CN104419859A - 铬铝硅合金靶材及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种铬铝硅合金靶材及其制备方法。该合金靶材按原子百分比由以下成分组成：铬5-75%，铝10-90%，硅1-20%。其制备方法包括：制备合金粉末、冷等静压处理、脱气处理、热等静压处理以及机加工步骤。本发明的铬铝硅合金靶材具有致密度高、无气孔和偏析，组织均匀，晶粒细小等优点，适用于多种刀具、模具涂层溅射使用。

Description

铬铝硅合金靶材及其制备方法

技术领域

本发明属于粉末冶金制备领域，特别涉及一种铬铝硅合金靶材及其制备方法。 

背景技术

自从20世纪60年代以来，经过近半个世纪的发展，刀具表面涂层技术已经成为提升刀具性能的主要方法。刀具表面涂层，主要通过提高刀具表面硬度，热稳定性，降低摩擦系数等方法来提升切削速度，提高进给速度，从而提高切削效率，并大幅提升刀具寿命。 

刀具、工模具涂层经历了TiN、TiAlN等多个阶段，逐渐转化为CrN、CrAlN涂层，来提高工具、模具的耐磨性能。目前已经开发出纯铬或者铬铝合金靶材来制备这种膜层。CrAlN膜是采用铬铝合金靶材经过真空溅射镀在材料表面，该膜层可以达到2000HV以上的硬度，摩擦系数0.3，使用温度在700℃，具有银色的外观，应用领域十分广泛。因此，使用纯铬或铬铝合金靶材制备的CrN、CrCN、CrAl（CN）等膜层，可大大提高刀具、工模具的使用性能；研究表明，铬在涂层中明显提高其显微硬度，使其使用温度大幅提高。 

目前生产靶材主要有真空熔炼浇铸、热压、热等静压三种工艺。真空熔炼浇铸工艺生产靶材浇铸过程中容易产生缩孔、疏松和宏观偏析，同时合金中成分与组织的均匀性难以保证。热压工艺生产靶材难以实现尺寸大型化，同时热压靶材内部密度分布不均匀，中部与边缘密度有一定差别，难以获得高质量、密度均匀的靶材，如公开号为CN102363215A的中国专利申请所公开的铬铝合金靶材的粉末真空热压烧结制备方法。热等静压法工艺生产靶材，容易获得均匀细晶结构，靶材密度均匀，能实现大尺寸靶材的生产，可制得性能优异的三元合金溅射靶材。 

铬铝硅三元合金靶材生产技术难度大，因此有关其研究的文献较少，专 利技术更鲜有之。 

发明内容

针对现有技术的缺陷，本发明的目的在于提供一种铬铝硅合金靶材，该靶材通过铬、硅元素的介入，可提高所得涂层的硬度、抗高温氧化性； 

本发明的另一目的在于提供一种上述铬铝硅合金靶材的制备方法。该方法可以实现高品质三元合金铬铝硅靶材的制备，而且制备的靶材具有良好的致密性，无气孔、无疏松和偏析，成分均匀，晶粒细小，规格尺寸大的特点。 

为了实现上述目的，本发明采用了以下技术方案： 

一种铬铝硅合金靶材，按原子百分比由以下成分组成：铬5-75%，铝10-90%，硅1-20%。 

优选地，上述铬铝硅合金靶材按原子百分比由以下成分组成：铬40%，铝50%，硅10%。 

上述铬铝硅合金靶材的相对密度超过99%，平均晶粒尺寸不大于100μm。 

上述铬铝硅合金靶材的制备方法，包括以下步骤： 

步骤一，合金粉末的制备； 

步骤二，对制备好的所述合金粉末进行冷等静压处理； 

步骤三，对所述冷等静压处理后的料坯进行脱气处理； 

步骤四，对所述脱气处理后的料坯进行热等静压处理； 

步骤五，对所述热等静压处理后的料坯进行机加工，清洗后得到所需要的成品合金靶材。 

在上述制备方法中，所述合金粉末的制备没有特别说明时可以采用本领域常规的方法，即采用本领域常规方法将原料制成合金粉末。作为一种优选方式，在所述步骤一中，所述合金粉末的制备可以是采用雾化制粉方法制备合金粉末或者在混料机中直接将平均粒径符合要求的原料进行混合来制备合金粉末。当采用混料机进行原料的混合时，更优选为于真空或惰性气体保护条件下在V型混料机中混合3-5h。 

