JPH0551732A - スパツタリング用ターゲツト及びその製造方法 - Google Patents
スパツタリング用ターゲツト及びその製造方法Info
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- JPH0551732A JPH0551732A JP5515491A JP5515491A JPH0551732A JP H0551732 A JPH0551732 A JP H0551732A JP 5515491 A JP5515491 A JP 5515491A JP 5515491 A JP5515491 A JP 5515491A JP H0551732 A JPH0551732 A JP H0551732A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 均一な合金相からなるＴｉーＷ系のスパッタ
リング用ターゲット及びその製造方法の提供を目的とす
る。 【構成】 スパッタリング用ターゲットはＴｉを５〜３
０重量％含むタングステン合金からなる。また、このス
パッタリング用ターゲットの製造方法では、上記の組成
の混合物を電子衝撃法もしくはプラズマ衝撃法により加
熱溶融し、得られた溶融物を鋳造してタングステン合金
とする。また、熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）を用いて前
記タングステン合金を熱処理してもよい。 【効果】 ターゲットの微視的な均一性を向上させ高純
度とすることができ、スパッタリングする際のパーティ
クルの発生を減少させ、半導体の歩留まりを大幅に向上
させることができる。また、ＨＩＰを用いて熱処理する
とＴｉ−Ｗ合金相の微小な鋳造欠陥（ポア）が消失し均
一性が更に高まる。
リング用ターゲット及びその製造方法の提供を目的とす
る。 【構成】 スパッタリング用ターゲットはＴｉを５〜３
０重量％含むタングステン合金からなる。また、このス
パッタリング用ターゲットの製造方法では、上記の組成
の混合物を電子衝撃法もしくはプラズマ衝撃法により加
熱溶融し、得られた溶融物を鋳造してタングステン合金
とする。また、熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）を用いて前
記タングステン合金を熱処理してもよい。 【効果】 ターゲットの微視的な均一性を向上させ高純
度とすることができ、スパッタリングする際のパーティ
クルの発生を減少させ、半導体の歩留まりを大幅に向上
させることができる。また、ＨＩＰを用いて熱処理する
とＴｉ−Ｗ合金相の微小な鋳造欠陥（ポア）が消失し均
一性が更に高まる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、スパッタリング用タ
ーゲット及びその製造方法に係り、特に均一な合金相か
らなるＴｉーＷ系のスパッタリング用ターゲット及びそ
の製造方法に関するものである。
ーゲット及びその製造方法に係り、特に均一な合金相か
らなるＴｉーＷ系のスパッタリング用ターゲット及びそ
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体産業の進歩は半導体工業を
支える微細加工技術及び周辺技術の絶え間ない進歩によ
り支えられており、半導体プロセス技術において多用さ
れるスパッタリング用ターゲット（以下、単にターゲッ
トと略称する）もその先端技術を支えるものの一つであ
る。
支える微細加工技術及び周辺技術の絶え間ない進歩によ
り支えられており、半導体プロセス技術において多用さ
れるスパッタリング用ターゲット（以下、単にターゲッ
トと略称する）もその先端技術を支えるものの一つであ
る。
【０００３】特に、半導体の集積化が進むにつれて加工
技術に要求される精度も益々高まる一方であり、前記タ
ーゲットの一つであるＴｉーＷ系のターゲットについて
もより高純度かつ均一な組成のものが求められている。
このＴｉーＷ系ターゲットは、通常、図２に示す様な粉
末冶金法により製造される。
技術に要求される精度も益々高まる一方であり、前記タ
ーゲットの一つであるＴｉーＷ系のターゲットについて
もより高純度かつ均一な組成のものが求められている。
このＴｉーＷ系ターゲットは、通常、図２に示す様な粉
末冶金法により製造される。
