JPH01309961A - Ｃｒ−Ｃｕターゲット材およびターゲット材の製造方法 - Google Patents
Ｃｒ−Ｃｕターゲット材およびターゲット材の製造方法Info
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- JPH01309961A JPH01309961A JP14033188A JP14033188A JPH01309961A JP H01309961 A JPH01309961 A JP H01309961A JP 14033188 A JP14033188 A JP 14033188A JP 14033188 A JP14033188 A JP 14033188A JP H01309961 A JPH01309961 A JP H01309961A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、エレクトロニクス分野その他で薄膜生成のた
めに使用されるＣｒ合金等のスパッタリングターゲット
に関するものである。
めに使用されるＣｒ合金等のスパッタリングターゲット
に関するものである。
スパッタリングは、高品質の薄膜が容易に生成できるこ
とから現在各分野で脚光を浴びている成膜方法である。
とから現在各分野で脚光を浴びている成膜方法である。
このうち、Ｃｒを主成分とするターゲットは磁気記録用
、薄膜電極等に用いられている。そしてこのＣｒ合金タ
ーゲットは、主に溶解法により製造されていた。
、薄膜電極等に用いられている。そしてこのＣｒ合金タ
ーゲットは、主に溶解法により製造されていた。
しかし、ＣｒにＣｕを添加した合金を溶解法によって製
造した場合、Ｃｕが偏析し、十分に高品質な膜を得るこ
とが難しくなる、割れが発生し易いという問題点があっ
た。
造した場合、Ｃｕが偏析し、十分に高品質な膜を得るこ
とが難しくなる、割れが発生し易いという問題点があっ
た。
本発明の目的は、偏析のない高品質なターゲット材およ
びその製造方法を提供することである。
びその製造方法を提供することである。
本発明は、主成分であるＣｒ基地および該基地中に粒子
状で存在する原子比１０％以下の均一に分散したＣｕ粒
子からなり、Ｃｕの成分偏在を防止したことを特徴とす
るＣｒ−Ｃｕターゲット材、ならびに５２種以上の元素
でなるスパッタリングターゲット材の製造方法において
、１種または２種以上の組成の粉末を均一に混合しカプ
セルに充填して熱間静水圧プレス法により圧密化するこ
とを特徴とするターゲット材の製造方法である。
状で存在する原子比１０％以下の均一に分散したＣｕ粒
子からなり、Ｃｕの成分偏在を防止したことを特徴とす
るＣｒ−Ｃｕターゲット材、ならびに５２種以上の元素
でなるスパッタリングターゲット材の製造方法において
、１種または２種以上の組成の粉末を均一に混合しカプ
セルに充填して熱間静水圧プレス法により圧密化するこ
とを特徴とするターゲット材の製造方法である。
本発明は粉末法により鋳造に伴う成分偏析、＆８造割れ
等の問題の発生を防止せんとするものであり、本発明で
２種以上の組成とは、後述の実施例の如く純金属の２種
のみならず、予備合金化して互いに組成を異にするもの
の２種以上を意味する６本発明により、成分偏析を生じ
易い成分系でも粉末の混合を十分に行なうこと、粉末粒
子径を選定することにより、マクロ的成分偏在の発生を
抑制することができる。
等の問題の発生を防止せんとするものであり、本発明で
２種以上の組成とは、後述の実施例の如く純金属の２種
のみならず、予備合金化して互いに組成を異にするもの
の２種以上を意味する６本発明により、成分偏析を生じ
易い成分系でも粉末の混合を十分に行なうこと、粉末粒
子径を選定することにより、マクロ的成分偏在の発生を
抑制することができる。
上記、製造方法において偏在をより少なくするためには
、混合する粉末をほぼ同粒径、同形状とすることが混合
所要時間短縮上有効である。また、粒径を細かくしすぎ
ると成型体の含有酸素量が多くなり易いので注意を要す
る。
、混合する粉末をほぼ同粒径、同形状とすることが混合
所要時間短縮上有効である。また、粒径を細かくしすぎ
ると成型体の含有酸素量が多くなり易いので注意を要す
る。
以下、実施例により本発明を詳述する。
まず市販の３２メツシユ（０，５ｎｎ）アンダーのＣｕ
粉およびＣｒ粉を、Ｃｕ ４．８５ｗｔ％（３，９４ａ
ｔ％）の割合にて■型ブレンダトこ入れ、８時間かけて
混合を行なった。そして前記によって、十分に混合され
たＣｒ−Ｃｕ粉を第１図（ａ）に断面図、（ｂ）に平面
図を示す５Ｓ４１を加工して作ったカプセルに充填した
（ここで上下のカプセルの板厚を厚くしたのは、その面
における熱間静水圧プレス時の変形を極力抑制するため
）。充填量は、６．５ｋｇ（充填密度６７．８１３％）
であった。ただし、熱間静水圧プレス後の変形を防止す
るためにはさらに充填密度を上げることが望ましい。次
に真空脱気後１１８０’ＣＸ ２１１ｒ、１０００気圧
にて熱間静水圧プレス処理を行なった。
粉およびＣｒ粉を、Ｃｕ ４．８５ｗｔ％（３，９４ａ
ｔ％）の割合にて■型ブレンダトこ入れ、８時間かけて
混合を行なった。そして前記によって、十分に混合され
たＣｒ−Ｃｕ粉を第１図（ａ）に断面図、（ｂ）に平面
図を示す５Ｓ４１を加工して作ったカプセルに充填した
（ここで上下のカプセルの板厚を厚くしたのは、その面
における熱間静水圧プレス時の変形を極力抑制するため
）。充填量は、６．５ｋｇ（充填密度６７．８１３％）
であった。ただし、熱間静水圧プレス後の変形を防止す
るためにはさらに充填密度を上げることが望ましい。次
に真空脱気後１１８０’ＣＸ ２１１ｒ、１０００気圧
にて熱間静水圧プレス処理を行なった。
熱間静水圧プレス処理で以上はなく、切削によりカプセ
ル部分を除去、さらに研磨してターゲット材に仕上げた
。熱間静水圧プレス前後の寸法比較を第１表に示す。こ
こで成型されたＣｒ−Ｃｕ合金を第２図に示す位置にて
ＴＰを採取し、Ｃｕの量を分析し、偏析を調査した結果
を第２表に示す（標準偏差σ＝０．２０２％）。またこ
の合金の密度は７．２５６３（ｇ／ｆｆ１）であり、検
鏡の結果気孔は見られずほぼ真密度と判定された。
ル部分を除去、さらに研磨してターゲット材に仕上げた
