JPH0925564A - アルミニウムまたはアルミニウム合金スパッタリングターゲット - Google Patents
アルミニウムまたはアルミニウム合金スパッタリングターゲットInfo
- Publication number
- JPH0925564A JPH0925564A JP7192619A JP19261995A JPH0925564A JP H0925564 A JPH0925564 A JP H0925564A JP 7192619 A JP7192619 A JP 7192619A JP 19261995 A JP19261995 A JP 19261995A JP H0925564 A JPH0925564 A JP H0925564A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- particles
- aluminum
- sputtering
- inclusions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
ウムまたはアルミニウム合金スパッタリングターゲット
の開発。 【構成】 高純度アルミニウム(合金)スパッタリング
ターゲットにおいて、スパッタリングの際のパーティク
ルは、ターゲット中の介在物、特に酸化物が破裂するこ
とにより、さらに破裂により開いた穴の近傍に粒子の再
付着が生じ、この再付着物が剥離してパーティクルの原
因となる。そこで、ターゲットのスパッタ面に現れる平
均直径10μm以上の介在物の存在量を40個/cm2
未満、さらにターゲット中の酸素含有量を15ppm未
満とする。
Description
たは高純度アルミニウム合金スパッタリングターゲット
に関するものであり、特にはスパッタリングにより薄膜
を形成する際にパーティクルの発生の少ない高純度アル
ミニウムまたは高純度アルミニウム合金スパッタリング
ターゲットに関するものである。
リングにより各種半導体デバイスの電極、ゲート、配
線、素子、絶縁膜、保護膜等を基板上に形成するための
スパッタリング源となる、通常は円盤状の板である。加
速された粒子がターゲット表面に衝突するとき運動量の
交換によりターゲットを構成する原子が空間に放出され
て対向する基板上に堆積する。スパッタリングターゲッ
トとしては、アルミニウム及びアルミニウム合金ターゲ
ット、高融点金属及び合金(W、Mo、Ti、Ta、Z
r、Nb等及びW−Tiのようなその合金)ターゲッ
ト、金属シリサイド(MoSiX 、WSix 、NiSi
x 等)ターゲット、白金族金属ターゲット等が代表的に
使用されてきた。
一つが、アルミニウム配線形成用のアルミニウム及びア
ルミニウム合金ターゲットである。アルミニウム薄膜は
またコンパクトディスクや光磁気ディスクの反射面にも
使用されている。
い、回路の配線幅は1μm以下と微細化されつつある。
このような中でスパッタリングによる薄膜形成の際のパ
ーティクルが、回路の断線あるいは短絡の原因として大
きな問題になっている。「パーティクル」とは、スパッ
タリングに際してターゲットから飛散する粒子がクラス
ター化して基板上の薄膜に直接付着したり、或いは周囲
壁や部品に付着・堆積後剥離して薄膜上に付着するもの
である。アルミニウム(合金)ターゲットにおいても、
アルミニウム配線の微細化やコンパクトディスクや光磁
気ディスクの反射面の高品質化に伴い、パーティクルを
減少させる、特に0.5μm以上の寸法のパーティクル
の数を50個/cm2 以下とすることが所望される。
リングにより薄膜を形成する際にパーティクルの発生の
少ない高純度アルミニウムまたは高純度アルミニウム合
金スパッタリングターゲットを提供することを課題とし
た。
うな問題点を解決するために鋭意努力した結果、スパッ
タリングの際のパーティクルは、ターゲット中の介在物
が破裂することにより発生すること、また破裂により開
いた穴の近傍に粒子の再付着が生じ、この再付着物が剥
離してこれもまたパーティクルの原因となるとの知見を
得た。従って、これらのパーティクルを減少させるため
には、ターゲット中の介在物を極力減らすことにより対
応が可能である。特に平均直径10μm以上の介在物頻
度を1cm2 当たり40個未満とすることによりパーテ
ィクルの発生を十分少なくすることができることが判明
した。また、パーティクルの原因となる介在物が主とし
て酸化物からなるものであることも判明し、ターゲット
中の酸素が全て、直径10μmの酸化アルミニウム粒子
になると仮定して、ターゲット中の酸素含有量を15p
pm未満とすべきことも見いだされた。
アルミニウムまたは高純度アルミニウム合金スパッタリ
ングターゲットにおいて、該ターゲットのスパッタ面に
現れる平均直径10μm以上の介在物の存在量が40個
/cm2 未満であり、さらに該ターゲット中の酸素含有
量が15ppm未満であることを特徴とするアルミニウ
ムまたはアルミニウム合金スパッタリングターゲットを
提供するものである。
ット中の介在物が破裂することにより発生する。さらに
破裂により開いた穴の近傍に粒子の再付着が生じ、この
再付着物が剥離してこれもまたパーティクルの原因とな
る。平均直径10μm以上の介在物頻度を1cm2 当た
り40個未満とすることによりパーティクルの発生を十
分少なくすることができる。また、パーティクルの原因
となる介在物が主として酸化物からなるものであるか
ら、ターゲット中の酸素含有量を15ppm未満とす
る。
ットの素材として用いる高純度アルミニウムとは4N以
上のアルミニウムを意味し、アルミニウム合金とはスパ
ッタリングターゲットとして通常添加されるSi、C
u、Ti、Ge、Cr、Mo等の元素を高純度アルミニ
ウムに一種または二種以上を10重量%以下含有するも
のである。また、本発明のスパッタリングターゲットの
製造に用いる原料としては、市販の高純度アルミニウム
材料および上記の合金添加成分材料を使用することがで
きるが、電子デバイス等に悪影響を及ぼす放射性元素、
アルカリ金属等の不純物含有量を極力低減したものが好
ましい。
し、鋳造後の素材を、結晶組織、粒径等を適切なものと
するため熱処理および加工処理を施し、その後、円盤状
等の最終ターゲット寸法に仕上げることにより作製され
る。圧延や鍛造等の塑性加工と熱処理を適切に組み合わ
せることによりターゲットの結晶方位等の品質の調整を
行なうことができる。
程で発生し、酸化物、窒化物、炭化物、水素化物、硫化
物、珪化物などであるが、主として酸化物からなるもの
であることから、ターゲットを製造する際に使用するル
ツボ、湯口、モールドなどは還元性のある材料、例えば
グラファイト製のものを使用するのがよい。また、溶融
したアルミニウムまたはアルミニウム合金の鋳造を行う
前に、溶融した金属の表面に浮かんでくる酸化物等のス
ラグを十分に除去する必要がある。溶解、鋳造は非酸化