【０００４】まず、ターゲットの原料となるＴｉ，Ｗ各
々を所定量秤量する。通常、Ｔｉは３Ｎ〜４Ｎの粉体、
Ｗは５Ｎ程度の粉体のものが好適に用いられる。次に、
これらの各原料をボールミル等の混合機により混合した
後、この混合した粉体をゴム製の成形金型に充填し、冷
間静水圧プレス（ＣＩＰ）により加圧・成形する。次
に、得られた成形物をステンレススチール等の金属缶に
封入し熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）により焼結する。な
お、ホットプレス（ＨＰ）を用いれば、上記の加圧・成
形工程と焼結工程を一つの工程で行うことができる。上
記により得られた焼結体を所定の形状に加工した後、ボ
ンディング等の仕上加工がなされて製品（ターゲット）
とされる。
々を所定量秤量する。通常、Ｔｉは３Ｎ〜４Ｎの粉体、
Ｗは５Ｎ程度の粉体のものが好適に用いられる。次に、
これらの各原料をボールミル等の混合機により混合した
後、この混合した粉体をゴム製の成形金型に充填し、冷
間静水圧プレス（ＣＩＰ）により加圧・成形する。次
に、得られた成形物をステンレススチール等の金属缶に
封入し熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）により焼結する。な
お、ホットプレス（ＨＰ）を用いれば、上記の加圧・成
形工程と焼結工程を一つの工程で行うことができる。上
記により得られた焼結体を所定の形状に加工した後、ボ
ンディング等の仕上加工がなされて製品（ターゲット）
とされる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のター
ゲットを用いてスパッタリングを行った場合、できた半
導体製品にパーティクルが多数発生し、半導体の歩留ま
りが大幅に低下するという問題点があった。その原因
は、ターゲットの製造に粉末冶金法を用いていることに
よる。
ゲットを用いてスパッタリングを行った場合、できた半
導体製品にパーティクルが多数発生し、半導体の歩留ま
りが大幅に低下するという問題点があった。その原因
は、ターゲットの製造に粉末冶金法を用いていることに
よる。
【０００６】従来の製造方法によるターゲットでは、粗
大なＴｉ粒子の周囲を微細なＷ粒子が多数取り囲んだ金
属組織構造になっている。したがって、スパッタリング
する際に粗大なＴｉ粒子が基になってパーティクルが発
生することとなる。
大なＴｉ粒子の周囲を微細なＷ粒子が多数取り囲んだ金
属組織構造になっている。したがって、スパッタリング
する際に粗大なＴｉ粒子が基になってパーティクルが発
生することとなる。
【０００７】また、ＷもしくはＴｉ−Ｗ合金は融点が極
めて高く（常圧下で約３４００℃以上）かつＴｉは非常
に酸化され易いものであるから、Ｔｉ粉が製造工程中に
酸化してＴｉＯ2等を生成することとなり、ターゲット
の純度を低下させる原因になっていた。この発明は、上
記の事情に鑑みてなされたもので、以上の問題点を有効
に解決することができるスパッタリング用ターゲット及
びその製造方法を提供することにある。
めて高く（常圧下で約３４００℃以上）かつＴｉは非常
に酸化され易いものであるから、Ｔｉ粉が製造工程中に
酸化してＴｉＯ2等を生成することとなり、ターゲット
の純度を低下させる原因になっていた。この発明は、上
記の事情に鑑みてなされたもので、以上の問題点を有効
に解決することができるスパッタリング用ターゲット及
びその製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は次の様なスパッタリング用ターゲット及
びその製造方法を採用した。すなわち、請求項１記載の
スパッタリング用ターゲットとしては、Ｔｉを５〜３０
重量％含むタングステン合金からなることを特徴として
いる。ここで、Ｔｉの含有量が上記の範囲を外れている
場合には、生成膜の特性が所望の特性にならないために
不適当である。
に、この発明は次の様なスパッタリング用ターゲット及
びその製造方法を採用した。すなわち、請求項１記載の
スパッタリング用ターゲットとしては、Ｔｉを５〜３０
重量％含むタングステン合金からなることを特徴として
いる。ここで、Ｔｉの含有量が上記の範囲を外れている
場合には、生成膜の特性が所望の特性にならないために
不適当である。
【０００９】また、請求項２記載のスパッタリング用タ
