、黒鉛るつぼで築炉した高周波誘導溶解炉にて、まずＡｇを溶解し、Ａｇが溶け落ちた後、表１に示すターゲット組成となるように添加原料を投入し、合金溶湯を誘導加熱による攪拌効果により十分に攪拌した後、鋳鉄製の鋳型に鋳造した。
（実施例２３）
純度９９．９９質量％以上のＡｇと添加原料として純度９９．９質量％以上のＩｎ、Ｓｎ，Ｓｂ、Ｇａを用意し、黒鉛るつぼで築炉した高周波誘導溶解炉にて、まずＡｇを溶解し、Ａｇが溶け落ちた後、表１に示すターゲット組成となるように添加原料を投入し、合金溶湯を誘導加熱による攪拌効果により十分に攪拌した後、鋳鉄製の鋳型に鋳造した。
これら実施例１４〜２３、比較例１２〜１５は、鋳造後、この鋳造により得られたインゴットから上記実施例１１〜１３、比較例１１と同様にして概略寸法６４０×６４０×６０（ｍｍ）のインゴットを作製し、７００℃まで加熱した後、上記と同様に熱間圧延して、概略１２００×１３００×１６（ｍｍ）の寸法の板材とした。
この熱間圧延は全部で６回のパスを繰り返した。そのうち、最終パスから３回目までのパスの条件（１パス当りのひずみ速度、圧下率、パス後の板材温度）を表１に示す通りとした。熱間圧延全体の総圧延率は７３％であった。そして、表１に示す条件で冷却した後、板材をローラレベラーに通して、急冷によって生じたひずみを矯正し、１０００×１２００×１２（ｍｍ）の寸法に機械加工してターゲットとした。
純度９９．９９質量％以上のＡｇと添加原料として純度９９．９質量％以上のＩｎ、Ｓｎ，Ｓｂ、Ｇａを用意し、黒鉛るつぼで築炉した高周波誘導溶解炉にて、まずＡｇを溶解し、Ａｇが溶け落ちた後、表１に示すターゲット組成となるように添加原料を投入し、合金溶湯を誘導加熱による攪拌効果により十分に攪拌した後、鋳鉄製の鋳型に鋳造した。
これら実施例１４〜２３、比較例１２〜１５は、鋳造後、この鋳造により得られたインゴットから上記実施例１１〜１３、比較例１１と同様にして概略寸法６４０×６４０×６０（ｍｍ）のインゴットを作製し、７００℃まで加熱した後、上記と同様に熱間圧延して、概略１２００×１３００×１６（ｍｍ）の寸法の板材とした。
この熱間圧延は全部で６回のパスを繰り返した。そのうち、最終パスから３回目までのパスの条件（１パス当りのひずみ速度、圧下率、パス後の板材温度）を表１に示す通りとした。熱間圧延全体の総圧延率は７３％であった。そして、表１に示す条件で冷却した後、板材をローラレベラーに通して、急冷によって生じたひずみを矯正し、１０００×１２００×１２（ｍｍ）の寸法に機械加工してターゲットとした。
得られたターゲットについて、機械加工後の反り、平均粒径、そのばらつきを測定するとともに、スパッタ装置に取り付けてスパッタ時の異常放電回数を測定し、そのスパッタにより得られた導電性膜について、表面粗さ、反射率、耐塩化性、比抵抗を測定した。
（１）機械加工後の反り
機械加工後の銀合金スパッタリングターゲットについて、長さ１ｍ当りの反り量を測定し、表２に、この結果を示した。
（２）平均粒径、そのばらつき
銀合金結晶粒の粒径測定は、上記のように製造したターゲットから、発明を実施するための形態に記載したように、１６カ所の地点から均等に試料を採取して、各試料のスパッタ面から見た表面の平均粒径を測定し、各試料の平均粒径の平均値である銀合金結晶粒の平均粒径と銀合金結晶粒の平均粒径のばらつきを計算した。
（１）機械加工後の反り
機械加工後の銀合金スパッタリングターゲットについて、長さ１ｍ当りの反り量を測定し、表２に、この結果を示した。
（２）平均粒径、そのばらつき
銀合金結晶粒の粒径測定は、上記のように製造したターゲットから、発明を実施するための形態に記載したように、１６カ所の地点から均等に試料を採取して、各試料のスパッタ面から見た表面の平均粒径を測定し、各試料の平均粒径の平均値である銀合金結晶粒の平均粒径と銀合金結晶粒の平均粒径のばらつきを計算した。
（３）スパッタ時の異常放電回数
上記のように製造したターゲットの任意の部分から、直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：６ｍｍの円板を切り出し、銅製バッキングプレートにはんだ付けした。このはんだ付けしたターゲットを、スパッタ時のスプラッシュ評価用ターゲットとして用い、スパッタ中の異常放電回数の測定を行った。