性雰囲気中、好ましくは真空中で行う。
ーゲット中の介在物が破裂することにより発生する。さ
らに破裂により開いた穴の近傍に粒子の再付着が生じ、
この再付着物が剥離してこれもまたパーティクルの原因
となる。パーティクルの主な発生原因となる介在物はそ
の平均直径が10μmよりも大きいものであり、特に平
均直径10μm以上の介在物頻度が、ターゲットのスパ
ッタ面において40個/cm2 以上になると、特にパー
ティクルの発生が多くなる。従って、製造したアルミニ
ウムまたはアルミニウム合金スパッタリングターゲット
のスパッタ面に現れる平均直径10μm以上の介在物の
個数は40個/cm2 未満になるようにする。
在物個数は、ターゲットのスパッタ面の顕微鏡観察など
により測定されるが、合金ターゲット等の場合には必ず
しも介在物が明瞭に把握できない場合がある。このよう
な場合にはターゲット中の酸素が全て酸化物になると仮
定し、酸素含有量の測定値から換算して介在物の個数を
推定することができる。ターゲット中の酸素が全て、直
径10μmの酸化アルミニウム粒子になると仮定した場
合に、介在物の個数が40個/cm2 未満であるために
は、酸素含有量は15ppm未満となる。従って、ター
ゲット中の酸素含有量は15ppm未満にする必要があ
る。介在物が主に酸化物からなることから、酸素含有量
が増えると、それに応じてターゲット中の主として酸化
物からなる介在物が増加し、スパッタリングの際のパー
ティクルの発生量が増える。
の寸法のパーティクルの数を50個/cm2 以下とする
ことができ、今後のアルミニウム(合金)ターゲットへ
の要求に対応することができる。
個/cm2 であり、ターゲット中の酸素含有量が8pp
mである高純度アルミニウムターゲットを用いてスパッ
タ成膜試験を行った。基板上のパーティクルを光学顕微
鏡で観察し個数を数えた。その結果、0.5μm以上の
パーティクル数は32個/cm2 であった。
物個数が82個/cm2 であり、ターゲット中の酸素含
有量が30ppmである高純度アルミニウムターゲット
を用いてスパッタ成膜試験を行った。基板上のパーティ
クルを光学顕微鏡で観察し個数を数えた。その結果、
0.5μm以上のパーティクル数は160個/cm2 で
あった。
物個数が11個/cm2 であり、ターゲット中の酸素含
有量が4ppmであるアルミニウム−Cu0.5wt%
合金ターゲットを用いてスパッタ成膜試験を行った。基
板上のパーティクルを光学顕微鏡で観察し個数を数え
た。その結果、0.5μm以上のパーティクル数は18
個/cm2 であった。
物個数が63個/cm2 であり、ターゲット中の酸素含
有量が23ppmであるアルミニウム−Cu0.5wt
%合金ターゲットを用いてスパッタ成膜試験を行った。
基板上のパーティクルを光学顕微鏡で観察し個数を数え
た。その結果、0.5μm以上のパーティクル数は98
個/cm2であった。
度アルミニウム合金ターゲットを用いることにより、ス
パッタリングの際のパーティクル発生を低減することが
できる。特に、0.5μm以上の寸法のパーティクルの
数を50個/cm2 以下とすることができる。
Claims (1)
- 【請求項1】 高純度アルミニウムまたは高純度アルミ
ニウム合金スパッタリングターゲットにおいて、該ター
ゲットのスパッタ面に現れる平均直径10μm以上の介
在物の存在量が40個/cm2 未満であり、さらに該タ
ーゲット中の酸素含有量が15ppm未満であることを
特徴とするアルミニウムまたはアルミニウム合金スパッ
タリングターゲット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19261995A JP3560393B2 (ja) | 1995-07-06 | 1995-07-06 | アルミニウム合金スパッタリングターゲットの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19261995A JP3560393B2 (ja) | 1995-07-06 | 1995-07-06 | アルミニウム合金スパッタリングターゲットの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0925564A true JPH0925564A (ja) | 1997-01-28 |
JP3560393B2 JP3560393B2 (ja) | 2004-09-02 |
Family
ID=16294279
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19261995A Expired - Lifetime JP3560393B2 (ja) | 1995-07-06 | 1995-07-06 | アルミニウム合金スパッタリングターゲットの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3560393B2 (ja) |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001316806A (ja) * | 2000-05-08 | 2001-11-16 | Hitachi Metals Ltd | 高純度Alターゲットおよび配線膜 |
JP2003531289A (ja) * | 2000-04-14 | 2003-10-21 | トーソー エスエムディー,インク. | スパッターリング時の粒子状放出物を少なくするためのスパッターターゲットとそれを製造する方法 |
WO2010038642A1 (ja) | 2008-09-30 | 2010-04-08 | 日鉱金属株式会社 | 高純度銅又は高純度銅合金スパッタリングターゲット、同スパッタリングターゲットの製造方法及び高純度銅又は高純度銅合金スパッタ膜 |
WO2010038641A1 (ja) | 2008-09-30 | 2010-04-08 | 日鉱金属株式会社 | 高純度銅及び電解による高純度銅の製造方法 |
US7712514B2 (en) | 2000-04-14 | 2010-05-11 | Tosoh Smd, Inc. | Sputter targets and methods of manufacturing same to reduce particulate emission during sputtering |
JP4884561B1 (ja) * | 2011-04-19 | 2012-02-29 | Jx日鉱日石金属株式会社 | インジウムターゲット及びその製造方法 |
JP5281186B1 (ja) * | 2012-10-25 | 2013-09-04 | Jx日鉱日石金属株式会社 | インジウムターゲット及びその製造方法 |