在上述制备方法中，作为一种优选方式，在所述步骤一中，所述合金粉末的平均粒径为30-150μm，示例性地，平均粒径可以为30-50μm、60-70μm、120-140μm、80-100μm、50μm、90μm、100μm、145μm。制备所述合金粉 末所用的原料金属铬的纯度优选为99.5%以上、金属铝的纯度优选为99.5%以上、硅的纯度优选为99.9%以上。 

在上述制备方法中，作为一种优选方式，在所述步骤二中，在20-200MPa压力下进行冷等静压处理，保压时间为10-30min。示例性地，所述冷等静压处理时的压力可以为22MPa、30MPa、40MPa、50MPa、65MPa、100MPa、140MPa、155MPa、168MPa、180MPa、190MPa；保压时间可以为10min、13min、15min、18min、20min。 

在上述制备方法中，作为一种优选方式，在所述步骤三中，所述脱气处理的温度为300-500℃，脱气时间为5-30h。示例性地，所述温度可以为305℃、320℃、350℃、370℃、400℃、425℃、450℃、480℃、495℃；所述脱气时间可以为5h、10h、20h、25h、28h。更优选地，所述脱气处理时的真空度控制在10^-1Pa～10^-4Pa，示例性地，真空度可以为10^-1Pa、10^-2Pa、10^-3Pa、10^-4Pa。 

在上述制备方法中，作为一种优选方式，在所述步骤四中，所述热等静压处理的保温温度为800-1300℃，保温时间为2-5h，压力为120-150MPa。示例性地，所述保温温度可以为805℃、850℃、920℃、1050℃、1230℃、1296℃；所述保温时间可以为2h、3h、4.5h、5h；所述压力可以为123MPa、134MPa、138MPa、145MPa、148MPa、150MPa。 

在上述制备方法中，各种优选方式可以自由组合。 

相比于现有技术而言，本发明具有如下有益效果： 

（1）本发明的铬铝硅合金靶材具有致密度高、无气孔和偏析，组织均匀，晶粒细小等优点，相对密度超过99%，平均晶粒尺寸不大于100μm。该靶材适用于多种刀具、模具涂层溅射使用。使用该类靶材所生产涂层，其硬度可达到35GPa，氧化温度可大大提高到1050℃，更适合于铝、不锈钢等粘附性强的材料高速、干式切削加工。 

（2）本发明通过元素硅的加入，制得铬铝硅三元合金靶材，该靶材可以改善合金涂层的耐磨性能，提高涂层高温抗氧化性能。 

（3）本发明方法实现了高品质三元合金铬铝硅靶材的制备。 

附图说明

图1是本发明实施例2得到的靶材的显微组织图。 

具体实施方式

以下通过具体实施例更进一步地描述本发明，但本发明不限于此。 

实施例1 

本实施例提供的铬铝硅合金靶材由以下原子百分比的成分组成：铬30%，铝60%，硅10%，对应的质量百分比为铬45.1%，铝46.8%，硅8.1%。 

其制备方法，包括以下步骤： 

步骤一，按照上述靶材成分的设计要求称取纯度为99.5%的金属铬45.1份、纯度为99.7%的金属铝46.8份和纯度为99.9%的金属硅8.1份，采用雾化制粉工艺制得平均粒径为40μm的合金粉末。 