ーゲットの製造方法としては、Ｔｉが５〜３０重量％、
残部がＷよりなる混合物を、電子衝撃法もしくはプラズ
マ衝撃法により加熱溶融し、得られた溶融物を鋳造して
タングステン合金とすることを特徴としている。ここ
で、電子衝撃法もしくはプラズマ衝撃法により加熱する
こととしたのは、前記混合物を非接触により高温に加熱
することで前記溶融物の内部に含まれるＮａ，Ｋ，Ｍ
ｇ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｕ，ＴｉＯ2等の不純物を除
去し、同時に容器等からの汚染を防止するためである。
また、溶融物を鋳造したのは、該溶融物をより均一な合
金相とするためである。
ーゲットの製造方法としては、Ｔｉが５〜３０重量％、
残部がＷよりなる混合物を、電子衝撃法もしくはプラズ
マ衝撃法により加熱溶融し、得られた溶融物を鋳造して
タングステン合金とすることを特徴としている。ここ
で、電子衝撃法もしくはプラズマ衝撃法により加熱する
こととしたのは、前記混合物を非接触により高温に加熱
することで前記溶融物の内部に含まれるＮａ，Ｋ，Ｍ
ｇ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｕ，ＴｉＯ2等の不純物を除
去し、同時に容器等からの汚染を防止するためである。
また、溶融物を鋳造したのは、該溶融物をより均一な合
金相とするためである。
【００１０】また、請求項３記載のスパッタリング用タ
ーゲットの製造方法としては、請求項２記載のスパッタ
リング用ターゲットの製造方法において、前記タングス
テン合金を熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）を用いて熱処理
することを特徴としている。ここで、ＨＩＰを用いるの
は合金相内に生じる微小な鋳造欠陥（ポア）を取り除く
ためで、処理温度は低すぎると微小な鋳造欠陥が残るた
めに１２００℃以上が好ましい。
ーゲットの製造方法としては、請求項２記載のスパッタ
リング用ターゲットの製造方法において、前記タングス
テン合金を熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）を用いて熱処理
することを特徴としている。ここで、ＨＩＰを用いるの
は合金相内に生じる微小な鋳造欠陥（ポア）を取り除く
ためで、処理温度は低すぎると微小な鋳造欠陥が残るた
めに１２００℃以上が好ましい。
【００１１】
【作用】この発明の請求項１記載のスパッタリング用タ
ーゲットでは、Ｔｉを５〜３０重量％含むタングステン
合金としたことにより、ターゲットの微視的な均一性を
大幅に向上させ、該ターゲットの表面からスパッタされ
る原子の流れが極めて均一かつ等方的な流れとなり、パ
ーティクルの発生を減少させる。
ーゲットでは、Ｔｉを５〜３０重量％含むタングステン
合金としたことにより、ターゲットの微視的な均一性を
大幅に向上させ、該ターゲットの表面からスパッタされ
る原子の流れが極めて均一かつ等方的な流れとなり、パ
ーティクルの発生を減少させる。
【００１２】また、請求項２記載のスパッタリング用タ
ーゲットの製造方法では、ＴｉーＷの混合物を、電子衝
撃法もしくはプラズマ衝撃法により非接触で高温に加熱
溶融することにより、この加熱溶融の際に前記混合物中
に含まれるＮａ，Ｋ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｕ，
ＴｉＯ2等の不純物を揮発させて除去する。また、得ら
れた溶融物を鋳造してタングステン合金とすることによ
り、ＴｉとＷからなる相は均一な合金相となる。
ーゲットの製造方法では、ＴｉーＷの混合物を、電子衝
撃法もしくはプラズマ衝撃法により非接触で高温に加熱
溶融することにより、この加熱溶融の際に前記混合物中
に含まれるＮａ，Ｋ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｕ，
ＴｉＯ2等の不純物を揮発させて除去する。また、得ら
れた溶融物を鋳造してタングステン合金とすることによ
り、ＴｉとＷからなる相は均一な合金相となる。
【００１３】また、請求項３記載のスパッタリング用タ
ーゲットの製造方法では、前記タングステン合金をＨＩ
Ｐを用いて熱処理することにより、ＴｉとＷからなる合
金相の微小な鋳造欠陥（ポア）を消失させる。