この場合、はんだ付けしたターゲットを通常のマグネトロンスパッタ装置に取り付け、１×１０−４Ｐａまで排気した後、Ａｒガス圧：０．５Ｐａ、投入電力：ＤＣ１０００Ｗ、ターゲット基板間距離：６０ｍｍの条件で、スパッタを行った。使用初期の３０分間についての異常放電回数と、４時間の空スパッタと防着板の交換とを繰り返して、断続的に２０時間スパッタすることによりターゲットを消耗させ、その後の３０分間についての異常放電回数を測定した。これら異常放電回数は、ＭＫＳインスツルメンツ社製ＤＣ電源（型番：ＲＰＤＧ−５０Ａ）のアークカウント機能により計測した。
上記のように製造したターゲットの任意の部分から、直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：６ｍｍの円板を切り出し、銅製バッキングプレートにはんだ付けした。このはんだ付けしたターゲットを、スパッタ時のスプラッシュ評価用ターゲットとして用い、スパッタ中の異常放電回数の測定を行った。
この場合、はんだ付けしたターゲットを通常のマグネトロンスパッタ装置に取り付け、１×１０−４Ｐａまで排気した後、Ａｒガス圧：０．５Ｐａ、投入電力：ＤＣ１０００Ｗ、ターゲット基板間距離：６０ｍｍの条件で、スパッタを行った。使用初期の３０分間についての異常放電回数と、４時間の空スパッタと防着板の交換とを繰り返して、断続的に２０時間スパッタすることによりターゲットを消耗させ、その後の３０分間についての異常放電回数を測定した。これら異常放電回数は、ＭＫＳインスツルメンツ社製ＤＣ電源（型番：ＲＰＤＧ−５０Ａ）のアークカウント機能により計測した。
（４）導電膜としての基本特性評価
（４−１）膜の表面粗さ
前記評価用ターゲットを用いて、前記と同様の条件でスパッタを行 い、２０×２０（ｍｍ）のガラス基板上に１００ｎｍの膜厚で成膜し、銀合金膜を得た。 さらに、耐熱性の評価のため、この銀合金膜を、２５０℃、１０分間の熱処理を施し、この後、銀合金膜の平均面粗さ（Ｒａ）を原子間力顕微鏡によって測定した。
（４−２）反射率
３０×３０（ｍｍ）のガラス基板上に前記と同様にして成膜した銀合金膜の波長５５０ｎｍの絶対反射率を、分光光度計によって測定した。
さらに、耐食性の評価のため、前記と同様にして成膜した銀合金膜の波長５５０ｎｍにおける絶対反射率を、温度８０℃、湿度８５％の恒温高湿槽にて１００時間保持後、分光光度計によって測定した。
（４−３）耐塩化性
Ｇａ添加の効果を確認するため、Ｇａを添加したターゲット（実施例１９〜２３、比較例１０，１１）を使用して前記と同様にして成膜した銀合金膜の膜面に５重量％のＮａＣｌ水溶液を噴霧した。噴霧は膜面から高さ２０ｃｍ、基板端からの距離１０ｃｍの位置から、膜面と平行方向に行い、膜上に噴霧されたＮａＣｌ水溶液が極力自由落下して膜に付着するようにした。１分おきに噴霧を５回繰り返した後、純水ですすぎ洗浄を３回繰り返し、乾燥空気を噴射して水分を吹き飛ばし乾燥した。
上記の塩水噴霧後に銀合金膜面を目視で観察し、表面の状態を評価した。耐塩化性の評価基準としては、白濁又は斑点が確認できない又は一部のみに確認できるものを良「○」とすると共に、白濁又は斑点が全面に確認できるものを不良「×」として、２段階で表面の状態を評価した。Ｇａ添加していないターゲットについては評価していないので、「−」と表記した。
（４−４）膜の比抵抗
前記と同様にして成膜した銀合金膜の比抵抗を測定した。
これらの各評価結果を表２に示す。
（４−１）膜の表面粗さ
前記評価用ターゲットを用いて、前記と同様の条件でスパッタを行 い、２０×２０（ｍｍ）のガラス基板上に１００ｎｍの膜厚で成膜し、銀合金膜を得た。 さらに、耐熱性の評価のため、この銀合金膜を、２５０℃、１０分間の熱処理を施し、この後、銀合金膜の平均面粗さ（Ｒａ）を原子間力顕微鏡によって測定した。
（４−２）反射率
３０×３０（ｍｍ）のガラス基板上に前記と同様にして成膜した銀合金膜の波長５５０ｎｍの絶対反射率を、分光光度計によって測定した。
さらに、耐食性の評価のため、前記と同様にして成膜した銀合金膜の波長５５０ｎｍにおける絶対反射率を、温度８０℃、湿度８５％の恒温高湿槽にて１００時間保持後、分光光度計によって測定した。
（４−３）耐塩化性
Ｇａ添加の効果を確認するため、Ｇａを添加したターゲット（実施例１９〜２３、比較例１０，１１）を使用して前記と同様にして成膜した銀合金膜の膜面に５重量％のＮａＣｌ水溶液を噴霧した。噴霧は膜面から高さ２０ｃｍ、基板端からの距離１０ｃｍの位置から、膜面と平行方向に行い、膜上に噴霧されたＮａＣｌ水溶液が極力自由落下して膜に付着するようにした。１分おきに噴霧を５回繰り返した後、純水ですすぎ洗浄を３回繰り返し、乾燥空気を噴射して水分を吹き飛ばし乾燥した。
上記の塩水噴霧後に銀合金膜面を目視で観察し、表面の状態を評価した。耐塩化性の評価基準としては、白濁又は斑点が確認できない又は一部のみに確認できるものを良「○」とすると共に、白濁又は斑点が全面に確認できるものを不良「×」として、２段階で表面の状態を評価した。Ｇａ添加していないターゲットについては評価していないので、「−」と表記した。
（４−４）膜の比抵抗
前記と同様にして成膜した銀合金膜の比抵抗を測定した。
これらの各評価結果を表２に示す。
実施例のターゲット材においては、銀合金結晶粒の平均粒径は３０μｍ以上１５０μｍ未満の範囲内にあり、銀合金結晶粒の粒径のばらつきは銀合金結晶粒の平均粒径の２０％以内であった。機械加工後の反りも小さく、スパッタ時の異常放電回数も使用初期だけでなく消耗後においても少ないものであった。特に、平均結晶粒径が１２０μｍ以下でばらつきが２０％以内の場合は、異常放電回数も実施例６の消耗後で２回となっている他は、すべて１回以下と少なくなっている。また、Ｓｂ、Ｇａを添加したものは、平均結晶粒径が小さくなる傾向にあり、異常放電回数も１回以下と少ないものであった。ただし、その添加量が多過ぎる（合計で２．５質量％を超える）ものは、機械加工時に割れが発生した。
また、実施例のターゲット材により得た導電性膜は、反射率、比抵抗に優れており、表面粗さもＲａが２μｍ以下と小さいものであった。
また、Ｇａを添加したターゲットから得られた導電性膜は耐塩化性にも優れており、タッチパネル等の導電性膜に有効であることがわかる。
また、実施例のターゲット材により得た導電性膜は、反射率、比抵抗に優れており、表面粗さもＲａが２μｍ以下と小さいものであった。
また、Ｇａを添加したターゲットから得られた導電性膜は耐塩化性にも優れており、タッチパネル等の導電性膜に有効であることがわかる。
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
Claims (9)
- Ａｇに固溶する元素であるＩｎを０．１〜１．５質量％含み、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金スパッタリングターゲットであって、該合金の結晶粒の平均粒径が３０μｍ以上１５０μｍ未満であり、前記結晶粒の粒径のばらつきが平均粒径の２０％以下であることを特徴とする導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲット。
- Ａｇに固溶する元素であるＩｎおよびＳｎを合計で０．１〜１．５質量％含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金スパッタリングターゲットであって、該合金の結晶粒の平均粒径が３０μｍ以上１５０μｍ未満であり、前記結晶粒の粒径のばらつきが平均粒径の２０％以下であることを特徴とする導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲット。
- Ａｇに固溶する元素であるＩｎを０．１〜１．５質量％含み、さらに、Ａｇに固溶する元素であるＳｂ、Ｇａのうち１種以上を合計で０．１〜２．５質量％含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金スパッタリングターゲットであって、該合金の結晶粒の平均粒径が３０μｍ以上１５０μｍ未満であり、前記結晶粒の粒径のばらつきが平均粒径の２０％以下であることを特徴とする導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲット。
