JPS62186511A - タ−ゲツト部材 - Google Patents
タ−ゲツト部材Info
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- JPS62186511A JPS62186511A JP2819586A JP2819586A JPS62186511A JP S62186511 A JPS62186511 A JP S62186511A JP 2819586 A JP2819586 A JP 2819586A JP 2819586 A JP2819586 A JP 2819586A JP S62186511 A JPS62186511 A JP S62186511A
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Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は垂直磁化膜用のパーマロイ膜、磁気バブルの転
送回路膜等をスパッター法で作製するときに用いる、タ
ーゲット部材に関するものである。
送回路膜等をスパッター法で作製するときに用いる、タ
ーゲット部材に関するものである。
軟磁性のパーマロイ薄膜は通常、真空蒸着法がスパッタ
ー法で作成される。蒸着の場合、ターゲット部材は電子
ビーム、高周波あるいは抵抗加熱で加熱・溶解される。
ー法で作成される。蒸着の場合、ターゲット部材は電子
ビーム、高周波あるいは抵抗加熱で加熱・溶解される。
一方、スパッターの場合、通常Ａｒイオンがターゲット
部材に衝突し、たたき出された原子が基板上に薄膜とし
て成長する。
部材に衝突し、たたき出された原子が基板上に薄膜とし
て成長する。
したがって、スパッターリングの方がターゲット部材の
属性が薄膜に転写される比率が大きいといえる。
属性が薄膜に転写される比率が大きいといえる。
蒸着法では一度溶解されるため、ターゲット部材に要求
される性質としては、 （１）溶解したときガス放出が少ない、（２）溶湯表面
に酸化物が浮と、凝集しない、（３）不純物が少ない、 等の冶金上の清浄性が要求される。そのため、蒸着用タ
ーゲット部材においては、材料が鋳造品の状態であるか
加工された状態であるかは大きな問題ではなかった。
される性質としては、 （１）溶解したときガス放出が少ない、（２）溶湯表面
に酸化物が浮と、凝集しない、（３）不純物が少ない、 等の冶金上の清浄性が要求される。そのため、蒸着用タ
ーゲット部材においては、材料が鋳造品の状態であるか
加工された状態であるかは大きな問題ではなかった。
スパッター用ターゲット部材においても、従来化学組成
上の管理が主で、金属組織的な結晶粒度、結晶繊維組織
と膜質についてあまり関心は払われていなかった。
上の管理が主で、金属組織的な結晶粒度、結晶繊維組織
と膜質についてあまり関心は払われていなかった。
本発明は溶解以降のターゲット部材の製造工程がスパッ
ター膜の特性に影響するかを調査究明した結果に基づく
ものである。
ター膜の特性に影響するかを調査究明した結果に基づく
ものである。
スパッターリングによって、パーマロイ薄膜をガラス板
上に成膜したとき１例えば鋳造状態の材料から機械加工
で採取したターゲットを使用すると、薄膜の保磁力が小
さいスパッター条件の許容範囲が狭く、かつ保磁力も小
さくなりにくい欠点があった。
上に成膜したとき１例えば鋳造状態の材料から機械加工
で採取したターゲットを使用すると、薄膜の保磁力が小
さいスパッター条件の許容範囲が狭く、かつ保磁力も小
さくなりにくい欠点があった。
本発明は、スパッター膜の特性とターゲツト材の組成を
かえずに、製造工程を可変して各種異なる金属組織にし
たとき、均一な膜質でかつ低い保磁力が得られた発見に
基づく、スパッターリング用ターゲット部材を提供する
ものである。
かえずに、製造工程を可変して各種異なる金属組織にし
たとき、均一な膜質でかつ低い保磁力が得られた発見に
基づく、スパッターリング用ターゲット部材を提供する
ものである。
本発明はＦｅ−Ｎｉ合金の低保磁力でかつ均一な膜質が
得られるターゲット部材の組成と製造工程を検討して得
られた結果に基づくものである。
得られるターゲット部材の組成と製造工程を検討して得
られた結果に基づくものである。
本発明のターゲット部材の組成として、重量比でＮｉ７
Ｏ−８５％、 Ｃｕ ２〜１０％およびＭｏ １−６％
とＣｒ００５〜３％の１種または２種を含有し、残部実
質的にＦｏとしたのは、成分的にＮｉが７０％未満およ
び８５％を越えると軟磁性が劣り、またＣｕが２％未満
では交流での透磁率向上の効果がなく、１０％を越える
と飽和磁化が小さくなり、かつＭｏ１〜６％とＣｒ００
５〜３％の１種または２種を含有するのは、それぞれ下
限未満の場合は透磁率向上に効果が少なく、上限を越え
ると飽和磁化が低下してしまうためである。
Ｏ−８５％、 Ｃｕ ２〜１０％およびＭｏ １−６％
とＣｒ００５〜３％の１種または２種を含有し、残部実
質的にＦｏとしたのは、成分的にＮｉが７０％未満およ
び８５％を越えると軟磁性が劣り、またＣｕが２％未満
では交流での透磁率向上の効果がなく、１０％を越える
と飽和磁化が小さくなり、かつＭｏ１〜６％とＣｒ００
５〜３％の１種または２種を含有するのは、それぞれ下
限未満の場合は透磁率向上に効果が少なく、上限を越え
ると飽和磁化が低下してしまうためである。
また合金を製造する七で添加する場合もある脱酸剤とし
て２％以下のＳｉ、Ｍｎおよび１％以下のＡ１と熱間加
工性改善の効果がある０、０５％以下のＭｇとＣａは本
発明の低保磁力薄膜が得られるターゲット部材として問
題ないことは確認しである。
て２％以下のＳｉ、Ｍｎおよび１％以下のＡ１と熱間加
工性改善の効果がある０、０５％以下のＭｇとＣａは本
発明の低保磁力薄膜が得られるターゲット部材として問
題ないことは確認しである。
本発明の場合、ターゲツト材の結晶粒度をＪＩＳオース
テナイト結晶粒度番号Ｎｏ、３より細かくする必要があ
る。そのため、熱間加工の終了温度を７５０〜１０５０
℃に管理するか、更に冷間加工を施した後、７００℃か
ら１１５０℃で焼鈍を行う必要がある。
テナイト結晶粒度番号Ｎｏ、３より細かくする必要があ
る。そのため、熱間加工の終了温度を７５０〜１０５０
℃に管理するか、更に冷間加工を施した後、７００℃か
ら１１５０℃で焼鈍を行う必要がある。
いずれも下限温度以下では均一な再結晶粒が粗大化して
しまうためである。ここで熱間加工はプレス、ハンマー
、圧延のいずれでも良く、また冷間加工は減面率が１０
％以上であると効果が大きい。
しまうためである。ここで熱間加工はプレス、ハンマー
、圧延のいずれでも良く、また冷間加工は減面率が１０
％以上であると効果が大きい。
次にターゲット部材の結晶粒度を限定した理由は、ＪＩ
Ｓオーステナイト結晶粒度番号Ｎ ｏ 、 ３のものよ
り大きいとスパッター膜の膜厚変動が大きく、保磁力も
Ｈｅ≧３ （Ｏｓ）と軟磁性が大きいが、それより結晶
粒が細いと保磁力の小さい膜特性が得られるため、結晶
粒度を粒度番号でＮｏ、３以上とした。
Ｓオーステナイト結晶粒度番号Ｎ ｏ 、 ３のものよ
り大きいとスパッター膜の膜厚変動が大きく、保磁力も
Ｈｅ≧３ （Ｏｓ）と軟磁性が大きいが、それより結晶
粒が細いと保磁力の小さい膜特性が得られるため、結晶
粒度を粒度番号でＮｏ、３以上とした。
ここで結晶粒度番号でＮ００３以上とは、ＪＩＳＧ５５
０１において結晶粒が平均断面積で０．０１５６ｆ１１
１２より細いことを意味する。
０１において結晶粒が平均断面積で０．０１５６ｆ１１
１２より細いことを意味する。
高周波真空誘導溶解炉において第１表に化学組成を示す
合金を溶解し、１１０閣φ×１５０■長さの鋼塊を製造
した。次いでロットにより熱間加工あるいは更に冷間加
工と焼鈍を施し結晶粒度の異なるＬＱ１ｍＸφ６ｍ厚み
のターゲットを作製した。
合金を溶解し、１１０閣φ×１５０■長さの鋼塊を製造
した。次いでロットにより熱間加工あるいは更に冷間加
工と焼鈍を施し結晶粒度の異なるＬＱ１ｍＸφ６ｍ厚み
のターゲットを作製した。
上記ターゲットを使用して、軟質ガラス板上に膜厚０．
５μのスパッター膜を初期真空度ＩＸ１．０−’ｔｏｒ
ｒ、高周波出力３００す、Ａｒ操作圧力３×１Ｏ−３ｔ
ｏｒｒの条件下で成膜し、振動磁力計にて保磁力Ｈｅを
測定した。
５μのスパッター膜を初期真空度ＩＸ１．０−’ｔｏｒ
ｒ、高周波出力３００す、Ａｒ操作圧力３×１Ｏ−３ｔ
ｏｒｒの条件下で成膜し、振動磁力計にて保磁力Ｈｅを
測定した。
比較部材として、鋼塊状態から採取した結晶粒の大きい
ターゲットと加工条件で結晶粒度を大きくした事例を第
１表の試料番号１〜３に示す。試料番号４〜８は本発明
部材で低保磁力が得られていることがわかる。
ターゲットと加工条件で結晶粒度を大きくした事例を第
１表の試料番号１〜３に示す。試料番号４〜８は本発明
部材で低保磁力が得られていることがわかる。
本発明によれば、従来パーマロイ・ターゲットを用いて
垂直磁化用下地膜をスパッター法で成膜した時の、膜の
不均一性、高保磁力性による感度の低下や局部変動がな
くなり、高品質・高信頼の動作が達成できる。
垂直磁化用下地膜をスパッター法で成膜した時の、膜の
不均一性、高保磁力性による感度の低下や局部変動がな
くなり、高品質・高信頼の動作が達成できる。
すなわち、本発明のターゲット部材はスパッター膜の低
保磁力化をもたらすもので、工業上非常手続補正書（自
発） 昭和 ６キ１０°を ■
保磁力化をもたらすもので、工業上非常手続補正書（自
発） 昭和 ６キ１０°を ■
Claims (1)
- １ 重量％において、Ｎｉ７０〜８５％、Ｃｕ２〜１０
％、およびＭｏ１〜６％とＣｒ０．５〜３％の１種また
は２種を含有し、残部実質的にＦｅよりなる合金におい
て、スパッターリングされる面の結晶粒度がＪＩＳオー
ステナイト結晶粒度番号Ｎｏ、３のものより小さいこと
を特徴とするスパッター用ターゲット部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61028195A JPH06104895B2 (ja) | 1986-02-12 | 1986-02-12 | タ−ゲツト部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61028195A JPH06104895B2 (ja) | 1986-02-12 | 1986-02-12 | タ−ゲツト部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62186511A true JPS62186511A (ja) | 1987-08-14 |
| JPH06104895B2 JPH06104895B2 (ja) | 1994-12-21 |
Family
ID=12241892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61028195A Expired - Lifetime JPH06104895B2 (ja) | 1986-02-12 | 1986-02-12 | タ−ゲツト部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06104895B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63100148A (ja) * | 1986-10-16 | 1988-05-02 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 蒸着用Ｎｉ−Ｆｅ基合金 |
| JPS63216966A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-09 | Toshiba Corp | スパツタタ−ゲツト |
| CN1048528C (zh) * | 1997-09-12 | 2000-01-19 | 冶金工业部钢铁研究总院 | 溅射玻璃镀膜用镍基变形合金靶材 |
| CN110670032A (zh) * | 2019-10-29 | 2020-01-10 | 金堆城钼业股份有限公司 | 一种钼镍铜多元合金溅射靶材及其制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5078505A (ja) * | 1973-11-15 | 1975-06-26 | ||
| JPS5232809A (en) * | 1975-09-09 | 1977-03-12 | Daido Steel Co Ltd | High permeability sintered iron-nickel base alloy |
| JPS57203771A (en) * | 1981-06-10 | 1982-12-14 | Mitsubishi Metal Corp | Manufacture of target for vapor-deposition |
| JPS58164780A (ja) * | 1982-03-23 | 1983-09-29 | Hitachi Metals Ltd | スパツタ用タ−ゲツトの作成方法 |
-
1986
- 1986-02-12 JP JP61028195A patent/JPH06104895B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5078505A (ja) * | 1973-11-15 | 1975-06-26 | ||
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63100148A (ja) * | 1986-10-16 | 1988-05-02 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 蒸着用Ｎｉ−Ｆｅ基合金 |
| JPH0430450B2 (ja) * | 1986-10-16 | 1992-05-21 | ||
| JPS63216966A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-09 | Toshiba Corp | スパツタタ−ゲツト |
| JPH0371510B2 (ja) * | 1987-03-06 | 1991-11-13 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| CN1048528C (zh) * | 1997-09-12 | 2000-01-19 | 冶金工业部钢铁研究总院 | 溅射玻璃镀膜用镍基变形合金靶材 |
| CN110670032A (zh) * | 2019-10-29 | 2020-01-10 | 金堆城钼业股份有限公司 | 一种钼镍铜多元合金溅射靶材及其制备方法 |
| CN110670032B (zh) * | 2019-10-29 | 2021-10-01 | 金堆城钼业股份有限公司 | 一种钼镍铜多元合金溅射靶材及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06104895B2 (ja) | 1994-12-21 |
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