ーゲットの製造方法では、前記タングステン合金をＨＩ
Ｐを用いて熱処理することにより、ＴｉとＷからなる合
金相の微小な鋳造欠陥（ポア）を消失させる。
【００１４】
【実施例】以下、この発明の実施例について説明する。
【００１５】（実施例１）まず、図１に基づきターゲッ
トの製造方法について説明する。表１に示す組成となる
様にターゲットの原料Ｔｉ，Ｗをそれぞれ所定量秤量し
た。原料としては、それぞれ５Ｎ〜６Ｎの金属塊を用い
た。次に、これらの原料を水冷銅ハース（銅容器）中に
充填し、このＴｉーＷの混合物に高エネルギーの電子ビ
ームを照射し加熱溶融した。電子ビームは電子線加熱型
を用い、加速電圧を２０ｋＶ、電子流を１．０Ａとし
た。このときの混合物の溶融温度は３０００℃であっ
た。また、前記電子ビームの替わりにプラズマビームを
用いても全く同様の効果を得ることができた。前記加熱
溶融の際にＴｉ−Ｗ混合物中のＮａ，Ｋ，Ｍｇ，Ａｌ，
Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｕ，ＴｉＯ2等の不純物が揮発し除去さ
れるために、前記溶融物は純化され５Ｎ以上の高純度と
なった。得られた溶融物を冷却し鋳造してタングステン
合金とした。なお、ＴｉーＷの混合物をＣＩＰにより成
形した後に電子ビームにより加熱溶融しても勿論良い。
次に、上記により得られたタングステン合金塊を所定の
形状に加工した後、ボンディング等の仕上加工を行い製
品（ターゲット）とした。
トの製造方法について説明する。表１に示す組成となる
様にターゲットの原料Ｔｉ，Ｗをそれぞれ所定量秤量し
た。原料としては、それぞれ５Ｎ〜６Ｎの金属塊を用い
た。次に、これらの原料を水冷銅ハース（銅容器）中に
充填し、このＴｉーＷの混合物に高エネルギーの電子ビ
ームを照射し加熱溶融した。電子ビームは電子線加熱型
を用い、加速電圧を２０ｋＶ、電子流を１．０Ａとし
た。このときの混合物の溶融温度は３０００℃であっ
た。また、前記電子ビームの替わりにプラズマビームを
用いても全く同様の効果を得ることができた。前記加熱
溶融の際にＴｉ−Ｗ混合物中のＮａ，Ｋ，Ｍｇ，Ａｌ，
Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｕ，ＴｉＯ2等の不純物が揮発し除去さ
れるために、前記溶融物は純化され５Ｎ以上の高純度と
なった。得られた溶融物を冷却し鋳造してタングステン
合金とした。なお、ＴｉーＷの混合物をＣＩＰにより成
形した後に電子ビームにより加熱溶融しても勿論良い。
次に、上記により得られたタングステン合金塊を所定の
形状に加工した後、ボンディング等の仕上加工を行い製
品（ターゲット）とした。
【００１６】表１は、上記実施例のターゲットと従来の
ターゲット（比較例）の特性を比較したものである。
ターゲット（比較例）の特性を比較したものである。
【表１】 表１から明らかな様に、上記実施例のターゲットは、純
度、パーティクル密度共に従来のもの（比較例）と比べ
て大幅に向上していることがわかる。
度、パーティクル密度共に従来のもの（比較例）と比べ
て大幅に向上していることがわかる。
【００１７】表２は、上記実施例のターゲット（Ｎｏ．
１）と従来のターゲット（Ｎｏ．５）の不純物の分析結
果である。ここでは、Ｎａ，Ｋ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｎ
ｉ，Ｃｕの各元素については原子吸光分析により、ま
た、Ｏ2については非分散赤外線吸収法により分析し
た。
１）と従来のターゲット（Ｎｏ．５）の不純物の分析結
果である。ここでは、Ｎａ，Ｋ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｎ
ｉ，Ｃｕの各元素については原子吸光分析により、ま
た、Ｏ2については非分散赤外線吸収法により分析し
た。
【表２】 表２から明らかな様に、この実施例のターゲットの不純
物は従来のもの（比較例）と比べて大幅に減少している
ことがわかる。
物は従来のもの（比較例）と比べて大幅に減少している
ことがわかる。
【００１８】また、表３は、ターゲット（Ｎｏ．１）と
ターゲット（Ｎｏ．５）を用いてＳｉ基板上にスパッタ
リングを行った場合のパーティクル発生数の計測結果で
ある。ここでは、直流マグネトロンスパッタ装置を用い
てＡｒ圧３×１０-3Ｔｏｒｒの下で４ｉｎ．Ｓｉウエハ
上に膜厚３００ｎｍの薄膜を成膜した。計測に用いたＳ
ｉウエハの枚数はＮｏ．１，Ｎｏ．５共に１５枚とし
た。
ターゲット（Ｎｏ．５）を用いてＳｉ基板上にスパッタ
リングを行った場合のパーティクル発生数の計測結果で
ある。ここでは、直流マグネトロンスパッタ装置を用い
てＡｒ圧３×１０-3Ｔｏｒｒの下で４ｉｎ．Ｓｉウエハ
上に膜厚３００ｎｍの薄膜を成膜した。計測に用いたＳ
ｉウエハの枚数はＮｏ．１，Ｎｏ．５共に１５枚とし
た。
【表３】 表３から明らかな様に、ターゲット（Ｎｏ．１）を用い
た場合のパーティクルの発生数は、従来のもの（Ｎｏ．
５）と比べて大幅に減少していることがわかる。
た場合のパーティクルの発生数は、従来のもの（Ｎｏ．
５）と比べて大幅に減少していることがわかる。
【００１９】上記のターゲット（Ｎｏ．１）では、Ｔｉ
とＷからなる相は微視的な均一性を有する均一な合金相
となっており、従来のターゲットと比較して微視的な均
一性が大幅に向上している。
とＷからなる相は微視的な均一性を有する均一な合金相
となっており、従来のターゲットと比較して微視的な均
一性が大幅に向上している。
【００２０】以上説明した様に、この実施例のターゲッ
トでは、ＴｉーＷ系合金のターゲットとしたので、Ｔｉ
とＷからなる均一な合金相はターゲットの微視的な均一
性を大幅に向上させることができ、スパッタリングする
際にパーティクルの発生を減少させることができる。し
たがって、半導体の歩留まりを大幅に向上させることが
可能になる。
トでは、ＴｉーＷ系合金のターゲットとしたので、Ｔｉ
とＷからなる均一な合金相はターゲットの微視的な均一
性を大幅に向上させることができ、スパッタリングする
際にパーティクルの発生を減少させることができる。し
たがって、半導体の歩留まりを大幅に向上させることが
可能になる。
【００２１】また、この実施例のターゲットの製造方法
では、ＴｉーＷの混合物を高エネルギーの電子ビーム
（もしくはプラズマビーム）を照射することにより加熱
溶融することとしたので、この加熱溶融の際に前記Ｔｉ
−Ｗ混合物中のＮａ，Ｋ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃ
ｕ，ＴｉＯ2等の不純物を揮発させて除去することがで
き、高純度のターゲットを得ることができる。また、得
られた溶融物を鋳造してタングステン合金とすることと
したので、ＴｉとＷからなる相を微視的な均一性を有す
る均一な合金相とすることができる。また、Ｗ及びＴｉ
の原料として金属塊を用いたので、Ｗ及びＴｉの原料に
含まれる不純物の量が粉体のものと比べて少なく、また
製造工程中の酸化の度合も少なくなるので、極めて高純
度のターゲットを得ることが可能になる。
では、ＴｉーＷの混合物を高エネルギーの電子ビーム
（もしくはプラズマビーム）を照射することにより加熱
溶融することとしたので、この加熱溶融の際に前記Ｔｉ
−Ｗ混合物中のＮａ，Ｋ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃ
ｕ，ＴｉＯ2等の不純物を揮発させて除去することがで
き、高純度のターゲットを得ることができる。また、得
られた溶融物を鋳造してタングステン合金とすることと
したので、ＴｉとＷからなる相を微視的な均一性を有す
る均一な合金相とすることができる。また、Ｗ及びＴｉ
の原料として金属塊を用いたので、Ｗ及びＴｉの原料に
含まれる不純物の量が粉体のものと比べて少なく、また
製造工程中の酸化の度合も少なくなるので、極めて高純
度のターゲットを得ることが可能になる。
【００２２】（実施例２）この実施例のターゲットが上
述した実施例１のターゲットと異なる点は、鋳造したタ
ングステン合金をステンレススチール缶に封入しＨＩＰ
により熱処理を行った点である。この実施例２では、１
２００℃にて２時間、ＨＩＰによる熱処理を行った。
述した実施例１のターゲットと異なる点は、鋳造したタ
ングステン合金をステンレススチール缶に封入しＨＩＰ
により熱処理を行った点である。この実施例２では、１
２００℃にて２時間、ＨＩＰによる熱処理を行った。
【００２３】この製造方法によるＴｉーＷ系合金のター
ゲットでは、ＴｉとＷからなる相は微視的な均一性を有
する均一な合金相となっており、Ｔｉ−Ｗ合金相の中の
微小な鋳造欠陥（ポア）も消失している。
ゲットでは、ＴｉとＷからなる相は微視的な均一性を有
する均一な合金相となっており、Ｔｉ−Ｗ合金相の中の
微小な鋳造欠陥（ポア）も消失している。
【００２４】この実施例によれば、ＨＩＰを用いて熱処
理することとしたので、Ｔｉ−Ｗ合金相の中の微小な鋳
造欠陥（ポア）を消失させることができ、この合金相の
均一性を更に向上させることができる。
理することとしたので、Ｔｉ−Ｗ合金相の中の微小な鋳
造欠陥（ポア）を消失させることができ、この合金相の
均一性を更に向上させることができる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明した様に、この発明の請求項１
記載のスパッタリング用ターゲットによれば、Ｔｉを５
〜３０重量％含むタングステン合金からなることとした
ので、ＴｉとＷからなる均一な合金相はターゲットの微
視的な均一性を大幅に向上させることができ、該ターゲ
ットの表面からスパッタされる原子の流れが極めて均一
かつ等方的な流れとすることができ、スパッタリングす
る際のパーティクルの発生を減少させることができる。
したがって、半導体の歩留まりを大幅に向上させること
が可能になる。
記載のスパッタリング用ターゲットによれば、Ｔｉを５
〜３０重量％含むタングステン合金からなることとした
ので、ＴｉとＷからなる均一な合金相はターゲットの微
視的な均一性を大幅に向上させることができ、該ターゲ
ットの表面からスパッタされる原子の流れが極めて均一
かつ等方的な流れとすることができ、スパッタリングす
る際のパーティクルの発生を減少させることができる。
したがって、半導体の歩留まりを大幅に向上させること
が可能になる。
【００２６】また、請求項２記載のスパッタリング用タ
ーゲットの製造方法によれば、Ｔｉが５〜３０重量％、
残部がＷよりなる混合物を電子衝撃法もしくはプラズマ
衝撃法により加熱溶融することとしたので、前記混合物
を非接触で高温に加熱することができ、同時に容器等か
らの汚染を防止することができ、この加熱溶融の際に前
記Ｔｉ−Ｗ混合物中のＮａ，Ｋ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｎ
ｉ，Ｃｕ，ＴｉＯ2等の不純物を揮発除去することがで
き、したがって、高純度のターゲットを得ることができ
る。また、得られた溶融物を鋳造してタングステン合金
とすることとしたので、ＴｉとＷからなる相を微視的な
均一性を有する均一な合金相とすることができる。
ーゲットの製造方法によれば、Ｔｉが５〜３０重量％、
残部がＷよりなる混合物を電子衝撃法もしくはプラズマ
衝撃法により加熱溶融することとしたので、前記混合物
を非接触で高温に加熱することができ、同時に容器等か
らの汚染を防止することができ、この加熱溶融の際に前
記Ｔｉ−Ｗ混合物中のＮａ，Ｋ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｎ
ｉ，Ｃｕ，ＴｉＯ2等の不純物を揮発除去することがで
き、したがって、高純度のターゲットを得ることができ
る。また、得られた溶融物を鋳造してタングステン合金
とすることとしたので、ＴｉとＷからなる相を微視的な
均一性を有する均一な合金相とすることができる。
【００２７】また、請求項３記載のスパッタリング用タ
ーゲットの製造方法によれば、請求項２記載のスパッタ
リングターゲットの製造方法において、前記タングステ
ン合金をＨＩＰを用いて熱処理することとしたので、Ｔ
ｉ−Ｗ合金相の中の微小な鋳造欠陥（ポア）を消失させ
ることができ、この合金相の均一性を更に向上させるこ
とができる。
ーゲットの製造方法によれば、請求項２記載のスパッタ
リングターゲットの製造方法において、前記タングステ
ン合金をＨＩＰを用いて熱処理することとしたので、Ｔ
ｉ−Ｗ合金相の中の微小な鋳造欠陥（ポア）を消失させ
ることができ、この合金相の均一性を更に向上させるこ
とができる。
【図１】本発明のスパッタリング用ターゲットの製造方
法を示す工程図である。
法を示す工程図である。
【図２】従来のスパッタリング用ターゲットの製造方法
を示す工程図である。
を示す工程図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 郁夫 兵庫県三田市テクノパーク12−６ 三菱マ テリアル株式会社三田工場内
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｔｉを５〜３０重量％含むタングステン
合金からなることを特徴とするスパッタリング用ターゲ
ット。 - 【請求項２】 Ｔｉ５〜３０重量％、残部がＷよりなる
混合物を、電子衝撃法もしくはプラズマ衝撃法により加
熱溶融し、得られた溶融物を鋳造してタングステン合金
とすることを特徴とするスパッタリング用ターゲットの
製造方法。 - 【請求項３】 請求項２記載のスパッタリング用ターゲ
ットの製造方法において、前記タングステン合金を熱間
静水圧プレス（ＨＩＰ）を用いて熱処理することを特徴
とするスパッタリング用ターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5515491A JPH0551732A (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | スパツタリング用ターゲツト及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5515491A JPH0551732A (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | スパツタリング用ターゲツト及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0551732A true JPH0551732A (ja) | 1993-03-02 |
Family
ID=12990834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5515491A Withdrawn JPH0551732A (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | スパツタリング用ターゲツト及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0551732A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008218693A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Mitsubishi Materials Corp | エッチングレートの高いＷ−Ｔｉ拡散防止膜およびそのＷ−Ｔｉ拡散防止膜を形成するためのスパッタリング用Ｗ−Ｔｉターゲット |
| JP2012087335A (ja) * | 2010-10-16 | 2012-05-10 | Mitsubishi Materials Corp | Ｗ−Ｔｉ系拡散防止膜およびＷ−Ｔｉ系拡散防止膜形成用スパッタリングターゲット |
| WO2020095595A1 (ja) * | 2018-11-06 | 2020-05-14 | 三菱マテリアル株式会社 | Ｗ－Ｔｉスパッタリングターゲット |
-
1991
- 1991-03-19 JP JP5515491A patent/JPH0551732A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008218693A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Mitsubishi Materials Corp | エッチングレートの高いＷ−Ｔｉ拡散防止膜およびそのＷ−Ｔｉ拡散防止膜を形成するためのスパッタリング用Ｗ−Ｔｉターゲット |
| JP2012087335A (ja) * | 2010-10-16 | 2012-05-10 | Mitsubishi Materials Corp | Ｗ−Ｔｉ系拡散防止膜およびＷ−Ｔｉ系拡散防止膜形成用スパッタリングターゲット |
| WO2020095595A1 (ja) * | 2018-11-06 | 2020-05-14 | 三菱マテリアル株式会社 | Ｗ－Ｔｉスパッタリングターゲット |
| KR20200119348A (ko) * | 2018-11-06 | 2020-10-19 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | W-Ti 스퍼터링 타깃 |
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