- Ａｇに固溶する元素であるＩｎおよびＳｎを合計で０．１〜１．５質量％含有し、さらに、Ａｇに固溶する元素であるＳｂ、Ｇａのうち１種以上を合計で０．１〜２．５質量％含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金スパッタリングターゲットであって、該合金の結晶粒の平均粒径が３０μｍ以上１５０μｍ未満であり、前記結晶粒の粒径のばらつきが平均粒径の２０％以下であることを特徴とする導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲット。
- 前記結晶粒の平均粒径は１２０μｍ未満であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲット。
- Ｉｎを０．１〜１．５質量％含み、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した溶解鋳造インゴットに、熱間圧延工程、冷却工程、機械加工工程をこの順に施すことにより、銀合金スパッタリングターゲットを製造する方法であって、前記熱間圧延工程は、１パス当りの圧下率が２０〜５０％でひずみ速度が３〜１５／ｓｅｃの仕上げ熱間圧延をパス後の温度が４００〜６５０℃で１パス以上含んでおり、前記冷却工程は、２００〜１０００℃／ｍｉｎの冷却速度にて急冷することを特徴とする導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットの製造方法。
- ＩｎおよびＳｎを合計で０．１〜１．５質量％含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した溶解鋳造インゴットに、熱間圧延工程、冷却工程、機械加工工程をこの順に施すことにより、銀合金スパッタリングターゲットを製造する方法であって、前記熱間圧延工程は、１パス当りの圧下率が２０〜５０％でひずみ速度が３〜１５／ｓｅｃの仕上げ熱間圧延をパス後の温度が４００〜６５０℃で１パス以上含んでおり、前記冷却工程は、２００〜１０００℃／ｍｉｎの冷却速度にて急冷することを特徴とする導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットの製造方法。
- Ｉｎを０．１〜１．５質量％含み、さらに、Ｓｂ、Ｇａのうち１種以上を合計で０．１〜２．５質量％含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した溶解鋳造インゴットに、熱間圧延工程、冷却工程、機械加工工程をこの順に施すことにより、銀合金スパッタリングターゲットを製造する方法であって、前記熱間圧延工程は、１パス当りの圧下率が２０〜５０％でひずみ速度が３〜１５／ｓｅｃの仕上げ熱間圧延をパス後の温度が４００〜６５０℃で１パス以上含んでおり、前記冷却工程は、２００〜１０００℃／ｍｉｎの冷却速度にて急冷することを特徴とする導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットの製造方法。
- ＩｎおよびＳｎを合計で０．１〜１．５質量％含有し、さらに、Ｓｂ、Ｇａのうち１種以上を合計で０．１〜２．５質量％含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した溶解鋳造インゴットに、熱間圧延工程、冷却工程、機械加工工程をこの順に施すことにより、銀合金スパッタリングターゲットを製造する方法であって、前記熱間圧延工程は、１パス当りの圧下率が２０〜５０％でひずみ速度が３〜１５／ｓｅｃの仕上げ熱間圧延をパス後の温度が４００〜６５０℃で１パス以上含んでおり、前記冷却工程は、２００〜１０００℃／ｍｉｎの冷却速度にて急冷することを特徴とする導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットの製造方法。
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