CN110144483B - 一种铜镁合金及其制备方法 - Google Patents

一种铜镁合金及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110144483B
CN110144483B CN201910457583.3A CN201910457583A CN110144483B CN 110144483 B CN110144483 B CN 110144483B CN 201910457583 A CN201910457583 A CN 201910457583A CN 110144483 B CN110144483 B CN 110144483B
Authority
CN
China
Prior art keywords
copper
magnesium alloy
alloy
power supply
silicon substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910457583.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110144483A (zh
Inventor
王亚强
张金钰
李晓格
吴凯
刘刚
孙军
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xian Jiaotong University
Original Assignee
Xian Jiaotong University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xian Jiaotong University filed Critical Xian Jiaotong University
Priority to CN201910457583.3A priority Critical patent/CN110144483B/zh
Publication of CN110144483A publication Critical patent/CN110144483A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110144483B publication Critical patent/CN110144483B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C9/00—Alloys based on copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/18—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates
    • C23C14/185—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates by cathodic sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C23C14/352—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using more than one target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C2200/00—Crystalline structure
    • C22C2200/04—Nanocrystalline

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明公开了一种铜镁合金及其制备方法，Cu‑Mg合金由以下成分组成，Mg原子百分比2.6～16.8，其余为Cu。制备时首先对硅基体表面进行超声清洗并烘干；然后将基盘送入磁控溅射镀膜室抽真空；再采用直流+射频电源共溅射制备Cu‑Mg合金；最后对得到的硅基体进行真空冷却后，得到铜镁合金材料，解决材料中合金元素分布不均匀的出现，所得合金为纳米孪晶材料，且孪晶片层尺寸细小，有效改善了合金材料的综合力学性能。