其中雾化制粉工艺是采用电弧熔化方法进行金属熔化，并采用惰性气体-金属雾化制粉方法制备上述合金粉末。 

步骤二，将所得合金粉末装入冷等静压成型模具中，在200MPa的压力下进行冷等静压处理，保压时间为30min。 

步骤三，将冷等静压处理后的料坯装入尺寸合适的不锈钢包套中，将包套放置在脱气设备中进行脱气处理，加热温度为500℃，保温时间为20h，保温时真空度控制在10^-2Pa左右，所述脱气设备可以是市售扩散泵与井式电阻炉。 

步骤四，将脱气完毕的包套封焊后放入热等静压设备中烧结，保温温度为1300℃，保温时间为5h，压力为120MPa。 

步骤五，对所述热等静压处理后的锭坯进行机加工，清洗后得到所需要的成品合金靶材，其最大尺寸为1040*191*18mm。 

本实例得到的靶材相对密度达到99%，平均晶粒尺寸为100μm。 

本实施例得到的靶材经过真空溅射镀在YG6硬质合金刀具表面得到的涂层，其硬度可达到35GPa，氧化温度可大大提高到1050℃。 

实施例2 

本实施例提供的铬铝硅合金靶材由以下原子百分比的成分组成：铬9%，铝90%，硅1%。 

其制备方法，包括以下步骤： 

步骤一，按照上述靶材成分的设计要求称取平均粒径为80μm、纯度为99.5%的金属铬16份、纯度为99.7%金属铝83份、纯度为99.9%的金属硅1份，将其在V型混料机中混合3h，混合过程中抽真空进行保护，真空度控制在10-2Pa左右。 

步骤二，将混合好的合金粉末装入冷等静压成型模具中，在150MPa的压力下进行冷等静压处理，保压时间为10min。 

步骤三，将冷等静压处理后的料坯装入尺寸合适的金属包套中，将包套放置在脱气设备中进行脱气处理，加热温度350℃，保温时间30h，保温时真空度控制在10^-3Pa；所述脱气设备可以是市售扩散泵与井式电阻炉。 

步骤四，将脱气完毕的包套封焊后放入热等静压设备中烧结，保温温度为1100℃，保温时间3h，压力150MPa。 

步骤五，对所述热等静压处理后的锭坯进行机加工，清洗后得到所需要的成品合金靶材尺寸可达到980*150*18mm。 

本实例得到的靶材相对密度达到99.2%，平均晶粒尺寸70μm，其显微组织图参见图1。 

本实施例得到的靶材经过真空溅射镀在YG6硬质合金刀具表面所得到的涂层，其硬度可达到30GPa，氧化温度可大大提高到1030℃。 

实施例3 

本实施例提供的铬铝硅合金靶材由以下原子百分比的成分组成，铬5%，铝75%，硅20%。 

其制备方法，包括以下步骤： 

步骤一，按照上述靶材成分的设计要求称取平均粒径为150μm、纯度为99.5%的金属铬9.1份、纯度为99.7%的金属铝71.2份、纯度为99.9%的金属硅19.7份，将其在V型混料机中混合5h，混合过程中充入高纯氩气进行保护； 

步骤二，将混合好的粉末装入冷等静压成型模具中进行冷等静压处理，冷等静压压力为200MPa，保压时间为20min； 

步骤三，将冷等静压料坯装入尺寸合适的金属包套中，将包套放置在脱 气设备中进行脱气处理，加热温度为300℃，保温时间为15h，保温时真空度控制在10^-3Pa左右；所述脱气设备可以是市售扩散泵与井式电阻炉。 

步骤四，将脱气完毕的包套封焊后放入热等静压设备中烧结，保温温度为1250℃，保温时间4h，压力135MPa； 

步骤五，对所述热等静压处理后的锭坯进行机加工，清洗后得到所需要的成品合金靶材，其尺寸为331*174*26mm。 

本实例得到的靶材相对密度达到99.7%，平均晶粒尺寸90μm。 

本实施例得到的靶材经过真空溅射镀在YG6硬质合金刀具表面以形成涂层，其硬度可达到33GPa，氧化温度可大大提高到1010℃。 

实施例4 

本实施例提供的铬铝硅合金靶材由以下原子百分比的成分组成，铬75%，铝10%，硅15%。 

其制备方法，包括以下步骤： 

步骤一，按照上述靶材成分的设计要求称取平均粒径为30μm、纯度为99.5%的铬粉85份、纯度为99.7%的金属铝5.9份、纯度为99.9%的金属硅粉9.1份，将其在V型混料机中混合4h，混合过程中充入高纯氩气进行保护； 