JP5392695B2 (ja) * | 2005-11-24 | 2014-01-22 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | アルミニウム金属の製造方法および製造装置 |
US8784700B2 (en) | 2006-12-13 | 2014-07-22 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Sputtering target and oxide semiconductor film |
US9023487B2 (en) | 2011-09-21 | 2015-05-05 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Laminated structure and method for producing the same |
US9139900B2 (en) | 2011-03-01 | 2015-09-22 | JX Nippon Mining Metals Corporation | Indium target and manufacturing method thereof |
US9490108B2 (en) | 2010-09-01 | 2016-11-08 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Indium target and method for manufacturing same |
US9761421B2 (en) | 2012-08-22 | 2017-09-12 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Indium cylindrical sputtering target and manufacturing method thereof |
US9758860B2 (en) | 2012-01-05 | 2017-09-12 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Indium sputtering target and method for manufacturing same |
US9922807B2 (en) | 2013-07-08 | 2018-03-20 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target and method for production thereof |
CN109312449A (zh) * | 2016-06-07 | 2019-02-05 | Jx金属株式会社 | 溅射靶及其制造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107529708B (zh) | 2011-06-16 | 2019-05-07 | Ge视频压缩有限责任公司 | 解码器、编码器、解码和编码视频的方法及存储介质 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0215167A (ja) * | 1988-07-01 | 1990-01-18 | Sumitomo Chem Co Ltd | マグネトロンスパッタリング用ターゲット |
JPH032369A (ja) * | 1989-05-26 | 1991-01-08 | Sumitomo Chem Co Ltd | スパッタリング用アルミニウムターゲット |
JPH03240944A (ja) * | 1990-02-17 | 1991-10-28 | Masahiko Naoe | アルミニウム薄膜形成用対向ターゲット式スパッタ法及び装置 |
JPH0426757A (ja) * | 1990-05-22 | 1992-01-29 | Kobe Steel Ltd | Al合金薄膜及び溶製Al合金スパッタリングターゲット |
JPH0681141A (ja) * | 1992-08-31 | 1994-03-22 | Mitsubishi Kasei Corp | スパッタリングターゲット |
JPH06128736A (ja) * | 1992-10-20 | 1994-05-10 | Mitsubishi Kasei Corp | スパッタリングターゲット |
JPH06280005A (ja) * | 1993-03-23 | 1994-10-04 | Mitsubishi Kasei Corp | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JPH0745555A (ja) * | 1993-07-27 | 1995-02-14 | Kobe Steel Ltd | 半導体用電極及びその製造方法並びに半導体用電極膜形成用スパッタリングターゲット |
JPH07286268A (ja) * | 1994-04-20 | 1995-10-31 | Riyouka Massey Kk | アルミニウムスパッタリングターゲット及び表示デバイスの製造方法 |
JPH0813141A (ja) * | 1994-06-28 | 1996-01-16 | Riyouka Massey Kk | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-07-06 JP JP19261995A patent/JP3560393B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0215167A (ja) * | 1988-07-01 | 1990-01-18 | Sumitomo Chem Co Ltd | マグネトロンスパッタリング用ターゲット |
JPH032369A (ja) * | 1989-05-26 | 1991-01-08 | Sumitomo Chem Co Ltd | スパッタリング用アルミニウムターゲット |
JPH03240944A (ja) * | 1990-02-17 | 1991-10-28 | Masahiko Naoe | アルミニウム薄膜形成用対向ターゲット式スパッタ法及び装置 |
JPH0426757A (ja) * | 1990-05-22 | 1992-01-29 | Kobe Steel Ltd | Al合金薄膜及び溶製Al合金スパッタリングターゲット |
JPH0681141A (ja) * | 1992-08-31 | 1994-03-22 | Mitsubishi Kasei Corp | スパッタリングターゲット |
JPH06128736A (ja) * | 1992-10-20 | 1994-05-10 | Mitsubishi Kasei Corp | スパッタリングターゲット |
JPH06280005A (ja) * | 1993-03-23 | 1994-10-04 | Mitsubishi Kasei Corp | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JPH0745555A (ja) * | 1993-07-27 | 1995-02-14 | Kobe Steel Ltd | 半導体用電極及びその製造方法並びに半導体用電極膜形成用スパッタリングターゲット |
JPH07286268A (ja) * | 1994-04-20 | 1995-10-31 | Riyouka Massey Kk | アルミニウムスパッタリングターゲット及び表示デバイスの製造方法 |
JPH0813141A (ja) * | 1994-06-28 | 1996-01-16 | Riyouka Massey Kk | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Cited By (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7712514B2 (en) | 2000-04-14 | 2010-05-11 | Tosoh Smd, Inc. | Sputter targets and methods of manufacturing same to reduce particulate emission during sputtering |
JP2003531289A (ja) * | 2000-04-14 | 2003-10-21 | トーソー エスエムディー,インク. | スパッターリング時の粒子状放出物を少なくするためのスパッターターゲットとそれを製造する方法 |
JP2001316806A (ja) * | 2000-05-08 | 2001-11-16 | Hitachi Metals Ltd | 高純度Alターゲットおよび配線膜 |
JP5392695B2 (ja) * | 2005-11-24 | 2014-01-22 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | アルミニウム金属の製造方法および製造装置 |
US8784700B2 (en) | 2006-12-13 | 2014-07-22 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Sputtering target and oxide semiconductor film |
TWI465595B (zh) * | 2006-12-13 | 2014-12-21 | Idemitsu Kosan Co | Sputtering target and oxide semiconductor film |
WO2010038641A1 (ja) | 2008-09-30 | 2010-04-08 | 日鉱金属株式会社 | 高純度銅及び電解による高純度銅の製造方法 |
EP3128039A1 (en) | 2008-09-30 | 2017-02-08 | JX Nippon Mining & Metals Corp. | High-purity copper sputtering target or high-purity copper alloy sputtering target |
WO2010038642A1 (ja) | 2008-09-30 | 2010-04-08 | 日鉱金属株式会社 | 高純度銅又は高純度銅合金スパッタリングターゲット、同スパッタリングターゲットの製造方法及び高純度銅又は高純度銅合金スパッタ膜 |
US9476134B2 (en) | 2008-09-30 | 2016-10-25 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | High purity copper and method of producing high purity copper based on electrolysis |
US9441289B2 (en) | 2008-09-30 | 2016-09-13 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | High-purity copper or high-purity copper alloy sputtering target, process for manufacturing the sputtering target, and high-purity copper or high-purity copper alloy sputtered film |
US9490108B2 (en) | 2010-09-01 | 2016-11-08 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Indium target and method for manufacturing same |
US9139900B2 (en) | 2011-03-01 | 2015-09-22 | JX Nippon Mining Metals Corporation | Indium target and manufacturing method thereof |
WO2012144089A1 (ja) * | 2011-04-19 | 2012-10-26 | Jx日鉱日石金属株式会社 | インジウムターゲット及びその製造方法 |
CN102933740B (zh) * | 2011-04-19 | 2016-05-11 | Jx日矿日石金属株式会社 | 铟靶及其制造方法 |
CN102933740A (zh) * | 2011-04-19 | 2013-02-13 | Jx日矿日石金属株式会社 | 铟靶及其制造方法 |
JP4884561B1 (ja) * | 2011-04-19 | 2012-02-29 | Jx日鉱日石金属株式会社 | インジウムターゲット及びその製造方法 |
US9023487B2 (en) | 2011-09-21 | 2015-05-05 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Laminated structure and method for producing the same |
US9758860B2 (en) | 2012-01-05 | 2017-09-12 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Indium sputtering target and method for manufacturing same |
