JP3532063B2 - スパッタリング用ターゲットおよび皮膜形成方法 - Google Patents
スパッタリング用ターゲットおよび皮膜形成方法Info
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、マグネトロンス
パッタリングにおいても効率的なスパッタリングが可能
であり、かつ成膜中にパ−テイクルの発生が少ないニッ
ケル合金またはコバルト合金スパッタリング用タ−ゲッ
トに関する。
パッタリングにおいても効率的なスパッタリングが可能
であり、かつ成膜中にパ−テイクルの発生が少ないニッ
ケル合金またはコバルト合金スパッタリング用タ−ゲッ
トに関する。
【０００２】近年、半導体薄膜等の形成方法としてスパ
ッタリングタ−ゲットを使用するスパッタリング方法が
広く用いられている。このスパッタリング法は、荷電粒
子でもってスパッタリングタ−ゲットを衝撃し、その衝
撃力によりスパッタリングタ−ゲットからタ−ゲットを
構成する物質の粒子をたたき出し、これをタ−ゲットに
対向させて設置した例えばウエハ等のごとき基盤（板）
に付着させて薄膜を形成する成膜法である。
ッタリングタ−ゲットを使用するスパッタリング方法が
広く用いられている。このスパッタリング法は、荷電粒
子でもってスパッタリングタ−ゲットを衝撃し、その衝
撃力によりスパッタリングタ−ゲットからタ−ゲットを
構成する物質の粒子をたたき出し、これをタ−ゲットに
対向させて設置した例えばウエハ等のごとき基盤（板）
に付着させて薄膜を形成する成膜法である。
【０００３】特に、最近ＬＳＩ用ゲート電極材料の製法
として、上記のスパッタリング法を使用し、ニッケルま
たはコバルト膜を形成した後シリコンと反応させ、ニッ
ケルシリサイドまたはコバルトシリサイド膜とするいわ
ゆるサリサイド法が用いられるようになってきた。
として、上記のスパッタリング法を使用し、ニッケルま
たはコバルト膜を形成した後シリコンと反応させ、ニッ
ケルシリサイドまたはコバルトシリサイド膜とするいわ
ゆるサリサイド法が用いられるようになってきた。
【０００４】この場合、ニッケルまたはコバルトタ−ゲ
ットを使用し、高速成膜が可能なマグネトロンスパッタ
リングを用いてニッケルまたはコバルトの膜を予め基板
に形成する方法が採られている。このマグネトロンスパ
ッタリングは、タ−ゲット表面に漏洩した磁界によって
電子を捕獲し、効率的にスパッタリング室に封入された
アルゴン原子をイオン化して放電を持続するのである
が、スパッタリングタ−ゲットがニッケルまたはコバル
トという強磁性体であるためにいくつかの問題が生じ
た。
ットを使用し、高速成膜が可能なマグネトロンスパッタ
リングを用いてニッケルまたはコバルトの膜を予め基板
に形成する方法が採られている。このマグネトロンスパ
ッタリングは、タ−ゲット表面に漏洩した磁界によって
電子を捕獲し、効率的にスパッタリング室に封入された
アルゴン原子をイオン化して放電を持続するのである
が、スパッタリングタ−ゲットがニッケルまたはコバル
トという強磁性体であるためにいくつかの問題が生じ
た。
【０００５】それはまず、表面漏洩磁界形成用の永久磁
石や電磁石により発生した磁力線の殆どがタ−ゲット内
部を通ってしまい、スパッタリングを維持するための十
分な表面漏洩磁界が形成されにくくなることである。し
たがって、このようにタ−ゲットが強磁性体やフエリ磁
性体の場合には、常磁性体のターゲットと比較してタ−
ゲットの厚さを薄くするか、または磁性体専用の発生磁
界の強力なマグネトロンカソードを用いてスパッタリン
グを行なわなければならないという不都合を生じた。
石や電磁石により発生した磁力線の殆どがタ−ゲット内
部を通ってしまい、スパッタリングを維持するための十
分な表面漏洩磁界が形成されにくくなることである。し
たがって、このようにタ−ゲットが強磁性体やフエリ磁
性体の場合には、常磁性体のターゲットと比較してタ−
ゲットの厚さを薄くするか、または磁性体専用の発生磁
界の強力なマグネトロンカソードを用いてスパッタリン
グを行なわなければならないという不都合を生じた。
【０００６】また、スパッタリングが進行しエロージョ
ン部が形成されると、エロージョン部に強力な磁界が発
生し、その結果エロージョン部の断面形状が急峻となる
という欠点を生じた。すなわち、タ−ゲットの特定の部
位だけが極端に減ってしまい、タ−ゲットの使用効率が
常磁性体のターゲットと比較して著しく劣ってしまうこ
とである。そして、このような問題を少しでも低減しよ
うとして、低透磁率化したニッケルまたはコバルトター
ゲットが使用されているが、その改善効果は十分とは言
い難い。
ン部が形成されると、エロージョン部に強力な磁界が発
生し、その結果エロージョン部の断面形状が急峻となる
という欠点を生じた。すなわち、タ−ゲットの特定の部
位だけが極端に減ってしまい、タ−ゲットの使用効率が
常磁性体のターゲットと比較して著しく劣ってしまうこ
とである。そして、このような問題を少しでも低減しよ
うとして、低透磁率化したニッケルまたはコバルトター
ゲットが使用されているが、その改善効果は十分とは言
い難い。
【０００７】また、上記のようなスパッタリングよる成
膜に際し、スパッタリングのタ−ゲットエロ−ジョン部
にノジュ−ルと呼ばれる数μｍから数ｍｍの大きさの突
起物を生じることがある。そしてこれがスパッタリング
中に荷電粒子の衝撃により、はじけて基盤上にパ−テイ
クルを発生するという問題を生じた。このパ−テイクル
の発生はタ−ゲットのエロ−ジョン面上のノジュ−ル数
が多いほど増加し、問題となるパ−テイクルを減らす上
でノジュ−ルの生成を防止することが大きな課題となっ
ている。
膜に際し、スパッタリングのタ−ゲットエロ−ジョン部
にノジュ−ルと呼ばれる数μｍから数ｍｍの大きさの突
起物を生じることがある。そしてこれがスパッタリング
中に荷電粒子の衝撃により、はじけて基盤上にパ−テイ
クルを発生するという問題を生じた。このパ−テイクル
の発生はタ−ゲットのエロ−ジョン面上のノジュ−ル数
が多いほど増加し、問題となるパ−テイクルを減らす上
でノジュ−ルの生成を防止することが大きな課題となっ
ている。
【０００８】そして、ＬＳＩ半導体デバイスが高集積度
化し（４Ｍビット、１６Ｍビット、６４Ｍビット等）、
配線幅が１μｍ以下と微細化されつつある最近の状況下
では、特に上記ノジュ−ルからのパ−テイクル発生が重
大な問題としてとらえられるようになった。すなわち、
パ−テイクルは、基盤上に形成される薄膜に直接付着し
たり、あるいは一旦スパッタリング装置の周囲壁ないし
は部品に付着、堆積した後で剥離し、これが再び薄膜上
に付着して配線の断線や短絡等といった重大な問題を引
き起こす原因となった。このように電子デバイス回路の
高集積度化や微細化が進むにつれてパ−テイクル問題は
極めて重要な課題となってきたのである。
化し（４Ｍビット、１６Ｍビット、６４Ｍビット等）、
配線幅が１μｍ以下と微細化されつつある最近の状況下
では、特に上記ノジュ−ルからのパ−テイクル発生が重
大な問題としてとらえられるようになった。すなわち、
パ−テイクルは、基盤上に形成される薄膜に直接付着し
たり、あるいは一旦スパッタリング装置の周囲壁ないし
は部品に付着、堆積した後で剥離し、これが再び薄膜上
に付着して配線の断線や短絡等といった重大な問題を引
き起こす原因となった。このように電子デバイス回路の
高集積度化や微細化が進むにつれてパ−テイクル問題は
極めて重要な課題となってきたのである。
【０００９】従来、このようなパ−テイクルを減らすた
めにスパッタリング操作条件の調整やマグネットの改良
等の努力が重ねられてきたが、パ−テイクルの生成原因
がはっきりしていないこともあって、パ−テイクルの生
成を防止することに着目したタ−ゲットについてはあま
り知られていないのが現状である。
めにスパッタリング操作条件の調整やマグネットの改良
等の努力が重ねられてきたが、パ−テイクルの生成原因
がはっきりしていないこともあって、パ−テイクルの生
成を防止することに着目したタ−ゲットについてはあま
り知られていないのが現状である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】このようなことから、
本発明は、マグネトロンスパッタリングにおいても効率
的なスパッタリングができ、スパッタリング時における
パ−テイクルの発生を抑えようとするものである。
本発明は、マグネトロンスパッタリングにおいても効率
的なスパッタリングができ、スパッタリング時における
パ−テイクルの発生を抑えようとするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、
１ ターゲットを構成する材料がシリコンを固溶するニ
ッケル合金またはコバルト合金であることを特徴とする
スパッタリング用ターゲット
ッケル合金またはコバルト合金であることを特徴とする
スパッタリング用ターゲット
【００１２】２ ターゲットを構成する材料がシリコン
を固溶する単相のニッケル合金または単相もしくは２相
のコバルト合金であることを特徴とするスパッタリング
用ターゲット
を固溶する単相のニッケル合金または単相もしくは２相
のコバルト合金であることを特徴とするスパッタリング
用ターゲット
【００１３】３ ニッケル合金のシリコン含有量が２
２．８ａｔ．％以下、コバルト合金のシリコン含有量が
３２．０ａｔ．％以下であることを特徴とする上記１ま
たは２記載のスパッタリング用タ−ゲット
２．８ａｔ．％以下、コバルト合金のシリコン含有量が
３２．０ａｔ．％以下であることを特徴とする上記１ま
たは２記載のスパッタリング用タ−ゲット
【００１４】４ ニッケル合金のシリコン含有量が０．
００１〜２２．８ａｔ．％、コバルト合金のシリコン含
有量が０．００１〜３２．０ａｔ．％であることを特徴
とする上記１または２記載のスパッタリング用タ−ゲッ
ト
００１〜２２．８ａｔ．％、コバルト合金のシリコン含
有量が０．００１〜３２．０ａｔ．％であることを特徴
とする上記１または２記載のスパッタリング用タ−ゲッ
ト
【００１５】５ ニッケル合金のシリコン含有量が０．
００１〜１５．８ａｔ．％、コバルト合金のシリコン含
有量が０．００１〜１８．４ａｔ．％であることを特徴
とする上記１または２記載のスパッタリング用タ−ゲッ
ト
００１〜１５．８ａｔ．％、コバルト合金のシリコン含
有量が０．００１〜１８．４ａｔ．％であることを特徴
とする上記１または２記載のスパッタリング用タ−ゲッ
ト
【００１６】６ ニッケル合金またはコバルト合金がニ
ッケルまたはコバルトのもつ磁性よりも弱磁性であるこ
とを特徴とする上記１〜５のそれぞれに記載のスパッタ
リング用タ−ゲット
ッケルまたはコバルトのもつ磁性よりも弱磁性であるこ
とを特徴とする上記１〜５のそれぞれに記載のスパッタ
リング用タ−ゲット
【００１７】７ ニッケル合金またはコバルト合金が常
磁性体であることを特徴とする上記１〜５のそれぞれに
記載のスパッタリング用タ−ゲット
磁性体であることを特徴とする上記１〜５のそれぞれに
記載のスパッタリング用タ−ゲット
【００１８】８ ニッケル合金またはコバルト合金に均
質化熱処理を施したことを特徴とする上記１〜７のそれ
ぞれに記載のスパッタリング用タ−ゲット
質化熱処理を施したことを特徴とする上記１〜７のそれ
ぞれに記載のスパッタリング用タ−ゲット
【００１９】９ ニッケル合金またはコバルト合金が熱
間圧延板または熱間鍛造板であることを特徴とする上記
１〜８のそれぞれに記載のスパッタリング用タ−ゲット
間圧延板または熱間鍛造板であることを特徴とする上記
１〜８のそれぞれに記載のスパッタリング用タ−ゲット
【００２０】
【００２１】１０ ターゲットを構成する材料がシリコ
ン０．００１〜２２．８ａｔ．％と残部ニッケルからな
り、かつシリコンを固溶した単相と非固溶体の多相金属
組織を有するニッケル合金であることを特徴とするスパ
ッタリング用ターゲット。 １１ ターゲットを構成する材料がシリコン０．００１
〜３２．０ａｔ．％と残部コバルトからなり、かつシリ
コンを固溶した単相または２相の固溶体と非固溶体の多
相金属組織を有するコバルト合金であることを特徴とす
るスパッタリング用ターゲット。
ン０．００１〜２２．８ａｔ．％と残部ニッケルからな
り、かつシリコンを固溶した単相と非固溶体の多相金属
組織を有するニッケル合金であることを特徴とするスパ
ッタリング用ターゲット。 １１ ターゲットを構成する材料がシリコン０．００１
〜３２．０ａｔ．％と残部コバルトからなり、かつシリ
コンを固溶した単相または２相の固溶体と非固溶体の多
相金属組織を有するコバルト合金であることを特徴とす
るスパッタリング用ターゲット。
【００２２】１２ ターゲットを構成する材料がシリコ
ン０．００１〜１５．８ａｔ．％と残部ニッケルからな
り、かつシリコンを固溶した固溶体単相の金属組織を有
するニッケル合金からなるターゲットを用いてスパッタ
リングし、基板にニッケル合金を被覆した後、該被覆層
にシリコンを反応させ、ニッケルシリサイド皮膜を形成
することを特徴とする皮膜形成方法。 １３ ターゲットを構成する材料がシリコン０．００１
〜１８．４ａｔ．％と残部コバルトからなり、かつシリ
コンを固溶した固溶体単相または２相の金属組織を有す
るコバルト合金からなるターゲットを用いてスパッタリ
ングし、基板にコバルト合金を被覆した後、該被覆層に
シリコンを反応させ、コバルトシリサイド皮膜を形成す
ることを特徴とする皮膜形成方法。
ン０．００１〜１５．８ａｔ．％と残部ニッケルからな
り、かつシリコンを固溶した固溶体単相の金属組織を有
するニッケル合金からなるターゲットを用いてスパッタ
リングし、基板にニッケル合金を被覆した後、該被覆層
にシリコンを反応させ、ニッケルシリサイド皮膜を形成
することを特徴とする皮膜形成方法。 １３ ターゲットを構成する材料がシリコン０．００１
〜１８．４ａｔ．％と残部コバルトからなり、かつシリ
コンを固溶した固溶体単相または２相の金属組織を有す
るコバルト合金からなるターゲットを用いてスパッタリ
ングし、基板にコバルト合金を被覆した後、該被覆層に
シリコンを反応させ、コバルトシリサイド皮膜を形成す
ることを特徴とする皮膜形成方法。
【００２３】１４ ターゲットを構成する材料がシリコ
ン０．００１〜２２．８ａｔ．％と残部ニッケルからな
り、かつシリコンを固溶した単相の固溶体と非固溶体の
多相金属組織を有するニッケル合金からなるターゲット
を用いてスパッタリングし、基板にニッケル合金を被覆
した後、該被覆層にシリコンを反応させ、ニッケルシリ
サイド皮膜を形成することを特徴とする皮膜形成方法。 １５ ターゲットを構成する材料がシリコン０．００１
〜３２．０ａｔ．％と残部コバルトからなり、かつシリ
コンを固溶した単相または２相の固溶体と非固溶体の多
相金属組織を有するコバルト合金からなるターゲットを
用いてスパッタリングし、基板にコバルト合金を被覆し
た後、該被覆層にシリコンを反応させ、コバルトシリサ
イド皮膜を形成することを特徴とする皮膜形成方法。 を提供する。
ン０．００１〜２２．８ａｔ．％と残部ニッケルからな
り、かつシリコンを固溶した単相の固溶体と非固溶体の
多相金属組織を有するニッケル合金からなるターゲット
を用いてスパッタリングし、基板にニッケル合金を被覆
した後、該被覆層にシリコンを反応させ、ニッケルシリ
サイド皮膜を形成することを特徴とする皮膜形成方法。 １５ ターゲットを構成する材料がシリコン０．００１
〜３２．０ａｔ．％と残部コバルトからなり、かつシリ
コンを固溶した単相または２相の固溶体と非固溶体の多
相金属組織を有するコバルト合金からなるターゲットを
用いてスパッタリングし、基板にコバルト合金を被覆し
た後、該被覆層にシリコンを反応させ、コバルトシリサ
イド皮膜を形成することを特徴とする皮膜形成方法。 を提供する。
【００２４】
【発明の実施の形態】本発明者らは、上記目的を達成す
べく鋭意研究を行った結果、次のような知見が得られ
た。いわゆるサリサイド法においては、予めマグネトロ
ンスパッタリングによりニッケルまたはコバルトの皮膜
を形成し、その後シリコンと反応させてニッケルシリサ
イドまたはコバルトシリサイド皮膜を形成するのである
が、マグネトロンスパッタリングが非効率であるのはニ
ッケルまたはコバルトが強磁性体であるからである。し
かし、ニッケルまたはコバルトが強磁性体であるのは、
材料のもつ当然の属性であるから、このままでは改善の
余地はないと言える。
べく鋭意研究を行った結果、次のような知見が得られ
た。いわゆるサリサイド法においては、予めマグネトロ
ンスパッタリングによりニッケルまたはコバルトの皮膜
を形成し、その後シリコンと反応させてニッケルシリサ
イドまたはコバルトシリサイド皮膜を形成するのである
が、マグネトロンスパッタリングが非効率であるのはニ
ッケルまたはコバルトが強磁性体であるからである。し
かし、ニッケルまたはコバルトが強磁性体であるのは、
材料のもつ当然の属性であるから、このままでは改善の
余地はないと言える。
【００２５】ここで着目したのが、合金化することによ
って磁性を低下させることである。最終的には主にＬＳ
Ｉ用ゲート電極材料としてニッケルシリサイドまたはコ
バルトシリサイド皮膜を形成するのであるから、シリコ
ンの混入は材料を汚染させるものではない。
って磁性を低下させることである。最終的には主にＬＳ
Ｉ用ゲート電極材料としてニッケルシリサイドまたはコ
バルトシリサイド皮膜を形成するのであるから、シリコ
ンの混入は材料を汚染させるものではない。
【００２６】今までは、焼結法によりスパッタリング皮
膜の最終目的成分のニッケルシリサイドまたはコバルト
シリサイドターゲットを製造しようとする試みがなされ
ていたが、この焼結法においては、皮膜の目的成分に対
して明らかに不十分な量のシリコンをターゲットに含有
させるという発想は全くなかったと言ってよい。またシ
リコンをニッケルまたはコバルトターゲットに含有させ
る場合に、どの程度の含有量があれば、マグネトロンス
パッタリングに適用できる磁性にすることができるかに
ついては、全く知られていなかった。しかもこの場合、
ニッケルまたはコバルトターゲットにシリコンを含有さ
せた場合に、パーティクルの増加ということもあり得、
その予想すらもできなかったと言える。
膜の最終目的成分のニッケルシリサイドまたはコバルト
シリサイドターゲットを製造しようとする試みがなされ
ていたが、この焼結法においては、皮膜の目的成分に対
して明らかに不十分な量のシリコンをターゲットに含有
させるという発想は全くなかったと言ってよい。またシ
リコンをニッケルまたはコバルトターゲットに含有させ
る場合に、どの程度の含有量があれば、マグネトロンス
パッタリングに適用できる磁性にすることができるかに
ついては、全く知られていなかった。しかもこの場合、
ニッケルまたはコバルトターゲットにシリコンを含有さ
せた場合に、パーティクルの増加ということもあり得、
その予想すらもできなかったと言える。
【００２７】本発明においては、ニッケルまたはコバル
トにシリコンを添加して常磁性またはそれに近い弱磁性
のニッケル合金またはコバルト合金のターゲットを得
た。図１にシリコンが固溶した均一な組織のニッケル合
金ターゲットの顕微鏡写真を示すが、パーティクルの発
生が全くないかまたは著しく低減することが可能となっ
た。
トにシリコンを添加して常磁性またはそれに近い弱磁性
のニッケル合金またはコバルト合金のターゲットを得
た。図１にシリコンが固溶した均一な組織のニッケル合
金ターゲットの顕微鏡写真を示すが、パーティクルの発
生が全くないかまたは著しく低減することが可能となっ
た。
【００２８】ニッケル合金においてシリコンが固溶でき
る範囲は１５．８ａｔ．％が上限であり、単相の固溶体
を形成する。本発明においては、シリコン含有量を２
２．８ａｔ．％までを許容範囲とする。固溶しない範囲
のシリコンはニッケルとの金属間化合物を形成し混相と
なり、これに伴ってパーティクルの発生が若干増すが、
溶解品であるので焼結品に比べてパーティクルは著しく
減少する。そして、シリコンを添加することによりニッ
ケル合金の磁気モーメントおよびキュリー温度は直線的
かつ急激に減少し、１０ａｔ．％で常磁性またはそれに
近い弱磁性のニッケル合金ターゲットが得られる。シリ
コン含有量が多い程、安定した常磁性体が得られる。僅
かなシリコン含有量でも磁性の低下が認められるので、
シリコン含有量を２２．８ａｔ．％以下とするが、磁性
の低下の効果およびパーティクルの発生量を考慮する
と、好ましい範囲は０．００１〜２２．８ａｔ．％、よ
り好ましい範囲は０．００１〜１５．８ａｔ．％であ
る。また、シリコン含有量が２２．８ａｔ．％を超える
と、金属間化合物単相となり熱間圧延や熱間鍛造などの
加工が難しくなるので、この意味からも上限を２２．８
ａｔ．％とする必要がある。
る範囲は１５．８ａｔ．％が上限であり、単相の固溶体
を形成する。本発明においては、シリコン含有量を２
２．８ａｔ．％までを許容範囲とする。固溶しない範囲
のシリコンはニッケルとの金属間化合物を形成し混相と
なり、これに伴ってパーティクルの発生が若干増すが、
溶解品であるので焼結品に比べてパーティクルは著しく
減少する。そして、シリコンを添加することによりニッ
ケル合金の磁気モーメントおよびキュリー温度は直線的
かつ急激に減少し、１０ａｔ．％で常磁性またはそれに
近い弱磁性のニッケル合金ターゲットが得られる。シリ
コン含有量が多い程、安定した常磁性体が得られる。僅
かなシリコン含有量でも磁性の低下が認められるので、
シリコン含有量を２２．８ａｔ．％以下とするが、磁性
の低下の効果およびパーティクルの発生量を考慮する
と、好ましい範囲は０．００１〜２２．８ａｔ．％、よ
り好ましい範囲は０．００１〜１５．８ａｔ．％であ
る。また、シリコン含有量が２２．８ａｔ．％を超える
と、金属間化合物単相となり熱間圧延や熱間鍛造などの
加工が難しくなるので、この意味からも上限を２２．８
ａｔ．％とする必要がある。
【００２９】コバルト合金においては、シリコンを固溶
できる範囲の上限は１８．４ａｔ．％であるが、本発明
においては、シリコン含有量を３２．０ａｔ．％まで許
容範囲とする。コバルト合金の固溶体はα−Ｃｏ（ＦＣ
Ｃ構造）とε−Ｃｏ（ＨＣＰ構造）の２種があり、これ
らのそれぞれの単相を形成する場合と、これらの２相
（複相）を形成する場合があるが、いずれも固溶体とし
て本発明の範囲に含まれるものである。固溶しない範囲
のシリコンはコバルトとの金属間化合物を形成する等、
ニッケル合金の場合と同様に、固溶体と非固溶体の多相
金属組織となるが、本発明においてはシリコン含有量３
２．０ａｔ．％まで認められるものである。非固溶体の
増加に伴って、パーティクルの発生が若干増すが、殆ど
無視できる範囲のものである。
できる範囲の上限は１８．４ａｔ．％であるが、本発明
においては、シリコン含有量を３２．０ａｔ．％まで許
容範囲とする。コバルト合金の固溶体はα−Ｃｏ（ＦＣ
Ｃ構造）とε−Ｃｏ（ＨＣＰ構造）の２種があり、これ
らのそれぞれの単相を形成する場合と、これらの２相
（複相）を形成する場合があるが、いずれも固溶体とし
て本発明の範囲に含まれるものである。固溶しない範囲
のシリコンはコバルトとの金属間化合物を形成する等、
ニッケル合金の場合と同様に、固溶体と非固溶体の多相
金属組織となるが、本発明においてはシリコン含有量３
２．０ａｔ．％まで認められるものである。非固溶体の
増加に伴って、パーティクルの発生が若干増すが、殆ど
無視できる範囲のものである。
【００３０】ニッケル合金の場合と同様に、そして、シ
リコンを添加することによりコバルト合金の磁気モーメ
ントおよびキュリー温度は直線的かつ急激に減少し、１
５ａｔ．％近傍で純コバルトに比べて飽和磁化が約２／
３程度にまで低下した弱磁性のコバルト合金ターゲット
が得られる。そしてシリコン含有量が多い程、より磁性
は弱くなる。僅かなシリコン含有量でも磁性の低下が認
められので、シリコン含有量を３２．０ａｔ．％以下と
するが、磁性の低下の効果およびパーティクルの発生量
を考慮すると、好ましい範囲は０．００１〜３２．０ａ
ｔ．％、より好ましい範囲は０．００１〜１８．４ａ
ｔ．％である。また、シリコン含有量が３２．０ａｔ．
％を超えると、金属間化合物単相となり熱間圧延や熱間
鍛造などの加工が難しくなるので、この意味からも上限
を３２．０ａｔ．％とする必要がある。
リコンを添加することによりコバルト合金の磁気モーメ
ントおよびキュリー温度は直線的かつ急激に減少し、１
５ａｔ．％近傍で純コバルトに比べて飽和磁化が約２／
３程度にまで低下した弱磁性のコバルト合金ターゲット
が得られる。そしてシリコン含有量が多い程、より磁性
は弱くなる。僅かなシリコン含有量でも磁性の低下が認
められので、シリコン含有量を３２．０ａｔ．％以下と
するが、磁性の低下の効果およびパーティクルの発生量
を考慮すると、好ましい範囲は０．００１〜３２．０ａ
ｔ．％、より好ましい範囲は０．００１〜１８．４ａ
ｔ．％である。また、シリコン含有量が３２．０ａｔ．
％を超えると、金属間化合物単相となり熱間圧延や熱間
鍛造などの加工が難しくなるので、この意味からも上限
を３２．０ａｔ．％とする必要がある。
【００３１】上記の常磁性または弱磁性のニッケル合金
またはコバルト合金ターゲットはマグネトロンスパッタ
リングにおいて良好なスパッタリングが可能となる。す
なわち、ニッケル合金またはコバルト合金をスパッタリ
ングする場合、従来のようにタ−ゲットの厚さを薄くし
たり、磁性体専用の発生磁界の強力なマグネトロンカソ
ードを用いる必要もない。また、スパッタリングによる
エロージョン部の断面形状が急峻となることもなく、タ
−ゲットの寿命が増大し、極めて好適なスパッタリング
操作ができる。パ−テイクルの発生は、タ−ゲット表面
粗さや組織に起因することが多いが、本発明は均一な組
織を有する溶解によって得た合金タ−ゲットであるた
め、従来の焼結タ−ゲットに比べパーティクルの発生も
極めて減少するという効果をもたらす。
またはコバルト合金ターゲットはマグネトロンスパッタ
リングにおいて良好なスパッタリングが可能となる。す
なわち、ニッケル合金またはコバルト合金をスパッタリ
ングする場合、従来のようにタ−ゲットの厚さを薄くし
たり、磁性体専用の発生磁界の強力なマグネトロンカソ
ードを用いる必要もない。また、スパッタリングによる
エロージョン部の断面形状が急峻となることもなく、タ
−ゲットの寿命が増大し、極めて好適なスパッタリング
操作ができる。パ−テイクルの発生は、タ−ゲット表面
粗さや組織に起因することが多いが、本発明は均一な組
織を有する溶解によって得た合金タ−ゲットであるた
め、従来の焼結タ−ゲットに比べパーティクルの発生も
極めて減少するという効果をもたらす。
【００３２】ニッケル合金またはコバルト合金の製造に
際しては、まず所定の合金組成となる材料を真空誘導溶
解する。冷却後取り出したインゴットは磁性にバラツキ
を生ずることがあるので、１０００°Ｃ〜１２００°Ｃ
に加熱して均質化熱処理を行うことが望ましい。得られ
たインゴットは熱間圧延または熱間鍛造を施して板状体
とする。ニッケル合金の場合、例えば１１００°Ｃ前後
の圧延または鍛造で容易に塑性変形し割れを生ずること
はない。得られた熱間圧延板または熱間鍛造板から円盤
形や矩形のタ−ゲット形状に切り出す。
際しては、まず所定の合金組成となる材料を真空誘導溶
解する。冷却後取り出したインゴットは磁性にバラツキ
を生ずることがあるので、１０００°Ｃ〜１２００°Ｃ
に加熱して均質化熱処理を行うことが望ましい。得られ
たインゴットは熱間圧延または熱間鍛造を施して板状体
とする。ニッケル合金の場合、例えば１１００°Ｃ前後
の圧延または鍛造で容易に塑性変形し割れを生ずること
はない。得られた熱間圧延板または熱間鍛造板から円盤
形や矩形のタ−ゲット形状に切り出す。
【００３３】このようにして得られたタ−ゲットは、ス
パッタリングにより同組成の皮膜を基板に被覆した後、
該被覆層にシリコンと反応させて、目的とするニッケル
シリサイドまたはコバルトシリサイドの皮膜を形成す
る。
パッタリングにより同組成の皮膜を基板に被覆した後、
該被覆層にシリコンと反応させて、目的とするニッケル
シリサイドまたはコバルトシリサイドの皮膜を形成す
る。
【００３４】
【実施例および比較例】続いて、本発明を実施例により
比較例と対比しながら説明する。ニッケルまたはコバル
トおよびシリコンを原料として、表１に示すニッケル合
金およびコバルト合金を真空誘導溶解炉を用いて真空溶
解した。表１には対比のために既存のニッケルおよびコ
バルト（いずれも溶解品）ならびにいずれも焼結品であ
るニッケルシリサイド（ＮｉＳｉ）およびコバルトシリ
サイド（ＣｏＳｉ2）も示す。
比較例と対比しながら説明する。ニッケルまたはコバル
トおよびシリコンを原料として、表１に示すニッケル合
金およびコバルト合金を真空誘導溶解炉を用いて真空溶
解した。表１には対比のために既存のニッケルおよびコ
バルト（いずれも溶解品）ならびにいずれも焼結品であ
るニッケルシリサイド（ＮｉＳｉ）およびコバルトシリ
サイド（ＣｏＳｉ2）も示す。
【００３５】前記溶解後、冷却しインゴット（φ１２７
ｘ５１ｍｍ厚）として取り出した。このインゴットに永
久磁石を近づけてみたところ、Ｎｉ−１０ａｔ％Ｓｉ合
金については弱いながらも磁気による引力があった。ま
た、インゴットの上部の方が下部に比較して引力が強か
ったため均質化熱処理を行った。均質化熱処理はシリコ
ンの固溶限が最も広い１１００°Ｃに２時間保持し、そ
の後、１５ｍｍ厚まで１ヒート１パスで熱間圧延した。
この圧延の後、再び永久磁石を近づけてみたところ圧延
板のいずれの部分においても、引力を感じることはなか
った。すなわち、均質化熱処理は十分に行われたとみる
ことができる。
ｘ５１ｍｍ厚）として取り出した。このインゴットに永
久磁石を近づけてみたところ、Ｎｉ−１０ａｔ％Ｓｉ合
金については弱いながらも磁気による引力があった。ま
た、インゴットの上部の方が下部に比較して引力が強か
ったため均質化熱処理を行った。均質化熱処理はシリコ
ンの固溶限が最も広い１１００°Ｃに２時間保持し、そ
の後、１５ｍｍ厚まで１ヒート１パスで熱間圧延した。
この圧延の後、再び永久磁石を近づけてみたところ圧延
板のいずれの部分においても、引力を感じることはなか
った。すなわち、均質化熱処理は十分に行われたとみる
ことができる。
【００３６】Ｎｉ−１０ａｔ％Ｓｉのニッケル合金の熱
間圧延板から試料を切り出し、磁気特性測定および顕微
鏡組織観察を行った。磁気特性はＢ−Ｈメータで４πＩ
コイルを用い、磁化方向を板厚方向として最大磁界１０
００Ｏｅで測定した。組織観察は断面を研磨し、希硝酸
でエッチングした後、光学顕微鏡を用いて行った。この
顕微鏡組織の写真（×５０）を図１に示す。
間圧延板から試料を切り出し、磁気特性測定および顕微
鏡組織観察を行った。磁気特性はＢ−Ｈメータで４πＩ
コイルを用い、磁化方向を板厚方向として最大磁界１０
００Ｏｅで測定した。組織観察は断面を研磨し、希硝酸
でエッチングした後、光学顕微鏡を用いて行った。この
顕微鏡組織の写真（×５０）を図１に示す。
【００３７】図１の顕微鏡組織の写真から明らかなよう
に、光学顕微鏡レベルの観察で単相になっていることが
分かる。また、４πＩ−Ｈループでは最大磁界１０００
Ｏｅ程度では殆ど磁化していない。室温でキュリー温度
を超えており、常磁性体になっていると考えられる。
に、光学顕微鏡レベルの観察で単相になっていることが
分かる。また、４πＩ−Ｈループでは最大磁界１０００
Ｏｅ程度では殆ど磁化していない。室温でキュリー温度
を超えており、常磁性体になっていると考えられる。
【００３８】Ｃｏ−１５ａｔ％Ｓｉ合金についても同様
にしてインゴットを作製し、１２００°Ｃに２時間保持
し均質化熱処理を行った。その後、１５ｍｍ厚まで１ヒ
ート１パスで熱間圧延した。このＣｏ−１５ａｔ％Ｓｉ
のコバルト合金熱間圧延板から試料を切り出し、上記ニ
ッケル合金と同様に磁気特性測定および顕微鏡組織観察
を行った。顕微鏡組織の写真（×２００）を図２に示
す。
にしてインゴットを作製し、１２００°Ｃに２時間保持
し均質化熱処理を行った。その後、１５ｍｍ厚まで１ヒ
ート１パスで熱間圧延した。このＣｏ−１５ａｔ％Ｓｉ
のコバルト合金熱間圧延板から試料を切り出し、上記ニ
ッケル合金と同様に磁気特性測定および顕微鏡組織観察
を行った。顕微鏡組織の写真（×２００）を図２に示
す。
【００３９】図２の顕微鏡組織の写真から明らかなよう
に、光学顕微鏡レベルの観察で単相になっていることが
分かる。また、４πＩ−Ｈループでは飽和磁化が純コバ
ルトの約２／３程度に低下しており、自発磁化が大きく
減少していることが観察された。
に、光学顕微鏡レベルの観察で単相になっていることが
分かる。また、４πＩ−Ｈループでは飽和磁化が純コバ
ルトの約２／３程度に低下しており、自発磁化が大きく
減少していることが観察された。
【００４０】次に、φ３″スパッタ装置でスパッタリン
グした場合のエロージョンの変化を図３（Ａ，Ｂ）に示
す。スパッタリング条件は、基板間距離：６０ｍｍ、ガ
ス圧（Ａｒ）：０．５Ｐａ、電圧：５００Ｖである。ニ
ッケル合金については、Ｎｉ−１０ａｔ％Ｓｉ合金ター
ゲットを、そして対比のためにニッケルターゲットを同
条件でスパッタリングした。また、コバルト合金につい
ては、Ｃｏ−１５ａｔ．％合金ターゲットを、そして対
比のためにコバルトターゲットを同条件でスパッタリン
グした。エロージョン形状はいずれも積算で１０００Ｗ
ｈの場合である。
グした場合のエロージョンの変化を図３（Ａ，Ｂ）に示
す。スパッタリング条件は、基板間距離：６０ｍｍ、ガ
ス圧（Ａｒ）：０．５Ｐａ、電圧：５００Ｖである。ニ
ッケル合金については、Ｎｉ−１０ａｔ％Ｓｉ合金ター
ゲットを、そして対比のためにニッケルターゲットを同
条件でスパッタリングした。また、コバルト合金につい
ては、Ｃｏ−１５ａｔ．％合金ターゲットを、そして対
比のためにコバルトターゲットを同条件でスパッタリン
グした。エロージョン形状はいずれも積算で１０００Ｗ
ｈの場合である。
【００４１】この図３（Ａ，Ｂ）のエロージョン形状か
ら明らかなように、ニッケルまたはコバルトターゲット
の場合はいずれも急峻エロージョン形状を呈している
が、本発明のニッケル合金またはコバルト合金について
は穏やかなエロージョン形状を有していることが分か
る。
ら明らかなように、ニッケルまたはコバルトターゲット
の場合はいずれも急峻エロージョン形状を呈している
が、本発明のニッケル合金またはコバルト合金について
は穏やかなエロージョン形状を有していることが分か
る。
【００４２】次に、φ３″スパッタ装置でシリコンウェ
ハー上にスパッタリングした場合の＞０．３μｍのパー
ティクルの発生状況を調べた。スパッタリング条件は、
基板間距離：６０ｍｍ、ガス圧（Ａｒ）：０．５Ｐａ、
電圧：５００Ｖである。その結果を表１に示す。
ハー上にスパッタリングした場合の＞０．３μｍのパー
ティクルの発生状況を調べた。スパッタリング条件は、
基板間距離：６０ｍｍ、ガス圧（Ａｒ）：０．５Ｐａ、
電圧：５００Ｖである。その結果を表１に示す。
【００４３】
【表１】
【００４４】この表１から明らかなように、本発明品は
従来の焼結品に比べパーティクルの発生量は著しく少な
い。同じく溶解品であるニツケルターゲットおよびコバ
ルトターゲットもパーティクルの発生量は少ないが、こ
れは強磁性体なので問題外である。
従来の焼結品に比べパーティクルの発生量は著しく少な
い。同じく溶解品であるニツケルターゲットおよびコバ
ルトターゲットもパーティクルの発生量は少ないが、こ
れは強磁性体なので問題外である。
【００４５】
【発明の効果】本発明の常磁性または弱磁性のニッケル
合金またはコバルト合金ターゲットはマグネトロンスパ
ッタリングにおいて良好なスパッタリングが可能とな
る。すなわち、従来のようにタ−ゲットの厚さを薄くし
たり、磁性体専用の発生磁界の強力なマグネトロンカソ
ードを用いる必要がなく、またスパッタリングによるエ
ロージョン部の断面形状が急峻となることもない。これ
によってタ−ゲットの寿命が増大し、極めて好適なスパ
ッタリング操作ができる。さらにまた、スパッタリング
時におけるパ−テイクル発生を効果的に抑えることがで
きるという優れた効果を有する。
合金またはコバルト合金ターゲットはマグネトロンスパ
ッタリングにおいて良好なスパッタリングが可能とな
る。すなわち、従来のようにタ−ゲットの厚さを薄くし
たり、磁性体専用の発生磁界の強力なマグネトロンカソ
ードを用いる必要がなく、またスパッタリングによるエ
ロージョン部の断面形状が急峻となることもない。これ
によってタ−ゲットの寿命が増大し、極めて好適なスパ
ッタリング操作ができる。さらにまた、スパッタリング
時におけるパ−テイクル発生を効果的に抑えることがで
きるという優れた効果を有する。
【図１】 図１は、Ｎｉ−１０ａｔ％Ｓｉのニッケル合
金熱間圧延板の顕微鏡写真である。
金熱間圧延板の顕微鏡写真である。
【図２】 図２は、Ｃｏ−１５ａｔ％Ｓｉのコバルト合
金熱間圧延板の顕微鏡写真である。
金熱間圧延板の顕微鏡写真である。
【図３】 図３（Ａ），（Ｂ）は、スパッタリングした
場合のターゲットのエロージョンの変化を示すグラフで
ある。
場合のターゲットのエロージョンの変化を示すグラフで
ある。
１：ニッケル（Ｎｉ）ターゲット
２：ニッケル合金（Ｎｉ−１０ａｔ％Ｓｉ）ターゲット
３：コバルト（Ｃｏ）ターゲット
４：コバルト合金（Ｃｏ−１５ａｔ．％）ターゲット
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｈ０１Ｌ 21/285 Ｈ０１Ｌ 21/285 Ｓ
(56)参考文献 特開 平８−67972（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−74043（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−74044（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−74045（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−144053（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−144054（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−144055（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C23C 14/00 - 14/58
C22C 19/00
C22C 19/03
C22C 19/07
Claims (15)
- 【請求項１】 ターゲットを構成する材料がシリコンを
固溶するニッケル合金またはコバルト合金であることを
特徴とするスパッタリング用ターゲット。 - 【請求項２】 ターゲットを構成する材料がシリコンを
固溶する単相のニッケル合金または単相もしくは２相の
コバルト合金であることを特徴とするスパッタリング用
ターゲット。 - 【請求項３】 ニッケル合金のシリコン含有量が２２．
８ａｔ．％以下、コバルト合金のシリコン含有量が３
２．０ａｔ．％以下であることを特徴とする請求項１ま
たは２記載のスパッタリング用ターゲット。 - 【請求項４】 ニッケル合金のシリコン含有量が０．０
０１〜２２．８ａｔ．％、コバルト合金のシリコン含有
量が０．００１〜３２．０ａｔ．％であることを特徴と
する請求項１または２記載のスパッタリング用ターゲッ
ト。 - 【請求項５】 ニッケル合金のシリコン含有量が０．０
０１〜１５．８ａｔ．％、コバルト合金のシリコン含有
量が０．００１〜１８．４ａｔ．％であることを特徴と
する請求項１または２記載のスパッタリング用ターゲッ
ト。 - 【請求項６】 ニッケル合金またはコバルト合金がニッ
ケルまたはコバルトのもつ磁性よりも弱磁性であること
を特徴とする請求項１〜５のそれぞれに記載のスパッタ
リング用ターゲット。 - 【請求項７】 ニッケル合金またはコバルト合金が常磁
性体であることを特徴とする請求項１〜５のそれぞれに
記載のスパッタリング用ターゲット。 - 【請求項８】 ニッケル合金またはコバルト合金に均質
化熱処理を施したことを特徴とする請求項１〜７のそれ
ぞれに記載のスパッタリング用ターゲット。 - 【請求項９】 ニッケル合金またはコバルト合金が熱間
圧延板または熱間鍛造板であることを特徴とする請求項
１〜８のそれぞれに記載のスパッタリング用ターゲッ
ト。 - 【請求項１０】 ターゲットを構成する材料がシリコン
０．００１〜２２．８ａｔ．％と残部ニッケルからな
り、かつシリコンを固溶した単相と非固溶体の多相金属
組織を有するニッケル合金であることを特徴とするスパ
ッタリング用ターゲット。 - 【請求項１１】 ターゲットを構成する材料がシリコン
０．００１〜３２．０ａｔ．％と残部コバルトからな
り、かつシリコンを固溶した単相または２相の固溶体と
非固溶体の多相金属組織を有するコバルト合金であるこ
とを特徴とするスパッタリング用ターゲット。 - 【請求項１２】 ターゲットを構成する材料がシリコン
０．００１〜１５．８ａｔ．％と残部ニッケルからな
り、かつシリコンを固溶した固溶体単相の金属組織を有
するニッケル合金からなるターゲットを用いてスパッタ
リングし、基板にニッケル合金を被覆した後、該被覆層
にシリコンを反応させ、ニッケルシリサイド皮膜を形成
することを特徴とする皮膜形成方法。 - 【請求項１３】 ターゲットを構成する材料がシリコン
０．００１〜１８．４ａｔ．％と残部コバルトからな
り、かつシリコンを固溶した固溶体単相または２相の金
属組織を有するコバルト合金からなるターゲットを用い
てスパッタリングし、基板にコバルト合金を被覆した
後、該被覆層にシリコンを反応させ、コバルトシリサイ
ド皮膜を形成することを特徴とする皮膜形成方法。 - 【請求項１４】 ターゲットを構成する材料がシリコン
０．００１〜２２．８ａｔ．％と残部ニッケルからな
り、かつシリコンを固溶した単相の固溶体と非固溶体の
多相金属組織を有するニッケル合金からなるターゲット
を用いてスパッタリングし、基板にニッケル合金を被覆
した後、該被覆層にシリコンを反応させ、ニッケルシリ
サイド皮膜を形成することを特徴とする皮膜形成方法。 - 【請求項１５】 ターゲットを構成する材料がシリコン
０．００１〜３２．０ａｔ．％と残部コバルトからな
り、かつシリコンを固溶した単相または２相の固溶体と
非固溶体の多相金属組織を有するコバルト合金からなる
ターゲットを用いてスパッタリングし、基板にコバルト
合金を被覆した後、該被覆層にシリコンを反応させ、コ
バルトシリサイド皮膜を 形成することを特徴とする皮膜
形成方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08245197A JP3532063B2 (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | スパッタリング用ターゲットおよび皮膜形成方法 |
| KR1019980004823A KR19980079734A (ko) | 1997-03-17 | 1998-02-17 | 스퍼터링용 타켓트 및 피막형성방법 |
| TW087102141A TW426748B (en) | 1997-03-17 | 1998-02-17 | Target for sputtering and formation of film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08245197A JP3532063B2 (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | スパッタリング用ターゲットおよび皮膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10251848A JPH10251848A (ja) | 1998-09-22 |
| JP3532063B2 true JP3532063B2 (ja) | 2004-05-31 |
Family
ID=13774890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08245197A Expired - Lifetime JP3532063B2 (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | スパッタリング用ターゲットおよび皮膜形成方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3532063B2 (ja) |
| KR (1) | KR19980079734A (ja) |
| TW (1) | TW426748B (ja) |
Families Citing this family (6)
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|---|---|---|---|---|
| FR2793888B1 (fr) * | 1999-05-20 | 2002-06-28 | Saint Gobain Vitrage | Dispositif electrochimique |
| JP2003213407A (ja) * | 2002-01-24 | 2003-07-30 | Nikko Materials Co Ltd | 高純度ニッケル又はニッケル合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP5113100B2 (ja) * | 2009-01-28 | 2013-01-09 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 高純度ニッケル合金ターゲット |
| US9249497B2 (en) | 2010-03-19 | 2016-02-02 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Ni alloy sputtering target, Ni alloy thin film and Ni silicide film |
| JP6340621B2 (ja) * | 2013-07-26 | 2018-06-13 | 三菱マテリアル株式会社 | Ｎｉスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP6254823B2 (ja) * | 2013-11-01 | 2017-12-27 | Ｊｘ金属株式会社 | ニッケルシリサイドスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-03-17 JP JP08245197A patent/JP3532063B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-02-17 KR KR1019980004823A patent/KR19980079734A/ko not_active Application Discontinuation
- 1998-02-17 TW TW087102141A patent/TW426748B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW426748B (en) | 2001-03-21 |
| JPH10251848A (ja) | 1998-09-22 |
| KR19980079734A (ko) | 1998-11-25 |
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