步骤二，将混合好的粉末装入冷等静压成型模具中进行冷等静压处理，冷等静压压力为20MPa，保压时间为30min； 

步骤三，将冷等静压料坯装入尺寸合适的不锈钢包套中，将包套放置在脱气设备中进行脱气处理，加热温度为400℃，保温时间为5h；保温时真空度控制在10^-4Pa左右；所述脱气设备可以是市售扩散泵与井式电阻炉。 

步骤四，将脱气完毕的包套封焊后放入热等静压设备中烧结，保温温度为800℃，保温时间为2h，压力为140MPa； 

步骤五，对所述热等静压处理后的锭坯进行机加工，清洗后得到所需要的成品合金靶材，其尺寸为831*174*26mm。 

本实例得到的靶材相对密度达到99.7%，平均晶粒尺寸80μm。 

本实施例得到的靶材经过真空溅射镀在YG6硬质合金刀具表面所制得的涂层，其硬度可达到34GPa，氧化温度可大大提高到1040℃。 

实施例5 

本实施例提供的钛铝锆合金靶材由以下原子百分比的成分组成，铬40%，铝50%，硅10%。 

该靶材的制备方法同实施例2，得到的靶材尺寸为1050*170*18mm。 

本实例得到的靶材相对密度达到99.8%，平均晶粒尺寸65μm。 

使用该成分靶材经过真空溅射镀在YG6硬质合金刀具表面制得涂层，其硬度可达到33GPa，抗氧化温度可大大提高到1040℃。 

以上实施例中各参数的测定方法如下：相对密度采用阿基米德排水法进行测定；通过光学金相显微镜对靶材晶粒尺寸进行分析；用微纳米硬度计对刀具涂层硬度进行检测；采用自然热电偶法测定刀具切削温度，并确定涂层氧化温度。 

应当理解，这些实施例的用途仅用于说明本发明而非意欲限制本发明的保护范围。此外，也应理解，在阅读了本发明的技术内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动、修改和/或变型，所有的这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的保护范围之内。 

Claims (10)

1.一种铬铝硅合金靶材，其特征在于，按原子百分比由以下成分组成：铬5-75%，铝10-90%，硅1-20%。

2.根据权利要求1所述的铬铝硅合金靶材，其特征在于，按原子百分比由以下成分组成：铬40%，铝50%，硅10%。

3.根据权利要求1所述的铬铝硅合金靶材，其特征在于，所述合金靶材的相对密度超过99%，平均晶粒尺寸不大于100μm。

4.权利要求1-3任一所述铬铝硅合金靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一，合金粉末的制备；

步骤二，对制备好的所述合金粉末进行冷等静压处理；

步骤三，对所述冷等静压处理后的料坯进行脱气处理；

步骤四，对所述脱气处理后的料坯进行热等静压处理；

步骤五，对所述热等静压处理后的料坯进行机加工，清洗后得到所需要的成品合金靶材。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤一中，所述合金粉末是采用雾化制粉方法制备的或者在混料机中直接将平均粒径符合要求的原料进行混合来制备的。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在混料机中直接将平均粒径符合要求的原料进行混合是指于真空或惰性气体保护条件下在V型混料机中混合3-5h。

7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述合金粉末的平均粒径为30-150μm。

8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤二中，在20-200MPa压力下进行冷等静压处理，保压时间为10-30min。

9.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤三中，所述脱气处理的温度为300-500℃，脱气时间为5-30h；优选地，所述脱气处理时的真空度控制在10^-1Pa～10^-4Pa。

10.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤四中，所述热等静压处理的保温温度为800-1300℃，保温时间为2-5h，压力为120-150MPa。