。熱間静水圧プレス前後の寸法比較を第１表に示す。こ
こで成型されたＣｒ−Ｃｕ合金を第２図に示す位置にて
ＴＰを採取し、Ｃｕの量を分析し、偏析を調査した結果
を第２表に示す（標準偏差σ＝０．２０２％）。またこ
の合金の密度は７．２５６３（ｇ／ｆｆ１）であり、検
鏡の結果気孔は見られずほぼ真密度と判定された。
第 １ 表
（ｎ、）
第 ２ 表
〔発明の効果〕
以上本発明の製造方法を純Ｃｒおよび純Ｃｕ粉を使用す
る例で述べたが、本発明はこれに限定されることなく、
他の合金系についても、また予備合金化された２種以上
の粉末を使用することも可能であり、割れ、成分偏析の
生じ易い合金系について成分偏析のない、かつ高硬度の
ターゲットを製造することが可能となる。また、カプセ
ルの形状、充填密度を調整することにより理論的に成型
形状をコントロール可能で成型後の機械加工を極力省く
ことができる。
る例で述べたが、本発明はこれに限定されることなく、
他の合金系についても、また予備合金化された２種以上
の粉末を使用することも可能であり、割れ、成分偏析の
生じ易い合金系について成分偏析のない、かつ高硬度の
ターゲットを製造することが可能となる。また、カプセ
ルの形状、充填密度を調整することにより理論的に成型
形状をコントロール可能で成型後の機械加工を極力省く
ことができる。
また、高純度の粉末を利用することにより、その粉末の
純度に応じた高純度のターゲットを製造することが可能
である。
純度に応じた高純度のターゲットを製造することが可能
である。
第１図は熱間静水圧プレス用カプセルの断面図および平
面図、第２図は分析試料採取位置を示す。
面図、第２図は分析試料採取位置を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 主成分であるＣｒ基地および該基地中に粒子状で存
在する原子比１０％以下の均一に分散したＣｕ粒子から
なり、Ｃｕの成分偏在を防止したことを特徴とするＣｒ
−Ｃｕターゲット材。 ２ ２種以上の元素でなるスパッタリングターゲット材
の製造方法において、１種または２種以上の組成の粉末
を均一に混合しカプセルに充填して熱間静水圧プレス法
により圧密化することを特徴とするターゲット材の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14033188A JPH01309961A (ja) | 1988-06-07 | 1988-06-07 | Ｃｒ−Ｃｕターゲット材およびターゲット材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14033188A JPH01309961A (ja) | 1988-06-07 | 1988-06-07 | Ｃｒ−Ｃｕターゲット材およびターゲット材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01309961A true JPH01309961A (ja) | 1989-12-14 |
Family
ID=15266338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14033188A Pending JPH01309961A (ja) | 1988-06-07 | 1988-06-07 | Ｃｒ−Ｃｕターゲット材およびターゲット材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01309961A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000018979A1 (en) * | 1998-10-01 | 2000-04-06 | Applied Science And Technology, Inc. | Sputter deposition apparatus |
| EP1069204A1 (en) * | 1999-07-14 | 2001-01-17 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Cu/Cr sputter targets |
| KR100597202B1 (ko) * | 2004-04-20 | 2006-07-04 | 안동기 | 무좀 및 아토피성 피부질환 개선용 조성물, 화장수 및 음료 |
| CN104419859A (zh) * | 2013-09-11 | 2015-03-18 | 安泰科技股份有限公司 | 铬铝硅合金靶材及其制备方法 |
-
1988
- 1988-06-07 JP JP14033188A patent/JPH01309961A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000018979A1 (en) * | 1998-10-01 | 2000-04-06 | Applied Science And Technology, Inc. | Sputter deposition apparatus |
| EP1069204A1 (en) * | 1999-07-14 | 2001-01-17 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Cu/Cr sputter targets |
| US6299831B1 (en) | 1999-07-14 | 2001-10-09 | Praxair S.T. Technology, Inc. | High performance Cu/Cr sputter targets for semiconductor application |
| KR100597202B1 (ko) * | 2004-04-20 | 2006-07-04 | 안동기 | 무좀 및 아토피성 피부질환 개선용 조성물, 화장수 및 음료 |
| CN104419859A (zh) * | 2013-09-11 | 2015-03-18 | 安泰科技股份有限公司 | 铬铝硅合金靶材及其制备方法 |
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