Description

一种铜镁合金及其制备方法
技术领域
本发明属于金属结构材料领域，具体为一种铜镁合金及其制备方法。
背景技术
随着电子工业和信息产业的快速发展，微电子元器件的微型化、轻量化和集成化成为新一代微电子技术的发展趋势和必然要求。微纳米器件作为信息时代的物质基础，成为21世纪高新技术重点研究的对象，其具有几何尺寸小、组装结构复杂等特点，目前已广泛应用于航空航天、医疗、通信、能源等领域。
然而，微纳器件的力学变形通常不稳定，容易发生突然失效。因此，为了确保微电子元器件的稳定正常服役，设计具有优异力学性能的纳米金属材料具有重要的应用价值和意义。
铜由于具有较高的抗电迁移性能和良好的导热导电稳定性，作为互连线材料在微电子产业中被广泛应用。但其机械强度较低，在互连线制造过程中容易被刮伤，造成表面损坏，从而加速微纳器件的损坏。因此，针对提高微纳电子元器件的小尺寸材料机械强度和变形稳定性问题，亟待简单快捷的解决方案。
发明内容
针对现有技术中存在的问题，本发明提供一种铜镁合金及其制备方法，所制备的铜镁合金具有均匀的微观组织和优异的机械强度，有效改善材料的服役寿命。
本发明是通过以下技术方案来实现：
一种铜镁合金，铜镁合金中原子百分比为：Mg 2.8％～16.8％，其余为Cu；所述铜镁合金的晶粒为柱状纳米晶。
优选的，所述柱状纳米晶中含有纳米孪晶纳，纳米孪晶的百分比不超过75％。
优选的，所述Mg的原子百分比为8.2％。
优选的，所述铜镁合金的纳米压痕硬度为2.97GPa～4.09GPa。
本发明还提供了上述的铜镁合金的制备方法，包括以下步骤；
步骤1：对基体表面进行清洗烘干；
步骤2：将基体送入磁控溅射镀膜室，然后抽真空；
步骤3：采用磁控溅射共溅射方法在基体上制备铜镁合金；
步骤4：将步骤3得到的基体进行真空冷却，得到铜镁合金。
优选的，步骤1中所述清洗烘干处理的方法具体如下；
将抛光的基体在丙酮和酒精中依次超声清洗10min，然后烘干，抛光面的粗糙度小于0.8nm。
优选的，步骤2中所述抽真空至背底真空度小于4.0×10-4Pa。
优选的，步骤3中所述磁控溅射共溅射方法为：Cu靶采用直流电源进行溅射，Mg靶采用射频电源进行溅射。
优选的，所述Cu靶纯度99.99wt％，直流电源功率200W，Mg靶纯度99.97wt％，射频电源功率10～45W，沉积气压1.0Pa，沉积温度为室温，基盘转速15r/min，沉积时间5000s，所得Cu-Mg合金厚度为1.5μm。
优选的，所述基体为硅基体。
与现有技术相比，本发明具有以下有益的技术效果：
本发明提供的铜镁合金，其中金属镁的质量轻，密度仅为1.732g/cm3，且Mg的原子半径与Cu相差较大，与Cu混溶后形成置换固溶体，使基体晶格常数变大，引起晶格畸变，或者形成第二相颗粒，对位错运动起到阻碍和钉扎的作用。同时Mg元素的加入还可以降低Cu的层错能，有利于引入更多的纳米孪晶结构，以期达到轻质高强的强化效果，最终有效改善Cu合金的力学性能。解决了材料中合金元素分布不均匀的出现，所得合金为纳米孪晶材料，且孪晶片层尺寸细小，有效改善了合金材料的综合力学性能。
本发明提供的铜镁合金的制备方法，利用磁控溅射技术的优势，通过不同靶材共溅射调控合金元素含量，制备合金元素分布均匀、具有不同微观组织且性能优异的Cu-Mg合金。
附图说明
图1为本发明Cu-Mg合金的TEM截面照片；
图2为本发明Cu-Mg合金STEM照片；
图3为本发明Cu-Mg合金EDS扫描Mg元素分布图；
图4为本发明不同Mg含量Cu-Mg合金的载荷位移曲线；
图5为本发明不同Mg含量Cu-Mg合金的纳米压痕硬度结果。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步的详细说明，所述是对本发明的解释而不是限定。
一种Cu-Mg合金，其化学成分组成原子百分比为：Mg 2.8％～16.8％，其余为Cu；采用磁控溅射共溅射方法制得，其晶粒为柱状纳米晶，柱状纳米晶的尺寸为9.7nm-46.2nm，并且细小柱状纳米晶中含有一定比例的纳米孪晶，纳米孪晶的百分比不超过75％。
图1中展示了本发明的Cu-Mg合金TEM截面照片，图2和图3分别展示了本发明的Cu-Mg合金STEM照片及EDS扫描Mg元素分布图，图4展示了不同Mg含量Cu-Mg合金纳米压痕的载荷-位移曲线，图5展示了随Mg含量变化Cu-Mg合金的纳米压痕硬度变化趋势。根据本发明的Cu-Mg合金，内部合金元素分布均匀，晶粒为柱状细小纳米晶，并包含大量纳米孪晶结构，随Mg含量降低，晶粒尺寸减小，纳米孪晶在柱状细小纳米晶中的比例为0-75％，纳米孪晶百分数减小，纳米孪晶片层厚度降低。本发明的Cu-Mg合金具有高强度、良好塑性变形能力等优异力学性能。