US9761421B2 (en) | 2012-08-22 | 2017-09-12 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Indium cylindrical sputtering target and manufacturing method thereof |
JP5281186B1 (ja) * | 2012-10-25 | 2013-09-04 | Jx日鉱日石金属株式会社 | インジウムターゲット及びその製造方法 |
US9922807B2 (en) | 2013-07-08 | 2018-03-20 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target and method for production thereof |
CN109312449A (zh) * | 2016-06-07 | 2019-02-05 | Jx金属株式会社 | 溅射靶及其制造方法 |
US11236416B2 (en) | 2016-06-07 | 2022-02-01 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target and production method therefor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3560393B2 (ja) | 2004-09-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0925564A (ja) | アルミニウムまたはアルミニウム合金スパッタリングターゲット | |
JP5044509B2 (ja) | Al配線膜の製造方法 | |
JP3403918B2 (ja) | 高純度銅スパッタリングタ−ゲットおよび薄膜 | |
JP4237742B2 (ja) | スパッタリングターゲットの製造方法 | |
JPH06299342A (ja) | 高純度アルミニウムまたはその合金からなるスパッタリングターゲット | |
JPH1180942A (ja) | Taスパッタターゲットとその製造方法及び組立体 | |
JP4305809B2 (ja) | Ag合金系スパッタリングターゲット材 | |
JP3755552B2 (ja) | アルミニウムまたはアルミニウム合金スパッタリングターゲット | |
US8097100B2 (en) | Ternary aluminum alloy films and targets for manufacturing flat panel displays | |
JP6043413B1 (ja) | アルミニウムスパッタリングターゲット | |
JP4237743B2 (ja) | スパッタリングターゲット用インゴットの製造方法 | |
JP2002129313A (ja) | パーティクル発生の少ない高純度銅スパッタリングターゲット | |
JP4472930B2 (ja) | ニッケル−チタン合金スパッタターゲットとその製造法 | |
JP3532063B2 (ja) | スパッタリング用ターゲットおよび皮膜形成方法 | |
JP3177208B2 (ja) | 高純度チタニウムスパッタリングターゲット | |
JP2000239835A (ja) | スパッタリングターゲット | |
JP4213699B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
JP2901854B2 (ja) | 高純度チタニウムスパッタリングターゲット | |
JP2000100755A (ja) | 半導体装置のバリア膜形成用Ti−Al合金スパッタリングターゲット | |
JP2000064033A (ja) | スパッタリングターゲット | |
JP2003293054A (ja) | 電子部品用Ag合金膜およびAg合金膜形成用スパッタリングターゲット材 | |
JP2000063971A (ja) | スパッタリングターゲット | |
KR20090112478A (ko) | 전자파 차폐용 Ag계 재료 및 박막 | |
JPH07118841A (ja) | 冷却効果を上げたスパッタリングターゲット |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20001024 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040402 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040525 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080604 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080604 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090604 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090604 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100604 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100604 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110604 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110604 Year of fee payment: 7 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110604 Year of fee payment: 7 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110604 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120604 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120604 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130604 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130604 Year of fee payment: 9 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |