JPS58164780A - スパツタ用タ−ゲツトの作成方法 - Google Patents
スパツタ用タ−ゲツトの作成方法Info
- Publication number
- JPS58164780A JPS58164780A JP4448582A JP4448582A JPS58164780A JP S58164780 A JPS58164780 A JP S58164780A JP 4448582 A JP4448582 A JP 4448582A JP 4448582 A JP4448582 A JP 4448582A JP S58164780 A JPS58164780 A JP S58164780A
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- JP
- Japan
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- target
- sputtering
- composition
- powder
- mold
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- Pending
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/10—Glass or silica
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、スパッタ用ターゲットの作成方法に係り、特
に、粉末冶金（同相反応）法によるスパッタ用ターゲッ
トの作成方法に関するものである。
に、粉末冶金（同相反応）法によるスパッタ用ターゲッ
トの作成方法に関するものである。
従来のスパッタ用ターゲットの作成方法は、次の三つの
方法がある。
方法がある。
（１）溶−したものを鋳型に流し込んで冷却し凝固させ
た俵、成形加工、歪取り加工などを行ない、目的とする
形状、組成のターゲットとする。
た俵、成形加工、歪取り加工などを行ない、目的とする
形状、組成のターゲットとする。
（２）溶融したものを冷却し凝固させた後、酔いてカリ
ット状にして、スパッタ用のトレイの上に敷きつめてタ
ーゲットとする。
ット状にして、スパッタ用のトレイの上に敷きつめてタ
ーゲットとする。
（３）幾種類かの材料をモザイク状に並べてターゲット
とする。
とする。
以上の方法があるが、この三つの方法には、それぞれ次
の欠点がある。
の欠点がある。
（１）の方法は、凝固において厚み方向に組成のむらが
生じやすく、また、硬いもの、もろいものは、加工が困
難である、そして、このターゲットは、スパッタ時の熱
応力により割れやすい。
生じやすく、また、硬いもの、もろいものは、加工が困
難である、そして、このターゲットは、スパッタ時の熱
応力により割れやすい。
（２）の方法は、組成のむらが生じやすく、また、スパ
ッタ輪重にセット時、並べ方が変化するのでスパッタの
むらが生じやすい。
ッタ輪重にセット時、並べ方が変化するのでスパッタの
むらが生じやすい。
（３）の方法は、組成のむ９が著しい。
本発明は、上記の諸欠点を解消したもので、従来より低
部で、かつ、希望の形状のターゲットが作成でき、また
、組成のむらがなく、割れにくいスパッタ用ターゲット
の作成方法の提供を、その目的とするものである。
部で、かつ、希望の形状のターゲットが作成でき、また
、組成のむらがなく、割れにくいスパッタ用ターゲット
の作成方法の提供を、その目的とするものである。
本発明の特徴は、所定の組成になるように秤量した酸化
物粉末を、粉末の粒径をそろえると同時に均等に混合し
、該粉末を型に挿入し加圧して成形し、しかるＩＩ焼成
するスパッタ用ターゲットの作成方法にある。
物粉末を、粉末の粒径をそろえると同時に均等に混合し
、該粉末を型に挿入し加圧して成形し、しかるＩＩ焼成
するスパッタ用ターゲットの作成方法にある。
以下、本発明の一実施例を説明する。本実施例は、組成
Ｓｉ ０２５０％、Ａｆｌ、２０ｓ ２０％Ｃａ０３０
％のガラスターゲットを作成した例であり、図は、その
型のふたを開いた状態を示す斜視図である。
Ｓｉ ０２５０％、Ａｆｌ、２０ｓ ２０％Ｃａ０３０
％のガラスターゲットを作成した例であり、図は、その
型のふたを開いた状態を示す斜視図である。
まず、所定の組成になるように秤量した酸化物粉末を、
ライカイ機を用いて粉末の粒径を１μ−にそろえると同
時に均等に混合する。その後、図に示す型１に酸化物粉
末２をつめてふた３をし、ふた３に２００ｋｏ／ＣＩＱ
の圧力をかけてプレスした後に、大気中で約７５０’Ｃ
の温度で１０時間のし 焼成を行なった。この結果、直径２００−φ、厚、：１ み２０−のターゲットが作成できた。
ライカイ機を用いて粉末の粒径を１μ−にそろえると同
時に均等に混合する。その後、図に示す型１に酸化物粉
末２をつめてふた３をし、ふた３に２００ｋｏ／ＣＩＱ
の圧力をかけてプレスした後に、大気中で約７５０’Ｃ
の温度で１０時間のし 焼成を行なった。この結果、直径２００−φ、厚、：１ み２０−のターゲットが作成できた。
このターゲットの組成をＸ輪分析機で分析した結果、組
成は、ねらった成分とほとんど一致し、ターゲツト面内
および厚み方向の組成のむらがほとんど観測されなかっ
た。
成は、ねらった成分とほとんど一致し、ターゲツト面内
および厚み方向の組成のむらがほとんど観測されなかっ
た。
つぎに、実際に、このターゲットをスパッタ装置に装着
して使用した場合の結果について示す。
して使用した場合の結果について示す。
なお、使用したスパッタ装置は、マグネトロンタイプの
実速スパッタ装置である。
実速スパッタ装置である。
前記従来の（１）の方法で作成したガラスターゲットＡ
と、本実施例の方法で作成したターゲットＢを用いてス
パッタして作成した膜の組成を比較すると、Ａ、Ｂいず
れのターゲットでも、はぼ同等の組成ずれを生じている
ことが判明した。
と、本実施例の方法で作成したターゲットＢを用いてス
パッタして作成した膜の組成を比較すると、Ａ、Ｂいず
れのターゲットでも、はぼ同等の組成ずれを生じている
ことが判明した。
これは、個々の化合物形成物質スパッタ率の遠いに起因
するためのもので、躾作成上障書となるものでないから
問題とはしないが、上記２種類のターゲットＡ、Ｂを用
いた場合の躾の組成は、はぼ同等である。“ また、スバツ゛、舊された面内の膜の組成は、半径１５
０■にわたりｉ：′Ｍぼ均一になつていた。モしてり１
１ 一ゲットへでは、この時点でひび割れが生じてい
またがターゲットＢでは、生じていなかった。
するためのもので、躾作成上障書となるものでないから
問題とはしないが、上記２種類のターゲットＡ、Ｂを用
いた場合の躾の組成は、はぼ同等である。“ また、スバツ゛、舊された面内の膜の組成は、半径１５
０■にわたりｉ：′Ｍぼ均一になつていた。モしてり１
１ 一ゲットへでは、この時点でひび割れが生じてい
またがターゲットＢでは、生じていなかった。
以上説明したように、本実施例に係る粉末冶金（ＩＩ相
反応）、法を用いて作成したスパッタ用ターゲットは、
従来のターゲットとばば同等の膜質が得られ、また、タ
ーゲツト面にひび割□れが生じないので、ターゲットの
寿命が延びるものである。
反応）、法を用いて作成したスパッタ用ターゲットは、
従来のターゲットとばば同等の膜質が得られ、また、タ
ーゲツト面にひび割□れが生じないので、ターゲットの
寿命が延びるものである。
なお、この粉末冶金法を用いるスバータ用ターゲットの
作成方法は、ガラスターゲットのみならず、金属□合金
あるいはセラミック等の化合−のターゲットを用いる場
合でも、ひろく通用できるものである。
作成方法は、ガラスターゲットのみならず、金属□合金
あるいはセラミック等の化合−のターゲットを用いる場
合でも、ひろく通用できるものである。
以上述べたよ□うに、本発明は、総合して、低温で希望
の形状にターゲットを作成でき、ま□た、組成のむらが
なく、ひび□割れの□生じにくいスパッタ用ターゲット
の作成方法を所期で遣るものであって、実用的効果に優
れた発明ということができる。
の形状にターゲットを作成でき、ま□た、組成のむらが
なく、ひび□割れの□生じにくいスパッタ用ターゲット
の作成方法を所期で遣るものであって、実用的効果に優
れた発明ということができる。
図は、本発明の一実施例に係るスパッタ用ターゲットの
作□成方法に使用する型の斜視図である。 １・・・型、２・・・酸化物粉末、３−・・ふた。 特許出願人 日立金属株式会社
作□成方法に使用する型の斜視図である。 １・・・型、２・・・酸化物粉末、３−・・ふた。 特許出願人 日立金属株式会社
Claims (1)
- 所定の組成になるように秤量した酸化物粉末を、粉末の
粒径をそろえると同時に均等に混合し、該粉末を型に挿
入し加圧して成形し、しかる後、焼成することを特徴と
するスパッタ用ターゲットの作成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4448582A JPS58164780A (ja) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | スパツタ用タ−ゲツトの作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4448582A JPS58164780A (ja) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | スパツタ用タ−ゲツトの作成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58164780A true JPS58164780A (ja) | 1983-09-29 |
Family
ID=12692839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4448582A Pending JPS58164780A (ja) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | スパツタ用タ−ゲツトの作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58164780A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6289862A (ja) * | 1985-10-16 | 1987-04-24 | Hitachi Metals Ltd | スパッター用ターゲット部材およびその製造方法 |
| JPS6289863A (ja) * | 1985-10-16 | 1987-04-24 | Hitachi Metals Ltd | スパッター用ターゲット部材およびその製造方法 |
| JPS62186511A (ja) * | 1986-02-12 | 1987-08-14 | Hitachi Metals Ltd | タ−ゲツト部材 |
| JPH0196382A (ja) * | 1987-10-07 | 1989-04-14 | Agency Of Ind Science & Technol | Ｂｉ３Ｆｅ５Ｏ１２薄膜製造用ターゲット及びその製造方法 |
| JPH03264640A (ja) * | 1990-03-13 | 1991-11-25 | Hitachi Metals Ltd | Ｔｉ‐Ｗターゲット材およびその製造方法 |
-
1982
- 1982-03-23 JP JP4448582A patent/JPS58164780A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6289862A (ja) * | 1985-10-16 | 1987-04-24 | Hitachi Metals Ltd | スパッター用ターゲット部材およびその製造方法 |
| JPS6289863A (ja) * | 1985-10-16 | 1987-04-24 | Hitachi Metals Ltd | スパッター用ターゲット部材およびその製造方法 |
| JPS62186511A (ja) * | 1986-02-12 | 1987-08-14 | Hitachi Metals Ltd | タ−ゲツト部材 |
| JPH0196382A (ja) * | 1987-10-07 | 1989-04-14 | Agency Of Ind Science & Technol | Ｂｉ３Ｆｅ５Ｏ１２薄膜製造用ターゲット及びその製造方法 |
| JPH0242899B2 (ja) * | 1987-10-07 | 1990-09-26 | ||
| JPH03264640A (ja) * | 1990-03-13 | 1991-11-25 | Hitachi Metals Ltd | Ｔｉ‐Ｗターゲット材およびその製造方法 |
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