本发明还提供了一种Cu-Mg合金的制备方法，包括以下步骤；
步骤1，取单面抛光的单晶硅基体，将其依次在化学纯丙酮和乙醇中超声清洗10min，然后使用暖风快速烘干，使其表面洁净无污渍、无灰尘附着，超声处理后的单晶硅基体表面粗糙度小于0.8nm，对抛光后的单晶硅基体进行超声清洗，有利于提高合金与基体结合力。
步骤2，将超声清洗后的单晶硅基体固定到基盘上，自动机械伴送进入磁控溅射镀膜室，抽真空至背底真空度在4.0×10-4Pa以下，
步骤3，采用磁控溅射共溅射方法在硅基体上沉积制备Cu-Mg合金；
其中，Cu靶纯度99.99wt％采用直流电源，功率200W，Mg靶纯度99.97wt％采用射频电源，功率10-45W，沉积气压设定1.0Pa，沉积温度为室温，基盘转速15r/min，待真空度在4.0×10-4Pa以下，同时开启直流电源和射频电源开始共溅射沉积，沉积时间5000s，所得Cu-Mg合金的厚度为1.5μm。
步骤4，由于沉积过程中溅射原子长时间轰击基体，导致制得的Cu-Mg合金有一定的温升，沉积结束后在高真空镀膜室中随炉充分冷却后再退出，可以确保样品内应力较小且表面不被空气氧化。
采用磁控溅射共溅射方法在超声清洗洁净的单晶硅片表面沉积Cu-Mg合金，其原理是通过Ar气电离产生Ar+离子，在阴极电位吸引下加速轰击阴极靶材(Cu和Mg)，溅射出靶材原子以及二次电子，靶材原子朝相反方向沉积到阳极基板，二次电子在正交电磁场中的运动方向与电场、磁场垂直，呈现圆滚线运动轨迹，增强了同Ar分子的碰撞，提高了Ar电离的几率。该技术的突出优势是离化率高，沉积速率快，工作温度低且元素含量可调控，不易造成靶材元素的团聚和反溅射现象，造成微观组织的不均匀。最后在高真空镀膜室自然冷却至室温，避免快速暴露空气中的氧化，使沉积原子充分扩散形成最终的Cu-Mg合金。
实施例1
一种Cu-Mg合金的制备方法，包括以下步骤；
步骤1，在分析纯丙酮和乙醇中依次对单晶硅基体进行超声清洗各10min，然后使用暖风迅速烘干。
步骤2，将单晶硅基体固定在基盘上，机械自动伴送进入磁控溅射真空镀膜室，抽至背底真空度在4.0×10-4Pa以下，
步骤3，采用磁控溅射直流和射频电源共溅射在单晶硅基体上沉积Cu-Mg合金；
其中，Cu靶(纯度99.99wt％)采用直流电源，功率200W，Mg靶(纯度99.97wt％)采用射频电源，功率10W，沉积气压设定1.0Pa，沉积温度为室温，基盘转速15r/min，同时开启直流电源和射频电源开始共溅射沉积，沉积时间5000s。
步骤4，将步骤3得到的单晶硅基体在高真空镀膜室中自然冷却2-3小时至室温退出，得到Cu-2.8at％Mg合金，厚度为1.5μm。
对所制备的Cu-2.8at％Mg合金进行微观组织表征和力学性能测试，晶粒呈现柱状纳米晶且存在纳米孪晶结构，合金元素Mg均匀分布，柱状纳米晶的尺寸为39.6nm，纳米孪晶的百分比75％，在3500μN载荷下纳米压入测得其硬度为2.97±0.08GPa。
实施例2
一种Cu-Mg合金的制备方法，包括以下步骤；
步骤1，在分析纯丙酮和乙醇中依次对单晶硅基体进行超声清洗各10min，然后使用暖风迅速烘干。
步骤2，将单晶硅基体固定在基盘上，机械自动伴送进入磁控溅射真空镀膜室，抽至背底真空度在4.0×10-4Pa以下。
步骤3，采用磁控溅射直流和射频电源共溅射在超声清洗后的单晶硅基体上沉积Cu-Mg合金；
其中，Cu靶(纯度99.99wt％)采用直流电源，功率200W，Mg靶(纯度99.97wt％)采用射频电源，功率20W，沉积气压设定1.0Pa，沉积温度为室温，基盘转速15r/min，同时开启直流电源和射频电源开始共溅射沉积，沉积时间5000s。
步骤4，将步骤3得到的单晶硅基体在高真空镀膜室中自然冷却2-3小时至室温退出，得到Cu-6.5at％Mg合金，厚度为1.5μm。
对所制备的Cu-6.5at％Mg合金进行微观组织表征和力学性能测试，晶粒呈现柱状晶且存在细小的纳米孪晶结构，合金元素Mg均匀分布，柱状纳米晶的尺寸为21.35nm，纳米孪晶的百分比为30％，在3500μN载荷下纳米压入测得其硬度为3.59±0.08GPa。
实施例3
一种Cu-Mg合金的制备方法，包括以下步骤；
步骤1，在分析纯丙酮和乙醇中依次对单晶硅基体进行超声清洗各10min，然后使用暖风迅速烘干。
步骤2，将单晶硅基体固定在基盘上，机械自动伴送进入磁控溅射真空镀膜室，抽至背底真空度在4.0×10-4Pa以下。
步骤3，采用磁控溅射直流和射频电源共溅射在超声清洗后的单晶硅基体上沉积Cu-Mg合金；
其中，Cu靶(纯度99.99wt％)采用直流电源，功率200W，Mg靶(纯度99.97wt％)采用射频电源，功率30W，沉积气压设定1.0Pa，沉积温度为室温，基盘转速15r/min，同时开启直流电源和射频电源开始共溅射沉积，沉积时间5000s。
步骤4，将步骤3得到的单晶硅基体在高真空镀膜室中自然冷却2-3小时至室温退出，得到Cu-8.2at％Mg合金，厚度～1.5μm。
对所制备的Cu-8.2at％Mg合金进行微观组织表征和力学性能测试，晶粒呈现柱状晶且存在细小的纳米孪晶结构，合金元素Mg均匀分布，，柱状纳米晶的尺寸为16.8nm，纳米孪晶的百分比为10％，在3500μN载荷下纳米压入测得其硬度为4.09±0.19GPa。
实施例4
一种Cu-Mg合金的制备方法，包括以下步骤；
步骤1，在分析纯丙酮和乙醇中依次对单晶硅基体进行超声清洗各10min，然后使用暖风迅速烘干。
步骤2，将单晶硅基体固定在基盘上，机械自动伴送进入磁控溅射真空镀膜室，抽至背底真空度在4.0×10-4Pa以下。
步骤3，采用磁控溅射直流和射频电源共溅射在超声清洗后的单晶硅基体上沉积Cu-Mg合金；
其中，Cu靶(纯度99.99wt％)采用直流电源，功率200W，Mg靶(纯度99.97wt％)采用射频电源，功率45W，沉积气压设定1.0Pa，沉积温度为室温，基盘转速15r/min，同时开启直流电源和射频电源开始共溅射沉积，沉积时间5000s。
步骤4，将步骤3得到的单晶硅基体在高真空镀膜室中自然冷却2-3小时至室温退出，得到Cu-16.8at％Mg合金，厚度为1.5μm。
对所制备的Cu-16.8at％Mg合金进行微观组织表征和力学性能测试，晶粒呈现柱状晶，且不存在纳米孪晶结构，柱状纳米晶的尺寸为9.7nm，合金元素Mg均匀分布，在3500μN载荷下纳米压入测得其硬度为3.68±0.20GPa。
以上内容仅为说明本发明的技术思想，不能以此限定本发明的保护范围，凡是按照本发明提出的技术思想，在技术方案基础上所做的任何改动，均落入本发明权利要求书的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种铜镁合金，其特征在于，铜镁合金中原子百分比为：Mg 2.8%~16.8%，其余为Cu；所述铜镁合金的晶粒为柱状纳米晶，且柱状纳米晶内含有纳米孪晶结构，柱状纳米晶的尺寸为9.7 nm~39.6 nm，所述纳米孪晶的百分比不超过75%；
所述铜镁合金的纳米压痕硬度为2.97GPa~4.09GPa。
2.根据权利要求1所述的铜镁合金，其特征在于：所述Mg的原子百分比为8.2%。
3.一种权利要求1或2所述的铜镁合金的制备方法，其特征在于，包括以下步骤；
步骤1：对基体表面进行清洗烘干；
步骤2：将基体送入磁控溅射镀膜室，然后抽真空；
所述抽真空至背底真空度小于4.0×10-4 Pa；
步骤3：采用磁控溅射共溅射方法在基体上制备铜镁合金；
所述Cu靶纯度99.99 wt.%，直流电源功率200 W，Mg靶纯度99.97 wt.%，射频电源功率10~45 W，沉积Ar气气压1.0 Pa，沉积温度为室温，基盘转速15r/min，沉积时间5000 s，所得Cu-Mg合金厚度为1.5 μm；
步骤4：将步骤3得到的基体进行真空冷却，得到铜镁合金。
4.根据权利要求3所述的铜镁合金的制备方法，其特征在于，步骤1中所述清洗烘干处理的方法具体如下：
将抛光的基体在丙酮和酒精中依次超声清洗10 min，然后烘干，抛光面的粗糙度小于0.8 nm。
5.根据权利要求3所述铜镁合金的制备方法，其特征在于，步骤3中所述磁控溅射共溅射方法为：Cu靶采用直流电源进行溅射，Mg靶采用射频电源进行溅射。
6.根据权利要求3所述铜镁合金的制备方法，其特征在于，所述基体为硅基体。
CN201910457583.3A 2019-05-29 2019-05-29 一种铜镁合金及其制备方法 Active CN110144483B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910457583.3A CN110144483B (zh) 2019-05-29 2019-05-29 一种铜镁合金及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910457583.3A CN110144483B (zh) 2019-05-29 2019-05-29 一种铜镁合金及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110144483A CN110144483A (zh) 2019-08-20
CN110144483B true CN110144483B (zh) 2020-11-10

Family

ID=67592271

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910457583.3A Active CN110144483B (zh) 2019-05-29 2019-05-29 一种铜镁合金及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110144483B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023283865A1 (en) * 2021-07-15 2023-01-19 University Of Science And Technology Beijing Forming nanotwinned regions in a ceramic coating at a tunable volume fraction

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005139539A (ja) * 2003-11-10 2005-06-02 Toudai Tlo Ltd マグネシウム化合物被膜を有する金属材料、スパッタリング用ターゲット部材、スパッタリング用ターゲット部材の製造方法およびマグネシウム化合物被膜の形成方法
CN102119230A (zh) * 2008-08-14 2011-07-06 株式会社神户制钢所 显示装置、其所使用的Cu合金膜和Cu合金溅射靶
CN103094352A (zh) * 2011-11-02 2013-05-08 日立电线株式会社 薄膜晶体管及其制造方法、以及具备薄膜晶体管的显示装置、溅射靶材
CN106756796A (zh) * 2017-03-09 2017-05-31 吉林大学 一种提高纳米晶铜力学性能的纳米晶铜钽合金的制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005139539A (ja) * 2003-11-10 2005-06-02 Toudai Tlo Ltd マグネシウム化合物被膜を有する金属材料、スパッタリング用ターゲット部材、スパッタリング用ターゲット部材の製造方法およびマグネシウム化合物被膜の形成方法
CN102119230A (zh) * 2008-08-14 2011-07-06 株式会社神户制钢所 显示装置、其所使用的Cu合金膜和Cu合金溅射靶
CN103094352A (zh) * 2011-11-02 2013-05-08 日立电线株式会社 薄膜晶体管及其制造方法、以及具备薄膜晶体管的显示装置、溅射靶材
CN106756796A (zh) * 2017-03-09 2017-05-31 吉林大学 一种提高纳米晶铜力学性能的纳米晶铜钽合金的制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Amorphous and nanocrystalline sputtered Mg–Cu thin films;H.S. Chou et al.;《Journal of Alloys and Compounds》;20081212(第483期);第341–345页 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN110144483A (zh) 2019-08-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113151795A (zh) 一种NbMoTaWAl难熔高熵合金薄膜及其制备方法
CN113913751B (zh) 一种Cu-高熵合金薄膜及其制备方法
CN110144484B (zh) 一种Cu-NbMoTaW合金及其制备方法
US20080171215A1 (en) High density refractory metals & alloys sputtering targets
WO2007080781A1 (ja) 非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット
CN112481589B (zh) 一种具有可控相变特性的纯金属/高熵合金纳米多层薄膜及其制备方法
JP2013241684A (ja) スパッタリング用ＭｇＯターゲット
CN110144483B (zh) 一种铜镁合金及其制备方法
JP2022520091A (ja) ネオジム鉄ホウ素磁石の保磁力と耐摩耗性及び耐食性を改善する方法
JP2005158933A (ja) 半導体または液晶製造装置部材およびその製造方法
CN111349807A (zh) 一种镀铜石墨膜增强铜基层压块体复合材料及其制备方法
CN110512181B (zh) 一种纳米晶Al-Zr合金薄膜及其制备方法
CN114657525A (zh) 一种FeCrAl/Ta合金涂层及其制备方法
CN110144485B (zh) 一种Cu-Ta合金及其制备方法
CN114672777B (zh) 一种抗氧化Cr/CrAl纳米多层涂层及其制备方法
CN114672778A (zh) 一种纳米晶NbMoTaWTi难熔高熵合金涂层及其制备方法
JP2001295035A (ja) スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP2013033581A (ja) 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法
CN112962060B (zh) 一种Cr3Al/Zr多层薄膜及其制备方法
JP3532063B2 (ja) スパッタリング用ターゲットおよび皮膜形成方法
CN101117705A (zh) 钨酸锆-铜梯度复合薄膜的制备方法
CN113088904B (zh) 一种具有纳米多级结构的金属Cr涂层及其制备方法
CN114807880B (zh) 一种纳米晶TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层及其制备方法
CN117467939A (zh) 一种Ag-Cu-Al合金薄膜及其制备方法
JP2000239835A (ja) スパッタリングターゲット

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant